JPH0725763B2 - ポルフィリン誘導体 - Google Patents
ポルフィリン誘導体Info
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- JPH0725763B2 JPH0725763B2 JP6032089A JP6032089A JPH0725763B2 JP H0725763 B2 JPH0725763 B2 JP H0725763B2 JP 6032089 A JP6032089 A JP 6032089A JP 6032089 A JP6032089 A JP 6032089A JP H0725763 B2 JPH0725763 B2 JP H0725763B2
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- monoeg
- ethoxy
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- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はポルフィリン誘導体、特に癌指向性薬剤として
の用途を有する新規なポルフィリン化合物とその金属複
合体に関する。
の用途を有する新規なポルフィリン化合物とその金属複
合体に関する。
本明細書において、「ポルフィリン誘導体」なる語は広
義に使用され、次式で示される基本骨格（以下「ポルフ
ィリン骨格」と言う。）を有する化合物を総称するもの
とする： 上記ポルフィン骨格において、ピロール環の窒素原子に
付いた２個の水素原子またはプロトンは金属原子または
金属イオンによって置換され、メタロポルフィリン類と
呼ばれる金属複合体を与えるが、これら金属複合体もま
た「ポルフィリン誘導体」なる語に包含されるものであ
る。
義に使用され、次式で示される基本骨格（以下「ポルフ
ィリン骨格」と言う。）を有する化合物を総称するもの
とする： 上記ポルフィン骨格において、ピロール環の窒素原子に
付いた２個の水素原子またはプロトンは金属原子または
金属イオンによって置換され、メタロポルフィリン類と
呼ばれる金属複合体を与えるが、これら金属複合体もま
た「ポルフィリン誘導体」なる語に包含されるものであ
る。
（ロ）従来の技術 従来、ポルフィリン誘導体が癌組織に対して選択的な集
積性を有することはよく知られている。
積性を有することはよく知られている。
しかしながら、ポルフィリン誘導体は光によって毒性を
発揮する一方、癌組織に対する選択性も未だ充分なもの
でないため、これを人体に投与した場合、患者は正常組
織に集まったポルフィリン誘導体が体外に排せつされる
まで長時間にわたって暗所にとどまることが必要とな
る。本発明者らは、この点の欠陥を克服するため種々研
究を重ねた結果、ある種の金属をポルフィン骨格内に導
入して得られたポルフィリン化合物の金属複合体につい
て、癌に対する親和性を維持したまま光毒性のみが低減
している事実を見出だした（特開昭61-83185号公報）。
発揮する一方、癌組織に対する選択性も未だ充分なもの
でないため、これを人体に投与した場合、患者は正常組
織に集まったポルフィリン誘導体が体外に排せつされる
まで長時間にわたって暗所にとどまることが必要とな
る。本発明者らは、この点の欠陥を克服するため種々研
究を重ねた結果、ある種の金属をポルフィン骨格内に導
入して得られたポルフィリン化合物の金属複合体につい
て、癌に対する親和性を維持したまま光毒性のみが低減
している事実を見出だした（特開昭61-83185号公報）。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 上記の如くポルフィリン化合物の光毒性はそのポルフィ
ン骨格にある種の金属を導入することによって低減する
が、低減の度合が必ずしも充分なものではない。
ン骨格にある種の金属を導入することによって低減する
が、低減の度合が必ずしも充分なものではない。
（ニ）問題を解決するための手段 そこで光毒性の影響を免れる他の方法を求めて更に研究
を重ねた結果、ポルフィリン化合物の側鎖に多官能性カ
ルボン酸を結合せしめると、該ポルフィリン化合物の癌
に対する親和性は維持されるが、健全な組織に対する親
和性は著しく低下する事実が明らかとなった。すなわ
ち、ポルフィリン化合物の側鎖に多官能性カルボン酸を
結合させた誘導体は、癌組織に対する選択的集積性を有
する反面、正常組織からは速やかに排せつされる特性を
有し、このため光毒性について格別の配慮を払う必要が
なくなったのである。上述したポルフィリン誘導体の特
性は、ポルフィン骨格に金属を導入しても実質的に変わ
るものではなく、むしろ前記したような光毒性の低減が
認められることもあって一層有利な結果が得られる。
を重ねた結果、ポルフィリン化合物の側鎖に多官能性カ
ルボン酸を結合せしめると、該ポルフィリン化合物の癌
に対する親和性は維持されるが、健全な組織に対する親
和性は著しく低下する事実が明らかとなった。すなわ
ち、ポルフィリン化合物の側鎖に多官能性カルボン酸を
結合させた誘導体は、癌組織に対する選択的集積性を有
する反面、正常組織からは速やかに排せつされる特性を
有し、このため光毒性について格別の配慮を払う必要が
なくなったのである。上述したポルフィリン誘導体の特
性は、ポルフィン骨格に金属を導入しても実質的に変わ
るものではなく、むしろ前記したような光毒性の低減が
認められることもあって一層有利な結果が得られる。
なお、ポルフィン骨格に対する金属の導入は金属の種類
によって必ずしも容易ではないが、ポルフィリン化合物
の側鎖に結合させる多官能性カルボン酸としてキレート
形成能を有する基（キレート形成性基）を持ったカルボ
ン酸を使用した場合には、このキレート形成性基によっ
て金属が捕捉されるので、金属複合体の形成が容易とな
る。従って、ポルフィリン化合物を放射性金属標識診断
剤として使用する目的でこれに放射性金属を導入する場
合には、導入が容易であり、しかも分子当たりの導入量
が大となる利点もある。
によって必ずしも容易ではないが、ポルフィリン化合物
の側鎖に結合させる多官能性カルボン酸としてキレート
形成能を有する基（キレート形成性基）を持ったカルボ
ン酸を使用した場合には、このキレート形成性基によっ
て金属が捕捉されるので、金属複合体の形成が容易とな
る。従って、ポルフィリン化合物を放射性金属標識診断
剤として使用する目的でこれに放射性金属を導入する場
合には、導入が容易であり、しかも分子当たりの導入量
が大となる利点もある。
本発明は上記の知見に基づいて完成されたものあって、
その要旨は、 式： （式中、R1および２はそれぞれ−CH−CH2、−CH2CH3、
−CH（Ｏ−低級アルカノイル）CH3、−CH（OR）CH3また
は−CH（Ｏ−低級アルキレン−OR）CH3、R3は−Ｈ、−C
OOH、−COO−低級アルキルまたは−COO−低級アルキレ
ン−OR、R4は−Ｈ、−低級アルキルまたは−低級アルキ
レン−OR、Ｒは−Ｈまたは−低級アルキル、Ｚは式
（Ｉ）の化合物からR3を除いた残基、ＡはCH2−または
−CO−、γ位に結合した点線は無結合または単結合を示
し、７位と８位の間の点線は一重結合または二重結合の
存在を示す。ただし、式中に存在するヒドロキシル基お
よびカルボキシル基の少なくとも一つは多官能性カルボ
ン酸と該多官能性カルボン酸に存在するるカルボキシル
基またはその他の官能基を介して結合しているが、多官
能性カルボン酸がアミノ酸である場合には、γ位に結合
した点線は単結合を示さないものとする。） で示されるポルフィリン化合物およびその金属複合体
（ただし金属はポルフィン骨格内または多官能性カルボ
ン酸残基内もしくはポルフィン骨格内と多官能性カルボ
ン酸残基内に存在することが出来る。また、R1、R2、R3
およびR4の少なくとも一つはＲを持った基でなければな
らない。） に存する。
その要旨は、 式： （式中、R1および２はそれぞれ−CH−CH2、−CH2CH3、
−CH（Ｏ−低級アルカノイル）CH3、−CH（OR）CH3また
は−CH（Ｏ−低級アルキレン−OR）CH3、R3は−Ｈ、−C
OOH、−COO−低級アルキルまたは−COO−低級アルキレ
ン−OR、R4は−Ｈ、−低級アルキルまたは−低級アルキ
レン−OR、Ｒは−Ｈまたは−低級アルキル、Ｚは式
（Ｉ）の化合物からR3を除いた残基、ＡはCH2−または
−CO−、γ位に結合した点線は無結合または単結合を示
し、７位と８位の間の点線は一重結合または二重結合の
存在を示す。ただし、式中に存在するヒドロキシル基お
よびカルボキシル基の少なくとも一つは多官能性カルボ
ン酸と該多官能性カルボン酸に存在するるカルボキシル
基またはその他の官能基を介して結合しているが、多官
能性カルボン酸がアミノ酸である場合には、γ位に結合
した点線は単結合を示さないものとする。） で示されるポルフィリン化合物およびその金属複合体
（ただし金属はポルフィン骨格内または多官能性カルボ
ン酸残基内もしくはポルフィン骨格内と多官能性カルボ
ン酸残基内に存在することが出来る。また、R1、R2、R3
およびR4の少なくとも一つはＲを持った基でなければな
らない。） に存する。
上記各記号の意味に関して使用された「低級アルキレ
ン」なる語は炭素数５以下、好ましくは炭素数１〜３の
アルキレン（たとえばエチレン、トリメチレン、プロピ
レン）を意味する。また、「低級アルキル」なる語は炭
素数８以下、好ましくは炭素数１〜３のアルキル（たと
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル）を
意味する。
ン」なる語は炭素数５以下、好ましくは炭素数１〜３の
アルキレン（たとえばエチレン、トリメチレン、プロピ
レン）を意味する。また、「低級アルキル」なる語は炭
素数８以下、好ましくは炭素数１〜３のアルキル（たと
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル）を
意味する。
なおまた、「低級アルカノイル」なる語は炭素数８以
下、好ましく炭素数３以下のアルカノイル（たとえばア
セチン、プロピオニル）を意味する。
下、好ましく炭素数３以下のアルカノイル（たとえばア
セチン、プロピオニル）を意味する。
「多官能性カルボン酸」なる語は１個のカルボキシル基
に加え、少なくとも１個の官能基（たとえば−NH2、−O
H、−SH、−COOH）を有するものを指称する。好ましく
は、生理学的に許容され得るもの、たとえばグリシン、
システイン、グルタミン酸、アラニン、シスチン、アス
パラギン、バリン、メチオニン、グルタミン、ロイシ
ン、フェニルアラニン、イソロイシン、セリン、トリプ
トファン、スレオニン、アスパラギン酸などのアミノ酸
類が使用されてよい。また、キレート形成能基を有する
生理学的に許容され得るものの使用は一層好ましく、そ
の具体例としてはエチレンジアミン四酢酸（EDTA）、ジ
エチレントリアミン五酢酸（DTPA）、1,2−ビス（ｏ−
アミノフェノキシ）エタン−四酢酸（BAPTA）、1,3−ジ
アミノプロパノール四酢酸（DPTA−OH）、トランス−1,
2−シクロヘキサンジアミン四酢酸（CyDTA）、ヒドロキ
シエチルエチレンジアミン三酢酸（EDTA−OH）、エチレ
ンジアミン二酢酸（EDDA）、イミノ二酢酸（IDA）、エ
チレンジアミン−ビス（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）
（EDDHA）などを挙げることが出来る。
に加え、少なくとも１個の官能基（たとえば−NH2、−O
H、−SH、−COOH）を有するものを指称する。好ましく
は、生理学的に許容され得るもの、たとえばグリシン、
システイン、グルタミン酸、アラニン、シスチン、アス
パラギン、バリン、メチオニン、グルタミン、ロイシ
ン、フェニルアラニン、イソロイシン、セリン、トリプ
トファン、スレオニン、アスパラギン酸などのアミノ酸
類が使用されてよい。また、キレート形成能基を有する
生理学的に許容され得るものの使用は一層好ましく、そ
の具体例としてはエチレンジアミン四酢酸（EDTA）、ジ
エチレントリアミン五酢酸（DTPA）、1,2−ビス（ｏ−
アミノフェノキシ）エタン−四酢酸（BAPTA）、1,3−ジ
アミノプロパノール四酢酸（DPTA−OH）、トランス−1,
2−シクロヘキサンジアミン四酢酸（CyDTA）、ヒドロキ
シエチルエチレンジアミン三酢酸（EDTA−OH）、エチレ
ンジアミン二酢酸（EDDA）、イミノ二酢酸（IDA）、エ
チレンジアミン−ビス（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）
（EDDHA）などを挙げることが出来る。
なお、これらはアルカリ金属塩の形で使用されてもよ
い。
い。
式（Ｉ）で表されるポルフィリン化合物には少なくとも
２種類の化合物が包含される。すなわち、その一つは式
（Ｉ）においてＡが−CH2−、γ位に結合した点線が無
結合を示し、７位と８位の間の点線が二重結合の存在を
示す化合物群（ポルフィン類）であり、他は式（Ｉ）に
おいてＡが−CO−、γ位に結合した点線が単結合の存在
を示し、７位と８位の間の点線が一重結合の存在を示す
化合物群（フォルビン類）である。
２種類の化合物が包含される。すなわち、その一つは式
（Ｉ）においてＡが−CH2−、γ位に結合した点線が無
結合を示し、７位と８位の間の点線が二重結合の存在を
示す化合物群（ポルフィン類）であり、他は式（Ｉ）に
おいてＡが−CO−、γ位に結合した点線が単結合の存在
を示し、７位と８位の間の点線が一重結合の存在を示す
化合物群（フォルビン類）である。
多官能性カルボン酸残基がキレート形成性基を有する場
合には、ポルフィリン化合物（Ｉ）の金属複合体には少
なくとも３種の複合体を含む。すなわち、ポルフィン骨
格のみに金属が結合したもの、多官能性カルボン酸残基
のみに金属が結合したものおよびポルフィン骨格と多官
能性カルボン酸残基の両方に金属が結合したものの３種
である。
合には、ポルフィリン化合物（Ｉ）の金属複合体には少
なくとも３種の複合体を含む。すなわち、ポルフィン骨
格のみに金属が結合したもの、多官能性カルボン酸残基
のみに金属が結合したものおよびポルフィン骨格と多官
能性カルボン酸残基の両方に金属が結合したものの３種
である。
本発明のポルフィリン化合物（Ｉ）およびその金属複合
体は新規物質であり、自体常套の方法によってこれを製
造することが出来る。通常は、先ず式（Ｉ）に対応する
ポルフィリン化合物であって、R1、R2、R3およびR4の少
なくとも一つが水素であるＲを有するものを構成し（工
程（ａ））、次いでこれに多官能性カルボン酸残基を導
入し（工程（ｂ））、必要に応じこの導入工程（ｂ）の
前または／および後に金属を結合せしめる（工程
（ｃ））ことによって調製される。
体は新規物質であり、自体常套の方法によってこれを製
造することが出来る。通常は、先ず式（Ｉ）に対応する
ポルフィリン化合物であって、R1、R2、R3およびR4の少
なくとも一つが水素であるＲを有するものを構成し（工
程（ａ））、次いでこれに多官能性カルボン酸残基を導
入し（工程（ｂ））、必要に応じこの導入工程（ｂ）の
前または／および後に金属を結合せしめる（工程
（ｃ））ことによって調製される。
構成工程（ａ）は長ら著「ポルフィリンの化学」（共立
出版発行）（1982年）、フォーク（Falk）著「ポルフィ
リンズ・アンド・メタロポルフィリンズ（Porphyrins a
nd Metalloporphyrins）」（エルスビ−ル発行）（1975
年）、ドルフィン（Dolphin）著（ザ・ポルフィリンズ
（The Porphyrins）」（アカデミック・プレス発行）
（1978年）などに記載された常套の方法によってこれを
行うことが出来る。たとえば式（Ｉ）に対応するポルフ
ィリン化合物であってＲが水素であるものは、特開昭61
-7279号公報や特開昭61-83185号公報に記載された方法
に従ってこれを調製すればよい。人為的に合成する代わ
りに、植物や動物のような天然資源からこれを採取して
もよい。
出版発行）（1982年）、フォーク（Falk）著「ポルフィ
リンズ・アンド・メタロポルフィリンズ（Porphyrins a
nd Metalloporphyrins）」（エルスビ−ル発行）（1975
年）、ドルフィン（Dolphin）著（ザ・ポルフィリンズ
（The Porphyrins）」（アカデミック・プレス発行）
（1978年）などに記載された常套の方法によってこれを
行うことが出来る。たとえば式（Ｉ）に対応するポルフ
ィリン化合物であってＲが水素であるものは、特開昭61
-7279号公報や特開昭61-83185号公報に記載された方法
に従ってこれを調製すればよい。人為的に合成する代わ
りに、植物や動物のような天然資源からこれを採取して
もよい。
このようにして構成したポルフィリン化合物を次に多官
能性カルボン酸残基の導入工程（ｂ）に付する。すなわ
ち、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つが水素である
Ｒを有するポルフィリン化合物（Ｉ）またはその反応性
誘導体に多官能性カルボン酸またはその反応性誘導体を
反応させて少なくとも一つの多官能性カルボン酸と結合
しているヒドロキシル基またはカルボキシル基を有する
ポルフィリン化合物（Ｉ）を製造する。この場合、要は
ポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に多官能性カルボン酸
の残基を導入すればよいから、多官能性カルボン酸はそ
のカルボキシル基について反応させてもよく、それ以外
の官能性基について反応させてもよい。たとえば多官能
性カルボン酸としてアミノ酸を使用する場合には、一般
にポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に存在するカルボキ
シル基とアミノ酸のアミノ基との間で反応を進行させる
ことが好ましく、このために前者のカルボキシル基とキ
レート形成性基を有するカルボン酸のカルボキシル基ま
たは／および後者のアミノ基を常套の反応性基に変換し
たり、両者に存在する反応に関与することが好ましくな
い官能基を適宜に保護することが考慮されてよい。ま
た、多官能性カルボン酸としてキレート形成性基を有す
るカルボン酸を使用する場合には、ポルフィリン化合物
（Ｉ）の側鎖に存在するヒドロキシル基とキレート形成
性基を有するカルボン酸のカルボキシル基との間で反応
を進行させることが好ましく、このために前記と同様、
ヒドロキシル基または／およびカルボキシル基の反応性
基への変換や官能基の保護が考慮されてよい。なお、い
ずれの場合も反応促進剤や縮合剤の使用も考慮されてよ
い。
能性カルボン酸残基の導入工程（ｂ）に付する。すなわ
ち、R1、R2、R3およびR4の少なくとも一つが水素である
Ｒを有するポルフィリン化合物（Ｉ）またはその反応性
誘導体に多官能性カルボン酸またはその反応性誘導体を
反応させて少なくとも一つの多官能性カルボン酸と結合
しているヒドロキシル基またはカルボキシル基を有する
ポルフィリン化合物（Ｉ）を製造する。この場合、要は
ポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に多官能性カルボン酸
の残基を導入すればよいから、多官能性カルボン酸はそ
のカルボキシル基について反応させてもよく、それ以外
の官能性基について反応させてもよい。たとえば多官能
性カルボン酸としてアミノ酸を使用する場合には、一般
にポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に存在するカルボキ
シル基とアミノ酸のアミノ基との間で反応を進行させる
ことが好ましく、このために前者のカルボキシル基とキ
レート形成性基を有するカルボン酸のカルボキシル基ま
たは／および後者のアミノ基を常套の反応性基に変換し
たり、両者に存在する反応に関与することが好ましくな
い官能基を適宜に保護することが考慮されてよい。ま
た、多官能性カルボン酸としてキレート形成性基を有す
るカルボン酸を使用する場合には、ポルフィリン化合物
（Ｉ）の側鎖に存在するヒドロキシル基とキレート形成
性基を有するカルボン酸のカルボキシル基との間で反応
を進行させることが好ましく、このために前記と同様、
ヒドロキシル基または／およびカルボキシル基の反応性
基への変換や官能基の保護が考慮されてよい。なお、い
ずれの場合も反応促進剤や縮合剤の使用も考慮されてよ
い。
上記導入工程（ｂ）の前後を問わず、必要に応じ金属の
結合工程（ｃ）を実施する。ポルフィン骨格または／お
よび多官能性カルボン酸残基における金属の結合は、通
常、金属のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩などを使用し
てこれを行う。金属の種類としては、Si、Mn、Fe、Co、
Ni、Zn、Ga、In、Sn、Sm、Eu、Gd、Tc、Ti、Ndなどがあ
る。金属の種類に応じ、多少とも結合の部位や強さに差
が認められる場合もある。癌の診断または治療のために
は特に放射性金属の使用が好ましく、その具体例として
は、67Ga、111In、201Tl、99mTcなどが挙げられる。他
方、好ましい非放射性金属としてはSi、Mn、Fe、Co、N
i、Zn、Ga、In、Snなどが例示される。
結合工程（ｃ）を実施する。ポルフィン骨格または／お
よび多官能性カルボン酸残基における金属の結合は、通
常、金属のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩などを使用し
てこれを行う。金属の種類としては、Si、Mn、Fe、Co、
Ni、Zn、Ga、In、Sn、Sm、Eu、Gd、Tc、Ti、Ndなどがあ
る。金属の種類に応じ、多少とも結合の部位や強さに差
が認められる場合もある。癌の診断または治療のために
は特に放射性金属の使用が好ましく、その具体例として
は、67Ga、111In、201Tl、99mTcなどが挙げられる。他
方、好ましい非放射性金属としてはSi、Mn、Fe、Co、N
i、Zn、Ga、In、Snなどが例示される。
以下、代表例を挙げてポルフィリン化合物（Ｉ）および
その金属複合体の調製を更に具体的に説明する。
