JPH07237973A - 窒化アルミニウム基板及び回路基板 - Google Patents

窒化アルミニウム基板及び回路基板

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JPH07237973A
JPH07237973A JP6030253A JP3025394A JPH07237973A JP H07237973 A JPH07237973 A JP H07237973A JP 6030253 A JP6030253 A JP 6030253A JP 3025394 A JP3025394 A JP 3025394A JP H07237973 A JPH07237973 A JP H07237973A
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俊之 蔭山
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美幸 中村
Koichi Uchino
紘一 内野
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱サイクル等によって生じる熱応力に対して
十分な耐久性をもった窒化アルミニウム基板とパワーモ
ジュール用回路基板の提供。 【構成】 平均粒径が3〜4.5μm、粒径10μm以
上の粗大粒子が15〜30%であることを特徴とする窒
化アルミニウム基板、及びこの窒化アルミニウム基板の
一方の面に銅回路、他方の面には銅製放熱板が形成され
てなることを特徴とするパワーモジュール用回路基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム基板
及びその基板を用いてなるパワーモジュール用回路基板
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ロボット・モーター等の産業機器
の高性能化に伴い、大電力・高効率インバーターの採用
等モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散するため、パワーモジュール用回路基板では従来よ
り様々な方法がとられてきた。特に最近、優れた熱伝導
性と電気絶縁性を有ししかも熱膨張係数がシリコンのそ
れに近い窒化アルミニウムが注目され、パワーモジュー
ル用回路基板のセラミックス基板として利用されてい
る。
【0003】このような窒化アルミニウム基板において
は、その表面に銅板を接合してから化学エッチング法に
より銅回路が形成され、そのままあるいはメッキ等の処
理を施してから半導体素子が実装される。銅回路を形成
させた反対面には放熱フィンを取り付けるための銅製放
熱板が接合される構造も採用されつつある。
【0004】従来、窒化アルミニウム基板に銅板を接合
する方法としては、銅板と窒化アルミニウム基板との間
に活性金属を含むろう材を介在させ加熱処理して接合体
とする活性金属ろう付け法(例えば特開昭60-177634 号
公報)と、表面を酸化処理した窒化アルミニウム基板と
銅板を銅の融点以下でCu-Oの共晶温度以上で加熱接合す
るDBC法(例えば特開昭56-163093 号公報)が一般的
である。
【0005】活性金属ろう付け法は、DBC法に比べ
て、(1)上記接合体を得るための処理温度が低いので
窒化アルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる
残留熱応力が小さい。(2)ろう材が延性金属であるの
で熱サイクル等に対する耐久性が大である等の利点があ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】パワーモジュールは、
当初、簡単な工作機械に使用されてきたが、ここ数年、
溶接機、電車の駆動部、電気自動車への応用が検討され
始め、高出力化、高信頼性が従来以上にも増して求めら
れ、回路基板に対しても熱サイクル等によって生じるク
ラック等の損傷に対して更なる耐久性の向上が要求され
ている。
【0007】これに応えるため、従来より、活性金属ろ
う付け法により銅回路を形成させたり、金属回路の体積
を反対面の金属放熱板の体積の50〜90%にしたり
(特開昭63−24815号公報)、銅製放熱板の厚さ
を銅回路厚さの50%以下にしたりする(特開平5−1
70564号公報)等の工夫がなされている。しかしな
がら、これらの改善のみではこれからの厳しい要求には
