JPH07233464A - Fine pattern forming mask plate and its production - Google Patents
Fine pattern forming mask plate and its productionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は微細パターン形成用マス
ク板およびその製造方法、特に、製造工程途中の半導体
装置を構成する材料層について、その一部を除去するこ
とによって所定の微細パターンを形成するパターニング
工程に用いるマスク板およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask plate for forming a fine pattern and a method of manufacturing the same, and more particularly to forming a predetermined fine pattern by removing a part of a material layer constituting a semiconductor device during the manufacturing process. The present invention relates to a mask plate used in a patterning process and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的な半導体装置は、半導体基板上に
複数の層をそれぞれ様々なパターンで積層させた構造を
もつ。このため、半導体装置の製造工程では、半導体基
板上への層の形成と、形成した層に対するパターニング
とが繰り返し行われる。従来用いられている最も一般的
なパターニング方法は、フォトリソグラフィ法である。
この方法では、パターニング対象となる層の上にレジス
ト層を形成し、このレジスト層上に所定のパターンが描
かれたマスクを載せた状態で露光し、レジスト層を現像
して露光部分または非露光部分を除去し、残ったレジス
ト層を保護膜として用い、パターニング対象層のエッチ
ングが行われる。2. Description of the Related Art A general semiconductor device has a structure in which a plurality of layers are laminated in various patterns on a semiconductor substrate. Therefore, in the manufacturing process of a semiconductor device, formation of a layer on a semiconductor substrate and patterning of the formed layer are repeated. The most commonly used patterning method conventionally used is photolithography.
In this method, a resist layer is formed on a layer to be patterned, and the resist layer is exposed with a mask on which a predetermined pattern is drawn, and then the resist layer is developed to expose or unexpose it. The part is removed, and the remaining resist layer is used as a protective film to etch the patterning target layer.
【０００３】上述したフォトリソグラフィ法では、対象
となる１つの層をパターニングするために、レジスト
層の形成、マスクを用いた露光、レジスト層の現
像、エッチング、レジスト層の除去、という５つの
段階が必要になる。一般に、１つの半導体装置を製造す
るためには、多数の層に対するパターニングが必要にな
るため、全製造プロセスを完了するまでには、非常に多
数の段階からなる複雑な処理を行わねばならない。この
ため、製造に時間がかかりコストも高くなるという問題
があった。In the above-mentioned photolithography method, in order to pattern one target layer, five steps of forming a resist layer, exposing using a mask, developing the resist layer, etching, and removing the resist layer are performed. You will need it. Generally, in order to manufacture one semiconductor device, patterning of many layers is required, and thus a complicated process including a very large number of steps must be performed until the whole manufacturing process is completed. Therefore, there is a problem in that manufacturing takes time and costs increase.
【０００４】このような問題を解決することができる新
規なパターニング方法が、本願発明者によって提案さ
れ、特願平４−３４３４６１号明細書および特願平５−
２０７１１７号明細書に開示されている。この新規なパ
ターニング方法では、物理的な開口窓をもったマスク板
によって、パターニング対象となる材料層の一部が物理
的に覆われる。この状態で、所定の反応性ガスの雰囲気
中におくか、あるいは所定の反応性イオンを照射する
と、マスク板の開口窓から露出した材料層に対して化学
反応が生じ、この露出部分についてのみ別な化合物が形
成される。結局、マスク板で覆われていた部分はもとの
材料層のままであるが、開口窓によって露出していた部
分には別な化合物が形成されたことになる。そこで、も
との材料層と別な化合物との間でエッチングレートが異
なる方法でエッチングを行えば、露出部分と非露出部分
とのいずれか一方を選択的に除去することができ、所望
のパターニングが可能になる。この方法によれば、反
応性ガスあるいはイオンによる化合物形成、エッチン
グ、という２段階の処理により、１つの層に対するパタ
ーニングが完了する。A novel patterning method capable of solving such a problem has been proposed by the inventor of the present application, and is described in Japanese Patent Application No. 4-343461 and Japanese Patent Application No. 5-343461.
No. 207117. In this novel patterning method, a mask plate having a physical opening window physically covers a part of the material layer to be patterned. In this state, when it is placed in an atmosphere of a predetermined reactive gas or is irradiated with predetermined reactive ions, a chemical reaction occurs in the material layer exposed through the opening window of the mask plate, and only this exposed portion is separated. Compounds are formed. After all, the part covered with the mask plate remains the original material layer, but another compound is formed in the part exposed by the opening window. Therefore, if etching is performed by a method having a different etching rate between the original material layer and another compound, either the exposed portion or the unexposed portion can be selectively removed, and the desired patterning can be performed. Will be possible. According to this method, patterning for one layer is completed by a two-step process of forming a compound by a reactive gas or ions and etching.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した新規なパター
ニング方法では、通常のフォトリソグラフィ法で用いる
マスク板とは全く異なるマスク板を用いる必要がある。
すなわち、通常のフォトリソグラフィ法で用いるマスク
板は、所定のパターン領域について、選択的に光を透過
させる機能があればよい。これに対して、上述した新規
なパターニング法に用いるマスク板は、反応性ガス分子
やイオンを物理的に通過させる機能が必要になる。この
ため、マスク板上には物理的な開口窓を形成する必要が
ある。In the above-mentioned novel patterning method, it is necessary to use a mask plate which is completely different from the mask plate used in the ordinary photolithography method.
That is, the mask plate used in the normal photolithography method only needs to have a function of selectively transmitting light in a predetermined pattern region. On the other hand, the mask plate used in the above-mentioned new patterning method needs to have a function of physically allowing reactive gas molecules and ions to pass therethrough. Therefore, it is necessary to form a physical opening window on the mask plate.
【０００６】このような物理的な開口窓が、いわゆる島
状のパターンであれば、マスク板の構造は非常に単純で
ある。すなわち、金属板などの一部分を島状に打ち抜
き、点在する開口窓を形成すればよい。しかしながら、
このような物理的な開口窓が、いわゆる枠状のパターン
である場合には、通常のマスク板の構造では実現できな
い。すなわち、枠の部分が開口窓になるため、金属板か
らこの枠の部分を打ち抜いてしまうと、本来は残ってい
なければならない枠の内部の部分まで一緒に打ち抜かれ
てしまうことになる。If such a physical opening window has a so-called island pattern, the structure of the mask plate is very simple. That is, a part of a metal plate or the like may be punched out in an island shape to form scattered opening windows. However,
When such a physical opening window has a so-called frame-shaped pattern, it cannot be realized with a normal mask plate structure. That is, since the frame portion becomes an opening window, if the frame portion is punched out from the metal plate, the inner portion of the frame, which should originally remain, is also punched out.
【０００７】そこで本発明は、いわゆる枠状パターンの
開口窓を有するマスク板およびこのマスク板の製造方法
を提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a mask plate having a so-called frame-shaped opening window and a method for manufacturing the mask plate.
【０００８】[0008]
(1) 本願第１の発明は、製造工程途中の半導体装置を
構成する材料層について、その一部を除去することによ
って所定の微細パターンを形成するパターニング工程に
用いるマスク板において、材料層のパターニング対象領
域に応じた広さを有する主面をもったハニカム構造板
と、このハニカム構造板の主面上の、微細パターンに応
じた所定の領域に設けられたマスク層と、を設け、ハニ
カム構造板には、少なくともマスク層によって覆われて
いない開口窓領域に、パターニング工程において材料層
に対して化学反応を生じさせる反応性粒子を厚み方向に
通過させることが可能な多数の貫通孔を形成し、マスク
層には、反応性粒子を遮蔽する機能をもたせ、多数の貫
通孔は、ハニカム構造板を通過した反応性粒子による反
応を、１つの開口窓領域内において均一に生じさせるた
めに、十分微細な構造を有し、かつ、十分高い密度をも
って配されているようにしたものである。(1) The first invention of the present application is a method of patterning a material layer in a mask plate used in a patterning step of forming a predetermined fine pattern by removing a part of a material layer constituting a semiconductor device in a manufacturing process. A honeycomb structure having a main surface having a width corresponding to a target area, and a mask layer provided on a main surface of the honeycomb structure board in a predetermined area corresponding to a fine pattern are provided. In the plate, a large number of through holes capable of passing reactive particles that cause a chemical reaction with the material layer in the patterning step in the thickness direction are formed in at least the opening window region not covered by the mask layer. , The mask layer has a function of blocking the reactive particles, and the large number of through holes allow the reaction by the reactive particles having passed through the honeycomb structure plate to form one opening window region. In order to generate it uniformly inside, it has a sufficiently fine structure and is arranged with a sufficiently high density.
【０００９】(2) 本願第２の発明は、上述の第１の発
明に係るマスク板において、直径２００〜１０００オン
グストロームの円柱状の貫通孔を、２．０×１０６〜
２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で配することによ
り、ハニカム構造板を構成したものである。(2) The second invention of the present application is the mask plate according to the above-mentioned first invention, in which a cylindrical through hole having a diameter of 200 to 1000 angstroms has a diameter of 2.0 × 10 6 to.
The honeycomb structure plate is formed by arranging the honeycomb structure plate at a density of about 2.0 × 10 7 / mm 2 .
【００１０】(3) 本願第３の発明は、上述の第１また
は第２の発明に係るマスク板において、ハニカム構造体
を、アルミニウム板を陽極酸化することにより得られ
る、多数の貫通孔をもった酸化アルミニウム板により構
成したものである。(3) A third invention of the present application is the mask plate according to the above-mentioned first or second invention, which has a number of through holes obtained by anodizing the honeycomb structure of an aluminum plate. And an aluminum oxide plate.
【００１１】(4) 本願第４の発明は、上述のマスク板
を製造する方法において、第１の金属からなる第１の層
の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質
をもった第２の金属からなる第２の層を形成する段階
と、第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第
２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化す
ることにより、第２の層の上層部側に酸化層を、下層部
側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、酸化
層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する段
階と、第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、孔部
の底を電界研磨し、孔部が少なくとも酸化層を貫通する
貫通孔になるようにする段階と、第１の層および非酸化
残存層を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸
化層を残す段階と、によりハニカム構造体を形成するよ
うにしたものである。(4) The fourth invention of the present application is the method for manufacturing a mask plate as described above, characterized in that a large number of holes are formed by anodic oxidation on the upper surface of the first layer made of the first metal. Forming a second layer made of the second metal, and oxidizing the upper surface of the second layer to a predetermined depth by anodization while applying a predetermined oxidation voltage to the second layer. As a result, an oxide layer is formed on the upper layer side of the second layer, a non-oxidized residual layer is formed on the lower layer side, and a large number of minute holes having a predetermined depth are formed in the oxide layer. A step of electropolishing the bottom of the hole while applying a predetermined polishing voltage to the first layer so that the hole becomes a through hole penetrating at least the oxide layer; Removing the non-oxidized residual layer to leave the oxidized layer having a large number of fine through holes. A honeycomb structure is formed.
