JPH07254149A - 転写装置及び転写方法 - Google Patents
転写装置及び転写方法Info
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- JPH07254149A JPH07254149A JP4437994A JP4437994A JPH07254149A JP H07254149 A JPH07254149 A JP H07254149A JP 4437994 A JP4437994 A JP 4437994A JP 4437994 A JP4437994 A JP 4437994A JP H07254149 A JPH07254149 A JP H07254149A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低域から高域にかけて転写特性に優れた複写
技術を提供することを目的とする。 【構成】 第１の磁気記録媒体に記録されている情報信
号を第２の磁気記録媒体に転写する為の装置であって、
第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積層体を
案内する案内手段と、この案内手段に対向配設されてな
る転写ヘッドとを備えてなり、前記案内手段がマイスナ
ー効果を奏することが出来るよう超伝導体で構成されて
なる転写装置。
技術を提供することを目的とする。 【構成】 第１の磁気記録媒体に記録されている情報信
号を第２の磁気記録媒体に転写する為の装置であって、
第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積層体を
案内する案内手段と、この案内手段に対向配設されてな
る転写ヘッドとを備えてなり、前記案内手段がマイスナ
ー効果を奏することが出来るよう超伝導体で構成されて
なる転写装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばマザーテープの
情報信号をブランクテープに記録するに際して用いられ
る転写技術に関するものである。
情報信号をブランクテープに記録するに際して用いられ
る転写技術に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】従来より、第１の磁気記録媒体（マザー
テープ、マスターテープとも称される）の情報信号を第
２の磁気記録媒体（ブランクテープ、スレーブテープと
も称される）に高速記録する為の手段として、磁気転写
の装置が提案されて来ている。例えば、特開平３−２１
４４２７号公報に示される如く、マザーテープとブラン
クテープとの重ね合わせたものを転写ドラムに圧着させ
て走行させ、これに対してバイアス磁界を印加すること
により転写が行われるよう構成された装置において、前
記転写ドラムを高透磁率材料で構成する技術が提案され
ている。
テープ、マスターテープとも称される）の情報信号を第
２の磁気記録媒体（ブランクテープ、スレーブテープと
も称される）に高速記録する為の手段として、磁気転写
の装置が提案されて来ている。例えば、特開平３−２１
４４２７号公報に示される如く、マザーテープとブラン
クテープとの重ね合わせたものを転写ドラムに圧着させ
て走行させ、これに対してバイアス磁界を印加すること
により転写が行われるよう構成された装置において、前
記転写ドラムを高透磁率材料で構成する技術が提案され
ている。
【０００３】これにより弱いバイアス磁界が用いられて
も低周波での転写特性を向上させることが出来ると言わ
れている。しかしながら、これで充分なものとは言い難
く、さらなる技術が求められている。
も低周波での転写特性を向上させることが出来ると言わ
れている。しかしながら、これで充分なものとは言い難
く、さらなる技術が求められている。
【０００４】
【発明の開示】本発明は、低域から高域にかけて転写特
性に優れた複写技術を提供することを目的とする。この
本発明の目的は、第１の磁気記録媒体に記録されている
