JPH07249753A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH07249753A JPH07249753A JP6042545A JP4254594A JPH07249753A JP H07249753 A JPH07249753 A JP H07249753A JP 6042545 A JP6042545 A JP 6042545A JP 4254594 A JP4254594 A JP 4254594A JP H07249753 A JPH07249753 A JP H07249753A
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- JP
- Japan
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- region
- photoelectric conversion
- type region
- charge
- photodiode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 読み出しゲート電極幅を拡大することで、固
体撮像装置の読み出し電圧の低下と、フォトダイオード
部の面積拡大に伴う感度の向上とを図る。 【構成】 シリコン基板中にｐ形領域、フォトダイオー
ドのｎ-型領域１４、ｐ型領域１５、垂直ＣＣＤ部のｎ
型領域１６、ｐ型領域１７、およびｐ+型領域１８を形
成した。シリコン基板上には、ゲート絶縁膜、１層目の
ポリシリコン電極１９、２層目のポリシリコン電極２０
を形成した。２層目のポリシリコン電極２０の垂直フォ
トダイオード分離上の領域の線幅を広くして、一部その
端部がフォトダイオード領域にかかるようにし、２層目
のポリシリコン電極２０がフォトダイオードに対して少
なくとも２面以上で接するように構成した。
体撮像装置の読み出し電圧の低下と、フォトダイオード
部の面積拡大に伴う感度の向上とを図る。 【構成】 シリコン基板中にｐ形領域、フォトダイオー
ドのｎ-型領域１４、ｐ型領域１５、垂直ＣＣＤ部のｎ
型領域１６、ｐ型領域１７、およびｐ+型領域１８を形
成した。シリコン基板上には、ゲート絶縁膜、１層目の
ポリシリコン電極１９、２層目のポリシリコン電極２０
を形成した。２層目のポリシリコン電極２０の垂直フォ
トダイオード分離上の領域の線幅を広くして、一部その
端部がフォトダイオード領域にかかるようにし、２層目
のポリシリコン電極２０がフォトダイオードに対して少
なくとも２面以上で接するように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビデオカメラ等に使用す
る固体撮像装置に関するものである。
る固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置はその小型化、高解
像度化に伴い、１画素のサイズが５μｍ×５μｍ程度と
非常に微細化されてきている。特に光電変換領域の面積
は３μｍ（垂直方向）×１.５μｍ（水平方向）程度と
なり、微細化を図る際の改良の対象が光電変換領域に集
中している。
像度化に伴い、１画素のサイズが５μｍ×５μｍ程度と
非常に微細化されてきている。特に光電変換領域の面積
は３μｍ（垂直方向）×１.５μｍ（水平方向）程度と
なり、微細化を図る際の改良の対象が光電変換領域に集
中している。
【０００３】図３は従来の固体撮像装置の平面図であ
る。図３において、１は光電変換部、２は電荷読み出し
領域、３は電荷転送領域、４はｎ-形領域、５はｐ形領
域、６はｎ形領域、７はｐ形領域、８はｐ+形領域、９
は１層目のポリシリコン電極、１０は２層目のポリシリ
コン電極である。
る。図３において、１は光電変換部、２は電荷読み出し
領域、３は電荷転送領域、４はｎ-形領域、５はｐ形領
域、６はｎ形領域、７はｐ形領域、８はｐ+形領域、９
は１層目のポリシリコン電極、１０は２層目のポリシリ
コン電極である。
【０００４】固体撮像装置の単位画素は、大別して、光
電変換部１と電荷読み出し領域２と電荷転送領域３とで
構成されている。光電変換部１はｎ-形領域４で形成さ
れており、フォトダイオード領域と呼ばれている。
