JPH07252440A - 所定の導電性パターンが施された製品及びその製造方法 - Google Patents
所定の導電性パターンが施された製品及びその製造方法Info
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- JPH07252440A JPH07252440A JP4438694A JP4438694A JPH07252440A JP H07252440 A JPH07252440 A JP H07252440A JP 4438694 A JP4438694 A JP 4438694A JP 4438694 A JP4438694 A JP 4438694A JP H07252440 A JPH07252440 A JP H07252440A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸着力が強く、所望の導電性パターンが簡単
に得られる技術を提供することを目的とする。 【構成】 基体に対してカチオン性基（又はアニオン性
基）を有する剤Ａが結合されてなり、アニオン性基（又
はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤Ｂが
前記剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）によって
選択的に固定されてなる所定の導電性パターンが施され
た製品。
に得られる技術を提供することを目的とする。 【構成】 基体に対してカチオン性基（又はアニオン性
基）を有する剤Ａが結合されてなり、アニオン性基（又
はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤Ｂが
前記剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）によって
選択的に固定されてなる所定の導電性パターンが施され
た製品。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の導電性パターン
が施された製品及びその製造方法に関するものである。
が施された製品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】電子材料、その他の製品において、表面
に任意な導電性パターンを形成することが極めて大事な
ことがある。ところで、特定の導電性パターンを形成す
る為には、特定のパターンを形成し、このパターンに沿
って導電性ポリマーを重合させる手法が知られている。
又、導電性ポリマーを構成するモノマーと光増感剤とを
用い、光重合により、直接、特定パターンに導電性ポリ
マーを構成する手法が知られている。
に任意な導電性パターンを形成することが極めて大事な
ことがある。ところで、特定の導電性パターンを形成す
る為には、特定のパターンを形成し、このパターンに沿
って導電性ポリマーを重合させる手法が知られている。
又、導電性ポリマーを構成するモノマーと光増感剤とを
用い、光重合により、直接、特定パターンに導電性ポリ
マーを構成する手法が知られている。
【０００３】これらのうち、前者の手法は、パターン形
成時にフォトエッチングが用いられており、工程が複雑
で、面倒である。これに対して、後者の手法は、重合系
が複雑であり、又、導電性ポリマーの密着性が良くない
と言った問題がある。
成時にフォトエッチングが用いられており、工程が複雑
で、面倒である。これに対して、後者の手法は、重合系
が複雑であり、又、導電性ポリマーの密着性が良くない
と言った問題がある。
【０００４】
【発明の開示】前記の問題点に対する検討が鋭意押し進
められて行った結果、導電性ポリマーの結合力が異なる
所定のパターンを予め基体に構成しておけば、この結合
力の相違を利用して所定のパターンで導電性ポリマーを
設けることが出来るとの啓示を得るに至った。
められて行った結果、導電性ポリマーの結合力が異なる
所定のパターンを予め基体に構成しておけば、この結合
力の相違を利用して所定のパターンで導電性ポリマーを
設けることが出来るとの啓示を得るに至った。
【０００５】そこで、この啓示を基にして更なる研究を
押し進めて行った結果、カチオン性基（又はアニオン性
基）と（メタ）アクリレート等の基とを有するモノマー
溶液を塗布し、マスクを介して光を照射すれば、照射さ
れた部位が硬化し、カチオン性基（又はアニオン性基）
が固定されることになるので、この後カチオン性基（又
はアニオン性基）を有する導電性ポリマーを設ければ、
前記の硬化パターンに沿って導電性ポリマーが固定さ
れ、所望の導電性パターンが施された製品が得られるこ
とを見出すに至った。
押し進めて行った結果、カチオン性基（又はアニオン性
基）と（メタ）アクリレート等の基とを有するモノマー
溶液を塗布し、マスクを介して光を照射すれば、照射さ
れた部位が硬化し、カチオン性基（又はアニオン性基）
が固定されることになるので、この後カチオン性基（又
はアニオン性基）を有する導電性ポリマーを設ければ、