情報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の装置であ
って、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積
層体を案内する案内手段と、この案内手段に対向配設さ
れてなる転写ヘッドとを備えてなり、前記案内手段がマ
イスナー効果を奏することが出来るよう超伝導体で構成
されてなることを特徴とする転写装置によって達成され
る。
性に優れた複写技術を提供することを目的とする。この
本発明の目的は、第１の磁気記録媒体に記録されている
情報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の装置であ
って、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積
層体を案内する案内手段と、この案内手段に対向配設さ
れてなる転写ヘッドとを備えてなり、前記案内手段がマ
イスナー効果を奏することが出来るよう超伝導体で構成
されてなることを特徴とする転写装置によって達成され
る。
【０００５】又、第１の磁気記録媒体に記録されている
情報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の方法であ
って、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積
層体を、マイスナー効果を奏することが出来るよう超伝
導体で構成されてなる案内手段に対して第２の磁気記録
媒体が案内手段側に位置するようにして走行させる工程
と、前記第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との
積層体に対して第１の磁気記録媒体の側からバイアス磁
界を印加する工程とを具備することを特徴とする転写方
法によって達成される。
情報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の方法であ
って、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積
層体を、マイスナー効果を奏することが出来るよう超伝
導体で構成されてなる案内手段に対して第２の磁気記録
媒体が案内手段側に位置するようにして走行させる工程
と、前記第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との
積層体に対して第１の磁気記録媒体の側からバイアス磁
界を印加する工程とを具備することを特徴とする転写方
法によって達成される。
【０００６】すなわち、印加されるバイアス磁界をマイ
スナー効果により跳ね返すことにより、第２の磁気記録
媒体における磁束密度を上げることが出来、低域（低周
波）での転写出力を向上させることが可能となる。本発
明において、マイスナー効果を奏させる為、超伝導体で
構成されてなる案内手段は、通常、液体窒素などを用い
て低温に冷却される。この時、雰囲気下の水分が多い
と、これが結露し、悪影響をもたらすことから、水分は
少ない方が好ましい。この為、第１の磁気記録媒体と第
２の磁気記録媒体との積層体が案内手段に案内される部
分は、少なくとも真空室内あるいは乾燥室内（乾燥Ｈ2
雰囲気下、乾燥Ａｒ雰囲気下あるいは乾燥Ｈｅ雰囲気
下）にあるよう構成されていることが好ましい。例え
ば、転写が行われる要部、あるいは全体が真空室内ある
いは乾燥室内に設置されていることが好ましい。そし
て、転写は真空雰囲気（例えば、１０-8Ｔｏｒｒよりも
高真空の雰囲気）あるいは乾燥雰囲気（超伝導体の臨界
温度以下の露点で乾燥雰囲気）下で行われることが好ま
しいのである。尚、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記
録媒体との密着性を考慮すると、真空雰囲気下の方がよ
り好ましい。
スナー効果により跳ね返すことにより、第２の磁気記録
媒体における磁束密度を上げることが出来、低域（低周
