JPH07249572A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH07249572A JPH07249572A JP7005768A JP576895A JPH07249572A JP H07249572 A JPH07249572 A JP H07249572A JP 7005768 A JP7005768 A JP 7005768A JP 576895 A JP576895 A JP 576895A JP H07249572 A JPH07249572 A JP H07249572A
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- acid
- acid generator
- semiconductor substrate
- solution
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 塩基性の半導体基板の上に形成された化学増
幅型レジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひ
き又は食い込みを防止する。 【構成】 半導体基板１の上に形成されたＴｉＮ膜２の
上に酸性溶液を供給し、ＴｉＮ膜２を酸性溶液７に浸漬
して、半導体基板１の表面を中和するか又は半導体基板
１の表面の塩基性を弱める。その後、半導体基板１の上
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸に
より反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布
してレジスト膜４を形成した後、該レジスト膜４に放射
線を照射して露光する。露光されたレジスト膜４を現像
してレジストパターン６を形成すると、裾ひきのないレ
ジストパターン６が得られる。
幅型レジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひ
き又は食い込みを防止する。 【構成】 半導体基板１の上に形成されたＴｉＮ膜２の
上に酸性溶液を供給し、ＴｉＮ膜２を酸性溶液７に浸漬
して、半導体基板１の表面を中和するか又は半導体基板
１の表面の塩基性を弱める。その後、半導体基板１の上
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸に
より反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布
してレジスト膜４を形成した後、該レジスト膜４に放射
線を照射して露光する。露光されたレジスト膜４を現像
してレジストパターン６を形成すると、裾ひきのないレ
ジストパターン６が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に半導体
素子や集積回路を製作する際に用いる微細パターンの形
成方法に関する。
素子や集積回路を製作する際に用いる微細パターンの形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造プロセス
における微細パターンの形成方法においては、加工寸法
の微細化に伴って、短波長光源を利用したプロセスの開
発が進められている。短波長光源を用いるリソグラフィ
プロセスにおいては、一般に、化学増幅という概念を導
入した化学増幅型レジストが使用されている。化学増幅
型レジストとは、放射線が照射されると酸を発生する酸
発生剤と酸により反応する化合物とを含む多成分系物質
からなり、酸触媒による反応を用いてアルカリ溶解特性
を変化させることにより微細なレジストパターンを形成
するためのものである。
における微細パターンの形成方法においては、加工寸法
の微細化に伴って、短波長光源を利用したプロセスの開
発が進められている。短波長光源を用いるリソグラフィ
プロセスにおいては、一般に、化学増幅という概念を導
入した化学増幅型レジストが使用されている。化学増幅
型レジストとは、放射線が照射されると酸を発生する酸
発生剤と酸により反応する化合物とを含む多成分系物質
からなり、酸触媒による反応を用いてアルカリ溶解特性
を変化させることにより微細なレジストパターンを形成
するためのものである。
【０００３】以下、従来の微細パターンの形成方法につ
いて、図４（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
いて、図４（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
【０００４】まず、図４（ａ）に示すように、半導体基
板１の表面にＴｉＮ膜２を形成する。ＴｉＮ膜２の表面
には塩基３が存在しており、ＴｉＮ膜２の表面は塩基性
である。
板１の表面にＴｉＮ膜２を形成する。ＴｉＮ膜２の表面
には塩基３が存在しており、ＴｉＮ膜２の表面は塩基性
である。
【０００５】次に、ＴｉＮ膜２の上にポジ型の化学増幅
型レジスト（例えば、和光純薬社製：ＷＫＲ−ＰＴ−
２）を塗布してレジスト膜４を形成した後、マスク５を
用いてレジスト膜４に対して、露光、露光後ベーキング
及び現像を行なって図４（ｂ）に示すようなレジストパ
ターン６を得る。
型レジスト（例えば、和光純薬社製：ＷＫＲ−ＰＴ−
２）を塗布してレジスト膜４を形成した後、マスク５を
用いてレジスト膜４に対して、露光、露光後ベーキング
及び現像を行なって図４（ｂ）に示すようなレジストパ
ターン６を得る。
【０００６】ところが、図４（ｂ）に示すように、レジ
ストパターン６に裾ひきが生じ、良好なレジストパター
ンが得られないという問題が発生する。前述したポジ型
の化学増幅型レジストを用いる場合にはレジストパター
ンに裾ひきが発生し、ネガ型の化学増幅型レジストを用
いる場合にはレジストパターンに食い込みが発生する。
このため、化学増幅型レジストよりなるレジストパター
ンの形状や解像性が劣化して、後の工程が悪影響を受け
るという問題がある。
ストパターン６に裾ひきが生じ、良好なレジストパター
ンが得られないという問題が発生する。前述したポジ型
の化学増幅型レジストを用いる場合にはレジストパター
ンに裾ひきが発生し、ネガ型の化学増幅型レジストを用
いる場合にはレジストパターンに食い込みが発生する。
このため、化学増幅型レジストよりなるレジストパター
ンの形状や解像性が劣化して、後の工程が悪影響を受け
るという問題がある。
【０００７】前記の問題は、表面にＴｉＮ膜やＳｉＮ膜
等が形成された塩基性の半導体基板の上にレジストパタ
ーンを形成する場合に特に顕著であるが、半導体基板の
表面が塩基性でない場合にも前記の問題は発生する。
等が形成された塩基性の半導体基板の上にレジストパタ
ーンを形成する場合に特に顕著であるが、半導体基板の
表面が塩基性でない場合にも前記の問題は発生する。
【０００８】前記のような問題に対する対策として、半
導体基板上に薄膜を形成し、該薄膜の上に化学増幅型レ
ジストを用いてレジストパターンを形成する方法（ＵＳ
Ｐ．５，２１９，７８８）が提案されている。
導体基板上に薄膜を形成し、該薄膜の上に化学増幅型レ
ジストを用いてレジストパターンを形成する方法（ＵＳ
Ｐ．５，２１９，７８８）が提案されている。
【０００９】また、半導体基板の表面を酸により洗浄し
て半導体基板上の異物を除去する方法も一般的に行なわ
れている。
て半導体基板上の異物を除去する方法も一般的に行なわ
れている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
半導体基板上に薄膜を形成する方法は、プロセスの複雑
化及びコストアップの観点から、実際的には採用が困難
である。
半導体基板上に薄膜を形成する方法は、プロセスの複雑
化及びコストアップの観点から、実際的には採用が困難
である。
【００１１】また、後者の酸により洗浄して半導体基板
上の異物を除去する方法によっては、レジストパターン
の裾ひき又は食い込みを完全に防止することは困難であ
り、特に、半導体基板の表面にＴｉＮ膜又はＳｉＮ膜が
形成された塩基性の半導体基板の上に形成されるレジス
トパターンにおいては裾ひき又は食い込みの防止は困難
である。
上の異物を除去する方法によっては、レジストパターン
の裾ひき又は食い込みを完全に防止することは困難であ
り、特に、半導体基板の表面にＴｉＮ膜又はＳｉＮ膜が
形成された塩基性の半導体基板の上に形成されるレジス
トパターンにおいては裾ひき又は食い込みの防止は困難
である。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、通常の半導体基板
又は塩基性の半導体基板の上に形成された化学増幅型レ
ジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひき又は
食い込みを完全に防止することができる微細パターンの
形成方法を提供することを目的とする。
又は塩基性の半導体基板の上に形成された化学増幅型レ
ジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひき又は
食い込みを完全に防止することができる微細パターンの
形成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】化学増幅型レジストより
なるレジストパターンに発生する裾ひき又は食い込みが
発生する原因について検討を加えた結果、次のことが分
かった。すなわち、露光によって化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から酸が発生するが、前述したよう
に、ＴｉＮ膜の表面には塩基が存在するので、酸発生剤
から発生した酸はＴｉＮ膜表面の塩基により中和されて
しまう。このため、ＴｉＮ膜の表面においては、酸発生
剤から発生した酸が、化学増幅型レジストに含まれる酸
により反応する化合物の反応に寄与し難いので、レジス
トパターンに裾ひき又は食い込みが生じ、良好なレジス
トパターンが得られないのである。すなわち、レジスト
パターンに裾ひき又は食い込みが発生した半導体基板の
表面においては、アンモニアなどの塩基性物質が存在し
たり、又は被加工膜（ＴｉＮ膜）の最表面を構成してい
る窒素原子の孤立電子対の濃度が高いために、これらの
物質が半導体基板の表面付近において酸発生剤から発生
した酸を消費してしまう。この結果、化学増幅型レジス
トよりなるパターンの形状や解像性が劣化するのであ
る。
なるレジストパターンに発生する裾ひき又は食い込みが
発生する原因について検討を加えた結果、次のことが分
かった。すなわち、露光によって化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から酸が発生するが、前述したよう
に、ＴｉＮ膜の表面には塩基が存在するので、酸発生剤
から発生した酸はＴｉＮ膜表面の塩基により中和されて
しまう。このため、ＴｉＮ膜の表面においては、酸発生
剤から発生した酸が、化学増幅型レジストに含まれる酸
により反応する化合物の反応に寄与し難いので、レジス