充分に応えることができないので、現状レベルよりも更
なる信頼性を向上させるには窒化アルミニウム基板自体
の改善が不可欠となっている。
【0008】本発明者らは、以上のような状況に鑑み、
窒化アルミニウム基板の改善面から種々検討を重ねた結
果、窒化アルミニウム基板中の粒径を制御すると、驚く
べきことに熱サイクルによって生じる熱応力に対する耐
久性が大なる窒化アルミニウム基板となることを見いだ
し、本発明を完成させたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、平
均粒径が3〜4.5μm、粒径10μm以上の粗大粒子
が15〜30%であることを特徴とする窒化アルミニウ
ム基板、及びこの窒化アルミニウム基板の一方の面に銅
回路、他方の面には銅製放熱板が形成されてなることを
特徴とするパワーモジュール用回路基板である。
【0010】以下、本発明をさらに詳細に説明すると、
本発明者らは、粒径分布が異なる窒化アルミニウム基板
を種々作製し、活性金属ろう付け法により銅板を接合し
それを化学エッチングして回路を形成後、熱サイクル試
験による信頼性試験を実施して回路基板のクラック発生
状況を観察したところ、従来より考えられてきた粒径が
均一でかつ小さく機械的強度が高いほど耐熱サイクル性
がよいということは必ずしも正しくないことを見いだし
た。すなわち、たとえ粒径が不均一で平均粒径が大きく
ても粒径10μm以上の粗大粒子がある一定量の範囲に
あると、逆に耐熱サイクル性に優れ窒化アルミニウム基
板の厚みが小さくても高い信頼性のあるパワーモジュー
ル用セラミックス基板となることを見いだしたのであ
る。
【0011】本発明における窒化アルミニウム基板の平
均粒径と粒径10μm以上の粗大粒子は、試料を鏡面研
磨しエッチング処理後のSEM観察写真からインターセ
プト法(コード法)により算出することができる。イン
ターセプト法(コード法)については、「セラミック工
学ハンドブック」技報堂出版株式会社 1989年4月
10日 第463頁に記載されている。
【0012】本発明の窒化アルミニウム基板をパワーモ
ジュール用セラミックス基板として銅板を接合し回路を
形成後、熱サイクル試験の信頼性試験において優れた耐
久性を示す領域は、平均粒径が3〜4.5μmであり、
しかも粒径10μm以上の粗大粒子が15〜30%の範
囲である。
【0013】
【作用】本発明の窒化アルミニウム基板が上記の平均粒
径と粗大粒子の範囲にある場合に何故、信頼性が向上す
るかの解明は未だ充分になされていないが、銅と窒化ア
ルミニウムとの熱膨張差に起因する熱応力によって発生
したマイクロクラックが粒界に沿って伝搬していく際に
マイクロクラックが粗大粒子に突き当たり伝搬がピン止
めされて銅回路の剥離や窒化アルミニウム基板の表裏を
貫通するクラックには至らなくなっているためと考えて
いる。
【0014】以下、本発明の窒化アルミニウム基板及び
この窒化アルミニウム基板の表面に銅回路、裏面に銅製
放熱板を形成させたパワーモジュール用回路基板の熱サ
イクル試験の信頼性試験について説明する。
【0015】本発明のような粒径を有する窒化アルミニ
ウム基板を得るには、成形体の焼成条件を充分に検討し
なければならないが、基本的には、原料の窒化アルミニ
ウム粉に大きく左右される。窒化アルミニウム粉は、種
々の粒度分布を有するものがあるが、平均粒径4μm以
下で粒径10μm以上の粗大粒子の割合が10〜25容
積%の窒化アルミニウム粉を使用する。
【0016】本発明において使用される焼結助剤として
は、例えばイットリア、セリア等の希土類酸化物、カル
シア、マグネシア等のアルカリ土類酸化物等であるが特
にイットリアが好適である。焼結助剤の添加量は窒化ア
ルミニウム粉100重量部に対し3〜5重量部であるこ
とが好ましい。
【0017】シート成形を行うためのスラリーは、窒化
アルミニウム粉に焼結助剤、有機結合剤、可塑剤、分散
剤、溶剤を配合して調製される。有機結合剤としてはエ
チルセルロース等のセルロース類も使用できるがポリビ
ニルブチラールが最適である。可塑剤としてはジブチル
フタレートやジオクチルフタレート、分散剤としてはグ
リセリントリオレート等の脂肪酸エステルが使用され
る。また、溶剤としてはアルコール系、ケトン系、芳香
族系、パラフィン系が使用でき、その具体例を示すとト
ルエン、キシレン、イソプロパノール等である。スラリ
ーの混練方法としては、ボールミルが一般的であるがミ
キサー類を使用することもできる。