【００１２】(5) 本願第５の発明は、上述のマスク板
を製造する方法において、支持基板上に第１の金属から
なる第１の層を形成する第１の段階と、第１の層の上面
に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもっ
た第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階
と、第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第
２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化
し、第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非酸化
残存層を、それぞれ形成するとともに、酸化層に所定の
深さをもった多数の微細な孔部を形成する第３の段階
と、酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形
成する第４の段階と、第３の層に対するパターニングを
行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層
として残す第５の段階と、第１の層に所定の研磨電圧を
印加しながら、孔部の底を電界研磨し、孔部が少なくと
も酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階
と、支持基板、第１の層、および非酸化残存層の、少な
くともマスク層によって覆われていない開口窓領域を除
去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層からな
るハニカム構造体およびその上面に形成されたマスク層
を残す第７の段階と、を行うようにしたものである。(5) A fifth invention of the present application is the method of manufacturing a mask plate as described above, comprising a first step of forming a first layer made of a first metal on a supporting substrate, and a first layer. A second step of forming a second layer made of a second metal having a property of forming a large number of holes by anodic oxidation on the upper surface of, and applying a predetermined oxidation voltage to the second layer. However, the upper surface of the second layer is oxidized to a predetermined depth by an anodic oxidation method to form an oxide layer on the upper layer side of the second layer and a non-oxidation residual layer on the lower layer side, and to oxidize the layer. A third step of forming a large number of fine holes having a predetermined depth in the layer, a fourth step of forming a third layer to be a mask layer on the upper surface of the oxide layer, and a third step. Patterning is performed on the layer of, and only a region corresponding to a predetermined fine pattern is left as a mask layer; The sixth step of electropolishing the bottom of the hole while applying a predetermined polishing voltage to the first layer so that the hole becomes a through hole penetrating at least the oxide layer; Layer and non-oxidized residual layer, at least the opening window region not covered by the mask layer is removed, and a honeycomb structure made of an oxide layer having a large number of fine through holes and a mask formed on the upper surface thereof The seventh step of leaving the layers is performed.
【００１３】(6) 本願第６の発明は、上述の第５の発
明に係る製造方法において、第１の金属としてクロム
を、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となる
べき材料としてクロムを、それぞれ用いたものである。(6) The sixth invention of the present application is, in the manufacturing method according to the fifth invention, wherein chromium is used as the first metal, aluminum is used as the second metal, and a material to be the third layer is used. Chromium is used respectively.
【００１４】(7) 本願第７の発明は、上述のマスク板
を製造する方法において、支持基板上に第１の金属から
なる第１の層を形成する第１の段階と、第１の層の上面
に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもっ
た第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階
と、酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形
成する第３の段階と、第３の層に対するパターニングを
行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層
として残す第４の段階と、第２の層に所定の酸化電圧を
印加しながら、この第２の層の上面のうち、マスク層で
覆われていない開口窓領域を陽極酸化法により所定の深
さまで酸化し、第２の層の上層部側の開口窓領域に酸化
層を、その他の部分に非酸化残存層を、それぞれ形成す
るとともに、酸化層に所定の深さをもった多数の微細な
孔部を形成する第５の段階と、第１の層に所定の研磨電
圧を印加しながら、孔部の底を電界研磨し、孔部が少な
くとも酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の
段階と、支持基板、第１の層、および非酸化残存層の、
少なくともマスク層によって覆われていない開口窓領域
を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層か
らなるハニカム構造体およびその上面に形成されたマス
ク層を残す第７の段階と、を行うようにしたものであ
る。(7) A seventh invention of the present application is the method of manufacturing a mask plate as described above, comprising a first step of forming a first layer made of a first metal on a supporting substrate, and a first layer. A second step of forming a second layer made of a second metal having a property that a large number of holes are formed by anodic oxidation on the upper surface of the oxide layer, and a second layer to be a mask layer on the upper surface of the oxide layer. The third step of forming the third layer, the fourth step of patterning the third layer and leaving only a region corresponding to a predetermined fine pattern as a mask layer, and the predetermined oxidation voltage applied to the second layer. Of the upper surface of the second layer, the opening window region not covered with the mask layer is oxidized to a predetermined depth by the anodic oxidation method to form an opening window region on the upper layer side of the second layer. An oxide layer and a non-oxidation residual layer are formed on the other parts, respectively. The fifth step of forming a large number of fine holes having a constant depth, and the bottom of the holes are electropolished while applying a predetermined polishing voltage to the first layer, and at least the holes are oxidized. A sixth step of providing through-holes through the layer, the support substrate, the first layer, and the non-oxidized residual layer;
A seventh step of removing at least the opening window region not covered by the mask layer to leave a honeycomb structure made of an oxide layer having a large number of fine through holes and a mask layer formed on the upper surface thereof; Is to do.
【００１５】(8) 本願第８の発明は、上述の第７の発
明に係る製造方法において、第１の金属としてクロム
を、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となる
べき材料としてタンタルを、それぞれ用いたものであ
る。(8) The eighth invention of the present application is, in the manufacturing method according to the above-mentioned seventh invention, chromium as the first metal, aluminum as the second metal, and a material to be the third layer. Tantalum is used for each.
【００１６】(9) 本願第９の発明は、上述の第５〜８
の発明に係る製造方法において、第７の段階で、支持基
板、第１の層、および非酸化残存層のそれぞれ周囲部分
を除去せずに残すようにし、この残った部分をマスク板
の外枠として用いるようにしたものである。(9) The ninth invention of the present application is the above-mentioned fifth to eighth inventions.
In the manufacturing method according to the invention, in the seventh step, the supporting substrate, the first layer, and the non-oxidized residual layer are left unremoved around their respective peripheral portions, and the remaining portions are left outside the outer frame of the mask plate. It is intended to be used as.
【００１７】[0017]
【作 用】本発明に係るマスク板は、ハニカム構造板と
その上に形成されたマスク層とによって構成される。こ
こで、ハニカム構造板には、その厚み方向に多数の微細
な貫通孔が形成されており、反応性粒子を厚み方向に通
過させることができる。このため、マスク層が形成され
た領域では、反応性粒子の通過は阻止され、マスク層が
形成されていない領域では、反応性粒子が通過すること
になる。マスク層はハニカム構造板によって支持される
ので、どのようなパターンのマスク層でも形成すること
が可能である。[Operation] The mask plate according to the present invention comprises a honeycomb structure plate and a mask layer formed on the honeycomb structure plate. Here, many fine through holes are formed in the thickness direction of the honeycomb structure plate, and the reactive particles can pass through in the thickness direction. Therefore, the reactive particles are prevented from passing in the area where the mask layer is formed, and the reactive particles pass in the area where the mask layer is not formed. Since the mask layer is supported by the honeycomb structure plate, it is possible to form a mask layer having any pattern.
【００１８】本発明に係るマスク板の製造方法では、上
述したハニカム構造板が陽極酸化法によって作成され
る。すなわち、アルミニウムなどの金属板に対して陽極
酸化を行うと、酸化を受けた面に多数の微細な孔部が形
成される。この孔部の底を電界研磨すると、各孔部は貫
通孔を形成することになる。こうして、上述したハニカ
ム構造板を効率良く作成することが可能になる。In the method for manufacturing a mask plate according to the present invention, the above-mentioned honeycomb structure plate is prepared by the anodic oxidation method. That is, when anodizing a metal plate such as aluminum, a large number of fine holes are formed on the oxidized surface. When the bottom of the hole is electropolished, each hole forms a through hole. In this way, it becomes possible to efficiently manufacture the above-mentioned honeycomb structure plate.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて説
明する。The present invention will be described below based on illustrated embodiments.
【００２０】＜新規なパターニング方法＞本発明は、特
願平４−３４３４６１号明細書あるいは特願平５−２０
７１１７号明細書に開示されている新規なパターニング
方法に用いるのに適した微細パターン形成用マスク板に
関するものである。そこで、まず、この新規なパターニ
ング方法を簡単に説明しておく。<New Patterning Method> The present invention is described in Japanese Patent Application No. 4-343461 or Japanese Patent Application No. 5-20.
The present invention relates to a mask plate for forming a fine pattern suitable for use in the novel patterning method disclosed in Japanese Patent No. 7117. Therefore, first, this new patterning method will be briefly described.
【００２１】ここでは、ガラス基板上にＣｒからなる金
属配線層をパターニングするプロセスについて説明す
る。このプロセスは、特願平５−２０７１１７号明細書
に開示されている。まず、図１の断面図に示すように、
ガラス基板１０上にクロム（Ｃｒ）を堆積させ、Ｃｒ材
料層２０を形成する。Ｃｒを堆積させる方法としては、
従来から用いられている一般的な成膜方法を用いればよ
い。たとえば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、鍍
金法などを用いることができる。Here, a process for patterning a metal wiring layer made of Cr on a glass substrate will be described. This process is disclosed in Japanese Patent Application No. 5-207117. First, as shown in the sectional view of FIG.
Chromium (Cr) is deposited on the glass substrate 10 to form a Cr material layer 20. As a method of depositing Cr,
A general film forming method that has been conventionally used may be used. For example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, a plating method or the like can be used.
【００２２】続いて、このＣｒ材料層の上方に、本発明
に係るマスク板３０を配置する。このマスク板３０に
は、金属配線層に形成すべき所定のパターンに対応する
形状の開口窓３１が設けられている。開口窓３１は貫通
孔を形成しており、図の上下に反応性粒子が通り抜けら
れるようになっている。このマスク板３０は、Ｃｒ材料
層２０の層面に対してほぼ平行に配置される。Subsequently, the mask plate 30 according to the present invention is arranged above the Cr material layer. The mask plate 30 is provided with an opening window 31 having a shape corresponding to a predetermined pattern to be formed on the metal wiring layer. The opening window 31 forms a through hole so that the reactive particles can pass through the upper and lower parts of the figure. The mask plate 30 is arranged substantially parallel to the layer surface of the Cr material layer 20.
【００２３】マスク板３０の更に上方には、反応性粒子
発生源４０が置かれている。この反応性粒子発生源４０
は、反応性粒子を発生するとともに、これを平行な流束
としてＣｒ材料層２０に向けて照射する機能を有する。
この実施例では、反応性粒子として弗化物イオン（例え
ば、ＣＦ３ ＋やＳＦ５ ＋）を用いており、反応性粒子発
生源４０としては、カウフマン型イオン銃を用いてい
る。A reactive particle generating source 40 is placed further above the mask plate 30. This reactive particle generation source 40
Has a function of generating reactive particles and irradiating the reactive particles as parallel fluxes toward the Cr material layer 20.
In this embodiment, fluoride ions (for example, CF 3 + or SF 5 + ) are used as the reactive particles, and a Kauffman type ion gun is used as the reactive particle generation source 40.
【００２４】このような構成において、反応性粒子発生
源４０からＣｒ材料層２０に向かって、弗化物イオンを
照射した場合を考える。弗化物イオンは、互いに平行な
イオン流として照射されるようにする。すなわち、Ｃｒ
材料層２０の表面が二次元的に弗化物イオンの照射を受
けることになる。また、イオン流の照射角度は、Ｃｒ材
料層２０の層面に対してほぼ垂直になるようにする。こ
のようなイオン流照射を行うと、マスク板３０の開口窓
３１に照射されたイオン流は、そのまま通過してＣｒ材
料層２０の表面にまで到達するが、開口窓以外の部分に
照射されたイオン流は、マスク板３０に阻まれてＣｒ材
料層２０まで到達することはできない。しかも、各イオ
ン流はＣｒ材料層２０の表面に対してほぼ垂直な方向に
入射するような直進性をもっているため、Ｃｒ材料層２
０の表面には、マスク板３０のパターンが投影された状
態になる。別言すれば、Ｃｒ材料層２０のうち、マスク
板３０のパターンに対応する領域には弗化物イオンが衝
突し、マスク板３０の影になった領域には衝突は起こら
ないことになる。Consider a case in which the reactive particle generating source 40 is irradiated with fluoride ions toward the Cr material layer 20 in such a structure. The fluoride ions are irradiated as a stream of ions parallel to each other. That is, Cr
The surface of the material layer 20 is two-dimensionally irradiated with fluoride ions. Further, the irradiation angle of the ion flow is set to be substantially perpendicular to the layer surface of the Cr material layer 20. When such ion flow irradiation is performed, the ion flow irradiated to the opening window 31 of the mask plate 30 passes through as it is and reaches the surface of the Cr material layer 20, but is irradiated to the portion other than the opening window. The ion flow is blocked by the mask plate 30 and cannot reach the Cr material layer 20. Moreover, since each ion flow has such a linearity that it is incident in a direction substantially perpendicular to the surface of the Cr material layer 20, the Cr material layer 2
The pattern of the mask plate 30 is projected on the surface of 0. In other words, in the Cr material layer 20, the fluoride ions collide with the region corresponding to the pattern of the mask plate 30, and the collision does not occur in the shaded region of the mask plate 30.
