JPS646449B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路
等の製造工程において使用されるフオトマスクブ
ランクとフオトマスクに関し、特に、シリコンウ
エーハ、フオトマスクブランク等の被微細加工基
板上に塗布されたレジストに所定のパターンを転
写する際に使用されるフオトマスクとその素材と
なるフオトマスクブランクに関する。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to photomask blanks and photomasks used in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, high-density integrated circuits, etc., and in particular to silicon wafers, photomask blanks, etc. The present invention relates to a photomask used to transfer a predetermined pattern to a resist coated on a substrate to be microfabricated, and a photomask blank that is the material for the photomask.
このフオトマスクは、LSIの高密度化に伴つ
て、微細化が進み、最近のフオトマスクの製造方
法は、従来の湿式エツチング法から乾式エツチン
グ法に移行しつゝある。
Photomasks have become increasingly finer as LSIs have become more dense, and recent photomask manufacturing methods have been shifting from conventional wet etching to dry etching.
この乾式エツチング法によるフオトマスクの製
造方法は、先ず、ガラス、石英等の透光性基板の
主表面を研磨し、その主表面上にCrを主成分と
する遮光性膜をスパツタリング法により成膜し
て、フオトマスクブランクを製作する。次に、前
記遮光性膜上にフオトレジストを塗布した後、選
択的露光工程、現像工程、リンス工程及び乾燥工
程を経て得られたレジストパターン付きフオトマ
スクブランクをプラズマ反応室内で四塩化炭素等
のガスプラズマにより乾式エツチングして、遮光
性膜を選択的パターン形成する。そして、この遮
光性膜パターン上のレジストパターンを酸素プラ
ズマ処理により除去して、フオトマスクを得る。 In this dry etching method, the photomask is manufactured by first polishing the main surface of a transparent substrate made of glass, quartz, etc., and then forming a light-shielding film containing Cr as a main component on the main surface by sputtering. to produce a photomask blank. Next, after coating a photoresist on the light-shielding film, a photomask blank with a resist pattern obtained through a selective exposure process, a development process, a rinsing process, and a drying process is placed in a plasma reaction chamber using carbon tetrachloride, etc. The light-shielding film is selectively patterned by dry etching using gas plasma. Then, the resist pattern on this light-shielding film pattern is removed by oxygen plasma treatment to obtain a photomask.
このような乾式エツチング法により得たフオト
マスクは、湿式エツチング法によるものと対比し
て、サイドエツチング量が少なく、過剰エツチン
グに対するパターン幅変化も少なく、エツチング
時間の許容幅も大きいという利点がある。 A photomask obtained by such a dry etching method has the advantage that the amount of side etching is small, the change in pattern width due to excessive etching is small, and the allowable range of etching time is large, as compared to a photomask obtained by a wet etching method.
しかしながら、遮光性膜のエツチングを乾式エ
ツチング法を使用して行つても、フオトレジスト
の現像工程において、湿式で行つているために、
前述した通り、エツチング工程前に乾燥工程が必
要になる。この乾燥工程において、レジストパタ
ーン付きフオトマスクブランクでは、レジストパ
ターン上やレジストパターンで被覆されていない
遮光性膜の露出表面上に異物が付着していること
がしばしばある。例えば、この異物は６インチ角
の基板において１枚あたり数十〜数百個も付着し
ている。このような異物は次の乾式エツチング工
程においてマスクになり、その異物下の遮光性膜
部分はエツチングされず、いわゆる黒欠陥を発生
してしまう。
However, even if the light-shielding film is etched using a dry etching method, the photoresist development process is performed using a wet method.
As mentioned above, a drying process is required before the etching process. In this drying process, foreign matter often adheres to the photomask blank with a resist pattern on the resist pattern or on the exposed surface of the light-shielding film that is not covered with the resist pattern. For example, tens to hundreds of foreign particles are attached to each 6-inch square substrate. Such foreign matter acts as a mask in the next dry etching step, and the portion of the light-shielding film under the foreign matter is not etched, resulting in so-called black defects.