前記の硬化パターンに沿って導電性ポリマーが固定さ
れ、所望の導電性パターンが施された製品が得られるこ
とを見出すに至った。
【０００６】例えば、カチオニックなポリピロールと言
った導電性ポリマーを吸着させようとした場合、表面に
マイナス、ニュートラル、プラスの電荷が有ると、この
導電性ポリマーはマイナス、ニュートラル、プラスの順
で吸着する。従って、アニオンを所定のパターンで設け
ておけば、このパターンでカチオニックなポリピロール
が吸着・固定されるようになる。逆に、カチオンを所定
のパターンで設けておけば、このパターンにはカチオニ
ックなポリピロールが吸着・固定されないようになる。
あるいは、前記カチオンパターンから外れた位置にカチ
オニックなポリピロールが吸着・固定されるようにな
る。
った導電性ポリマーを吸着させようとした場合、表面に
マイナス、ニュートラル、プラスの電荷が有ると、この
導電性ポリマーはマイナス、ニュートラル、プラスの順
で吸着する。従って、アニオンを所定のパターンで設け
ておけば、このパターンでカチオニックなポリピロール
が吸着・固定されるようになる。逆に、カチオンを所定
のパターンで設けておけば、このパターンにはカチオニ
ックなポリピロールが吸着・固定されないようになる。
あるいは、前記カチオンパターンから外れた位置にカチ
オニックなポリピロールが吸着・固定されるようにな
る。
【０００７】本発明は上記の知見を基にして達成された
ものであり、吸着力が強く、所望の導電性パターンが簡
単に得られる技術を提供することを目的とする。この本
発明の目的は、基体に対してカチオン性基（又はアニオ
ン性基）を有する剤Ａが結合されてなり、アニオン性基
（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤
Ｂが前記剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）によ
って選択的に固定されてなることを特徴とする所定の導
電性パターンが施された製品によって達成される。
ものであり、吸着力が強く、所望の導電性パターンが簡
単に得られる技術を提供することを目的とする。この本
発明の目的は、基体に対してカチオン性基（又はアニオ
ン性基）を有する剤Ａが結合されてなり、アニオン性基
（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤
Ｂが前記剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）によ
って選択的に固定されてなることを特徴とする所定の導
電性パターンが施された製品によって達成される。
【０００８】又、カチオン性基（又はアニオン性基）と
活性エネルギーによる反応性の基とを分子中に有する剤
Ａ’を基体の表面に塗布する第１の工程と、剤Ａ’が塗
布された基体の表面に所定パターンで活性エネルギーを
照射し、固定する第２の工程と、所定パターンで剤Ａが
表面に固定された基体に対して選択的に固定されるアニ
オン性基（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に
有する剤Ｂ’を塗布する第３の工程とを具備することを
特徴とする所定の導電性パターンが施された製品の製造
方法によって達成される。
活性エネルギーによる反応性の基とを分子中に有する剤
Ａ’を基体の表面に塗布する第１の工程と、剤Ａ’が塗
布された基体の表面に所定パターンで活性エネルギーを
照射し、固定する第２の工程と、所定パターンで剤Ａが
表面に固定された基体に対して選択的に固定されるアニ
オン性基（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に
有する剤Ｂ’を塗布する第３の工程とを具備することを
特徴とする所定の導電性パターンが施された製品の製造
方法によって達成される。
【０００９】又、カチオン性基（又はアニオン性基）と
活性エネルギーによる反応性の基とを分子中に有する剤
Ａ’を基体の表面に塗布する第１の工程と、剤Ａ’が塗
布された基体の表面に所定パターンで活性エネルギーを
照射し、固定する第２の工程と、所定パターンで剤Ａが
表面に固定された基体に対して選択的に固定されるアニ
オン性基（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に
有する剤Ｂ’を塗布する第３の工程と、重合処理が行わ
れる第４の工程とを具備することを特徴とする所定の導
電性パターンが施された製品の製造方法によって達成さ
れる。
活性エネルギーによる反応性の基とを分子中に有する剤
Ａ’を基体の表面に塗布する第１の工程と、剤Ａ’が塗
布された基体の表面に所定パターンで活性エネルギーを
照射し、固定する第２の工程と、所定パターンで剤Ａが
表面に固定された基体に対して選択的に固定されるアニ
オン性基（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に
有する剤Ｂ’を塗布する第３の工程と、重合処理が行わ
れる第４の工程とを具備することを特徴とする所定の導