波）での転写出力を向上させることが可能となる。本発
明において、マイスナー効果を奏させる為、超伝導体で
構成されてなる案内手段は、通常、液体窒素などを用い
て低温に冷却される。この時、雰囲気下の水分が多い
と、これが結露し、悪影響をもたらすことから、水分は
少ない方が好ましい。この為、第１の磁気記録媒体と第
２の磁気記録媒体との積層体が案内手段に案内される部
分は、少なくとも真空室内あるいは乾燥室内（乾燥Ｈ2
雰囲気下、乾燥Ａｒ雰囲気下あるいは乾燥Ｈｅ雰囲気
下）にあるよう構成されていることが好ましい。例え
ば、転写が行われる要部、あるいは全体が真空室内ある
いは乾燥室内に設置されていることが好ましい。そし
て、転写は真空雰囲気（例えば、１０-8Ｔｏｒｒよりも
高真空の雰囲気）あるいは乾燥雰囲気（超伝導体の臨界
温度以下の露点で乾燥雰囲気）下で行われることが好ま
しいのである。尚、第１の磁気記録媒体と第２の磁気記
録媒体との密着性を考慮すると、真空雰囲気下の方がよ
り好ましい。
【０００７】本発明で用いられる第１の磁気記録媒体と
第２の磁気記録媒体との積層体を案内する案内手段、例
えば転写ドラムは超伝導体で構成されなければならな
い。尚、転写ドラム全体を超伝導体で構成するのではな
く、その表面層のみが超伝導体で被覆されているのみで
も良い。超伝導体材料としては、例えばＡｌ，Ｃｄ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｌ，Ｖ，
Ｎｂ3 Ａｌ，Ｎｂ3 Ａｕ，Ｎｂ3 Ｓｎ，ＮｂＴｃ3 ，Ｎ
ｂＮ0.91，Ｈｆ0.5 Ｚｒ0.5 Ｖ2 ，ＩｎＬａ3 ，Ｍｏ
Ｎ，Ｎｂ0.75Ｚｒ0.25，Ｎｂ0.40Ｔｉ0.60，Ｔａ0.53Ｔ
ｉ0.47，Ｎｂ0.36Ｔｉ0.60Ｔａ0.04，Ｈｆ0.5 Ｎ
ｂ 0.5 ，Ｍｏ0.42Ｎｂ0.54，Ｒｈ0.15Ｚｒ0.85，Ｍｏ
0.3 Ｔｃ0.7 、その他ＥｒＲｈ4 Ｂ4 ，ＮｂＮ系、Ｚｒ
Ｎ系、Ｎｂ（Ｃ・Ｎ）系、ＭｏＣ系、ＴａＣ系、ＮｂＣ
系、ＮｂＢ系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃｏ−Ｃｕ−Ｏ系
などが挙げられる。そして、マイスナー効果を奏するこ
とが出来るものであれば良く、このような超伝導体材料
を予め設計された転写ドラムの表面にスパッタ手段など
の薄膜形成手段により被覆すれば、本発明で用いられる
転写ドラムが構成できる。
第２の磁気記録媒体との積層体を案内する案内手段、例
えば転写ドラムは超伝導体で構成されなければならな
い。尚、転写ドラム全体を超伝導体で構成するのではな
く、その表面層のみが超伝導体で被覆されているのみで
も良い。超伝導体材料としては、例えばＡｌ，Ｃｄ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｐｂ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｌ，Ｖ，
Ｎｂ3 Ａｌ，Ｎｂ3 Ａｕ，Ｎｂ3 Ｓｎ，ＮｂＴｃ3 ，Ｎ
ｂＮ0.91，Ｈｆ0.5 Ｚｒ0.5 Ｖ2 ，ＩｎＬａ3 ，Ｍｏ
Ｎ，Ｎｂ0.75Ｚｒ0.25，Ｎｂ0.40Ｔｉ0.60，Ｔａ0.53Ｔ
ｉ0.47，Ｎｂ0.36Ｔｉ0.60Ｔａ0.04，Ｈｆ0.5 Ｎ
ｂ 0.5 ，Ｍｏ0.42Ｎｂ0.54，Ｒｈ0.15Ｚｒ0.85，Ｍｏ
0.3 Ｔｃ0.7 、その他ＥｒＲｈ4 Ｂ4 ，ＮｂＮ系、Ｚｒ
Ｎ系、Ｎｂ（Ｃ・Ｎ）系、ＭｏＣ系、ＴａＣ系、ＮｂＣ
系、ＮｂＢ系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃｏ−Ｃｕ−Ｏ系
などが挙げられる。そして、マイスナー効果を奏するこ
とが出来るものであれば良く、このような超伝導体材料
を予め設計された転写ドラムの表面にスパッタ手段など
の薄膜形成手段により被覆すれば、本発明で用いられる
転写ドラムが構成できる。
【０００８】本発明で用いられる第２の磁気記録媒体は
支持体上に複数層の磁性層が設けられ、該磁性層のうち