かゝる異物の除去手段としては、有機溶剤、
酸、アルカリ等により洗浄することが考えられる
が、前述した乾燥工程後のレジストパターン付き
フオトマスクブランクにおいては、そのレジスト
パターンをそのまゝ維持して、付着した異物のみ
を除去することは、従来の製造方法を使用する場
合には不可能である。それ故、現状では、現像液
及びリンス液、並びに現像、リンス及び乾燥の各
工程における環境において異物を除去するための
管理を厳しく行つているが、根本的に改善するこ
とまでに至つていない。 As means for removing such foreign substances, organic solvents,
Cleaning with acid, alkali, etc. may be considered, but in the photomask blank with a resist pattern after the drying process described above, it is conventional to maintain the resist pattern as it is and remove only the attached foreign matter. This is not possible when using the manufacturing method of Therefore, at present, strict controls are being implemented to remove foreign substances from the developing solution, rinsing solution, and the environment during each development, rinsing, and drying process, but fundamental improvements have not yet been made. .
本発明によるフオトマスクブランクとフオトマ
スクは、上記した問題点を解決すべくなされたも
のであり、透光性基板上に第１遮光性膜と第２遮
光性膜を順次積層し、第１遮光性膜の成膜材料が
Cr、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも
１つを含有したCrであり、第２遮光性膜の成膜
材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち少なくとも１つ
を含有したCrであることを特徴とするフオトマ
スクブランクと、このフオトマスクブランクの第
１遮光性膜と第２遮光性膜を選択的にパターン化
してなるフオトマスクである。
The photomask blank and photomask according to the present invention have been made to solve the above-mentioned problems, and are made by sequentially laminating a first light-shielding film and a second light-shielding film on a light-transmitting substrate. The film forming material is
Cr, or Cr containing at least one of oxygen, nitrogen, and carbon, and the film forming material of the second light-shielding film is Cr containing at least one of Fe, Ni, Ta, and W. The present invention is characterized by a photomask blank and a photomask obtained by selectively patterning a first light-shielding film and a second light-shielding film of this photomask blank.
本発明のフオトマスクブランクを素材にして、
フオトリソグラフイ工程を経てフオトマスクを製
造する場合、先ず、第１遮光性膜に対してCCl4
又はCCl4＋O2の乾式エツチングガスによりエツ
チングすることができ、かつ第２遮光性膜に対し
て前記乾式エツチングガスに対して耐性を有し、
湿式エツチングによりエツチングすることができ
ることを利用する。そして、フオトリソグラフイ
工程において、第２遮光性膜上に塗布したレジス
トを選択的に露光・現像して、レジストパターン
を形成した後、第２遮光性膜を湿式エツチングに
より選択的にエツチングして、第１遮光性膜上に
第２遮光性膜パターンを形成し、レジストパター
ンを除去し、洗浄及び乾燥した後、この第２遮光
性膜パターンをマスクにして第１遮光性膜を前記
乾式エツチングガスにより選択的にエツチングす
ることができる。
Using the photomask blank of the present invention as a material,
When manufacturing a photomask through a photolithography process, first, CCl 4 is applied to the first light-shielding film.
or can be etched with a dry etching gas of CCl 4 +O 2 and has resistance to the dry etching gas for the second light-shielding film;
The fact that it can be etched by wet etching is utilized. In the photolithography process, the resist coated on the second light-shielding film is selectively exposed and developed to form a resist pattern, and then the second light-shielding film is selectively etched by wet etching. , forming a second light-shielding film pattern on the first light-shielding film, removing the resist pattern, cleaning and drying, and then dry etching the first light-shielding film using the second light-shielding film pattern as a mask; It can be selectively etched with gas.
その結果、本発明によれば、第１遮光性膜をエ
ツチングする前工程において、第２遮光性膜パタ
ーン上のレジストパターンを除去し、洗浄及び乾
燥をする工程を入れることができることから、第
２遮光性膜パターンで被覆されていない第１遮光
性膜の露出表面を充分に洗浄して、異物を除去す
ることができる。 As a result, according to the present invention, in the process before etching the first light-shielding film, the resist pattern on the second light-shielding film pattern can be removed, and the process of cleaning and drying can be included. The exposed surface of the first light-shielding film that is not covered with the light-shielding film pattern can be sufficiently cleaned to remove foreign matter.
