JPH07226302A - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
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- JPH07226302A JPH07226302A JP6015516A JP1551694A JPH07226302A JP H07226302 A JPH07226302 A JP H07226302A JP 6015516 A JP6015516 A JP 6015516A JP 1551694 A JP1551694 A JP 1551694A JP H07226302 A JPH07226302 A JP H07226302A
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- polymer
- hydrocarbon
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿性に優れた抵抗体を提供する。
【構成】 例えばトリシクロデセン誘導体からのポリマ
ー、ノルボルネン誘導体からのポリマー、テトラシクロ
ドデセン誘導体からのポリマーなどのように、繰り返さ
れる単位分子構造中に単環または多環を有する環状炭化
水素で構成されるポリマーをバインダーとして用いたこ
とを特徴とする。
ー、ノルボルネン誘導体からのポリマー、テトラシクロ
ドデセン誘導体からのポリマーなどのように、繰り返さ
れる単位分子構造中に単環または多環を有する環状炭化
水素で構成されるポリマーをバインダーとして用いたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば可変抵抗体など
に使用する抵抗体に係り、特に抵抗膜を形成するために
使用するバインダーに関するものである。
に使用する抵抗体に係り、特に抵抗膜を形成するために
使用するバインダーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗体は、カーボンブラックなど
の導電性物質とフェノール樹脂との混合物をアルミナ基
板やフェノール基板などの絶縁基板上に印刷して抵抗膜
を形成した。そしてこの抵抗膜上で摺接子を移動させる
ことにより、所望の抵抗値を取り出していた。
の導電性物質とフェノール樹脂との混合物をアルミナ基
板やフェノール基板などの絶縁基板上に印刷して抵抗膜
を形成した。そしてこの抵抗膜上で摺接子を移動させる
ことにより、所望の抵抗値を取り出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の抵抗体
は、バインダーにフェノール系樹脂を使用していたた
め、抵抗膜の高湿下での抵抗率の変化が大きく、そのた
めに信頼性に問題があった。
は、バインダーにフェノール系樹脂を使用していたた
め、抵抗膜の高湿下での抵抗率の変化が大きく、そのた
めに信頼性に問題があった。
【０００４】これを具体的に説明すれば、後で示す表の
比較例にあるように、カーボンブラックの含有率が３．
８体積％の抵抗膜において、４０℃の乾燥状態から７０
℃の乾燥状態に変化させた場合（３０℃の温度変化）の
抵抗率の変化を測定すると変化率は−１．５％であっ
た。また、４０℃の乾燥状態から同温で９５％ＲＨの高
湿度状態に移行して２４時間放置した場合の抵抗率の変
化を測定するとその変化率は６％であり、環境変化にと
もなう抵抗値の変化、特に湿度に対する特性変化が大で
あるという欠点を有している。
比較例にあるように、カーボンブラックの含有率が３．
８体積％の抵抗膜において、４０℃の乾燥状態から７０
℃の乾燥状態に変化させた場合（３０℃の温度変化）の
抵抗率の変化を測定すると変化率は−１．５％であっ
た。また、４０℃の乾燥状態から同温で９５％ＲＨの高
湿度状態に移行して２４時間放置した場合の抵抗率の変
化を測定するとその変化率は６％であり、環境変化にと
もなう抵抗値の変化、特に湿度に対する特性変化が大で
あるという欠点を有している。
【０００５】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、環境変化にともなう特性変化の少なく、信
頼性の高い抵抗体を提供することにある。
点を解消し、環境変化にともなう特性変化の少なく、信
頼性の高い抵抗体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、例えばトリシクロデセン誘導体からのポ
リマーなどのように、繰り返し単位分子構造中に単環ま
たは多環を有する環状炭化水素で構成されるポリマーを
バインダーとして用いたことを特徴とするものである。
め、本発明は、例えばトリシクロデセン誘導体からのポ
リマーなどのように、繰り返し単位分子構造中に単環ま
たは多環を有する環状炭化水素で構成されるポリマーを
バインダーとして用いたことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明でバインダとして使用されるポリマーは
主鎖中に剛直な環状構造を有することにより、炭化水素
系ポリマーとしてはガラス転移点（Ｔｇ）が例えば１５
０℃程度と比較的高く、耐熱性に優れている。またこれ
らのポリマーは炭素原子と水素原子だけで主鎖骨核が構
成された飽和炭化水素系ポリマーであるから疎水性を有