面内方向に磁化容易軸が存在する磁性層（塗布型のもの
でも、金属薄膜型いずれのものでも良い）が支持体に近
い下層側に設けられてなることが好ましい。すなわち、
本発明で用いられる第１の磁気記録媒体（マザーテー
プ）は、通常のものを用いても差し支えない。しかしな
がら、第２の磁気記録媒体（ブランクテープ）は、例え
ば磁性層が二層型のものを用いることが好ましい。特
に、支持体に近い下層側の磁性層は面内方向（長手方
向）に磁化容易軸を有しており、支持体から遠い上層側
の磁性層は、支持体に対して垂直あるいは斜め方向に磁
化容易軸を有したタイプのものであることが好ましい。
このような例として、下層側が塗布型の磁性層で、上層
側が金属薄膜型の二層型の磁気記録媒体が挙げられる。
そして、このようなタイプのものを用いることによっ
て、ブランクテープにおける低域での転写出力の向上を
図ることが出来る。これは、印加されるバイアス磁界を
マイスナー効果で跳ね返すことにより、第２の磁気記録
媒体における下層磁性層における磁束密度が上がり、低
域（低周波）での転写出力が高くなるのである。
支持体上に複数層の磁性層が設けられ、該磁性層のうち
面内方向に磁化容易軸が存在する磁性層（塗布型のもの
でも、金属薄膜型いずれのものでも良い）が支持体に近
い下層側に設けられてなることが好ましい。すなわち、
本発明で用いられる第１の磁気記録媒体（マザーテー
プ）は、通常のものを用いても差し支えない。しかしな
がら、第２の磁気記録媒体（ブランクテープ）は、例え
ば磁性層が二層型のものを用いることが好ましい。特
に、支持体に近い下層側の磁性層は面内方向（長手方
向）に磁化容易軸を有しており、支持体から遠い上層側
の磁性層は、支持体に対して垂直あるいは斜め方向に磁
化容易軸を有したタイプのものであることが好ましい。
このような例として、下層側が塗布型の磁性層で、上層
側が金属薄膜型の二層型の磁気記録媒体が挙げられる。
そして、このようなタイプのものを用いることによっ
て、ブランクテープにおける低域での転写出力の向上を
図ることが出来る。これは、印加されるバイアス磁界を
マイスナー効果で跳ね返すことにより、第２の磁気記録
媒体における下層磁性層における磁束密度が上がり、低
域（低周波）での転写出力が高くなるのである。
【０００９】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１０】
〔実施例１〕図１は、本発明に係る転写装置の一実施例
を示す概略図である。同図中、１は所定の情報信号が記
録されている８ｍｍＶＴＲ用のマザーテープ、１ａはマ
ザーテープ１の供給側リール、１ｂはマザーテープ１の
巻取側リールである。尚、このマザーテープ１は、ＰＥ
Ｔフィルム上に磁性金属Ｃｏが斜め蒸着手段により３２
００Å厚さ設けられたものであり、磁気特性はＨｃが１
６８０Ｏｅ、Ｂｓが６２００Ｇのものである。そして、
情報信号は、通常のトラックパターンとは逆のパターン
で記録されている。
を示す概略図である。同図中、１は所定の情報信号が記
録されている８ｍｍＶＴＲ用のマザーテープ、１ａはマ
ザーテープ１の供給側リール、１ｂはマザーテープ１の
巻取側リールである。尚、このマザーテープ１は、ＰＥ
Ｔフィルム上に磁性金属Ｃｏが斜め蒸着手段により３２
００Å厚さ設けられたものであり、磁気特性はＨｃが１
６８０Ｏｅ、Ｂｓが６２００Ｇのものである。そして、
情報信号は、通常のトラックパターンとは逆のパターン
で記録されている。
【００１１】２はブランクテープ、２ａはブランクテー
プ２の供給側リール、２ｂはブランクテープ２の巻取側
リールである。尚、このブランクテープ２は市販の８ｍ
ｍＶＴＲ用のものであり、ＰＥＴフィルム上に磁性金属
が斜め蒸着手段により設けられたものであって、磁気特
性はＨｃが１０４０Ｏｅ、Ｂｓが４３００Ｇである。３
は、マイスナー効果を奏することが出来る超伝導体で構
成されてなる転写ドラムである。尚、この転写ドラム３
は、通常の転写ドラムの表面にＹＢａ2 Ｃｕ 3 Ｏ
7-x （０＜ｘ＜１）が５μｍの厚さ設けられたものであ