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参
照して詳述する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 1 and 2.
先ず、石英ガラスを所定寸法（本例：６×６×
0.12インチ）に加工し、この石英ガラスの両主表
面を研磨し、純水及びイソプロピルアルコール等
により洗浄し、乾燥して成膜前の石英ガラスから
なる透光性基板１を得る。この透光性基板１の一
主表面上に純度99.99wt％以上のCrをターゲツト
としてスパツタリング法によりCrからなる第１
遮光性膜２（膜厚：600Å）を被着する。次に、
不純物としてFeを1wt％含有したCrをターゲツト
としてスパツタリング法により前記不純物を含有
したCrからなる第２遮光性膜３（膜厚：150Å）
を第１遮光性膜２上に積層して、透光性基板１上
に第１遮光性膜２と第２遮光性膜３を被着したフ
オトマスクブランク４を得る（第１図）。なお、
このフオトマスクブランク４の光学濃度は約3.0
であつた。 First, cut the quartz glass to a specified size (this example: 6 x 6 x
0.12 inch), both main surfaces of this quartz glass are polished, washed with pure water, isopropyl alcohol, etc., and dried to obtain a transparent substrate 1 made of quartz glass before film formation. A first layer of Cr made of Cr with a purity of 99.99wt% or more is sputtered onto one main surface of the transparent substrate 1 by sputtering.
A light shielding film 2 (thickness: 600 Å) is deposited. next,
A second light-shielding film 3 (thickness: 150 Å) made of Cr containing 1 wt% Fe as an impurity is formed by sputtering using Cr containing the impurity as a target.
is laminated on the first light-shielding film 2 to obtain a photomask blank 4 in which the first light-shielding film 2 and the second light-shielding film 3 are deposited on the light-transmitting substrate 1 (FIG. 1). In addition,
The optical density of this photomask blank 4 is approximately 3.0.
It was hot.
次に、このフオトマスクブランク４の第２遮光
性膜３上にポジ型フオトレジスト５（本例：ヘキ
スト社製AZ−1350、膜厚：5000Å）をスピンコ
ータ法により塗布した後、所望のパターン線幅を
得るべく露光マスク６を通して、ポジ型フオトレ
ジストの上方から遠紫外光ないし紫外光７（波
長：200〜450nm）を露光する（第２図ａ）。次
に、現像液（本例：AZ−1350専用デベロツパ）
により所定時間（本例：70秒）現像処理して、ポ
ジ型フオトレジスト５の露光部分を除去し、未露
光部分にレジストパターン８を第２遮光性膜３上
に形成する（第２図ｂ）。次に、第２遮光性膜３
に対応したエッチング液（本例：硝酸セリウムア
ンモンと過塩素酸との混合液）を用いて、所定時
間（本例：15秒）湿式エツチングを行い、第２遮
光性膜パターン９を第１遮光性膜２上に形成する
（第２図ｃ）。この湿式エツチングにおいて、下層
の第１遮光性膜２は本例では約50Åだけエッチン
グされる。次に、レジストパターン８を剥離液
（本例：熱濃硫酸90℃）により剥離した後、常温
の硫酸中に浸して温度を下げ、水、イソプロピル
アルコール中で超音波洗浄し、フレオン蒸気中で
乾燥する（第２図ｄ）。次に、第２遮光性膜パタ
ーン９付きブランクを平行平板型プラズマエツチ
ング装置内に入れて、CCl4＋O2ガスを反応ガス
として乾式エツチングする。この時、第２遮光性
膜パターン９は、その成膜材料中の不純物である
Feが塩化物又は塩化酸化物になり、その塩化物
又は塩化酸化物が100℃以下において蒸発、気化
し難いことから、第２遮光性膜パターン９の乾式
エツチングの進行に伴つて、その表面には不純物
のFeや、Feの塩化物、塩化酸化物が濃縮されて、
乾式エツチングに対して耐性を有することにな
る。その結果、第２遮光性膜パターン９はCCl4
＋O2ガスプラズマにより完全には除去されずマ
スクとして作用することから、この第２遮光性膜
パターン９の被覆されていない第１遮光性膜２の
露出表面のみが乾式エツチングされて、結局、第
１遮光性膜パターン１０と第２遮光性膜パターン
９からなる２層構造の遮光性パターンを有するフ
オトマスク１１が得られる（同図ｅ）。 Next, a positive photoresist 5 (this example: AZ-1350 manufactured by Hoechst Co., Ltd., film thickness: 5000 Å) is coated on the second light-shielding film 3 of this photomask blank 4 by a spin coater method, and then a desired pattern line is applied. In order to obtain the desired width, the positive type photoresist is exposed to deep ultraviolet light or ultraviolet light 7 (wavelength: 200 to 450 nm) from above through an exposure mask 6 (FIG. 2a). Next, developer (this example: AZ-1350 exclusive developer)
The exposed portion of the positive photoresist 5 is removed by developing for a predetermined period of time (70 seconds in this example), and a resist pattern 8 is formed on the second light-shielding film 3 in the unexposed portion (Fig. 2b). ). Next, the second light-shielding film 3