電性パターンが施された製品の製造方法によって達成さ
れる。
【００１０】尚、上記の発明において、アニオン性基
（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤
Ｂは複数層設けられても良い。例えば、基体表面にアニ
オン性基を持つ導電性ポリマー（例えば、ポリ（チオフ
ェン−３−アセテックアシッド）等の導電性ポリアニオ
ン）を積層する場合には、例えばポリ（２−Ｎ−メチル
ピリジウムアセチレン）やポリアリルアミン等のポリカ
チオン、特に導電性ポリカチオンと交互に積層すること
によって実施できる。逆に、基体表面にカチオン性基を
持つ導電性ポリマー（例えば、ポリ（２−Ｎ−メチルピ
リジウムアセチレン）等の導電性ポリカチオン）を積層
する場合には、例えばポリ（チオフェン−３−アセテッ
クアシッド）やポリスチレンスルホン酸等のポリアニオ
ン、特に導電性ポリアニオンと交互に積層することによ
って実施できる。
（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤
Ｂは複数層設けられても良い。例えば、基体表面にアニ
オン性基を持つ導電性ポリマー（例えば、ポリ（チオフ
ェン−３−アセテックアシッド）等の導電性ポリアニオ
ン）を積層する場合には、例えばポリ（２−Ｎ−メチル
ピリジウムアセチレン）やポリアリルアミン等のポリカ
チオン、特に導電性ポリカチオンと交互に積層すること
によって実施できる。逆に、基体表面にカチオン性基を
持つ導電性ポリマー（例えば、ポリ（２−Ｎ−メチルピ
リジウムアセチレン）等の導電性ポリカチオン）を積層
する場合には、例えばポリ（チオフェン−３−アセテッ
クアシッド）やポリスチレンスルホン酸等のポリアニオ
ン、特に導電性ポリアニオンと交互に積層することによ
って実施できる。
【００１１】本発明で使用される剤、すなわちカチオン
性基を持つ剤Ａ，Ａ’Ｂ，Ｂ’としては、正電荷を持
つ、あるいは正に分極した基を持つもの、特にアミン系
の基（Ｎ−Ｈ結合のＨが他の原子あるいは原子団（例え
ば、アルキル基など）に置換されたもの。中でも４級ア
ンモニウム基）を持つものを挙げることが出来、又、ア
ニオン性基を持つ剤Ａ，Ａ’Ｂ，Ｂ’としては、負電荷
を持つ、あるいは負に分極した基を持つもの、特にスル
ホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、あるいはこれら
の基であって塩（エステルも含む）を形成したもの（中
でもスルホン酸基）を持つものを挙げることが出来る。
性基を持つ剤Ａ，Ａ’Ｂ，Ｂ’としては、正電荷を持
つ、あるいは正に分極した基を持つもの、特にアミン系
の基（Ｎ−Ｈ結合のＨが他の原子あるいは原子団（例え
ば、アルキル基など）に置換されたもの。中でも４級ア
ンモニウム基）を持つものを挙げることが出来、又、ア
ニオン性基を持つ剤Ａ，Ａ’Ｂ，Ｂ’としては、負電荷
を持つ、あるいは負に分極した基を持つもの、特にスル
ホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、あるいはこれら
の基であって塩（エステルも含む）を形成したもの（中
でもスルホン酸基）を持つものを挙げることが出来る。
【００１２】又、剤Ｂ，Ｂ’における導電性の基は電子
伝導性、イオン伝導性の如何を問わないが、電子伝導性
のものであることが望ましく、特にπ共役系を構造中に
少なくとも有するものが望ましい。π共役鎖を主鎖とす
るπ共役系骨格を有するものとしては、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、
ポリピレン、ポリアズレン、ポリフラン、ポリセレノフ
ェン、ポリピペラジンと言った複素環、縮合環化合物、
あるいはこれらの誘導体が挙げられる。尚、これらの中
でも好ましいのはポリピロール系のものである。
伝導性、イオン伝導性の如何を問わないが、電子伝導性
のものであることが望ましく、特にπ共役系を構造中に
少なくとも有するものが望ましい。π共役鎖を主鎖とす
るπ共役系骨格を有するものとしては、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、
ポリピレン、ポリアズレン、ポリフラン、ポリセレノフ
ェン、ポリピペラジンと言った複素環、縮合環化合物、
あるいはこれらの誘導体が挙げられる。尚、これらの中
でも好ましいのはポリピロール系のものである。
【００１３】従って、剤Ｂは、π共役鎖を有し、このπ
共役鎖を主鎖とするポリイオンであることが好ましい。
このようなものとして、下記の構造を有するポリマーを
具体例として挙げることが出来る。
共役鎖を主鎖とするポリイオンであることが好ましい。
このようなものとして、下記の構造を有するポリマーを
具体例として挙げることが出来る。
【００１４】
【化１】
【００１５】ところで、所定の導電性パターンを形成す
るに先立ってアニオン（カチオン）パターンが形成され
る。このパターンの形成方法としては如何なる手段が採
用されても良いが、簡便性を考慮すると、光グラフト処