トパターンに裾ひき又は食い込みが生じ、良好なレジス
トパターンが得られないのである。すなわち、レジスト
パターンに裾ひき又は食い込みが発生した半導体基板の
表面においては、アンモニアなどの塩基性物質が存在し
たり、又は被加工膜（ＴｉＮ膜）の最表面を構成してい
る窒素原子の孤立電子対の濃度が高いために、これらの
物質が半導体基板の表面付近において酸発生剤から発生
した酸を消費してしまう。この結果、化学増幅型レジス
トよりなるパターンの形状や解像性が劣化するのであ
る。
【００１４】前記の問題は、表面に塩基性物質が存在す
る塩基性の半導体基板、又は表面にＴｉＮ膜やＳｉＮ膜
等が形成された塩基性の半導体基板上にレジストパター
ンを形成する場合に特に顕著であるが、半導体基板の表
面が塩基性でない場合にも発生する。この原因について
は次のように考えられる。すなわち、化学増幅型レジス
トは、環境中の不純物の影響を受け易いため、半導体基
板表面に存在する微量の不純物の影響を受け、酸により
反応する化合物の反応が阻害されるので、レジストパタ
ーンに裾ひき又は食い込みが発生してレジストパターン
の形状や解像性が劣化するのである。
る塩基性の半導体基板、又は表面にＴｉＮ膜やＳｉＮ膜
等が形成された塩基性の半導体基板上にレジストパター
ンを形成する場合に特に顕著であるが、半導体基板の表
面が塩基性でない場合にも発生する。この原因について
は次のように考えられる。すなわち、化学増幅型レジス
トは、環境中の不純物の影響を受け易いため、半導体基
板表面に存在する微量の不純物の影響を受け、酸により
反応する化合物の反応が阻害されるので、レジストパタ
ーンに裾ひき又は食い込みが発生してレジストパターン
の形状や解像性が劣化するのである。
【００１５】本発明は前記の知見に基づいて成されたも
のであり、半導体基板表面に酸を供給することにより、
半導体基板表面における、酸により反応する物質の反応
を促進するものである。
のであり、半導体基板表面に酸を供給することにより、
半導体基板表面における、酸により反応する物質の反応
を促進するものである。
【００１６】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、微細パターン形成方法を、半導体基板の上に酸性溶
液を供給する第１の工程と、前記半導体基板の上に、放
射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反
応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレ
ジスト膜を形成する第２の工程と、前記レジスト膜を放
射線により露光する第３の工程と、露光されたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する第４の工程と
を備えている構成とするものである。
は、微細パターン形成方法を、半導体基板の上に酸性溶
液を供給する第１の工程と、前記半導体基板の上に、放
射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反
応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレ
ジスト膜を形成する第２の工程と、前記レジスト膜を放
射線により露光する第３の工程と、露光されたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する第４の工程と
を備えている構成とするものである。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程は、放射線が照射されるか又は加熱される
と酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液に対して放
射線を照射するか又は加熱して前記酸発生剤から酸を発
生させることにより前記酸発生剤溶液を酸性溶液に変化
させながら該酸性溶液を前記半導体基板上に供給する工
程を含むという構成を付加するものである。
記第１の工程は、放射線が照射されるか又は加熱される
と酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液に対して放
射線を照射するか又は加熱して前記酸発生剤から酸を発
生させることにより前記酸発生剤溶液を酸性溶液に変化
させながら該酸性溶液を前記半導体基板上に供給する工
程を含むという構成を付加するものである。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程における酸性溶液は、有機カルボン酸、有
機カルボン酸無水物、有機ジカルボン酸及び有機スルホ
ン酸のうちの少なくとも１つを含むという構成を付加す
るものである。
記第１の工程における酸性溶液は、有機カルボン酸、有
機カルボン酸無水物、有機ジカルボン酸及び有機スルホ
ン酸のうちの少なくとも１つを含むという構成を付加す
るものである。
【００１９】請求項４の発明が講じた解決手段は、微細
パターン形成方法を、半導体基板の上に、放射線が照射
されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供
給する第１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が
照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する
化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト
膜を形成する第２の工程と、前記レジスト膜に放射線を
照射することにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から
酸を発生させると共に前記レジスト膜を露光する第３の
工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジストパタ
ーンを形成する第４の工程とを備えている構成とするも
のである。
パターン形成方法を、半導体基板の上に、放射線が照射
されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供
給する第１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が
照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する
化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト
膜を形成する第２の工程と、前記レジスト膜に放射線を
照射することにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から
酸を発生させると共に前記レジスト膜を露光する第３の
工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジストパタ
ーンを形成する第４の工程とを備えている構成とするも
のである。
【００２０】請求項５の構成は、請求項４の構成に、前
記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記酸発生剤
溶液の酸発生剤に放射線を照射することにより該酸発生
剤から酸を発生させる工程をさらに備えているという構
成を付加するものである。
記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記酸発生剤
溶液の酸発生剤に放射線を照射することにより該酸発生
剤から酸を発生させる工程をさらに備えているという構
成を付加するものである。
【００２１】請求項６の発明は、請求項４の構成に、前
記第１の工程における酸発生剤は加熱されると酸を発生
する性質を有し、前記第２の工程と前記第３の工程との
間又は前記第３の工程と前記第４の工程との間に、前記
半導体基板を加熱することにより、前記酸発生剤溶液の
酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジスト膜をベ
ーキングする工程をさらに備えているという構成を付加
するものである。
記第１の工程における酸発生剤は加熱されると酸を発生
する性質を有し、前記第２の工程と前記第３の工程との
間又は前記第３の工程と前記第４の工程との間に、前記
半導体基板を加熱することにより、前記酸発生剤溶液の
酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジスト膜をベ
ーキングする工程をさらに備えているという構成を付加
するものである。
【００２２】請求項７の発明が講じた解決手段は、微細
パターン形成方法を、半導体基板の上に、加熱されると
酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第
１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射され
ると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物と
を含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成
する第２の工程と、前記半導体基板を加熱することによ
り、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると
共に前記レジスト膜をベーキングする第３の工程と、ベ
ーキングされたレジスト膜に放射線を照射して露光する
第４の工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジス
トパターンを形成する第５の工程とを備えている構成と
するものである。
パターン形成方法を、半導体基板の上に、加熱されると
酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第
１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射され
ると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物と
を含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成
する第２の工程と、前記半導体基板を加熱することによ
り、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると
共に前記レジスト膜をベーキングする第３の工程と、ベ
ーキングされたレジスト膜に放射線を照射して露光する
第４の工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジス
トパターンを形成する第５の工程とを備えている構成と
するものである。
【００２３】請求項８の発明が講じた解決手段は、微細
パターン形成方法を、半導体基板の上に、加熱されると
酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第
１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射され
ると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物と
を含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成
する第２の工程と、前記レジスト膜に対して放射線を照
射して露光する第３の工程と、前記半導体基板を加熱す
ることにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発
生させると共に前記レジスト膜をベーキングする第４の
工程と、ベーキングされたレジスト膜を現像してレジス
トパターンを形成する第５の工程とを備えている構成と
するものである。
パターン形成方法を、半導体基板の上に、加熱されると
酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第
１の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射され
ると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物と
を含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成
する第２の工程と、前記レジスト膜に対して放射線を照
射して露光する第３の工程と、前記半導体基板を加熱す
ることにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発
生させると共に前記レジスト膜をベーキングする第４の
工程と、ベーキングされたレジスト膜を現像してレジス
トパターンを形成する第５の工程とを備えている構成と
するものである。
【００２４】請求項９の発明は、請求項７又は８の構成
に、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記半
導体基板を加熱することにより前記酸発生剤溶液の酸発
生剤から酸を発生させる工程をさらに備えているという
構成を付加するものである。
に、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記半
導体基板を加熱することにより前記酸発生剤溶液の酸発
生剤から酸を発生させる工程をさらに備えているという
構成を付加するものである。
【００２５】請求項１０の発明は、請求項４、７又は８
の構成に、前記第１の工程における酸発生剤溶液は酸性
化合物をさらに含んでいるという構成を付加するもので
ある。
の構成に、前記第１の工程における酸発生剤溶液は酸性
化合物をさらに含んでいるという構成を付加するもので
ある。
【００２６】請求項１１の発明は、請求項１、４、７又
は８の構成に、前記第１の工程における半導体基板は、
その表面に塩基性の膜が形成されているという構成を付
加するものである。
は８の構成に、前記第１の工程における半導体基板は、
その表面に塩基性の膜が形成されているという構成を付
加するものである。
【００２７】請求項１２の発明が講じた解決手段は、微
細パターン形成方法を、表面が塩基性である半導体基板
の表面に酸性溶液を供給する第１の工程と、前記半導体
基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生
剤を含む酸発生剤溶液を供給する第２の工程と、前記半
導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸
発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レ
ジストを塗布してレジスト膜を形成する第３の工程と、
前記レジスト膜に放射線を照射することにより、前記酸
発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レ
ジスト膜を露光する第４の工程と、露光されたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する第５の工程と
を備えている構成とするものである。
細パターン形成方法を、表面が塩基性である半導体基板
の表面に酸性溶液を供給する第１の工程と、前記半導体
基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生
剤を含む酸発生剤溶液を供給する第２の工程と、前記半
導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸
発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レ
ジストを塗布してレジスト膜を形成する第３の工程と、
前記レジスト膜に放射線を照射することにより、前記酸
発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レ
ジスト膜を露光する第４の工程と、露光されたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する第５の工程と
を備えている構成とするものである。
【００２８】請求項１３の発明は、請求項１２の構成
に、前記第２の工程における酸発生剤は加熱されると酸
を発生する性質を有し、前記第３の工程と前記第４の工
程との間又は前記第４の工程と前記第５の工程との間
に、前記半導体基板を加熱することにより、前記酸発生
剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジス
ト膜をベーキングする工程をさらに備えているという構
成を付加するものである。
に、前記第２の工程における酸発生剤は加熱されると酸
を発生する性質を有し、前記第３の工程と前記第４の工
程との間又は前記第４の工程と前記第５の工程との間
に、前記半導体基板を加熱することにより、前記酸発生
剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジス
ト膜をベーキングする工程をさらに備えているという構
成を付加するものである。
【００２９】半導体基板の表面に供給される酸性溶液に
使用される酸性化合物としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、アクリル酸、酪酸、イソ酪酸、メタ
クリル酸、オレイン酸、乳酸、モノクロロ酢酸、ジクロ
ロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ
酸、マロン酸、無水酢酸、無水プロピオン酸等のカルボ
ン酸又はカルボン酸無水物、及びメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホ
ン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等
のスルホン酸が挙げられる。
使用される酸性化合物としては、例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、アクリル酸、酪酸、イソ酪酸、メタ
クリル酸、オレイン酸、乳酸、モノクロロ酢酸、ジクロ
ロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ
酸、マロン酸、無水酢酸、無水プロピオン酸等のカルボ
ン酸又はカルボン酸無水物、及びメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホ
ン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等
のスルホン酸が挙げられる。
【００３０】また、酸発生剤溶液に含まれる、光照射又
は加熱により酸を発生する酸発生剤としては、例えば、
ジフェニルジスルホン、トリフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート、ビス（p-トルエンス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（p-クロルベンゼンスル
ホニル）ジアゾメタン、1,2,3-トリス（メタンスルホニ
ルオキシ）ベンゼン、1,3,5-トリス（トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ）ベンゼン、p-トルエンスルホン酸
-o- ニトロベンジル、p-トルエンスルホルン酸-2,6- ジ
ニトロベンジル、1,1-ビス（ｐ−クロロフェニル)-2,2,
2-トリクロロエタン、ビス（ter-ブチルスルホニル）ジ
アゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタ
ン、1,1-ビス（p-クロロフェニル)-2,2-ジクロロエタ
ン、2-クロロ-6-(トリクロロメチル）ピリジン、ジフェ
ニル- p-メチルフェナシルスルホニウム- p-トルエンス
ルホネート、ジフェニル-2, 5-ジメトキシフェナシルス
ルホニウム- p-トルエンスルホネート、2-メチル-2- p-
トルエンスルホニルプロピオフェノン等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
は加熱により酸を発生する酸発生剤としては、例えば、
ジフェニルジスルホン、トリフェニルスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート、ビス（p-トルエンス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（p-クロルベンゼンスル
ホニル）ジアゾメタン、1,2,3-トリス（メタンスルホニ
ルオキシ）ベンゼン、1,3,5-トリス（トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ）ベンゼン、p-トルエンスルホン酸
-o- ニトロベンジル、p-トルエンスルホルン酸-2,6- ジ
ニトロベンジル、1,1-ビス（ｐ−クロロフェニル)-2,2,
2-トリクロロエタン、ビス（ter-ブチルスルホニル）ジ
アゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタ
ン、1,1-ビス（p-クロロフェニル)-2,2-ジクロロエタ
ン、2-クロロ-6-(トリクロロメチル）ピリジン、ジフェ
ニル- p-メチルフェナシルスルホニウム- p-トルエンス
ルホネート、ジフェニル-2, 5-ジメトキシフェナシルス
ルホニウム- p-トルエンスルホネート、2-メチル-2- p-
トルエンスルホニルプロピオフェノン等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
【００３１】前記の酸性化合物又は酸発生剤を溶解する
溶剤としては、これらの物質を溶解可能なものであれば
