JPH07224024A - スルホンアミドおよびそれを含む現像剤並びに現像方法 - Google Patents
スルホンアミドおよびそれを含む現像剤並びに現像方法Info
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- JPH07224024A JPH07224024A JP6319644A JP31964494A JPH07224024A JP H07224024 A JPH07224024 A JP H07224024A JP 6319644 A JP6319644 A JP 6319644A JP 31964494 A JP31964494 A JP 31964494A JP H07224024 A JPH07224024 A JP H07224024A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 従来の負電荷制御剤の欠点を改良した負電荷
制御剤を与えるためのスルホンアミド類を提供する。 【構成】 一般構造： 具体的には、例えば で示される化合物およびそれ等の金属塩を持つスルホン
アミド。
制御剤を与えるためのスルホンアミド類を提供する。 【構成】 一般構造： 具体的には、例えば で示される化合物およびそれ等の金属塩を持つスルホン
アミド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真材料、特に電
荷制御剤、並びにそれらの薬剤を組込んだトナーおよび
現像剤に関する。より具体的には、Ｎ−（カルボニル、
カルボンイミドイル、カルボノチオイル）スルホンアミ
ド電荷制御剤並びにそれらの薬剤を含むトナーおよび現
像剤に関する。
荷制御剤、並びにそれらの薬剤を組込んだトナーおよび
現像剤に関する。より具体的には、Ｎ−（カルボニル、
カルボンイミドイル、カルボノチオイル）スルホンアミ
ド電荷制御剤並びにそれらの薬剤を含むトナーおよび現
像剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真では、画像電荷パターンを支持
体上に形成し、この電荷パターンに引き寄せられる標識
粒子を含有する電子写真現像剤で処理する。これらの粒
子をトナー粒子、もしくは集合的にトナーと呼ぶ。電荷
パターンの現像では、二種類の主要な現像剤のタイプ
（乾式および液体）を用いる。
体上に形成し、この電荷パターンに引き寄せられる標識
粒子を含有する電子写真現像剤で処理する。これらの粒
子をトナー粒子、もしくは集合的にトナーと呼ぶ。電荷
パターンの現像では、二種類の主要な現像剤のタイプ
（乾式および液体）を用いる。
【０００３】電子写真では、画像電荷パターン（静電潜
像とも呼ばれる）を、種々の方法によって、静電写真要
素の絶縁面上に形成する。例えば、静電潜像を、光電導
性層および電導性基体を含んでなる電子写真要素の表面
に予め形成される均一強度の静電界の一部分の強度を像
様に光誘導消失させて、電子写真的に形成することがで
きる。あるいは、静電潜像を、誘電性材料の表面上に静
電界パターンを直接電気的に形成することによって形成
することができる。
像とも呼ばれる）を、種々の方法によって、静電写真要
素の絶縁面上に形成する。例えば、静電潜像を、光電導
性層および電導性基体を含んでなる電子写真要素の表面
に予め形成される均一強度の静電界の一部分の強度を像
様に光誘導消失させて、電子写真的に形成することがで
きる。あるいは、静電潜像を、誘電性材料の表面上に静
電界パターンを直接電気的に形成することによって形成
することができる。
【０００４】良く知られた静電写真現像剤の一つのタイ
プは、トナー粒子およびキャリア粒子の乾式混合物を含
む。このタイプの現像剤は、カスケードおよび磁気ブラ
シ静電写真現像法で用いられる。トナー粒子およびキャ
リア粒子は、摩擦電気的に異なっており、その結果、現
像剤を形成する混合時に、トナー粒子が一方の極性の電
荷を獲得し、キャリア粒子が反対の極性を獲得する。こ
の相反する電荷は、トナー粒子をキャリア粒子にぴった
りとくっつかせる。現像時に、潜像の静電気力（時に追
加の加えた磁界と組み合せて）が、トナー粒子を引き寄
せる。このトナー粒子はキャリア粒子から引き離され、
像様関係に潜像を帯びている表面に静電気的に結合す
る。そして、生じるトナー画像を、トナー画像の性質お
よび表面により、熱もしくはその他公知の方法を適用し
て定着することができ、もしくは別の表面に転写して定
着することができる。
プは、トナー粒子およびキャリア粒子の乾式混合物を含
む。このタイプの現像剤は、カスケードおよび磁気ブラ
シ静電写真現像法で用いられる。トナー粒子およびキャ
リア粒子は、摩擦電気的に異なっており、その結果、現
像剤を形成する混合時に、トナー粒子が一方の極性の電
荷を獲得し、キャリア粒子が反対の極性を獲得する。こ
の相反する電荷は、トナー粒子をキャリア粒子にぴった
りとくっつかせる。現像時に、潜像の静電気力（時に追
加の加えた磁界と組み合せて）が、トナー粒子を引き寄
せる。このトナー粒子はキャリア粒子から引き離され、
像様関係に潜像を帯びている表面に静電気的に結合す
る。そして、生じるトナー画像を、トナー画像の性質お
よび表面により、熱もしくはその他公知の方法を適用し
て定着することができ、もしくは別の表面に転写して定
着することができる。
【０００５】トナー粒子はしばしば電荷制御剤を含み、
望ましことに、それは紙もしくはその他の媒体への接着
を損なうことなしに、高均一の正味電荷をトナー粒子に
提供する。現像剤中のトナー粒子に正電荷を与える多く
のタイプの正電荷制御剤、材料が用いられ、それ等は公
開された特許文献に記載されている。反対に、現像剤中
のトナー粒子に負電荷を与えるタイプの負電荷制御剤、
材料は、ほとんど知られていない。
望ましことに、それは紙もしくはその他の媒体への接着
を損なうことなしに、高均一の正味電荷をトナー粒子に
提供する。現像剤中のトナー粒子に正電荷を与える多く
のタイプの正電荷制御剤、材料が用いられ、それ等は公
開された特許文献に記載されている。反対に、現像剤中
のトナー粒子に負電荷を与えるタイプの負電荷制御剤、
材料は、ほとんど知られていない。
【０００６】米国特許第４，４８０，０２１号公報に
は、式： Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 もしくはＲ3 −ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ4 （式中、Ｒ1 は炭素数６〜２２のアルキル、もしくはア
リールであり、Ｒ2 は炭素数６〜１８のアリールであ
り、Ｒ3 はアリール基もしくはアルキル基であり、そし
てＲ4 はＲ3 とは独立した炭素数６〜２２のアルキル、
もしくはアリールである）を持つ、スルホンアミド類お
よびスルホン類を負電荷制御剤として使用することが教
示されている。アリールアルキルスルホンアミド類の具
体的な例は、パラ−トリルステアリルスルホンアミド、
パラ−トリルセチルスルホンアミド、パラ−キシリルス
テアリルスルホンアミド、パラ−トリルミリスチルスル
ホンアミド、およびイソプロピルビフェニルステアリル
スルホンアミドである。
は、式： Ｒ1 −ＳＯ2 −Ｒ2 もしくはＲ3 −ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ4 （式中、Ｒ1 は炭素数６〜２２のアルキル、もしくはア
リールであり、Ｒ2 は炭素数６〜１８のアリールであ
り、Ｒ3 はアリール基もしくはアルキル基であり、そし
てＲ4 はＲ3 とは独立した炭素数６〜２２のアルキル、
もしくはアリールである）を持つ、スルホンアミド類お
よびスルホン類を負電荷制御剤として使用することが教
示されている。アリールアルキルスルホンアミド類の具
体的な例は、パラ−トリルステアリルスルホンアミド、
パラ−トリルセチルスルホンアミド、パラ−キシリルス
テアリルスルホンアミド、パラ−トリルミリスチルスル
ホンアミド、およびイソプロピルビフェニルステアリル
スルホンアミドである。
【０００７】米国特許第４，４６４，４５２号公報に
は、一般構造：
は、一般構造：
【０００８】
【化１０】
【０００９】（式中、ＲおよびＲ1 は、Ｈ、アルキル、
ハロ、ニトロ、「等」から選ばれる）を持つ負電荷制御
剤を含むトナー組成物が教示されている。また、この特
許公報には、負電荷制御剤の具体例：ジ−トリルスルホ
ンイミド、フェニルトリルスルホンイミド、ジフェニル
スルホンイミド、ジ−１−ナフチルスルホンイミド、ヘ
キサデシルトリルスルホンイミド、メチルトリルスルホ
