JPH07258826A - Production of thin film semiconductor device - Google Patents
Production of thin film semiconductor deviceInfo
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- JPH07258826A JPH07258826A JP4906094A JP4906094A JPH07258826A JP H07258826 A JPH07258826 A JP H07258826A JP 4906094 A JP4906094 A JP 4906094A JP 4906094 A JP4906094 A JP 4906094A JP H07258826 A JPH07258826 A JP H07258826A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイなど
の駆動に用いる薄膜半導体装置を製造する方法の改良に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a method of manufacturing a thin film semiconductor device used for driving a liquid crystal display or the like.
【０００２】現在、液晶ディスプレイは、情報処理装置
に於ける表示部、テレビジョンの表示部などとして多用
され、次第に大面積化、且つ、精細化する傾向にある。At present, liquid crystal displays are widely used as display parts in information processing devices, display parts of televisions, and the like, and there is a tendency for the area to become larger and the definition to become finer.
【０００３】そこで、これに対処する為、不良の発生が
なく、高い歩留りで液晶ディスプレイを製造できる方法
の開発が望まれているところであるが、その不良が発生
する原因は、液晶ディスプレイの駆動側に在る。Therefore, in order to deal with this, it is desired to develop a method capable of producing a liquid crystal display without a defect and with a high yield. The cause of the defect is the driving side of the liquid crystal display. Is in
【０００４】即ち、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）マトリクス、或いは、薄膜ダイオー
ド・マトリクスを製造する際に生ずる欠陥が問題となる
のであり、従って、それを解決する必要がある。That is, a TFT (thin film tr)
Defects that occur during the fabrication of an anistor matrix or a thin film diode matrix are a problem and therefore need to be resolved.
【０００５】[0005]
【従来の技術】図６は従来例を説明する為の薄膜ダイオ
ード・マトリクスを表す要部平面図である。尚、ここで
は、一画素分を表してある。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a plan view of an essential part showing a thin film diode matrix for explaining a conventional example. Here, one pixel is shown.
【０００６】図に於いて、１はガラス基板、２はデータ
線、２Ａはデータ電極、３は接続電極、４は画素電極を
それぞれ示している。In the figure, 1 is a glass substrate, 2 is a data line, 2A is a data electrode, 3 is a connection electrode, and 4 is a pixel electrode.
【０００７】図７乃至図１０は従来例を説明する為の製
造工程要所に於ける薄膜ダイオード・マトリクスを表す
要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ
説明する。尚、図６に於いて用いた記号と同記号は同部
分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。7 to 10 are cross-sectional side views of a main part of a thin film diode matrix in a manufacturing process for explaining a conventional example, which will be described below with reference to these drawings. The same symbols as those used in FIG. 6 represent the same parts or have the same meanings.
【０００８】図７参照 ７−（１） ガラス基板１上にタンタル（Ｔａ）膜を形成する。 ７−（２） Ｔａ膜のパターニングを行って、データ線２（図示せ
ず）、データ電極２Ａを形成する。7- (1) A tantalum (Ta) film is formed on the glass substrate 1. 7- (2) The Ta film is patterned to form the data line 2 (not shown) and the data electrode 2A.
【０００９】図８参照 ８−（１） データ線２及びデータ電極２Ａの表面を陽極酸化してＴ
ａ2 Ｏ5 膜５を形成する。See FIG. 8 8- (1) The surface of the data line 2 and the data electrode 2A is anodized to obtain T
The a 2 O 5 film 5 is formed.
【００１０】図９参照 ９−（１） 接続電極となるべきＣｒ膜を全面に形成する。 ９−（２） Ｃｒ膜をパターニングして接続電極３を形成する。See FIG. 9 9- (1) A Cr film to be a connection electrode is formed on the entire surface. 9- (2) The Cr film is patterned to form the connection electrode 3.