何れでもよいが、メチルセルソルブアセテート、エチル
セルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸2-エトキシエチ
ル、酢酸ブチル、イソプロパノール、2-メトキシプロパ
ノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、
3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン
酸エチル、2-ヘプタノン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル等が挙げられる。
溶剤としては、これらの物質を溶解可能なものであれば
何れでもよいが、メチルセルソルブアセテート、エチル
セルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸2-エトキシエチ
ル、酢酸ブチル、イソプロパノール、2-メトキシプロパ
ノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、
3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン
酸エチル、2-ヘプタノン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル等が挙げられる。
【００３２】酸性溶液の濃度としては、酸性化合物又は
酸発生剤が溶解される濃度であれば特に限定されない
が、通常は、０．１〜５０重量％、好ましくは０．５〜
２５重量％の範囲である。
酸発生剤が溶解される濃度であれば特に限定されない
が、通常は、０．１〜５０重量％、好ましくは０．５〜
２５重量％の範囲である。
【００３３】
【作用】請求項１の構成により、半導体基板の上に、酸
性溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレ
ジスト膜を形成するため、該レジスト膜に放射線を照射
すると、レジスト膜における半導体基板との界面付近に
おいては、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から
発生した酸及び酸性溶液に含まれる酸の両方が、化学増
幅型レジストに含まれる、酸により反応する化合物の反
応に寄与し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸の失活が防止される。
性溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレ
ジスト膜を形成するため、該レジスト膜に放射線を照射
すると、レジスト膜における半導体基板との界面付近に
おいては、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から
発生した酸及び酸性溶液に含まれる酸の両方が、化学増
幅型レジストに含まれる、酸により反応する化合物の反
応に寄与し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸の失活が防止される。
【００３４】請求項２の構成により、第１の工程が、放
射線が照射されるか又は加熱されると酸を発生する酸発
生剤を含む酸発生剤溶液に対して放射線を照射するか又
は加熱して酸発生剤から酸を発生させることにより酸発
生剤溶液を酸性溶液に変化させながら該酸性溶液を半導
体基板上に供給する工程を含むため、半導体基板上に簡
易且つ確実に酸性溶液を供給することができる。
射線が照射されるか又は加熱されると酸を発生する酸発
生剤を含む酸発生剤溶液に対して放射線を照射するか又
は加熱して酸発生剤から酸を発生させることにより酸発
生剤溶液を酸性溶液に変化させながら該酸性溶液を半導
体基板上に供給する工程を含むため、半導体基板上に簡
易且つ確実に酸性溶液を供給することができる。
【００３５】請求項４の構成により、半導体基板の上
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤を含む
酸発生剤溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布
してレジスト膜を形成するため、該レジスト膜に放射線
を照射すると、酸発生剤溶液中の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤を含む
酸発生剤溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布
してレジスト膜を形成するため、該レジスト膜に放射線
を照射すると、酸発生剤溶液中の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
【００３６】請求項５の構成により、第１の工程と第２
の工程との間に、酸発生剤溶液の酸発生剤に放射線を照
射することにより該酸発生剤から酸を発生させる工程を
備えているため、レジスト膜における半導体基板との界
面付近には予め酸が存在している。
の工程との間に、酸発生剤溶液の酸発生剤に放射線を照
射することにより該酸発生剤から酸を発生させる工程を
備えているため、レジスト膜における半導体基板との界
面付近には予め酸が存在している。
【００３７】請求項６の構成により、第１工程の酸発生
剤は加熱されると酸を発生する性質を有し、第２の工程
と第３の工程との間又は第３の工程と第４の工程との間
に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の酸発生剤から
酸を発生させると共にレジスト膜をベーキングする工程
を備えているため、プリベーキング工程又は露光後ベー
キング工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を
発生させることができるので、レジスト膜における半導
体基板との界面付近において、酸により反応する化合物
の反応をより進行させることができる。
剤は加熱されると酸を発生する性質を有し、第２の工程
と第３の工程との間又は第３の工程と第４の工程との間
に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の酸発生剤から
酸を発生させると共にレジスト膜をベーキングする工程
を備えているため、プリベーキング工程又は露光後ベー
キング工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を
発生させることができるので、レジスト膜における半導
体基板との界面付近において、酸により反応する化合物
の反応をより進行させることができる。
【００３８】請求項７の構成により、半導体基板の上
に、加熱されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤
溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレジ
スト膜を形成するため、半導体基板を加熱してプリベー
キングする際に酸発生剤溶液の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
に、加熱されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤
溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレジ
スト膜を形成するため、半導体基板を加熱してプリベー
キングする際に酸発生剤溶液の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
【００３９】請求項８の構成により、半導体基板の上
に、加熱されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤
溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレジ
スト膜を形成するため、半導体基板を加熱して露光後ベ
ーキングする際に酸発生剤溶液の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
に、加熱されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤
溶液を供給した後に化学増幅型レジストを塗布してレジ
スト膜を形成するため、半導体基板を加熱して露光後ベ
ーキングする際に酸発生剤溶液の酸発生剤から酸が発生
し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生し
た酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した酸の両方
が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する
化合物の反応に寄与する。
【００４０】請求項９の構成により、第１の工程と第２
の工程との間に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の
酸発生剤から酸を発生させる工程を備えているため、レ
ジスト膜における半導体基板との界面付近には予め酸が
存在している。
の工程との間に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の
酸発生剤から酸を発生させる工程を備えているため、レ
ジスト膜における半導体基板との界面付近には予め酸が
存在している。
【００４１】請求項１０の構成により、第１の工程にお
ける酸発生溶液は酸性化合物を含んでいるため、レジス
ト膜における半導体基板との界面付近には予め酸が存在
している。
ける酸発生溶液は酸性化合物を含んでいるため、レジス
ト膜における半導体基板との界面付近には予め酸が存在
している。
【００４２】請求項１１の構成により、第１の工程にお
ける半導体基板は、その表面に塩基性の膜が形成されて
いるため、半導体基板表面が中和されるか又は半導体基
板表面の塩基性が弱められる。
ける半導体基板は、その表面に塩基性の膜が形成されて
いるため、半導体基板表面が中和されるか又は半導体基
板表面の塩基性が弱められる。
【００４３】請求項１２の構成により、表面が塩基性で
ある半導体基板の表面に酸性溶液を供給し、次に、半導
体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発
生剤を含む酸発生剤溶液を供給した後に化学増幅型レジ
ストを塗布してレジスト膜を形成するため、酸性溶液に
より中和されるか又は塩基性が弱められた半導体基板表
面にレジスト膜が形成される。また、半導体基板の上
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤を含む
酸発生剤溶液を供給した後にレジスト膜を形成するた
め、該レジスト膜に放射線を照射すると、酸発生剤溶液
の酸発生剤から酸が発生し、化学増幅型レジストに含ま