ンイミド、およびジヘキサデシルスルホンイミドも教示
されている。
ハロ、ニトロ、「等」から選ばれる）を持つ負電荷制御
剤を含むトナー組成物が教示されている。また、この特
許公報には、負電荷制御剤の具体例：ジ−トリルスルホ
ンイミド、フェニルトリルスルホンイミド、ジフェニル
スルホンイミド、ジ−１−ナフチルスルホンイミド、ヘ
キサデシルトリルスルホンイミド、メチルトリルスルホ
ンイミド、およびジヘキサデシルスルホンイミドも教示
されている。
【００１０】米国特許第３，５７７，３４５号公報に
は、一般構造：
は、一般構造：
【００１１】
【化１１】
【００１２】［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ、アリー
ル、炭素数１〜６のアルキルから選ばれ、Ｒ’および
Ｒ”は、Ｈ、炭素数１〜１２のアリール並びに炭素数１
〜１２のアルキル、並びに塩素化されたＰｈ−（Ｐｈ）
n −Ｐｈ（ｎは０〜３）から選ばれる］を持つ材料を含
むトナーおよび現像剤が教示されている。この材料は、
電荷制御剤としては使用されないが、むしろ、トナー溶
融および粘度を改良する添加剤として使用される。同じ
ような溶融および粘度改良添加剤が、米国特許第３，８
９３，９３４号および同４，００２，７７６号各公報に
教示されている。これらの添加剤は、一般構造：
ル、炭素数１〜６のアルキルから選ばれ、Ｒ’および
Ｒ”は、Ｈ、炭素数１〜１２のアリール並びに炭素数１
〜１２のアルキル、並びに塩素化されたＰｈ−（Ｐｈ）
n −Ｐｈ（ｎは０〜３）から選ばれる］を持つ材料を含
むトナーおよび現像剤が教示されている。この材料は、
電荷制御剤としては使用されないが、むしろ、トナー溶
融および粘度を改良する添加剤として使用される。同じ
ような溶融および粘度改良添加剤が、米国特許第３，８
９３，９３４号および同４，００２，７７６号各公報に
教示されている。これらの添加剤は、一般構造：
【００１３】
【化１２】
【００１４】（式中、Ｒ1 およびＲ2 の一方はＣＨ3 で
あり他方はＨである）を持つ。これらの三つの特許公報
には、これらの材料が、帯電を改良する電荷制御剤とし
てはたらくことができるかどうかは、教示も示唆もされ
ていない。電荷制御剤は、一般的に、０．５〜３．０重
量％の範囲で用いられる。これらの公報では、溶融およ
び粘度添加剤は、トナー中で１０〜４０重量％の範囲の
濃度を有する。
あり他方はＨである）を持つ。これらの三つの特許公報
には、これらの材料が、帯電を改良する電荷制御剤とし
てはたらくことができるかどうかは、教示も示唆もされ
ていない。電荷制御剤は、一般的に、０．５〜３．０重
量％の範囲で用いられる。これらの公報では、溶融およ
び粘度添加剤は、トナー中で１０〜４０重量％の範囲の
濃度を有する。
【００１５】米国特許第５，１８６，７３６号公報に
は、一般構造：
は、一般構造：
【００１６】
【化１３】
【００１７】（式中、ＡおよびＢは、水素、アルキル、
アルコキシ、カルボキシ、ニトロ、およびハロゲンから
独立して選ばれ、ＸおよびＹは、水素、ヒドロキシ、ア
ルキル、アルコキシ、カルボキシ、ニトロ、およびハロ
ゲンから独立して選ばれ、そしてｙは０もしくは１であ
る）を持つ電荷制御添加剤を有するトナーが教示されて
いる。
アルコキシ、カルボキシ、ニトロ、およびハロゲンから
独立して選ばれ、ＸおよびＹは、水素、ヒドロキシ、ア
ルキル、アルコキシ、カルボキシ、ニトロ、およびハロ
ゲンから独立して選ばれ、そしてｙは０もしくは１であ
る）を持つ電荷制御添加剤を有するトナーが教示されて
いる。
【００１８】米国特許第５，１８６，７３６号公報に
は、一般構造：
は、一般構造：
【００１９】
【化１４】
【００２０】［式中、Ｒ1 は水素もしくは脂肪族基であ
り；Ｒ2 およびＲ3 は、Ｈ、アルキルもしくはフェニル
であり；ＷはＯ、Ｓ、ＮＲ4 もしくはＮＯＲ4 であり；
ＸはＣＨＲ2 、ＯもしくはＮＲ4 であり；Ｌは、（置換
された）、フェニル、ナフチル、もしくは一環のヘテロ
アリール基であり；Ａは（置換された）、ピリミジル、
トリアジニル、トリアゾリルもしくは二環のヘテロアリ
ール基であり；Ｒ4 は、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ3 −アルキル、Ｃ
1 −Ｃ3 −ハロアルキル、もしくはフェニルであり；そ
してｍおよびｎは、０もしくは１である）を持つ複素環
式Ｎ−アシルスルホンアミド除草剤もしくは成長調節剤
が教示されている。
り；Ｒ2 およびＲ3 は、Ｈ、アルキルもしくはフェニル
であり；ＷはＯ、Ｓ、ＮＲ4 もしくはＮＯＲ4 であり；
ＸはＣＨＲ2 、ＯもしくはＮＲ4 であり；Ｌは、（置換
された）、フェニル、ナフチル、もしくは一環のヘテロ
アリール基であり；Ａは（置換された）、ピリミジル、
トリアジニル、トリアゾリルもしくは二環のヘテロアリ
ール基であり；Ｒ4 は、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ3 −アルキル、Ｃ
1 −Ｃ3 −ハロアルキル、もしくはフェニルであり；そ
してｍおよびｎは、０もしくは１である）を持つ複素環
式Ｎ−アシルスルホンアミド除草剤もしくは成長調節剤
が教示されている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従来の負電荷制御剤は
種々の欠点を有している。多くの電荷制御剤は、暗着色
されており、シアン、マゼンタ、イエロー、赤、青、お
よび緑等の着色したトナーと一緒には容易に用いること
ができない。いくつかは非常に有毒であり、もしくは非
常に有毒な副生物を生成する。いくつかは、湿度等の環
境条件に対して感受性が高い。いくつかは、ある使用に
おいて、高放出量もしくは反対に作用する摩擦電気特性
を示す。電荷制御剤の使用は、欠点と、特定の状況に適
合する所望する特性とのバランスを取る必要がある。従
って、改良された特性を有する負電荷制御剤の継続する
必要性が存在する。
種々の欠点を有している。多くの電荷制御剤は、暗着色
されており、シアン、マゼンタ、イエロー、赤、青、お
よび緑等の着色したトナーと一緒には容易に用いること
ができない。いくつかは非常に有毒であり、もしくは非
常に有毒な副生物を生成する。いくつかは、湿度等の環
境条件に対して感受性が高い。いくつかは、ある使用に
おいて、高放出量もしくは反対に作用する摩擦電気特性
を示す。電荷制御剤の使用は、欠点と、特定の状況に適
合する所望する特性とのバランスを取る必要がある。従
って、改良された特性を有する負電荷制御剤の継続する
必要性が存在する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】好ましい帯電特性を有す
る、負に帯電するトナーを提供することができること
が、本発明の少なくともいくつかの態様の有利な効果で
ある。
る、負に帯電するトナーを提供することができること
が、本発明の少なくともいくつかの態様の有利な効果で
ある。
【００２３】
【具体的な態様】本明細書で使用する「粒子サイズ」、
または「粒子」の用語に関する「サイズ」もしくは「〜
のサイズの」の用語は、Coulter Multisizer（商品名）
（Couler, Inc.製：Hialeah, Florid ）等の通常の径測
定装置により測定した中央値体積加重直径を意味する。
中央値体積加重直径は、サンプルの中央値を表わす等重
量の球形粒子の直径である。即ち、サンプルの質量の半
分が、より小さな粒子から構成され、かつサンプルの質
量の半分が、中央値体積加重直径よりも大きな粒子から
構成されている。
または「粒子」の用語に関する「サイズ」もしくは「〜
のサイズの」の用語は、Coulter Multisizer（商品名）
（Couler, Inc.製：Hialeah, Florid ）等の通常の径測
定装置により測定した中央値体積加重直径を意味する。
中央値体積加重直径は、サンプルの中央値を表わす等重
量の球形粒子の直径である。即ち、サンプルの質量の半
分が、より小さな粒子から構成され、かつサンプルの質
量の半分が、中央値体積加重直径よりも大きな粒子から
構成されている。
【００２４】「電荷制御」の用語は、生じるトナーの摩
擦電気帯電特性を改良するトナー添加物の性質をいう。
本明細書で用いる、「ガラス転位温度」もしくは
「Ｔg 」の用語は、ポリマーがガラス状態からゴム状態
に変化する温度を意味する。この温度（Ｔg ）は、「Te
chniques and Methods of Polymer Evaluation」、Vol.
