JPH07232964A

JPH07232964A - 窒化珪素質焼結体

Info

Publication number: JPH07232964A
Application number: JP6334103A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Ukiyou; 良雄右京; Toshio Kamitori; 利男神取; Shigetaka Wada; 重孝和田
Original assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Current assignee: Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date: 1993-12-22
Filing date: 1994-12-16
Publication date: 1995-09-05

Abstract

(57)【要約】【目的】高温における耐クリープ性等の高温特性の向
上した窒化珪素質焼結体を提供する。【構成】焼結体の主成分となる窒化珪素と、焼結体中
に分散した炭化珪素と、焼結体全体に対し、ほう素に換
算して０．００５〜０．５重量％含まれるほう素および
ほう素化合物のうちから選ばれる少なくとも一方とより
なる窒化珪素質焼結体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、構造用部材等に利用す
ることができる、窒化珪素を主成分とし、炭化珪素が分
散した窒化珪素質焼結体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）を主成分とする
窒化珪素質焼結体は、強度が高く、耐熱衝撃性、耐蝕性
に優れているため、ガスタービン部材、熱交換器材料、
ベアリング等における構造用部材等に用いられている。

【０００３】その中で、ガスタービン部材のような１３
００℃以上の高温において使用される部材には更に高温
強度や高温での耐クリープ性等の高温特性を向上させる
必要がある。

【０００４】この特性の中で、耐クリープ性とは、焼結
体等の対象物に荷重（応力）をかけた状態で保持し、対
象物が破断に至るまでの度合い（時間および対象物の変
形量）であり、破断に至るまでの時間が長いほど、また
対象物の変形量（例えば、引張荷重をかけた場合には破
断に至るまでの伸び）が小さいほど耐クリープ性が良好
であることを示している。

【０００５】特に、焼結体がガスタービン等のエンジン
用部品等の高温部材として使用される場合、高温状態で
一定の荷重（応力）が長時間にわたって焼結体に作用す
る。それに対する抵抗、すなわち高温での耐クリープ性
を向上させることが要求されている。

【０００６】従来、窒化珪素質焼結体の高温特性を向上
させる手段として、Ｓｉ₃ Ｎ₄ の焼結体中に炭化珪素
（ＳｉＣ）粒子を分散させる例がある。このＳｉＣ粒子
の分散により、高温での強度が高く、耐クリープ性、耐
酸化性に優れたものとなる。

【０００７】すなわち、Ｓｉ₃ Ｎ₄ の焼結体中にＳｉＣ
粒子が添加、分散されると、Ｓｉ₃Ｎ₄ の焼結体の靱
性、硬さなどが増加し、耐摩耗性が向上する。また、Ｓ
ｉＣが微細な場合、ＳｉＣはＳｉ₃ Ｎ₄ の結晶粒内ある
いは粒界等に存在する。これらのＳｉＣは粒界すべり等
を防止する役割を行い、Ｓｉ₃ Ｎ₄ の焼結体の高温特性
を改善させる。このＳｉＣは、球状粒子、板状粒子、ウ
ィスカー、または長繊維などの形状で用いられる。

【０００８】このＳｉＣ粒子が分散した窒化珪素質焼結
体の例として以下のものがある。

【０００９】原料として、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＣ、および
焼結助剤を用い、これらを混合し、その後、該混合物を
ホットプレスあるいはカプセルＨＩＰ（カプセルを用い
た熱間静水圧プレス）等の焼結により焼成することによ
って、ＳｉＣ粒子が分散した窒化珪素質焼結体を得てい
る。また、他の例として、ＣＶＤ（化学的気相蒸着）法
により合成した非晶質Ｓｉ−Ｃ−Ｎ粉末にＹ₂ Ｏ₃ 等の
焼結助剤を添加してホットプレス等により焼成すること
により、Ｓｉ₃ Ｎ₄ よりなるマトリックス中に平均粒径
が１μｍ以下のＳｉＣ粒子が分散した窒化珪素質焼結体
を得ている（特開平２−１６０６６９号公報）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＳｉＣ
を含む窒化珪素質焼結体では、高温強度等の高温特性が
不十分であるか、高温特性は例えば１３００℃で７００
ＭＰａ以上と優れていても、その製造方法がホットプレ
スという生産性に劣る方法でしか製造できない。例え
ば、特開平２−１６０６６９号公報に示される上記焼結
体では、１２００℃での強度が最高で１２１ｋｇ／ｍｍ
² （３点曲げ強度）である。しかし、１３００℃以上に
おける強度の記載はないが、たとえ優れた強度が得られ
たとしても、特開平２−１６０６６９号公報ではホット
プレスによる焼結を必須としており、実用性に乏しい。

