JPH07247339A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置Info
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- JPH07247339A JPH07247339A JP3964294A JP3964294A JPH07247339A JP H07247339 A JPH07247339 A JP H07247339A JP 3964294 A JP3964294 A JP 3964294A JP 3964294 A JP3964294 A JP 3964294A JP H07247339 A JPH07247339 A JP H07247339A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明性、耐熱性、耐湿信頼性、耐熱衝撃信頼
性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及
びそれを用いた光半導体装置を提供する。 【構成】 エポキシ樹脂、ビスフェノール系ノボラック
樹脂硬化剤、硬化促進剤を含有してなる光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物において、分子内に立体障害を持つ
エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用いる。特に、硬化
剤にはビスフェノール系ノボラック樹脂を用い、さらに
分子内に立体障害を持つエポキシ樹脂としては、臭素化
エポキシ樹脂、ビスフェノールフルオレンジグリシジル
エーテル等を用いる。これにより、図１に示すように、
実施例１〜３は、比較例１，２と光透過率をほぼ同じに
保った状態で、架橋密度や、成形収縮、熱膨脹率を低減
できる。
性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及
びそれを用いた光半導体装置を提供する。 【構成】 エポキシ樹脂、ビスフェノール系ノボラック
樹脂硬化剤、硬化促進剤を含有してなる光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物において、分子内に立体障害を持つ
エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用いる。特に、硬化
剤にはビスフェノール系ノボラック樹脂を用い、さらに
分子内に立体障害を持つエポキシ樹脂としては、臭素化
エポキシ樹脂、ビスフェノールフルオレンジグリシジル
エーテル等を用いる。これにより、図１に示すように、
実施例１〜３は、比較例１，２と光透過率をほぼ同じに
保った状態で、架橋密度や、成形収縮、熱膨脹率を低減
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿信頼性並びに耐熱
衝撃信頼性に優れた光半導体装置に適する光半導体素子
封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物
を用いた光半導体装置に関する。
衝撃信頼性に優れた光半導体装置に適する光半導体素子
封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物
を用いた光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光素子、受光素子などの光半導体素子
の封止材料として、透明性、耐熱性、電気特性などに優
れるという観点から、一般にエポキシ樹脂組成物が使用
されている。この際、硬化剤としては透明性、成形性に
優れることから酸無水物が多用されている。
の封止材料として、透明性、耐熱性、電気特性などに優
れるという観点から、一般にエポキシ樹脂組成物が使用
されている。この際、硬化剤としては透明性、成形性に
優れることから酸無水物が多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、硬化剤
として酸無水物を使用した場合、硬化体の耐湿性、耐熱
衝撃性が不十分であった。一方ビスフェノール系ノボラ
ック樹脂を使用した場合、酸無水物硬化系と比較して耐
湿性、耐熱衝撃性が改善されるものの、実用可能なレベ
ルではなかった。
として酸無水物を使用した場合、硬化体の耐湿性、耐熱
衝撃性が不十分であった。一方ビスフェノール系ノボラ
ック樹脂を使用した場合、酸無水物硬化系と比較して耐
湿性、耐熱衝撃性が改善されるものの、実用可能なレベ
ルではなかった。
【０００４】このような問題に対して、特開昭６２−１
２８１６１号公報あるいは特開平３−２４２５５号公報
に開示されているようなポリブダジエン樹脂やシリコー
ン樹脂による変性により硬化体を低応力化し、耐熱衝撃
性を向上する方法が提案されているが、この方法の場合
には、これらの変性により硬化体の着色による光透過率
の低下や、耐熱性の低下、光学ムラの発生等や高コスト
等の問題があった。
２８１６１号公報あるいは特開平３−２４２５５号公報
に開示されているようなポリブダジエン樹脂やシリコー
ン樹脂による変性により硬化体を低応力化し、耐熱衝撃
性を向上する方法が提案されているが、この方法の場合
には、これらの変性により硬化体の着色による光透過率
の低下や、耐熱性の低下、光学ムラの発生等や高コスト
等の問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題に着目
してなされたもので、透明性、耐熱性、耐湿信頼性、耐