1, Marcel Dekker, Inc., New York, 1966に開示される
示差熱分析によって測定することができる。
擦電気帯電特性を改良するトナー添加物の性質をいう。
本明細書で用いる、「ガラス転位温度」もしくは
「Ｔg 」の用語は、ポリマーがガラス状態からゴム状態
に変化する温度を意味する。この温度（Ｔg ）は、「Te
chniques and Methods of Polymer Evaluation」、Vol.
1, Marcel Dekker, Inc., New York, 1966に開示される
示差熱分析によって測定することができる。
【００２５】本発明のスルホンアミドは、電子写真トナ
ーの電荷制御剤として有用であり、一般式：
ーの電荷制御剤として有用であり、一般式：
【００２６】
【化１５】
【００２７】もしくは一般式：
【００２８】
【化１６】
【００２９】によって表わすことができる。記号は全て
以下に定義する。本発明のスルホンアミドは、一般的に
互変異することができる。従って、例えば構造（４）
は、多くの場合また次のように表わされる：
以下に定義する。本発明のスルホンアミドは、一般的に
互変異することができる。従って、例えば構造（４）
は、多くの場合また次のように表わされる：
【００３０】
【化１７】
【００３１】簡潔のために、本明細書では、一方の互変
異形状を図示しないが、構造式は、もう一つの互変異体
を包含すると理解されるべきである。例えば、本発明の
次のスルホンアミドのアミド形状：
異形状を図示しないが、構造式は、もう一つの互変異体
を包含すると理解されるべきである。例えば、本発明の
次のスルホンアミドのアミド形状：
【００３２】
【化１８】
【００３３】（次に議論する）は、イミノル形状：
【００３４】
【化１９】
【００３５】を包含すると理解されるべきである。本明
細書の全ての構造式では、同一の記号は、より狭い定義
であると特にことわらない限り、例えば、「Ｒ1 」は、
全ての構造式で同じ意味である。式（５）で示される化
合物は、Ｎａ、Ｍｇ、およびＫより選ばれる金属「Ｍ」
の塩である。この金属は、１価もしくは２価の原子価
「ｅ」を持つ。これらの物質の具体例を、例ＡＰ、Ａ
Ｑ、およびＡＲに与える。本発明のこのスルホンアミド
金属塩は、これらの物質を含有するトナーが望ましくな
い低電荷レベルを示したので、一般的に、電荷制御剤と
して使用するには好ましくない。
細書の全ての構造式では、同一の記号は、より狭い定義
であると特にことわらない限り、例えば、「Ｒ1 」は、
全ての構造式で同じ意味である。式（５）で示される化
合物は、Ｎａ、Ｍｇ、およびＫより選ばれる金属「Ｍ」
の塩である。この金属は、１価もしくは２価の原子価
「ｅ」を持つ。これらの物質の具体例を、例ＡＰ、Ａ
Ｑ、およびＡＲに与える。本発明のこのスルホンアミド
金属塩は、これらの物質を含有するトナーが望ましくな
い低電荷レベルを示したので、一般的に、電荷制御剤と
して使用するには好ましくない。
【００３６】Ｔ1 は、Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル、
炭素数３〜１８のシクロアルキル、並びに単一環または
２〜３の結合もしくは縮合環を持つ芳香族環系およびヘ
テロ芳香族環系より選ばれる。このアルキルもしくは環
系は、Ｒa およびＲb に関連して以下に記載する基で、
置換されていなくても、置換されていても良い。Ｔ1 が
Ｈでない本発明のスルホンアミド類は、驚くことに、高
放出量および劣った電荷制御のために、電荷制御剤とし
て使用するには好ましくないと決められていた。そのよ
うなスルホンアミド類の具体例を、例ＡＳ、ＡＴ、およ
びＡＵに与える。Ｔ1 が、Ｈである場合、一般構造
（４）は、次式：
炭素数３〜１８のシクロアルキル、並びに単一環または
２〜３の結合もしくは縮合環を持つ芳香族環系およびヘ
テロ芳香族環系より選ばれる。このアルキルもしくは環
系は、Ｒa およびＲb に関連して以下に記載する基で、
置換されていなくても、置換されていても良い。Ｔ1 が
Ｈでない本発明のスルホンアミド類は、驚くことに、高
放出量および劣った電荷制御のために、電荷制御剤とし
て使用するには好ましくないと決められていた。そのよ
うなスルホンアミド類の具体例を、例ＡＳ、ＡＴ、およ
びＡＵに与える。Ｔ1 が、Ｈである場合、一般構造
（４）は、次式：
【００３７】
【化２０】
【００３８】に変る。一般構造（４）、（５）、および
（６）では、Ｒ1 はＳ、Ｏ、もしくはＮＴ2である。そ
れぞれの物質を具体的に示すと、Ｒ1 がＯの場合：Ｎ−
（カルボニル）−（アルキルもしくはアリール）スルホ
ンアミド類、Ｒ1 がＳの場合：Ｎ−（（アルキルもしく
はアリール）スルホニル）−カルボチオアミド類もしく
はＮ−（カルボノチオイル）−（アルキルもしくはアリ
ール）スルホンアミド類、そしてＲ1 がＮＴ2 の場合：
Ｎ−（（アルキルもしくはアリール）スルホニル）カル
ボキシイミドアミド類もしくはＮ−（カルボンイミドイ
ル）−（アルキルもしくはアリール）スルホンアミド類
である。
（６）では、Ｒ1 はＳ、Ｏ、もしくはＮＴ2である。そ
れぞれの物質を具体的に示すと、Ｒ1 がＯの場合：Ｎ−
（カルボニル）−（アルキルもしくはアリール）スルホ
ンアミド類、Ｒ1 がＳの場合：Ｎ−（（アルキルもしく
はアリール）スルホニル）−カルボチオアミド類もしく
はＮ−（カルボノチオイル）−（アルキルもしくはアリ
ール）スルホンアミド類、そしてＲ1 がＮＴ2 の場合：
Ｎ−（（アルキルもしくはアリール）スルホニル）カル
ボキシイミドアミド類もしくはＮ−（カルボンイミドイ
ル）−（アルキルもしくはアリール）スルホンアミド類
である。
【００３９】Ｔ2 は、Ｈ、Ｒ5 もしくは−Ｌ−Ｒ5 を表
わし、Ｒ5 は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１
８のシクロアルキル、並びに単一環または２〜３の結合
もしくは縮合環を持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環
系、より選ばれる。このアルキルもしくは環系は、Ｒa
およびＲb に関連して以下に記載する基で、置換されて
いなくても、置換されていても良い。Ｌは、次式：
わし、Ｒ5 は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１
８のシクロアルキル、並びに単一環または２〜３の結合
もしくは縮合環を持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環
系、より選ばれる。このアルキルもしくは環系は、Ｒa
およびＲb に関連して以下に記載する基で、置換されて
いなくても、置換されていても良い。Ｌは、次式：
【００４０】
【化２１】
【００４１】より選ばれる結合基である。電荷制御剤と
して使用するには、Ｒ1 がＳもしくはＯであることがＮ
Ｔ2 に比較して好ましく、ＯがＳに比較して一般的に好
ましい。従って、一般構造：
して使用するには、Ｒ1 がＳもしくはＯであることがＮ
Ｔ2 に比較して好ましく、ＯがＳに比較して一般的に好
ましい。従って、一般構造：
【００４２】
【化２２】
【００４３】を有する本発明のスルホンアミド類は、一
般的に好ましくない。そのようなスルホンアミド類の具
体例を、例ＡＶ、ＡＸ、ＡＹ、ＡＺ、およびＢＡに与え
る。 一般構造：
般的に好ましくない。そのようなスルホンアミド類の具
体例を、例ＡＶ、ＡＸ、ＡＹ、ＡＺ、およびＢＡに与え
る。 一般構造：
【００４４】
【化２３】
【００４５】を有する本発明のスルホンアミド類は、Ｒ
1 がＯである本発明のスルホンアミド類程には、非常に
好ましいとは一般的に言えない。Ｒ1 がＳであるスルホ