【００１１】図１０参照 １０−（１） ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）膜を全面
に形成する。 １０−（２） ＩＴＯ膜を所定形状にパターニングして画素電極４を形
成する。10- (1) An ITO (indium tin oxide) film is formed on the entire surface. 10- (2) The ITO film is patterned into a predetermined shape to form the pixel electrode 4.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術に於いて
は、薄膜ダイオード、即ち、ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ ｍｅｔａｌ）ダイオードに於ける絶縁
膜を形成する為、金属に陽極酸化法を適用しなければな
らず、また、画素電極との接続金属となるＣｒ膜のパタ
ーニングを行うことが必要である。In the prior art, a thin film diode, that is, a MIM (metal in metal) is used.
In order to form an insulating film in a diode, it is necessary to apply an anodic oxidation method to the metal, and it is also necessary to pattern the Cr film to be the connection metal with the pixel electrode.
【００１３】従って、薄膜ダイオード・マトリクスを製
造する場合、ＴＦＴマトリクスを製造する場合に比較す
れば少ないものの、結構な工程数を必要としている。Therefore, in the case of manufacturing a thin film diode matrix, although it is smaller than in the case of manufacturing a TFT matrix, it requires a considerable number of steps.
【００１４】一般に、製造工程数が多いことは、直ちに
製造歩留りの低下に結び付くことを懸念しなければなら
ない。In general, it must be feared that a large number of manufacturing steps will immediately lead to a decrease in manufacturing yield.
【００１５】本発明は、薄膜ダイオード・マトリクスの
製造工程数の低減を図り、製造歩留りの向上、信頼性の
向上、製造コストの低下を実現しようとする。The present invention seeks to reduce the number of manufacturing steps of the thin film diode matrix, and to improve the manufacturing yield, reliability, and manufacturing cost.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】近年、水を添加したＩＴ
Ｏ膜に関する技術が開示されている（要すれば、「特開
平２−１６３３６３号公報」、を参照）。この水を添加
したＩＴＯ膜の効果としては、エッチングの制御が容易
であることが挙げられている。[Means for Solving the Problems] In recent years, IT with water added
A technique related to the O film is disclosed (see, for example, “Japanese Patent Laid-Open No. 2-163363” if necessary). As an effect of the ITO film added with water, it is mentioned that the control of etching is easy.
【００１７】一般に、Ａｌ膜上に水を添加しないＩＴＯ
膜を成膜した場合、十分なオーミック・コンタクトをと
るのは困難であったが、本発明者が、前記水を添加した
ＩＴＯ膜の効果に関して種々な追試実験を行ったとこ
ろ、Ａｌ膜とＩＴＯ膜とのコンタクト抵抗がかなり高い
ことを見出した。この理由は、それ等の界面に多かれ少
なかれ絶縁膜が発生していることに起因する。In general, ITO without water added on the Al film
When the film was formed, it was difficult to make a sufficient ohmic contact. However, when the present inventor conducted various follow-up experiments regarding the effect of the ITO film containing water, the Al film and the ITO film were It was found that the contact resistance with the film was quite high. The reason for this is that the insulating film is generated more or less at the interfaces thereof.
【００１８】そこで、この現象を利用すれば、薄膜ダイ
オード・マトリクスを製造する工程を簡略化することが
可能である。即ち、データ線やデータ電極に陽極酸化法
を適用して絶縁膜を形成する必要はなくなり、また、デ
ータ電極と画素電極とを接続電極を介することなく直接
接続することができるのである。Therefore, by utilizing this phenomenon, it is possible to simplify the process of manufacturing the thin film diode matrix. That is, it is not necessary to apply an anodic oxidation method to the data line or the data electrode to form an insulating film, and the data electrode and the pixel electrode can be directly connected without the connection electrode.
【００１９】前記したところから、本発明に依る薄膜ダ
イオード・マトリクスの製造方法に於いては、（１）透
明絶縁性基板上にＡｌ膜を形成してからパターニングを
行う工程と、次いで、水を添加したＩＴＯ膜を形成して
から少なくとも一部が前記Ａｌ膜と重なるようにパター
ニングする工程とが含まれてなることを特徴とするか、
或いは、From the above, in the method of manufacturing a thin film diode matrix according to the present invention, (1) a step of forming an Al film on a transparent insulating substrate and then performing patterning, and then water. Forming an added ITO film, and then patterning so that at least a part of the ITO film overlaps with the Al film.