電変換部１と電荷読み出し領域２と電荷転送領域３とで
構成されている。光電変換部１はｎ-形領域４で形成さ
れており、フォトダイオード領域と呼ばれている。
【０００５】このフォトダイオード領域に接するよう
に、電荷読み出し領域２と２層目のポリシリコン電極１
０であるゲート電極が存在し、光電変換部内で蓄積され
た信号電荷を電荷転送領域３である垂直ＣＣＤ部へ移動
させる働きをしている。
に、電荷読み出し領域２と２層目のポリシリコン電極１
０であるゲート電極が存在し、光電変換部内で蓄積され
た信号電荷を電荷転送領域３である垂直ＣＣＤ部へ移動
させる働きをしている。
【０００６】この２層目のポリシリコン電極１０はｎ-
形領域に対して一面でのみ接しており、たとえばゲート
電極に読み出し電圧である１５Ｖの電圧を印加して、電
荷読み出し領域２と電荷転送領域３のポテンシャルを光
電変換部１より深くすることで、電荷読み出し領域２の
接している面をゲート幅として信号電荷を電荷転送領域
３に移動させている。
形領域に対して一面でのみ接しており、たとえばゲート
電極に読み出し電圧である１５Ｖの電圧を印加して、電
荷読み出し領域２と電荷転送領域３のポテンシャルを光
電変換部１より深くすることで、電荷読み出し領域２の
接している面をゲート幅として信号電荷を電荷転送領域
３に移動させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の構造では、信号電荷を光電変換部１から垂直Ｃ
ＣＤ部へ移動させるゲートの働きを電荷読み出し領域２
とゲート電極が行っている。この電荷読み出し領域２お
よびゲート電極は光電変換部１と一面でのみ接してい
る。その接している距離は１画素の垂直（Ｖ）方向の長
さの１／２以下である約２μｍとなる。このゲート電極
が電荷読み出し電極となり、その２μｍがゲート幅に対
応する。単位画素サイズの縮小は、ゲート幅の縮小につ
ながり、このゲートからなるＭＯＳトランジスタのドレ
イン電流の低下につながる。すなわち、垂直ＣＣＤ部に
移動する信号電荷量が減少し、光電変換部１に信号電荷
が残存する残像不良や、読み出し時の電圧が規格値以上
になる読み出し電圧不良が発生する。
た従来の構造では、信号電荷を光電変換部１から垂直Ｃ
ＣＤ部へ移動させるゲートの働きを電荷読み出し領域２
とゲート電極が行っている。この電荷読み出し領域２お
よびゲート電極は光電変換部１と一面でのみ接してい
る。その接している距離は１画素の垂直（Ｖ）方向の長
さの１／２以下である約２μｍとなる。このゲート電極
が電荷読み出し電極となり、その２μｍがゲート幅に対
応する。単位画素サイズの縮小は、ゲート幅の縮小につ
ながり、このゲートからなるＭＯＳトランジスタのドレ
イン電流の低下につながる。すなわち、垂直ＣＣＤ部に
移動する信号電荷量が減少し、光電変換部１に信号電荷
が残存する残像不良や、読み出し時の電圧が規格値以上
になる読み出し電圧不良が発生する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、本発明の固体撮像装置は、半導体基板の表
面に形成された光電変換領域と、前記光電変換領域で光
電変換された信号電荷を転送するための電荷転送領域
と、前記光電変換領域内に蓄積された信号電荷を前記電
荷転送領域へ読み出すための電荷読み出し領域と、前記
電荷転送領域および前記電荷読み出し領域上にゲート絶
縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記光電変換領
域を除く、前記電荷転送領域と前記電荷読み出し領域と
前記ゲート電極上とに遮光膜を備え、前記光電変換領域
に対して前記電荷読み出し領域およびゲート電極が少な
くとも２面以上接している。
するために、本発明の固体撮像装置は、半導体基板の表
面に形成された光電変換領域と、前記光電変換領域で光
電変換された信号電荷を転送するための電荷転送領域
と、前記光電変換領域内に蓄積された信号電荷を前記電
荷転送領域へ読み出すための電荷読み出し領域と、前記
電荷転送領域および前記電荷読み出し領域上にゲート絶
縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記光電変換領