ンアミド類の具体例は、例ＢＢおよびＢＣに説明するＮ
−（フェニルスルホニル）−カルボチオベンズアミド類
である。Ｔ1 およびＲ1 に好ましい基を考慮すると、一
般構造（４）は、次式：
1 がＯである本発明のスルホンアミド類程には、非常に
好ましいとは一般的に言えない。Ｒ1 がＳであるスルホ
ンアミド類の具体例は、例ＢＢおよびＢＣに説明するＮ
−（フェニルスルホニル）−カルボチオベンズアミド類
である。Ｔ1 およびＲ1 に好ましい基を考慮すると、一
般構造（４）は、次式：
【００４６】
【化２４】
【００４７】に変る。本発明のスルホンアミド類では、
Ｒa およびＲb は、それぞれ独立して、Ｈ、又は単一環
又は２もしくは３の、結合もしくは縮合環を持つ環系よ
り選ばれる。Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立して、直
接結合又は炭素数１〜２０の二価のアルキルもしくはフ
ルオロアルキルである。Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であ
る場合は、Ｒa およびＲb は、Ｈよりもむしろ環系もし
くはアルキルである。
Ｒa およびＲb は、それぞれ独立して、Ｈ、又は単一環
又は２もしくは３の、結合もしくは縮合環を持つ環系よ
り選ばれる。Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立して、直
接結合又は炭素数１〜２０の二価のアルキルもしくはフ
ルオロアルキルである。Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であ
る場合は、Ｒa およびＲb は、Ｈよりもむしろ環系もし
くはアルキルである。
【００４８】各Ｒa もしくはＲb 環系は、シクロアルキ
ル、芳香族、もしくはヘテロ芳香族系であり、置換基も
しくは置換基（複数）の炭素を含めて炭素原子３〜３４
を持つ。本明細書に記載する大部分の具体例では、Ｒa
およびＲb はフェニルであるが、非−フェニルのＲa お
よびＲb 芳香族基は、一般的に好ましくないものではな
い。Ｒa が縮合環系であるスルホンアミドの例を、例Ｆ
１およびＦ２に与える。
ル、芳香族、もしくはヘテロ芳香族系であり、置換基も
しくは置換基（複数）の炭素を含めて炭素原子３〜３４
を持つ。本明細書に記載する大部分の具体例では、Ｒa
およびＲb はフェニルであるが、非−フェニルのＲa お
よびＲb 芳香族基は、一般的に好ましくないものではな
い。Ｒa が縮合環系であるスルホンアミドの例を、例Ｆ
１およびＦ２に与える。
【００４９】Ｒa およびＲb 基（環系の場合）は、炭素
数１〜２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯ
Ｈ、炭素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数１〜
２０のア ルコキシ、炭素数２〜２０のアルキルカルボ
ニルオキシ、および炭素数２〜２０のカルボアルコキシ
の群より選ばれる一つ以上の置換基で、置換されていな
くても、置換されていても良い。
数１〜２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯ
Ｈ、炭素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数１〜
２０のア ルコキシ、炭素数２〜２０のアルキルカルボ
ニルオキシ、および炭素数２〜２０のカルボアルコキシ
の群より選ばれる一つ以上の置換基で、置換されていな
くても、置換されていても良い。
【００５０】Ｒa −Ｌ1 −および−Ｌ2 −Ｒb のいずれ
かがアルキル、もしくは両方ともアルキルである場合の
本発明のスルホンアミド類は、一般的に、電荷制御剤と
して好ましくない。そのような物質の態様の例は、一般
構造：
かがアルキル、もしくは両方ともアルキルである場合の
本発明のスルホンアミド類は、一般的に、電荷制御剤と
して好ましくない。そのような物質の態様の例は、一般
構造：
【００５１】
【化２５】
【００５２】および
【００５３】
【化２６】
【００５４】を持つ化合物である。これらのスルホンア
ミド類の具体例を、例ＢＧおよびＢＨに与える。本発明
のスルホンアミド類の態様では、電荷制御剤として使用
するのに好ましいものは、Ｒa もＲb もＨでなく、かつ
Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であっても良いか、もしくは
直接結合でなくても良いものである。本発明の多くの態
様では、Ｌ1 およびＬ2 は両方共、直接結合であり、一
般構造（１０）は、次式：
ミド類の具体例を、例ＢＧおよびＢＨに与える。本発明
のスルホンアミド類の態様では、電荷制御剤として使用
するのに好ましいものは、Ｒa もＲb もＨでなく、かつ
Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であっても良いか、もしくは
直接結合でなくても良いものである。本発明の多くの態
様では、Ｌ1 およびＬ2 は両方共、直接結合であり、一
般構造（１０）は、次式：
【００５５】
【化２７】
【００５６】となる。これらの物質を、Ｎ−（カルボニ
ル）−アリールスルホンアミド類もしくはＮ−アロイル
アリールスルホンアミド類と呼ぶことができる。本発明
のスルホンアミド類では、Ｒa もしくはＲb 、またはそ
の両方が、フェニルであり、そして一つ以上の、炭素数
４〜８の第三アルキルもしくは第三フルオロアルキル基
で置換されていることが望ましい。具体的なｔ−アルキ
ル置換スルホンアミド類の例には、例Ａ〜Ｇ、Ｉ〜Ｍ、
Ｑ〜Ｙ、Ｚ．Ａ〜Ｚ．Ｂ、ＡＡ〜ＡＰ、ＡＸ〜ＡＹ、Ｂ
Ａ〜ＢＣ、およびＢＨが含まれる。より好ましい例（Ａ
〜Ｇ、Ｉ〜Ｍ、Ｑ〜Ｘ、およびＡＡ〜ＡＯ．Ｂ）では、
Ｒa およびＲb は、両方ともフェニルであり、Ｒ1 はＯ
であり、Ｔ1 はＨであり、そしてｔ−アルキルは、ｔ−
ブチルである。直鎖アルキル置換物質（例えば、例Ｈの
物質）は、電荷制御剤として使用するには、現在は好ま
しくない。
ル）−アリールスルホンアミド類もしくはＮ−アロイル
アリールスルホンアミド類と呼ぶことができる。本発明
のスルホンアミド類では、Ｒa もしくはＲb 、またはそ
の両方が、フェニルであり、そして一つ以上の、炭素数
４〜８の第三アルキルもしくは第三フルオロアルキル基
で置換されていることが望ましい。具体的なｔ−アルキ
ル置換スルホンアミド類の例には、例Ａ〜Ｇ、Ｉ〜Ｍ、
Ｑ〜Ｙ、Ｚ．Ａ〜Ｚ．Ｂ、ＡＡ〜ＡＰ、ＡＸ〜ＡＹ、Ｂ
Ａ〜ＢＣ、およびＢＨが含まれる。より好ましい例（Ａ
〜Ｇ、Ｉ〜Ｍ、Ｑ〜Ｘ、およびＡＡ〜ＡＯ．Ｂ）では、
Ｒa およびＲb は、両方ともフェニルであり、Ｒ1 はＯ
であり、Ｔ1 はＨであり、そしてｔ−アルキルは、ｔ−
ブチルである。直鎖アルキル置換物質（例えば、例Ｈの
物質）は、電荷制御剤として使用するには、現在は好ま
しくない。
【００５７】本発明のスルホンアミド類のより望ましい
態様では、Ｒa およびＲb は、フェニルであり、そして
Ｒa およびＲb の一方は、炭素数４〜８の第三アルキル
基で置換されており、他方の環は、電子吸引性基（好ま
しくはＮＯ2 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、ＣＮ、ＣＯ2 Ｒx （こ
こでＲx は、炭素数１〜２０のアルキルである）、ＣＦ
3 、もしくはＳＯ2 ＣＨ3 ）で置換されている。これら
の物質の具体例には、例Ｉ〜ＬおよびＱ〜Ｗが含まれ
る。これに対して、電子吸引性置換基のみを持つことは
好ましくない。このことは例Ｎ〜Ｐで説明する。
態様では、Ｒa およびＲb は、フェニルであり、そして
