JPH07235087A - 情報記録装置 - Google Patents
情報記録装置Info
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- JPH07235087A JPH07235087A JP2391294A JP2391294A JPH07235087A JP H07235087 A JPH07235087 A JP H07235087A JP 2391294 A JP2391294 A JP 2391294A JP 2391294 A JP2391294 A JP 2391294A JP H07235087 A JPH07235087 A JP H07235087A
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- Japan
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- recording
- recording medium
- medium
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大容量の情報を記録、検出する記録装置を提
供すること。 【構成】 情報の記録及び検出用の探針に磁性体を含ん
だ導電性の片持ちバネを用い、片持ちバネと記録媒体と
の間の距離の制御及び情報の記録にトンネル電流を用い
る。
供すること。 【構成】 情報の記録及び検出用の探針に磁性体を含ん
だ導電性の片持ちバネを用い、片持ちバネと記録媒体と
の間の距離の制御及び情報の記録にトンネル電流を用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度情報記録装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】不揮発性の情報記録装置には、磁気デイ
スク、光デイスク、磁気テープが実用化されている。こ
れらの情報記録装置は、現在その情報記録密度が最高で
数百Mbit/in2程度まで達している。
スク、光デイスク、磁気テープが実用化されている。こ
れらの情報記録装置は、現在その情報記録密度が最高で
数百Mbit/in2程度まで達している。
【０００３】近年、これらの情報記録装置の記録密度を
はるかに上回る情報記録装置の原理提案が行われるよう
になった。このような方式については例えば、特開平１
−５３３６３、特開平１−２９８５５１に述べられてい
る。これらは、走査型トンネル顕微鏡の探針を記録用の
ヘッドとして用い、記録媒体の局所的な形状の変化、も
しくは電気的なメモリー効果を用い、バイナリー情報の
記録を行うものである。
はるかに上回る情報記録装置の原理提案が行われるよう
になった。このような方式については例えば、特開平１
−５３３６３、特開平１−２９８５５１に述べられてい
る。これらは、走査型トンネル顕微鏡の探針を記録用の
ヘッドとして用い、記録媒体の局所的な形状の変化、も
しくは電気的なメモリー効果を用い、バイナリー情報の
記録を行うものである。
【０００４】また走査型トンネル顕微鏡等のプローブ顕
微鏡を用いた記録装置で、特に書き換え機能を持った記
録装置に関して例えば特開平４−３１５８３７、アプラ
イドフィジクス レター 61,142(1992)(Appl.Phys.Let
t.61,142(1992))がある。前者は、例えば記録媒体にゲ
ルマニウム、アンチモン、テルルの合金を用い、走査型
トンネル顕微鏡探針を媒体に近づけ探針に電圧を印加す
ることにより、記録媒体の結晶相、非結晶相間の変化を
行い、記録を行うものである。また、後者は、記録媒体
に磁気記録媒体を用い、近視野走査型光顕微鏡（NSOM）
により、媒体を局所的に加熱し、媒体の磁化の反転を行
うものである。
微鏡を用いた記録装置で、特に書き換え機能を持った記
録装置に関して例えば特開平４−３１５８３７、アプラ
イドフィジクス レター 61,142(1992)(Appl.Phys.Let
t.61,142(1992))がある。前者は、例えば記録媒体にゲ
ルマニウム、アンチモン、テルルの合金を用い、走査型
トンネル顕微鏡探針を媒体に近づけ探針に電圧を印加す
ることにより、記録媒体の結晶相、非結晶相間の変化を
行い、記録を行うものである。また、後者は、記録媒体
に磁気記録媒体を用い、近視野走査型光顕微鏡（NSOM）
により、媒体を局所的に加熱し、媒体の磁化の反転を行
うものである。
【０００５】後者の例では、情報を磁気的に記録するも