し、そのために抵抗体の耐湿特性を大幅に向上すること
ができ、特性が安定して信頼性の向上が図れる。
主鎖中に剛直な環状構造を有することにより、炭化水素
系ポリマーとしてはガラス転移点（Ｔｇ）が例えば１５
０℃程度と比較的高く、耐熱性に優れている。またこれ
らのポリマーは炭素原子と水素原子だけで主鎖骨核が構
成された飽和炭化水素系ポリマーであるから疎水性を有
し、そのために抵抗体の耐湿特性を大幅に向上すること
ができ、特性が安定して信頼性の向上が図れる。
【０００８】
【実施例】繰り返される単位分子構造中に単環または多
環を有する環状炭化水素で構成されるポリマーとして
は、例えばトリシクロデセン誘導体からのポリマーなど
の多環炭化水素系ポリマーがある。
環を有する環状炭化水素で構成されるポリマーとして
は、例えばトリシクロデセン誘導体からのポリマーなど
の多環炭化水素系ポリマーがある。
【０００９】このトリシクロデセン誘導体からのポリマ
ー（日本ゼオン社製 製品名ＺＥＯＮＥＸ）は、トリシ
クロデセンを遷移金属触媒を用いた開環重合（メタセミ
ス重合）で得られるポリマーを、さらにその分子内の二
重結合を高圧下で水素添加させて合成した環状構造を有
する飽和炭化水素系ポリマーである。このポリマーの合
成反応を示せば下記の通りである。
ー（日本ゼオン社製 製品名ＺＥＯＮＥＸ）は、トリシ
クロデセンを遷移金属触媒を用いた開環重合（メタセミ
ス重合）で得られるポリマーを、さらにその分子内の二
重結合を高圧下で水素添加させて合成した環状構造を有
する飽和炭化水素系ポリマーである。このポリマーの合
成反応を示せば下記の通りである。
【００１０】
【化１】
【００１１】また本発明で使用される単環炭化水素ポリ
マーとしてノルボルネン誘導体からのポリマー、あるい
はこのポリマーの環構造の一部を例えばＯＣＨ3 やＯＣ
2 Ｈ5 などのアルキルエーテルあるいはＯＣＯＣＨ3 や
ＯＣＯＣ2 Ｈ5 などのエステルなどで置換したものがあ
る。このポリマーの合成反応を示せば下記の通りであ
り、前記トリシクロデセン誘導体からのポリマーの合成
反応と同様である。なお、前記置換体の場合、溶剤への
溶解性を高めたり、カーボンブラックの分散性が向上で
きるといという特長を有している。
マーとしてノルボルネン誘導体からのポリマー、あるい
はこのポリマーの環構造の一部を例えばＯＣＨ3 やＯＣ
2 Ｈ5 などのアルキルエーテルあるいはＯＣＯＣＨ3 や
ＯＣＯＣ2 Ｈ5 などのエステルなどで置換したものがあ
る。このポリマーの合成反応を示せば下記の通りであ
り、前記トリシクロデセン誘導体からのポリマーの合成
反応と同様である。なお、前記置換体の場合、溶剤への
溶解性を高めたり、カーボンブラックの分散性が向上で
きるといという特長を有している。
【００１２】
【化２】
【００１３】さらに本発明で使用される三環環状炭化水
素ポリマーとしては、テトラシクロドデセン誘導体があ
り、このポリマーの合成反応を示せば下記の通りであ
る。
素ポリマーとしては、テトラシクロドデセン誘導体があ
り、このポリマーの合成反応を示せば下記の通りであ
る。
【００１４】
【化３】
【００１５】なお、本発明に係るバインダーを使用して
所望の電気抵抗値（例えば１００ＫΩ〜１３００ＫΩ）
を有する抵抗膜を形成するには、導電性物質であるカー
ボンブラックを５〜１０体積％、好ましくは７〜９体積
％程度添加する必要がある。次に本発明の具体的な実施
例について説明する。
所望の電気抵抗値（例えば１００ＫΩ〜１３００ＫΩ）
を有する抵抗膜を形成するには、導電性物質であるカー
ボンブラックを５〜１０体積％、好ましくは７〜９体積
％程度添加する必要がある。次に本発明の具体的な実施
例について説明する。
【００１６】（実施例１）抵抗体用インクペーストを次
のような要領で作成した。導電性カーボンブラック（ラ
イオンアクゾ社製 製品名ケッチェンブラックＥＣ）
と、キシレンに溶解させたトリシクロデセン誘導体から
のポリマー（日本ゼオン社製 製品名ＺＥＯＮＥＸ）
（双環環状構造を有する飽和炭化水素ポリマー）を混合
し、３本ロールミルで均一に混練、分散して抵抗体用イ
ンクペーストを作成した。
のような要領で作成した。導電性カーボンブラック（ラ
イオンアクゾ社製 製品名ケッチェンブラックＥＣ）
と、キシレンに溶解させたトリシクロデセン誘導体から
のポリマー（日本ゼオン社製 製品名ＺＥＯＮＥＸ）
（双環環状構造を有する飽和炭化水素ポリマー）を混合
し、３本ロールミルで均一に混練、分散して抵抗体用イ
ンクペーストを作成した。
【００１７】このインクを用いてアルミナ基板上に厚さ
約１０μｍの抵抗膜を印刷し、２５０℃で１５分間熱風
乾燥した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含有率は
９体積％で、抵抗値は３００ＫΩであった。
約１０μｍの抵抗膜を印刷し、２５０℃で１５分間熱風
乾燥した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含有率は
９体積％で、抵抗値は３００ＫΩであった。
【００１８】（実施例２）実施例１のトリシクロデセン
誘導体からのポリマーの代わりに、ノルボルネン誘導体
からのポリマー（単環環状構造を有する飽和炭化水素ポ
リマー）を使用した以外は実施例１と同様にして抵抗体
を作成した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含有率