【００１１】また、特開昭６０−４６９７３号公報に
は、Ｓｉ₃ Ｎ₄ とＳｉＣとよりなる焼結体中に酸化ホウ
素等の酸化物を０．０２〜５０．００原子％含有させた
焼結体が記載されている。本発明と関係するほう素化合
物の具体的な含有量は実施例５にほう素（Ｂ）量として
０．５３重量％添加することが記載されている。しか
し、このような多量のほう素を窒化珪素質焼結体に添加
すると、Ｂ₂Ｏ₃系よりなる融点の低いガラス相が生成
し、高温特性、特に耐クリープ性を低下させると考えら
れる。

【００１２】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みな
されたものであり、高温における耐クリープ性等の高温
特性に優れた窒化珪素質焼結体を提供することを目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、焼結体の主成
分となる窒化珪素と、焼結体中に分散した炭化珪素と、
焼結体全体に対し、ほう素に換算して０．００５〜０．
５重量％含まれる、ほう素およびほう素化合物のうちか
ら選ばれる少なくとも一方とよりなることを特徴とする
窒化珪素質焼結体である。

【００１４】

【作用】本発明の窒化珪素質焼結体は、高温における耐
クリープ性等の高温特性に優れる。この理由は、明確で
はないが、以下のように推察する。

【００１５】ほう素またはほう素化合物は、焼結体中で
窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）や炭化珪素（ＳｉＣ）の結晶粒
子の粒界においてガラス相として存在する。しかし、そ
の量がほう素に換算して０．００５〜０．５重量％であ
るため、このガラス相はＳｉＣ結晶粒子の表面に存在
し、ＳｉＣ結晶粒子とＳｉ₃Ｎ₄結晶粒子との濡れ性を
改善する役目を果たす。そのため、ＳｉＣ結晶粒子が均
一に焼結体中に分散しやすくなる。また、これに伴いＳ
ｉ₃Ｎ₄結晶粒子の粒成長が抑制され、さらに異常粒成
長も生じにくくなる。このことより、組織が微細にな
る。

【００１６】また、ＳｉＣ結晶粒子がＳｉ₃Ｎ₄結晶粒
子同士の間に存在することにより焼結体への荷重付加時
にＳｉ₃Ｎ₄結晶粒子がずれるのを抑制して耐クリープ
性を向上させるが、粒界にガラス相が存在すると、逆に
Ｓｉ₃Ｎ₄結晶粒子がずれるのを促進して、結果的にＳ
ｉＣ結晶粒子の働きを弱める。このガラス相の幅が大き
いほどその作用が大きくなる。しかし、本発明では、ガ
ラス相の存在量が少ないことにより、結晶粒界のガラス
相の幅が狭くなり、ＳｉＣ結晶粒子の働きに影響を与え
にくい。

【００１７】よって、高温での耐クリープ性や高温強度
等の高温特性が著しく改善されると考えられる。

【００１８】

【発明の効果】本発明の窒化珪素質焼結体は、高温にお
ける耐クリープ性等の高温特性に優れる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明をより具体的した発明（その他
の発明）について説明する。

【００２０】（その他の発明の説明）本発明の窒化珪素
質焼結体は、窒化珪素を主成分とする焼結体中に、炭化
珪素が分散し、さらにほう素およびほう素化合物のうち
から選ばれる少なくとも一方を含有しているものであ
る。

【００２１】窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）は、焼結体の主成
分（マトリックス）となるものである。該Ｓｉ₃ Ｎ₄ と
しては、α、β、α’、β’等どのような結晶形態のも
のでもよい。また、結晶粒は、細かいほどよく、平均粒
径が５．０μｍ以下の範囲が望ましい。これは、Ｓｉ₃
Ｎ₄ 等の結晶粒径が大きくなると、その絶対強度や高温
強度を低下させるためである。