る。この転写ドラム上のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x は、４×
１０-4Ｔｏｒｒ真空下で６００℃に加熱された転写ドラ
ムにＡｒとＯ2 との混合（１：１）ガスを流しながらＲ
Ｆマグネトロンスパッタ手段により成膜されたものであ
る。そして、このものの臨界温度は８２Ｋであった。
プ２の供給側リール、２ｂはブランクテープ２の巻取側
リールである。尚、このブランクテープ２は市販の８ｍ
ｍＶＴＲ用のものであり、ＰＥＴフィルム上に磁性金属
が斜め蒸着手段により設けられたものであって、磁気特
性はＨｃが１０４０Ｏｅ、Ｂｓが４３００Ｇである。３
は、マイスナー効果を奏することが出来る超伝導体で構
成されてなる転写ドラムである。尚、この転写ドラム３
は、通常の転写ドラムの表面にＹＢａ2 Ｃｕ 3 Ｏ
7-x （０＜ｘ＜１）が５μｍの厚さ設けられたものであ
る。この転写ドラム上のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x は、４×
１０-4Ｔｏｒｒ真空下で６００℃に加熱された転写ドラ
ムにＡｒとＯ2 との混合（１：１）ガスを流しながらＲ
Ｆマグネトロンスパッタ手段により成膜されたものであ
る。そして、このものの臨界温度は８２Ｋであった。
【００１２】４は、転写ドラム３に対向配設されてなる
リング型の磁気ヘッドである。尚、５はガイドローラ、
６は転写ドラム３や磁気ヘッド４の系を包含する容器で
ある。このような転写装置において、マザーテープ１の
磁性層とブランクテープ２の磁性層とが接触するよう重
ね合わせ、そしてブランクテープ２の支持体側が転写ド
ラム３に当接するように配置し、又、容器６内を乾燥水
素（純度９９．９９８％）で充満し、そして転写ドラム
３を液体窒素で臨界温度より低い温度に冷却し、走行す
るマザーテープ１とブランクテープ２とに対してマザー
テープ１の側からリング型の磁気ヘッド４により垂直方
向にバイアス磁界を印加し、マザーテープ１の情報信号
をブランクテープ２に転写した。
リング型の磁気ヘッドである。尚、５はガイドローラ、
６は転写ドラム３や磁気ヘッド４の系を包含する容器で
ある。このような転写装置において、マザーテープ１の
磁性層とブランクテープ２の磁性層とが接触するよう重
ね合わせ、そしてブランクテープ２の支持体側が転写ド
ラム３に当接するように配置し、又、容器６内を乾燥水
素（純度９９．９９８％）で充満し、そして転写ドラム
３を液体窒素で臨界温度より低い温度に冷却し、走行す
るマザーテープ１とブランクテープ２とに対してマザー
テープ１の側からリング型の磁気ヘッド４により垂直方
向にバイアス磁界を印加し、マザーテープ１の情報信号
をブランクテープ２に転写した。
【００１３】〔実施例２〕実施例１において、容器６内
を真空度３×１０-8Ｔｏｒｒにした以外は同様に行い、
マザーテープ１の情報信号をブランクテープ２に転写し
た。 〔実施例３〕実施例１において、市販のブランクテープ
の代わりに下記のブランクテープ２を用いた以外は同様
に行い、マザーテープ１の情報信号をブランクテープ２
に転写した。
を真空度３×１０-8Ｔｏｒｒにした以外は同様に行い、
マザーテープ１の情報信号をブランクテープ２に転写し
た。 〔実施例３〕実施例１において、市販のブランクテープ
の代わりに下記のブランクテープ２を用いた以外は同様
に行い、マザーテープ１の情報信号をブランクテープ２
に転写した。
【００１４】ブランクテープ２は、粒径０．１８μｍ
（針状比８）の針状金属磁性粉を含む磁性塗料をＰＥＴ
フィルム上に１μｍ厚さ塗布し、長手方向に配向処理
し、この長手方向に配向した塗布磁性層の上にＣｏ−Ｎ
ｉ合金の粒子を斜め蒸着手段により１０００Å厚さ堆積
させたものである。その磁気特性は、Ｈｃ＝１４５０Ｏ
ｅ、Ｂｓ＝３５００Ｇである。
（針状比８）の針状金属磁性粉を含む磁性塗料をＰＥＴ
フィルム上に１μｍ厚さ塗布し、長手方向に配向処理
し、この長手方向に配向した塗布磁性層の上にＣｏ−Ｎ