その金属複合体の調製を更に具体的に説明する。
たとえば、多官能性カルボン酸残基がDTPA（ジエチレン
トリアミン五酢酸）の残基である場合には、先ずR1、
R2、R3およびR4の少なくとも一つが水素を表すＲを持っ
た基であるポルフィリン化合物またはそのポルフィン骨
格に金属が結合した金属複合体（特開昭61-7279号公報
または特開昭61-83185号公報）に無水DTPAをピリジン中
で加熱下に反応せしめて、側鎖にDTPA残基が結合したポ
ルフィリン化合物（Ｉ）およびそのポルフィン骨格に金
属が結合した金属複合体を得る。その具体例としては以
下のものを挙げることが出来る： （１）10−［２−［N,N′,N″,N″‐テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エトキシカルボニル］メチルピロフェオホーバイド（以
下DTPA−10EG PPB−Meと言う） （２）２−デスビニル−２−［１−［２−［N,N′,N″,
N″−テトラキス（カルボキシメチル）ジエチレントリ
アミノアセチルオキシ］エトキシ］エチル］‐メチルフ
ェオホーバイド（以下DTPA−2E−GPPB−Meと言う） （３）７−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］ピロフェオーバイド（以下DTPA−7EG pyroPPB
と言う） （４）７−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］フェオホーバイド（以下DTPA−7EG PPBと言
う） （５）10−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］フェオホーバイド（以下DTPA−10EG PPBと言
う） （６）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒドロキ
シエトキシ）エチル］−ジメチルデューテロポルフィリ
ン（以下monoDTPA−EG DP−Meと言う） （７）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］４−［１−（２−ヒドロキシ
エトキシ）エチル］デューテロポルフィリン（以下mono
DTPA−EG DPと言う） （８）2,4−ビス［１［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリン
（以下bisDTPA−EG DPと言う） （９）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒドロキ
シエトキシ）エチル］デューテロポルフィリナトガリウ
ム（III）（以下monoDTPA−EGCa−DPと言う） （10）2,4−ビス［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラ
キス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチ
ルオキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリナ
ガリウム（III）（以下bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （11）２−［１−［2-［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒロキシ
エトキシ）エチル］デューテロポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下monoDTPA−EG In−DPと言う） （12）2,4-ビス［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラ
キス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチ
ルオキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリナ
トインジウム（III）（以下bisDTPA−EG In−DPと言
う）など。
トリアミン五酢酸）の残基である場合には、先ずR1、
R2、R3およびR4の少なくとも一つが水素を表すＲを持っ
た基であるポルフィリン化合物またはそのポルフィン骨
格に金属が結合した金属複合体（特開昭61-7279号公報
または特開昭61-83185号公報）に無水DTPAをピリジン中
で加熱下に反応せしめて、側鎖にDTPA残基が結合したポ
ルフィリン化合物（Ｉ）およびそのポルフィン骨格に金
属が結合した金属複合体を得る。その具体例としては以
下のものを挙げることが出来る： （１）10−［２−［N,N′,N″,N″‐テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エトキシカルボニル］メチルピロフェオホーバイド（以
下DTPA−10EG PPB−Meと言う） （２）２−デスビニル−２−［１−［２−［N,N′,N″,
N″−テトラキス（カルボキシメチル）ジエチレントリ
アミノアセチルオキシ］エトキシ］エチル］‐メチルフ
ェオホーバイド（以下DTPA−2E−GPPB−Meと言う） （３）７−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］ピロフェオーバイド（以下DTPA−7EG pyroPPB
と言う） （４）７−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］フェオホーバイド（以下DTPA−7EG PPBと言
う） （５）10−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス（カル
ボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオキシ］
エチル］フェオホーバイド（以下DTPA−10EG PPBと言
う） （６）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒドロキ
シエトキシ）エチル］−ジメチルデューテロポルフィリ
ン（以下monoDTPA−EG DP−Meと言う） （７）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］４−［１−（２−ヒドロキシ
エトキシ）エチル］デューテロポルフィリン（以下mono
DTPA−EG DPと言う） （８）2,4−ビス［１［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリン
（以下bisDTPA−EG DPと言う） （９）２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒドロキ
シエトキシ）エチル］デューテロポルフィリナトガリウ
ム（III）（以下monoDTPA−EGCa−DPと言う） （10）2,4−ビス［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラ
キス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチ
ルオキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリナ
ガリウム（III）（以下bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （11）２−［１−［2-［N,N′,N″,N″−テトラキス
（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチルオ
キシ］エトキシ］エチル］−４−［１−（２−ヒロキシ
エトキシ）エチル］デューテロポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下monoDTPA−EG In−DPと言う） （12）2,4-ビス［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラ
キス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチ
ルオキシ］エトキシ］エチル］デューテロポルフィリナ
トインジウム（III）（以下bisDTPA−EG In−DPと言
う）など。
このように調整したポルフィリン化合物やそのポルフィ
ン骨格における金属複合体をクロロホルム−メタノール
混合液中で金属塩化物（たとえばInCl3、SmCl3、EuC
l3、GdCl3）と反応させると、DTPA残基によって金属が
捕捉されて、対応するDTPA残基に金属が結合したポルフ
ィリン化合物の金属複合体を得る。その具体例としては
次のものを挙げることが出来る： （13）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトインジウム（III）（以下In−DTPA−10EG PPB
−Meと言う） （14）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（７−
ピロフェオホーバイジル）オキシ］エトキシ］カルボニ
ルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウ
ム（III）（以下In−DTPA−7EG pyroPPBと言う） （15）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（III）（以下In−monoDTPA−EG
DP−Meと言う） （16）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タイトインジウム（III）（以下In−monoDTPA−EG DP
と言う） （17）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトインジウム（III）（以下In
−bisDTPA−EG DPと言う） （18）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトサマリウム（III）（以下Sm−DTPA−EG DPと言
う） （19）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトユーロピウム（III）（以下Eu−DTPA−EG DPと言
う） （20）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトガドリウム（III）（以下Gd−DTPA−EG DP
−Meと言う） （21）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトガドリニウム（III）（以下Gd−DTPA−EG DPと言
う） （22）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトインジウム（III）（以下In−monoD
TPA−EG Ga−DPと言う） （23）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウム
（III）（以下In−bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （24）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトインジウム（III）］
エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレント
リアミントリアセタトインジウム（III）（以下In−mon
oDTPA−EG In−DPと言う） （25）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トインジウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニ
ルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウ
ム（III）（以下In−bisDTPA−EG In−DPと言う） （26）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトガドリニウム（III）（以下Gd−mon
oDTPA−EG Ga−DPと言う） （27）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）エトキシ］エトキシ］カルボニルメ
チル］ジエチレントリアミントリアセタトガドリニウム
（III）（以下Gd−bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （28）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトガリウム（III）（以下Ga−monoDTP
A−EG Ga−DPと言う） （29）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトガリウム
（III）（以下Ga−bisDTPA−EG Ga−DPと言う）など。
ン骨格における金属複合体をクロロホルム−メタノール
混合液中で金属塩化物（たとえばInCl3、SmCl3、EuC
l3、GdCl3）と反応させると、DTPA残基によって金属が
捕捉されて、対応するDTPA残基に金属が結合したポルフ
ィリン化合物の金属複合体を得る。その具体例としては
次のものを挙げることが出来る： （13）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトインジウム（III）（以下In−DTPA−10EG PPB
−Meと言う） （14）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（７−
ピロフェオホーバイジル）オキシ］エトキシ］カルボニ
ルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウ
ム（III）（以下In−DTPA−7EG pyroPPBと言う） （15）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（III）（以下In−monoDTPA−EG
DP−Meと言う） （16）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タイトインジウム（III）（以下In−monoDTPA−EG DP
と言う） （17）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトインジウム（III）（以下In
−bisDTPA−EG DPと言う） （18）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトサマリウム（III）（以下Sm−DTPA−EG DPと言
う） （19）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトユーロピウム（III）（以下Eu−DTPA−EG DPと言
う） （20）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトガドリウム（III）（以下Gd−DTPA−EG DP
−Meと言う） （21）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［１−［２−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトガドリニウム（III）（以下Gd−DTPA−EG DPと言
う） （22）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトインジウム（III）（以下In−monoD
TPA−EG Ga−DPと言う） （23）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウム
（III）（以下In−bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （24）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトインジウム（III）］
エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレント
リアミントリアセタトインジウム（III）（以下In−mon
oDTPA−EG In−DPと言う） （25）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トインジウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニ
ルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウ
ム（III）（以下In−bisDTPA−EG In−DPと言う） （26）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトガドリニウム（III）（以下Gd−mon
oDTPA−EG Ga−DPと言う） （27）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）エトキシ］エトキシ］カルボニルメ
チル］ジエチレントリアミントリアセタトガドリニウム
（III）（以下Gd−bisDTPA−EG Ga−DPと言う） （28）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトガリウム（III）（以下Ga−monoDTP
A−EG Ga−DPと言う） （29）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトガリウム
（III）（以下Ga−bisDTPA−EG Ga−DPと言う）など。
また、多官能性基がグリシンまたはグルタミン酸の残基
である場合には、先ずR1、R2、R3およびR4の少なくとも
一つが水素を表わすＲを持った基であるポルフィリン化
合物またはそのポルフィン骨格に金属が結合した金属複
合体（特開昭61-7279号公報または61-83185号公報）に
縮合剤（たとえばジシクロヘキシルカルボジイミド（DD
C）,1-エチル‐3-（3-ジメチルアミノプロピル）カルボ
ジイミド・塩酸塩（WSC・HCl）等の存在下不活性溶媒
（たとえばクロロホルム）中でグリシンまたはグルタミ
ン酸を反応せしめる。この場合、原料ポルフィリン化合
物はジシクロヘキシルアミン（DCHA））塩の形で、また
グリシンやグルタミン酸は低級アルキルエステル（たと
えばメチルエステル）の形で反応させるのが好ましい。
かくしてポルフィリン化合物（Ｉ）が得られるが、その
具体例としては次のものが挙げられる： （30）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン（以下HP−G
lyと言う） （31）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン
（以下HP−Gluと言う） （32）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセチルオキシエ
チル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン（以下HDA
−Glyと言う） （33）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リン（以下HDA−Gluと言う）など。
である場合には、先ずR1、R2、R3およびR4の少なくとも
一つが水素を表わすＲを持った基であるポルフィリン化
合物またはそのポルフィン骨格に金属が結合した金属複
合体（特開昭61-7279号公報または61-83185号公報）に
縮合剤（たとえばジシクロヘキシルカルボジイミド（DD
C）,1-エチル‐3-（3-ジメチルアミノプロピル）カルボ
ジイミド・塩酸塩（WSC・HCl）等の存在下不活性溶媒
（たとえばクロロホルム）中でグリシンまたはグルタミ
ン酸を反応せしめる。この場合、原料ポルフィリン化合
物はジシクロヘキシルアミン（DCHA））塩の形で、また
グリシンやグルタミン酸は低級アルキルエステル（たと
えばメチルエステル）の形で反応させるのが好ましい。
かくしてポルフィリン化合物（Ｉ）が得られるが、その
具体例としては次のものが挙げられる： （30）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン（以下HP−G
lyと言う） （31）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン
（以下HP−Gluと言う） （32）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセチルオキシエ
チル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリン（以下HDA
−Glyと言う） （33）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リン（以下HDA−Gluと言う）など。
これらポルフィリン化合物（Ｉ）は、酢酸中金属塩化物
（たとえばInCl3）と加熱することにより、ポルフィン
骨格に金属が結合した金属複合体を与える。かかる金属
複合体を例示すれば次のとおりである： （34）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下In−HP−Glyと言う） （35）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナ
トインジウム（III）（以下In−HP−Gluと言う） （36）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］2,4−ビス（１−アセチルオキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下In−HDA−Glyと言う） （37）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトインジウム（III）（以下）In−HDA−Glnと言
う）など。
（たとえばInCl3）と加熱することにより、ポルフィン
骨格に金属が結合した金属複合体を与える。かかる金属
複合体を例示すれば次のとおりである： （34）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下In−HP−Glyと言う） （35）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナ
トインジウム（III）（以下In−HP−Gluと言う） （36）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］2,4−ビス（１−アセチルオキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（III）（以下In−HDA−Glyと言う） （37）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトインジウム（III）（以下）In−HDA−Glnと言
う）など。
結合金属が放射性金属であるポルフィリン化合物（Ｉ）
の金属複合体は、上記と同様にして対応するポルフィリ
ン化合物（Ｉ）と対応する放射性金属化合物からこれを
調整することが出来る。たとえば放射性金属が67Ga、
111Inまたは201Tlである場合は、それぞれ67GaCl3、111
InCl3または201TlCl3を使用すればよい。また、放射性
金属が99mTcである場合は、過テクネチウム酸塩（たと
えばNa99mTeO4）を適当な還元剤（たとえばハイドロサ
ルファイトナトリウム、塩化第一スズ）と共に使用すれ
ばよい。かくして得られるポルフィリン化合物（Ｉ）の
金属複合体の具体例は次のとおりである： （38）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（111In）（III）（以下111In−HP−Glyと言う） （39）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリト
ナインジウム（111In）（III）（以下111In−HP−Glnと
言う） （40）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトインジウム（111In）（III）（以下111In−HDM−
Gluと言う） （41）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトガリウム
（67Ga）（III）（以下67Ga−HP−Glyと言う） （42）6,7−ビス［２−Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プロ
ピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロ
キシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナト
ガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−HP−Gluと言う） （43）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−HDA−Glu
と言う） （44）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトタリウム
（201Tl）（III）（以下201Tl−HP−Glyと言う） （45）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナ
トタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−HP−Gluと言
う） （46）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−HDA−Gl
uと言う） （47）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
チキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−DTP
A−10EG PPB−Meと言う） （48）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−m
onoDTPA-EG DP-Meと言う） （49）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトインジウム（111In）（III）（以下111In−monoDTP
A−EG DPと言う） （50）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトインジウム（111In）（III）
（以下111In−bisDTPA−EG DPと言う （51）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトインジウム（111In）（III）（以下
111In−monoDTPA−EG Ga−DPと言う） （52）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミンアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウム
（111In）（III）（以下111In−bisDTPA−EG Ga−DPと
言う） （53）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−DTPA−1
0EG PPB−Meと言う） （54）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−DTPA
−EG DP−Meと言う） （55）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−monoDTPA−E
G DPと言う） （56）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトガリウム（67Ga）（III）
（以下67Ga−bisDTPA−EGDPと言う） （57）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジチレントリア
ミントリアセタトガリウム（67SGa）（III）（以下67Ga
-monoDTPA-EG Ga-DPと言う） （58）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトガリウム（
67Ga）（III）（以下67Ga−bisDTPA−EG Ga−DPと言
う） （59）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−DTPA−10E
D PPB−Meと言う） （60）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−DTP
A−EG DP−Meと言う） （61）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−monoDTPA
−EG DPと言う） （62）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトタリウム（201Tl）（III）
（以下201Tl−bisDTPA−EGDPと言う） （63）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［１−［２−［１−（２−ヒドロキシ）エチル］］デュ
ーテロポルフィリナトガリウム（III）］エトキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−monoD
TPA−EG Ga−DPと言う） （64）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトタリウム（
201Tl）（III）（以下201Tl−bisDTPA−EG Ga−DPと言
う） （65）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以下、99mTc
−DTPA−10EG PPB−Meと言う） （66）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチントリアミントリ
アセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以下99mTc−D
TPA−EG DP−Meと言う） （67）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトテクネチウム（99mTc）（III）（以下99mTc−monoD
TPA−EG DPと言う） （68）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフイリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトテクネチウム（99mTc）（II
I）（以下99mTc−bisDTPA−EG DPと言う） （69）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以
下99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPと言う） （70）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトテクネチウ
ム（99mTc）（III）（以下99mTc−bisDTPA−EG Ga−DP
と言う） （71）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナトガリウ
ム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］
ジエチレントリアミントリアセタトインジウム（111I
n）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPと
言う） （72）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナトマンガ
ン（II）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジ
エチレントリアミントリアセタトインジウム（111In）
（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPと言
う） （73）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナト銅（I
I）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチ
レントリアミントリアセタトインジウム（111In）（II
I）（以下111In−monoDTPA−monoEG Cu−DPと言う） （74）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カ
ルバモイルエチル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメ
チルポルフィリナトガリウム（III）］エトキシ］エト
キシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリア
セタトインジウム（111In）（III）（以下111In−monoD
TPA−monoEG Ga−DP−diGlyと言う） （75）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−Ｎ−（１−カルボキシ−２−
フェニル）エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニ
ル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィリナトガリウム
（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジ
エチレントリアミントリアセタトインジウム（111In）
（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diPh
eと言う） （76）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［N-［1-カルボキシ−２−
（４−ヒドロキシ）フェニル］エチル］カルバモイルエ
チル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィ
リナトガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボ
ニルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジ
ウム（111In）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG
Ga−DP−diTyrと言う） （77）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,2−ジカルボキシ）
エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニル］‐1,3,5,
8-テトラメチルポリフィリナトガリウム（III）］エト
キシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリア
ミントリアセタトインジウム（111In）（III）（（以下
111In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAspと言う） （78）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−２−（Ｎ−カルボキシメチ
ル）カルバモイルエチル］‐２−ビニル］−1,3,5,8-テ
トラメチルポルフィリナトマンガン（II）］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−m
onoDTPA−monoEG Mn−DP−diGlyと言う） （79）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−（１−カルボキシ−２
−フェニル）エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニ
ル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィリナトマンガン
（II）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエ
チレントリアミントリアセタトインジウム（111In）（I
II）（以下111In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPheと
言う） （80）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−［１−カルボキシ−２
−（４−ヒドロキシ）フェニル］エチル］カルバモイル
エチル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフ
ィリナトマンガン（II）］エトキシ］エトキシ］カルボ
ニルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジ
ウム（111In）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG
Mn−DP−diTyrと言う）など。
の金属複合体は、上記と同様にして対応するポルフィリ
ン化合物（Ｉ）と対応する放射性金属化合物からこれを
調整することが出来る。たとえば放射性金属が67Ga、
111Inまたは201Tlである場合は、それぞれ67GaCl3、111
InCl3または201TlCl3を使用すればよい。また、放射性
金属が99mTcである場合は、過テクネチウム酸塩（たと
えばNa99mTeO4）を適当な還元剤（たとえばハイドロサ
ルファイトナトリウム、塩化第一スズ）と共に使用すれ
ばよい。かくして得られるポルフィリン化合物（Ｉ）の
金属複合体の具体例は次のとおりである： （38）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトインジウ
ム（111In）（III）（以下111In−HP−Glyと言う） （39）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリト
ナインジウム（111In）（III）（以下111In−HP−Glnと
言う） （40）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトインジウム（111In）（III）（以下111In−HDM−
Gluと言う） （41）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトガリウム
（67Ga）（III）（以下67Ga−HP−Glyと言う） （42）6,7−ビス［２−Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プロ
ピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロ
キシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナト
ガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−HP−Gluと言う） （43）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−HDA−Glu
と言う） （44）6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カル
バモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒドロキシエチ
ル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナトタリウム
（201Tl）（III）（以下201Tl−HP−Glyと言う） （45）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−ヒド
ロキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィリナ
トタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−HP−Gluと言
う） （46）6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,3−ジカルボキシ）プ
ロピル］カルバモイルエチル］−2,4−ビス（１−アセ
チルオキシエチル）−1,3,5,8−テトラメチルポルフィ
リナトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−HDA−Gl
uと言う） （47）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
チキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−DTP
A−10EG PPB−Meと言う） （48）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−m
onoDTPA-EG DP-Meと言う） （49）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトインジウム（111In）（III）（以下111In−monoDTP
A−EG DPと言う） （50）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトインジウム（111In）（III）
（以下111In−bisDTPA−EG DPと言う （51）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトインジウム（111In）（III）（以下
111In−monoDTPA−EG Ga−DPと言う） （52）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミンアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジウム
（111In）（III）（以下111In−bisDTPA−EG Ga−DPと
言う） （53）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−DTPA−1
0EG PPB−Meと言う） （54）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−DTPA
−EG DP−Meと言う） （55）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトガリウム（67Ga）（III）（以下67Ga−monoDTPA−E
