JPH07226181A - イオン散乱表面分析装置 - Google Patents
イオン散乱表面分析装置Info
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- JPH07226181A JPH07226181A JP6014218A JP1421894A JPH07226181A JP H07226181 A JPH07226181 A JP H07226181A JP 6014218 A JP6014218 A JP 6014218A JP 1421894 A JP1421894 A JP 1421894A JP H07226181 A JPH07226181 A JP H07226181A
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- Japan
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- ion
- scattered
- incident
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜成長時における半導体材料等の表面分析
の方法で、特に表面に存在する原子及び電子の組成や構
造を、あらゆる質量数の元素について、同時に観察可能
とすることを目的とする。 【構成】 パルス化された3ｋｅＶ以下のＨｅ,Ｎｅ,Ａ
ｒ等の低エネルギイオン粒子ビームは、対物レンズ５に
よって収束された後に観察試料７に衝突する。衝突イオ
ン粒子は、表面層の原子によって非弾性散乱され、この
うち１８０度方向に散乱される衝突イオン粒子を検出す
る。また、衝突イオン粒子によって非弾性散乱された試
料表面の粒子のうち、前方散乱された粒子を前述のイオ
ン粒子と同時に検出する。粒子検出の際、イオン粒子は
グリッド１１によって加速されて、検出器９、及び検出
器１０で検出される。 【効果】 表面に存在する原子の質量数によらず、その
組成や位置を知ることができる。
の方法で、特に表面に存在する原子及び電子の組成や構
造を、あらゆる質量数の元素について、同時に観察可能
とすることを目的とする。 【構成】 パルス化された3ｋｅＶ以下のＨｅ,Ｎｅ,Ａ
ｒ等の低エネルギイオン粒子ビームは、対物レンズ５に
よって収束された後に観察試料７に衝突する。衝突イオ
ン粒子は、表面層の原子によって非弾性散乱され、この
うち１８０度方向に散乱される衝突イオン粒子を検出す
る。また、衝突イオン粒子によって非弾性散乱された試
料表面の粒子のうち、前方散乱された粒子を前述のイオ
ン粒子と同時に検出する。粒子検出の際、イオン粒子は
グリッド１１によって加速されて、検出器９、及び検出
器１０で検出される。 【効果】 表面に存在する原子の質量数によらず、その
組成や位置を知ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体材料等の表面分析の方法
で、特に結晶表面の組成分析や構造解析に有効である。
で、特に結晶表面の組成分析や構造解析に有効である。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の開発と関係して、結晶成長
等によって変化しつつある表面の組成及び構造をリアル
タイムでその場観察し、結晶表面構造や結晶成長過程を
制御する技術が重要となっている。例えば、Ｓｉ−ＵＬ
ＳＩにおいては、素子が微細になるに従いチャネルの薄
膜化及びチャネルストッパ層の高不純物濃度が要求され
ているが、この構造を実現させるためには急俊な不純物
分布形成が必要となる。そのためには、Ｓｉ結晶基板上
に吸着させた種々の元素の位置及び濃度をリアルタイム
で観察することによって、結晶成長に伴う原子の拡散を
抑制し、原子層成長を行う技術が必要とされている。特
に、表面上の水素は結晶成長を制御する上で重要な因子
として注目されている。低エネルギーイオン散乱表面分
析装置は、その場観察によって、結晶表面近傍における
原子層レベルでの組成分析及び構造解析を行うことがで
きる特徴から、上記の目的にかなう有用な分析法として
近年、研究開発が進められている。
等によって変化しつつある表面の組成及び構造をリアル
タイムでその場観察し、結晶表面構造や結晶成長過程を
制御する技術が重要となっている。例えば、Ｓｉ−ＵＬ