のであるが、試料の微小な磁気的構造を観察する手段に
は、TSMFM（Tunneling Stabilized Magnetic Force Mic
roscope）等がある。TSMFMとは、走査型トンネル顕微鏡
の探針に磁性体フィルムを用い、試料からの漏洩磁化に
よる磁性体フィルムの反りの変位を観察する顕微鏡（Ap
pl.Phys.Lett.57,310(1990),J.Appl.Phys.70,520(1991)
に記載)である。
のであるが、試料の微小な磁気的構造を観察する手段に
は、TSMFM（Tunneling Stabilized Magnetic Force Mic
roscope）等がある。TSMFMとは、走査型トンネル顕微鏡
の探針に磁性体フィルムを用い、試料からの漏洩磁化に
よる磁性体フィルムの反りの変位を観察する顕微鏡（Ap
pl.Phys.Lett.57,310(1990),J.Appl.Phys.70,520(1991)
に記載)である。
【０００６】TSMFMは、本来試料の磁気的構造を観察す
る顕微鏡であるが、この手法により試料の磁化を反転さ
せた例が、上記報告（Appl.Phys.Lett.57,310(1990))中
にある。磁性体フィルムの片持ちバネを磁性体試料に近
付け、トンネル電流を観察時のトンネル電流より大きな
電流に保ち、観察時の走査スピードよりも遅いスピード
で走査し、500nm径の大きさの磁気的構造を形成したも
のである。
る顕微鏡であるが、この手法により試料の磁化を反転さ
せた例が、上記報告（Appl.Phys.Lett.57,310(1990))中
にある。磁性体フィルムの片持ちバネを磁性体試料に近
付け、トンネル電流を観察時のトンネル電流より大きな
電流に保ち、観察時の走査スピードよりも遅いスピード
で走査し、500nm径の大きさの磁気的構造を形成したも
のである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べた、
TSMFMによる磁気的構造の形成は、試料内に構造を１つ
形成するのに非常に時間がかかり、情報記録というもの
ではなかった。かつ、その手法を情報記録へ応用するこ
とは、困難であると考えられる。
TSMFMによる磁気的構造の形成は、試料内に構造を１つ
形成するのに非常に時間がかかり、情報記録というもの
ではなかった。かつ、その手法を情報記録へ応用するこ
とは、困難であると考えられる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プロー
ブと記録媒体間に一定のトンネル電流を流すことがで
き、そのトンネル電流量を一時的に変化させる手段を有
する。また、記録媒体に外部磁界を印加するための手段
を有する。また前記プローブが磁気力により反り返る機
能を持つ。
ブと記録媒体間に一定のトンネル電流を流すことがで
き、そのトンネル電流量を一時的に変化させる手段を有
する。また、記録媒体に外部磁界を印加するための手段
を有する。また前記プローブが磁気力により反り返る機
能を持つ。
【０００９】前記プローブは、表面に導電性を持ち、か
つ内部に磁性体を含み、片持ちバネの構造をしている。
つ内部に磁性体を含み、片持ちバネの構造をしている。
【００１０】前記記録媒体は、その最表面層が、導電性
を有する磁性層もしくは、厚さ100nm以下の導電層より
成っている。
を有する磁性層もしくは、厚さ100nm以下の導電層より
成っている。
【００１１】
【作用】本発明によれば、情報の記録、検出に用いるプ
ローブと記録媒体間に一定のトンネル電流を流すことに
より、プローブ、記録媒体間の距離を一定に制御するこ
とができる。また、プローブ、記録媒体間を流れるトン
ネル電流量を一時的に大きくすることにより記録媒体の
加熱をすることができる。また、上記の記録媒体の加熱
及び外部磁界により記録媒体に磁気的に情報の書き込み
および消去を行うことができる。
ローブと記録媒体間に一定のトンネル電流を流すことに
より、プローブ、記録媒体間の距離を一定に制御するこ
とができる。また、プローブ、記録媒体間を流れるトン
ネル電流量を一時的に大きくすることにより記録媒体の
加熱をすることができる。また、上記の記録媒体の加熱
及び外部磁界により記録媒体に磁気的に情報の書き込み
および消去を行うことができる。
【００１２】前記プローブは、表面に導電性を持つこと
からトンネル電流を流すことができる。また、プローブ
内部に磁性体を含むことから磁気記録媒体から磁気力を
受ける。また前記プローブが、片持ちバネの形状をして
いることから磁気力を受けることにより前記プローブは