【００２５】ところで、Ｃｒ材料層２０の表面に弗化物
イオンが衝突すると、クロムと弗素との化学反応によ
り、弗素化合物膜２１が形成される。なお、条件によっ
ては、弗素によるコーティング膜が形成される場合もあ
るが、本明細書では、このような弗素コーティング膜も
含めて弗素化合物膜２１と呼ぶことにする。図２は、イ
オン流の照射を完了したときの状態を示す断面図であ
り、Ｃｒ材料層２０の表面に弗素化合物膜２１が形成さ
れた状態が明瞭に示されている。ここで、弗素化合物膜
２１は、マスク板３０の開口部３１に対応する領域にだ
け形成されており、マスク板３０のパターンと同じパタ
ーンがＣｒ材料層２０上に形成されたことになる。By the way, when fluoride ions collide with the surface of the Cr material layer 20, a fluorine compound film 21 is formed by a chemical reaction between chromium and fluorine. Depending on the conditions, a coating film of fluorine may be formed, but in the present specification, such a fluorine coating film is also referred to as a fluorine compound film 21. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the state when the irradiation of the ion stream is completed, and clearly shows the state in which the fluorine compound film 21 is formed on the surface of the Cr material layer 20. Here, the fluorine compound film 21 is formed only in the region corresponding to the opening 31 of the mask plate 30, and the same pattern as that of the mask plate 30 is formed on the Cr material layer 20.
【００２６】さて、図２に示すように、弗素化合物膜２
１が所定のパターンで形成されたら、これに対して選択
的なエッチングを行う。すなわち、Ｃｒ材料層２０と弗
素化合物膜２１との間で、エッチングレートの異なるエ
ッチング方法を行うのである。たとえば、硝酸第２セリ
ウムアンモン液を用いたエッチングを行えば、Ｃｒ材料
層２０に対するエッチング速度は、弗素化合物膜２１に
対するエッチング速度の１０倍程度となり、エッチング
速度の遅い弗素化合物膜２１をマスクとして用い、Ｃｒ
材料層２０のうち弗素化合物膜２１が形成されていない
部分のみをエッチング除去することが可能である。こう
して、図３に示すように、Ｃｒ材料層２０のうち、Ｃｒ
パターニング層２２だけがエッチング除去されずに残る
ことになり、このＣｒパターニング層２２が目的の金属
配線層となる。なお、別なエッチング方法として、ＣＣ
ｌ４を用いたドライエッチングを行っても、同程度のエ
ッチング選択比が得られる。Now, as shown in FIG. 2, the fluorine compound film 2
When 1 is formed in a predetermined pattern, selective etching is performed on it. That is, an etching method with different etching rates is performed between the Cr material layer 20 and the fluorine compound film 21. For example, when etching is performed using a ceric ammonium nitrate solution, the etching rate for the Cr material layer 20 is about 10 times the etching rate for the fluorine compound film 21, and the fluorine compound film 21 having a slow etching rate is used as a mask. , Cr
Only the portion of the material layer 20 where the fluorine compound film 21 is not formed can be removed by etching. Thus, as shown in FIG.
Only the patterning layer 22 remains without being removed by etching, and this Cr patterning layer 22 becomes the target metal wiring layer. As another etching method, CC
even if the dry etching using l 4, the etching selectivity ratio comparable to obtain.
【００２７】＜本発明に係るマスク板＞本発明は、上述
した新規なパターニング方法に用いるマスク板に関する
ものである。このマスク板には、所定のパターンをもっ
た物理的な開口窓が形成されているが、この開口窓の性
質によって、マスク板を２とおりのタイプに分けること
ができる。図４は、第１のタイプのマスク板５０の平面
図であり、このタイプのマスク板５０は、枠状部５１と
開口窓５２によって構成されている。ここで、開口窓５
２は、いわゆる「島状の開口窓」であり、マスク板５０
上において島状に点在する。このような第１のタイプの
マスク板５０は、１枚の金属板に開口窓５２を形成する
ことによって容易に作成することができ、開口窓５２を
形成しても何ら支障は生じない。<Mask Plate According to the Present Invention> The present invention relates to a mask plate used in the novel patterning method described above. Although a physical opening window having a predetermined pattern is formed on this mask plate, the mask plate can be classified into two types depending on the nature of this opening window. FIG. 4 is a plan view of the first type mask plate 50, and the mask plate 50 of this type includes a frame-shaped portion 51 and an opening window 52. Here, the opening window 5
2 is a so-called "island-shaped opening window", which is a mask plate 50
The islands are scattered on the top. Such a first type mask plate 50 can be easily manufactured by forming the opening window 52 in one metal plate, and even if the opening window 52 is formed, there is no problem.
【００２８】一方、図５は、第２のタイプのマスク板６
０の平面図であり、このタイプのマスク板６０は、枠状
部６１と開口窓６２と島状部６３とによって構成されて
いる。ここで、開口窓６２は、いわゆる「枠状の開口
窓」であり、この枠状の開口窓６２の内部には、島状部
６３が存在する。このような第２のタイプのマスク板６
０は、上述の第１のタイプのマスク板５０と同様の構造
によって実現することはできない。１枚の金属板に開口
窓６２を形成すると、この開口窓６２は物理的な開口窓
であるため、島状部６３は枠状部６１から分離されてし
まうことになる。すなわち、１枚の金属板によって、こ
の第２のタイプのマスク板６０を実現することはできな
い。On the other hand, FIG. 5 shows a mask plate 6 of the second type.
It is a plan view of No. 0, and this type of mask plate 60 includes a frame-shaped portion 61, an opening window 62, and an island-shaped portion 63. Here, the opening window 62 is a so-called “frame-shaped opening window”, and the island-shaped portion 63 exists inside the frame-shaped opening window 62. Such a second type mask plate 6
0 cannot be realized by the same structure as the mask plate 50 of the first type described above. When the opening window 62 is formed on a single metal plate, the island-shaped portion 63 is separated from the frame-shaped portion 61 because the opening window 62 is a physical opening window. That is, the second type mask plate 60 cannot be realized by a single metal plate.
【００２９】この点が、この新規なパターニング方法に
用いるマスク板が、従来のフォトリソグラフィ法に用い
るフォトマスクと根本的に異なる点である。フォトマス
クであれば、１枚のフィルム上において、枠状部６１お
よび島状部６３が遮光性をもち、開口部６２が透光性を
もつようなモノクロ画像を形成させておくだけでよい
が、この新規なパターニング方法で用いるマスク板は、
反応性粒子が通過する物理的な開口窓を形成する必要が
あるのである。This is the point that the mask plate used in this new patterning method is fundamentally different from the photomask used in the conventional photolithography method. In the case of a photomask, it suffices to form a monochrome image on a single film such that the frame-shaped portion 61 and the island-shaped portion 63 have a light-shielding property and the opening portion 62 has a light-transmitting property. , The mask plate used in this new patterning method is
It is necessary to form a physical opening window through which the reactive particles pass.
【００３０】本発明では、図６に示すような構造によ
り、図５に示すような枠状の開口窓をもったマスク板を
実現させている。この図６に示すマスク板７０は、外枠
７１と、ハニカム構造板７２と、マスク層７３，７４
と、開口窓７５と、によって構成されている。図７は、
このマスク板７０の縦断面図である。ハニカム構造板７
２は、パターニング対象領域に応じた広さを有する主面
をもった矩形の板状部材であり、外枠７１は、ハニカム
構造板７２の下面に、その外周部分を取り巻くように接
合されている。また、ハニカム構造板７２の上面には、
所定のパターン領域にマスク層７３，７４が形成されて
いる。ここで、マスク層７３は、図５に示すパターンの
島状部６３に対応し、マスク層７４は、図５に示すパタ
ーンの枠状部６１に対応する。また、いずれのマスク層
も形成されていない領域が開口窓７５となり、この開口
窓７５は、図５に示すパターンの開口窓６２に対応す
る。In the present invention, a mask plate having a frame-shaped opening window as shown in FIG. 5 is realized by the structure shown in FIG. The mask plate 70 shown in FIG. 6 includes an outer frame 71, a honeycomb structure plate 72, and mask layers 73 and 74.
And an opening window 75. Figure 7
FIG. 6 is a vertical sectional view of the mask plate 70. Honeycomb structure plate 7
Reference numeral 2 denotes a rectangular plate-shaped member having a main surface having an area corresponding to the patterning target region, and the outer frame 71 is joined to the lower surface of the honeycomb structure plate 72 so as to surround the outer peripheral portion thereof. . In addition, on the upper surface of the honeycomb structure plate 72,
Mask layers 73 and 74 are formed in predetermined pattern regions. Here, the mask layer 73 corresponds to the island-shaped portion 63 of the pattern shown in FIG. 5, and the mask layer 74 corresponds to the frame-shaped portion 61 of the pattern shown in FIG. Further, a region where neither mask layer is formed becomes an opening window 75, and this opening window 75 corresponds to the opening window 62 of the pattern shown in FIG.
【００３１】ここで重要な点は、ハニカム構造板７２の
少なくとも開口窓７５の領域には、前述した新規なパタ
ーニング工程において、材料層２０に対して化学反応を
生じさせる反応性粒子（前述の例では弗化物イオン）を
厚み方向に通過させることが可能な多数の貫通孔が形成
されている点である。これに対し、マスク層７３，７４
は、この反応性粒子を遮蔽する機能を有する。結局、こ
のマスク板７０の上方から、反応性粒子を照射すると、
図７の断面図に一点鎖線で示すように、マスク層７３，
７４が形成された領域については、反応性粒子は通過を
阻止されるが、開口窓７５の領域については、ハニカム
構造板７２に形成された多数の微細な貫通孔を通って反
応性粒子が図の下方へと通過することになる。こうし
て、このマスク板７０は、図５に示すような平面パター
ンをもったマスク板６０と同等の機能をもつことにな
る。しかも、島状のマスク層７３と枠状のマスク層７４
とは、いずれもハニカム構造板７２上に固着されている
ため、互いに分離することなく１枚のマスク板としての
一体構造を有する。Here, an important point is that at least in the region of the opening window 75 of the honeycomb structure plate 72, the reactive particles that cause a chemical reaction with the material layer 20 in the above-described novel patterning process (the above-mentioned example). The point is that a large number of through holes are formed so that fluoride ions) can pass through in the thickness direction. On the other hand, the mask layers 73 and 74
Has a function of shielding the reactive particles. After all, when reactive particles are irradiated from above the mask plate 70,
As shown by the dashed line in the cross-sectional view of FIG. 7, the mask layer 73,
In the area where 74 is formed, the reactive particles are blocked from passing, but in the area of the opening window 75, the reactive particles pass through a large number of minute through holes formed in the honeycomb structure plate 72. Will pass below. Thus, the mask plate 70 has the same function as the mask plate 60 having the plane pattern as shown in FIG. Moreover, the island-shaped mask layer 73 and the frame-shaped mask layer 74
Since all are fixed on the honeycomb structure plate 72, they have an integral structure as one mask plate without being separated from each other.