熱衝撃信頼性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂
組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装
置を提供することを目的とする。
してなされたもので、透明性、耐熱性、耐湿信頼性、耐
熱衝撃信頼性に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂
組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決するためになされたものであり、その構成は、エポキ
シ樹脂、ビスフェノール系ノボラック樹脂硬化剤、硬化
促進剤を含有してなる光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物において、上記エポキシ樹脂が、分子内に立体障害を
持つエポキシ樹脂を含むことを特徴とする。
決するためになされたものであり、その構成は、エポキ
シ樹脂、ビスフェノール系ノボラック樹脂硬化剤、硬化
促進剤を含有してなる光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物において、上記エポキシ樹脂が、分子内に立体障害を
持つエポキシ樹脂を含むことを特徴とする。
【０００７】すなわち本発明者らは、上記の目的を達成
するため鋭意研究を重ねる中で、硬化体の内部応力が、
エポキシ樹脂組成物の熱硬化による成形収縮や、硬化体
の熱膨脹率が大きいために発生し、これらを低下させる
ことが内部応力の低減に有効であるという着想のもと、
硬化体の架橋密度の低減による成形収縮、熱膨脹率の低
下ついて検討を行った。その結果、硬化剤にビスフェノ
ール系ノボラック樹脂を用い、さらに臭素化エポキシ樹
脂、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル等
分子内に立体障害を持つエポキシ樹脂を用いることによ
り、耐熱性を低下することなく架橋密度を低減でき、成
形収縮、熱膨脹率を低下できることを見い出し、本発明
に到達した。
するため鋭意研究を重ねる中で、硬化体の内部応力が、
エポキシ樹脂組成物の熱硬化による成形収縮や、硬化体
の熱膨脹率が大きいために発生し、これらを低下させる
ことが内部応力の低減に有効であるという着想のもと、
硬化体の架橋密度の低減による成形収縮、熱膨脹率の低
下ついて検討を行った。その結果、硬化剤にビスフェノ
ール系ノボラック樹脂を用い、さらに臭素化エポキシ樹
脂、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル等
分子内に立体障害を持つエポキシ樹脂を用いることによ
り、耐熱性を低下することなく架橋密度を低減でき、成
形収縮、熱膨脹率を低下できることを見い出し、本発明
に到達した。
【０００８】本発明に使用されるエポキシ樹脂として
は、特に制限されないが硬化体の光学特性を考慮して着
色の少ないものが好ましい。たとえばビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイ
ソシアヌレート等の含複素環エポキシ樹脂等が挙げら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。
は、特に制限されないが硬化体の光学特性を考慮して着
色の少ないものが好ましい。たとえばビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイ
ソシアヌレート等の含複素環エポキシ樹脂等が挙げら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。
【０００９】また、分子内に立体障害を持つエポキシ樹
脂としては、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂等の臭素化エポキシ樹脂やビスフェノールフルオレ
ンジグリシジルエーテル等が挙げられ、単独あるいは併
せて用いられる。その使用量は、エポキシ樹脂全体に対
して１０〜７０重量％（以下「％」と略す）、好ましく
は２０〜５０％にする必要がある。使用量が１０％未満
であると成形収縮、熱膨脹率低下の効果が少なく、また
７０％を越えると硬化物の着色による光透過率の低下
や、機械的強度の低下等を招くためである。
脂としては、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂等の臭素化エポキシ樹脂やビスフェノールフルオレ
ンジグリシジルエーテル等が挙げられ、単独あるいは併
せて用いられる。その使用量は、エポキシ樹脂全体に対
して１０〜７０重量％（以下「％」と略す）、好ましく
は２０〜５０％にする必要がある。使用量が１０％未満
であると成形収縮、熱膨脹率低下の効果が少なく、また
７０％を越えると硬化物の着色による光透過率の低下
や、機械的強度の低下等を招くためである。
【００１０】本発明に使用されるビスフェノール系ノボ
ラック樹脂としては、ビスフェノールＡノボラック樹
脂、水添ビスフェノールＡノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦノボラック
樹脂、ビスフェノールＺノボラック樹脂、ビスフェノー
ルＣノボラック樹脂、ビスフェノールフルオレンノボラ
ック樹脂、ビフェノールノボラック樹脂等が挙げられ、
単独であるいは併せて用いられる。
ラック樹脂としては、ビスフェノールＡノボラック樹
脂、水添ビスフェノールＡノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦノボラック
樹脂、ビスフェノールＺノボラック樹脂、ビスフェノー
ルＣノボラック樹脂、ビスフェノールフルオレンノボラ
ック樹脂、ビフェノールノボラック樹脂等が挙げられ、
単独であるいは併せて用いられる。
【００１１】エポキシ樹脂とビスフェノール系ノボラッ
ク樹脂の配合割合は、エポキシ基１．０当量に対してフ
ェノール性水酸基が０．６〜２．０当量、好ましくは
０．８〜１．２当量になるようにするのが好ましい。こ
の範囲を越えた場合、反応が不十分となり硬化体の物性
が低下するためである。
ク樹脂の配合割合は、エポキシ基１．０当量に対してフ
ェノール性水酸基が０．６〜２．０当量、好ましくは
０．８〜１．２当量になるようにするのが好ましい。こ
の範囲を越えた場合、反応が不十分となり硬化体の物性
が低下するためである。
【００１２】本発明に使用される硬化促進剤としては、
従来公知のものでよく、たとえばイミダゾール類、ＤＢ
Ｕおよびその塩、三級アミン、四級アンモニウム塩、四
級ホスホニウム塩等が挙げられる。その使用量は、エポ
キシ樹脂とビスフェノール系ノボラック樹脂との合計量
に対して、０．０５〜１０％、より好ましくは０．１〜
５％にすればよい。
従来公知のものでよく、たとえばイミダゾール類、ＤＢ
Ｕおよびその塩、三級アミン、四級アンモニウム塩、四
級ホスホニウム塩等が挙げられる。その使用量は、エポ
キシ樹脂とビスフェノール系ノボラック樹脂との合計量
に対して、０．０５〜１０％、より好ましくは０．１〜
５％にすればよい。
【００１３】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
上記各成分以外に必要に応じて離型剤、カップリング
剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収
剤、赤外線吸収剤、変性剤、充填材等の従来公知の添加
剤が用いられる。
上記各成分以外に必要に応じて離型剤、カップリング
剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収
剤、赤外線吸収剤、変性剤、充填材等の従来公知の添加
剤が用いられる。
【００１４】
【作用】本発明では、エポキシ樹脂、ビスフェノール系
ノボラック樹脂硬化剤、硬化促進剤を含有してなる光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物において、分子内に立体
障害を持つエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用いたた
め、耐熱性を低下することなく架橋密度が低減され、成
形収縮、熱膨脹率が低下する。
ノボラック樹脂硬化剤、硬化促進剤を含有してなる光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物において、分子内に立体
障害を持つエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用いたた
め、耐熱性を低下することなく架橋密度が低減され、成
形収縮、熱膨脹率が低下する。
【００１５】その際、分子内に立体障害を持つエポキシ
樹脂としては、例えばテトラブロモビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂やビスフェノール
フルオレンジグシジルエーテル等が単独あるいは併せて
用いるようにする。
樹脂としては、例えばテトラブロモビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂やビスフェノール
フルオレンジグシジルエーテル等が単独あるいは併せて
用いるようにする。
【００１６】
【実施例】本発明を実施例によりさらに詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。以下、実
施例１〜３における試験法を下記に示す。 （１）ガラス転移温度、熱膨脹係数 直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの成形品についてＴＭＡ（理
学社製ＴＭＡ−８１４０型）を用い、５℃／分で昇温し
た時の成形品の伸び率が急変する温度をガラス転移温度
とした。また熱膨脹張係数はＴＭＡチャートより算出し
た。 （２）成形収縮率 幅１２．５ｍｍ、長さ１２７．０ｍｍ、厚さ６．０ｍｍ
の金型により成形し、二次硬化後の成形品の長さをマイ
クロメータにより測定し、測定値より算出した。 （３）架橋密度 底辺２ｍｍ×２ｍｍ、高さ２０ｍｍの成形品について、
ＤＶＥ（レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４型）を用い、３℃／
分で昇温した時の動的粘弾性を測定し、測定値より算出
した。 （４）耐湿信頼性試験 上記エポキシ樹脂組成物で封止した評価用ＩＣ（外形寸
法：２０×６．３×２．３ｍｍ、ピン数：１６）をプレ
ッシャークッカ試験（ＰＣＴ、１２１℃／８５％）処理
後導通試験を行い、断線したものを不良品とした。 （５）耐熱衝撃信頼性試験 上記（３）と同様の評価用ＩＣをヒートサイクル（−４
０℃〜１２５℃、各３０分）処理後導通試験を行い、断
線したものを不良品とした。 （６）光透過率 分光光度計（日立製Ｕ−２０００型）を使用し、厚さ２
ｍｍの成形品について波長６００ｎｍにおける光透過率
を測定した。 （７）実施例の１〜３、および比較例１，２の製造 実施例１〜３、および比較例１，２は、次表１に従って
各原料を配合し、８０〜９０℃の熱ロールにて１０〜１