反り返る。
からトンネル電流を流すことができる。また、プローブ
内部に磁性体を含むことから磁気記録媒体から磁気力を
受ける。また前記プローブが、片持ちバネの形状をして
いることから磁気力を受けることにより前記プローブは
反り返る。
【００１３】前記記録媒体の最表面層が導電性を有する
磁性層もしくは、100nm以下の厚さの導電層から成るこ
とから、トンネル電流を流すことができる。
磁性層もしくは、100nm以下の厚さの導電層から成るこ
とから、トンネル電流を流すことができる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。
【００１５】実施例１ 図１に情報記録装置の概略図を示す。記録媒体１の記録
層４側に対向して磁性体を含んだ、表面に導電性のある
片持ちバネ６を支持部７に保持し、両者間をトンネル電
流が流れる距離まで相対的に近付ける。バイアス電源１
０により片持ちバネ６と記録媒体１の間に一定のバイア
ス電圧を加え、この時一定のトンネル電流（Iref）が流
れるように、支持部７が保持されているアクチュエータ
９に加える電圧を制御する。これにより、片持ちバネ６
と記録媒体１の間隔を常に一定にする。
層４側に対向して磁性体を含んだ、表面に導電性のある
片持ちバネ６を支持部７に保持し、両者間をトンネル電
流が流れる距離まで相対的に近付ける。バイアス電源１
０により片持ちバネ６と記録媒体１の間に一定のバイア
ス電圧を加え、この時一定のトンネル電流（Iref）が流
れるように、支持部７が保持されているアクチュエータ
９に加える電圧を制御する。これにより、片持ちバネ６
と記録媒体１の間隔を常に一定にする。
【００１６】例えばこの記録装置にマイクロコンピュー
タ５０からの情報の記録を行うには、まずインターフェ
イス回路１５からの信号によりスイッチ１４を切り替
え、コイル１３に電流を流す。この電流により記録媒体
１に外部磁界を加える。また、片持ちバネ６と記録媒体
１の間隔を一定に制御した状態で、インターフェイス回
路１５からの信号によりラッチ回路１７の出力を一定に
する。これにより、アクチュエータ９に加わる電圧を一
定にし、片持ちバネ６と記録媒体１の間隔を固定する。
この状態でスイッチ１２を一時的に切り替え、高いバイ
アス電圧源１１により、片持ちバネ６と記録媒体１間の
電圧を大きくする。これにより片持ちバネ６と記録媒体
１間を流れるトンネル電流を一時的に大きくし、このト
ンネル電流により記録層４を局所的に記録層４のキュリ
ー温度以上の温度に加熱する。加熱された部分の磁化は
冷却される過程において、図２（ａ）に示すように、コ
イル１３による外部磁界２２および媒体の反磁界２４に
より反転し、記録部５を形成する。この後、ラッチ回路
１７によるアクチュエータ９に加わる電圧の固定を終了
し、再び片持ちバネ６と記録媒体１間の距離のサーボを
再開させる。これらの動作を、片持ちバネ６を記録媒体
１上で移動させながら、繰返し行う。これは、記録媒体
１を移動させても可能である。なおコイル１３に電流を
流すためのスイッチ１４は、１ビットの記録ごとに切り
替えをする必要はない。
タ５０からの情報の記録を行うには、まずインターフェ
イス回路１５からの信号によりスイッチ１４を切り替
え、コイル１３に電流を流す。この電流により記録媒体
１に外部磁界を加える。また、片持ちバネ６と記録媒体
１の間隔を一定に制御した状態で、インターフェイス回
路１５からの信号によりラッチ回路１７の出力を一定に
する。これにより、アクチュエータ９に加わる電圧を一
定にし、片持ちバネ６と記録媒体１の間隔を固定する。
この状態でスイッチ１２を一時的に切り替え、高いバイ
アス電圧源１１により、片持ちバネ６と記録媒体１間の
電圧を大きくする。これにより片持ちバネ６と記録媒体
１間を流れるトンネル電流を一時的に大きくし、このト
ンネル電流により記録層４を局所的に記録層４のキュリ
ー温度以上の温度に加熱する。加熱された部分の磁化は
冷却される過程において、図２（ａ）に示すように、コ
イル１３による外部磁界２２および媒体の反磁界２４に
より反転し、記録部５を形成する。この後、ラッチ回路
１７によるアクチュエータ９に加わる電圧の固定を終了
し、再び片持ちバネ６と記録媒体１間の距離のサーボを
再開させる。これらの動作を、片持ちバネ６を記録媒体
１上で移動させながら、繰返し行う。これは、記録媒体
１を移動させても可能である。なおコイル１３に電流を
流すためのスイッチ１４は、１ビットの記録ごとに切り
替えをする必要はない。
【００１７】次に記録の消去を行う場合は、まずスイッ