G DPと言う） （56）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトガリウム（67Ga）（III）
（以下67Ga−bisDTPA−EGDPと言う） （57）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジチレントリア
ミントリアセタトガリウム（67SGa）（III）（以下67Ga
-monoDTPA-EG Ga-DPと言う） （58）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトガリウム（
67Ga）（III）（以下67Ga−bisDTPA−EG Ga−DPと言
う） （59）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−DTPA−10E
D PPB−Meと言う） （60）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−DTP
A−EG DP−Meと言う） （61）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−monoDTPA
−EG DPと言う） （62）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトタリウム（201Tl）（III）
（以下201Tl−bisDTPA−EGDPと言う） （63）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［１−［２−［１−（２−ヒドロキシ）エチル］］デュ
ーテロポルフィリナトガリウム（III）］エトキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトタリウム（201Tl）（III）（以下201Tl−monoD
TPA−EG Ga−DPと言う） （64）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトタリウム（
201Tl）（III）（以下201Tl−bisDTPA−EG Ga−DPと言
う） （65）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［（10−
メチルピロフェオホーバイジル）カルボニルオキシ］エ
トキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリ
アセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以下、99mTc
−DTPA−10EG PPB−Meと言う） （66）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］ジメチルデューテロポルフィリニル］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチントリアミントリ
アセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以下99mTc−D
TPA−EG DP−Meと言う） （67）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリニル］エトキシ］エトキ
シ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリアセ
タトテクネチウム（99mTc）（III）（以下99mTc−monoD
TPA−EG DPと言う） （68）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフイリニ
ル］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレ
ントリアミントリアセタトテクネチウム（99mTc）（II
I）（以下99mTc−bisDTPA−EG DPと言う） （69）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］］デューテロポルフィリナトガリウム（III）］エ
トキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリ
アミントリアセタトテクネチウム（99mTc）（III）（以
下99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPと言う） （70）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［２−［１−［２−［N,N′,N″,N″−テトラキ
ス（カルボキシメチル）ジエチレントリアミノアセチル
オキシ］エトキシ］エチル］］デューテロポルフィリナ
トガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニル
メチル］ジエチレントリアミントリアセタトテクネチウ
ム（99mTc）（III）（以下99mTc−bisDTPA−EG Ga−DP
と言う） （71）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナトガリウ
ム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］
ジエチレントリアミントリアセタトインジウム（111I
n）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPと
言う） （72）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナトマンガ
ン（II）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジ
エチレントリアミントリアセタトインジウム（111In）
（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPと言
う） （73）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−（２−ビニル）デューテロポルフィリナト銅（I
I）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチ
レントリアミントリアセタトインジウム（111In）（II
I）（以下111In−monoDTPA−monoEG Cu−DPと言う） （74）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−（Ｎ−カルボキシメチル）カ
ルバモイルエチル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメ
チルポルフィリナトガリウム（III）］エトキシ］エト
キシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミントリア
セタトインジウム（111In）（III）（以下111In−monoD
TPA−monoEG Ga−DP−diGlyと言う） （75）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−Ｎ−（１−カルボキシ−２−
フェニル）エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニ
ル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィリナトガリウム
（III）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジ
エチレントリアミントリアセタトインジウム（111In）
（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diPh
eと言う） （76）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［N-［1-カルボキシ−２−
（４−ヒドロキシ）フェニル］エチル］カルバモイルエ
チル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィ
リナトガリウム（III）］エトキシ］エトキシ］カルボ
ニルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジ
ウム（111In）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG
Ga−DP−diTyrと言う） （77）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−（1,2−ジカルボキシ）
エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニル］‐1,3,5,
8-テトラメチルポリフィリナトガリウム（III）］エト
キシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリア
ミントリアセタトインジウム（111In）（III）（（以下
111In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAspと言う） （78）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−２−（Ｎ−カルボキシメチ
ル）カルバモイルエチル］‐２−ビニル］−1,3,5,8-テ
トラメチルポルフィリナトマンガン（II）］エトキシ］
エトキシ］カルボニルメチル］ジエチレントリアミント
リアセタトインジウム（111In）（III）（以下111In−m
onoDTPA−monoEG Mn−DP−diGlyと言う） （79）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−（１−カルボキシ−２
−フェニル）エチル］カルバモイルエチル］−２−ビニ
ル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフィリナトマンガン
（II）］エトキシ］エトキシ］カルボニルメチル］ジエ
チレントリアミントリアセタトインジウム（111In）（I
II）（以下111In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPheと
言う） （80）Ｎ″−カルボキシメチル−Ｎ−［［２−［１−
［４−［6,7−ビス［２−［Ｎ−［１−カルボキシ−２
−（４−ヒドロキシ）フェニル］エチル］カルバモイル
エチル］−２−ビニル］‐1,3,5,8-テトラメチルポルフ
ィリナトマンガン（II）］エトキシ］エトキシ］カルボ
ニルメチル］ジエチレントリアミントリアセタトインジ
ウム（111In）（III）（以下111In−monoDTPA−monoEG
Mn−DP−diTyrと言う）など。
（ホ）作用 本発明にかかるポルフィリン化合物（Ｉ）およびその金
属複合体は、ポルフィン骨格の側鎖に多官能性カルボン
酸残基を有する点に化学構造上の特徴を有し、その結果
種々の生理学的もしくは薬理学的特性を発揮する。すな
わち、それらポルフィリン誘導導体は癌細胞に選択的に
集積し、かつ癌細胞からの排せつが遅い。特に金属複合
体の場合光に当たっても反応しないが、光以外の外部エ
ネルギー、たとえばマイクロ波や電磁波を照射すると反
応して励起し、酸化作用の強い一重項酸素を発生し、そ
の作用により癌細胞を破壊する。なお、正常な臓器や細
胞からは速やかに排せつされるため、それらに損傷を与
えることはない。
属複合体は、ポルフィン骨格の側鎖に多官能性カルボン
酸残基を有する点に化学構造上の特徴を有し、その結果
種々の生理学的もしくは薬理学的特性を発揮する。すな
わち、それらポルフィリン誘導導体は癌細胞に選択的に
集積し、かつ癌細胞からの排せつが遅い。特に金属複合
体の場合光に当たっても反応しないが、光以外の外部エ
ネルギー、たとえばマイクロ波や電磁波を照射すると反
応して励起し、酸化作用の強い一重項酸素を発生し、そ
の作用により癌細胞を破壊する。なお、正常な臓器や細
胞からは速やかに排せつされるため、それらに損傷を与
えることはない。
元来、ポルフィリン誘導体のほとんどのものは光に対し
て強い作用を有するが、本発明に従ってそれらの側鎖に
多官能性カルボン酸残基を導入し、更に必要に応じこれ
らを金属複合体に変換することによって正常組織からの
排せつ性を高めると共に光毒性が低減するに至ったもの
であり、癌細胞に対する選択的集中を残したまま光毒性
の発現を抑止することが可能となった。
て強い作用を有するが、本発明に従ってそれらの側鎖に
多官能性カルボン酸残基を導入し、更に必要に応じこれ
らを金属複合体に変換することによって正常組織からの
排せつ性を高めると共に光毒性が低減するに至ったもの
であり、癌細胞に対する選択的集中を残したまま光毒性
の発現を抑止することが可能となった。
このように本発明のポルフィリン誘導体は実質的に光毒
性を発現することなく外部エネルギーに反応することが
可能であり、しかも多官能性カルボン酸残基にキレート
形成性基が存在するときは金属との結合が普遍的かつ容
易に行なわれ得る。これらの特性（癌親和性、無光毒
性、外部エネルギーによる癌破壊性、金属複合体形成性
など）に基づき、本発明ポルフィリン誘導体は特に癌や
悪性腫瘍に対する診断剤、ミサイル療法剤などとして有
用である。
性を発現することなく外部エネルギーに反応することが
可能であり、しかも多官能性カルボン酸残基にキレート
形成性基が存在するときは金属との結合が普遍的かつ容
易に行なわれ得る。これらの特性（癌親和性、無光毒
性、外部エネルギーによる癌破壊性、金属複合体形成性
など）に基づき、本発明ポルフィリン誘導体は特に癌や
悪性腫瘍に対する診断剤、ミサイル療法剤などとして有
用である。
（ヘ）実施例 以下に本願物質の製造方法および性質について、実施例
を用いて説明する。
を用いて説明する。
なお、実施例中で用いられる略号は次の一般試薬名を意
味する。
味する。
CHCl3:クロロホルム MeOH:メタノール AcOH:酢酸 AcOEe:酢酸エチル KOH:水酸化カリウム 実施例１ ポルフィリン誘導体の癌集積性（蛍光法による測定） ニトロソアミン発癌の膵癌組織片をハムスターに移植
し、移植後14〜21日経過過過したハムスター（腫瘍径:2
〜3cm）に、ボルフィリン誘導体（表１）,5mggを溶解し
た0.1Mクエン酸緩衝液,1mlを静脈内投与し、投与24時間
後に解剖した。摘出した癌、主要臓器および血清に窒素
‐パルスレーザー（波長:337nm）を照射して発せられる
蛍光を走査した（波長域:350〜850mm）。得られたスペ
クトルにつき、組織中の還元型ニコチンアミド−アデニ
ンジヌクレオチドに由来する波長470nmの蛍光強度を１
とし、その極大波長が600〜850nmに存するポルフィリン
誘導体に由来するる蛍光強度を数値で求めた。その結果
を表１に示す。なおこの数値は組織に集積したポルフィ
リン誘導体の量に比例するものである。表１から、癌組
織中のポルフィリン誘導体量は他の臓器に比して高値を
示すことが確認され、今回検討したポルフィリン誘導体
は選択的に癌組織に集積するといえる。
し、移植後14〜21日経過過過したハムスター（腫瘍径:2
〜3cm）に、ボルフィリン誘導体（表１）,5mggを溶解し
た0.1Mクエン酸緩衝液,1mlを静脈内投与し、投与24時間
後に解剖した。摘出した癌、主要臓器および血清に窒素
‐パルスレーザー（波長:337nm）を照射して発せられる
蛍光を走査した（波長域:350〜850mm）。得られたスペ
クトルにつき、組織中の還元型ニコチンアミド−アデニ
ンジヌクレオチドに由来する波長470nmの蛍光強度を１
とし、その極大波長が600〜850nmに存するポルフィリン
誘導体に由来するる蛍光強度を数値で求めた。その結果
を表１に示す。なおこの数値は組織に集積したポルフィ
リン誘導体の量に比例するものである。表１から、癌組
織中のポルフィリン誘導体量は他の臓器に比して高値を
示すことが確認され、今回検討したポルフィリン誘導体
は選択的に癌組織に集積するといえる。
実施例２ 10−（2-ヒドロキシエトキシ）カルボニルメチルピロフ
ェオホーバイド,1gをピリジン.50mlに溶解し、無水DTP
A,1.5gを加え、加熱攪拌下にて３時間反応せしめた。反
応終末点は、TLC［MeOH−AcOH（5:2）］で原料（Rf≒1.
0）の消失を確認することにより行った。反応後、過剰
のDTPAをろ去、ろ液に酢酸エチルを加えて、結晶化を行
った。この結晶をケイ酸カラムクロマトグラフィ（AcOE
t-MeOH）に付し、DTPA−10EG PPB−Me,0.5gを得た。
（収率31.4％） 実施例３ ２−デスビニル−２−［１−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エチル］メチルフェオホーバイド,1gをコリジン,50
mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え減圧下、50℃で２時間
反応せしめた。以下実施例２と同様に操作し、DTPA−2E
G PPB−Me,0.2gを得た。（収率12.5％） 実施例４ ７−（２−ヒドロキシエチル）−ピロフェオホーバイ
ド,1gをピコリン,60mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え、
室温にて１週間放置し反応せしめた。以下実施例２と同
様に操作し、DTPA−7EG pyroPPB,0.1gを得た。（収率
6.1％） 実施例５ ７−（２−ヒドロキシエチル）水素フェオフォーバイ,1
gをDMF.50mlに溶解し、無水DTPA,1.5g、シリカゲル,1g
を加え、加熱攪拌下にて反応せしめた。以下実施例２と
同様に操作し、DTPA−7EG PPB,0.1gを得た。収率6.3
％） 実施例６ 10-（2-ヒドロキシエトキシ）カルボニルピロフェオホ
ーバイト,1gをピリジン,50mlに溶解し、無水DTPA,1.5
g、ゼオライト,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
以下実施例２と同様に操作し、DTPA−10EG PPB,0.4gを
得た。（収率25％） 実施例７ 2,4ビス［1-（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］メチ
ルデューテロポルフィリン,1gをピコリン,50mlに溶解
し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
以下実施例２と同様に操作し、DTPA−EG DP−Me,0.6g
を得た。（収率37.7％） 実施例８ 2,4−ビス−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］デューテロポルフィリン,1gをピリジン,70mlに溶解
し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
反応終末点は、TLC［MeOH−AcOH（5:2）］で原料（Rf≒
1.0）の消失を確保することにより行った。以下実施例
２と同様に操作した。ケイ酸カラムクロマトグラフィー
（AcOEt−MeOH）に供した後、monoDTPA−EG DP,0.4gと
bisDTPA−EG DP,0.4gをそれぞれ得た。（各々収率25.8
％と19.1％） 実施例９ 2,4-ビス［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］デ
ューテロポルフィリナイトガリウム（III）1gをピリジ
ン,70ml溶解し、無水DTPA,1gを加え加温減圧下にて反応
せしめた。以下実施例８と同様に操作し、monoDTPA−EG
Ga−DP,0.3gとbisDTPA−EG Ga−DP,0.3gをそれぞれ
得た。（各々収率20.3％と15.4％） 実施例10 2,4-ビス［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］デ
ューテロポルフィリナイトインジウム（III）,1gをコリ
ジン,70mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて
反応せしめた。以下実施例８と同様に操作し、monoDTPA
−EG In−DP,0.5gとbisDTPA−EG In−DP,0.4gをそれ
ぞれ得た。（各々収率35.5％と22.0％） 実施例11 実施例２、４、７、８、９、10で得られたそれぞれの化
合物、すなわち DTPA−10EG PPB−Me、 DTPA−7EG pyroPPB、 DTPA−EG DP−Me、 monoDTPA−EG DP、 bis−DTPA−EG DP、 monoDTPA−EG Ga−DP、 bisDTPA−EG Ga−DP、 monoDTPA−EG In−DPおよび bisDTPA−EG In−DPの各1gをそれぞれ別々にCHCl3−Me
OH混液（3:1）,100mlに溶解し、これに、水,2mlに溶解
した計算量のlnCl3を加えると直ちに錯体を形成した。
（TLC、目視および紫外線ハンドスコープにて色調の変
化を確認）。得られた錯体を減圧下で濃縮乾固すると、
それぞれ、 In−DTPA−10EG PPG−Me、 In−DTPA−7EG pyroPPB、 In−DTPA−EG DP−Me、 In−monoDTPA−EG DP、 In−bisDTA−EG DP、 In−monoDTPA−EG Ga-DP、 In−bisDTPA−EG Ga−DP、 In−monoDTPA−EG In−DP および In−bisDTPA−EG In−DP をそれぞれ100％の収率で得た。
ェオホーバイド,1gをピリジン.50mlに溶解し、無水DTP
A,1.5gを加え、加熱攪拌下にて３時間反応せしめた。反
応終末点は、TLC［MeOH−AcOH（5:2）］で原料（Rf≒1.