ｉ合金の粒子を斜め蒸着手段により１０００Å厚さ堆積
させたものである。その磁気特性は、Ｈｃ＝１４５０Ｏ
ｅ、Ｂｓ＝３５００Ｇである。
【００１５】〔実施例４〕実施例１において、市販のブ
ランクテープの代わりに下記のブランクテープ２を用い
た以外は同様に行い、マザーテープ１の情報信号をブラ
ンクテープ２に転写した。ブランクテープ２は、ＰＥＴ
フィルム上にアンダーコート層としてＣｒをスパッタ手
段により１０００Å厚さ成膜し、その後Ｃｏ−Ｃｒ（９
０−１０）をスパッタ手段により１０００Å厚さ成膜
し、長手方向に配向した磁性層を形成した後、この長手
方向に配向した磁性層の上にＣｏ−Ｎｉ（８０−２０）
を斜め蒸着手段により１０００Å厚さ堆積させたもので
ある。その磁気特性は、Ｈｃ＝１２６０Ｏｅ、Ｂｓ＝５
８００Ｇである。
ランクテープの代わりに下記のブランクテープ２を用い
た以外は同様に行い、マザーテープ１の情報信号をブラ
ンクテープ２に転写した。ブランクテープ２は、ＰＥＴ
フィルム上にアンダーコート層としてＣｒをスパッタ手
段により１０００Å厚さ成膜し、その後Ｃｏ−Ｃｒ（９
０−１０）をスパッタ手段により１０００Å厚さ成膜
し、長手方向に配向した磁性層を形成した後、この長手
方向に配向した磁性層の上にＣｏ−Ｎｉ（８０−２０）
を斜め蒸着手段により１０００Å厚さ堆積させたもので
ある。その磁気特性は、Ｈｃ＝１２６０Ｏｅ、Ｂｓ＝５
８００Ｇである。
【００１６】〔比較例１〕実施例１において、転写ドラ
ム３をＡｌ製の通常の転写ドラムとし、冷却せずに行っ
た。 〔比較例２〕実施例１において、転写ドラム３をＦｅ−
Ｎｉ合金（高透磁率材料）製の転写ドラムとし、冷却せ
ずに行った。
ム３をＡｌ製の通常の転写ドラムとし、冷却せずに行っ
た。 〔比較例２〕実施例１において、転写ドラム３をＦｅ−
Ｎｉ合金（高透磁率材料）製の転写ドラムとし、冷却せ
ずに行った。
【００１７】〔特性〕上記各例でのマザーテープからブ
ランクテープへの転写を繰り返して行い、そのブランク
テープの再生出力を市販のハイバンド８ｍｍＶＴＲ改造
機を用いて測定したので、その結果を下記の表−１に示
す。 表−１ ブ ラ ン ク テ ー プ の 再 生 出 力（ｄＢ） １０ｋＨｚ １００ｋＨｚ ５００ｋＨｚ １ＭＨｚ ７ＭＨｚ 実施例１ −４．２ −２．５ −２．３ −１．２ −１．０ 実施例２ −４．２ −２．５ −２．１ −１．０ −０．７ 実施例３ −２．９ −１．５ −１．４ −１．１ −０．９ 実施例４ −２．５ −１．３ −１．４ −１．１ −０．８ 比較例１ −６．３ −４．４ −３．８ −３．０ −２．１ 比較例２ −５．１ −３．８ −２．９ −１．４ −１．２ ＊評価は、head to headで記録し、再生した出力を０ｄ
Ｂとした。 これから判る通り、本発明によれば、再生出力の高いブ
ランクテープへの複写が可能となり、そして高速での複
写が可能であるから、ソフトの大量生産を低廉なコスト
で行えるようになる。
ランクテープへの転写を繰り返して行い、そのブランク
テープの再生出力を市販のハイバンド８ｍｍＶＴＲ改造
機を用いて測定したので、その結果を下記の表−１に示
す。 表−１ ブ ラ ン ク テ ー プ の 再 生 出 力（ｄＢ） １０ｋＨｚ １００ｋＨｚ ５００ｋＨｚ １ＭＨｚ ７ＭＨｚ 実施例１ −４．２ −２．５ −２．３ −１．２ −１．０ 実施例２ −４．２ −２．５ −２．１ −１．０ −０．７ 実施例３ −２．９ −１．５ −１．４ −１．１ −０．９ 実施例４ −２．５ −１．３ −１．４ −１．１ −０．８ 比較例１ −６．３ −４．４ −３．８ −３．０ −２．１ 比較例２ −５．１ −３．８ −２．９ −１．４ −１．２ ＊評価は、head to headで記録し、再生した出力を０ｄ
Ｂとした。 これから判る通り、本発明によれば、再生出力の高いブ
ランクテープへの複写が可能となり、そして高速での複
写が可能であるから、ソフトの大量生産を低廉なコスト
で行えるようになる。
【００１８】
【効果】本発明によれば、ソフトの大量生産を低廉なコ