は９体積％で、抵抗値は２５０ＫΩであった。
誘導体からのポリマーの代わりに、ノルボルネン誘導体
からのポリマー（単環環状構造を有する飽和炭化水素ポ
リマー）を使用した以外は実施例１と同様にして抵抗体
を作成した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含有率
は９体積％で、抵抗値は２５０ＫΩであった。
【００１９】（実施例３）実施例１のトリシクロデセン
誘導体からのポリマーの代わりに、環構造の一部をエス
テル（ＯＣＯＣＨ3 ）で置換したノルボルネン誘導体か
らのポリマーを使用した以外は実施例１と同様にして抵
抗体を作成した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含
有率は９体積％で、抵抗値は２５０ＫΩであった。
誘導体からのポリマーの代わりに、環構造の一部をエス
テル（ＯＣＯＣＨ3 ）で置換したノルボルネン誘導体か
らのポリマーを使用した以外は実施例１と同様にして抵
抗体を作成した。この抵抗膜中のカーボンブラックの含
有率は９体積％で、抵抗値は２５０ＫΩであった。
【００２０】
【発明の効果】前記各実施例ならびに従来のフェノール
樹脂を使用した比較例の温度特性ならびに湿度特性を次
の表に示した。表中の温度特性は４０℃の乾燥状態から
７０℃の乾燥状態に変化させた場合（３０℃の温度変
化）の抵抗率の変化を示す数値、また湿度特性は、４０
℃の乾燥状態から同温で９５％ＲＨの高湿度状態に移行
して２４時間放置した場合の抵抗率の変化を示す数値で
ある。
樹脂を使用した比較例の温度特性ならびに湿度特性を次
の表に示した。表中の温度特性は４０℃の乾燥状態から
７０℃の乾燥状態に変化させた場合（３０℃の温度変
化）の抵抗率の変化を示す数値、また湿度特性は、４０
℃の乾燥状態から同温で９５％ＲＨの高湿度状態に移行
して２４時間放置した場合の抵抗率の変化を示す数値で
ある。
【００２１】 表 温度特性 （％） 湿度特性 （％） 実施例１ １．０ ０．７ 実施例２ ０．８ １．５ 実施例３ １．０ ２．０ 比較例 −１．５ ６．０ この表から明らかなように本発明の実施例に係る抵抗体
は、特に湿度特性が良好で、環境変化に伴う抵抗の変化
率が極めて少なく、そのために信頼製の高い抵抗体を提
供することができる。
は、特に湿度特性が良好で、環境変化に伴う抵抗の変化
率が極めて少なく、そのために信頼製の高い抵抗体を提
供することができる。
フロントページの続き (72)発明者 宇山 浩 宮城県仙台市太白区郡山６丁目５番７− 205号
Claims (5)
- 【請求項１】 繰り返し単位分子構造中に単環または多
環を有する環状炭化水素で構成されるポリマーをバイン
ダーとして用いることを特徴とする抵抗体。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記環状炭化水
素ポリマーがトリシクロデセン誘導体からのポリマーで
あることを特徴とする抵抗体。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記環状炭化水
素ポリマーがノルボルネン誘導体からのポリマーである
ことを特徴とする抵抗体。 - 【請求項４】 請求項１記載において、前記環状炭化水
素ポリマーがテトラシクロドデセン誘導体からのポリマ
ーであることを特徴とする抵抗体。 - 【請求項５】 請求項１ないし４記載のいずれかにおい
て、前記環状炭化水素ポリマーの環構造の一部がアルキ
ルエーテルまたはエステルで置換されていることを特徴
とする抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06015516A JP3117175B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06015516A JP3117175B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226302A true JPH07226302A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3117175B2 JP3117175B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=11890990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06015516A Expired - Fee Related JP3117175B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3117175B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018838A1 (fr) * | 1996-10-29 | 1998-05-07 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polymere norbornene thermoplastique modifie et procede de production |