【００２２】炭化珪素（ＳｉＣ）は、焼結体中に分散す
るものである。該ＳｉＣとしては、α、β等どのような
結晶形態のものでもよい。また、結晶粒は、細かいほど
よく、平均粒径が０．５μｍ以下の範囲が望ましい。こ
れは、ＳｉＣ結晶粒の粒径が大きいと、破壊起点となり
絶対強度が低下することがあるためである。

【００２３】また、ＳｉＣの形状は、球状粒子、板状粒
子など特に限定されるものではない。

【００２４】炭化珪素（ＳｉＣ）の含有量としては、主
成分であるＳｉ₃ Ｎ₄ との存在割合が、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ：Ｓ
ｉＣ＝９５：５〜１：１（重量比）の範囲が望ましい。
この範囲よりＳｉＣの量が少ないと、高温特性の改善が
認められないことがあり、また、この範囲よりＳｉＣの
量が多いと、緻密な焼結体が得られないことがある。

【００２５】ほう素およびほう素化合物のうちから選ば
れる少なくとも一方の含有割合としては、焼結体全体に
対し、ほう素に換算して０．００５〜０．５重量％の範
囲とする。該割合が０．００５重量％未満では、通常の
加圧焼結法では緻密にならないため所定の強度を有する
焼結体が得られない。また、ホットプレス（ＨＰ）や熱
間静水圧プレス（ＨＩＰ）により緻密化が可能である
が、このＨＰ、ＨＩＰは生産性に劣る方法である。ま
た、０．５重量％を越えると、耐クリープ性が低下す
る。さらに、ほう素およびほう素化合物のうちから選ば
れる少なくとも一方の含有割合としては、焼結体全体に
対し、ほう素に換算して０．０５〜０．１０重量％の範
囲がより耐クリープ性が向上して望ましい。

【００２６】ほう素化合物としては、ほう素の酸化物
（Ｂ₂ Ｏ₃ 等）、ほう素の炭化物（Ｂ₄ Ｃ等）、ほう素
の塩化物、ほう素の弗化物等、ほう素の化合物であれば
どのようなものでもよく、該ほう素化合物のうちから選
ばれる少なくとも１種を使用する。例えば、ほう素の酸
化物であるＢ₂ Ｏ₃ はガラス相として存在すると考えら
れるが、その存在量が限定範囲内であれば高温特性は大
きくは低下しない。また、ほう素は高温の焼結過程で揮
散していき、焼結体の表面部での含有量は内部での含有
量より少なくなる。また、焼結体中に分散しているＳｉ
Ｃと共存することにより、ほう素は焼結後ＢとしてＳｉ
Ｃに固溶しているとも推定される。

【００２７】また、上記ほう素化合物の中でも、Ｂ₂Ｏ
₃は原料が安価であり、好ましい。

【００２８】また、本発明の焼結体には、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 等の製造時に添加した焼結助剤が含有していて
もよい。

【００２９】本発明の窒化珪素質焼結体を製造する方法
としては、以下の方法がある。

【００３０】この製造方法は、窒化珪素と炭化珪素とを
含有する原料に、製造する焼結体全体に対し、ほう素に
換算して０．００５〜０．５重量％含有するようにほう
素およびほう素化合物のうちから選ばれる少なくとも一
方を添加し、この原料を焼結する。

【００３１】この製造方法では、特性に優れた本発明の
窒化珪素質焼結体を製造すると共に緻密な窒化珪素質焼
結体を製造することができる。この理由は、明確ではな
いが、以下のように推察する。

【００３２】ほう素またはほう素化合物が少量添加され
ることにより、ＳｉＣと粒界ガラス相との濡れ性が著し
く改善される。また、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 原料中に微量存在する
ＳｉＯ₂ とほう素またはほう素化合物とが反応して低粘
性のガラス相が生成する。従って、焼結性が著しく改善
され、緻密な焼結体が得られる。