ＳＩにおいては、素子が微細になるに従いチャネルの薄
膜化及びチャネルストッパ層の高不純物濃度が要求され
ているが、この構造を実現させるためには急俊な不純物
分布形成が必要となる。そのためには、Ｓｉ結晶基板上
に吸着させた種々の元素の位置及び濃度をリアルタイム
で観察することによって、結晶成長に伴う原子の拡散を
抑制し、原子層成長を行う技術が必要とされている。特
に、表面上の水素は結晶成長を制御する上で重要な因子
として注目されている。低エネルギーイオン散乱表面分
析装置は、その場観察によって、結晶表面近傍における
原子層レベルでの組成分析及び構造解析を行うことがで
きる特徴から、上記の目的にかなう有用な分析法として
近年、研究開発が進められている。
【０００３】従来の低エネルギーイオン散乱表面分析装
置を図２、図３に示す。図２の装置では、片山光浩等が
応用物理、第６１巻、第２号（１９９２）、頁Ｌ１７１
から頁Ｌ１７３で開示しているように、チョッピングプ
レート４によってパルス化された数keV以下のイオン粒
子源１から出射されたイオン粒子ビームを試料７に入射
させ、入射方向に対し、１８０度後方に散乱された粒子
の飛空時間、及び粒子数を検出器９で測定していた。１
８０度方向への散乱粒子を検出することによって、組成
分析及び表面原子位置を知ることができた。また、散乱
粒子のエネルギー分析に飛行時間差法を用いているた
め、エネルギースペクトルを一度で測定することができ
る。さらに、試料表面の方向をゴニオメータ８で変えて
分析することによって、試料表面数原子層の構造解析を
することができるという特徴があった。
置を図２、図３に示す。図２の装置では、片山光浩等が
応用物理、第６１巻、第２号（１９９２）、頁Ｌ１７１
から頁Ｌ１７３で開示しているように、チョッピングプ
レート４によってパルス化された数keV以下のイオン粒
子源１から出射されたイオン粒子ビームを試料７に入射
させ、入射方向に対し、１８０度後方に散乱された粒子
の飛空時間、及び粒子数を検出器９で測定していた。１
８０度方向への散乱粒子を検出することによって、組成
分析及び表面原子位置を知ることができた。また、散乱
粒子のエネルギー分析に飛行時間差法を用いているた
め、エネルギースペクトルを一度で測定することができ
る。さらに、試料表面の方向をゴニオメータ８で変えて
分析することによって、試料表面数原子層の構造解析を
することができるという特徴があった。
【０００４】また、図３の装置は、特開平３−２８５２
４３（３．１２．１６）で開示されているように、パル
ス化された数ｋｅＶ以下のイオン粒子を試料７に入射さ
せ、入射方向に対して散乱角の小さい、前方に散乱され
た試料原子の飛空時間、及び粒子数を検出器１０で測定
する方式である。この方法では、入射粒子の質量数より
も小さい元素、特に他の手法では計測が困難であったＨ
の分析に有効であった。
４３（３．１２．１６）で開示されているように、パル
ス化された数ｋｅＶ以下のイオン粒子を試料７に入射さ
せ、入射方向に対して散乱角の小さい、前方に散乱され
た試料原子の飛空時間、及び粒子数を検出器１０で測定
する方式である。この方法では、入射粒子の質量数より
も小さい元素、特に他の手法では計測が困難であったＨ
の分析に有効であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術に
は次のような問題があった。図２の装置では、入射粒子
の質量数よりも小さい元素は後方散乱されることがない
ので、Ｈ等の軽元素の分析をすることができなかった。
一方、図３の装置では、試料表面を構成する元素のうち
質量数の大きい元素は前方に散乱することがないので、
分析を行なうことができなかった。さらに、表面数原子
層の構造解析を行なうことができなかった。
は次のような問題があった。図２の装置では、入射粒子
の質量数よりも小さい元素は後方散乱されることがない
ので、Ｈ等の軽元素の分析をすることができなかった。
一方、図３の装置では、試料表面を構成する元素のうち
質量数の大きい元素は前方に散乱することがないので、
分析を行なうことができなかった。さらに、表面数原子
層の構造解析を行なうことができなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、入射イオンに対
して９０度よりも後方、及び、９０度よりも前方に検出