Alternatively,
【００２０】（２）透明絶縁性基板（例えばガラス基板
１１）上にＡｌ膜を形成してからパターニングを行って
データ電極（例えばデータ電極１２Ａ）をもつデータ線
（例えばデータ線１２）を形成する工程と、次いで、水
を添加したＩＴＯ膜を形成してからパターニングを行っ
て一部が前記データ電極と重なる画素電極（例えば画素
電極１３）を形成する工程とが含まれてなることを特徴
とするか、或いは、(2) An Al film is formed on a transparent insulating substrate (eg glass substrate 11) and then patterned to form data lines (eg data lines 12) having data electrodes (eg data electrodes 12A). And a step of forming a pixel electrode (for example, the pixel electrode 13) that partially overlaps with the data electrode by forming an ITO film to which water is added and then performing patterning. Or
【００２１】（３）透明絶縁性基板（例えばガラス基板
１１）上にＡｌ膜を形成してからパターニングを行って
データ線（例えばデータ線１２）を形成する工程と、次
いで、水を添加したＩＴＯ膜を形成してからパターニン
グを行って一部が前記データ線と重なる（例えば重なり
部１３Ａに於いて重なる）画素電極（例えば画素電極１
３）を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする
か、或いは、(3) A step of forming an Al film on a transparent insulating substrate (for example, glass substrate 11) and then performing patterning to form data lines (for example, data line 12), and then ITO added with water A pixel electrode (for example, the pixel electrode 1) that partially overlaps with the data line (for example, overlaps in the overlapping portion 13A) by forming a film and then performing patterning
3) is included, or
【００２２】（４）前記（１）或いは（２）或いは
（３）に於いて、データ線或いはデータ電極をもつデー
タ線を多層膜で構成する場合に少なくとも最上層膜はＡ
ｌ膜とすることを特徴とするか、或いは、（５）前記
（１）或いは（２）或いは（３）或いは（４）に於い
て、スパッタリング法を適用して水を添加しつつＩＴＯ
膜を形成する工程が含まれる。(4) In the above (1), (2) or (3), when the data line or the data line having the data electrode is composed of a multilayer film, at least the uppermost layer film is A.
or (5) In the above (1) or (2) or (3) or (4), the sputtering method is applied to add ITO while adding water.
The step of forming a film is included.
【００２３】[0023]
【作用】前記手段を採ることに依り、データ線やデータ
電極を陽極酸化する必要はなくなり、また、例えば薄膜
ダイオードと画素電極との接続に接続電極を介する必要
はなくなるので、従来の薄膜ダイオード・マトリクスな
どの薄膜半導体装置の製造方法に比較して二工程を削減
することができ、製造工程の短縮、製造歩留りの向上、
信頼性の向上、製造コストの低下を実現することができ
る。By adopting the above means, it is not necessary to anodize the data lines and data electrodes, and for example, it is not necessary to connect the thin film diode and the pixel electrode through the connection electrode. Compared with the method of manufacturing a thin film semiconductor device such as a matrix, it is possible to reduce two steps, shorten the manufacturing process, improve the manufacturing yield,
It is possible to improve reliability and reduce manufacturing cost.
【００２４】[0024]
【実施例】図１は本発明に於ける第一実施例を解説する
為の薄膜ダイオード・マトリクスを表す要部平面図であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a plan view of an essential part showing a thin film diode matrix for explaining a first embodiment of the present invention.
【００２５】図に於いて、１１はガラス基板、１２はＡ
ｌからなるデータ線、１２Ａはデータ線１２と一体のデ
ータ電極、１３は水を添加したＩＴＯからなる画素電極
をそれぞれ示している。In the figure, 11 is a glass substrate and 12 is A.
Data lines 12a, 12A are data electrodes integrated with the data lines 12, and 13 are pixel electrodes made of water-doped ITO.