５分間混練後、冷却粉砕し、目的とする粉末状のエポキ
ジ樹脂組成物を得た。
が、本発明はこれに限定されるものではない。以下、実
施例１〜３における試験法を下記に示す。 （１）ガラス転移温度、熱膨脹係数 直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの成形品についてＴＭＡ（理
学社製ＴＭＡ−８１４０型）を用い、５℃／分で昇温し
た時の成形品の伸び率が急変する温度をガラス転移温度
とした。また熱膨脹張係数はＴＭＡチャートより算出し
た。 （２）成形収縮率 幅１２．５ｍｍ、長さ１２７．０ｍｍ、厚さ６．０ｍｍ
の金型により成形し、二次硬化後の成形品の長さをマイ
クロメータにより測定し、測定値より算出した。 （３）架橋密度 底辺２ｍｍ×２ｍｍ、高さ２０ｍｍの成形品について、
ＤＶＥ（レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４型）を用い、３℃／
分で昇温した時の動的粘弾性を測定し、測定値より算出
した。 （４）耐湿信頼性試験 上記エポキシ樹脂組成物で封止した評価用ＩＣ（外形寸
法：２０×６．３×２．３ｍｍ、ピン数：１６）をプレ
ッシャークッカ試験（ＰＣＴ、１２１℃／８５％）処理
後導通試験を行い、断線したものを不良品とした。 （５）耐熱衝撃信頼性試験 上記（３）と同様の評価用ＩＣをヒートサイクル（−４
０℃〜１２５℃、各３０分）処理後導通試験を行い、断
線したものを不良品とした。 （６）光透過率 分光光度計（日立製Ｕ−２０００型）を使用し、厚さ２
ｍｍの成形品について波長６００ｎｍにおける光透過率
を測定した。 （７）実施例の１〜３、および比較例１，２の製造 実施例１〜３、および比較例１，２は、次表１に従って
各原料を配合し、８０〜９０℃の熱ロールにて１０〜１
５分間混練後、冷却粉砕し、目的とする粉末状のエポキ
ジ樹脂組成物を得た。
【００１７】次にこれらの樹脂組成物を各種試験用金型
を用いて成形温度１５０℃でトランスファ成形（成形時
間１〜３分）し、さらに１７０℃で３時間アフタキュア
した。その結果、得られた各種成形品の特性結果も表１
に併せて示す。
を用いて成形温度１５０℃でトランスファ成形（成形時
間１〜３分）し、さらに１７０℃で３時間アフタキュア
した。その結果、得られた各種成形品の特性結果も表１
に併せて示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】＊１：三井石油化学社製 ＊２：日産化学
社製 ＊３：旭化成社製 臭素化エポキシ樹脂 ＊４：
新日鉄化学社製 ビスフェノールフルオレンジグリシジ
ルエーテル ＊５：ビスフェノールＡノボラック樹脂
＊６：新日本理化社製 酸無水物 ＊７：大日本化学社
製 酸無水物 ＊８：四国化成社製 イミダゾール 従って、この試験結果からは、表１に示すように、実施
例１〜３が比較例１〜２と光透過率をほぼ同じ状態に保
持した状態で、耐熱性に優れ、架橋密度や、成形収縮、
熱膨脹率を低下できたことがわかる。また、図１および
図２に、以上の実施例及び比較例によって得られたエポ
キシ樹脂組成物により封止された評価用ＩＣを用いて、
ＰＣＴ試験およびヒートサイクル試験した場合の断線不
良発生経過をそれぞれ示す。
社製 ＊３：旭化成社製 臭素化エポキシ樹脂 ＊４：
新日鉄化学社製 ビスフェノールフルオレンジグリシジ
ルエーテル ＊５：ビスフェノールＡノボラック樹脂
＊６：新日本理化社製 酸無水物 ＊７：大日本化学社
製 酸無水物 ＊８：四国化成社製 イミダゾール 従って、この試験結果からは、表１に示すように、実施
例１〜３が比較例１〜２と光透過率をほぼ同じ状態に保
持した状態で、耐熱性に優れ、架橋密度や、成形収縮、
熱膨脹率を低下できたことがわかる。また、図１および
図２に、以上の実施例及び比較例によって得られたエポ
キシ樹脂組成物により封止された評価用ＩＣを用いて、
ＰＣＴ試験およびヒートサイクル試験した場合の断線不
良発生経過をそれぞれ示す。
【００２０】ＰＣＴ試験の結果からは、図１に示すよう
に、ＰＣＴ放置時間が同一の場合には、実施例１〜３の
ほうが、比較例１，２より、不良発生率が断然低いとい
う結果が得られた。
に、ＰＣＴ放置時間が同一の場合には、実施例１〜３の
ほうが、比較例１，２より、不良発生率が断然低いとい
う結果が得られた。
【００２１】また、ヒートサイクル試験の結果からは、
図２に示すように、ヒートサイクル回数が同一の場合に
は、実施例１〜３のほうが、比較例１，２より、不良発
生率が断然低いという結果が得られた。
図２に示すように、ヒートサイクル回数が同一の場合に
は、実施例１〜３のほうが、比較例１，２より、不良発
生率が断然低いという結果が得られた。
【００２２】従って、本実施例によれば、表１から明ら
かなように、光透過性を劣化することなく、耐熱性に優
れ、架橋密度や、成形収縮、熱膨脹率が小さな光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
かなように、光透過性を劣化することなく、耐熱性に優
れ、架橋密度や、成形収縮、熱膨脹率が小さな光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【００２３】また、このような光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を封止材として光半導体装置を製造すれば、
光透過性を劣化することとなく、図１および図２に示す
ように、耐湿信頼性、耐熱衝撃信頼性に優れた光半導体
装置を提供することができる。
樹脂組成物を封止材として光半導体装置を製造すれば、
光透過性を劣化することとなく、図１および図２に示す