【0018】シート成形方法としては、ドクターブレー
ド法が好適であるがこれに限られることはなくカレンダ
ーロール法や押出し成形法を採用することもできる。成
形にあたっては、前工程として真空脱泡を行い粘度調整
を行うことが好ましい。
【0019】上記のようにして成形されたシートはプレ
ス装置にて所定形状に打ち抜かれ、脱脂後焼成される。
脱脂条件は、通常は窒素及び/又は空気中で行われ、温
度は900℃以下特に空気を含む雰囲気では600℃以
下である。
【0020】本発明の窒化アルミニウム基板の粒径を所
定の範囲におさめるためには、原料窒化アルミニウム粉
の粒径、焼成温度及び保持時間を制御して行なう。焼成
温度は1800〜1950℃が望ましいが、この温度範
囲にあっても保持時間によって粒径が変化するので、1
850℃の場合は45分程度、1950℃の場合は20
分程度の保持が好ましい。焼成雰囲気としては、窒素、
アルゴン等の非酸化性雰囲気下である。
【0021】本発明の窒化アルミニウム基板は、電子部
品の各種回路基板等のセラミックス基板として使用され
るが、以下パワーモジュール用回路基板について説明す
る。
【0022】本発明において、窒化アルミニウム基板の
厚みは0.3〜0.8mmであることが望ましい。0.
3mmよりも薄いと熱応力に対して構造的に耐久力がな
くなる。また、余り厚すぎると熱抵抗を上げることとな
るため、0.8mm以下であることが望ましい。
【0023】窒化アルミニウム基板の一方の面に銅回
路、他方の面には銅製放熱板を形成する方法としては、
窒化アルミニウム基板と銅板との接合体をエッチングす
る方法、銅板から打ち抜かれた回路及び/又は放熱板の
パターンを窒化アルミニウム基板に接合する方法等によ
って行うことができる。
【0024】上記の窒化アルミニウム基板と銅板又はパ
ターンとの接合方法としては活性金属ろう付け法が好ま
しく、その際のろう材の金属成分としては、銀と銅を主
成分とし、溶融時の窒化アルミニウム基板との濡れ性を
確保するために活性金属を副成分とする。この活性金属
成分は、窒化アルミニウム基板と反応して主に窒化物を
生成させ、それらの生成物がろう材と窒化アルミニウム
基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例を
あげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオ
ブ、タンタル、バナジウム及びそれらの化合物である。
これらの割合としては、銀69〜75重量部と銅25〜
31重量部の合計量100重量部あたり活性金属3〜3
5重量部である。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
【0026】実施例1 平均粒径3.5μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
20容積%の窒化アルミニウム粉96重量部、焼結助剤
としてイットリア4重量部、結合剤としてポリビニルブ
チラール6重量部、可塑剤としてブチルフタレート3重
量部、分散剤としてグリセリントリオレート1重量部及
び溶剤としてキシレン60重量部を秤量し、ナイロンボ
ールミルポットにて24時間混合した。得られたスラリ
ーを脱泡槽にかけ、粘度を15000cpsとした後ド
クターブレード装置により所定の厚みを持つグリーンシ
ートを成形した。
【0027】このグリーンシートを60mm×35mm
の大きさに打ち抜き、500℃で窒素中2時間保持後更
に空気中で3時間保持して脱脂を行った。次いで、それ
を窒素雰囲気の常圧下で1850℃で45分間焼成を行
って窒化アルミニウム基板を製造した。得られた窒化ア
ルミニウム基板について、上記インターセプト法により
平均粒径及び粒径10μm以上の粗大粒子を求めた。
【0028】次に、上記窒化アルミニウム基板の表と裏
の全面にろう材ペーストを塗布した。使用したろう材ペ
ーストは、銀粉末72重量部、銅粉末28重量部にジル
コニウム粉末20重量部、テルピネオール15重量部、
及び有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレート
のトルエン溶液を固形分で1重量部を混合したものであ
る。その塗布量は乾燥後の測定で7mg/cm2 とし
た。
【0029】次いで、ろう材ペーストの塗布された窒化
アルミニウム基板の両面に銅板を接触配置し、高真空
下、温度900℃で30分加熱後、2℃/分の降温速度