器を設け、前方散乱粒子と後方散乱粒子を同時に検出で
きる構成とした。さらに、それぞれの粒子の飛空時間を
測定する手段を設けた。また検出器として、散乱された
粒子のうち、イオン粒子を電場によって加速して検出す
る手段、あるいは、磁場によって質量分析を行って検出
する手段を設けた。
して９０度よりも後方、及び、９０度よりも前方に検出
器を設け、前方散乱粒子と後方散乱粒子を同時に検出で
きる構成とした。さらに、それぞれの粒子の飛空時間を
測定する手段を設けた。また検出器として、散乱された
粒子のうち、イオン粒子を電場によって加速して検出す
る手段、あるいは、磁場によって質量分析を行って検出
する手段を設けた。
【０００７】
【作用】これによって、入射粒子よりも質量数の大きい
元素の分析と、小さい元素、特に表面上の水素の分析を
同時に行なうことができるようになる。さらに、入射粒
子よりも質量数の大きい元素について、表面数原子層の
構造解析を行なうことができる。
元素の分析と、小さい元素、特に表面上の水素の分析を
同時に行なうことができるようになる。さらに、入射粒
子よりも質量数の大きい元素について、表面数原子層の
構造解析を行なうことができる。
【０００８】また、電場によってイオン粒子を加速する
ことにより、散乱されたイオン粒子と中性粒子を分離し
て、同時に検出できるようになる。さらに、イオン粒子
のエネルギ−を大きくして検出機に入射させることによ
り、検出効率を向上させることができ、また、電子によ
るノイズを取り除くことが可能となる。
ことにより、散乱されたイオン粒子と中性粒子を分離し
て、同時に検出できるようになる。さらに、イオン粒子
のエネルギ−を大きくして検出機に入射させることによ
り、検出効率を向上させることができ、また、電子によ
るノイズを取り除くことが可能となる。
【０００９】検出器として磁場によって質量分析するこ
とにより、ノイズを低減することが可能となる。
とにより、ノイズを低減することが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１と図４、図５、
図６を用いて説明する。図１は、本発明の１実施例を示
す低速イオン散乱装置である。イオン源１から出射され
る3ｋｅＶ以下のＨｅ,Ｎｅ,Ａｒ等の低エネルギイオン
粒子は、コンピュータ２からの信号に従ってパルスジェ
ネレータ３から発生されるパルス電圧を、チョッピング
プレート４に印加することによってパルス化される。パ
ルス化されたイオン粒子ビームはレンズ５によって収束
された後に観察試料７に衝突する。このとき、試料面と
入射イオンに対する角度をゴニオメータ８によって変化
させることができる。衝突イオン粒子は、表面層の原子
によって非弾性散乱され、このうち後方に散乱される粒
子を検出器９で検出する。これと同時に、衝突イオン粒
子によって前方散乱された表面原子を検出器１０で検出
する。一方、散乱された衝突粒子が検出器９に到達する
飛空時間、及び散乱された試料原子が検出器１０に到達
する飛空時間を測定器１２によって測定する。
図６を用いて説明する。図１は、本発明の１実施例を示
す低速イオン散乱装置である。イオン源１から出射され
る3ｋｅＶ以下のＨｅ,Ｎｅ,Ａｒ等の低エネルギイオン
粒子は、コンピュータ２からの信号に従ってパルスジェ
ネレータ３から発生されるパルス電圧を、チョッピング
プレート４に印加することによってパルス化される。パ
ルス化されたイオン粒子ビームはレンズ５によって収束
された後に観察試料７に衝突する。このとき、試料面と
入射イオンに対する角度をゴニオメータ８によって変化
させることができる。衝突イオン粒子は、表面層の原子
によって非弾性散乱され、このうち後方に散乱される粒
子を検出器９で検出する。これと同時に、衝突イオン粒
子によって前方散乱された表面原子を検出器１０で検出
する。一方、散乱された衝突粒子が検出器９に到達する
飛空時間、及び散乱された試料原子が検出器１０に到達
する飛空時間を測定器１２によって測定する。
【００１１】観察試料７に衝突してから検出器に到達す
るまでの時間Ｔは、散乱粒子のエネルギをＥ、粒子の質
量をＭ、試料から検出器までの飛空距離をｄとすると、
るまでの時間Ｔは、散乱粒子のエネルギをＥ、粒子の質
量をＭ、試料から検出器までの飛空距離をｄとすると、
【００１２】
【数１】
【００１３】となる。