【００２６】図２及び図３は第一実施例を解説する為の
工程要所に於ける薄膜ダイオード・マトリクスの要部切
断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明す
る。FIGS. 2 and 3 are side sectional views of a main part of the thin film diode matrix in the process steps for explaining the first embodiment, which will be described below with reference to these figures.
【００２７】図２参照 ２−（１） スパッタリング法を適用することに依り、ガラス基板１
１上に厚さ例えば８００〔Å〕のＡｌ膜を形成する。See FIG. 2 2- (1) By applying the sputtering method, the glass substrate 1
An Al film having a thickness of, for example, 800 [Å] is formed on the first layer 1.
【００２８】２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントをリン酸を主成分とするエッチング液とす
るウエット・エッチング法を適用することに依り、前記
工程２−（１）で形成したＡｌ膜のパターニングを行っ
てデータ線１２（図示せず）及びデータ線１２と連なる
データ電極１２Ａを形成する。尚、ここでは、データ電
極１２Ａの幅Ｗを１０〔μｍ〕にしてある。2- (2) Resist process in lithography technology, and
By applying a wet etching method using an etchant containing phosphoric acid as a main component as an etchant, the Al film formed in the step 2- (1) is patterned to perform data line 12 (not shown) and A data electrode 12A connected to the data line 12 is formed. Here, the width W of the data electrode 12A is set to 10 [μm].
【００２９】図３参照 ３−（１） スパッタリング法を適用することに依り、酸素雰囲気中
に於いて水を添加しつつＩｎＳｎ合金からなる厚さ例え
ば７００〔Å〕の透明導電膜、即ち、水を添加したＩＴ
Ｏ膜を全面に形成する。水を添加したＩＴＯ膜の成膜に
は、バッチ式カルセル型の装置を用い、Ａｒを５０〔ｓ
ｃｃｍ〕及びＯ2 を０．６〔ｓｃｃｍ〕にＨ2 Ｏを添加
した雰囲気中で実施した。See FIG. 3. 3- (1) By applying the sputtering method, a transparent conductive film of InSn alloy having a thickness of, for example, 700 [Å], that is, water, is added while adding water in an oxygen atmosphere. IT with added
An O film is formed on the entire surface. A batch type carcel type apparatus was used to form the ITO film with water added, and Ar was set to 50 [s
It was carried out in an atmosphere in which H 2 O was added to ccm] and O 2 of 0.6 [sccm].
【００３０】３−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、並び
に、エッチャントをシュウ酸とするウエット・エッチン
グ法を適用することに依って、前記工程３−（１）で形
成したＩＴＯ膜のパターニングを行って画素電極１３を
形成する。3- (2) By applying the resist process in the lithography technique and the wet etching method using oxalic acid as the etchant, the ITO film formed in the step 3- (1) is formed. The pixel electrode 13 is formed by patterning.
【００３１】前記のようにして得られる薄膜ダイオード
・マトリクスに於いては、画素電極１３とデータ電極１
２Ａとの界面には、Ａｌの酸化膜が生成されていて、そ
の抵抗値は、例えば１〔ｋΩ〕〜１〔ＭΩ〕程度であっ
て、ＭＩＭダイオードに於ける絶縁膜として十分に役割
を果たし得る値であった。In the thin film diode matrix obtained as described above, the pixel electrode 13 and the data electrode 1
An Al oxide film is formed at the interface with 2A, and its resistance value is, for example, about 1 [kΩ] to 1 [MΩ], and it plays a sufficient role as an insulating film in the MIM diode. It was a value to gain.
【００３２】図４は本発明に於ける第二実施例を解説す
る為の薄膜ダイオード・マトリクスを表す要部平面図で
あり、図１乃至図３に於いて用いた記号と同記号は同部
分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。FIG. 4 is a plan view of an essential part showing a thin film diode matrix for explaining the second embodiment of the present invention. The same symbols as those used in FIGS. 1 to 3 are the same parts. Or have the same meaning.