れる酸発生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生
剤から発生した酸の両方が、化学増幅型レジストに含ま
れる、酸により反応する化合物の反応に寄与する。
ある半導体基板の表面に酸性溶液を供給し、次に、半導
体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発
生剤を含む酸発生剤溶液を供給した後に化学増幅型レジ
ストを塗布してレジスト膜を形成するため、酸性溶液に
より中和されるか又は塩基性が弱められた半導体基板表
面にレジスト膜が形成される。また、半導体基板の上
に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤を含む
酸発生剤溶液を供給した後にレジスト膜を形成するた
め、該レジスト膜に放射線を照射すると、酸発生剤溶液
の酸発生剤から酸が発生し、化学増幅型レジストに含ま
れる酸発生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生
剤から発生した酸の両方が、化学増幅型レジストに含ま
れる、酸により反応する化合物の反応に寄与する。
【００４４】請求項１３の構成により、第２工程の酸発
生剤は加熱されると酸を発生する性質を有し、第３の工
程と第４の工程との間又は第４の工程と第５の工程との
間に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の酸発生剤か
ら酸を発生させると共にレジスト膜をベーキングする工
程を備えているため、プリベーキング工程又は露光後ベ
ーキング工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸
を発生させることができるので、レジスト膜における半
導体基板との界面付近において、酸により反応する化合
物の反応をより進行させることができる。
生剤は加熱されると酸を発生する性質を有し、第３の工
程と第４の工程との間又は第４の工程と第５の工程との
間に、半導体基板を加熱して酸発生剤溶液の酸発生剤か
ら酸を発生させると共にレジスト膜をベーキングする工
程を備えているため、プリベーキング工程又は露光後ベ
ーキング工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸
を発生させることができるので、レジスト膜における半
導体基板との界面付近において、酸により反応する化合
物の反応をより進行させることができる。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る微細パターン
形成方法について、図面を参照しながら説明する。
形成方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４６】（実施例１）以下、本発明の第１実施例に
係る微細パターン形成方法を図１（ａ）〜（ｅ）を参照
しながら説明する。第１実施例は、表面に被加工膜であ
るＴｉＮ膜２を有する半導体基板１の上に微細パターン
を形成する方法を示すものである。
係る微細パターン形成方法を図１（ａ）〜（ｅ）を参照
しながら説明する。第１実施例は、表面に被加工膜であ
るＴｉＮ膜２を有する半導体基板１の上に微細パターン
を形成する方法を示すものである。
【００４７】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１の表面にＴｉＮ膜２を形成する。ＴｉＮ膜２におい
ては窒素原子の孤立電子対が多いと共に表面のアンモニ
ア濃度が高いため、ＴｉＮ膜２の表面は塩基性である。
すなわち、ＴｉＮ膜２の表面には塩基３が存在してい
る。
板１の表面にＴｉＮ膜２を形成する。ＴｉＮ膜２におい
ては窒素原子の孤立電子対が多いと共に表面のアンモニ
ア濃度が高いため、ＴｉＮ膜２の表面は塩基性である。
すなわち、ＴｉＮ膜２の表面には塩基３が存在してい
る。
【００４８】次に、ジクロロ酢酸を乳酸エチルに溶解さ
せて、２０重量％のジクロロ酢酸溶液よりなる酸性溶液
を準備し、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１の上
に前記の酸性溶液を滴下して半導体基板１の表面全体を
酸性溶液２に浸積させ、この状態で２０秒間放置する。
その後、酸性溶液２に対してスピン乾燥を行なうと、Ｔ
ｉＮ膜２表面の塩基３が酸性溶液７中の酸８により中和
されるので、表面が中和されたＴｉＮ膜２を得ることが
できる。
せて、２０重量％のジクロロ酢酸溶液よりなる酸性溶液
を準備し、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１の上
に前記の酸性溶液を滴下して半導体基板１の表面全体を
酸性溶液２に浸積させ、この状態で２０秒間放置する。
その後、酸性溶液２に対してスピン乾燥を行なうと、Ｔ
ｉＮ膜２表面の塩基３が酸性溶液７中の酸８により中和
されるので、表面が中和されたＴｉＮ膜２を得ることが
できる。
【００４９】次に、図１（ｃ）に示すように、ＴｉＮ膜
２上に例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）という二
成分系のポジ型の化学増幅型レジスト４をスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜４を形成する。
２上に例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）という二
成分系のポジ型の化学増幅型レジスト４をスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜４を形成する。
【００５０】次に、図１（ｄ）に示すように、マスク５
を用いてＫｒＦエキシマレーザ９による露光を行なった
後、１００℃の温度下で９０秒間の露光後ベーキングを
行なう。この露光後ベーキングにより、露光部のレジス
ト膜４中で、化学増幅型レジスト中のポリマーの酸によ
る分解反応が進行する。すなわち、化学増幅型レジスト
に含まれる、酸により分解する性質を有する化合物の分
解反応が進行する。その後、有機アルカリ水溶液により
６０秒間の現像を行なうと、図１（ｅ）に示すように、
裾ひきのない良好なレジストパターン６を得ることがで
きた。
を用いてＫｒＦエキシマレーザ９による露光を行なった
後、１００℃の温度下で９０秒間の露光後ベーキングを
行なう。この露光後ベーキングにより、露光部のレジス
ト膜４中で、化学増幅型レジスト中のポリマーの酸によ
る分解反応が進行する。すなわち、化学増幅型レジスト
に含まれる、酸により分解する性質を有する化合物の分
解反応が進行する。その後、有機アルカリ水溶液により
６０秒間の現像を行なうと、図１（ｅ）に示すように、
裾ひきのない良好なレジストパターン６を得ることがで
きた。
【００５１】以上のように、第１実施例によると、化学
増幅型レジスト４を塗布する前に、表面が塩基性を示す
半導体基板１を酸性溶液７に浸漬し、該酸性溶液７を乾
燥することにより、半導体基板１の塩基性の表面を中和
しているので、裾ひきのない良好なレジストパターン６
を形成することができる。
増幅型レジスト４を塗布する前に、表面が塩基性を示す
半導体基板１を酸性溶液７に浸漬し、該酸性溶液７を乾
燥することにより、半導体基板１の塩基性の表面を中和
しているので、裾ひきのない良好なレジストパターン６
を形成することができる。
【００５２】（実施例２〜８）第１実施例の酸性溶液に
代えて［表１］に示す酸性溶液を調整し、第１実施例１
と同様にして、半導体基板１表面を中和処理してパター
ン形成を行なった。
代えて［表１］に示す酸性溶液を調整し、第１実施例１
と同様にして、半導体基板１表面を中和処理してパター
ン形成を行なった。
【００５３】
【表１】
【００５４】その結果、各実施例において、第１実施例
と同様に、裾ひきのない良好なパターンを形成すること
ができた。
と同様に、裾ひきのない良好なパターンを形成すること
ができた。
【００５５】（実施例９）以下、本発明の第９実施例に
係る微細パターン形成方法について図２（ａ）〜（ｅ）
を参照しながら説明する。第９実施例は、表面に塩基性
の被加工膜を有しない半導体基板１の上に微細パターン
を形成する方法を示すものである。
係る微細パターン形成方法について図２（ａ）〜（ｅ）
を参照しながら説明する。第９実施例は、表面に塩基性
の被加工膜を有しない半導体基板１の上に微細パターン
を形成する方法を示すものである。
【００５６】まず、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートにジフェニルジスルホンを５重量％溶
解させて、溶液中に酸発生剤１１を含むジスルホン溶液
よりなる酸発生剤溶液を得る。次に、該酸発生剤溶液を
最表面がＳｉである半導体基板１上に滴下して、図２
（ａ）に示すように、半導体基板１の表面全体を酸発生
剤溶液１０に浸積させた後、該酸発生剤溶液１０に対し
てスピン乾燥を行なう。このようにすると、図２（ｂ）
に示すように、半導体基板１の表面に酸発生剤溶液１０
中のジフェニルジスルホンよりなる酸発生剤１１の一部
が残る。
ーテルアセテートにジフェニルジスルホンを５重量％溶
解させて、溶液中に酸発生剤１１を含むジスルホン溶液
よりなる酸発生剤溶液を得る。次に、該酸発生剤溶液を
最表面がＳｉである半導体基板１上に滴下して、図２
（ａ）に示すように、半導体基板１の表面全体を酸発生
剤溶液１０に浸積させた後、該酸発生剤溶液１０に対し
てスピン乾燥を行なう。このようにすると、図２（ｂ）
に示すように、半導体基板１の表面に酸発生剤溶液１０
中のジフェニルジスルホンよりなる酸発生剤１１の一部
が残る。
【００５７】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１上に、例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）とい
う二成分系のポジ型の化学増幅型レジストをスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜４を形成する。このようにすると、半導
体基板１の表面においてのみ酸発生剤１１の濃度が高い
レジスト膜４が得られる。
板１上に、例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）とい
う二成分系のポジ型の化学増幅型レジストをスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜４を形成する。このようにすると、半導
体基板１の表面においてのみ酸発生剤１１の濃度が高い
レジスト膜４が得られる。
【００５８】次いで、図２（ｄ）に示すように、レジス
ト膜４に対して、マスク５を用いてＫｒＦエキシマレー
ザ９による露光を行なうと、露光部において、レジスト
膜４中に含まれる酸発生剤から酸が発生すると同時に、
酸発生剤１１から酸が発生する。この後、１００℃の温