域を除く、前記電荷転送領域と前記電荷読み出し領域と
前記ゲート電極上とに遮光膜を備え、前記光電変換領域
に対して前記電荷読み出し領域およびゲート電極が少な
くとも２面以上接している。
【０００９】
【作用】この構成により、２層目のポリシリコン電極
（読み出しゲート電極）をフォトダイオードに２面以上
で接させることで、読み出しゲート電極のゲート幅を拡
大することが可能となり、ドレイン電流の増加、すなわ
ち読み出し特性を向上させ、読み出し電圧を低下させる
ことができる。また、読み出しゲート電極の垂直方向の
幅を縮小させることも可能となり、より小型化、微細化
の進展した固体撮像装置を実現することが可能となる。
（読み出しゲート電極）をフォトダイオードに２面以上
で接させることで、読み出しゲート電極のゲート幅を拡
大することが可能となり、ドレイン電流の増加、すなわ
ち読み出し特性を向上させ、読み出し電圧を低下させる
ことができる。また、読み出しゲート電極の垂直方向の
幅を縮小させることも可能となり、より小型化、微細化
の進展した固体撮像装置を実現することが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は、本発明の一実施例による固体撮像
装置の平面図である。１１は光電変換部、１２は電荷読
み出し領域、１３は電荷転送領域、１４はｎ-形領域、
１５はｐ形領域、１６はｎ形領域、１７はｐ形領域、１
８はｐ+形領域、１９は１層目のポリシリコン電極、２
０は２層目のポリシリコン電極である。
装置の平面図である。１１は光電変換部、１２は電荷読
み出し領域、１３は電荷転送領域、１４はｎ-形領域、
１５はｐ形領域、１６はｎ形領域、１７はｐ形領域、１
８はｐ+形領域、１９は１層目のポリシリコン電極、２
０は２層目のポリシリコン電極である。
【００１２】図に示すように、大別すると固体撮像装置
の単位画素は、光電変換部１１、電荷読み出し領域１
２、および電荷転送領域１３で構成されている。そし
て、これらの領域は、約１０14ｃｍ-3の不純物濃度のｎ
形シリコン基板中に形成された、約１０15ｃｍ-3の不純
物濃度で約５μｍの深さのｐ形ウエル（図示せず）中に
作りこまれている。ｐ形ウエルは光電変換部１１の不要
電荷を排出するのに設けられている。すなわち、ｐ形ウ
エルの電位を０Ｖ、シリコン基板の電位を３.５Ｖ以上
の電圧に設定して、強い入射光により発生する過剰信号
電荷が他の画素や電荷転送領域１３に漏れ込むのをシリ
コン基板側に排出することで避けている。ｎ -形領域１
４の不純物濃度は約１０16ｃｍ-3で、約２μｍの深さで
ある。ｎ-形領域１４は外部から光が入射すると、その
内部に電子と正孔とのペアが発生する。電子は隣接する
電荷読み出し領域１２と電荷転送領域１３を経て信号電
荷となる。正孔はｐ形ウエルを介してシリコン基板の外
部に排出される。このように、ｎ -形領域１４は入射し
た光を信号電荷に変換する部分である。
の単位画素は、光電変換部１１、電荷読み出し領域１
２、および電荷転送領域１３で構成されている。そし
て、これらの領域は、約１０14ｃｍ-3の不純物濃度のｎ
形シリコン基板中に形成された、約１０15ｃｍ-3の不純
物濃度で約５μｍの深さのｐ形ウエル（図示せず）中に
作りこまれている。ｐ形ウエルは光電変換部１１の不要
電荷を排出するのに設けられている。すなわち、ｐ形ウ
エルの電位を０Ｖ、シリコン基板の電位を３.５Ｖ以上
の電圧に設定して、強い入射光により発生する過剰信号
電荷が他の画素や電荷転送領域１３に漏れ込むのをシリ
コン基板側に排出することで避けている。ｎ -形領域１
４の不純物濃度は約１０16ｃｍ-3で、約２μｍの深さで
ある。ｎ-形領域１４は外部から光が入射すると、その
内部に電子と正孔とのペアが発生する。電子は隣接する
電荷読み出し領域１２と電荷転送領域１３を経て信号電
荷となる。正孔はｐ形ウエルを介してシリコン基板の外
部に排出される。このように、ｎ -形領域１４は入射し
た光を信号電荷に変換する部分である。
【００１３】また、ｐ形ウエルの内にはｐ形領域１５が
形成されている。ｐ形領域１５はシリコン基板で発生す
る信号のうち雑音となる信号電荷が垂直ＣＣＤ部である
ｎ形領域１６へ拡散するのを防止する働きがある。