【００３２】図８は、ハニカム構造板７２の詳細な構造
説明図である。ここに示す例では、厚み数μｍのハニカ
ム構造板７２に、直径２００〜１０００オングストロー
ムの円柱状の貫通孔７２ｈが、２．０×１０６〜２．０
×１０７／ｍｍ２程度の密度で多数配置されている。本
発明のマスク板に用いられるハニカム構造板７２には、
このように、径が２００〜１０００オングストローム程
度の微細な構造をもった貫通孔７２ｈが、２．０×１０
６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の高密度で多数配置さ
れている必要がある。これは、このハニカム構造板７２
を通過した反応性粒子による反応を、１つの開口窓領域
内において均一に生じさせるためである。たとえば、図
５に示すような平面パターンをもったマスク板の場合、
開口窓６２の領域について、反応性粒子がハニカム構造
板７２を通過して、パターニング対象となる材料層に衝
突することになるが、この反応性粒子の衝突を、開口窓
６２の領域内において、均一にさせるのに十分微細な構
造をもった貫通孔７２ｈが、均一にさせるのに十分な密
度で配置されている必要がある。FIG. 8 is a detailed structural explanatory view of the honeycomb structure plate 72. In the example shown here, a through hole 72h having a cylindrical shape with a diameter of 200 to 1000 angstroms is formed in the honeycomb structure plate 72 having a thickness of several μm in a range of 2.0 × 10 6 to 2.0.
Many are arranged at a density of about 10 7 / mm 2 . The honeycomb structure plate 72 used for the mask plate of the present invention includes
As described above, the through hole 72h having a fine structure with a diameter of about 200 to 1000 angstroms has a diameter of 2.0 × 10
It is necessary that a large number are arranged at a high density of about 6 to 2.0 × 10 7 / mm 2 . This is this honeycomb structure plate 72
This is to cause the reaction by the reactive particles that have passed through 1 to occur uniformly in one opening window region. For example, in the case of a mask plate having a plane pattern as shown in FIG.
In the area of the opening window 62, the reactive particles pass through the honeycomb structure plate 72 and collide with the material layer to be patterned, and the collision of the reactive particles is caused in the area of the opening window 62. It is necessary that the through holes 72h having a structure fine enough to make them uniform be arranged at a density sufficient to make them uniform.
【００３３】このように、多数の微細な貫通孔７２ｈを
もったハニカム構造板７２は、アルミニウム板に対して
陽極酸化を行うことにより、容易に得ることができる。
たとえば、図９に示すような断面をもったアルミニウム
板８０を用意し、この上面に対して陽極酸化を行うと、
図１０に示すように、アルミニウム板８０の上層部分は
酸化を受け、酸化アルミニウムとなり、下層部分はもと
のアルミニウムのままの状態となる。たとえば、アルミ
ニウム板８０の下面を別な保護層で覆っておき、露出し
た上面だけが酸化を受ける状態にしておき、このアルミ
ニウム板８０を、図１１に示すように、白金板などから
構成される対極８３とともに陽極酸化液の中に浸す。そ
して、対極８３となる白金板に対して、アルミニウム板
８０に正の酸化電圧を印加すると、アルミニウム板８０
の露出面から深部へ向かって徐々に酸化が行われること
になる。これが陽極酸化である。酸化が進行する深さ
は、印加する電圧値と時間によって制御することができ
る。As described above, the honeycomb structure plate 72 having many fine through holes 72h can be easily obtained by anodizing the aluminum plate.
For example, when an aluminum plate 80 having a cross section as shown in FIG. 9 is prepared and the upper surface thereof is anodized,
As shown in FIG. 10, the upper layer portion of the aluminum plate 80 is oxidized to become aluminum oxide, and the lower layer portion remains in the original aluminum state. For example, the lower surface of the aluminum plate 80 is covered with another protective layer, and only the exposed upper surface is left in a state of being oxidized, and the aluminum plate 80 is composed of a platinum plate or the like as shown in FIG. It is immersed in the anodizing solution together with the counter electrode 83. When a positive oxidation voltage is applied to the aluminum plate 80 with respect to the platinum plate serving as the counter electrode 83, the aluminum plate 80
Oxidation will be gradually performed from the exposed surface of the to the deep part. This is anodization. The depth at which the oxidation proceeds can be controlled by the applied voltage value and time.
【００３４】ここで、このアルミニウムに対して陽極酸
化を行うと、上層の酸化アルミニウムからなる酸化層
が、ハニカム構造層８２になることが知られている。す
なわち、この酸化層には、直径２００〜１０００オング
ストローム程度の円柱状の孔部８２ｈが、２．０×１０
６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で多数形成され
ることが知られている（たとえば、Corrosion Science
Vol.18,p481,1978,G.E.Thompson etalに報告がある）。
まだ、この状態では、孔部８２ｈは貫通孔にはなってい
ない。そこで、この孔部８２ｈの底を電界研磨して更に
掘り下げ、下層部分の非酸化残存層８１を除去すれば、
貫通孔を有するハニカム構造層８２を得ることができ、
これを本発明に係るマスク板におけるハニカム構造板７
２として利用することができる。このような原理を利用
して、本発明に係るマスク板を製造する方法を以下に詳
述する。Here, it is known that when this aluminum is anodized, the upper oxide layer made of aluminum oxide becomes the honeycomb structure layer 82. That is, in this oxide layer, a cylindrical hole portion 82h having a diameter of about 200 to 1000 angstroms is formed in an amount of 2.0 × 10.
It is known that a large number are formed at a density of about 6 to 2.0 × 10 7 / mm 2 (for example, Corrosion Science
Vol.18, p481,1978, GEThompson et al.).
In this state, the hole 82h is not yet a through hole. Therefore, if the bottom of the hole 82h is electropolished and further dug down to remove the non-oxidation residual layer 81 in the lower layer,
A honeycomb structure layer 82 having through holes can be obtained,
This is the honeycomb structure plate 7 in the mask plate according to the present invention.
It can be used as 2. A method of manufacturing the mask plate according to the present invention using such a principle will be described in detail below.
【００３５】＜本発明に係るマスク板の製造方法：実施
例１＞ここでは、図６に示すような構造をもったマスク
板７０を製造する方法の一実施例を、断面図を示しなが
ら各段階に分けて説明する。<Manufacturing Method of Mask Plate According to the Present Invention: First Embodiment> Here, one embodiment of a method of manufacturing a mask plate 70 having a structure as shown in FIG. 6 will be described with reference to sectional views. The steps will be described.
【００３６】第１の段階 まず、図１２に示すように、支持基板１００の上面に、
第１の金属層１１０を形成する。ここで、支持基板１０
０は、その外周部分が最終的に外枠７１を形成すること
になる基板であり、この実施例では、シリコン（Ｓｉ）
により支持基板１００を構成している。また、第１の金
属層１１０は、後述する第６の段階における電界研磨を
行う際の電界研磨用電極膜として機能する金属層であ
り、この実施例では、クロム（Ｃｒ）により第１の金属
層１１０を構成している。この実施例では、Ｓｉからな
る支持基板１００の上面に、スパッタ法などにより、Ｃ
ｒからなる第１の金属層１１０を、０．２μｍ程度の厚
みで成膜している。もちろん、支持基板１００をＳｉ以
外の材料で構成してもよく、第１の金属層１１０をＣｒ
以外の材料で構成してもよい。また、第１の金属層１１
０はどのような方法で成膜してもよい。First Stage First, as shown in FIG. 12, on the upper surface of the support substrate 100,
The first metal layer 110 is formed. Here, the support substrate 10
Reference numeral 0 denotes a substrate whose outer peripheral portion will eventually form the outer frame 71. In this embodiment, silicon (Si) is used.
The support substrate 100 is constituted by In addition, the first metal layer 110 is a metal layer that functions as an electrode film for electropolishing when performing electropolishing in a sixth step described later. In this embodiment, the first metal layer is made of chromium (Cr). It comprises the layer 110. In this embodiment, C is formed on the upper surface of the support substrate 100 made of Si by a sputtering method or the like.
The first metal layer 110 made of r is formed to a thickness of about 0.2 μm. Of course, the support substrate 100 may be made of a material other than Si, and the first metal layer 110 may be made of Cr.
Other materials may be used. In addition, the first metal layer 11
0 may be formed by any method.
【００３７】第２の段階 次に、図１３に示すように、第１の金属層１１０の上面
に、第２の金属層１２０を形成する。ここで、第２の金
属層１２０は、次の第３の段階における陽極酸化によ
り、多数の孔部をもったハニカム構造層が形成される性
質をもった金属である必要がある。この実施例では、こ
のような性質をもった典型的な金属として、アルミニウ
ムを用いているが、アルミニウムの合金を用いてもかま
わない。この実施例では、やはりスパッタ法により、第
２の金属層１２０を厚み３．２μｍ程度に成膜している
が、他の成膜法を用いてもかまわない。Second Stage Next, as shown in FIG. 13, a second metal layer 120 is formed on the upper surface of the first metal layer 110. Here, the second metal layer 120 needs to be a metal having the property of forming a honeycomb structure layer having a large number of pores by anodic oxidation in the next third step. In this embodiment, aluminum is used as a typical metal having such properties, but an aluminum alloy may be used. In this embodiment, the second metal layer 120 is formed to a thickness of about 3.2 μm by the sputtering method, but another film forming method may be used.
【００３８】第３の段階 続いて、第２の金属層１２０の上面に対する陽極酸化を
行う。すなわち、図１３に示す基板全体を、図１１に示
すアルミニウム板８０と同様に、白金板などの対極８３
とともに陽極酸化液８４に浸し、第２の金属層１２０側
が正、対極８３側が負となるように所定の酸化電圧を印
加しながら陽極酸化を行う。この実施例では、陽極酸化
液８４として、０．２Ｍリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を用い、
液温：２５℃、電流密度：５０Ａ／ｍ２という条件で、
３０分間陽極酸化を行った。第２の金属層１２０の下面
は第１の金属層１１０によって覆われているので、陽極
酸化は、第２の金属層１２０の上面から深部へと徐々に
進行することになる。酸化の進行する速度は、上述の条
件によって自由に設定可能である。なお、陽極酸化液８
４としては、この他、硫酸、しゅう酸、クロム酸、ほう
酸などを用いることもできる。 Third Step Subsequently, the upper surface of the second metal layer 120 is anodized. That is, like the aluminum plate 80 shown in FIG. 11, the entire substrate shown in FIG.
At the same time, it is immersed in the anodizing liquid 84, and anodization is performed while applying a predetermined oxidizing voltage so that the second metal layer 120 side becomes positive and the counter electrode 83 side becomes negative. In this embodiment, 0.2 M phosphoric acid (H 3 PO 4 ) is used as the anodizing liquid 84,
Liquid temperature: 25 ° C., current density: 50 A / m 2 ,
Anodization was performed for 30 minutes. Since the lower surface of the second metal layer 120 is covered with the first metal layer 110, the anodic oxidation gradually progresses from the upper surface of the second metal layer 120 to the deep portion. The rate of progress of oxidation can be freely set according to the above conditions. The anodizing liquid 8
Other than this, sulfuric acid, oxalic acid, chromic acid, boric acid, etc. can be used as 4.
【００３９】前述したように、アルミニウム層に対して
陽極酸化を行うと、形成される酸化アルミニウム層は、
多数の微細な孔部を有するハニカム構造層となる。した
がって、この陽極酸化の結果、アルミニウムからなる第
２の金属層１２０は、図１４に示すように、酸化アルミ
ニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなるハニカム構造層１２１
と、酸化を受けなかった非酸化残存層１２２と、に変わ
ることになる。別言すれば、アルミニウムからなる第２
の金属層１２０の上層部分だけが酸化されてハニカム構
造層１２１になり、下層部分は酸化を受けずに非酸化残
存層１２２として残ることになる。上述の陽極酸化条件
では、厚み３．２μｍの第２の金属層１２０に対する陽
極酸化により、厚み４．５μｍのハニカム構造層１２１
と、厚み０．１μｍの非酸化残存層１２２と、が得られ
た。なお、図において、このハニカム構造層１２１と非
酸化残存層１２２との境界は、破線によって示すことに
する。As described above, when the aluminum layer is anodized, the aluminum oxide layer formed is
The honeycomb structure layer has a large number of fine holes. Therefore, as a result of this anodic oxidation, the second metal layer 120 made of aluminum has a honeycomb structure layer 121 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) as shown in FIG.