Wet etching is performed for a predetermined period of time (this example: 15 seconds) using an etching solution (this example: a mixture of cerium ammonium nitrate and perchloric acid) that corresponds to the second light shielding film pattern 9. It is formed on the sexual membrane 2 (FIG. 2c). In this wet etching, the lower first light-shielding film 2 is etched by about 50 Å in this example. Next, the resist pattern 8 is peeled off using a stripping solution (this example: hot concentrated sulfuric acid at 90°C), immersed in sulfuric acid at room temperature to lower the temperature, ultrasonically cleaned in water and isopropyl alcohol, and washed in Freon vapor. Dry (Figure 2d). Next, the blank with the second light-shielding film pattern 9 is placed in a parallel plate type plasma etching apparatus and dry etched using CCl 4 +O 2 gas as a reaction gas. At this time, the second light-shielding film pattern 9 contains impurities in the film forming material.
Fe becomes chloride or chloride oxide, and since the chloride or chloride oxide is difficult to evaporate or vaporize at temperatures below 100°C, as the dry etching of the second light-shielding film pattern 9 progresses, the surface The impurity Fe, Fe chloride, and chloride oxide are concentrated,
It will be resistant to dry etching. As a result, the second light-shielding film pattern 9 contains CCl 4
Since it is not completely removed by the +O 2 gas plasma and acts as a mask, only the exposed surface of the first light-shielding film 2 that is not covered by the second light-shielding film pattern 9 is dry-etched, and as a result, the second light-shielding film pattern 9 is dry-etched. A photomask 11 having a two-layer light-shielding pattern consisting of a first light-shielding film pattern 10 and a second light-shielding film pattern 9 is obtained (FIG. 3e).
本実施例によれば、乾式エツチング終了後、本
来、遮光性膜が残存してはいけない部分（1μm以
上の寸法を有する黒欠陥）は、６インチ角１枚当
り平均５個程度（試料数：10枚）になり、非常に
少なくすることができた。また、サイドエツチン
グに起因するレジストパターンと実際の遮光性膜
パターンとの寸法変化は、第２遮光性膜が薄く湿
式エツチング時間が短かいために、0.1μm程度と
微小であつたことから、微細パターンに適すると
いう乾式エツチングの利点を充分に活かすことが
できた。また本例では、第２図ｃに示した通り、
第１遮光性膜２の上層部が約50Åだけ湿式エツチ
ングされているが、このエツチング量はサイドエ
ツチング量を多くしないために、できるだけ少な
い方が好ましい。 According to this example, after the completion of dry etching, the number of areas where the light-shielding film should not remain (black defects with dimensions of 1 μm or more) is on average about 5 per 6-inch square sheet (number of samples: 10 pieces), which made it possible to reduce the number to a very small number. In addition, the dimensional change between the resist pattern and the actual light-shielding film pattern due to side etching was minute, about 0.1 μm, because the second light-shielding film was thin and the wet etching time was short. I was able to take full advantage of the advantage of dry etching, which is suitable for patterns. In addition, in this example, as shown in Figure 2c,
The upper layer of the first light-shielding film 2 is wet-etched by about 50 Å, but this etching amount is preferably as small as possible in order not to increase the amount of side etching.