度下で９０秒間の露光後ベーキングを行なう。この露光
後ベーキングにより化学増幅型レジスト４のポリマーの
酸による分解反応が進行する。すなわち、化学増幅型レ
ジストに含まれる、酸により分解する性質を有する化合
物の分解反応が進行する。その後、ＴＭＡＨ：２．３８
％の現像液により６０秒間の現像を行なうと、図２
（ｅ）に示すように、裾ひきのない良好なレジストパタ
ーン６を得ることができた。
ト膜４に対して、マスク５を用いてＫｒＦエキシマレー
ザ９による露光を行なうと、露光部において、レジスト
膜４中に含まれる酸発生剤から酸が発生すると同時に、
酸発生剤１１から酸が発生する。この後、１００℃の温
度下で９０秒間の露光後ベーキングを行なう。この露光
後ベーキングにより化学増幅型レジスト４のポリマーの
酸による分解反応が進行する。すなわち、化学増幅型レ
ジストに含まれる、酸により分解する性質を有する化合
物の分解反応が進行する。その後、ＴＭＡＨ：２．３８
％の現像液により６０秒間の現像を行なうと、図２
（ｅ）に示すように、裾ひきのない良好なレジストパタ
ーン６を得ることができた。
【００５９】以上のように、第９実施例によると、化学
増幅型レジスト４を塗布してレジスト膜４を形成する前
に、半導体基板１の表面を酸発生剤を含む溶液により処
理しているので、裾ひきのない良好なレジストパターン
６を形成することができる。
増幅型レジスト４を塗布してレジスト膜４を形成する前
に、半導体基板１の表面を酸発生剤を含む溶液により処
理しているので、裾ひきのない良好なレジストパターン
６を形成することができる。
【００６０】（実施例１０〜１５）第９実施例の酸発生
剤に代えて、［表２］に示す酸発生剤溶液を調整し、第
９実施例と同様にしてパターン形成を行なった。
剤に代えて、［表２］に示す酸発生剤溶液を調整し、第
９実施例と同様にしてパターン形成を行なった。
【００６１】
【表２】
【００６２】この結果、各５実施例において、第９実施
例と同様に、裾ひきも食い込みもない良好なパターンを
形成することができた。
例と同様に、裾ひきも食い込みもない良好なパターンを
形成することができた。
【００６３】（実施例１６）以下、本発明の第１６実施
例に係る微細パターン形成方法について図３（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
例に係る微細パターン形成方法について図３（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６４】第１６実施例は、第１実施例と同様、表面
に被加工膜であるＴｉＮ膜２を有する半導体基板１の上
に微細パターンを形成する方法を示すものである。
に被加工膜であるＴｉＮ膜２を有する半導体基板１の上
に微細パターンを形成する方法を示すものである。
【００６５】第１実施例と同様にして、半導体基板１の
表面にＴｉＮ膜２を形成すると、このＴｉＮ膜２の表面
は塩基性であり、塩基３が存在している。
表面にＴｉＮ膜２を形成すると、このＴｉＮ膜２の表面
は塩基性であり、塩基３が存在している。
【００６６】次に、第９実施例と同様、プロピオングリ
コールモノメチルエーテルアセテートにジフェニルジス
ルホンを５％溶解させて、溶液中に酸発生剤１１を含む
ジスルホン溶液よりなる酸発生剤溶液１０を得る。この
酸発生剤溶液１０を容器１２内に貯溜すると共に液供給
用パイプ１３を通ってＴｉＮ膜２の上に滴下させる。液
供給用パイプ１３の途中には液溜まり部１４が設けられ
ており、該液溜まり部１４には遠紫外線が照射される。
これにより、酸発生剤溶液１０中の酸発生剤から酸８が
発生し、酸８を含む酸性溶液７がＴｉＮ膜２の表面に供
給される。
コールモノメチルエーテルアセテートにジフェニルジス
ルホンを５％溶解させて、溶液中に酸発生剤１１を含む
ジスルホン溶液よりなる酸発生剤溶液１０を得る。この
酸発生剤溶液１０を容器１２内に貯溜すると共に液供給
用パイプ１３を通ってＴｉＮ膜２の上に滴下させる。液
供給用パイプ１３の途中には液溜まり部１４が設けられ
ており、該液溜まり部１４には遠紫外線が照射される。
これにより、酸発生剤溶液１０中の酸発生剤から酸８が
発生し、酸８を含む酸性溶液７がＴｉＮ膜２の表面に供
給される。
【００６７】半導体基板１上に酸性溶液７を滴下して半
導体基板１の表面全体を酸性溶液７に浸漬させた後、該
酸性溶液７をスピン乾燥させる。このようにすると、Ｔ
ｉＮ膜２中の塩基３が酸性溶液７中の酸８と反応して中
和されるので、図３（ｂ）に示すような、表面が中和さ
れたＴｉＮ膜２を得ることができる。
導体基板１の表面全体を酸性溶液７に浸漬させた後、該
酸性溶液７をスピン乾燥させる。このようにすると、Ｔ
ｉＮ膜２中の塩基３が酸性溶液７中の酸８と反応して中
和されるので、図３（ｂ）に示すような、表面が中和さ
れたＴｉＮ膜２を得ることができる。
【００６８】次に、第１実施例と同様にして、ＴｉＮ膜
２上に、例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）という
二成分系のポジ型の化学増幅型レジストをスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜に対し
てＫｒＦエキシマレーザによる露光を行なった後、１０
０℃の温度下で９０秒間の露光後ベーキングを行なう。
この露光後ベーキングにより、化学増幅型レジスト中の
ポリマーの酸による分解反応が進行する。その後、有機
アルカリ水溶液により現像を行なうと、裾ひきのない良
好なレジストパターンを得ることができた。
２上に、例えばＷＫＲ−ＰＴ−２（和光純薬製）という
二成分系のポジ型の化学増幅型レジストをスピン塗布
し、９０℃の温度下で９０秒間のプリベーキングを行な
ってレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜に対し
てＫｒＦエキシマレーザによる露光を行なった後、１０
０℃の温度下で９０秒間の露光後ベーキングを行なう。
この露光後ベーキングにより、化学増幅型レジスト中の
ポリマーの酸による分解反応が進行する。その後、有機
アルカリ水溶液により現像を行なうと、裾ひきのない良
好なレジストパターンを得ることができた。
【００６９】以上のように、第１６実施例によると、酸
発生剤溶液１０に遠紫外線を照射して酸を発生させて酸
性溶液７を得た後、半導体基板１を酸性溶液７に浸漬し
て中和させるので、半導体基板１の表面の塩基性の影響
を受けることなく、裾ひきのない良好なパターンを形成
することができる。
発生剤溶液１０に遠紫外線を照射して酸を発生させて酸
性溶液７を得た後、半導体基板１を酸性溶液７に浸漬し
て中和させるので、半導体基板１の表面の塩基性の影響
を受けることなく、裾ひきのない良好なパターンを形成
することができる。
【００７０】（実施例１７〜２２）第１６実施例の酸発
生剤に代えて、［表２］に示す溶液を調整し、第１６実
施例と同様にしてパターン形成を行なったところ、各実
施例において、第１６実施例と同様、裾ひきのない良好
なパターンを形成することができた。
生剤に代えて、［表２］に示す溶液を調整し、第１６実
施例と同様にしてパターン形成を行なったところ、各実
施例において、第１６実施例と同様、裾ひきのない良好
なパターンを形成することができた。
【００７１】尚、前記第１〜第８実施例、及び第１６〜
第２２実施例においては、ＴｉＮ膜を最表面とする場合
について説明したが、その他の無機膜又は有機膜などが
表面に形成され、表面が塩基性を示す半導体基板であれ
ば、本発明を適応することができる。
第２２実施例においては、ＴｉＮ膜を最表面とする場合
について説明したが、その他の無機膜又は有機膜などが
表面に形成され、表面が塩基性を示す半導体基板であれ
ば、本発明を適応することができる。
【００７２】表面が塩基性を示さない半導体基板であっ
ても、クリーンルーム環境中の微量な不純物によって半
導体基板の表面が汚染されている場合には、本発明を適
応することができ、レジストパターンにおける裾ひき又
は食い込みを確実に防止することができる。
ても、クリーンルーム環境中の微量な不純物によって半
導体基板の表面が汚染されている場合には、本発明を適
応することができ、レジストパターンにおける裾ひき又
は食い込みを確実に防止することができる。
【００７３】また、前記第１〜第２２実施例において
は、半導体基板の表面が塩基性の場合には酸性溶液を供
給し、半導体基板の表面が塩基性を示さない場合には酸
発生剤溶液を供給したが、これらに限られるものではな
い。もっとも、半導体基板の表面が塩基性の場合には酸
性溶液を供給して予め半導体基板の表面全体を中和して
おくことが好ましい。また、半導体基板の表面が塩基性
を示さない場合には、酸発生剤溶液を供給して露光され
た部分のみに酸を発生させる方が、酸により化学増幅型
レジストが悪影響を受けることが無いので好ましい。
は、半導体基板の表面が塩基性の場合には酸性溶液を供
給し、半導体基板の表面が塩基性を示さない場合には酸
発生剤溶液を供給したが、これらに限られるものではな
い。もっとも、半導体基板の表面が塩基性の場合には酸
性溶液を供給して予め半導体基板の表面全体を中和して
おくことが好ましい。また、半導体基板の表面が塩基性
を示さない場合には、酸発生剤溶液を供給して露光され
た部分のみに酸を発生させる方が、酸により化学増幅型
レジストが悪影響を受けることが無いので好ましい。
【００７４】さらに、第１〜第２２実施例においては、
化学増幅型レジストとして、二成分系化学増幅型ポジレ
ジストであるＷＫＲ−ＰＴ−２を用いたが、酸触媒反応
により溶解性が変化するタイプの化学増幅型レジストで
あれば、その他の二成分系ポジ型レジスト（例えば、Ｏ
ＣＧ社製ＣＡＭＰ６）、三成分系ポジ型レジスト（例え
ば、Ｈｏｅｃｈｓｔ社製ＤＸ４６）又はネガ型レジスト
（例えば、Ｓｈｉｐｌｅｙ社製ＸＰ８８４３）を用いて
も同様の効果を得ることができる。
化学増幅型レジストとして、二成分系化学増幅型ポジレ
ジストであるＷＫＲ−ＰＴ−２を用いたが、酸触媒反応
により溶解性が変化するタイプの化学増幅型レジストで
あれば、その他の二成分系ポジ型レジスト（例えば、Ｏ
ＣＧ社製ＣＡＭＰ６）、三成分系ポジ型レジスト（例え
ば、Ｈｏｅｃｈｓｔ社製ＤＸ４６）又はネガ型レジスト
（例えば、Ｓｈｉｐｌｅｙ社製ＸＰ８８４３）を用いて
も同様の効果を得ることができる。
【００７５】
【発明の効果】請求項１の発明に係る微細パターン形成
方法によると、レジスト膜における半導体基板との界面
付近において、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤
から発生した酸及び酸性溶液に含まれる酸の両方が、化
学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する化合物
の反応に寄与し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生
剤から発生した酸の失活を防止するため、酸により反応
する化合物の反応はレジスト膜における他の部位と同程
度に進行するので、裾ひき又は食い込みのない垂直な断