チ１４を切り替え、記録媒体１に、記録動作時と反対方
向の外部磁界を印加する。片持ちバネ６を消去される記
録部５上に移動し、ラッチ回路１７により片持ちバネ６
と記録媒体１の間の距離を固定する。この状態でスイッ
チ１２をバイアス電源１１側に切り替えることにより、
片持ちバネ６と記録媒体１の間を流れるトンネル電流を
一時的に大きくする。このトンネル電流により記録部５
は加熱され、冷却される過程において、記録部５の磁化
は図２（ｂ）に示すように、外部磁界２３の方向を向
き、記録部５が消去される。
チ１４を切り替え、記録媒体１に、記録動作時と反対方
向の外部磁界を印加する。片持ちバネ６を消去される記
録部５上に移動し、ラッチ回路１７により片持ちバネ６
と記録媒体１の間の距離を固定する。この状態でスイッ
チ１２をバイアス電源１１側に切り替えることにより、
片持ちバネ６と記録媒体１の間を流れるトンネル電流を
一時的に大きくする。このトンネル電流により記録部５
は加熱され、冷却される過程において、記録部５の磁化
は図２（ｂ）に示すように、外部磁界２３の方向を向
き、記録部５が消去される。
【００１８】記録あるいは消去がなされた状態の記録層
には、図２（ａ）、（ｂ）に矢印２１で示すように、磁
化の状態が保持される。
には、図２（ａ）、（ｂ）に矢印２１で示すように、磁
化の状態が保持される。
【００１９】なお、記録、消去いずれの場合において
も、片持ちバネ６の位置制御を行う回路の時定数が記録
部５を形成する時間に対し遅い場合は、記録および消去
の動作時に片持ちバネ６と記録媒体１の距離をラッチ回
路１７により固定する必要はない。
も、片持ちバネ６の位置制御を行う回路の時定数が記録
部５を形成する時間に対し遅い場合は、記録および消去
の動作時に片持ちバネ６と記録媒体１の距離をラッチ回
路１７により固定する必要はない。
【００２０】また、記録媒体１は基板２上に下地層３を
介して記録層４が形成されている。８は片持ちバネ６を
記録媒体１の面上で移動させるためのアクチュエータを
代表して示すものであるが、この制御は、いわゆるＳＴ
Ｍと同じであり、説明は省略する。片持ちバネ６に流す
トンネル電流を一定に制御するループにはＡ／Ｄ変換器
１６、Ｄ／Ａ変換器１８及び符号を省略した演算増幅器
を含む回路が備えられるが、これらもＳＴＭで良く知ら
れた回路構成で実現出来るから、説明は省略する。
介して記録層４が形成されている。８は片持ちバネ６を
記録媒体１の面上で移動させるためのアクチュエータを
代表して示すものであるが、この制御は、いわゆるＳＴ
Ｍと同じであり、説明は省略する。片持ちバネ６に流す
トンネル電流を一定に制御するループにはＡ／Ｄ変換器
１６、Ｄ／Ａ変換器１８及び符号を省略した演算増幅器
を含む回路が備えられるが、これらもＳＴＭで良く知ら
れた回路構成で実現出来るから、説明は省略する。
【００２１】記録された情報を検出するには、片持ちバ
ネ６と記録媒体１間を流れるトンネル電流を一定に保ち
ながら、片持ちバネ６を記録媒体１上で記録媒体面方向
に相対的に移動させる。図３に示すように記録媒体１内
の記録層４には記録部５が存在するが、この記録部５
は、記録層４内の他の部分と磁化の向きが異なってい
る。片持ちバネ６を、記録媒体１上で記録媒体面上で相
対的に動かすと、片持ちバネ６が、記録部５上にある時
と、記録部５上にない時とでは、矢印２４で先端の磁化
方向を示す片持ちバネ６の先端部に加わる磁気力が異な
る。この磁気力により片持ちバネ６は反り返るが、磁気
力の差異に基づき、図３中の変位ΔＺが発生する。ここ
で、片持ちバネ６と記録媒体１の間隔を一定に保つた
め、この変位を補うように、アクチュエータ９に加わる
電圧が変化する。この電圧の変化を検出することによ
り、情報の検出を行う。
ネ６と記録媒体１間を流れるトンネル電流を一定に保ち
ながら、片持ちバネ６を記録媒体１上で記録媒体面方向
に相対的に移動させる。図３に示すように記録媒体１内
の記録層４には記録部５が存在するが、この記録部５
は、記録層４内の他の部分と磁化の向きが異なってい
る。片持ちバネ６を、記録媒体１上で記録媒体面上で相
対的に動かすと、片持ちバネ６が、記録部５上にある時
と、記録部５上にない時とでは、矢印２４で先端の磁化
方向を示す片持ちバネ６の先端部に加わる磁気力が異な
る。この磁気力により片持ちバネ６は反り返るが、磁気
力の差異に基づき、図３中の変位ΔＺが発生する。ここ
で、片持ちバネ６と記録媒体１の間隔を一定に保つた
め、この変位を補うように、アクチュエータ９に加わる
電圧が変化する。この電圧の変化を検出することによ
り、情報の検出を行う。