Ｒa およびＲb の一方は、炭素数４〜８の第三アルキル
基で置換されており、他方の環は、電子吸引性基（好ま
しくはＮＯ2 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、ＣＮ、ＣＯ2 Ｒx （こ
こでＲx は、炭素数１〜２０のアルキルである）、ＣＦ
3 、もしくはＳＯ2 ＣＨ3 ）で置換されている。これら
の物質の具体例には、例Ｉ〜ＬおよびＱ〜Ｗが含まれ
る。これに対して、電子吸引性置換基のみを持つことは
好ましくない。このことは例Ｎ〜Ｐで説明する。
【００５８】特に好ましいものは、Ｒa およびＲb がア
リールであり、そしてＲa およびＲ b の一方が二つのｔ
−アルキル基もしくはｔ−フルオロアルキル基で置換さ
れており、そして他方が一つもしくは二つの電子吸引性
基で置換されている物質である。一般的に好ましいもの
は、フェニルＲa 基およびＲb 基である。具体例には、
例Ｑ〜Ｗが含まれる。この態様の適当な電子吸引性基
を、正のハメットシグマ値〔非置換の誘導体（置換基が
Ｈである場合）に対する電気的陰性度の尺度を表わす、
L.P. Hammett, Chem. Revs., vol. 17, P.125 以下参照
（1935) 〕に基づいて選ぶことができる。ハメット置換
基値を、安息香酸に対して定義する。定義によると、安
息香酸の場合で：シグマ＝ｌｏｇＫ−ｌｏｇＫ゜（Ｋは
２５℃、水中での置換安息香酸のイオン化定数であり、
Ｋ゜は安息香酸のイオン化定数）である。Ｈの場合、ｓ
はゼロである。ゼロより大きい置換基は、Ｈよりも電気
的に陰性である。ゼロより小さい置換基は、Ｈよりも電
気的に陰性でない。ハメット置換基値は、オルト置換基
の場合不確定である。単一環の複数置換基の場合、ハメ
ット置換基値を、加算してもしなくても良い。ハメット
シグマ値の例を表Ｉに示す。
リールであり、そしてＲa およびＲ b の一方が二つのｔ
−アルキル基もしくはｔ−フルオロアルキル基で置換さ
れており、そして他方が一つもしくは二つの電子吸引性
基で置換されている物質である。一般的に好ましいもの
は、フェニルＲa 基およびＲb 基である。具体例には、
例Ｑ〜Ｗが含まれる。この態様の適当な電子吸引性基
を、正のハメットシグマ値〔非置換の誘導体（置換基が
Ｈである場合）に対する電気的陰性度の尺度を表わす、
L.P. Hammett, Chem. Revs., vol. 17, P.125 以下参照
（1935) 〕に基づいて選ぶことができる。ハメット置換
基値を、安息香酸に対して定義する。定義によると、安
息香酸の場合で：シグマ＝ｌｏｇＫ−ｌｏｇＫ゜（Ｋは
２５℃、水中での置換安息香酸のイオン化定数であり、
Ｋ゜は安息香酸のイオン化定数）である。Ｈの場合、ｓ
はゼロである。ゼロより大きい置換基は、Ｈよりも電気
的に陰性である。ゼロより小さい置換基は、Ｈよりも電
気的に陰性でない。ハメット置換基値は、オルト置換基
の場合不確定である。単一環の複数置換基の場合、ハメ
ット置換基値を、加算してもしなくても良い。ハメット
シグマ値の例を表Ｉに示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】好ましくないものは、一方の環上に二つの
電子吸引性基を持ち、他方の環上に単一のｔ−アルキル
基を持つ本発明のスルホンアミド類であり、例えば、例
Ｙのスルホンアミド、もしくは例Ｚ、Ｃ、およびＮにあ
るような、各環上に同じ電気的陰性度の単一の置換基を
持つスルホンアミドである。本発明の別の好ましい態様
を、一般構造（７）：
電子吸引性基を持ち、他方の環上に単一のｔ−アルキル
基を持つ本発明のスルホンアミド類であり、例えば、例
Ｙのスルホンアミド、もしくは例Ｚ、Ｃ、およびＮにあ
るような、各環上に同じ電気的陰性度の単一の置換基を
持つスルホンアミドである。本発明の別の好ましい態様
を、一般構造（７）：
【００６１】
【化２８】
【００６２】（但し、Ｒ1 、Ｌ1 、Ｌ2 は、上記したも
のと同じ意味であるが、Ｒa およびＲ b は、両方とも芳
香族環系であり、Ｒa およびＲb の少なくとも一方は、
二つのｔ−ブチル置換基および三番目の置換基を持つフ
ェニル部分である）で表わすことができる。一つの特定
の態様では、Ｒa もしくはＲb は、次の部分：
のと同じ意味であるが、Ｒa およびＲ b は、両方とも芳
香族環系であり、Ｒa およびＲb の少なくとも一方は、
二つのｔ−ブチル置換基および三番目の置換基を持つフ
ェニル部分である）で表わすことができる。一つの特定
の態様では、Ｒa もしくはＲb は、次の部分：
【００６３】
【化２９】
【００６４】（式中、Ｔは炭素数４〜８の第三アルキル
であり、Ｒは電子供与基）である。適当なＲ基には、Ｏ
Ｈ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキ
ル、および炭素数１〜８のアルコキシが含まれる。分枝
を有するＲ基およびその他の比較的大きなＲ基は、一般
的に最も好ましくない。一般的に最も好ましいものは、
Ｒa もしくはＲb が、二つのメタｔ−アルキル基および
一つのパラＯＨ基で置換したフェニルである態様のもの
である。一般的に好ましいｔ−アルキル基は、ｔ−ブチ
ルである。
であり、Ｒは電子供与基）である。適当なＲ基には、Ｏ
Ｈ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキ
ル、および炭素数１〜８のアルコキシが含まれる。分枝
を有するＲ基およびその他の比較的大きなＲ基は、一般
的に最も好ましくない。一般的に最も好ましいものは、
Ｒa もしくはＲb が、二つのメタｔ−アルキル基および
一つのパラＯＨ基で置換したフェニルである態様のもの
である。一般的に好ましいｔ−アルキル基は、ｔ−ブチ
ルである。
【００６５】もう一つの態様では、Ｒa もしくはＲ
b は、次の部分：
b は、次の部分：
【００６６】
【化３０】
【００６７】である。Ｔは炭素数４〜８の第三アルキル
であり、好ましくはｔ−ブチルである。これら両方の態
様では、Ｒa およびＲb のもう一方は非置換であり；も
しくは二つのメタｔ−アルキル基および一つのパラＯＨ
基で置換されており：もしくは一つ以上のその他の置換
基で置換されている。この態様での、適当な置換基は、
電子吸引性もしくは電子供与性となることができる。適
当な置換基の例には、炭素数１〜２０のアルキル、ＮＯ
2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯＨ、炭素数３〜６のシクロア
ルキル、ハロ、炭素数１〜２０のアルコキシ、および炭
素数２〜２０のアルキルカルボニルオキシもしくは炭素
数２〜２０のカルボアルコキシが含まれる。
であり、好ましくはｔ−ブチルである。これら両方の態
様では、Ｒa およびＲb のもう一方は非置換であり；も
しくは二つのメタｔ−アルキル基および一つのパラＯＨ
基で置換されており：もしくは一つ以上のその他の置換
基で置換されている。この態様での、適当な置換基は、
電子吸引性もしくは電子供与性となることができる。適
当な置換基の例には、炭素数１〜２０のアルキル、ＮＯ
2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯＨ、炭素数３〜６のシクロア
ルキル、ハロ、炭素数１〜２０のアルコキシ、および炭
素数２〜２０のアルキルカルボニルオキシもしくは炭素
数２〜２０のカルボアルコキシが含まれる。
【００６８】本発明のこの態様でのスルホンアミドの具
体例を次の例に提供する。例ＡＡでは、Ｌ1 は直接結合
であり、ＲａおよびＲｂはフェニルであり、そしてＲｂ
は、二つのメタｔ−アルキル基および一つのパラＯＨ基
で置換されている。例ＡＢ〜ＡＮでは、Ｌ1 およびＬ2