面を有する良好なパターンを形成することができる。
方法によると、レジスト膜における半導体基板との界面
付近において、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤
から発生した酸及び酸性溶液に含まれる酸の両方が、化
学増幅型レジストに含まれる、酸により反応する化合物
の反応に寄与し、化学増幅型レジストに含まれる酸発生
剤から発生した酸の失活を防止するため、酸により反応
する化合物の反応はレジスト膜における他の部位と同程
度に進行するので、裾ひき又は食い込みのない垂直な断
面を有する良好なパターンを形成することができる。
【００７６】請求項２の発明に係る微細パターン形成方
法によると、酸発生剤溶液を酸性溶液に変化させながら
該酸性溶液を半導体基板上に供給できるので、半導体基
板上に簡易且つ確実に酸性溶液を供給することができ
る。
法によると、酸発生剤溶液を酸性溶液に変化させながら
該酸性溶液を半導体基板上に供給できるので、半導体基
板上に簡易且つ確実に酸性溶液を供給することができ
る。
【００７７】請求項４の発明に係る微細パターン形成方
法によると、レジスト膜に放射線を照射すると酸発生剤
溶液の酸発生剤から酸が発生し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸
発生剤から発生した酸の両方が、化学増幅型レジストに
含まれる、酸により反応する化合物の反応に寄与し、化
学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生した酸の
失活を防止するので、請求項１の発明と同様、裾ひき又
は食い込みのない垂直な断面を有する良好なパターンを
形成することができる。
法によると、レジスト膜に放射線を照射すると酸発生剤
溶液の酸発生剤から酸が発生し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸
発生剤から発生した酸の両方が、化学増幅型レジストに
含まれる、酸により反応する化合物の反応に寄与し、化
学増幅型レジストに含まれる酸発生剤から発生した酸の
失活を防止するので、請求項１の発明と同様、裾ひき又
は食い込みのない垂直な断面を有する良好なパターンを
形成することができる。
【００７８】請求項５の発明に係る微細パターン形成方
法によると、レジスト膜における半導体基板との界面付
近には予め酸が存在しているため、酸性溶液により中和
されるか又は塩基性が弱められた半導体基板の表面にレ
ジスト膜を形成することができるので、レジスト膜にお
ける半導体基板との界面付近において、酸により反応す
る化合物の反応をより進行させることができる。
法によると、レジスト膜における半導体基板との界面付
近には予め酸が存在しているため、酸性溶液により中和
されるか又は塩基性が弱められた半導体基板の表面にレ
ジスト膜を形成することができるので、レジスト膜にお
ける半導体基板との界面付近において、酸により反応す
る化合物の反応をより進行させることができる。
【００７９】請求項６の発明に係る微細パターン形成方
法によると、プリベーキング工程又は露光後ベーキング
工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生さ
せることができるので、レジスト膜における半導体基板
との界面付近において、酸により反応する化合物の反応
をより進行させることができる。この場合、プリベーキ
ング工程又は露光後ベーキング工程において酸発生剤溶
液の酸発生剤を加熱することができるので、該酸発生剤
を加熱する工程を特に設ける必要がない。
法によると、プリベーキング工程又は露光後ベーキング
工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生さ
せることができるので、レジスト膜における半導体基板
との界面付近において、酸により反応する化合物の反応
をより進行させることができる。この場合、プリベーキ
ング工程又は露光後ベーキング工程において酸発生剤溶
液の酸発生剤を加熱することができるので、該酸発生剤
を加熱する工程を特に設ける必要がない。
【００８０】請求項７の発明に係る微細パターン形成方
法によると、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した
酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により
反応する化合物の反応に寄与し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸の失活を防止するの
で、請求項１の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない
垂直な断面を有する良好なパターンを形成することがで
きる。
法によると、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した
酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により
反応する化合物の反応に寄与し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸の失活を防止するの
で、請求項１の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない
垂直な断面を有する良好なパターンを形成することがで
きる。
【００８１】請求項８の発明に係る微細パターン形成方
法によると、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した
酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により
反応する化合物の反応に寄与し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸の失活を防止するの
で、請求項１の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない
垂直な断面を有する良好なパターンを形成することがで
きる。
法によると、化学増幅型レジストに含まれる酸発生剤か
ら発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発生した
酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸により
反応する化合物の反応に寄与し、化学増幅型レジストに
含まれる酸発生剤から発生した酸の失活を防止するの
で、請求項１の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない
垂直な断面を有する良好なパターンを形成することがで
きる。
【００８２】請求項９又は１０の発明に係る微細パター
ン形成方法によると、レジスト膜における半導体基板と
の界面付近には予め酸が存在しているため、酸性溶液に
より中和されるか又は塩基性が弱められた半導体基板の
表面にレジスト膜を形成することができるので、レジス
ト膜における半導体基板との界面付近において、酸によ
り反応する化合物の反応をより進行させることができ
る。
ン形成方法によると、レジスト膜における半導体基板と
の界面付近には予め酸が存在しているため、酸性溶液に
より中和されるか又は塩基性が弱められた半導体基板の
表面にレジスト膜を形成することができるので、レジス
ト膜における半導体基板との界面付近において、酸によ
り反応する化合物の反応をより進行させることができ
る。
【００８３】請求項１１の発明に係る微細パターン形成
方法によると、半導体基板の表面が塩基性である場合で
も、塩基性は中和されるか弱められるため、裾ひき又は
食い込みのない垂直な断面を有する良好なパターンを形
成することができる。
方法によると、半導体基板の表面が塩基性である場合で
も、塩基性は中和されるか弱められるため、裾ひき又は
食い込みのない垂直な断面を有する良好なパターンを形
成することができる。
【００８４】請求項１２の発明に係る微細パターン形成
方法によると、酸性溶液により中和されるか又は塩基性
が弱められた半導体基板の表面にレジスト膜を形成する
ことができ、また、化学増幅型レジストに含まれる酸発
生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発
生した酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸
により反応する化合物の反応に寄与するので、請求項１
の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない垂直な断面を
有する良好なパターンを形成することができる。
方法によると、酸性溶液により中和されるか又は塩基性
が弱められた半導体基板の表面にレジスト膜を形成する
ことができ、また、化学増幅型レジストに含まれる酸発
生剤から発生した酸及び酸発生剤溶液の酸発生剤から発
生した酸の両方が、化学増幅型レジストに含まれる、酸
により反応する化合物の反応に寄与するので、請求項１
の発明と同様、裾ひき又は食い込みのない垂直な断面を
有する良好なパターンを形成することができる。
【００８５】請求項１３の発明に係る微細パターン形成
方法によると、プリベーキング工程又は露光後ベーキン
グ工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生
させることができるので、レジスト膜における半導体基
板との界面付近において、酸により反応する化合物の反
応をより進行させることができる。この場合、プリベー
キング工程又は露光後ベーキング工程において酸発生剤
溶液の酸発生剤を加熱することができるので、該酸発生
剤を加熱する工程を特に設ける必要がない。
方法によると、プリベーキング工程又は露光後ベーキン
グ工程においても酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生
させることができるので、レジスト膜における半導体基
板との界面付近において、酸により反応する化合物の反
応をより進行させることができる。この場合、プリベー
キング工程又は露光後ベーキング工程において酸発生剤
溶液の酸発生剤を加熱することができるので、該酸発生
剤を加熱する工程を特に設ける必要がない。
【００８６】以上のように、本発明に係る微細パターン
の形成方法は、レジスト膜の下に膜を形成する方法と異
なり、従来の塗布装置により行なうことができるため、
プロセス上の負担が少なく低コストを実現できるので、
工業的価値が大きい。
の形成方法は、レジスト膜の下に膜を形成する方法と異
なり、従来の塗布装置により行なうことができるため、
プロセス上の負担が少なく低コストを実現できるので、
工業的価値が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１〜第８実施例に係る微細パターン