【００２２】実施例２ 図４にプローブとして用いる片持ちバネ６の構成及び記
録媒体１の構成を示す。片持ちバネ６の作製は、蒸着法
もしくはスパッタリング法により、基板上に白金層３
０、磁性層３１、白金層３２による三層膜を形成し、こ
れを基板から剥離し片持ちバネ状に加工することにより
行う。白金層３０は、基板から剥離するのに十分な厚さ
が必要で、かつバネ定数を小さくするため、１〜５μｍ
程度の厚さが好ましい。白金層３２は、磁性層３１を記
録媒体１に十分接近させる必要から、１００ｎｍ以下の
厚さが好ましい。この片持ちバネ６を白金層３２側から
記録媒体１６に接近させ、白金層３２、記録媒体１間に
トンネル電流を流す。白金層３２を１００ｎｍ以下の厚
さにすることにより、磁性層３１は、記録媒体１に１０
０ｎｍ以下に近付けることができ、記録媒体の漏洩磁界
を感度良く検出することができる。また、片持ちバネの
加工精度上の問題や、片持ちバネと記録媒体の接触によ
る片持ちバネ先端の劣化による、トンネル電流の安定性
の劣化は、白金層３０が電流通路を補うことにより解消
される。
録媒体１の構成を示す。片持ちバネ６の作製は、蒸着法
もしくはスパッタリング法により、基板上に白金層３
０、磁性層３１、白金層３２による三層膜を形成し、こ
れを基板から剥離し片持ちバネ状に加工することにより
行う。白金層３０は、基板から剥離するのに十分な厚さ
が必要で、かつバネ定数を小さくするため、１〜５μｍ
程度の厚さが好ましい。白金層３２は、磁性層３１を記
録媒体１に十分接近させる必要から、１００ｎｍ以下の
厚さが好ましい。この片持ちバネ６を白金層３２側から
記録媒体１６に接近させ、白金層３２、記録媒体１間に
トンネル電流を流す。白金層３２を１００ｎｍ以下の厚
さにすることにより、磁性層３１は、記録媒体１に１０
０ｎｍ以下に近付けることができ、記録媒体の漏洩磁界
を感度良く検出することができる。また、片持ちバネの
加工精度上の問題や、片持ちバネと記録媒体の接触によ
る片持ちバネ先端の劣化による、トンネル電流の安定性
の劣化は、白金層３０が電流通路を補うことにより解消
される。
【００２３】実施例３ 図４に示した記録媒体１の構成図において、記録層４に
は例えばＣｏ／Ｐｔ多層膜の垂直磁気記録媒体を用い、
最上層をＰｔ層で構成することにより膜表面に導電性を
持たせ、トンネル電流を流すことができる。なお、表面
に導電性を持たない記録媒体を用いる場合には、記録媒
体表面に１００ｎｍ以下の厚さの導電層を形成すること
により、トンネル電流を流すことを可能とし、また片持
ちバネ６内の磁性層３１と記録層を十分近づけることが
出来る。
は例えばＣｏ／Ｐｔ多層膜の垂直磁気記録媒体を用い、
最上層をＰｔ層で構成することにより膜表面に導電性を
持たせ、トンネル電流を流すことができる。なお、表面
に導電性を持たない記録媒体を用いる場合には、記録媒
体表面に１００ｎｍ以下の厚さの導電層を形成すること
により、トンネル電流を流すことを可能とし、また片持
ちバネ６内の磁性層３１と記録層を十分近づけることが
出来る。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、情報の記録面積が１ビッ
ト当たり１００ｎｍ径以下の、書き換え可能な不揮発性
高密度情報記録装置を提供することができる。
ト当たり１００ｎｍ径以下の、書き換え可能な不揮発性
高密度情報記録装置を提供することができる。
【図１】実施例にかかる情報記録装置のブロック構成を
示す図。
示す図。
【図２】情報の記録、消去の原理を説明する図。
【図３】情報の検出原理を説明する図。
【図４】片持ちバネの具体例を説明する図。
１：記録媒体、２：基板、３：下地層、４：記録層、
５：記録部、６：片持ちバネ、７：支持部、８：アクチ
ュエータ、９：アクチュエータ、１０：バイアス電源、
１１：バイアス電源、１２：スイッチ、１３：コイル、
１４：スイッチ、１５：インターフェイス部、１６：Ａ
／Ｄ変換器、１７：ラッチ回路、１８：Ｄ／Ａ変換器、
２１：記録媒体内の磁化方向、２２：外部磁界、２３：
外部磁界、２４：片持ちバネ先端の磁化方向、３０：白
金層、３１：磁性層、３２：白金層、５０：マイクロコ
ンピュータ。
５：記録部、６：片持ちバネ、７：支持部、８：アクチ
ュエータ、９：アクチュエータ、１０：バイアス電源、
１１：バイアス電源、１２：スイッチ、１３：コイル、
１４：スイッチ、１５：インターフェイス部、１６：Ａ
／Ｄ変換器、１７：ラッチ回路、１８：Ｄ／Ａ変換器、
２１：記録媒体内の磁化方向、２２：外部磁界、２３：