【００３３】原料の窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）は、焼結体
のマトリックスとなるものである。該Ｓｉ₃ Ｎ₄ は、
α、β、α’、β’等どのような結晶形態のものでもよ
い。また、原料である窒化珪素粉末としては、平均粒径
が０．５μｍ以下であることが望ましい。これより平均
粒径が大きいと、焼結性が著しく低下することがある。

【００３４】原料の炭化珪素（ＳｉＣ）は、焼結体の窒
化珪素マトリックス中に分散するものである。該ＳｉＣ
は、α、β等どのような結晶形態のものでもよい。原料
である炭化珪素粉末の平均粒径は０．５μｍ以下が望ま
しい。これより平均粒径が大きいと、焼結性が著しく低
下すると共に高温特性の改善が認められないことがあ
る。

【００３５】原料中のＳｉ₃ Ｎ₄ とＳｉＣとの配合割合
は、Ｓｉ₃ Ｎ₄ ：ＳｉＣ＝９５：５〜１：１（重量比）
の範囲が望ましい。

【００３６】窒化珪素と炭化珪素とを含有する原料に添
加するほう素およびほう素化合物のうちから選ばれる少
なくとも一方の添加量は、製造する焼結体全体に対し、
ほう素に換算して０．００５〜０．５重量％含有するよ
うにする。該含有量が、０．００５重量％未満では、焼
結性が改善されない。また、０．５重量％を越えると、
焼結体の耐クリープ性が低下する。

【００３７】ほう素化合物としては、ほう素の酸化物、
ほう素の炭化物、ほう素の塩化物、ほう素の弗化物等、
ほう素の化合物であればどのようなものでもよく、該ほ
う素化合物のうちから選ばれる少なくとも１種を使用す
る。なお、ほう素化合物の中で最も安価な原料はＢ₂ Ｏ
₃ であり、このＢ₂ Ｏ₃ を使用するのが好ましい。

【００３８】また、原料には、焼結助剤として、通常の
Ｓｉ₃ Ｎ₄ の焼結に用いられる酸化物、窒化物等の粉末
を添加してもよい。高温強度を大きく改善するために
は、特にＹ₂ Ｏ₃ を単独で用いるのがよい。該Ｙ₂ Ｏ₃
粉末は、平均粒径が０．５μｍ以下のものが望ましい。
これより平均粒径が大きいと、焼結性が低下すると共に
特性のバラツキが大きくなることがある。

【００３９】上記原料にほう素およびほう素化合物のう
ちから選ばれる少なくとも一方を添加して焼結する方法
としては、以下の方法がある。

【００４０】（１）窒化珪素と炭化珪素とを含有し、必
要に応じて焼結助剤を添加した原料の粉末にほう素およ
びほう素化合物のうちから選ばれる少なくとも一方を添
加し、混合する。その後、この混合物を焼結する。上記
ほう素およびほう素化合物のうちから選ばれる少なくと
も一方の添加量を調節することにより、焼結体中におけ
るほう素またはほう素化合物の含有量を制御することが
できる。

【００４１】（２）窒化珪素と炭化珪素とを含有し、必
要に応じて焼結助剤を添加した原料を成形して成形体を
準備する。ほう素およびほう素化合物のうちから選ばれ
る少なくとも一方の成分を含有する粉末中に上記成形体
を配置（埋設）して、該成形体を焼結する。

【００４２】（３）窒化珪素と炭化珪素とを含有し、必
要に応じて焼結助剤を添加した原料を成形して成形体を
準備する。該成形体の周囲にほう素およびほう素化合物
のうちから選ばれる少なくとも一方の成分を含有する粉
末を配置して（ペースト状にして配置する等の形態があ
る。）、該成形体を焼結する。

【００４３】（４）窒化珪素と炭化珪素とを含有し、必
要に応じて焼結助剤を添加した原料を成形して成形体を
準備する。また、この成形体を仮焼して仮焼体を準備す
る。該成形体または仮焼体にほう素を含む溶液を含浸、
乾燥させた後焼結する。