形成されている。ｐ形領域１５はシリコン基板で発生す
る信号のうち雑音となる信号電荷が垂直ＣＣＤ部である
ｎ形領域１６へ拡散するのを防止する働きがある。
【００１４】ここで、ｐ形領域１５の深さは約１μｍで
ある。また、不純物濃度は約１０16ｃｍ-3である。ｐ形
領域１５は垂直ＣＣＤとなるｎ形領域１６を囲んでい
る。一般的にこのような構造をＨｉ−Ｃ構造と呼ぶ。
ある。また、不純物濃度は約１０16ｃｍ-3である。ｐ形
領域１５は垂直ＣＣＤとなるｎ形領域１６を囲んでい
る。一般的にこのような構造をＨｉ−Ｃ構造と呼ぶ。
【００１５】垂直ＣＣＤ部はｎ形領域１６で形成されて
いる。垂直ＣＣＤ部はフォトダイオードで形成された信
号電荷を転送するための転送領域である。ここでｎ形領
域１６の深さは約０.５μｍである。またｎ形領域１６
の不純物濃度は１０16〜１０1 7ｃｍ-3である。
いる。垂直ＣＣＤ部はフォトダイオードで形成された信
号電荷を転送するための転送領域である。ここでｎ形領
域１６の深さは約０.５μｍである。またｎ形領域１６
の不純物濃度は１０16〜１０1 7ｃｍ-3である。
【００１６】また、光電変換部１１で発生した信号電荷
を垂直ＣＣＤ部へ読み出す際、光電変換部１１のポテン
シャルより垂直ＣＣＤ部のポテンシャルが低くなる。ま
た垂直ＣＣＤ部に運ばれた信号電荷が光電変換部１１に
逆流したり、あるいは垂直ＣＣＤ部に信号電荷が存在し
ている際に光電変換部１１で形成された信号電荷が垂直
ＣＣＤ部へと流れ込んだりしないようにする必要があ
る。このため、読み出し時のポテンシャル制御を行うｐ
形領域１７が光電変換部１１と垂直ＣＣＤ部の間に形成
されている。ここで、ｐ形領域１７の不純物濃度は１０
16〜１０17ｃｍ-3であり、深さは約１μｍである。
を垂直ＣＣＤ部へ読み出す際、光電変換部１１のポテン
シャルより垂直ＣＣＤ部のポテンシャルが低くなる。ま
た垂直ＣＣＤ部に運ばれた信号電荷が光電変換部１１に
逆流したり、あるいは垂直ＣＣＤ部に信号電荷が存在し
ている際に光電変換部１１で形成された信号電荷が垂直
ＣＣＤ部へと流れ込んだりしないようにする必要があ
る。このため、読み出し時のポテンシャル制御を行うｐ
形領域１７が光電変換部１１と垂直ＣＣＤ部の間に形成
されている。ここで、ｐ形領域１７の不純物濃度は１０
16〜１０17ｃｍ-3であり、深さは約１μｍである。
【００１７】固体撮像装置は光電変換部１１と垂直ＣＣ
Ｄ部が一対となり、それがマトリックス状に形成されて
いる。この対と隣合う対との間を電気的に分離するのが
ｐ+形領域１８である。ｐ+形領域１８は垂直ＣＣＤ部と
平行に配置され、かつ隣接する垂直方向のフォトダイオ
ード間の分離を行うため、垂直ＣＣＤ部と垂直方向にも
配置されている。
Ｄ部が一対となり、それがマトリックス状に形成されて
いる。この対と隣合う対との間を電気的に分離するのが
ｐ+形領域１８である。ｐ+形領域１８は垂直ＣＣＤ部と
平行に配置され、かつ隣接する垂直方向のフォトダイオ
ード間の分離を行うため、垂直ＣＣＤ部と垂直方向にも
配置されている。
【００１８】ここで、ｐ+形領域１８の不純物濃度は１
０17〜１０18ｃｍ-3であり、深さは約１μｍである。
０17〜１０18ｃｍ-3であり、深さは約１μｍである。
【００１９】上記の各拡散層の上部には１層目のポリシ
リコン電極１９と２層目のポリシリコン電極２０が位置
する。各々のポリシリコン電極１９，２０の下層にはゲ
ート絶縁膜として、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
の積層膜、もしくはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
シリコン酸化膜との積層膜が存在する（図示せず）。シ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜の膜厚は各々約５０ｎｍ
である。１層目のポリシリコン電極１９は垂直ＣＣＤ部
の約１／２と垂直フォトダイオード間の分離部を覆って
おり、設計的にその形状は従来例のポリシリコン電極と
同一である。２層目のポリシリコン電極２０は、１層目
のポリシリコン電極１９が覆っていない垂直ＣＣＤ部の
残りと、垂直フォトダイオード分離との間の上の１層目