本発明は、以上の実施例に挙げた成膜材料、湿
式エツチング液及び乾式ガスプラズマに限定され
るものではない。第１遮光性膜の成膜材料につい
てはCrの代わりに、Cr酸素、窒素及び炭素のう
ち少なくとも１つを含有したものであつてもよ
い。第２遮光性膜の成膜材料についてはCr中に
含有させる不純物のFeの代わりに、Ni，Ta及び
Ｗを使用してもよい。これらの不純物の含有率と
しては0.01wt以上であることが好ましい。0.01wt
％未満では乾式エツチング時に第２遮光性膜が耐
エツチング性を有しなくなるからである。不純物
の含有率の上限については一概に言えないが、湿
式エツチングされること及び洗浄液（例：硫酸）
に対して耐性を有すること等を考慮して適宜選定
すればよい。なお、この第２遮光性膜のCr中に
前記不純物の他に例えば、酸素、窒素及び炭素等
を含有してもよい。 The present invention is not limited to the film forming materials, wet etching solutions, and dry gas plasmas mentioned in the above examples. The film-forming material for the first light-shielding film may contain at least one of Cr, oxygen, nitrogen, and carbon instead of Cr. Regarding the film-forming material for the second light-shielding film, Ni, Ta, and W may be used instead of Fe, which is an impurity contained in Cr. The content of these impurities is preferably 0.01wt or more. 0.01wt
This is because if it is less than %, the second light-shielding film will not have etching resistance during dry etching. The upper limit of impurity content cannot be definitively stated, but wet etching and cleaning solutions (e.g. sulfuric acid)
The material may be selected as appropriate, taking into consideration the resistance to. Note that, in addition to the impurities described above, Cr of the second light-shielding film may contain, for example, oxygen, nitrogen, carbon, and the like.
第１、第２の遮光性膜の相互膜厚関係について
は、乾式エツチングによる利点を有効に活用する
ことを考慮して、第１遮光性膜の膜厚が第２遮光
性膜のそれよりも厚いことが好ましい。湿式エツ
チング液については、被エツチング材料との関係
で適宜選定され、実施例以外にも、Cr膜に対し
てはNaOH＋K3〔Fe（CN）6〕等でもよい。乾式エ
ツチングのエツチングガスについてはCCl4等で
もよい。 Regarding the mutual thickness relationship between the first and second light-shielding films, in consideration of effectively utilizing the advantages of dry etching, the thickness of the first light-shielding film is greater than that of the second light-shielding film. Preferably, it is thick. The wet etching solution is appropriately selected in relation to the material to be etched, and in addition to the embodiments, NaOH+K 3 [Fe(CN) 6 ] or the like may be used for a Cr film. The etching gas for dry etching may be CCl 4 or the like.
その他成膜法については真空蒸着法やイオンプ
レーテイング法、透光性基板についてはソーダラ
イムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミ
ノボロシリケートガラスなど多成分系ガラス、レ
ジストについてはネガ型フオトレジストやポジ型
又はネガ型の電子ビームレジスト等にそれぞれ変
更してよいことは勿論である。 Other film-forming methods include vacuum evaporation and ion plating, multi-component glasses such as soda lime glass, aluminosilicate glass, and aluminoborosilicate glass are used for transparent substrates, and negative photoresist, positive photoresist, or Of course, each may be changed to a negative type electron beam resist or the like.