理が望ましい。すなわち、アニオン性基（カチオン性
基）と（メタ）アクリロイル基、アクリルアミド基、ビ
ニル基と言った光反応性の基とを有するモノマー溶液を
コートし、紫外線、電子線、放射線、Ｘ線、プラズマ等
の活性エネルギー（特に、紫外線）を照射し、この後洗
浄すれば、基体にグラフト結合しなかったモノマーやオ
リゴマーなどは除去され、グラフト結合したアニオン
（カチオン）パターンが形成される。
るに先立ってアニオン（カチオン）パターンが形成され
る。このパターンの形成方法としては如何なる手段が採
用されても良いが、簡便性を考慮すると、光グラフト処
理が望ましい。すなわち、アニオン性基（カチオン性
基）と（メタ）アクリロイル基、アクリルアミド基、ビ
ニル基と言った光反応性の基とを有するモノマー溶液を
コートし、紫外線、電子線、放射線、Ｘ線、プラズマ等
の活性エネルギー（特に、紫外線）を照射し、この後洗
浄すれば、基体にグラフト結合しなかったモノマーやオ
リゴマーなどは除去され、グラフト結合したアニオン
（カチオン）パターンが形成される。
【００１６】尚、反応効率を高める為に、紫外線照射は
窒素気流中で行ったり、溶液中に光重合開始剤を添加し
ておくことが好ましい。例えば、４−フェノキシジクロ
ロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセトフェ
ノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２
−メチル−フェニルプロパン−１−オン等のアセトフェ
ノン系の光重合開始剤、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタ
ール等のベンゾイン系の光重合開始剤、チオキサンソ
ン、２−クロルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオ
キサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン等のチオ
キサンソン系の光重合開始剤などが挙げられる。勿論、
一種でも二種以上の重合開始剤が用いられても良い。添
加量としては０．１〜２０ｗｔ％（望ましくは１〜５ｗ
ｔ％）程度である。
窒素気流中で行ったり、溶液中に光重合開始剤を添加し
ておくことが好ましい。例えば、４−フェノキシジクロ
ロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセトフェ
ノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２
−メチル−フェニルプロパン−１−オン等のアセトフェ
ノン系の光重合開始剤、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタ
ール等のベンゾイン系の光重合開始剤、チオキサンソ
ン、２−クロルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオ
キサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン等のチオ
キサンソン系の光重合開始剤などが挙げられる。勿論、
一種でも二種以上の重合開始剤が用いられても良い。添
加量としては０．１〜２０ｗｔ％（望ましくは１〜５ｗ
ｔ％）程度である。
【００１７】又、このようなモノマー溶液を塗布するに
先立って、紫外線、電子線、放射線、Ｘ線、プラズマ等
の活性エネルギーを照射しておくと、アニオン（カチオ
ン）パターンの形成が一層良くなる。上記アニオン性基
と反応基とをもつ剤としては、例えば２−アクリルアミ
ド−２−メチルプロパンスルホン酸、ｐ−スチレンスル
ホン酸塩が挙げられる。又、カチオン性基と反応基とを
もつ剤としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピ
ルアクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、あるいはこれらの４級化物が挙げられる。
先立って、紫外線、電子線、放射線、Ｘ線、プラズマ等
の活性エネルギーを照射しておくと、アニオン（カチオ
ン）パターンの形成が一層良くなる。上記アニオン性基
と反応基とをもつ剤としては、例えば２−アクリルアミ
ド−２−メチルプロパンスルホン酸、ｐ−スチレンスル
ホン酸塩が挙げられる。又、カチオン性基と反応基とを
もつ剤としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピ
ルアクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、あるいはこれらの４級化物が挙げられる。
【００１８】剤Ａによる所定パターンが形成された後、
剤Ｂを構成する溶液がコーティングされる。この場合、
酸化剤も添加されることが好ましい。例えば、第二鉄
塩、ペルオクソ二硫酸アンモニウム、塩化第二銅などの
酸化剤が挙げられる。又、第二鉄塩を用い、これにパラ