【００４４】上記（２）、（３）とも、焼結により、成
形体の周囲のほう素またはほう素化合物よりほう素が成
形体中に侵入して焼結体中にほう素またはほう素化合物
が含有する。上記成形体の周囲の混合粉末中のほう素ま
たはほう素化合物の配合割合を調整することにより、焼
結体中におけるほう素またはほう素化合物の含有量を制
御することができる。なお、ＢＮは非常に安定であり、
上記（２）、（３）の方法では、焼結体中にほう素を添
加することが困難であるため、ほう素化合物としては、
ＢＮを用いない方がよい。ただし、ＢＮは酸化されてほ
う素の酸化物を形成し、酸素量にして０．０００１重量
％以上のほう素の酸化物を含むＢＮは、このほう素の酸
化物が焼結体中へのほう素の添加に寄与するため、この
ＢＮはほう素化合物として用いることができる。また、
上記ほう素およびほう素化合物のうちから選ばれる少な
くとも一方の成分を含有する粉末としては、ほう素およ
びほう素化合物のうちから選ばれる少なくとも一方を含
有する原料粉末そのもの、またはほう素およびほう素化
合物のうちから選ばれる少なくとも一方を添加した窒化
珪素粉末またはＢＮ粉末等を用いる。例えば、ほう素の
酸化物をほとんど含まないＢＮは上記のように、焼結体
中へのほう素の添加に寄与しないため、このＢＮ粉末に
ほう素またはほう素化合物を添加したものでは、ほう素
またはほう素化合物の配合割合を調整することにより、
焼結体中におけるほう素またはほう素化合物の含有量を
制御することができる。また、ほう素の添加量は、焼結
温度、焼結時間等の焼結条件を調整することにより制御
することもできる。

【００４５】焼結法としては、常圧焼結、ガス圧焼結、
あるいはこれらとＨＩＰとの組み合わせ等どのような方
法でもよい。しかし、高い生産性と安価なコストとを考
え併せると常圧焼結あるいはガス圧焼結が望ましい。

【００４６】焼結温度は１７５０〜２０００℃が望まし
く、さらに望ましくは、１８００〜１９００℃がよい。
また、焼結時間としては、１〜８時間、さらに望ましく
は、２〜４時間がよく、焼結雰囲気としては、窒素ガス
あるいは不活性ガス中が望ましい。

【００４７】本発明の窒化珪素質焼結体は、高温特性に
優れていることより、自動車用エンジン、ガスタービン
等の高温構造用部材等として利用することができる。

【００４８】以下、本発明の実施例を説明する。

【００４９】（実施例１）Ｓｉ₃ Ｎ₄ 粉末に３０重量％
（ｗｔ％）のＳｉＣ粉末および焼結助剤として８ｗｔ％
のＹ₂ Ｏ₃ を添加した混合粉末に、Ｂ₂ Ｏ₃ を、製造す
る焼結体全体に対し、Ｂに換算して０．１、０．５ｗｔ
％となるように添加、配合した（なお、混合割合は、混
合粉末全重量に対してである。実施例２、３、４につい
ても同様である。）。この２種類の混合粉末を成形した
後、１８５０℃で４時間、Ｎ₂ ガス中で焼結した。

【００５０】また、比較のため、Ｂ₂ Ｏ₃ の添加量が製
造する焼結体全体に対し、Ｂに換算して０．００５〜
０．５重量％の範囲をはずれる焼結体も上記と同様にし
て作製した。

【００５１】上記のようにして得られた焼結体につい
て、焼結体中のＢの存在量を化学分析により求めた。ま
た、焼結体の焼結後の密度、および室温、１４００℃で
の４点曲げ強度を測定した。その結果を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１より明らかなように、本実施例の焼結
体は、比較例の焼結体よりも曲げ強度に優れ、特に高温
強度に優れていることが分かる。

【００５４】（実施例２）Ｓｉ₃ Ｎ₄ 粉末に３０ｗｔ％
のＳｉＣ粉末および焼結助剤として８ｗｔ％のＹ₂ Ｏ₃
を添加した混合粉末を成形して成形体を作製した。製造
する焼結体全体に対し、Ｂに換算して０．１、０．５ｗ
ｔ％となるようにＢ₂ Ｏ₃ を含むＢＮ粉末中に上記成形
体を埋めて、１８５０℃で６時間、Ｎ₂ 中で焼結した。