To the non-oxidized residual layer 122 that has not been oxidized. In other words, the second made of aluminum
Only the upper layer part of the metal layer 120 is oxidized to become the honeycomb structure layer 121, and the lower layer part is not oxidized and remains as the non-oxidized residual layer 122. Under the anodizing conditions described above, the second metal layer 120 having a thickness of 3.2 μm is anodized, so that the honeycomb structure layer 121 having a thickness of 4.5 μm is formed.
And a non-oxidized residual layer 122 having a thickness of 0.1 μm was obtained. In the figure, the boundary between the honeycomb structure layer 121 and the non-oxidized residual layer 122 is indicated by a broken line.
【００４０】図１４に示す断面図の部分拡大図を図１５
に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に
形成された多数の微細な孔部１２１ｈが明瞭に示されて
いる。なお、非酸化残存層１２２とハニカム構造層１２
１との界面は、通常は平面にはならず、図に示すよう
に、孔部１２１ｈに応じた波状面となる。また、孔部１
２１ｈの底には、酸化アルミニウムの層が存在し、この
段階では、孔部１２１ｈは貫通孔にはなっていない。FIG. 15 is a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG.
Shown in. In this partially enlarged view, a large number of minute holes 121h formed in the honeycomb structure layer 121 are clearly shown. The non-oxidized residual layer 122 and the honeycomb structure layer 12
The interface with 1 is not normally a flat surface, but a wavy surface corresponding to the hole 121h as shown in the figure. Also, the hole 1
At the bottom of 21h, there is a layer of aluminum oxide, and at this stage, the hole 121h is not a through hole.
【００４１】第４の段階 次に、図１６に示すように、ハニカム構造層１２１の上
面に、第３の金属層１３０を形成する。ここで、第３の
金属層１３０としては、「ハニカム構造層１２１（すな
わち、第２の金属層１２０の酸化物）を溶解せずに、第
３の金属層１３０を溶解することができるようなエッチ
ング液が存在する」という条件を満たせば、どのような
材料で構成してもかまわない。すなわち、第３の金属層
１３０として、第１の金属層１１０と同じ金属を用いて
もかまわない。この実施例では、第１の金属層１１０と
同じＣｒによって、第３の金属層１３０を形成してい
る。この場合、Ｃｒに対するエッチング液として、たと
えば硝酸第２セリウムアンモンを用いれば、酸化アルミ
ニウムからなるハニカム構造層１２１を溶解せずにＣｒ
からなる第３の金属層１３０のみをエッチング除去する
ことができ、上述の条件が満たされている。この実施例
では、Ｃｒからなる第３の金属層１３０を、スパッタ法
により形成している。なお、この実施例では、第３の層
１３０としてＣｒを用いているため、「第３の金属層１
３０」と記述しているが、この層は金属に限定されるも
のではない。上述の条件を満たせば、金属だけでなく、
窒化物や酸化物といった絶縁化合物を用いてもよい。 Fourth Stage Next, as shown in FIG. 16, a third metal layer 130 is formed on the upper surface of the honeycomb structure layer 121. Here, as the third metal layer 130, it is possible to dissolve the third metal layer 130 without dissolving the honeycomb structure layer 121 (that is, the oxide of the second metal layer 120). Any material may be used as long as the condition "there is an etching solution" is satisfied. That is, the same metal as the first metal layer 110 may be used as the third metal layer 130. In this embodiment, the third metal layer 130 is formed of the same Cr as the first metal layer 110. In this case, if, for example, ceric ammonium nitrate is used as an etching solution for Cr, the honeycomb structure layer 121 made of aluminum oxide is not dissolved and Cr is not dissolved.
Only the third metal layer 130 consisting of can be removed by etching, and the above conditions are satisfied. In this embodiment, the third metal layer 130 made of Cr is formed by the sputtering method. In this embodiment, since Cr is used as the third layer 130, the “third metal layer 1
30 ", but this layer is not limited to metals. If you meet the above conditions, not only metal,
An insulating compound such as nitride or oxide may be used.
【００４２】図１６に示す断面図の部分拡大図を図１７
に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に
形成された多数の微細な孔部１２１ｈを埋めるようにし
て、第３の金属層１３０が形成されている状態が示され
ている。なお、この第３の金属層１３０は、最終的にマ
スク層として機能する層であるので、反応性粒子の通過
を阻止することができるだけの十分な厚みをもたせてお
く必要がある。FIG. 17 is a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG.
Shown in. This partially enlarged view shows a state in which the third metal layer 130 is formed so as to fill the large number of minute holes 121h formed in the honeycomb structure layer 121. Since the third metal layer 130 is a layer that finally functions as a mask layer, it is necessary to have a thickness sufficient to prevent passage of reactive particles.
【００４３】第５の段階 続いて、第３の金属層１３０に対するパターニングを行
い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層と
して残し、それ以外の領域を開口窓とする。この実施例
では、図１８に示すように、開口窓１３１が形成され、
島状のマスク層１３２と枠状のマスク層１３３とが残さ
れている。ここで、開口窓１３１，島状のマスク層１３
２，枠状のマスク層１３３は、それぞれ、図６に示すマ
スク板７０における開口窓７５，島状マスク層７３，枠
状マスク層７４に対応するものである。 Fifth Step Subsequently, patterning is performed on the third metal layer 130, leaving only a region corresponding to a predetermined fine pattern as a mask layer, and leaving the other region as an opening window. In this embodiment, the opening window 131 is formed as shown in FIG.
The island-shaped mask layer 132 and the frame-shaped mask layer 133 are left. Here, the opening window 131 and the island-shaped mask layer 13
The frame-shaped mask layer 133 corresponds to the opening window 75, the island-shaped mask layer 73, and the frame-shaped mask layer 74 in the mask plate 70 shown in FIG. 6, respectively.
【００４４】第３の金属層１３０に対するこのようなパ
ターニングは、一般的なフォトリソグラフィの手法を用
いればよい。すなわち、第３の金属層１３０の上面に有
機レジストを塗布し、図５に示すような平面パターンを
もったフォトマスクを用いて露光を行い、有機レジスト
の層を現像し、第３の金属層１３０の露出面をエッチン
グにより除去すればよい。前述のように、エッチング液
として、硝酸第２セリウムアンモンを用いれば、第３の
金属層１３０の露出部分のみをエッチング除去すること
ができ、その下のハニカム構造層１２１はエッチングの
影響を受けない。For such patterning of the third metal layer 130, a general photolithography technique may be used. That is, an organic resist is applied to the upper surface of the third metal layer 130, exposure is performed using a photomask having a plane pattern as shown in FIG. 5, the organic resist layer is developed, and the third metal layer is developed. The exposed surface of 130 may be removed by etching. As described above, when the ceric ammonium nitrate is used as the etching liquid, only the exposed portion of the third metal layer 130 can be removed by etching, and the honeycomb structure layer 121 thereunder is not affected by the etching. .
【００４５】図１８に示す断面図の部分拡大図を図１９
に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に
形成された多数の微細な孔部１２１ｈに埋まっていた第
３の金属Ｃｒが、エッチング液に溶出し、開口窓１３１
の領域では、孔部１２１ｈが空になっている状態が示さ
れている。FIG. 19 is a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG.
Shown in. In this partially enlarged view, the third metal Cr buried in the large number of minute holes 121h formed in the honeycomb structure layer 121 is eluted into the etching solution and the opening window 131 is formed.
In the area of, the state where the hole 121h is empty is shown.
【００４６】第６の段階 次に、ハニカム構造層１２１に形成された孔部１２１ｈ
の底の部分に対する電界研磨を行う。すなわち、図１８
に示す基板全体を、図１１に示すアルミニウム板８０と
同様に、白金板などの対極８３とともに電界研磨液に浸
し、第１の金属層１１０側が正、対極８３側が負となる
ように所定の研磨電圧を印加しながら電界研磨を行う。
この電界研磨は、上述した第３の段階で行った陽極酸化
の手法に似ているが、陽極酸化液の代わりに電界研磨液
を用いる点が異なる。この実施例では、電界研磨液とし
て、２０％過塩素酸（ＨＣｌＯ４）／８０％エタノール
溶液を用い、液温：０℃（アイスバスによる冷却を行っ
た）、電流密度：０．１Ａ／ｃｍ２（または、陽極酸化
電圧以上の定電圧を印加）という条件で、１〜２秒間電
界研磨を行った。このときの研磨速度は、１０μｍ／分
程度であり、第１の金属層１１０を電界研磨用電極膜と
して用いることにより、孔部１２１ｈの底の部分が研磨
除去された。図１９に示す研磨前の状態に対して、研磨
後は、図２０に示す状態が得られた。開口窓１３１の領
域に存在する孔部１２１ｈの底の部分が溶出し、ハニカ
ム構造層１２１に関しての貫通孔１２１ｔｈが形成され
た。なお、この貫通孔１２１ｔｈは、ハニカム構造層１
２１を貫通しているという意味での「貫通孔」であり、
図２０に示すように、この時点では、まだ非酸化残存層
１２２，第１の金属層１１０，支持基板１００といった
各層が下に存在するため、本来の「貫通孔」にはなって
いない。 Sixth Stage Next, the holes 121h formed in the honeycomb structure layer 121.
Electropolishing is performed on the bottom portion of the. That is, in FIG.
Like the aluminum plate 80 shown in FIG. 11, the entire substrate shown in FIG. 11 is immersed in an electric field polishing liquid together with a counter electrode 83 such as a platinum plate, and a predetermined polishing is performed so that the first metal layer 110 side becomes positive and the counter electrode 83 side becomes negative. Electropolishing is performed while applying a voltage.
This electropolishing is similar to the method of anodic oxidation performed in the third step described above, except that an electropolishing liquid is used instead of the anodic oxidation liquid. In this example, a 20% perchloric acid (HClO 4 ) / 80% ethanol solution was used as the electropolishing liquid, the liquid temperature was 0 ° C. (cooling with an ice bath), and the current density was 0.1 A / cm. The electropolishing was performed for 1 to 2 seconds under the condition of 2 (or a constant voltage higher than the anodic oxidation voltage is applied). The polishing rate at this time was about 10 μm / min, and by using the first metal layer 110 as the electrode film for electropolishing, the bottom portion of the hole 121h was polished and removed. After polishing, the state shown in FIG. 20 was obtained as compared with the state before polishing shown in FIG. The bottom portion of the hole 121h existing in the region of the opening window 131 was eluted, and the through hole 121th for the honeycomb structure layer 121 was formed. The through holes 121th are formed in the honeycomb structure layer 1
It is a "through hole" in the sense that it penetrates through 21,
As shown in FIG. 20, at this point, the non-oxidized residual layer 122, the first metal layer 110, and the supporting substrate 100 are still present under the layers, so that the original “through holes” have not been formed.