トルエンスルホン酸やアントラキノンスルホン酸などを
添加するようにしても良い。コーティング方法は、カチ
オン性基（又はアニオン性基）が導入された基体を、ピ
ロール系モノマーや酸化剤が溶解された溶液中に浸漬す
る手法、あるいは酸化剤が溶解された溶液中に浸漬した
後、ピロール系モノマーが溶解された溶液中に浸漬する
手法、あるいはピロール系モノマーが溶解された溶液中
に浸漬した後、酸化剤が溶解された溶液中に浸漬する手
法、あるいはこれらの溶液の蒸気にさらして表面に付け
る手法など各種の方法を採用できる。そして、カチオン
性基（又はアニオン性基）が導入された基体にピロール
系モノマーを付けた後、重合処理すれば、導電性基が表
面に設けられた製品が得られる。
剤Ｂを構成する溶液がコーティングされる。この場合、
酸化剤も添加されることが好ましい。例えば、第二鉄
塩、ペルオクソ二硫酸アンモニウム、塩化第二銅などの
酸化剤が挙げられる。又、第二鉄塩を用い、これにパラ
トルエンスルホン酸やアントラキノンスルホン酸などを
添加するようにしても良い。コーティング方法は、カチ
オン性基（又はアニオン性基）が導入された基体を、ピ
ロール系モノマーや酸化剤が溶解された溶液中に浸漬す
る手法、あるいは酸化剤が溶解された溶液中に浸漬した
後、ピロール系モノマーが溶解された溶液中に浸漬する
手法、あるいはピロール系モノマーが溶解された溶液中
に浸漬した後、酸化剤が溶解された溶液中に浸漬する手
法、あるいはこれらの溶液の蒸気にさらして表面に付け
る手法など各種の方法を採用できる。そして、カチオン
性基（又はアニオン性基）が導入された基体にピロール
系モノマーを付けた後、重合処理すれば、導電性基が表
面に設けられた製品が得られる。
【００１９】以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
【００２０】
〔実施例１〕ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）基
板１の表面をＵＶ−Ｏ3 洗浄した後、２−アクリルアミ
ド−２−メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）の５ｗ
ｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティング
し、ＡＭＰＳ層２を設けた。
板１の表面をＵＶ−Ｏ3 洗浄した後、２−アクリルアミ
ド−２−メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）の５ｗ
ｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティング
し、ＡＭＰＳ層２を設けた。
【００２１】この後、図１（ａ）に示す如く、所定のパ
ターンを有するマスク３を介して紫外線（高圧水銀タイ
プ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００ｍＪ／ｃｍ2 ）照射し
た。そして、水洗、エタノール洗浄を繰り返し、図１
（ｂ）に示す如く、ＡＭＰＳを所定のパターンでＰＭＭ
Ａ基板１に固定した。次に、０．０２Ｍのピロール、
０．０３ＭのＦｅＣｌ3 、０．０１Ｍのパラトルエンス
ルホン酸溶液に５分間浸漬し、そして水洗とエタノール
洗浄を繰り返し、ＰＭＭＡ基板１に固定されたＡＭＰＳ
を介してピロールを付け、この後加熱処理してＡＭＰＳ
のパターンで規定されるポリピロール４の導電性パター
ンを構成した（図１（ｃ）参照）。
ターンを有するマスク３を介して紫外線（高圧水銀タイ
プ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００ｍＪ／ｃｍ2 ）照射し
た。そして、水洗、エタノール洗浄を繰り返し、図１
（ｂ）に示す如く、ＡＭＰＳを所定のパターンでＰＭＭ
Ａ基板１に固定した。次に、０．０２Ｍのピロール、
０．０３ＭのＦｅＣｌ3 、０．０１Ｍのパラトルエンス
ルホン酸溶液に５分間浸漬し、そして水洗とエタノール
洗浄を繰り返し、ＰＭＭＡ基板１に固定されたＡＭＰＳ
を介してピロールを付け、この後加熱処理してＡＭＰＳ
のパターンで規定されるポリピロール４の導電性パター
ンを構成した（図１（ｃ）参照）。
【００２２】〔実施例２〕ＰＭＭＡ基板５の表面をＵＶ
−Ｏ3 洗浄した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアク
リレート（ＤＥＭＡＥＡ）のヨウ化メチル４級化物の５
ｗｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティン
グし、ＤＥＭＡＥＡ層６を設けた。この後、図２（ａ）
に示す如く、所定のパターンを有するマスク７を介して
紫外線（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００
ｍＪ／ｃｍ2 ）照射した。そして、水洗、エタノール洗
浄を繰り返し、図２（ｂ）に示す如く、ＤＥＭＡＥＡを
所定のパターンでＰＭＭＡ基板５に固定した。