のポリシリコン電極１９の上を覆っている。ここで、２
層目のポリシリコン電極２０の垂直フォトダイオード分
離上の領域は、その線幅を広くして、一部その端部が光
電変換部１１にかかるように設計されている。この構成
により２層目のポリシリコン電極２０は、光電変換部１
１に対して２面で接することとなり、読み出し電極のゲ
ート幅を拡大することができる。さらに、光電変換部１
１および電荷読み出し領域１２に対して二次元的に読み
出し電圧を印加することができる。このとき、そのポテ
ンシャル変化は大きくなる。たとえば、ゲート幅は垂直
方向１.５μｍと水平方向（垂直フォトダイオード分離
部）１μｍに拡大し、従来の垂直方向１.５μｍに対し
て、読み出し特性を向上させる（読み出し電圧の低下）
ことができる。
リコン電極１９と２層目のポリシリコン電極２０が位置
する。各々のポリシリコン電極１９，２０の下層にはゲ
ート絶縁膜として、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
の積層膜、もしくはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
シリコン酸化膜との積層膜が存在する（図示せず）。シ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜の膜厚は各々約５０ｎｍ
である。１層目のポリシリコン電極１９は垂直ＣＣＤ部
の約１／２と垂直フォトダイオード間の分離部を覆って
おり、設計的にその形状は従来例のポリシリコン電極と
同一である。２層目のポリシリコン電極２０は、１層目
のポリシリコン電極１９が覆っていない垂直ＣＣＤ部の
残りと、垂直フォトダイオード分離との間の上の１層目
のポリシリコン電極１９の上を覆っている。ここで、２
層目のポリシリコン電極２０の垂直フォトダイオード分
離上の領域は、その線幅を広くして、一部その端部が光
電変換部１１にかかるように設計されている。この構成
により２層目のポリシリコン電極２０は、光電変換部１
１に対して２面で接することとなり、読み出し電極のゲ
ート幅を拡大することができる。さらに、光電変換部１
１および電荷読み出し領域１２に対して二次元的に読み
出し電圧を印加することができる。このとき、そのポテ
ンシャル変化は大きくなる。たとえば、ゲート幅は垂直
方向１.５μｍと水平方向（垂直フォトダイオード分離
部）１μｍに拡大し、従来の垂直方向１.５μｍに対し
て、読み出し特性を向上させる（読み出し電圧の低下）
ことができる。
【００２０】ポリシリコン電極形成後、絶縁膜、遮光
膜、配線、および保護膜を形成すると固体撮像装置は完
成する。
膜、配線、および保護膜を形成すると固体撮像装置は完
成する。
【００２１】なお、本発明に従い固体撮像装置を試作し
た結果、図２に示すように読み出し電圧が従来のものと
比べて０.５〜１.０Ｖ低下することを確認した。また、
読み出し電圧の規格１４.５Ｖに対して、従来の構造で
は読み出しゲート幅を１.５μｍ以上に設計することが
必要であったが、本発明により１.０μｍ程度まで狭く
することができる。この読み出しゲート幅の縮小はフォ
トダイオード部の面積を大きくすることを可能にし、結
果的に感度の向上も可能となる。
た結果、図２に示すように読み出し電圧が従来のものと
比べて０.５〜１.０Ｖ低下することを確認した。また、
読み出し電圧の規格１４.５Ｖに対して、従来の構造で
は読み出しゲート幅を１.５μｍ以上に設計することが
必要であったが、本発明により１.０μｍ程度まで狭く
することができる。この読み出しゲート幅の縮小はフォ
トダイオード部の面積を大きくすることを可能にし、結
果的に感度の向上も可能となる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像装置の２層目
のポリシリコン電極（読み出しゲート電極）をフォトダ
イオードに対して２面以上で接させることで、読み出し
ゲート電極幅を拡大することが可能となり、その読み出
し特性を向上させ、読み出し電圧を低下させることがで
きる。
のポリシリコン電極（読み出しゲート電極）をフォトダ
イオードに対して２面以上で接させることで、読み出し
ゲート電極幅を拡大することが可能となり、その読み出