【００４７】第７の段階 続いて、支持基板１００、第１の金属層１１０、非酸化
残存層１２２の、中央部分を除去し、残った周囲部分を
外枠７１とする。まず、図２１に示すように、支持基板
１００の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠
状部１０１によって囲まれた空洞部１０２が形成される
ようにする。これは、基板上面の全面および基板下面の
周囲部分を何らかの材料で覆って保護し、弗酸などのシ
リコンに対するエッチング溶液を図の下方から作用させ
ればよい。なお、Ｃｒからなる第１の金属層１１０は、
弗酸による腐食は受けないので、図２１に示すように、
形成される空洞部１０２は、第１の金属層１１０の下面
までとなる。このように、第１の金属層１１０は、前述
した第６の段階において、電界研磨用電極膜として機能
するだけでなく、この第７の段階ではエッチングストッ
パとして機能することになる。 Seventh Stage Subsequently, the central portions of the supporting substrate 100, the first metal layer 110, and the non-oxidized residual layer 122 are removed, and the remaining peripheral portions are used as the outer frame 71. First, as shown in FIG. 21, the central portion of the support substrate 100 is removed by etching to form a cavity 102 surrounded by the remaining frame-shaped portion 101. This may be achieved by covering the entire upper surface of the substrate and the peripheral portion of the lower surface of the substrate with some material so as to protect them, and causing an etching solution for silicon such as hydrofluoric acid to act from the bottom of the drawing. The first metal layer 110 made of Cr is
Since it is not corroded by hydrofluoric acid, as shown in FIG.
The formed cavity 102 extends to the lower surface of the first metal layer 110. As described above, the first metal layer 110 not only functions as the electropolishing electrode film in the sixth step described above, but also functions as an etching stopper in the seventh step.
【００４８】次に、図２２に示すように、第１の金属層
１１０の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠
状部１１１によって囲まれた空洞部１１２が形成される
ようにする。これは、硝酸第２セリウムアンモン溶液な
どのＣｒに対するエッチング液を図の下方から作用させ
ればよい。図２２に示す断面図の部分拡大図を図２３に
示す。Next, as shown in FIG. 22, the central portion of the first metal layer 110 is removed by etching to form a cavity 112 surrounded by the remaining frame-shaped portion 111. This can be done by applying an etching solution for Cr such as a ceric ammonium nitrate solution from below in the figure. FIG. 23 shows a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG.
【００４９】更に、図２４に示すように、非酸化残存層
１２２の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠
状部１２３によって囲まれた空洞部１２４が形成される
ようにする。これは、リン酸系のエッチング溶液などの
Ａｌに対するエッチング液を図の下方から作用させれば
よい。図２４に示す断面図の部分拡大図を図２５に示
す。この図には、開口窓１３１の領域において、貫通孔
１２１ｔｈが完全な貫通孔になっていることが明瞭に示
されている。なお、非酸化残存層１２２に対するエッチ
ングは、貫通孔１２１ｔｈを通して図の上方から行うこ
とも可能である。したがって、非酸化残存層１２２に対
するエッチングを、第１の金属層１１０に対するエッチ
ングよりも先に行ってもよい。Further, as shown in FIG. 24, the central portion of the non-oxidized residual layer 122 is removed by etching to form a cavity portion 124 surrounded by the remaining frame-shaped portion 123. For this, an etching solution for Al such as a phosphoric acid-based etching solution may be applied from the bottom of the figure. FIG. 25 shows a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG. This figure clearly shows that the through hole 121th is a complete through hole in the region of the opening window 131. The non-oxidized residual layer 122 may be etched from above in the figure through the through hole 121th. Therefore, the etching of the non-oxidized residual layer 122 may be performed before the etching of the first metal layer 110.
【００５０】この図２４あるいは図２５に示す構造によ
り、図６に示すマスク板７０が実現されている。すなわ
ち、ハニカム構造層１２１がハニカム構造板７２に対応
し、枠状部１０１，１１１，１２３が外枠７１に対応
し、マスク層１３２，１３３がマスク層７３，７４に対
応し、開口窓１３１が開口窓７５に対応している。With the structure shown in FIG. 24 or 25, the mask plate 70 shown in FIG. 6 is realized. That is, the honeycomb structure layer 121 corresponds to the honeycomb structure plate 72, the frame-shaped portions 101, 111 and 123 correspond to the outer frame 71, the mask layers 132 and 133 correspond to the mask layers 73 and 74, and the opening window 131 is formed. It corresponds to the opening window 75.
【００５１】＜本発明に係るマスク板の製造方法：実施
例２＞続いて、本発明に係るマスク板の製造方法の別な
実施例を述べる。この方法は、上述した実施例１におけ
る第３の段階〜第５の段階の順序を若干入れ替えたもの
である。すなわち、実施例１では、 第３の段階 ： 第２の金属層１２０の陽極酸化 第４の段階 ： 第３の金属層１３０の形成 第５の段階 ： 第３の金属層１３０のパターニング という順序で処理を行っていたのに対し、この実施例２
では、 第３の段階 ： 第３の金属層１３０の形成 第４の段階 ： 第３の金属層１３０のパターニング 第５の段階 ： 第２の金属層１２０の陽極酸化 という順序で処理を行うことになる。以下、この方法を
断面図を示しながら各段階に分けて説明する。<Mask Plate Manufacturing Method According to the Present Invention: Embodiment 2> Next, another embodiment of the mask plate manufacturing method according to the present invention will be described. In this method, the order of the third to fifth steps in the above-described first embodiment is slightly changed. That is, in Example 1, the third step: anodization of the second metal layer 120, the fourth step: formation of the third metal layer 130, the fifth step: patterning of the third metal layer 130, in this order. While the processing was performed, this embodiment 2
Then, in order of the third step: formation of the third metal layer 130, the fourth step: patterning of the third metal layer 130, the fifth step: anodization of the second metal layer 120. Become. Hereinafter, this method will be described by dividing it into each step while showing a sectional view.
【００５２】第１の段階 前述した実施例１と全く同様である。すなわち、図１２
に示すように、支持基板１００の上面に、第１の金属層
１１０を形成する。 First Stage This is exactly the same as the first embodiment described above. That is, FIG.
As shown in, the first metal layer 110 is formed on the upper surface of the support substrate 100.
【００５３】第２の段階 前述した実施例１と全く同様である。すなわち、図１３
に示すように、第１の金属層１１０の上面に、第２の金
属層１２０を形成する。 Second Stage This is exactly the same as the first embodiment described above. That is, in FIG.
As shown in FIG. 2, the second metal layer 120 is formed on the upper surface of the first metal layer 110.
【００５４】第３の段階 実施例１では、ここで第２の金属層１２０に対する陽極
酸化を行っていたが、この実施例２では、まだ陽極酸化
は行わない。代わりに、図２６に示すように、第２の金
属層１２０の上面に、第３の金属層１３０を形成する。In the third stage Example 1, the second metal layer 120 was anodized here, but in this Example 2, the anodization is not yet performed. Instead, as shown in FIG. 26, the third metal layer 130 is formed on the upper surface of the second metal layer 120.
【００５５】第４の段階 続いて、第３の金属層１３０に対するパターニングを行
い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層と
して残し、それ以外の領域を開口窓とする。すなわち、
図２７に示すように、開口窓１３１が形成され、島状の
マスク層１３２と枠状のマスク層１３３とが残されてい
る。 Fourth Step Subsequently, patterning is performed on the third metal layer 130, leaving only a region corresponding to a predetermined fine pattern as a mask layer, and leaving the other region as an opening window. That is,
As shown in FIG. 27, the opening window 131 is formed, and the island-shaped mask layer 132 and the frame-shaped mask layer 133 are left.
【００５６】第５の段階 この状態になってから、第２の金属層１２０の上面に対
する陽極酸化を行う。ただし、第２の金属層１２０の一
部分はマスク層１３２，１３３によって覆われているの
で、酸化は開口窓１３１から露出した部分についてのみ
行われる。この結果、図２８に示すように、酸化アルミ
ニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなるハニカム構造層１２１
と、酸化を受けなかった非酸化残存層１２２と、が形成
される。ハニカム構造層１２１は、開口窓１３１によっ
て露出した部分にのみ形成されることになる。図２８に
示す断面図の部分拡大図を図２９に示す。 Fifth Step After this state is reached, the upper surface of the second metal layer 120 is anodized. However, since part of the second metal layer 120 is covered with the mask layers 132 and 133, the oxidation is performed only on the part exposed from the opening window 131. As a result, as shown in FIG. 28, the honeycomb structure layer 121 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
And a non-oxidized residual layer 122 that has not been oxidized is formed. The honeycomb structure layer 121 is formed only on the portion exposed by the opening window 131. A partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG. 28 is shown in FIG.
【００５７】第６の段階 以下の各段階は、実施例１と同様である。すなわち、ハ
ニカム構造層１２１に形成された孔部１２１ｈの底の部
分に対する電界研磨を行えば、図２９に示す研磨前の状
態に対して、研磨後は、図３０に示す状態が得られる。 The sixth and subsequent steps are the same as in the first embodiment. That is, when electric field polishing is performed on the bottom portion of the hole 121h formed in the honeycomb structure layer 121, the state shown in FIG. 30 is obtained after the polishing as compared with the state before polishing shown in FIG.
【００５８】第７の段階 最後に、支持基板１００、第１の金属層１１０、非酸化
残存層１２２、の中央部分を除去し、残った周囲部分を
外枠７１とすれば、図３１に示す状態が得られる。図３
１に示す断面図の部分拡大図を図３２に示す。前述した
実施例１によって作成されたマスク板とは、若干細かな
部分での構造は異なるが、機能は全く同等である。な
お、図３０の状態から図３２の状態へもってゆくために
エッチングを行う場合、非酸化残存層１２２がすべて除
去されてしまうことがないような工夫が必要になる（す
なわち、図３２に示すように、マスク層１３２によって
覆われている部分については、非酸化残存層１２２を残
しておく必要がある）。ここでは、次のような３とおり
のエッチング法を示しておく。 Seventh Stage Finally, the central portions of the supporting substrate 100, the first metal layer 110 and the non-oxidized residual layer 122 are removed, and the remaining peripheral portions are used as the outer frame 71, as shown in FIG. The state is obtained. Figure 3
FIG. 32 shows a partially enlarged view of the sectional view shown in FIG. The structure of the mask plate is slightly different from that of the mask plate prepared in the first embodiment, but the functions are exactly the same. When etching is performed to move from the state of FIG. 30 to the state of FIG. 32, it is necessary to devise such that the non-oxidized residual layer 122 is not completely removed (that is, as shown in FIG. 32). In addition, it is necessary to leave the non-oxidation residual layer 122 in the portion covered by the mask layer 132). Here, the following three etching methods are shown.
【００５９】図３０の状態において、まず、上方から
非酸化残存層１２２に対するエッチングを行い、マスク
層１３２で覆われていない領域を除去する。続いて、下
方から支持基板１００、第１の金属層１１０の順にエッ
チング除去すれば、図３２の構造を得る。In the state of FIG. 30, first, the non-oxidized residual layer 122 is etched from above to remove the region not covered with the mask layer 132. Then, the support substrate 100 and the first metal layer 110 are removed by etching in this order from the bottom to obtain the structure shown in FIG.
【００６０】図３０の状態において、と同様に、上
方から、非酸化残存層１２２に対するエッチングを行っ
た後、同じく上方から第１の金属層１１０に対するエッ
チングを行い、いずれも、マスク層１３２で覆われてい
ない領域を除去する。続いて、下方から支持基板１００
をエッチング除去する。この方法では、図３２に示す構
造とは若干異なる構造が得られる（図３２の非酸化残存
層１２２の下方に第１の金属層１１０の一部が残った構
造になる）。In the state shown in FIG. 30, similarly to the above, after etching the non-oxidized residual layer 122 from above, the first metal layer 110 is similarly etched from above, and both are covered with the mask layer 132. Remove unexposed areas. Then, from below, the support substrate 100
Are removed by etching. With this method, a structure slightly different from the structure shown in FIG. 32 is obtained (a structure in which a part of the first metal layer 110 remains below the non-oxidized residual layer 122 in FIG. 32).