−Ｏ3 洗浄した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアク
リレート（ＤＥＭＡＥＡ）のヨウ化メチル４級化物の５
ｗｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティン
グし、ＤＥＭＡＥＡ層６を設けた。この後、図２（ａ）
に示す如く、所定のパターンを有するマスク７を介して
紫外線（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００
ｍＪ／ｃｍ2 ）照射した。そして、水洗、エタノール洗
浄を繰り返し、図２（ｂ）に示す如く、ＤＥＭＡＥＡを
所定のパターンでＰＭＭＡ基板５に固定した。
【００２３】次に、０．０２Ｍのピロール、０．０３Ｍ
のＦｅＣｌ3 、０．０１Ｍのパラトルエンスルホン酸溶
液に３０分間浸漬し、そして水洗とエタノール洗浄を繰
り返し、ＰＭＭＡ基板１に固定されたＤＥＭＡＥＡがな
い部分にピロールを付け、この後加熱処理してＤＥＭＡ
ＥＡのパターンで規定されるポリピロール８の導電性パ
ターンを構成した（図２（ｃ）参照）。
のＦｅＣｌ3 、０．０１Ｍのパラトルエンスルホン酸溶
液に３０分間浸漬し、そして水洗とエタノール洗浄を繰
り返し、ＰＭＭＡ基板１に固定されたＤＥＭＡＥＡがな
い部分にピロールを付け、この後加熱処理してＤＥＭＡ
ＥＡのパターンで規定されるポリピロール８の導電性パ
ターンを構成した（図２（ｃ）参照）。
【００２４】〔実施例３〕ＰＭＭＡ基板５の表面をＵＶ
−Ｏ3 洗浄した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアク
リレート（ＤＥＭＡＥＡ）のヨウ化メチル４級化物の５
ｗｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティン
グし、ＤＥＭＡＥＡ層６を設けた。この後、図３（ａ）
に示す如く、所定のパターンを有するマスク７を介して
紫外線（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００
ｍＪ／ｃｍ2 ）照射した。そして、水洗、エタノール洗
浄を繰り返し、図３（ｂ）に示す如く、ＤＥＭＡＥＡを
所定のパターンでＰＭＭＡ基板５に固定した。
−Ｏ3 洗浄した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアク
リレート（ＤＥＭＡＥＡ）のヨウ化メチル４級化物の５
ｗｔ％エタノール−水（１：１）混合溶液をコーティン
グし、ＤＥＭＡＥＡ層６を設けた。この後、図３（ａ）
に示す如く、所定のパターンを有するマスク７を介して
紫外線（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ2 ；８００
ｍＪ／ｃｍ2 ）照射した。そして、水洗、エタノール洗
浄を繰り返し、図３（ｂ）に示す如く、ＤＥＭＡＥＡを
所定のパターンでＰＭＭＡ基板５に固定した。
【００２５】次に、０．０２Ｍのポリ（チオフェン−３
−アセティックアシッド）（ＰＴＡ）水溶液に５分間浸
漬し、そして水洗した後０．０３Ｍのポリアクリルアミ
ンハイドロクロライド（ＰＡＡ）水溶液に５分間浸漬
し、水洗した。この工程を１０回繰り返した。この後、
水洗とエタノール洗浄を行い、乾燥させ、所定パターン
のＰＴＡ層９ａと所定パターンのＰＡＡ層９ｂとが１０
層ずつ設けられた導電性パターンを構成した（図３
（ｃ）参照）。
−アセティックアシッド）（ＰＴＡ）水溶液に５分間浸
漬し、そして水洗した後０．０３Ｍのポリアクリルアミ
ンハイドロクロライド（ＰＡＡ）水溶液に５分間浸漬
し、水洗した。この工程を１０回繰り返した。この後、
水洗とエタノール洗浄を行い、乾燥させ、所定パターン
のＰＴＡ層９ａと所定パターンのＰＡＡ層９ｂとが１０
層ずつ設けられた導電性パターンを構成した（図３
（ｃ）参照）。
【００２６】
【効果】本発明によれば、所定のパターンの導電膜を強
固に付けることが出来、しかも簡単に実施できる。
固に付けることが出来、しかも簡単に実施できる。
【図１】本発明になる所定の導電パターンの形成工程を
示す説明図
示す説明図
【図２】本発明になる所定の導電パターンの形成工程を
示す説明図
示す説明図
【図３】本発明になる所定の導電パターンの形成工程を
示す説明図
示す説明図
１，５ ＰＭＭＡ基板 ２ ＡＭＰＳ層 ３，７ マスク ４，８ ポリピロール ６ ＤＥＭＡＥＡ層 ９ａ ＰＴＡ層 ９ｂ ＰＡＡ層
Claims (7)
- 【請求項１】 基体に対してカチオン性基（又はアニオ
ン性基）を有する剤Ａが結合されてなり、アニオン性基
（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に有する剤
Ｂが前記剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）によ
って選択的に固定されてなることを特徴とする所定の導
電性パターンが施された製品。 - 【請求項２】 アニオン性基（又はカチオン性基）と導