形成方法の各工程を示す断面図である。
形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第９〜第１５実施例に係る微細パター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第１６〜第２２実施例に係る微細パタ
ーン形成方法の各工程を示す断面図である。
ーン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図４】従来の微細パターン形成方法の各工程を示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体基板 ２ ＴｉＮ膜 ３ 塩基 ４ レジスト膜 ５ マスク ６ レジストパターン ７ 酸性溶液 ８ 酸 ９ ＫｒＦエキシマレーザ光 １０ 酸発生剤溶液 １１ 酸発生剤 １２ 容器 １３ 液供給用パイプ １４ 液溜まり部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６３ 7352−4Ｍ ５６８
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体基板の上に酸性溶液を供給する第
１の工程と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第２の工
程と、 前記レジスト膜に放射線を照射して露光する第３の工程
と、 露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する第４の工程とを備えていることを特徴とする微細
パターン形成方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程は、放射線が照射される
か又は加熱されると酸を発生する酸発生剤を含む酸発生
剤溶液に対して放射線を照射するか又は加熱して前記酸
発生剤から酸を発生させることにより前記酸発生剤溶液
を酸性溶液に変化させながら該酸性溶液を前記半導体基
板上に供給する工程を含むことを特徴とする請求項１に
記載の微細パターン形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程における酸性溶液は、有
機カルボン酸、有機カルボン酸無水物、有機ジカルボン
酸及び有機スルホン酸のうちの少なくとも１つを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の微細パターン形成方
法。 - 【請求項４】 半導体基板の上に、放射線が照射される
と酸を発生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する
第１の工程と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第２の工
程と、 前記レジスト膜に放射線を照射することにより、前記酸
発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レ
ジスト膜を露光する第３の工程と、 露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する第４の工程とを備えていることを特徴とする微細
パターン形成方法。 - 【請求項５】 前記第１の工程と前記第２の工程との間
に、前記酸発生剤溶液の酸発生剤に放射線を照射するこ
とにより該酸発生剤から酸を発生させる工程をさらに備
えていることを特徴とする請求項４に記載の微細パター
ン形成方法。 - 【請求項６】 前記第１の工程における酸発生剤は加熱
されると酸を発生する性質を有し、 前記第２の工程と前記第３の工程との間又は前記第３の
工程と前記第４の工程との間に、前記半導体基板を加熱
することにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を
発生させると共に前記レジスト膜をベーキングする工程
をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載の
微細パターン形成方法。 - 【請求項７】 半導体基板の上に、加熱されると酸を発
生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第１の工
程と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第２の工
程と、 前記半導体基板を加熱することにより、前記酸発生剤溶
液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジスト膜
をベーキングする第３の工程と、 ベーキングされたレジスト膜に放射線を照射して露光す
る第４の工程と、 露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する第５の工程とを備えていることを特徴とする微細
パターン形成方法。 - 【請求項８】 半導体基板の上に、加熱されると酸を発
生する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第１の工
程と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第２の工
程と、 前記レジスト膜に対して放射線を照射して露光する第３
の工程と、 前記半導体基板を加熱することにより、前記酸発生剤溶
液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レジスト膜
をベーキングする第４の工程と、 ベーキングされたレジスト膜を現像してレジストパター
ンを形成する第５の工程とを備えていることを特徴とす
る微細パターン形成方法。 - 【請求項９】 前記第１の工程と前記第２の工程との間
に、前記半導体基板を加熱することにより前記酸発生剤
溶液の酸発生剤から酸を発生させる工程をさらに備えて
いることを特徴とする請求項７又は８に記載の微細パタ
ーン形成方法。 - 【請求項１０】 前記第１の工程における酸発生剤溶液
は酸性化合物をさらに含んでいることを特徴とする請求
項４、７又は８に記載の微細パターン形成方法。 - 【請求項１１】 前記第１の工程における半導体基板
は、その表面に塩基性の膜が形成されていることを特徴
とする請求項１、４、７又は８に記載の微細パターン形
成方法。 - 【請求項１２】 表面が塩基性である半導体基板の表面
に酸性溶液を供給する第１の工程と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤を含む酸発生剤溶液を供給する第２の工程
と、 前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生
する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第３の工
程と、 前記レジスト膜に放射線を照射することにより、前記酸
発生剤溶液の酸発生剤から酸を発生させると共に前記レ
ジスト膜を露光する第４の工程と、 露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形
成する第５の工程とを備えていることを特徴とする微細
パターン形成方法。 - 【請求項１３】 前記第２の工程における酸発生剤は加
熱されると酸を発生する性質を有し、 前記第３の工程と前記第４の工程との間又は前記第４の
工程と前記第５の工程との間に、前記半導体基板を加熱
することにより、前記酸発生剤溶液の酸発生剤から酸を
発生させると共に前記レジスト膜をベーキングする工程
をさらに備えていることを特徴とする請求項１２に記載
の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005768A JP2980821B2 (ja) | 1994-01-18 | 1995-01-18 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-3463 | 1994-01-18 | ||
| JP346394 | 1994-01-18 | ||
| JP7005768A JP2980821B2 (ja) | 1994-01-18 | 1995-01-18 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249572A true JPH07249572A (ja) | 1995-09-26 |
| JP2980821B2 JP2980821B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=26337045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7005768A Expired - Fee Related JP2980821B2 (ja) | 1994-01-18 | 1995-01-18 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980821B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5846692A (en) * | 1995-12-04 | 1998-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| US6750149B2 (en) | 1998-06-12 | 2004-06-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing electronic device |
| KR100437614B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-06-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| JP2005005602A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表面処理方法及び半導体装置の作製方法 |
| US7504341B2 (en) | 2002-08-22 | 2009-03-17 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of manufacturing a semiconductor apparatus using a substrate processing agent |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP7005768A patent/JP2980821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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