【００６１】図３０の状態において、下方から支持基
板１００に対するエッチングを行い、更に第１の金属層
１１０に対するエッチングを行う。続いて、下方から非
酸化残存層１２２に対するエッチングを行うが、図３２
に示す構造が得られた時点でエッチングを中止する。す
なわち、アルミニウムに対して用いる腐蝕液のエッチン
グレートを考慮して、時間管理を行いながらエッチング
する。In the state of FIG. 30, the supporting substrate 100 is etched from below, and the first metal layer 110 is further etched. Subsequently, the non-oxidized residual layer 122 is etched from below, as shown in FIG.
Etching is stopped when the structure shown in FIG. That is, etching is performed while controlling the time in consideration of the etching rate of the corrosive liquid used for aluminum.
【００６２】上述の〜の方法の中では、方法が最
も好ましい（方法では目づまりの弊害を避けられな
い）。この実施例では、図３０の構造において、貫通孔
１２１ｔｈの下方に位置する非酸化残存層１２２の厚み
は０．１μｍ程度であるのに対し、マスク層１３２の下
方に位置する非酸化残存層１２２の厚みは３．２μｍ程
度であるので、方法の時間管理によるエッチング方法
は比較的容易に実施することが可能である。Among the above methods (1) to (5), the method is most preferable (the method cannot avoid the problem of clogging). In this embodiment, in the structure of FIG. 30, the thickness of the non-oxidized residual layer 122 located below the through hole 121th is about 0.1 μm, while the non-oxidized residual layer 122 located below the mask layer 132. Since its thickness is about 3.2 μm, the etching method based on time management of the method can be implemented relatively easily.
【００６３】この実施例２では、特有のメリットが得ら
れる。それは、前述した実施例１では、第３の金属層１
３０のパターニングを行う際（第５の段階）、孔部１２
１ｈに詰まった第３の金属が、エッチングにより除去さ
れずに残る可能性がある。すなわち、拡大断面図で示せ
ば、図１７に示す状態から、第３の金属層１３０の一部
をエッチング除去して、図１９に示す状態を得る際に、
開口窓１３１の領域に形成されている孔部１２１ｈの底
の部分に第３の金属（Ｃｒ）が残り、完全に除去されず
に目詰まりを起こす可能性がある。この実施例２では、
そのような弊害を避けることができる。すなわち、第３
の金属層１３０に対するパターニングを完了してから、
陽極酸化を行い孔部１２１ｈを形成するため、孔部１２
１ｈが目詰まりを起こすおそれはないのである。In the second embodiment, a unique merit can be obtained. It is the third metal layer 1 in the first embodiment described above.
When patterning 30 (fifth step), the holes 12 are formed.
The third metal clogged in 1 h may remain without being removed by etching. That is, in an enlarged cross-sectional view, when a part of the third metal layer 130 is removed by etching from the state shown in FIG. 17, the state shown in FIG.
The third metal (Cr) may remain in the bottom portion of the hole 121h formed in the region of the opening window 131, and may not be completely removed to cause clogging. In this second embodiment,
Such adverse effects can be avoided. That is, the third
After patterning the metal layer 130 of
Since the holes 121h are formed by performing anodic oxidation, the holes 12
There is no possibility that 1h will cause clogging.
【００６４】ただし、この実施例２には、次のようなデ
メリットもある。すなわち、図２７に示す状態から陽極
酸化を行い、図２８に示す状態を得るため、第２の金属
層１２０の露出面とともに、マスク層１３２，１３３の
表面も一緒に陽極酸化を受けてしまうのである。このた
め、マスク層１３２，１３３として用いる材料（第３の
層１３０として用いる材料）に加重条件が課されること
になる。すなわち、全く酸化されない材料（たとえば、
金、白金、窒化物、酸化物など：前述したように、第３
の層は金属である必要はない）を用いるか、あるいは、
酸に対する溶解度が高くなく安定に酸化される材料（た
とえば、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉなど）を用いる必要がある。したが
って、前述した実施例１において用いたＣｒを、第３の
金属層１３０として用いることは好ましくない。そこ
で、この実施例２では、第３の金属層１３０としてＴａ
を用いている。However, the second embodiment has the following disadvantages. That is, since the state shown in FIG. 27 is anodized and the state shown in FIG. 28 is obtained, the exposed surfaces of the second metal layer 120 and the surfaces of the mask layers 132 and 133 are also anodized. is there. Therefore, a weighting condition is imposed on the material used for the mask layers 132 and 133 (the material used for the third layer 130). That is, a material that does not oxidize at all (for example,
Gold, platinum, nitride, oxide, etc .: As mentioned above, the third
Layer does not have to be metallic), or
Materials that are not highly soluble in acid and are stably oxidized (for example, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Sb, Te, H
f, Ta, W, Bi, etc.) must be used. Therefore, it is not preferable to use the Cr used in Example 1 described above as the third metal layer 130. Therefore, in the second embodiment, Ta is used as the third metal layer 130.
Is used.
【００６５】以上、本発明を図示する実施例に基づいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、この他にも種々の態様で実施可能である。特
に上述の実施例で述べた各材料は一例として掲げたもの
であり、同様の機能を果たす材料に適宜置き換えて用い
ることができるものである。The present invention has been described above based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments and can be implemented in various modes other than this. In particular, each material described in the above-mentioned embodiments is given as an example, and can be used by appropriately replacing it with a material having the same function.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、多数の微
細な貫通孔が形成されたハニカム構造板とその上に形成
されたマスク層とによってマスク板を形成するようにし
たため、いわゆる枠状パターンの開口窓を有するマスク
板を実現することができる。また、アルミニウムなどの
金属板に対する陽極酸化により、ハニカム構造板を形成
させるようにしたため、このようなマスク板を効率良く
製造することができる。As described above, according to the present invention, since the mask plate is formed by the honeycomb structure plate in which a large number of fine through holes are formed and the mask layer formed thereon, a so-called frame shape is formed. A mask plate having a patterned opening window can be realized. Further, since the honeycomb structure plate is formed by anodizing a metal plate such as aluminum, such a mask plate can be efficiently manufactured.
【図１】本発明に係るマスク板を用いた新規なパターニ
ング方法を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a novel patterning method using a mask plate according to the present invention.
【図２】図１に示す方法によって、材料層上に化合物膜
が形成された状態を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a compound film is formed on a material layer by the method shown in FIG.
【図３】図２に示す材料層に対してエッチングを行った
状態を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing a state where the material layer shown in FIG. 2 is etched.
【図４】いわゆる島状の開口窓を有するマスク板の平面
図である。FIG. 4 is a plan view of a mask plate having a so-called island-shaped opening window.
【図５】いわゆる枠状の開口窓を有するマスク板の平面
図である。FIG. 5 is a plan view of a mask plate having a so-called frame-shaped opening window.
【図６】本発明の一実施例に係るマスク板の斜視図であ
る。FIG. 6 is a perspective view of a mask plate according to an embodiment of the present invention.
【図７】図６に示すマスク板の縦断面図である。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view of the mask plate shown in FIG.
【図８】図６に示すマスク板のハニカム構造板７２の構
造を示す拡大図である。8 is an enlarged view showing the structure of a honeycomb structure plate 72 of the mask plate shown in FIG.
【図９】ハニカム構造板７２を作成するもとになるアル
ミニウム板の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an aluminum plate which is a basis for forming the honeycomb structure plate 72.
【図１０】図９に示すアルミニウム板に対して陽極酸化
を行った状態を示す断面図である。10 is a cross-sectional view showing a state where anodization is performed on the aluminum plate shown in FIG.
【図１１】陽極酸化の方法を示す概念図である。FIG. 11 is a conceptual diagram showing a method of anodic oxidation.
【図１２】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第１の段階の工程を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing the process of the first stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図１３】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第２の段階の工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing the process of the second stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図１４】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第３の段階の工程を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing a step in a third stage of the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図１５】図１４に示す断面図の部分拡大図である。15 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG.
【図１６】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第４の段階の工程を示す断面図である。FIG. 16 is a sectional view showing a step in a fourth stage of the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図１７】図１６に示す断面図の部分拡大図である。17 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG.
【図１８】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第５の段階の工程を示す断図である。FIG. 18 is a sectional view showing a process of a fifth stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図１９】図１８に示す断面図の部分拡大図である。19 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG.
【図２０】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第６の段階の工程を示す部分拡大断面図で
ある。FIG. 20 is a partial enlarged cross-sectional view showing the process of the sixth step in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２１】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第７の段階の第１の工程を示す断面図であ
る。FIG. 21 is a sectional view showing a first step of a seventh stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２２】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第７の段階の第２の工程を示す断面図であ
る。FIG. 22 is a sectional view showing a second step of the seventh stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２３】図２２に示す断面図の部分拡大図である。23 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG.
【図２４】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実
施例における第７の段階の第３の工程を示す断面図であ
る。FIG. 24 is a sectional view showing a third step of the seventh stage in the first embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２５】図２４に示す断面図の部分拡大図である。25 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG.
【図２６】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実
施例における第３の段階の工程を示す断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view showing the process of the third stage in the second embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２７】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実
施例における第４の段階の工程を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing the process of the fourth stage in the second embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２８】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実
施例における第５の段階の工程を示す断図である。FIG. 28 is a sectional view showing a process of a fifth stage in the second embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図２９】図２８に示す断面図の部分拡大図である。29 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG. 28.
【図３０】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実
施例における第６の段階の工程を示す部分拡大断面図で
ある。FIG. 30 is a partial enlarged cross-sectional view showing the process of the sixth stage in the second embodiment of the method for manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図３１】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実
施例における第７の段階の工程を示す断面図である。FIG. 31 is a cross-sectional view showing the process of the seventh stage of the second embodiment of the method of manufacturing a mask plate according to the present invention.
【図３２】図３１に示す断面図の部分拡大図である。32 is a partially enlarged view of the cross-sectional view shown in FIG. 31. FIG.