し特性を向上させ、読み出し電圧を低下させることがで
きる。
【００２３】また、本発明によれば、同一読み出し電圧
の場合、読み出しゲート電極の垂直方向の幅を縮小する
ことで、フォトダイオード部の面積拡大が可能となり、
結果的に感度の向上も可能となる。
の場合、読み出しゲート電極の垂直方向の幅を縮小する
ことで、フォトダイオード部の面積拡大が可能となり、
結果的に感度の向上も可能となる。
【図１】本発明の一実施例による固体撮像装置の平面図
【図２】読み出し電圧の読み出しゲート幅依存性を示す
図
図
【図３】従来例の固体撮像装置の平面図
１ 光電変換部 ２ 電荷読み出し領域 ３ 電荷転送領域 ４ ｎ-形領域 ５ ｐ形領域 ６ ｎ形領域 ７ ｐ形領域 ８ ｐ+形領域 ９ １層目のポリシリコン電極 １０ ２層目のポリシリコン電極（読み出しゲート電
極） １１ 光電変換部 １２ 電荷読み出し領域 １３ 電荷転送領域 １４ ｎ-形領域 １５ ｐ形領域 １６ ｎ形領域 １７ ｐ形領域 １８ ｐ+形領域 １９ １層目のポリシリコン電極 ２０ ２層目のポリシリコン電極（読み出しゲート電
極）
極） １１ 光電変換部 １２ 電荷読み出し領域 １３ 電荷転送領域 １４ ｎ-形領域 １５ ｐ形領域 １６ ｎ形領域 １７ ｐ形領域 １８ ｐ+形領域 １９ １層目のポリシリコン電極 ２０ ２層目のポリシリコン電極（読み出しゲート電
極）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に形成された光電変換
領域と、前記光電変換領域で光電変換された信号電荷を
転送するための電荷転送領域と、前記光電変換領域内に
蓄積された信号電荷を前記電荷転送領域へ読み出すため
の電荷読み出し領域と、前記電荷転送領域および前記電
荷読み出し領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲ
ート電極と、前記光電変換領域を除く、前記電荷転送領
域と前記電荷読み出し領域と前記ゲート電極上とに遮光
膜を備え、前記光電変換領域に対して前記電荷読み出し
領域およびゲート電極が少なくとも２面以上接している
ことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042545A JPH07249753A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042545A JPH07249753A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249753A true JPH07249753A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12639036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6042545A Pending JPH07249753A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249753A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370148B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2003-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체촬상소자 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6042545A patent/JPH07249753A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370148B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2003-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고체촬상소자 |
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