【００５５】また、比較のため、Ｂ₂ Ｏ₃ を含まないＢ
Ｎ粉末中に成形体を埋めた場合、および製造する焼結体
全体に対し、Ｂに換算して３ｗｔ％となるようにＢ₂ Ｏ
₃ を含むＢＮ粉末中に上記成形体を埋めた場合について
も上記と同様にして焼結体を製造した。

【００５６】上記のようにして得られた焼結体につい
て、実施例１と同様にして焼結体中のＢの存在量を求
め、また、焼結体の焼結後の密度、および室温、１４０
０℃での４点曲げ強度を測定した。その結果を表２に示
す。

【００５７】

【表２】

【００５８】表２より明らかなように、本実施例の焼結
体は、比較例の焼結体よりも曲げ強度に優れ、特に高温
強度に優れていることが分かる。比較例の試料Ｎｏ．Ｃ
５、Ｃ６で、ＢＮ粉末中にＢ₂ Ｏ₃ を添加しないにもか
かわらず、焼結体中に０．００１、０．００２ｗｔ％の
Ｂが検出されたのは、市販のＢＮ粉末は表面にＢ₂ Ｏ ₃
の酸化層が存在していたためと推定される。

【００５９】（実施例３）実施例２と同様にして成形体
を作製した。製造する焼結体全体に対し、Ｂに換算して
０．１、０．４ｗｔ％となるようにＢ₂ Ｏ₃ を含むＢＮ
粉末を、上記成形体の周囲に配置して、１８５０℃で６
時間、Ｎ₂ 中で焼結した。

【００６０】また、比較のため、Ｂ₂ Ｏ₃ を含まないＢ
Ｎ粉末を上記成形体の周囲に配置した場合、および製造
する焼結体全体に対し、Ｂに換算して３ｗｔ％となるよ
うにＢ₂ Ｏ₃ を含むＢＮ粉末を上記成形体の周囲に配置
した場合についても上記と同様にして焼結体を製造し
た。

【００６１】上記のようにして得られた焼結体につい
て、実施例１と同様にして焼結体中のＢの存在量を求
め、また、焼結体の焼結後の密度、および室温、１４０
０℃での４点曲げ強度を測定した。その結果を表３に示
す。

【００６２】

【表３】

【００６３】表３より明らかなように、本実施例の焼結
体は、比較例の焼結体よりも曲げ強度に優れ、特に高温
強度に優れていることが分かる。

【００６４】（実施例４）実施例１と同様にして、焼結
体を作製した。なお、Ｂ₂Ｏ₃の添加量は、製造する焼
結体全体に対し、Ｂに換算して０．０５、０．１０、
０．４５ｗｔ％となるようにした。また、比較のため、
Ｂ₂Ｏ₃の添加量が製造する焼結体全体に対し、Ｂに換
算して０．５ｗｔ％を越える焼結体（２種類）も上記と
同様にして作製した。

【００６５】得られた焼結体について、実施例１と同様
にして焼結体中のＢの存在量を求めた。また、焼結体を
引張クリープ試験片（応力印加部：直径３ｍｍ）に加工
した後、２００ＭＰａの応力をかけて１４００℃、大気
中でクリープ試験を実施した。その結果を表４に示す。
なお、表４には、破断に至るまでの時間（クリープ破断
時間）と破断までの伸び（％）を示してある。

【００６６】

【表４】

【００６７】表４中の焼結体中のＢ存在量とクリープ破
断時間との関係を図１に示す。

【００６８】表４および図１より明らかなように、本実
施例の焼結体は、比較例の焼結体よりもクリープ破断時
間が長く、破断までの伸びが小さいことより、高温での
耐クリープ性に優れていることが分かる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例および比較例における窒化珪素
質焼結体中のほう素存在量とクリープ破断時間との関係
を示す線図

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼結体の主成分となる窒化珪素と、焼結
体中に分散した炭化珪素と、焼結体全体に対し、ほう素
に換算して０．００５〜０．５重量％含まれる、ほう素
およびほう素化合物のうちから選ばれる少なくとも一方
とよりなることを特徴とする窒化珪素質焼結体。