【００１４】ここで、エネルギＥは、散乱後の入射粒子
のエネルギＥ１と入射イオンによって散乱された試料原
子のエネルギをＥ２の２つの場合がある。そこで、入射
粒子のエネルギをＥo、入射粒子の質量をＭ１、散乱角
をθ、また、試料原子の質量をＭ２、散乱角をψとする
と剛体モデルの衝突の関係から、Ｅ１は、
のエネルギＥ１と入射イオンによって散乱された試料原
子のエネルギをＥ２の２つの場合がある。そこで、入射
粒子のエネルギをＥo、入射粒子の質量をＭ１、散乱角
をθ、また、試料原子の質量をＭ２、散乱角をψとする
と剛体モデルの衝突の関係から、Ｅ１は、
【００１５】
【数２】
【００１６】で得られる。図４及び図５は、数１と数２
を使って、θが１８０度のときのヘリウム（Ｈｅ）イオ
ン粒子とネオン（Ｎｅ）イオン粒子を入射イオン粒子に
用いた場合のＳｉ原子と他の原子の飛空時間を計算した
結果である。この計算では、飛空距離ｄを１ｍとした。
この測定では、検出限界に二つの制約がある。ひとつ
は、測定器１２の時間分解能、及びパルス時間幅による
時間分解能によるものである。例えば、Ｓｉを基板に用
いた場合は、Ｓｉの飛空時間と表面原子の飛空時間との
差が、時間分解能よりも大きい必要がある。一般に、時
間分解能は100ｎsec程度であるので、Ｎｅイオン粒子を
用いれば、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）等が、Ｈｅイオン粒子を用いればＢ、Ｃ、Ｏ等が検
出できる。他のひとつは、入射イオン粒子の原子量より
も小さな表面原子は検出できないことである。例えば、
Ｈｅイオン粒子を用いた場合、水素（Ｈ）を検出するこ
とはできない。
を使って、θが１８０度のときのヘリウム（Ｈｅ）イオ
ン粒子とネオン（Ｎｅ）イオン粒子を入射イオン粒子に
用いた場合のＳｉ原子と他の原子の飛空時間を計算した
結果である。この計算では、飛空距離ｄを１ｍとした。
この測定では、検出限界に二つの制約がある。ひとつ
は、測定器１２の時間分解能、及びパルス時間幅による
時間分解能によるものである。例えば、Ｓｉを基板に用
いた場合は、Ｓｉの飛空時間と表面原子の飛空時間との
差が、時間分解能よりも大きい必要がある。一般に、時
間分解能は100ｎsec程度であるので、Ｎｅイオン粒子を
用いれば、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）等が、Ｈｅイオン粒子を用いればＢ、Ｃ、Ｏ等が検
出できる。他のひとつは、入射イオン粒子の原子量より
も小さな表面原子は検出できないことである。例えば、
Ｈｅイオン粒子を用いた場合、水素（Ｈ）を検出するこ
とはできない。
【００１７】また、入射粒子によって散乱された試料原
子のエネルギＥ２は、
子のエネルギＥ２は、
【００１８】
【数３】
【００１９】で与えられる。図６は、数１と数３を使っ
て、φが３０度のとき、ヘリウム（Ｈｅ）イオン粒子を
入射イオン粒子として用いた場合の飛空時間を計算した
結果である。これより、軽元素側で時間差が大きく、重
元素側では差が小さいことがわかる。従って、Ｅ１の測
定で不可能であったＨ等の軽元素の検出が可能になる。
一方、Ｅ２の測定によって質量数の大きい原子の組成分
析を行なうことは適当ではないことがわかる。また、前
方散乱による分析では試料最表面で散乱された粒子しか
検出できないので、表面数原子層にわたって構造解析を
行なうことはできない。
て、φが３０度のとき、ヘリウム（Ｈｅ）イオン粒子を
入射イオン粒子として用いた場合の飛空時間を計算した
結果である。これより、軽元素側で時間差が大きく、重
元素側では差が小さいことがわかる。従って、Ｅ１の測
定で不可能であったＨ等の軽元素の検出が可能になる。
一方、Ｅ２の測定によって質量数の大きい原子の組成分
析を行なうことは適当ではないことがわかる。また、前
方散乱による分析では試料最表面で散乱された粒子しか
検出できないので、表面数原子層にわたって構造解析を
行なうことはできない。
【００２０】さらに、散乱粒子のうち、イオン粒子は検
出器９、及び検出器１０の前面に設置されたグリッド１
１を通過する際に、電場によって加速されて検出器９、
及び検出器１０に到達する。これにより、試料表面を通
過する際に中性化された粒子と、イオン粒子とを分離し
て測定することができる。これによって、散乱粒子のイ