電性基とを分子中に有する剤Ｂが複数層設けられてなる
ことを特徴とする請求項１の所定の導電性パターンが施
された製品。 - 【請求項３】 カチオン性基がアミン系の基であること
を特徴とする請求項１または請求項２の所定の導電性パ
ターンが施された製品。 - 【請求項４】 アニオン性基がスルホン酸基、カルボキ
シル基、リン酸基、あるいはこれらの基であって塩を形
成したものであることを特徴とする請求項１または請求
項２の所定の導電性パターンが施された製品。 - 【請求項５】 剤Ｂは、π共役鎖を有し、このπ共役鎖
を主鎖とするポリイオンであることを特徴とする請求項
１または請求項２の所定の導電性パターンが施された製
品。 - 【請求項６】 カチオン性基（又はアニオン性基）と活
性エネルギーによる反応性の基とを分子中に有する剤
Ａ’を基体の表面に塗布する第１の工程と、剤Ａ’が塗
布された基体の表面に所定パターンで活性エネルギーを
照射し、固定する第２の工程と、所定パターンで剤Ａが
表面に固定された基体に対して選択的に固定されるアニ
オン性基（又はカチオン性基）と導電性基とを分子中に
有する剤Ｂ’を塗布する第３の工程とを具備することを
特徴とする所定の導電性パターンが施された製品の製造
方法。 - 【請求項７】 更に、重合処理が行われる第４の工程を
具備することを特徴とする請求項６の所定の導電性パタ
ーンが施された製品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438694A JPH07252440A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 所定の導電性パターンが施された製品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438694A JPH07252440A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 所定の導電性パターンが施された製品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07252440A true JPH07252440A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12690076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4438694A Pending JPH07252440A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 所定の導電性パターンが施された製品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07252440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003114525A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-04-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導電性パターン材料及び導電性パターンの形成方法 |
| WO2008001679A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Jsr Corporation | procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP4438694A patent/JPH07252440A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003114525A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-04-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導電性パターン材料及び導電性パターンの形成方法 |
| WO2008001679A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Jsr Corporation | procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ |
| JPWO2008001679A1 (ja) * | 2006-06-27 | 2009-11-26 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物 |
| US8173348B2 (en) | 2006-06-27 | 2012-05-08 | Jsr Corporation | Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein |
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