ストで行える。
ストで行える。
【図１】転写装置の概略図
１ マザーテープ ２ ブランクテープ ３ 表面にＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x が設けられた転写ド
ラム ４ リング型磁気ヘッド ６ 容器
ラム ４ リング型磁気ヘッド ６ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の磁気記録媒体に記録されている情
報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の装置であっ
て、 第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積層体を
案内する案内手段と、この案内手段に対向配設されてな
る転写ヘッドとを備えてなり、 前記案内手段がマイスナー効果を奏することが出来るよ
う超伝導体で構成されてなることを特徴とする転写装
置。 - 【請求項２】 第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒
体との積層体が案内手段に案内される部分は、少なくと
も真空室内あるいは乾燥室内にあるよう構成されている
ことを特徴とする請求項１の転写装置。 - 【請求項３】 第１の磁気記録媒体に記録されている情
報信号を第２の磁気記録媒体に転写する為の方法であっ
て、 第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積層体
を、マイスナー効果を奏することが出来るよう超伝導体
で構成されてなる案内手段に対して第２の磁気記録媒体
が案内手段側に位置するようにして走行させる工程と、 前記第１の磁気記録媒体と第２の磁気記録媒体との積層
体に対して第１の磁気記録媒体の側からバイアス磁界を
印加する工程とを具備することを特徴とする転写方法。 - 【請求項４】 転写が真空雰囲気あるいは乾燥雰囲気下
で行われることを特徴とする請求項３の転写方法。 - 【請求項５】 第２の磁気記録媒体は支持体上に複数層
の磁性層が設けられ、該磁性層のうち面内方向に磁化容
易軸が存在する磁性層が支持体に近い下層側に設けられ
てなることを特徴とする請求項３の転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4437994A JPH07254149A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 転写装置及び転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4437994A JPH07254149A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 転写装置及び転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254149A true JPH07254149A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12689878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4437994A Pending JPH07254149A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 転写装置及び転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254149A (ja) |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP4437994A patent/JPH07254149A/ja active Pending
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