オン化率を知ることができ、試料表面上の電子分布の情
報を得ることができる。また、イオン粒子検出の際にノ
イズの原因となっている電子を取り除くことができる。
出器９、及び検出器１０の前面に設置されたグリッド１
１を通過する際に、電場によって加速されて検出器９、
及び検出器１０に到達する。これにより、試料表面を通
過する際に中性化された粒子と、イオン粒子とを分離し
て測定することができる。これによって、散乱粒子のイ
オン化率を知ることができ、試料表面上の電子分布の情
報を得ることができる。また、イオン粒子検出の際にノ
イズの原因となっている電子を取り除くことができる。
【００２１】また、検出器９の前面に磁場を設けること
により、散乱されたイオン粒子を質量分析して検出する
ことができる。
により、散乱されたイオン粒子を質量分析して検出する
ことができる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明を用いれば、低
速イオン散乱法において、表面数原子層での組成分析及
び構造分析と、最表面の軽元素、特に水素の分析を同時
に行なうことができる。いいかえれば、試料表面に存在
する軽元素から重元素にいたる広範囲の原子種を、同時
に検出することができ、さらに、表面数原子層におい
て、入射イオン粒子よりも大きい質量数の元素の構造解
析ができる。
速イオン散乱法において、表面数原子層での組成分析及
び構造分析と、最表面の軽元素、特に水素の分析を同時
に行なうことができる。いいかえれば、試料表面に存在
する軽元素から重元素にいたる広範囲の原子種を、同時
に検出することができ、さらに、表面数原子層におい
て、入射イオン粒子よりも大きい質量数の元素の構造解
析ができる。
【００２３】また、グリッド１１を設けることにより、
電子によるノイズを低減させ、さらに、散乱中性化粒子
と散乱イオン粒子とを分離して、検出することができ
る。
電子によるノイズを低減させ、さらに、散乱中性化粒子
と散乱イオン粒子とを分離して、検出することができ
る。
【００２４】散乱イオン粒子を磁場で質量分析して検出
することによって、質量数の近い元素の分析も精度よく
行うことが出来るようになる。
することによって、質量数の近い元素の分析も精度よく
行うことが出来るようになる。
【図１】本発明の１実施例を示すイオン散乱表面分析装
置の正面図である。
置の正面図である。
【図２】従来のイオン散乱表面分析装置の説明図であ
る。
る。
【図３】従来のイオン散乱表面分析装置の説明図であ
る。
る。
【図４】Ｈｅイオンにおける入射粒子の飛空時間の計算
結果の説明図である。
結果の説明図である。
【図５】Ｎｅイオンにおける入射粒子の飛空時間の計算
結果の説明図である。
結果の説明図である。
【図６】Ｈｅイオンにおける試料粒子の飛空時間の計算
結果の説明図である。
結果の説明図である。
１…イオン粒子源、２…制御用コンピュータ、３…パル
スジェネレータ、４…チョッピングプレート、５…レン
ズ、６…デフレクタ、７…試料、８…ゴニオメータ、９
…検出器、１０…検出器、１１…グリッド、１２…時間
計数器、１３…試料台、１４…真空チャンバ。
スジェネレータ、４…チョッピングプレート、５…レン
ズ、６…デフレクタ、７…試料、８…ゴニオメータ、９
…検出器、１０…検出器、１１…グリッド、１２…時間
計数器、１３…試料台、１４…真空チャンバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 49/40
Claims (6)
- 【請求項１】イオン粒子を被測定物表面に衝突させて、
その表面から散乱された粒子を検出するイオン散乱分析
装置において、入射イオンを被測定物表面の垂直方向よ
り小さな角度で入射させ、表面原子によって散乱された
入射粒子と、入射イオンによって散乱された表面上の軽
元素粒子とを同時に検出することを特徴とするイオン散
乱分析装置。 - 【請求項２】請求項１において、さらに、被測定物に入
射させるイオンのエネルギ−が３ｋｅＶ以下であること
を特徴とするイオン散乱分析装置。 - 【請求項３】請求項１において、さらに、入射イオン粒
子をチョッピングし、パルス状とし、そのパルス化され
た入射イオン粒子と同期させて、散乱された入射粒子及
び反跳粒子の飛空時間を同時に測定するシステムを有す
ることによりエネルギー分析を行なうことを特徴とする