| JP2006164755A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 抵抗ペーストおよび多層配線板 |
| US7348373B2 (en) | 2004-01-09 | 2008-03-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide compositions having resistance to water sorption, and methods relating thereto |
| US7382627B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-06-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7430128B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-09-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7436678B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices and printed wiring boards incorporating such devices and methods of making thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318272A (en) * | 1992-06-12 | 1994-06-07 | Mks Instruments, Inc. | Motor controlled throttling poppet valve |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP06015516A patent/JP3117175B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018838A1 (fr) * | 1996-10-29 | 1998-05-07 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polymere norbornene thermoplastique modifie et procede de production |
| US6472082B2 (en) | 1996-10-29 | 2002-10-29 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Modified thermoplastic norbornene polymer and process for the production thereof |
| JP4187269B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2008-11-26 | 日本ゼオン株式会社 | 架橋性重合体組成物 |
| US7348373B2 (en) | 2004-01-09 | 2008-03-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide compositions having resistance to water sorption, and methods relating thereto |
| US7382627B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-06-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7430128B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-09-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7436678B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices and printed wiring boards incorporating such devices and methods of making thereof |
| US7571536B2 (en) | 2004-10-18 | 2009-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of making capacitive/resistive devices |
| US7813141B2 (en) | 2004-10-18 | 2010-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| JP2006164755A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 抵抗ペーストおよび多層配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3117175B2 (ja) | 2000-12-11 |
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