は両方とも直接結合であり、Ｒa およびＲb はそれぞれ
フェニル環系である。
体例を次の例に提供する。例ＡＡでは、Ｌ1 は直接結合
であり、ＲａおよびＲｂはフェニルであり、そしてＲｂ
は、二つのメタｔ−アルキル基および一つのパラＯＨ基
で置換されている。例ＡＢ〜ＡＮでは、Ｌ1 およびＬ2
は両方とも直接結合であり、Ｒa およびＲb はそれぞれ
フェニル環系である。
【００６９】次の反応図式は、本発明のスルホンアミド
類の製造を説明する。この図式で製造される例示のスル
ホンアミドは、Ｎ−（４−ニトロベンゾイル）−４−ｔ
−ブチルベンゼンスルホンアミド：
類の製造を説明する。この図式で製造される例示のスル
ホンアミドは、Ｎ−（４−ニトロベンゾイル）−４−ｔ
−ブチルベンゼンスルホンアミド：
【００７０】
【化３１】
【００７１】である。この図式は、KempおよびStephen
の、J. Chem. Soc., 1948, 11 に記載される一般的方法
に従う。芳香族スルホンアミドを、１００％正規組成の
過剰のピリジン下で、酸塩化物でアシル化した。次のも
のを除いては、適当な出発物質を換えることにより、同
じ手順で、本発明の他のスルホンアミド類の場合にも続
けることができる。
の、J. Chem. Soc., 1948, 11 に記載される一般的方法
に従う。芳香族スルホンアミドを、１００％正規組成の
過剰のピリジン下で、酸塩化物でアシル化した。次のも
のを除いては、適当な出発物質を換えることにより、同
じ手順で、本発明の他のスルホンアミド類の場合にも続
けることができる。
【００７２】Ｎ−アリールスルホニルアリールカルボキ
シイミドアミド類およびＮ−アリールスルホニルアリー
ルカルボチオアミド類を、次の反応図式により、Ｎ−ア
ロイルアリールスルホンアミド類から製造することがで
きる：
シイミドアミド類およびＮ−アリールスルホニルアリー
ルカルボチオアミド類を、次の反応図式により、Ｎ−ア
ロイルアリールスルホンアミド類から製造することがで
きる：
【００７３】
【化３２】
【００７４】次の反応図式は、Ｎ−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾイル）ベンゼンスルホ
ンアミドおよびその他のジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシ置
換したスルホンアミド類の製造を説明する：
ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾイル）ベンゼンスルホ
ンアミドおよびその他のジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシ置
換したスルホンアミド類の製造を説明する：
【００７５】
【化３３】
【００７６】ヒドロキシル基をアセトキシ等で置き換え
る場合の適当な例では、次の二つの反応図式を用いるこ
とができる：
る場合の適当な例では、次の二つの反応図式を用いるこ
とができる：
【００７７】
【化３４】
【００７８】本明細書の請求項に記載のものと異なる、
その他のスルホンアミド類は、米国特許出願第０８／１
７１，７８４号（発明の名称：BIS AND TRIS N-(CARBON
YL,CARBONIMIDOYL,CRBONOTHIOYL)SULFONAMIDE CHARGE C
ONTROL AGENTS, TONERS ANDDEVELOPERS、1993年12月22
日出願、発明者：John C. WilsonおよびPeter S. Alexa
ndrovich）明細書に記載されている。
その他のスルホンアミド類は、米国特許出願第０８／１
７１，７８４号（発明の名称：BIS AND TRIS N-(CARBON
YL,CARBONIMIDOYL,CRBONOTHIOYL)SULFONAMIDE CHARGE C
ONTROL AGENTS, TONERS ANDDEVELOPERS、1993年12月22
日出願、発明者：John C. WilsonおよびPeter S. Alexa
ndrovich）明細書に記載されている。
【００７９】本発明のトナーは、トナーの特性を改質す
る、好ましくは、改良する有効な量で、本発明の電荷制
御剤を含む。トナーが、相対的に大きな絶体量を有する
負の値に素早く帯電し、そしておおよそ同じレベルの帯
電を維持するように、電荷制御剤がトナーの帯電特性を
改良することが好ましい。一般的に好ましい単位質量当
りの電荷の相対的に大きな値は、２５〜３５マイクロク
ーロン／ｇの範囲である。この範囲の上限を越えると、
低濃度のコピーを生じるので好ましくない。本発明のス
ルホンアミド類は負電荷制御剤であるので、本発明のト
ナーは、相対的に大きな絶体量を持つ負電荷を達成し、
維持する（好ましい）。
る、好ましくは、改良する有効な量で、本発明の電荷制
御剤を含む。トナーが、相対的に大きな絶体量を有する
負の値に素早く帯電し、そしておおよそ同じレベルの帯
電を維持するように、電荷制御剤がトナーの帯電特性を
改良することが好ましい。一般的に好ましい単位質量当
りの電荷の相対的に大きな値は、２５〜３５マイクロク
ーロン／ｇの範囲である。この範囲の上限を越えると、
低濃度のコピーを生じるので好ましくない。本発明のス
ルホンアミド類は負電荷制御剤であるので、本発明のト
ナーは、相対的に大きな絶体量を持つ負電荷を達成し、
維持する（好ましい）。
【００８０】この電荷制御剤がトナー組成物の不均一な
帯電を改良することも又好ましい。即ち、この電荷制御
剤は、個々のトナー粒子の実質的に全てが、与えられた
キャリアに対して同じ符号の摩擦電気の電荷を示すこと
を保証する。また、トナー放出量が最小限になることも
好ましい。「トナー放出量」の用語は、機械攪拌される
場合（例えば、現像装置内で）、現像剤混合物から追い
出されるトナー粉末の量をいう。「放出」は、望ましく
ないバックグランド現像を生じ、汚染の問題を発生させ
る。トナーに用いる電荷制御剤が、そのトナー内で相分
離しないこと（６５０倍率の顕微鏡下のガラススライド
上で溶融したトナーにおいて、相分離を少なくとも目で
見た限りにおいてしない）が、さらに好ましい。そのよ
うな相分離をトナー粉末の凝集化の増加に相関させるこ
とができ、トナーの製造を再現可能にすることができる
ことが、経験的に確立されている。電荷制御剤が無色で
あること（特に、淡色のトナーを使用する場合）もまた
好ましい。本発明の電荷制御剤は、Ｒ1 がＳであるもの
以外は、無色である。電荷制御剤がメタルフリーであ
り、良好な熱安定性を有することも好ましいことであ
る。本発明の好ましい態様での電荷制御剤は、メタルフ
リーであり、良好な熱安定性を有する。本明細書に記載
した好ましい物質は、単一の特性よりもむしろ特性の組
合せに関する評価に基づいている。
帯電を改良することも又好ましい。即ち、この電荷制御
剤は、個々のトナー粒子の実質的に全てが、与えられた
キャリアに対して同じ符号の摩擦電気の電荷を示すこと
を保証する。また、トナー放出量が最小限になることも
好ましい。「トナー放出量」の用語は、機械攪拌される
場合（例えば、現像装置内で）、現像剤混合物から追い
出されるトナー粉末の量をいう。「放出」は、望ましく
ないバックグランド現像を生じ、汚染の問題を発生させ
る。トナーに用いる電荷制御剤が、そのトナー内で相分
離しないこと（６５０倍率の顕微鏡下のガラススライド
上で溶融したトナーにおいて、相分離を少なくとも目で
見た限りにおいてしない）が、さらに好ましい。そのよ
うな相分離をトナー粉末の凝集化の増加に相関させるこ
とができ、トナーの製造を再現可能にすることができる
ことが、経験的に確立されている。電荷制御剤が無色で
あること（特に、淡色のトナーを使用する場合）もまた