0）の消失を確認することにより行った。反応後、過剰
のDTPAをろ去、ろ液に酢酸エチルを加えて、結晶化を行
った。この結晶をケイ酸カラムクロマトグラフィ（AcOE
t-MeOH）に付し、DTPA−10EG PPB−Me,0.5gを得た。
（収率31.4％） 実施例３ ２−デスビニル−２−［１−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エチル］メチルフェオホーバイド,1gをコリジン,50
mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え減圧下、50℃で２時間
反応せしめた。以下実施例２と同様に操作し、DTPA−2E
G PPB−Me,0.2gを得た。（収率12.5％） 実施例４ ７−（２−ヒドロキシエチル）−ピロフェオホーバイ
ド,1gをピコリン,60mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え、
室温にて１週間放置し反応せしめた。以下実施例２と同
様に操作し、DTPA−7EG pyroPPB,0.1gを得た。（収率
6.1％） 実施例５ ７−（２−ヒドロキシエチル）水素フェオフォーバイ,1
gをDMF.50mlに溶解し、無水DTPA,1.5g、シリカゲル,1g
を加え、加熱攪拌下にて反応せしめた。以下実施例２と
同様に操作し、DTPA−7EG PPB,0.1gを得た。収率6.3
％） 実施例６ 10-（2-ヒドロキシエトキシ）カルボニルピロフェオホ
ーバイト,1gをピリジン,50mlに溶解し、無水DTPA,1.5
g、ゼオライト,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
以下実施例２と同様に操作し、DTPA−10EG PPB,0.4gを
得た。（収率25％） 実施例７ 2,4ビス［1-（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］メチ
ルデューテロポルフィリン,1gをピコリン,50mlに溶解
し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
以下実施例２と同様に操作し、DTPA−EG DP−Me,0.6g
を得た。（収率37.7％） 実施例８ 2,4−ビス−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチ
ル］デューテロポルフィリン,1gをピリジン,70mlに溶解
し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて反応せしめた。
反応終末点は、TLC［MeOH−AcOH（5:2）］で原料（Rf≒
1.0）の消失を確保することにより行った。以下実施例
２と同様に操作した。ケイ酸カラムクロマトグラフィー
（AcOEt−MeOH）に供した後、monoDTPA−EG DP,0.4gと
bisDTPA−EG DP,0.4gをそれぞれ得た。（各々収率25.8
％と19.1％） 実施例９ 2,4-ビス［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］デ
ューテロポルフィリナイトガリウム（III）1gをピリジ
ン,70ml溶解し、無水DTPA,1gを加え加温減圧下にて反応
せしめた。以下実施例８と同様に操作し、monoDTPA−EG
Ga−DP,0.3gとbisDTPA−EG Ga−DP,0.3gをそれぞれ
得た。（各々収率20.3％と15.4％） 実施例10 2,4-ビス［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］デ
ューテロポルフィリナイトインジウム（III）,1gをコリ
ジン,70mlに溶解し、無水DTPA,1gを加え加熱攪拌下にて
反応せしめた。以下実施例８と同様に操作し、monoDTPA
−EG In−DP,0.5gとbisDTPA−EG In−DP,0.4gをそれ
ぞれ得た。（各々収率35.5％と22.0％） 実施例11 実施例２、４、７、８、９、10で得られたそれぞれの化
合物、すなわち DTPA−10EG PPB−Me、 DTPA−7EG pyroPPB、 DTPA−EG DP−Me、 monoDTPA−EG DP、 bis−DTPA−EG DP、 monoDTPA−EG Ga−DP、 bisDTPA−EG Ga−DP、 monoDTPA−EG In−DPおよび bisDTPA−EG In−DPの各1gをそれぞれ別々にCHCl3−Me
OH混液（3:1）,100mlに溶解し、これに、水,2mlに溶解
した計算量のlnCl3を加えると直ちに錯体を形成した。
（TLC、目視および紫外線ハンドスコープにて色調の変
化を確認）。得られた錯体を減圧下で濃縮乾固すると、
それぞれ、 In−DTPA−10EG PPG−Me、 In−DTPA−7EG pyroPPB、 In−DTPA−EG DP−Me、 In−monoDTPA−EG DP、 In−bisDTA−EG DP、 In−monoDTPA−EG Ga-DP、 In−bisDTPA−EG Ga−DP、 In−monoDTPA−EG In−DP および In−bisDTPA−EG In−DP をそれぞれ100％の収率で得た。
実施例12 実施例８で得られたDTPA−EG DP［mono:bis（3:1）の
混合物］,1gをCHCl3−MeOH混液（4:1）,100mlに溶解
し、これに、水2mlに溶解した計算量のSmCl3、EuCl3お
よびGdCl3をそれぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成
した。以下実施例11と同様に操作して、 Sm−DTPA−EG DP、 Eu−DTPA−EG DPおよび Gd−DTPA−EG DPをそれぞれ100％ の収率で得た。
混合物］,1gをCHCl3−MeOH混液（4:1）,100mlに溶解
し、これに、水2mlに溶解した計算量のSmCl3、EuCl3お
よびGdCl3をそれぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成
した。以下実施例11と同様に操作して、 Sm−DTPA−EG DP、 Eu−DTPA−EG DPおよび Gd−DTPA−EG DPをそれぞれ100％ の収率で得た。
実施例13 実施例９で得られたmonoDTPA−EG Ga−DPおよびbisDTP
A−EG Ga−DPの各1gをCHCl3−MeOH混液（1:1）,200ml
に溶解し、これに、水,2mlに溶解した計昇量のGdCl3を
それぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成した。以下実
施例11と同様に操作して、 Gd−monoDTPA−EG Ga−DP および Gd−bisDTPA−EG Ga−DPをそれぞれ100％の収率で得
た。
A−EG Ga−DPの各1gをCHCl3−MeOH混液（1:1）,200ml
に溶解し、これに、水,2mlに溶解した計昇量のGdCl3を
それぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成した。以下実
施例11と同様に操作して、 Gd−monoDTPA−EG Ga−DP および Gd−bisDTPA−EG Ga−DPをそれぞれ100％の収率で得
た。
実施例14 実施例９で得られたmonoDTPA−EG Ga−DPおよびbisDTP
A−EG Ga−DPの各1gをCHCl3−MeOH混液（1:1）,200ml
に溶解し、これに、ピリジン,2mlに溶解した計算量のGa
Cl3をそれぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成した。
以下実施例11と同様に操作して、Ga−monoDTPA−EG Ga
−DP および Ga−bisDTPA−EG Ga−DPをそれぞれ100％の収率で得
た。
A−EG Ga−DPの各1gをCHCl3−MeOH混液（1:1）,200ml
に溶解し、これに、ピリジン,2mlに溶解した計算量のGa
Cl3をそれぞれ別々に加えると直ちに錯体を形成した。
以下実施例11と同様に操作して、Ga−monoDTPA−EG Ga
−DP および Ga−bisDTPA−EG Ga−DPをそれぞれ100％の収率で得
た。
実施例15 2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デューテロポルフィリ
ン,1gをTHF,30mlに溶解し、これにジシクロヘキシルア
ミン（DCHA）,2mlをエーテル,10mlに混合した溶液を加
えて反応せしめた。反応液にエーテルを追加して結晶化
を行った。この結晶を集め、エーチルにて過剰のDCHAを
ろ去し、2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デューテロポ
ルフィリンDCHA塩,1.4gを得た。（収率90.0％） 実施例16 2,4-ビス（1-アセチルオキシエチル）デューテロポルフ
ィリン,1gを実施例15と同様に操作して2,4-ビス（1-ア
セチルオキシエチル）デューテロポルフィリンDCHA塩,
1.4gを得た。（収率94.6％） 実施例17 実施例15で得られた2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デ
ューテロポルフィリンDCHA塩,1gに、CHCl3,50mlを加
え、次いで塩酸グリシンエチルエステル,0.6gを加え、
攪拌下にDCC,0.5gを滴下し２時間反応せしめた。一夜放
置後｛TLC［トルエン‐アセトン（1:1）］にて確認｝、
減圧濃縮し、残渣に酢酸エチルを加えて不溶物をろ去し
た。ろ液を減圧濃縮後HP−Gly−CEtを得た。これにアル
コール,50mlを加え溶解し、加水分解反応が終るまで0.5
N KOH/EtOHを加えた。反応後、水を加えて不溶物を再
度ろ去した。ろ液に10％クエン酸を加えてpHを４に合わ
せて結晶化を行った。結晶をろ集し、水洗し、乾燥して
HP−Gly,0.8gを得た。（収率71.4％） 実施例18 実施例15で得られた2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デ
ューテロポルフィリンDCHA塩,1gにCHCl3,50mlを加え、
次いで塩酸グルタミン酸ジエチルエステル,0.8gを加
え、以下実施例17と同様に操作してHP−Glu,1.0gを得
た。（収率78.1％） 実施例19 実施例16で得られた2,4-ビス（1-アセチルオキシエチ
ル）でデューテロポルフィリンDCHA塩,1gをCHCl3,50ml
に溶かし、塩酸グリシンエチルエステル,0.6gを加え、
以下実施例17と同様に操作してHDA−Gly,0.9gを得た。
（収率81.1％） 実施例20 実施例16で得られた2,4−ビス（１−アセチルオキシエ
チル）デューテロポルフィリンDCHA塩,1gをCHCl3.50ml
に溶かし、塩酸グルタミン酸ジエチルエステル,0.8gを
加え、以下実施例17と同様に操作してHDA−Glu,1.1gを
得た。（収率87.3％） 実施例21 実施例17、18、19、20で得られた反応中間体のHP−Gly
−エチルエステル、 HP−Glu−OEt、 HDA−Gly−OEt、 HDA−Glu−OEtのそれぞれ1gに、各々AcOH,50mlを加え溶
解し、次いで酢酸ソーダ,200mgおよびInCl3,200mgを加
え、100℃加熱攪拌下にて反応せしめた。反応後（目
視、紫外線ハンドスコープ、TLCで簡単に見極めること
が出来る。）、生理食塩水,100mlを加えて結晶化を行
い、結晶をろ集し、水にて洗浄した。0.5N KOH/EtOHに
て加水分解し、反応後10％クエン酸を加えてpHを４に合
わせて結晶化を行った。結晶をろ集し、水洗し、乾燥す
ることにより In−HP−Gly,0.5g（収率41.0％）、 In−HP−Glu,0.4g（収率33.3％）、 In−HDA−Gly,0.4g（収率33.1％） および In−HDA−Glu,0.4g（収率33.9％）をそれぞれ得た。
ン,1gをTHF,30mlに溶解し、これにジシクロヘキシルア
ミン（DCHA）,2mlをエーテル,10mlに混合した溶液を加
えて反応せしめた。反応液にエーテルを追加して結晶化
を行った。この結晶を集め、エーチルにて過剰のDCHAを
ろ去し、2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デューテロポ
ルフィリンDCHA塩,1.4gを得た。（収率90.0％） 実施例16 2,4-ビス（1-アセチルオキシエチル）デューテロポルフ
ィリン,1gを実施例15と同様に操作して2,4-ビス（1-ア
セチルオキシエチル）デューテロポルフィリンDCHA塩,
1.4gを得た。（収率94.6％） 実施例17 実施例15で得られた2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デ
ューテロポルフィリンDCHA塩,1gに、CHCl3,50mlを加
え、次いで塩酸グリシンエチルエステル,0.6gを加え、
攪拌下にDCC,0.5gを滴下し２時間反応せしめた。一夜放
置後｛TLC［トルエン‐アセトン（1:1）］にて確認｝、
減圧濃縮し、残渣に酢酸エチルを加えて不溶物をろ去し
た。ろ液を減圧濃縮後HP−Gly−CEtを得た。これにアル
コール,50mlを加え溶解し、加水分解反応が終るまで0.5
N KOH/EtOHを加えた。反応後、水を加えて不溶物を再
度ろ去した。ろ液に10％クエン酸を加えてpHを４に合わ
せて結晶化を行った。結晶をろ集し、水洗し、乾燥して
HP−Gly,0.8gを得た。（収率71.4％） 実施例18 実施例15で得られた2,4-ビス（1-ヒドロキシエチル）デ
ューテロポルフィリンDCHA塩,1gにCHCl3,50mlを加え、
次いで塩酸グルタミン酸ジエチルエステル,0.8gを加
え、以下実施例17と同様に操作してHP−Glu,1.0gを得
た。（収率78.1％） 実施例19 実施例16で得られた2,4-ビス（1-アセチルオキシエチ
ル）でデューテロポルフィリンDCHA塩,1gをCHCl3,50ml
に溶かし、塩酸グリシンエチルエステル,0.6gを加え、
以下実施例17と同様に操作してHDA−Gly,0.9gを得た。
（収率81.1％） 実施例20 実施例16で得られた2,4−ビス（１−アセチルオキシエ
チル）デューテロポルフィリンDCHA塩,1gをCHCl3.50ml
に溶かし、塩酸グルタミン酸ジエチルエステル,0.8gを
加え、以下実施例17と同様に操作してHDA−Glu,1.1gを
得た。（収率87.3％） 実施例21 実施例17、18、19、20で得られた反応中間体のHP−Gly
−エチルエステル、 HP−Glu−OEt、 HDA−Gly−OEt、 HDA−Glu−OEtのそれぞれ1gに、各々AcOH,50mlを加え溶
解し、次いで酢酸ソーダ,200mgおよびInCl3,200mgを加
え、100℃加熱攪拌下にて反応せしめた。反応後（目
視、紫外線ハンドスコープ、TLCで簡単に見極めること
が出来る。）、生理食塩水,100mlを加えて結晶化を行
い、結晶をろ集し、水にて洗浄した。0.5N KOH/EtOHに
て加水分解し、反応後10％クエン酸を加えてpHを４に合
わせて結晶化を行った。結晶をろ集し、水洗し、乾燥す
ることにより In−HP−Gly,0.5g（収率41.0％）、 In−HP−Glu,0.4g（収率33.3％）、 In−HDA−Gly,0.4g（収率33.1％） および In−HDA−Glu,0.4g（収率33.9％）をそれぞれ得た。
実施例22111 In−monoDTPA−EG Ga−DPの錯体を有効成分とする
放射性診断剤の製造 無菌で発熱物質を含まない0.1Mクエン酸緩衝液（pH5.
7）,2mlにmonoDTPA−EG Ga−DP,1.96mgを加え、溶解し
た。この溶液を孔径0.2μｍフィルターを通して窒素置
換バイアルに充填した。48MBq（1.3mCi）の111InCl3を
含む生理食塩水,0.1mlを前記バイアルに加え、目的とす
る111In−monoDTPA−EG Ga−DP錯体を有効成分とする
放射性診断剤を得た。
放射性診断剤の製造 無菌で発熱物質を含まない0.1Mクエン酸緩衝液（pH5.