１０…ガラス基板 ２０…Ｃｒ材料層 ２１…弗素化合物膜 ２２…Ｃｒパターニング層 ３０…マスク板 ４０…反応性粒子発生源（カウフマン型イオン銃） ５０…島状の開口部を有するマスク板 ５１…枠状部 ５２…開口窓 ６０…枠状の開口部を有するマスク板 ６１…枠状部 ６２…開口窓 ６３…島状部 ７０…本発明に係るマスク板 ７１…外枠 ７２…ハニカム構造板 ７２ｈ…貫通孔 ７３…島状のマスク層 ７４…枠状のマスク層 ７５…開口窓 ８０…アルミニウム板 ８１…非酸化残存層（アルミニウム） ８２…ハニカム構造層（酸化アルミニウム） ８２ｈ…孔部 ８３…対極（白金板） ８４…陽極酸化液（０．２Ｍリン酸：Ｈ３ＰＯ４） １００…支持基板（Ｓｉ） １０２…空洞部 １０１…枠状部 １１０…第１の金属層（Ｃｒ） １１１…枠状部 １１２…空洞部 １２０…第２の金属層（Ａｌ） １２１…ハニカム構造層（Ａｌ２Ｏ３） １２１ｈ…孔部 １２１ｔｈ…貫通孔 １２２…非酸化残存層（Ａｌ） １２３…枠状部 １２４…空洞部 １３０…第３の金属層（ＣｒまたはＴａ） １３１…開口窓 １３２…島状のマスク層 １３３…枠状のマスク層10 ... Glass substrate 20 ... Cr material layer 21 ... Fluorine compound film 22 ... Cr patterning layer 30 ... Mask plate 40 ... Reactive particle generating source (Kaufman type ion gun) 50 ... Mask plate 51 having island-shaped openings 51 ... Frame Shaped part 52 ... Opening window 60 ... Mask plate 61 having frame-shaped opening 61 ... Frame-shaped part 62 ... Opening window 63 ... Island-shaped part 70 ... Mask plate 71 according to the present invention 71 ... Outer frame 72 ... Honeycomb structure plate 72h ... Through-hole 73 ... Island-shaped mask layer 74 ... Frame-shaped mask layer 75 ... Opening window 80 ... Aluminum plate 81 ... Non-oxidized residual layer (aluminum) 82 ... Honeycomb structure layer (aluminum oxide) 82h ... Hole portion 83 ... Counter electrode ( Platinum plate) 84 ... Anodizing liquid (0.2M phosphoric acid: H 3 PO 4 ) 100 ... Support substrate (Si) 102 ... Cavity 101 ... Frame-shaped part 110 ... First metal layer (Cr) 111 ... Frame portion 112 ... hollow portion 120: second metal layer (Al) 121 ... honeycomb layer (Al 2 O 3) 121h ... hole 121Th ... through hole 122 ... non-oxidized residual layer (Al) 123 ... frame portion 124 ... Cavity 130 ... Third metal layer (Cr or Ta) 131 ... Opening window 132 ... Island-shaped mask layer 133 ... Frame-shaped mask layer
Claims (9)
料層について、その一部を除去することによって所定の
微細パターンを形成するパターニング工程に用いるマス
ク板であって、 前記材料層のパターニング対象領域に応じた広さを有す
る主面をもったハニカム構造板と、 このハニカム構造板の前記主面上の、前記微細パターン
に応じた所定の領域に設けられたマスク層と、 を備え、 前記ハニカム構造板には、少なくとも前記マスク層によ
って覆われていない開口窓領域に、パターニング工程に
おいて前記材料層に対して化学反応を生じさせる反応性
粒子を厚み方向に通過させることが可能な多数の貫通孔
が形成されており、 前記マスク層は、前記反応性粒子を遮蔽する機能を有
し、 前記多数の貫通孔は、前記ハニカム構造板を通過した反
応性粒子による反応を、１つの開口窓領域内において均
一に生じさせるために、十分微細な構造を有し、かつ、
十分高い密度をもって配されていることを特徴とする微
細パターン形成用マスク板。1. A mask plate used in a patterning step of forming a predetermined fine pattern by removing a part of a material layer constituting a semiconductor device during a manufacturing process, the patterning target region of the material layer. A honeycomb structure plate having a main surface having a width corresponding to the above, and a mask layer provided in a predetermined region corresponding to the fine pattern on the main surface of the honeycomb structure plate, The structure plate has a large number of through holes capable of passing reactive particles, which cause a chemical reaction with the material layer in the patterning step, in the thickness direction at least in the opening window region not covered with the mask layer. Are formed, the mask layer has a function of shielding the reactive particles, the plurality of through holes passed through the honeycomb structure plate Has a structure fine enough to cause the reaction by the reactive particles uniformly in one opening window region, and
A mask plate for forming a fine pattern, which is arranged with a sufficiently high density.
孔を、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の
密度で配することにより、ハニカム構造板を構成したこ
とを特徴とする微細パターン形成用マスク板。2. The mask plate according to claim 1, wherein cylindrical through holes having a diameter of 200 to 1000 angstrom are arranged at a density of about 2.0 × 10 6 to 2.0 × 10 7 / mm 2. A mask plate for forming a fine pattern, characterized in that a honeycomb structure plate is constituted thereby.
いて、 ハニカム構造体を、アルミニウム板を陽極酸化すること
により得られる、多数の貫通孔をもった酸化アルミニウ
ム板により構成したことを特徴とする微細パターン形成
用マスク板。3. The mask plate according to claim 1, wherein the honeycomb structure is composed of an aluminum oxide plate having a large number of through holes obtained by anodizing an aluminum plate. A mask plate for forming a fine pattern.
板を製造する方法であって、 第１の金属からなる第１の層の上面に、陽極酸化により
多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からな
る第２の層を形成する段階と、 前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第
２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化す
ることにより、前記第２の層の上層部側に酸化層を、下
層部側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、
前記酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形
成する段階と、 前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔
部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層
を貫通する貫通孔になるようにする段階と、 前記第１の層および前記非酸化残存層を除去して、多数
の微細な貫通孔が形成された酸化層を残す段階と、 によりハニカム構造体を形成することを特徴とする微細
パターン形成用マスク板の製造方法。4. The method of manufacturing a mask plate according to claim 1, wherein a large number of holes are formed by anodic oxidation on the upper surface of the first layer made of the first metal. Forming a second layer made of a second metal having the following property, and applying a predetermined oxidation voltage to the second layer, and applying a predetermined oxidation voltage to the upper surface of the second layer by a predetermined anodic oxidation method. By oxidizing to a depth, an oxide layer is formed on the upper layer side of the second layer and a non-oxidized residual layer is formed on the lower layer side, and
Forming a large number of fine holes having a predetermined depth in the oxide layer, and applying a predetermined polishing voltage to the first layer to electropolish the bottom of the holes to form the holes. Part to be a through hole penetrating at least the oxide layer, and removing the first layer and the non-oxidized residual layer to leave an oxide layer having a large number of fine through holes formed therein. A method for manufacturing a mask plate for forming a fine pattern, which comprises forming a honeycomb structure by:
板を製造する方法であって、 支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第
１の段階と、 前記第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形
成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形
成する第２の段階と、 前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第
２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化
し、前記第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非
酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、前記酸化層
に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する第３
の段階と、 前記酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形
成する第４の段階と、 前記第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細
パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第５の
段階と、 前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔
部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層
を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、 前記支持基板、前記第１の層、および前記非酸化残存層
の、少なくとも前記マスク層によって覆われていない開
口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された
酸化層からなるハニカム構造体およびその上面に形成さ
れたマスク層を残す第７の段階と、 を有することを特徴とする微細パターン形成用マスク板
の製造方法。5. A method of manufacturing a mask plate according to claim 1, wherein a first step of forming a first layer made of a first metal on a support substrate, A second step of forming on the upper surface of the first layer a second layer made of a second metal having the property of forming a large number of holes by anodic oxidation; While applying an oxidizing voltage, the upper surface of the second layer is oxidized to a predetermined depth by an anodic oxidation method to form an oxide layer on the upper layer side of the second layer and a non-oxidized residual layer on the lower layer side. Forming a large number of fine holes having a predetermined depth in the oxide layer while forming each of them.
And a fourth step of forming a third layer to be a mask layer on the upper surface of the oxide layer, and patterning of the third layer to mask only a region corresponding to a predetermined fine pattern. A fifth step of leaving as a layer, and applying a predetermined polishing voltage to the first layer, electropolishing the bottom of the hole so that the hole becomes a through hole penetrating at least the oxide layer. And a step of removing the opening window region of the support substrate, the first layer, and the non-oxidized residual layer that is not covered by at least the mask layer so that a large number of fine through holes are formed. And a seventh step of leaving the honeycomb structure formed of the formed oxide layer and the mask layer formed on the upper surface of the honeycomb structure, the method of manufacturing a mask plate for forming a fine pattern.
ウムを、第３の層となるべき材料としてクロムを、それ
ぞれ用いたことを特徴とする微細パターン形成用マスク
板の製造方法。6. The manufacturing method according to claim 5, wherein chromium is used as the first metal, aluminum is used as the second metal, and chromium is used as the material to be the third layer. A method for manufacturing a mask plate for forming a fine pattern.
板を製造する方法であって、 支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第
１の段階と、 前記第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形
成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形
成する第２の段階と、 前記酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形
成する第３の段階と、 前記第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細
パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第４の
段階と、 前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第
２の層の上面のうち、前記マスク層で覆われていない開
口窓領域を陽極酸化法により所定の深さまで酸化し、前
記第２の層の上層部側の開口窓領域に酸化層を、その他
の部分に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、
前記酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形
成する第５の段階と、 前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔
部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層
を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、 前記支持基板、前記第１の層、および前記非酸化残存層
の、少なくとも前記マスク層によって覆われていない開
口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された
酸化層からなるハニカム構造体およびその上面に形成さ
れたマスク層を残す第７の段階と、 を有することを特徴とする微細パターン形成用マスク板
の製造方法。7. The method of manufacturing a mask plate according to claim 1, further comprising a first step of forming a first layer made of a first metal on a support substrate, A second step of forming a second layer made of a second metal having a property that a large number of holes are formed by anodization on the upper surface of the first layer; and a mask on the upper surface of the oxide layer. A third step of forming a third layer to be a layer, a fourth step of patterning the third layer and leaving only a region corresponding to a predetermined fine pattern as a mask layer; While applying a predetermined oxidation voltage to the second layer, the opening window region which is not covered with the mask layer on the upper surface of the second layer is oxidized to a predetermined depth by the anodic oxidation method, Oxide layer in the opening window area on the upper layer side, non-oxidized residual layer in the other part, With which to form,
A fifth step of forming a large number of fine holes having a predetermined depth in the oxide layer, and electrolytic polishing the bottom of the holes while applying a predetermined polishing voltage to the first layer. A sixth step in which the hole portion is a through hole that penetrates at least the oxide layer, and is covered by at least the mask layer of the support substrate, the first layer, and the non-oxidized residual layer. A seventh step of removing the unopened opening window region to leave a honeycomb structure composed of an oxide layer having a large number of fine through holes and a mask layer formed on the upper surface thereof; A method for manufacturing a mask plate for forming a fine pattern.
ウムを、第３の層となるべき材料としてタンタルを、そ
れぞれ用いたことを特徴とする微細パターン形成用マス
ク板の製造方法。8. The manufacturing method according to claim 7, wherein chromium is used as the first metal, aluminum is used as the second metal, and tantalum is used as the material to be the third layer. A method for manufacturing a mask plate for forming a fine pattern.
法において、 第７の段階で、支持基板、第１の層、および非酸化残存
層のそれぞれ周囲部分を除去せずに残すようにし、この
残った部分をマスク板の外枠として用いるようにしたこ
とを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方
法。9. The manufacturing method according to claim 5, wherein in the seventh step, peripheral portions of the support substrate, the first layer, and the non-oxidized residual layer are left without being removed. And the remaining part is used as an outer frame of the mask plate.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127066A (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Fuji Electric Co Ltd | Shielding mask for ion implantation and ion implanter for manufacturing semiconductor |
| KR20170084471A (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | (주)포인트엔지니어링 | Mask for organic light emitting diode, and Deposition apparatus for organic light emitting diode, and Organic light emitting diode and Manufacturing method of organic light emitting diode using the same |
| US10170731B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-01-01 | Point Engineering Co., Ltd. | Mask and masking assembly |
| CN114717515A (en) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 北京理工大学 | Hard coating toughening structure and toughness evaluation method |
| WO2023145951A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, method for manufacturing vapor deposition mask, method for manufacturing organic device, and method for manufacturing vapor deposition mask with frame |
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1994
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127066A (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Fuji Electric Co Ltd | Shielding mask for ion implantation and ion implanter for manufacturing semiconductor |
| JP4543457B2 (en) * | 1999-10-28 | 2010-09-15 | 富士電機システムズ株式会社 | Shielding mask for ion implantation and method of manufacturing semiconductor device |
| KR20170084471A (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | (주)포인트엔지니어링 | Mask for organic light emitting diode, and Deposition apparatus for organic light emitting diode, and Organic light emitting diode and Manufacturing method of organic light emitting diode using the same |
| US10170731B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-01-01 | Point Engineering Co., Ltd. | Mask and masking assembly |
| WO2023145951A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask with frame, method for manufacturing vapor deposition mask, method for manufacturing organic device, and method for manufacturing vapor deposition mask with frame |
| CN114717515A (en) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 北京理工大学 | Hard coating toughening structure and toughness evaluation method |
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