で冷却して接合体を製造した。
【0030】得られた接合体の銅板上に紫外線硬化型の
エッチングレジストをスクリーン印刷にて塗布後、塩化
第2銅溶液を用いてエッチング処理を行って銅板不要部
分を溶解除去し、銅回路を形成した。さらに、銅回路間
に残留した不要ろう材及び活性金属成分と窒化アルミニ
ウム基板の反応物を60℃の10%フッ化アンモニウム
溶液に10分間浸漬して除去した後、エッチングレジス
トを剥離し、銅回路を5μmの厚さに無電解ニッケルメ
ッキ処理し、窒化アルミニウム基板厚み0.635m
m、銅回路厚み0.3mm、銅製放熱板厚み0.2mm
のパワーモジュール用回路基板を製造した。
【0031】得られた回路基板について、以下に従う信
頼性試験を実施した。すなわち、気中、−40℃・30
分間保持〜室温・10分間放置〜125℃・30分間保
持〜室温・10分間放置を1サイクルとする熱サイクル
試験を行い、回路基板10枚のうち少なくとも1枚に窒
化アルミニウム基板の表裏を貫通するクラックが発生し
たサイクル回数をクラック発生回数とし、その回数の大
小にて耐熱サイクル性の評価を行った。その結果を表1
に示す。
【0032】実施例2 平均粒径2.4μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
15容積%の窒化アルミニウム粉を使用し、成形体の焼
成条件を1900℃で45分間保持としたこと以外は、
実施例1と同様な方法で回路基板を製造した。
【0033】実施例3 平均粒径3.8μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
25容積%の窒化アルミニウム粉を使用し、成形体の焼
成条件を1950℃で20分間保持としたこと以外は、
実施例1と同様な方法で回路基板を製造した。
【0034】比較例1 平均粒径1.8μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
5容積%の窒化アルミニウム粉を使用し、成形体の焼成
条件を1850℃で45分間保持としたこと以外は、実
施例1と同様な方法で回路基板を製造した。
【0035】比較例2 平均粒径1.8μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
5容積%の窒化アルミニウム粉を使用し、成形体の焼成
条件を1950℃で20分間保持としたこと以外は、実
施例1と同様な方法で回路基板を製造した。
【0036】比較例3 平均粒径4.5μm、粒径10μm以上の粒子の割合が
34容積%の窒化アルミニウム粉を使用し、成形体の焼
成条件を1900℃で45分間保持としたこと外は、実
施例1と同様な方法で回路基板を製造した。
【0037】以上の結果を表1に示す。
【0038】
【表1】
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、熱サイクル等によって
生じる熱応力に対して十分な耐久性をもった窒化アルミ
ニウム基板とパワーモジュール用回路基板が提供され
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/15 H05K 1/03 B 7011−4E (72)発明者 宮井 明 福岡県大牟田市新開町1 電気化学工業株 式会社大牟田工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平均粒径が3〜4.5μm、粒径10μ
    m以上の粗大粒子が15〜30%であることを特徴とす
    る窒化アルミニウム基板。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の窒化アルミニウム基板の
    一方の面に銅回路、他方の面には銅製放熱板が形成され
    てなることを特徴とするパワーモジュール用回路基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007176734A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Corp 表面被覆セラミック焼結体
JP2009076649A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板

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