以上の通り、本発明によれば、フオトマスクブ
ランクを素材にしてフオトリソグラフイ工程を経
てフオトマスクを製造する場合に、上層の第２遮
光性膜を湿式エツチングして、レジスト除去、洗
浄及び乾燥を行い、次いで下層の第１遮光性膜を
乾式エツチングすることができることから、従
来、乾式エツチングによつて発生しがちであつた
黒欠陥を非常に少なくし、フオトマスクの品質を
向上させることができる。
As described above, according to the present invention, when a photomask is manufactured through a photolithography process using a photomask blank as a raw material, the upper second light-shielding film is wet-etched to remove the resist, wash it, and dry it. Since it is possible to carry out etching and then dry-etch the underlying first light-shielding film, it is possible to greatly reduce the black defects that conventionally tend to occur with dry etching and improve the quality of the photomask.
第１図は本発明の実施例によるフオトマスクブ
ランクを示す断面図、及び第２図は前記フオトマ
スクブランクを使用して、フオトリソグラフイ工
程を経て製造したフオトマスクの各工程を示す断
面図である。
１……透光性基板、２……第１遮光性膜、３…
…第２遮光性膜、４……フオトマスクブランク、
５……ポジ型フオトレジスト、６……露光マス
ク、７……遠紫外光ないし紫外光、８……レジス
トパターン、９……第２遮光性膜パターン、１０
……第１遮光性膜パターン、１１……フオトマス
ク。
FIG. 1 is a sectional view showing a photomask blank according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing each process of a photomask manufactured through a photolithography process using the photomask blank. . 1... Transparent substrate, 2... First light-shielding film, 3...
...Second light-shielding film, 4...Photomask blank,
5...Positive photoresist, 6...Exposure mask, 7...Deep ultraviolet light or ultraviolet light, 8...Resist pattern, 9...Second light-shielding film pattern, 10
...First light-shielding film pattern, 11...Photomask.
Claims (1)
に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上
に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフオ
トマスクブランクにおいて、前記第１遮光性膜の
成膜材料がCr、又は酸素、窒素及び炭素のうち
少なくとも１つを含有したCrであり、前記第２
遮光性膜の成膜材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち
少なくとも１つを含有したCrであることを特徴
とするフオトマスクブランク。 ２ 透光性基板上に被着した、この透光性基板側
に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上
に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフオ
トマスクブランクの前記第１遮光性膜と前記第２
遮光性膜を選択的にパターン化してなるフオトマ
スクにおいて、前記第１遮光性膜の成膜材料が
Cr、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも
１つを含有したCrであり、前記第２遮光性膜の
成膜材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち少なくとも
１つを含有したCrであることを特徴とするフオ
トマスク。[Claims] 1. A first light-shielding film deposited on a light-transmitting substrate and located on the side of the light-transmitting substrate, and a second light-shielding film located in contact with the first light-shielding film. In the photomask blank, the film-forming material of the first light-shielding film is Cr or Cr containing at least one of oxygen, nitrogen, and carbon, and the second
A photomask blank characterized in that the film-forming material of the light-shielding film is Cr containing at least one of Fe, Ni, Ta, and W. 2. A photomask deposited on a light-transmitting substrate and comprising a first light-shielding film located on the side of the light-transmitting substrate and a second light-shielding film located in contact with the first light-shielding film. The first light-shielding film and the second light-shielding film are blank.
In a photomask formed by selectively patterning a light-shielding film, the film-forming material of the first light-shielding film is
Cr, or Cr containing at least one of oxygen, nitrogen, and carbon, and the film forming material of the second light-shielding film is Cr containing at least one of Fe, Ni, Ta, and W. A photo mask featuring
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (en) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | Photomask blank and photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (en) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | Photomask blank and photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218560A JPS6218560A (en) | 1987-01-27 |
| JPS646449B2 true JPS646449B2 (en) | 1989-02-03 |
Family
ID=15681532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158886A Granted JPS6218560A (en) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | Photomask blank and photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218560A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020178920A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | Distance image capturing device and distance image capturing method using distance image capturing device |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0823687B2 (en) * | 1990-05-14 | 1996-03-06 | 凸版印刷株式会社 | Photomask blank, photomask, and method of manufacturing photomask |
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-
1985
- 1985-07-17 JP JP60158886A patent/JPS6218560A/en active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020178920A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | Distance image capturing device and distance image capturing method using distance image capturing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218560A (en) | 1987-01-27 |
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