7）,2mlにmonoDTPA−EG Ga−DP,1.96mgを加え、溶解し
た。この溶液を孔径0.2μｍフィルターを通して窒素置
換バイアルに充填した。48MBq（1.3mCi）の111InCl3を
含む生理食塩水,0.1mlを前記バイアルに加え、目的とす
る111In−monoDTPA−EG Ga−DP錯体を有効成分とする
放射性診断剤を得た。
実施例23111 In−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成分とする放射性
診断剤の性質 実施例22で得た放射性診断剤に含まれる111In−monoDTP
A−EG Ga−DPの標識率を調べるためにシリカゲル薄層
板を用いて、MeOH−AcOH混液（5:1）を溶媒として展開
し、ラジオクロマトスキャナで走査した。放射能は、Rf
＝0.31にピークとして描出され、他に放射能ピークを認
めなかった。また、実施例22で示した本放射性診断剤の
製造に用いた111InCl3について前記と同様の方法でクロ
マトグラフィーを実施すると、原点に放射能ピークが認
められた。
診断剤の性質 実施例22で得た放射性診断剤に含まれる111In−monoDTP
A−EG Ga−DPの標識率を調べるためにシリカゲル薄層
板を用いて、MeOH−AcOH混液（5:1）を溶媒として展開
し、ラジオクロマトスキャナで走査した。放射能は、Rf
＝0.31にピークとして描出され、他に放射能ピークを認
めなかった。また、実施例22で示した本放射性診断剤の
製造に用いた111InCl3について前記と同様の方法でクロ
マトグラフィーを実施すると、原点に放射能ピークが認
められた。
以上の結果から本放射性診断剤中に含まれる111In−mon
oDTPA−EG Ga−DPの標識率は、100％であることが確か
められた。
oDTPA−EG Ga−DPの標識率は、100％であることが確か
められた。
実施例24111 In−HP−Glyの錯体を有効成分とする放射性診断剤の
製造 濃縮乾固された122MBq（3,3mci）の111InCl3に、HP−Gl
y1.03mgを含むAcOH,1mlを加え、超音波洗浄器を用いて
５分間攪拌した。さらに、油浴（80℃）中で１時間加温
し、その後、本溶液を室温まで自然放熱した。次に水,2
mlを加え酢酸エチル,2mlで２回抽出した。酢酸エチル層
を集めた水2ml洗浄し、さらに真空下で乾燥を行った。
乾燥後、残渣に0.1N NaOH,0.05mlを加え、攪拌溶解し
引き続き2/15Nリン酸緩衝液（pH7.4）,2mlを加え混和し
た。この溶液を、孔径0.2μｍフィルターを通して窒素
置換バイアルに充填し、目的とする111In−HP−Gly錯体
を有効成分とする放射性診断剤を得た（収率79.4％）。
製造 濃縮乾固された122MBq（3,3mci）の111InCl3に、HP−Gl
y1.03mgを含むAcOH,1mlを加え、超音波洗浄器を用いて
５分間攪拌した。さらに、油浴（80℃）中で１時間加温
し、その後、本溶液を室温まで自然放熱した。次に水,2
mlを加え酢酸エチル,2mlで２回抽出した。酢酸エチル層
を集めた水2ml洗浄し、さらに真空下で乾燥を行った。
乾燥後、残渣に0.1N NaOH,0.05mlを加え、攪拌溶解し
引き続き2/15Nリン酸緩衝液（pH7.4）,2mlを加え混和し
た。この溶液を、孔径0.2μｍフィルターを通して窒素
置換バイアルに充填し、目的とする111In−HP−Gly錯体
を有効成分とする放射性診断剤を得た（収率79.4％）。
実施例25111 In−HP−Glyを有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例24で得た放射性診断剤に含まれる111In−HP−Gly
の放射化学的純度を調べるために、実施例23と同様の方
法により試験を行った。
の放射化学的純度を調べるために、実施例23と同様の方
法により試験を行った。
放射能は、Rf＝0.66にピークとして描出され、他に放射
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
実施例2611 1 In−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成分とする放射性
診断剤の担癌ハムスターにおけるシンチグラフィー 実施例22で得た放射性診断剤（11MBq（300μCi））を、
実施例１に示した膵癌移植ハムスターに静注し、投与後
72時間および96時間後に中エネルギー用高分解能型コリ
メータを装着したガンマンカメラでシンチグラムを得
た。シンチグラム上、両時間点で癌部位を明瞭に認めら
れた。このことから、本剤が癌診断剤として非常に有用
であることが確かめられた。
診断剤の担癌ハムスターにおけるシンチグラフィー 実施例22で得た放射性診断剤（11MBq（300μCi））を、
実施例１に示した膵癌移植ハムスターに静注し、投与後
72時間および96時間後に中エネルギー用高分解能型コリ
メータを装着したガンマンカメラでシンチグラムを得
た。シンチグラム上、両時間点で癌部位を明瞭に認めら
れた。このことから、本剤が癌診断剤として非常に有用
であることが確かめられた。
実施例27111 In−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成分とする放射性
診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例22で得られた放射性診断剤（11MBq（300μCi））
あるいは、現在広く臨床の場で癌診断薬として用いられ
ているクエン酸ガリウム（67Ga）（37MBq（1mCi）を実
施例１に示したハムスターに静注し、経時的に解剖して
臓器を摘出して各臓器中の放射能および各臓器の重量を
測定し、各臓器に対する癌の放射能濃度比を求めた。
診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例22で得られた放射性診断剤（11MBq（300μCi））
あるいは、現在広く臨床の場で癌診断薬として用いられ
ているクエン酸ガリウム（67Ga）（37MBq（1mCi）を実
施例１に示したハムスターに静注し、経時的に解剖して
臓器を摘出して各臓器中の放射能および各臓器の重量を
測定し、各臓器に対する癌の放射能濃度比を求めた。
その結果を表２および表３に示す。
表２および表３から、本剤がクエン酸ガリウム（67Ga）
比してより高い癌／臓器濃度比を示すことを確認した。
比してより高い癌／臓器濃度比を示すことを確認した。
実施例28111 In−HP−Glyを有効成分とする放射性診断剤の担癌ハ
ムスターにおける体内分布 実施例24で得られた放射性診断剤（11MBq（30OμCi））
を実施例１に示したハムスターに静注し、実施例27に準
じて解剖し、各臓器に対する癌の放射能濃度比を求め
た。その結果を表４に示す。
ムスターにおける体内分布 実施例24で得られた放射性診断剤（11MBq（30OμCi））
を実施例１に示したハムスターに静注し、実施例27に準
じて解剖し、各臓器に対する癌の放射能濃度比を求め
た。その結果を表４に示す。
表４から、本剤は癌集積性を有していることが確かめら
れた。
れた。
実施例2999 mTc−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成分とする放射性
診断剤の製造 MonoDTPA−EG Ga−DP,1.74mgを、注射用蒸留水1.5mlに
加え、攪拌溶解し、さらにハイドロサルファイトナトリ
ウム0.26mgを加えて溶解した。次いで、0.1N塩酸溶液
で、pHを5.7付近に調整した。この溶液を孔径0.2μｍフ
ィルターを通して窒素置換バイアルに充填した。185MBq
（5.0mCi）の過テクネチウム酸塩を前記バイアルに加
え、目的とする99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成
分とする放射性診断剤を得た。
診断剤の製造 MonoDTPA−EG Ga−DP,1.74mgを、注射用蒸留水1.5mlに
加え、攪拌溶解し、さらにハイドロサルファイトナトリ
ウム0.26mgを加えて溶解した。次いで、0.1N塩酸溶液
で、pHを5.7付近に調整した。この溶液を孔径0.2μｍフ
ィルターを通して窒素置換バイアルに充填した。185MBq
（5.0mCi）の過テクネチウム酸塩を前記バイアルに加
え、目的とする99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成
分とする放射性診断剤を得た。
実施例3099 mTc−monoDTPA−EG Ga−DPを有効成分とする放射性
診断剤の性質 実施例29で得た放射性診断剤に含まれる99mTc−monoDTP
A−EG Ga−DPの標識率を調べるために、実施例23と同
様な方法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.31にピ
ークとして描出され、他に放射能ピークを認めなかっ
た。また、実施例29で示した本放射性診断剤の製造に用
いた過テクネチウム酸塩について、前記と同様の方法で
クロマトグラフィーを実施すると、Rf＝0.87に放射能ピ
ークが認められた。以上の結果から本放射性診断剤中に
含まれる99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPの標準率は、100
％であることが確かめられた。
診断剤の性質 実施例29で得た放射性診断剤に含まれる99mTc−monoDTP
A−EG Ga−DPの標識率を調べるために、実施例23と同
様な方法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.31にピ
ークとして描出され、他に放射能ピークを認めなかっ
た。また、実施例29で示した本放射性診断剤の製造に用
いた過テクネチウム酸塩について、前記と同様の方法で
クロマトグラフィーを実施すると、Rf＝0.87に放射能ピ
ークが認められた。以上の結果から本放射性診断剤中に
含まれる99mTc−monoDTPA−EG Ga−DPの標準率は、100
％であることが確かめられた。
実施例3167 Ga−DTPA−EG DP−Meを有効成分とする放射性診断剤
の製造 無菌で発熱物質を含まない0.1Mクエン酸緩衝液（pH5.
7）,2mlに、DTPA−EG DP−Me,1.86mgを加え、溶解し、
さらに孔径0.2μｍフィルターを通して、窒素置換バイ
アルに充填した。67GaCl3,0.1ml（48MBq（1.3mCi））
を、前記バイアルに加え、目的とする67Ga−DTPA−EG
DP−Meを有効成分とする放射性診断剤を得た。
の製造 無菌で発熱物質を含まない0.1Mクエン酸緩衝液（pH5.
7）,2mlに、DTPA−EG DP−Me,1.86mgを加え、溶解し、
さらに孔径0.2μｍフィルターを通して、窒素置換バイ
アルに充填した。67GaCl3,0.1ml（48MBq（1.3mCi））
を、前記バイアルに加え、目的とする67Ga−DTPA−EG
DP−Meを有効成分とする放射性診断剤を得た。
実施例3267 Ga−DTPA−EG DP−Meを有効成分とする放射性診断剤
の性質 実施例31で得た放射性診断剤に含まれる67Ga−DTPA−EG
DP−Meの標識率を調べるために、実施例23と同様な方
法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.31とRf＝0.06
付近にピークとして描出された。Rf＝0.31に認められる
放射能ピークは、monoDTPA−EG DP−Me,Rf＝0.06は、b
isDTPA−EG−DP−Meに各々起因するものと考えられた。
このことは、薄層上の同Rfに同誘導体特有の呈色がある
ことから説明される。また、実施例31で示した本放射性
診断剤の製造に用いた67GaCl3について、前記と同様の
方法でクロマトグラフィーを実施すると原点に放射能ピ
ークが認められた。
の性質 実施例31で得た放射性診断剤に含まれる67Ga−DTPA−EG
DP−Meの標識率を調べるために、実施例23と同様な方
法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.31とRf＝0.06
付近にピークとして描出された。Rf＝0.31に認められる
放射能ピークは、monoDTPA−EG DP−Me,Rf＝0.06は、b
isDTPA−EG−DP−Meに各々起因するものと考えられた。
このことは、薄層上の同Rfに同誘導体特有の呈色がある
ことから説明される。また、実施例31で示した本放射性
診断剤の製造に用いた67GaCl3について、前記と同様の
方法でクロマトグラフィーを実施すると原点に放射能ピ
ークが認められた。
以上の結果から本放射性診断剤中に含まれる67Ga−DTPA
−EG DP−Meの標識率は、100％であることが確められ
た。
−EG DP−Meの標識率は、100％であることが確められ
た。
実施例33111 In−bisDTPA−EG DPを有効成分とする放射性診断剤
の製造 bisDTPA−EG DP,2.41mgを実施例22に示した製造方法に
準じて、目的とする111In−bisDTPA−EGDPを有効成分と
する放射性診断剤を得た。
の製造 bisDTPA−EG DP,2.41mgを実施例22に示した製造方法に
準じて、目的とする111In−bisDTPA−EGDPを有効成分と
する放射性診断剤を得た。
実施例34111 In−bisDTPA−EG DPを有効成分とする放射性診断剤
の性質 実施例33で得た放射性診断剤に含まれる111In−bisDTPA
−EG DPの標識率を調べるために、実施例23と同様な方
法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.06付近にピー
クとして描出され、他に放射能ピークを認めなかった。
このことから、本剤中に含まれる111In−bisDTPA−EG
DPの標識率は、100％であることが確かめられた。
の性質 実施例33で得た放射性診断剤に含まれる111In−bisDTPA
−EG DPの標識率を調べるために、実施例23と同様な方
法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.06付近にピー
クとして描出され、他に放射能ピークを認めなかった。
このことから、本剤中に含まれる111In−bisDTPA−EG
DPの標識率は、100％であることが確かめられた。
実施例3567 Ga−HP−Gluを有効成分とする放射性診断剤の製造 濃縮乾固された67GaCl3（245MBq（6.62mCi））に、HP−
Glu,1.46mgを含む酢酸溶液,1mlを加え、実施例24に示し
た製造方法に準じ、目的とする67Ga−HP−Gluを有効成
分とする放射性診断剤を得た（収率46.5％） 実施例3667 Ga−HP−Gluを有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例35で得た放射性診断剤に含まれる67Ga−HP−Glu
の放射化学的純度度を求めるために、実施例23と同様な
方法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.83にピーク
として描出され、他に放射能ピークを認めなかった。こ
のことからら、本剤の放射化学的純度は、100％である
ことが確かめられた。
Glu,1.46mgを含む酢酸溶液,1mlを加え、実施例24に示し
た製造方法に準じ、目的とする67Ga−HP−Gluを有効成
分とする放射性診断剤を得た（収率46.5％） 実施例3667 Ga−HP−Gluを有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例35で得た放射性診断剤に含まれる67Ga−HP−Glu
の放射化学的純度度を求めるために、実施例23と同様な
方法により試験を行った。放射能は、Rf＝0.83にピーク
として描出され、他に放射能ピークを認めなかった。こ
のことからら、本剤の放射化学的純度は、100％である
ことが確かめられた。
実施例37 2,4−ビス［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］
デューテロポルフィリナトガリウム（III）の代わりに
2,4−ビス［１−（３−ヒドロキシプロポキシ）エチ
ル］デューテロポルフィナトガリウム（III）を用いて
実施例９と同様に処理し、monoDTPA−PG Ga−DPを得
た。
デューテロポルフィリナトガリウム（III）の代わりに
2,4−ビス［１−（３−ヒドロキシプロポキシ）エチ
ル］デューテロポルフィナトガリウム（III）を用いて
実施例９と同様に処理し、monoDTPA−PG Ga−DPを得
た。
実施例38111 In−mono DTPA−PG Ga−DPを有効成分とする放射
性診断剤の製造 monoDTPA−PG Ga−DPを使用する以外は実施例22と同様
に処理して111In−monoDTPA−PG Ga−DPを有効成分と
する放射性診断剤を得た。
性診断剤の製造 monoDTPA−PG Ga−DPを使用する以外は実施例22と同様
に処理して111In−monoDTPA−PG Ga−DPを有効成分と
する放射性診断剤を得た。
実施例39111 In−mono DTPA−EG Ga−DP、111In−mono DTPA−
PG Ga−DPおよびクエン酸ガリウム（67Ga）をそれぞれ
有効成分とする放射性診断剤の担癌および炎症誘発ハム
スターにおける体内分布 実施例１に示した担癌ハムスターにテレビン油（東洋薄
荷製、α‐ピネン；β‐ピネン:l-リモネン−8:1:1、重
量比）を用いて炎症を誘発させた。これに111In-mono
DTPA−EG Ga−DP（28MBq（760μCi））、111In−mono
DTPA−PG Ga−DP（28MBq（760μCi））またはクエン
酸ガリウム（67Ga）（21MBq（570μCi））を有効成分と
する放射性診断剤を静注し、72時間後に解剖を行い、