好ましい。本発明の電荷制御剤は、Ｒ1 がＳであるもの
以外は、無色である。電荷制御剤がメタルフリーであ
り、良好な熱安定性を有することも好ましいことであ
る。本発明の好ましい態様での電荷制御剤は、メタルフ
リーであり、良好な熱安定性を有する。本明細書に記載
した好ましい物質は、単一の特性よりもむしろ特性の組
合せに関する評価に基づいている。
【００８１】本発明のトナーマトリックス相として用い
る熱可塑性ポリマーの性質を、広範囲に変えることがで
きる。本発明では、典型的に、好ましくは、５０℃〜１
２０℃の範囲のガラス転位温度を持つアモルファストナ
ーポリマー、もしくは６５℃〜２００℃の範囲の溶融温
度を持つ実質的に結晶性ポリマーを含む実質的にアモル
ファスポリマーの配合物を用いる。好ましくは、そのよ
うなポリマーは、不溶性で、非常に高い分子量部分並び
に１０００〜５００，０００の範囲の数平均分子量およ
び２×１０3 〜３×１０6 の範囲の重量平均分子量を持
つ一つ以上の部分を含む分子量分布を有する。好ましく
は、本発明の実施に用いる熱可塑性ポリマーは、実質的
にアモルファスである。しかし、上記したように、必要
ならば、実質的に結晶性ポリマーを含む実質的にアモル
ファスポリマーの混合物のような、ポリマー混合物を用
いることができる。
る熱可塑性ポリマーの性質を、広範囲に変えることがで
きる。本発明では、典型的に、好ましくは、５０℃〜１
２０℃の範囲のガラス転位温度を持つアモルファストナ
ーポリマー、もしくは６５℃〜２００℃の範囲の溶融温
度を持つ実質的に結晶性ポリマーを含む実質的にアモル
ファスポリマーの配合物を用いる。好ましくは、そのよ
うなポリマーは、不溶性で、非常に高い分子量部分並び
に１０００〜５００，０００の範囲の数平均分子量およ
び２×１０3 〜３×１０6 の範囲の重量平均分子量を持
つ一つ以上の部分を含む分子量分布を有する。好ましく
は、本発明の実施に用いる熱可塑性ポリマーは、実質的
にアモルファスである。しかし、上記したように、必要
ならば、実質的に結晶性ポリマーを含む実質的にアモル
ファスポリマーの混合物のような、ポリマー混合物を用
いることができる。
【００８２】本発明のトナーのバインダーとして有用な
ポリマーには、５０℃〜１００℃の範囲のガラス転位温
度を持つスチレン系／アクリル系コポリマーが含まれ
る。本発明の特定の態様では、この樹脂は、懸濁重合も
しくは乳化重合法で製造され、ジビニルベンゼンと架橋
した、スチレンおよびブチルアクリレートのコポリマー
である。この合成には、開始剤、および必要に応じて連
鎖移動剤を用いる。スチレン対ブチルアクリレートの割
合は、９０：１０〜６０：４０の範囲であり、ジビニル
ベンゼンを、３重量％以下、好ましくは０．１〜１．０
重量％のレベルで用いる。
ポリマーには、５０℃〜１００℃の範囲のガラス転位温
度を持つスチレン系／アクリル系コポリマーが含まれ
る。本発明の特定の態様では、この樹脂は、懸濁重合も
しくは乳化重合法で製造され、ジビニルベンゼンと架橋
した、スチレンおよびブチルアクリレートのコポリマー
である。この合成には、開始剤、および必要に応じて連
鎖移動剤を用いる。スチレン対ブチルアクリレートの割
合は、９０：１０〜６０：４０の範囲であり、ジビニル
ベンゼンを、３重量％以下、好ましくは０．１〜１．０
重量％のレベルで用いる。
【００８３】選択的であるが好ましい本発明のトナーの
化合物は、着色剤（顔料もしくは色素）である。適当な
色素および顔料は、例えば、米国特許第４，１６０，６
４４号、米国再発行特許第３１，０７２号、米国特許第
４，４１６，９６５号、同４，４１４，１５２号、およ
び同２，２２９，５１３号各公報に記載されている。白
黒静電写真コピー機およびプリンターに用いるトナーの
特に有用な着色剤は、カーボンブラックである。着色剤
を、一般的に、総トナー粉末重量に基づいて１〜３０重
量％、好ましくは２〜１５重量％の範囲で用いる。
化合物は、着色剤（顔料もしくは色素）である。適当な
色素および顔料は、例えば、米国特許第４，１６０，６
４４号、米国再発行特許第３１，０７２号、米国特許第
４，４１６，９６５号、同４，４１４，１５２号、およ
び同２，２２９，５１３号各公報に記載されている。白
黒静電写真コピー機およびプリンターに用いるトナーの
特に有用な着色剤は、カーボンブラックである。着色剤
を、一般的に、総トナー粉末重量に基づいて１〜３０重
量％、好ましくは２〜１５重量％の範囲で用いる。
【００８４】本発明のトナーは、均染剤、界面活性剤、
安定剤等を含む従来のトナーに用いられているタイプの
その他の添加剤も含有することができる。そのような添
加剤の総量を変えることができる。ここでは、トナー粉
末組成物の総重量に対して、そのような添加剤を１０重
量％以下で用いる。本発明の乾式スチレン系／アクリル
系コポリマートナーは、必要に応じて、米国特許第４，
５１７，２７２号および同４，７５８，４９１号各公報
に記載されるように、少量の低表面エネルギー物質を組
み入れることができる。必要に応じて、このトナーは、
米国特許第５，１９２，６３７号公報に開示される特定
の添加剤のような、その表面に特定の添加剤を含有する
ことができる。
安定剤等を含む従来のトナーに用いられているタイプの
その他の添加剤も含有することができる。そのような添
加剤の総量を変えることができる。ここでは、トナー粉
末組成物の総重量に対して、そのような添加剤を１０重
量％以下で用いる。本発明の乾式スチレン系／アクリル
系コポリマートナーは、必要に応じて、米国特許第４，
５１７，２７２号および同４，７５８，４９１号各公報
に記載されるように、少量の低表面エネルギー物質を組
み入れることができる。必要に応じて、このトナーは、
米国特許第５，１９２，６３７号公報に開示される特定
の添加剤のような、その表面に特定の添加剤を含有する
ことができる。
【００８５】電荷制御剤は、トナーに組込まれる。たと
えば、乾式静電写真用トナーでは、本発明の電荷制御剤
を、米国特許第４，６８４，５９６号および同４，３９
４，４３０号各公報に記載する方法での配合等の便利な
方法で、適当なポリマーバインダー材料およびその他の
望ましい添加剤と混合することができる。そして、この
混合物を所望する粒子サイズにグラインドして、電荷制
御剤を含有するトナー粒子のさらさらした粉末を形成す
る。
えば、乾式静電写真用トナーでは、本発明の電荷制御剤
を、米国特許第４，６８４，５９６号および同４，３９
４，４３０号各公報に記載する方法での配合等の便利な
方法で、適当なポリマーバインダー材料およびその他の
望ましい添加剤と混合することができる。そして、この
混合物を所望する粒子サイズにグラインドして、電荷制
御剤を含有するトナー粒子のさらさらした粉末を形成す
る。
【００８６】予備生成した、粒状ポリマー粒子、電荷制
御剤、着色剤および添加剤の機械配合物を、択一的に、
ロールミルにかけるか、またはポリマーの配合物もしく
はポリマーの混合物を溶融するのに十分な温度で押出す
るかして、均一に配合された組成物を完成する。冷却
後、生じた材料をグラインドして、必要ならば分類し
て、所望するトナー粉末サイズおよびサイズ分布を達成
する。５０℃〜１２０℃の範囲のＴg 、もしくは６５℃
〜２００℃の範囲のＴm を持つポリマーの場合、９０℃
〜２４０℃の範囲の溶融配合温度が、ロールミルもしく
は押出機を用いるのに適している。溶融配合時間、即
ち、高温での溶融配合に曝す時間は、１〜６０分の範囲
である。溶融配合および冷却の後、この組成物をグライ
ンドする前に保存することができる。グラインドを通常
の手順で行うことができる。例えば、固体組成物を粉砕
して、そして、例えば、米国特許第４，０８９，４７２
号公報に記載されるような流体エネルギーミルもしくは
ジェットミルを用いてグラインドすることができる。一