イオン散乱表面分析装置。 - 【請求項４】請求項１において、散乱された入射粒子を
検出する検出器を入射方向に対して９０度以下の範囲に
配置し、さらに、入射粒子によって散乱された元素粒子
を検出する検出器を入射方向に対して９０度以上の角度
範囲に配置することを特徴とするイオン散乱分析装置。 - 【請求項５】請求項１において、さらに、検出器とし
て、散乱された粒子のうち、散乱イオン粒子を電場によ
って加速することによって、中性化粒子とイオン粒子と
を分離して検出することを特徴とするイオン散乱表面分
析装置。 - 【請求項６】請求項１において、さらに、検出器とし
て、散乱された粒子を磁場によって質量分析して検出す
ることを特徴とするイオン散乱分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014218A JPH07226181A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | イオン散乱表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014218A JPH07226181A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | イオン散乱表面分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226181A true JPH07226181A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=11854950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014218A Pending JPH07226181A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | イオン散乱表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226181A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042299A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Kobe Steel Ltd | 試料イオンの飛行時間測定用装置，飛行時間型質量分析装置，飛行時間型質量分析方法 |
| KR100687074B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-02-26 | 한국표준과학연구원 | 집속 이온빔 산란을 이용한 박막분석 시스템 |
| JP2009517844A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| JP2019056633A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 試料分析装置 |
-
1994
- 1994-02-08 JP JP6014218A patent/JPH07226181A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042299A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Kobe Steel Ltd | 試料イオンの飛行時間測定用装置，飛行時間型質量分析装置，飛行時間型質量分析方法 |
| KR100687074B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-02-26 | 한국표준과학연구원 | 집속 이온빔 산란을 이용한 박막분석 시스템 |
| JP2009517844A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| JP2019056633A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 試料分析装置 |
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