癌，炎症巣および臓器を摘出して各臓器中の放射能およ
び各臓器の重量を測定し、各臓器に対する癌あるいは炎
症巣の放射能濃度比を得た。結果を表５に示す。
PG Ga−DPおよびクエン酸ガリウム（67Ga）をそれぞれ
有効成分とする放射性診断剤の担癌および炎症誘発ハム
スターにおける体内分布 実施例１に示した担癌ハムスターにテレビン油（東洋薄
荷製、α‐ピネン；β‐ピネン:l-リモネン−8:1:1、重
量比）を用いて炎症を誘発させた。これに111In-mono
DTPA−EG Ga−DP（28MBq（760μCi））、111In−mono
DTPA−PG Ga−DP（28MBq（760μCi））またはクエン
酸ガリウム（67Ga）（21MBq（570μCi））を有効成分と
する放射性診断剤を静注し、72時間後に解剖を行い、
癌，炎症巣および臓器を摘出して各臓器中の放射能およ
び各臓器の重量を測定し、各臓器に対する癌あるいは炎
症巣の放射能濃度比を得た。結果を表５に示す。
上記の結果から111In−mono DTPA−EG Ga−DPおよび
111In−mono DTPA−PG DPは癌親和性および炎症巣親
和性の点でほぼ同程度の能力を示すが、クエン酸ガリウ
ム（67Ga）と対比した場合、いずれも癌描出能において
勝り、炎症巣描出において劣ることが理解出来る。
111In−mono DTPA−PG DPは癌親和性および炎症巣親
和性の点でほぼ同程度の能力を示すが、クエン酸ガリウ
ム（67Ga）と対比した場合、いずれも癌描出能において
勝り、炎症巣描出において劣ることが理解出来る。
実施例40111 In−mono DTPA−EG Ga−DP、111In−mono DTPA−
PG Ga−DP、111In−mono DTPA−EG Zn−DPおよびク
エン酸ガリウム（67Ga）をそれぞれ有効成分とする放射
性診断剤の炎症誘発ラットにおける体内分布SDラット
（体重約200g）の右後足皮下にクロトン油,0.1mlを注射
した。４日後、111In−mono DTPA−EG Ga−DP、111In
−monoDTPA−PG Ga−DP、111In−mono DTPA−EG Zn
−DPまたはクエン酸ガリウム（67Ga）を有効成分とする
放射性診断剤（19〜37MBq（0.5〜1.0mCi））を尾静脈に
投与し、72時間後に解剖を行い、癌，炎症巣および臓器
を摘出して各臓器中の放射能および各臓器の重量を測定
し、各臓器に対する炎症巣の放射能濃度比を求めた。
PG Ga−DP、111In−mono DTPA−EG Zn−DPおよびク
エン酸ガリウム（67Ga）をそれぞれ有効成分とする放射
性診断剤の炎症誘発ラットにおける体内分布SDラット
（体重約200g）の右後足皮下にクロトン油,0.1mlを注射
した。４日後、111In−mono DTPA−EG Ga−DP、111In
−monoDTPA−PG Ga−DP、111In−mono DTPA−EG Zn
−DPまたはクエン酸ガリウム（67Ga）を有効成分とする
放射性診断剤（19〜37MBq（0.5〜1.0mCi））を尾静脈に
投与し、72時間後に解剖を行い、癌，炎症巣および臓器
を摘出して各臓器中の放射能および各臓器の重量を測定
し、各臓器に対する炎症巣の放射能濃度比を求めた。
結果を表６に示す。
上記の結果から111In−mono DTPA−EG Ga−DP、111In
−mono DTPA−PG Ga−DPおよび111In−mono DTPA−E
G Zn−DPはクエン酸ガリウム（67Ga）に比較して炎症
巣に蓄積する度合が少なく、従って癌の検出により適し
ていることが理解出来る。
−mono DTPA−PG Ga−DPおよび111In−mono DTPA−E
G Zn−DPはクエン酸ガリウム（67Ga）に比較して炎症
巣に蓄積する度合が少なく、従って癌の検出により適し
ていることが理解出来る。
実施例41 ２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−４−
ビニル−デューテロポルフィリナトガリウム（III）あ
るいはこの位置異性体である4-［1-（2-ヒドロキシエト
キシ）エチル］−２−ビニル‐デューテロポルフィリナ
トガリウム（III） （混合物）［monoEG Ga−DP］,1gをピリジン40mlに溶
解し無水DTPA,1gを加え、加熱攪拌下にて反応せしめ
た。以下実施例２と同様に操作し、２−［１−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル‐デューテロ
ポルフィリナトガリウムあるいはこの位置異性体である
4-［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］‐2-ビニ
ル‐デューテロポルフィリナトガリウム（III）のDTPA
モノエステル［monoDTPA−monoEG Ga-DP］各0.5gを得
た。（収率33.3％） 実施例42111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分とする放
射性診断剤の製造 monoDTPA−monoEG Ga−DPを使用する以外は、実施例22
と同様に処理して111I−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有
効成分とする放射性診断剤を得た。
ビニル−デューテロポルフィリナトガリウム（III）あ
るいはこの位置異性体である4-［1-（2-ヒドロキシエト
キシ）エチル］−２−ビニル‐デューテロポルフィリナ
トガリウム（III） （混合物）［monoEG Ga−DP］,1gをピリジン40mlに溶
解し無水DTPA,1gを加え、加熱攪拌下にて反応せしめ
た。以下実施例２と同様に操作し、２−［１−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル‐デューテロ
ポルフィリナトガリウムあるいはこの位置異性体である
4-［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］‐2-ビニ
ル‐デューテロポルフィリナトガリウム（III）のDTPA
モノエステル［monoDTPA−monoEG Ga-DP］各0.5gを得
た。（収率33.3％） 実施例42111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分とする放
射性診断剤の製造 monoDTPA−monoEG Ga−DPを使用する以外は、実施例22
と同様に処理して111I−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有
効成分とする放射性診断剤を得た。
実施例43111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分とする放
射性診断剤の性質 実施例42で得た放射性診断剤に含まれる111In−monoDTP
A−monoEG Ga−DPの放射化学的純度を求めるため、実
施例23と同様な方法により試験を行った。放射能はRf＝
0.31にピークとして描出され、他に放射能ピークを認め
なかった。このことから、本剤の放射化学的純度は、10
0％であることが確かめられた。
射性診断剤の性質 実施例42で得た放射性診断剤に含まれる111In−monoDTP
A−monoEG Ga−DPの放射化学的純度を求めるため、実
施例23と同様な方法により試験を行った。放射能はRf＝
0.31にピークとして描出され、他に放射能ピークを認め
なかった。このことから、本剤の放射化学的純度は、10
0％であることが確かめられた。
実施例44111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分とする放
射性診断剤の担癌ハムスターのおける体内分布 実施例１に示した、担癌ハムスターに実施例42により得
られた111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分と
する放射性医薬品を静注し、72時間後にガンマンカメラ
でシンチグラムを得た。これによると、癌部位が明瞭に
描出された。その後、解剖し、癌および臓器を摘出して
各臓器中の放射能および各臓器の重量を測定し、各臓器
に対する癌の放射能濃度比を得た。結果を表７に示す。
射性診断剤の担癌ハムスターのおける体内分布 実施例１に示した、担癌ハムスターに実施例42により得
られた111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPを有効成分と
する放射性医薬品を静注し、72時間後にガンマンカメラ
でシンチグラムを得た。これによると、癌部位が明瞭に
描出された。その後、解剖し、癌および臓器を摘出して
各臓器中の放射能および各臓器の重量を測定し、各臓器
に対する癌の放射能濃度比を得た。結果を表７に示す。
上記の結果から、本剤が癌診断剤として有用であること
が確かめられた。
が確かめられた。
実施例45 monoEG Ga−DPの代わりに、それぞれ別々に２−［１−
（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル−デ
ューテロポルフィリン（monoEG DP）、２−［１−（２
−ヒドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル‐デュー
テロポルフィリナトマンガン（II）（monoEG Mn−D
P）、および２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エ
チル］−４−ビニル‐デューテロポルフィリナト銅（I
I）（monoEG Cu−DP）各1gを用いて実施例41と同様に
操作し、それぞれのDTPAモノエステル（monoDTPA−mono
EG DP、monoDTPA−monoEG Mn−DPおよびmonoDTPA−mo
noEG Cu−DP）各0.11g、0.72g、0.22gを得た。（収率
6.9％、47.2％、29.5％） 実施例46 実施例45で得られたそれぞれの化合物、 monoDTPA−monoEG DP、 monoDTPA−monoEG Mn−DPおよび monoDTPA−monoEG Cu−DPの各1gを用いて実施例11およ
び12と同様に操作して以下に示す錯体をそれぞれ100％
の収率で得た。
（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル−デ
ューテロポルフィリン（monoEG DP）、２−［１−（２
−ヒドロキシエトキシ）エチル］−４−ビニル‐デュー
テロポルフィリナトマンガン（II）（monoEG Mn−D
P）、および２−［１−（２−ヒドロキシエトキシ）エ
チル］−４−ビニル‐デューテロポルフィリナト銅（I
I）（monoEG Cu−DP）各1gを用いて実施例41と同様に
操作し、それぞれのDTPAモノエステル（monoDTPA−mono
EG DP、monoDTPA−monoEG Mn−DPおよびmonoDTPA−mo
noEG Cu−DP）各0.11g、0.72g、0.22gを得た。（収率
6.9％、47.2％、29.5％） 実施例46 実施例45で得られたそれぞれの化合物、 monoDTPA−monoEG DP、 monoDTPA−monoEG Mn−DPおよび monoDTPA−monoEG Cu−DPの各1gを用いて実施例11およ
び12と同様に操作して以下に示す錯体をそれぞれ100％
の収率で得た。
ただし、Fe金属塩としてFeCl3金属を用い、Nd金属塩と
してNdCl3金属を使用した。
してNdCl3金属を使用した。
In−monoDTPA−monoEG DP、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 In−monoDTPA−monoEG Cu−DP、 Gd−monoDTPA−monoEG DP、 Gd−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 Gd−monoDTPA−monoEG Cu−DP、 Nd−monoDTPA−monoEG DP、 Nd−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 Nd−monoDTPA−monoEG Cu−DP、 Eu−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 Sm−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 Fe−monoDTPA−monoEG Mn−DP、 および Mn−monoDTPA−monoEG Mn−DP。
実施例47 monoEG Ga−DP、monoEG Mn−DP、 およびmonoEG Cu−DP各1gを用いて実施例15と同様に操
作し、それぞれのDCHA塩（monoEG Ga−DP−DCHA、mono
EG Mn−DP−DCHAおよびmonoEG Cu−DP−DCHA）とし
た。ついで、縮合剤としてWSC・HClをおよびアミノ酸と
して塩酸グリシンエチルエステル、塩酸フェニルアラニ
ンメチルエステル、塩酸チロシンメチルエステル、塩酸
アスパラギン酸メチルエステルを用いて実施例17と同様
に処理し、それぞれのアミノ酸誘導体すなわち、 monoEG Ga−DP−diGly（収量1.15g 収率99.4％）、 monoEG Ga−DP−diPhe（収量1.08g 収率76.9％）、 monoEG Ga−DP−diTyr（収量1.01g 収率69.7％）、 monoEG Ga−DP−diAsp（収量1.08g 収率82.0％）、 monoEG Mn−DP−diGly（収量0.57g 収率74.0％）、 monoEG Mn−DP−diPhe（収量0.70g 収率74.0％）、 monoEG Mn−DP−diTyr（収量0.72g 収率74.0％）およ
び monoEG Cu−DP−diGly（収量0.45g収率30.6％）を別々
に得た。
作し、それぞれのDCHA塩（monoEG Ga−DP−DCHA、mono
EG Mn−DP−DCHAおよびmonoEG Cu−DP−DCHA）とし
た。ついで、縮合剤としてWSC・HClをおよびアミノ酸と
して塩酸グリシンエチルエステル、塩酸フェニルアラニ
ンメチルエステル、塩酸チロシンメチルエステル、塩酸
アスパラギン酸メチルエステルを用いて実施例17と同様
に処理し、それぞれのアミノ酸誘導体すなわち、 monoEG Ga−DP−diGly（収量1.15g 収率99.4％）、 monoEG Ga−DP−diPhe（収量1.08g 収率76.9％）、 monoEG Ga−DP−diTyr（収量1.01g 収率69.7％）、 monoEG Ga−DP−diAsp（収量1.08g 収率82.0％）、 monoEG Mn−DP−diGly（収量0.57g 収率74.0％）、 monoEG Mn−DP−diPhe（収量0.70g 収率74.0％）、 monoEG Mn−DP−diTyr（収量0.72g 収率74.0％）およ
び monoEG Cu−DP−diGly（収量0.45g収率30.6％）を別々
に得た。
実施例48 実施例47で得られた化合物 monoEG Ga−DP−diGly、 monoEG Ga−DP−diPhe、 monoEG Ga−DP−diTyr、 monoEG Ga−DP−diAsp、 monoEG Mn−DP−diGly、 monoEG Mn−DP−diPhe、 monoEG Mn−DP−diTyrおよび monoEG Cu−DP−diGly各1gを用いて実施例41と同様に
操作し、それぞれのDTPAモノエステルすなわち、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly（収量0.03g 収率2.
0％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe（収量0.44g 収率3
2.2％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diTyr（収量0.36g 収率2
6.5％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp（収量0.24g 収率1
7.3％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly（収量0.53g 収率3
6.7％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPhe（収量0.31g 収率2
2.4％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diTyr（収量0.02g 収率1.
5％）、および monoDTPA−monoEG Gu−DP−diGly（収量0.45g 収率3
0.6％）を別々に得た。
操作し、それぞれのDTPAモノエステルすなわち、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly（収量0.03g 収率2.
0％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe（収量0.44g 収率3
2.2％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diTyr（収量0.36g 収率2
6.5％）、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp（収量0.24g 収率1
7.3％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly（収量0.53g 収率3
6.7％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPhe（収量0.31g 収率2
2.4％）、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diTyr（収量0.02g 収率1.