ように、耐湿信頼性、耐熱衝撃信頼性に優れた光半導体
装置を提供することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エポキシ樹脂、ビスフェノール系ノボラック樹脂硬化
剤、硬化促進剤を含有してなる光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物において、分子内に立体障害を持つエポキシ
樹脂を含むエポキシ樹脂を用いたため、光透過性を劣化
することなく、耐熱性に優れ、架橋密度や、成形収縮、
熱膨脹率の小さな光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ることができる。
エポキシ樹脂、ビスフェノール系ノボラック樹脂硬化
剤、硬化促進剤を含有してなる光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物において、分子内に立体障害を持つエポキシ
樹脂を含むエポキシ樹脂を用いたため、光透過性を劣化
することなく、耐熱性に優れ、架橋密度や、成形収縮、
熱膨脹率の小さな光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ることができる。
【００２５】また、このような光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて光半導体装置を製造すれば、耐湿信
頼性、耐熱衝撃信頼性に優れた光半導体装置を提供する
ことができる。
樹脂組成物を用いて光半導体装置を製造すれば、耐湿信
頼性、耐熱衝撃信頼性に優れた光半導体装置を提供する
ことができる。
【図１】実施例および比較例のＰＣＴ試験の結果を示す
説明図。
説明図。
【図２】実施例および比較例のヒートサイクル試験の結
果を示す説明図。
果を示す説明図。
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、ビスフェノール系ノボラ
ック樹脂硬化剤、硬化促進剤を含有してなる光半導体封
止用エポキシ樹脂組成物において、 上記エポキシ樹脂が、分子内に立体障害を持つエポキシ
樹脂を含むことを特徴とする光半導体素子封止用エポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項２】 分子内に立体障害を持つエポキシ樹脂
が、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び
／またはビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテ
ルであることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の光半導体
素子封止用エポキシ樹脂組成物を封止材として用いたこ
とを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3964294A JPH07247339A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3964294A JPH07247339A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07247339A true JPH07247339A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12558749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3964294A Pending JPH07247339A (ja) | 1994-03-10 | 1994-03-10 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07247339A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274000A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Osaka Gas Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびその硬化物 |
| US7604754B2 (en) * | 2006-11-17 | 2009-10-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions for electronic circuitry applications |
| US7745516B2 (en) * | 2005-10-12 | 2010-06-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Composition of polyimide and sterically-hindered hydrophobic epoxy |
| KR20150101932A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지의 제조 방법, 에폭시 수지 조성물, 및 경화물 |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP3964294A patent/JPH07247339A/ja active Pending
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