外部磁界、２４：片持ちバネ先端の磁化方向、３０：白
金層、３１：磁性層、３２：白金層、５０：マイクロコ
ンピュータ。
Claims (4)
- 【請求項１】記録媒体に磁性層を含み、前記磁性層の局
所的な磁化の方向により記録を行う情報記録装置におい
て、前記記録媒体への情報の書き込み、検出を行うプロ
ーブと前記記録媒体との間にトンネル電流を流す手段を
有し、前記トンネル電流量を制御することにより前記プ
ローブと前記記録媒体間の距離を制御し、また前記トン
ネル電流量を一時的に増大させることにより発生する熱
エネルギー及び、前記記録媒体外部からの磁界により記
録媒体に磁気的に情報を記録または消去することにより
行うことを特徴とした情報記録装置。 - 【請求項２】前記記録媒体の磁気情報の検出には、前記
プローブの前記記録媒体からの磁気力による変形を検出
することにより行うことを特徴とした請求項１記載の情
報記録装置。 - 【請求項３】前記プローブが、その表面に導電性を持
ち、かつ前記プローブ内部に磁性体を有する片持ちバネ
により形成されていることを特徴とした請求項１記載の
情報記録装置。 - 【請求項４】前記記録媒体がその最表面に導電性を有す
る磁性層もしくは、100nm以下の厚さの導電層より成る
ことを特徴とした請求項１記載の情報記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2391294A JPH07235087A (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2391294A JPH07235087A (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 情報記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235087A true JPH07235087A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12123703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2391294A Pending JPH07235087A (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235087A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995003348A1 (en) * | 1993-07-26 | 1995-02-02 | Eastman Chemical Company | A process for preparing hydrolytically stable poly(ethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate) polymers |
| US5949600A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal reproduction method and magnetic recording and reproducing apparatus using tunnel current |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP2391294A patent/JPH07235087A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995003348A1 (en) * | 1993-07-26 | 1995-02-02 | Eastman Chemical Company | A process for preparing hydrolytically stable poly(ethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate) polymers |
| US5949600A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal reproduction method and magnetic recording and reproducing apparatus using tunnel current |
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