5％）、および monoDTPA−monoEG Gu−DP−diGly（収量0.45g 収率3
0.6％）を別々に得た。
実施例49 実施例48で得られたそれぞれの化合物すなわち、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diTlyr、 monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPhe、 monoDTPA−monoEG Mn−DP−diTyr、 および monoDTPA−monoEG Cu−DP−diGlyの各1gを用い、実施
例11と同様に操作して別々に、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly、 In−onoDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diTyr、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPhe、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diTyr、 および In−monoDTPA−monoEG Cu−DP−diGly、 をそれぞれ100％の収率で得た。
例11と同様に操作して別々に、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly、 In−onoDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diTyr、 In−monoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diPhe、 In−monoDTPA−monoEG Mn−DP−diTyr、 および In−monoDTPA−monoEG Cu−DP−diGly、 をそれぞれ100％の収率で得た。
実施例50111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPの錯体を有効成分と
する放射性診断剤の製造 実施例45で得られたmonoDTPA−monoEG Mn−DPを用い
て、実施例22と同様に操作し、目的とする111In−monoD
TPA−monoEG Mn−DPの錯体を有効成分とする放射性診
断剤を得た。
する放射性診断剤の製造 実施例45で得られたmonoDTPA−monoEG Mn−DPを用い
て、実施例22と同様に操作し、目的とする111In−monoD
TPA−monoEG Mn−DPの錯体を有効成分とする放射性診
断剤を得た。
実施例51111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPの錯体を有効成分と
するる放射性診断剤の性質 実施例50で得た111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPの標
識率を調べるために、シリカゲル60w薄層板および展開
溶媒としてMeOH-AcOH混液（5:3）を用いて、実施例23と
同様の方法により試験を行った。
するる放射性診断剤の性質 実施例50で得た111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPの標
識率を調べるために、シリカゲル60w薄層板および展開
溶媒としてMeOH-AcOH混液（5:3）を用いて、実施例23と
同様の方法により試験を行った。
放射能は、Rf＝0.39にピークとして描出され、他に放射
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
実施例52111 In−monoDTPA−monoEG Cu−DPの錯体を有効成分と
する放射性診断剤の製造 実施例45で得られたmonoDTPA−monoEGCu−DPを用いて、
実施例22と同様に操作し、目的とする111In−monoDTPA
−monoEG Cu−DPの錯体を有効成分とする放射性診断剤
を得た。
する放射性診断剤の製造 実施例45で得られたmonoDTPA−monoEGCu−DPを用いて、
実施例22と同様に操作し、目的とする111In−monoDTPA
−monoEG Cu−DPの錯体を有効成分とする放射性診断剤
を得た。
実施例53111 In−monoDTPA−monoEG Cu−DPの錯体を有効成分と
する放射性診断剤の性質 実施例52で得た111In−DTPA−monoEG Cu−DPの標識率
を調べるために、シリカゲル60w薄層板および展開溶媒
としてMeOH−AcOH混液5:3）を用いて、実施例23と同様
の方法により試験を行った。
する放射性診断剤の性質 実施例52で得た111In−DTPA−monoEG Cu−DPの標識率
を調べるために、シリカゲル60w薄層板および展開溶媒
としてMeOH−AcOH混液5:3）を用いて、実施例23と同様
の方法により試験を行った。
放射能は、Rf＝0.43にピークとして描出され、他に放射
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
能ピークを認めなかった。このことから本剤の放射化学
的純度は、100％であることが認められた。
実施例54111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPアミノ酸誘導体の錯
体を有効成分とする放射性診断剤の製造 配位子として、monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly、mon
oDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe、monoDTPA−monoEG Ga
−DP−diTyrあるいはmonoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp
を用いて、実施例22と同様に操作し、各々目的とする
111In錯体を有効成分とする放射性診断剤を得た。
体を有効成分とする放射性診断剤の製造 配位子として、monoDTPA−monoEG Ga−DP−diGly、mon
oDTPA−monoEG Ga−DP−diPhe、monoDTPA−monoEG Ga
−DP−diTyrあるいはmonoDTPA−monoEG Ga−DP−diAsp
を用いて、実施例22と同様に操作し、各々目的とする
111In錯体を有効成分とする放射性診断剤を得た。
実施例55111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPアミノ酸誘導体の錯
体を有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例54で得た111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPアミ
ノ酸誘導体の標識率を調べるために、シリカゲル60w薄
層板および展開溶媒としてMeOH−AcOH混液（5:3）を用
いて、実施例23と同様の方法により試験を行った。
体を有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例54で得た111In−monoDTPA−monoEG Ga−DPアミ
ノ酸誘導体の標識率を調べるために、シリカゲル60w薄
層板および展開溶媒としてMeOH−AcOH混液（5:3）を用
いて、実施例23と同様の方法により試験を行った。
その結果、各錯体を含む放射性診断剤の放射化学的純度
は、全て100％であった。また、各錯体のRf値は次に示
す通りであった。
は、全て100％であった。また、各錯体のRf値は次に示
す通りであった。
monoDTPA-monoEG Ga-DP-diGly:0.37 monoDTPA-monoEG Ga-DP-diPhe:0.41 monoDTPA-monoEG Ga-DP-diTyr:0.44 monoDTPA-monoEG Ga-DP-diAsp:0.37 実施例56111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPアミノ酸誘導体の錯
体を有効成分とする放射性診断剤の製造 配位子としてmonoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly、monoD
TPA−monoEG Mn−DP−diPheあるいはmonoDTPA−monoEG
Mn−DP−diTyrを用いて、実施例22と同様に操作し、
各々目的とする111In錯体を有効成分とする放射性診断
剤を得た。
体を有効成分とする放射性診断剤の製造 配位子としてmonoDTPA−monoEG Mn−DP−diGly、monoD
TPA−monoEG Mn−DP−diPheあるいはmonoDTPA−monoEG
Mn−DP−diTyrを用いて、実施例22と同様に操作し、
各々目的とする111In錯体を有効成分とする放射性診断
剤を得た。
実施例57111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPアミノ酸誘導体の錯
体を有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例56で得た各111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPア
ミノ酸誘導体の標識率を調べるために、シリカゲル60w
薄層板および展開溶媒としてMeOH-AcOH混液（5:3）を用
いて、実施例23と同様の方法により試験を行った。
体を有効成分とする放射性診断剤の性質 実施例56で得た各111In−monoDTPA−monoEG Mn−DPア
ミノ酸誘導体の標識率を調べるために、シリカゲル60w
薄層板および展開溶媒としてMeOH-AcOH混液（5:3）を用
いて、実施例23と同様の方法により試験を行った。
その結果、各錯体、各錯体を含む放射性診断剤の放射化
学的純度は、全て100％であった。また、各錯体のRf値
は次に示す通りであった。
学的純度は、全て100％であった。また、各錯体のRf値
は次に示す通りであった。
monoDTPA-EG Mn-DP-diGly:0.33 monoDTPA-EG Mn-DP-diPhe:0.43 monoDTPA-EG Mn-DP-diTyr:0.40 実施例58111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPの錯体を有効成分と
する放射性診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例50で得られた放射性診断剤（約19MBq（約500μC
i））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与7
2時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射能濃度比（表８）を求めた。
する放射性診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例50で得られた放射性診断剤（約19MBq（約500μC
i））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与7
2時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射能濃度比（表８）を求めた。
表８から、本剤は高い癌集積性を有していることが確か
められた。
められた。
実施例59111 In−monoDTPA−monoEG Cu−DPの錯体を有効成分と
する放射性診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例52で得られた放射性診断断剤（約19MBq（約500μ
Ci））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与
72時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射能濃度比（表９）を求めた。
する放射性診断剤の担癌ハムスターにおける体内分布 実施例52で得られた放射性診断断剤（約19MBq（約500μ
Ci））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与
72時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射能濃度比（表９）を求めた。
表９から、本剤は高い癌集性を有していることが確かめ
られた。
られた。
実施例60111 In−monoDTPA−monoEG Ga−DPアミノ酸誘導体の錯
体を有効成分とする放射性診断剤の担癌ハムスターにお
ける体内分布 実施例54で得られた各放射性診断剤（約19MBq（500μC
i）を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与72
時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の放
射能濃度比（表10）を求めた。
体を有効成分とする放射性診断剤の担癌ハムスターにお
ける体内分布 実施例54で得られた各放射性診断剤（約19MBq（500μC
i）を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与72
時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の放
射能濃度比（表10）を求めた。
表10から、各放射性診断剤は高い癌集積性を有している
ことが確かめられた。
ことが確かめられた。
実施例61111 In−monoDTPA−monoEG Mn−DPアミノ酸誘導体錯体
を有効成分とする放射性診断剤の担癌ハムスターにおけ
る体内分布 実施例56で得られた各放射診断剤（約19MBq（500μC
i））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与7
2時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射性濃度比（表11）を得た。
を有効成分とする放射性診断剤の担癌ハムスターにおけ
る体内分布 実施例56で得られた各放射診断剤（約19MBq（500μC
i））を、実施例１に示したハムスターに静注し、投与7
2時間後に実施例27と同様にして、各臓器に対する癌の
放射性濃度比（表11）を得た。
表11から、各放射性診断剤は高い癌集積性を有している
ことが確かめられた。
ことが確かめられた。
（ト）発明の効果 本発明のポルフィリン誘導体は癌細胞への集積性、外部
エネルギーに対する反応ならびに癌細胞の破壊作用等を
有し、しかも正常細胞に対して光毒性を発揮することが
ないから、癌治療薬あるいは癌診断薬として極めて有用
であるる。
エネルギーに対する反応ならびに癌細胞の破壊作用等を
有し、しかも正常細胞に対して光毒性を発揮することが
ないから、癌治療薬あるいは癌診断薬として極めて有用
であるる。
第１図はmonoDTPA−monoEG Ga−DP、第２図はIn−mono
DTPA−monoEGGa−DP、第３図はmonoDTPA−monoEG Mn−
DPおよび第４図はIn−monoDTPA−monoEG Mn−DPの二次
イオンマススペクトルをそれぞれ示す。
DTPA−monoEGGa−DP、第３図はmonoDTPA−monoEG Mn−
DPおよび第４図はIn−monoDTPA−monoEG Mn−DPの二次
イオンマススペクトルをそれぞれ示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 59/00 7419−4Ｈ (72)発明者 高田 弘之 岡山県浅口郡里庄町里見2098番地 (72)発明者 山内 博彦 千葉県市原市不入斗135番地 住友化学上 ▲りく▼田社宅５棟208号 (72)発明者 上田 信夫 千葉県君津郡袖ケ浦町長浦駅前２丁目11番 地の14 (72)発明者 葉杖 正昭 兵庫県尼崎市武庫元町３丁目２番地５号 (56)参考文献 特開 昭57−185220（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−92287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−7279（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−83185（ＪＰ，Ａ) 特公 平４−66873（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (4)
- 【請求項１】式： （式中、R1およびR2はそれぞれ−CH＝CH2、−CH2CH3、
−CH（Ｏ−低級アルカノイル）CH3、−CH（OR）CH3また
は−CH（Ｏ−低級アルキレン−OR）CH3、R3は−Ｈ、−C
OOH、−COO−低級アルキルまたは−COO−低級アルキレ
ン−OR、R4は−Ｈ、−低級アルキルまたは−低級アルキ
レン−OR、Ｒは−Ｈまたは−低級アルキル、-Aは−CH2
−または−CO−、γ位に結合した点線は無結合または単
結合を示し、７位と８位の間の点線は一重結合または二
重結合の存在を示す。ただし、式中に存在するヒドロキ
シル基およびカルボキシル基の少なくとも一つには多官
能性カルボン酸（１個のカルボキシル基に加え、−N
H2、−OH、−SHおよび−COOHから選択された少くとも１
個の官能基を有する化合物）が該多官能性カルボン酸に
存在するカルボキシル基またはアミノ基と共にエステル
結合またはアミド結合を形成して結合しているが、多官
能性カルボン酸がアミノ酸である場合には、γ位に結合
した点線は単結合を示さないものとする。） で示されるポルフィリン化合物およびその金属複合体
（ただし金属はポルフィン骨格内または多官能性カルボ
ン酸残基内もしくはポルフィン骨格内と多官能性カルボ
ン酸残基内に存在することが出来る。また、R1、R2、R3
およびR4の少なくとも一つはＲを持った基でなければな
らない。）。 - 【請求項２】ポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に存在す
るカルボキシル基と多官能カルボン酸としてのアミノ酸
のアミノ基との間で結合が行なわれている第１項記載の
ポルフィリン化合物およびその金属複合体。 - 【請求項３】式： （式中、R1およびR2はそれぞれ−CH＝CH2、−CH2CH3、
−CH（Ｏ−低級アルカノイル）CH3、−CH（OR）CH3また
は−CH（Ｏ−低級アルキレン−OR）CH3、R3は−Ｈ、−C
OOH、−COO−低級アルキルまたは−COO−低級アルキレ
ン−OR、R4は−Ｈ、−低級アルキルまたは−低級アルキ
レン−OR、Ｒは−Ｈまたは−低級アルキル、-Aは−CH2
−または−CO−、γ位に結合した点線は無結合または単
結合を示し、７位と８位の間の点線は一重結合または二
重結合の存在を示す。ただし、式中に存在するヒドロキ
シル基およびカルボキシル基の少なくとも一つには多官
能性カルボン酸（１個のカルボキシル基に加え、−N
H2、−OH、−SHおよび−COOHから選択された少くとも１
個の官能基を有する化合物）が該多官能性カルボン酸に
存在するカルボキシル基またはアミノ基と共にエステル
結合またはアミド結合を形成して結合しているが、多官
能性カルボン酸がアミノ酸である場合には、γ位に結合
した点線は単結合を示さないものとする。） で示されるポルフィリン化合物およびその金属複合体
（ただし金属はポルフィン骨格内または多官能性カルボ
ン酸残基内もしくはポルフィン骨格内と多官能性カルボ
ン酸残基内に存在することが出来る。また、R1、R2、R3
およびR4の少なくとも一つはＲを持った基でなければな
らない。）から選ばれた化学物質を有効成分とする癌指
向性薬剤。 - 【請求項４】ポルフィリン化合物（Ｉ）の側鎖に存在す
るカルボキシル基と多官能カルボン酸としてのアミノ酸
のアミノ基との間で結合が行なわれているポルフィリン
化合物およびその金属複合体から選ばれた化学物質を有
効成分とする第３項記載の癌指向性薬剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6032089A JPH0725763B2 (ja) | 1985-10-23 | 1989-03-13 | ポルフィリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23532285 | 1985-10-23 | ||
| JP60-235322 | 1985-10-23 | ||
| JP6032089A JPH0725763B2 (ja) | 1985-10-23 | 1989-03-13 | ポルフィリン誘導体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25323186A Division JPS62174079A (ja) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | ポルフイリン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276881A JPH0276881A (ja) | 1990-03-16 |
| JPH0725763B2 true JPH0725763B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=16984388
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25323186A Granted JPS62174079A (ja) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | ポルフイリン誘導体 |
| JP6032089A Expired - Fee Related JPH0725763B2 (ja) | 1985-10-23 | 1989-03-13 | ポルフィリン誘導体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25323186A Granted JPS62174079A (ja) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | ポルフイリン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS62174079A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484206B1 (ko) * | 2003-01-16 | 2005-04-20 | 주식회사 테크노마트 | 포르피린 화합물 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0615545B2 (ja) * | 1984-10-01 | 1994-03-02 | 東洋薄荷工業株式会社 | 金属フェオホーバイド誘導体および金属ポルフィリン誘導体 |
| JPH0466873A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-03 | Canon Inc | 検体処理方法及び検体測定方法及び検体測定装置 |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP25323186A patent/JPS62174079A/ja active Granted
-
1989
- 1989-03-13 JP JP6032089A patent/JPH0725763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0276881A (ja) | 1990-03-16 |
| JPS6313997B2 (ja) | 1988-03-29 |
| JPS62174079A (ja) | 1987-07-30 |
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