【００３３】この薄膜ダイオード・マトリクスを製造す
るには、図１乃至図３について説明した実施例と同じ工
程を採って良い。唯、データ線１２のパターンが異なっ
ているので、その相違に起因して、画素電極１３の設け
方に若干の変化があるだけである。To manufacture this thin film diode matrix, the same steps as in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 may be taken. However, since the patterns of the data lines 12 are different, there is only a slight change in the way the pixel electrodes 13 are provided due to the difference.
【００３４】図から明らかなように、本実施例に於ける
データ線１２には、データ電極が付設されていない。従
って、画素電極１３は、データ線１２と対向する側のエ
ッジがデータ線１２と全長に亙って重なるように形成さ
れている。図では、その重なり部を記号１３Ａで指示し
てある。As is apparent from the figure, the data line 12 in this embodiment is not provided with a data electrode. Therefore, the pixel electrode 13 is formed so that the edge on the side facing the data line 12 overlaps the data line 12 over the entire length. In the figure, the overlapping portion is indicated by the symbol 13A.
【００３５】図５は本発明に依って製造された薄膜ダイ
オードに於ける電流・電圧特性を表す線図であり、縦軸
に電流〔Ａ〕を、また、横軸にデータ電極電圧〔Ｖ〕を
それぞれ採ってある。FIG. 5 is a diagram showing the current-voltage characteristics in the thin film diode manufactured according to the present invention, in which the vertical axis represents current [A] and the horizontal axis represents data electrode voltage [V]. Are taken respectively.
【００３６】このデータは、データ電極電圧を変化さ
せ、流れる電流を画像で読み取ってプロットしたもので
あり、典型的なＭＩＭダイオードの特性を示している。This data is obtained by plotting the current flowing in the image by changing the data electrode voltage and showing the characteristic of a typical MIM diode.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明に依る薄膜ダイオード・マトリク
スの製造方法に於いては、透明絶縁性基板上にＡｌ膜を
形成してからパターニングを行ってデータ電極をもつデ
ータ線或いはデータ線を形成し、水を添加したＩＴＯ膜
を形成してからパターニングを行って一部が前記データ
電極或いはデータ線と重なる画素電極を形成する。In the method of manufacturing a thin film diode matrix according to the present invention, an Al film is formed on a transparent insulating substrate and then patterned to form a data line having a data electrode or a data line. After forming an ITO film to which water is added, patterning is performed to form a pixel electrode partially overlapping the data electrode or the data line.
【００３８】前記構成を採ることに依り、データ線やデ
ータ電極を陽極酸化する必要はなくなり、また、薄膜ダ
イオードと画素電極との接続に接続電極を介する必要は
なくなるので、従来の薄膜ダイオード・マトリクスの製
造方法に比較して二工程を削減することができ、製造工
程の短縮、製造歩留りの向上、信頼性の向上、製造コス
トの低下を実現することができる。By adopting the above structure, it is not necessary to anodize the data lines and data electrodes, and it is not necessary to connect the thin film diode and the pixel electrode through the connection electrode. Therefore, the conventional thin film diode matrix is used. It is possible to reduce two steps as compared with the manufacturing method described above, and it is possible to shorten the manufacturing steps, improve the manufacturing yield, improve reliability, and reduce the manufacturing cost.
【図１】本発明に於ける第一実施例を解説する為の薄膜
ダイオード・マトリクスを表す要部平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a main part of a thin film diode matrix for explaining a first embodiment of the present invention.
【図２】第一実施例を解説する為の工程要所に於ける薄
膜ダイオード・マトリクスの要部切断側面図である。FIG. 2 is a side sectional view of a main part of a thin film diode matrix in a process main part for explaining a first embodiment.
【図３】第一実施例を解説する為の工程要所に於ける薄
膜ダイオード・マトリクスの要部切断側面図である。FIG. 3 is a sectional side view of a main part of a thin film diode matrix in a process main part for explaining a first embodiment.
【図４】本発明に於ける第二実施例を解説する為の薄膜
ダイオード・マトリクスを表す要部平面図である。FIG. 4 is a main part plan view showing a thin film diode matrix for explaining a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明に依って製造された薄膜ダイオードに於
ける電流・電圧特性を表す線図である。FIG. 5 is a diagram showing current-voltage characteristics in a thin film diode manufactured according to the present invention.
【図６】従来例を説明する為の薄膜ダイオード・マトリ
クスを表す要部平面図である。FIG. 6 is a main part plan view showing a thin film diode matrix for explaining a conventional example.
【図７】従来例を説明する為の製造工程要所に於ける薄
膜ダイオード・マトリクスを表す要部切断側面図であ
る。FIG. 7 is a side sectional view showing a main part of a thin film diode matrix in a manufacturing process key part for explaining a conventional example.
【図８】従来例を説明する為の製造工程要所に於ける薄
膜ダイオード・マトリクスを表す要部切断側面図であ
る。FIG. 8 is a side sectional view showing a main part of a thin film diode matrix in a manufacturing process key part for explaining a conventional example.
【図９】従来例を説明する為の製造工程要所に於ける薄
膜ダイオード・マトリクスを表す要部切断側面図であ
る。FIG. 9 is a side sectional view showing a main part of a thin film diode matrix in a manufacturing process key part for explaining a conventional example.
【図１０】従来例を説明する為の製造工程要所に於ける
薄膜ダイオード・マトリクスを表す要部切断側面図であ
る。FIG. 10 is a side sectional view showing a main part of a thin film diode matrix in a manufacturing process key part for explaining a conventional example.
１１ ガラス基板 １２ Ａｌからなるデータ線 １２Ａ データ線１２と一体のデータ電極 １３ 水を添加したＩＴＯからなる画素電極 11 glass substrate 12 data line made of Al 12A data electrode integrated with data line 12 pixel electrode made of ITO to which water is added
Claims (5)
パターニングを行う工程と、 次いで、水を添加したＩＴＯ膜を形成してから少なくと
も一部が前記Ａｌ膜と重なるようにパターニングする工
程とが含まれてなることを特徴とする薄膜半導体装置の
製造方法。1. A step of patterning after forming an Al film on a transparent insulating substrate, and then forming an ITO film to which water is added, and then patterning so that at least a part thereof overlaps with the Al film. A method of manufacturing a thin film semiconductor device, comprising:
パターニングを行ってデータ電極をもつデータ線を形成
する工程と、 次いで、水を添加したＩＴＯ膜を形成してからパターニ
ングを行って一部が前記データ電極と重なる画素電極を
形成する工程とが含まれてなることを特徴とする薄膜半
導体装置の製造方法。2. A step of forming an Al film on a transparent insulating substrate and then performing patterning to form a data line having a data electrode, and then forming an ITO film to which water is added and then performing patterning. And a step of forming a pixel electrode partially overlapping the data electrode.
パターニングを行ってデータ線を形成する工程と、 次いで、水を添加したＩＴＯ膜を形成してからパターニ
ングを行って一部が前記データ線と重なる画素電極を形
成する工程とが含まれてなることを特徴とする薄膜半導
体装置の製造方法。3. A step of forming an Al film on a transparent insulating substrate and then performing patterning to form a data line; and a step of forming an ITO film to which water is added and then performing patterning to partially And a step of forming a pixel electrode that overlaps with the data line.
を多層膜で構成する場合に少なくとも最上層膜はＡｌ膜
とすることを特徴とする請求項１或いは２或いは３記載
の薄膜半導体装置の製造方法。4. The thin film semiconductor device manufacturing method according to claim 1, wherein at least the uppermost layer film is an Al film when the data line having the data electrode or the data line is formed of a multilayer film. Method.
つＩＴＯ膜を形成する工程が含まれてなることを特徴と
する請求項１或いは２或いは３或いは４記載の薄膜半導
体装置の製造方法。5. The method for manufacturing a thin film semiconductor device according to claim 1, further comprising the step of forming an ITO film while adding water by applying a sputtering method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4906094A JPH07258826A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Production of thin film semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4906094A JPH07258826A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Production of thin film semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07258826A true JPH07258826A (en) | 1995-10-09 |
Family
ID=12820547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4906094A Withdrawn JPH07258826A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Production of thin film semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07258826A (en) |
Cited By (5)
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