段階もしくは二段階用いて分類を仕上げることができ
る。
御剤、着色剤および添加剤の機械配合物を、択一的に、
ロールミルにかけるか、またはポリマーの配合物もしく
はポリマーの混合物を溶融するのに十分な温度で押出す
るかして、均一に配合された組成物を完成する。冷却
後、生じた材料をグラインドして、必要ならば分類し
て、所望するトナー粉末サイズおよびサイズ分布を達成
する。５０℃〜１２０℃の範囲のＴg 、もしくは６５℃
〜２００℃の範囲のＴm を持つポリマーの場合、９０℃
〜２４０℃の範囲の溶融配合温度が、ロールミルもしく
は押出機を用いるのに適している。溶融配合時間、即
ち、高温での溶融配合に曝す時間は、１〜６０分の範囲
である。溶融配合および冷却の後、この組成物をグライ
ンドする前に保存することができる。グラインドを通常
の手順で行うことができる。例えば、固体組成物を粉砕
して、そして、例えば、米国特許第４，０８９，４７２
号公報に記載されるような流体エネルギーミルもしくは
ジェットミルを用いてグラインドすることができる。一
段階もしくは二段階用いて分類を仕上げることができ
る。
【００８７】溶融配合等に換えて、このポリマーを、電
荷制御剤およびその他の添加剤も溶解もしくは分散して
いる溶剤に溶解することできる。生じた溶液を、噴霧乾
燥して、粒子上のトナー粉末を生成する。米国特許第
４，８３３，０６０号公報に開示される、限定凝集ポリ
マー懸濁方法が、小さなサイズで均一なトナー粒子を生
成するために、特に有用である。
荷制御剤およびその他の添加剤も溶解もしくは分散して
いる溶剤に溶解することできる。生じた溶液を、噴霧乾
燥して、粒子上のトナー粉末を生成する。米国特許第
４，８３３，０６０号公報に開示される、限定凝集ポリ
マー懸濁方法が、小さなサイズで均一なトナー粒子を生
成するために、特に有用である。
【００８８】このトナー粒子は、平均直径０．１μｍ〜
１００μｍ、望ましくは、静電写真方法に一般的に用い
るために４μｍ〜３０μｍを有する。このトナー粒子の
サイズは、本発明の観点からは比較的に不均一であると
思われるが、むしろ、的確なサイズおよびサイズ分布
は、意図する最終使用用途によって左右される。現在知
られている限りでは、このトナー粒子を全て、公知の静
電写真コピー方法に用いることができる。
１００μｍ、望ましくは、静電写真方法に一般的に用い
るために４μｍ〜３０μｍを有する。このトナー粒子の
サイズは、本発明の観点からは比較的に不均一であると
思われるが、むしろ、的確なサイズおよびサイズ分布
は、意図する最終使用用途によって左右される。現在知
られている限りでは、このトナー粒子を全て、公知の静
電写真コピー方法に用いることができる。
【００８９】本発明の現像剤には、キャリアおよび本発
明のトナーを含む。キャリアは、電導性、非電導性、磁
気性もしくは非磁気性となることができる。キャリアは
粒状であり、ガラスビーズ；塩化カリウムアルミニウ
ム、塩化アンモニウム、もしくは硝酸ナトリウム等の無
機塩類の結晶；酸化ジルコニウム、シリコーン、もしく
はシリカの粒体；ポリ（メチルメタクリレート）等の硬
質樹脂の粒子；並びに鉄、鋼、ニッケル、カーボランダ
ム、コバルト、酸化鉄およびそれらの混合物等の元素の
金属もしくは合金又は酸化物となることができる。キャ
リアの例は、米国特許第３，８５０，６６３号および同
３，９７０，５７１号各公報に開示されている。磁気ブ
ラシ現像法で特に有用なものは、多孔質の鉄、酸化表面
を持つ粒子、鋼粒子およびガンマ酸化第二鉄、又はバリ
ウム、ストロンチウム、鉛、マグネシウムもしくはアル
ミニウムのフェライト等のその他の「硬質」および「軟
質」の強磁性体材料である。そのようなキャリアは、米
国特許第４，０４２，５１８号、同４，４７８，９２５
号、および同４，５４６，６０号各公報に開示されてい
る。
明のトナーを含む。キャリアは、電導性、非電導性、磁
気性もしくは非磁気性となることができる。キャリアは
粒状であり、ガラスビーズ；塩化カリウムアルミニウ
ム、塩化アンモニウム、もしくは硝酸ナトリウム等の無
機塩類の結晶；酸化ジルコニウム、シリコーン、もしく
はシリカの粒体；ポリ（メチルメタクリレート）等の硬
質樹脂の粒子；並びに鉄、鋼、ニッケル、カーボランダ
ム、コバルト、酸化鉄およびそれらの混合物等の元素の
金属もしくは合金又は酸化物となることができる。キャ
リアの例は、米国特許第３，８５０，６６３号および同
３，９７０，５７１号各公報に開示されている。磁気ブ
ラシ現像法で特に有用なものは、多孔質の鉄、酸化表面
を持つ粒子、鋼粒子およびガンマ酸化第二鉄、又はバリ
ウム、ストロンチウム、鉛、マグネシウムもしくはアル
ミニウムのフェライト等のその他の「硬質」および「軟
質」の強磁性体材料である。そのようなキャリアは、米
国特許第４，０４２，５１８号、同４，４７８，９２５
号、および同４，５４６，６０号各公報に開示されてい
る。
【００９０】キャリア粒子は被覆されてなくても良く、
また、皮膜形成樹脂の薄層で被覆して、正確な摩擦電気
関係および用いるトナーとの帯電レベルを確立すること
もできる。適当な樹脂の例は、米国特許第３，５４７，
８２２号、同３，６３２，５１２号、同３，７９５，６
１８号、同３，８９８，１７０号およびベルギー国特許
第７９７，１３２号各公報に記載されているポリマーで
ある。その他の有用な樹脂は、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリ（弗化ビニリデン）、これらの混合物および
弗化ビニリデンおよびテトラフルオロエチレンのコポリ
マー等の弗化炭化水素類である。例えば、米国特許第
４，５４５，０６０号、同４，４７８，９２５号、同
４，０７６，８５７号、および同３，９７０，５７１号
各公報を参照されたい。ポリマー弗化炭化水素皮膜は、
現像剤を補助して、キャリア粒子およびトナー粒子の両
方の摩擦電気帯電の程度を調節するために、皮膜されて
いないキャリアコア物質のものとは異なる摩擦電気系列
表の位置に、キャリア粒子をシフトすることにより、上
記の静電気力要件に適合させることができる。また、こ
のポリマー弗化炭化水素皮膜は、現像剤流動性を改良す
るためにキャリア粒子の摩擦係数を減らすことができ；
光電導体もしくはその他の構成要素の破損および摩耗を
減らすためにキャリア粒子の表面硬度を減らすことがで
き；トナー粒子もしくはその他の物質の、望ましくない
キャリア粒子の永久的付着の傾向を減らすことができ；
そしてキャリア粒子の電気絶縁性を変えることができ
る。
また、皮膜形成樹脂の薄層で被覆して、正確な摩擦電気
関係および用いるトナーとの帯電レベルを確立すること
もできる。適当な樹脂の例は、米国特許第３，５４７，
８２２号、同３，６３２，５１２号、同３，７９５，６
１８号、同３，８９８，１７０号およびベルギー国特許
第７９７，１３２号各公報に記載されているポリマーで
ある。その他の有用な樹脂は、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリ（弗化ビニリデン）、これらの混合物および
弗化ビニリデンおよびテトラフルオロエチレンのコポリ
マー等の弗化炭化水素類である。例えば、米国特許第
４，５４５，０６０号、同４，４７８，９２５号、同
４，０７６，８５７号、および同３，９７０，５７１号
各公報を参照されたい。ポリマー弗化炭化水素皮膜は、
現像剤を補助して、キャリア粒子およびトナー粒子の両
方の摩擦電気帯電の程度を調節するために、皮膜されて
いないキャリアコア物質のものとは異なる摩擦電気系列
表の位置に、キャリア粒子をシフトすることにより、上
記の静電気力要件に適合させることができる。また、こ
のポリマー弗化炭化水素皮膜は、現像剤流動性を改良す
るためにキャリア粒子の摩擦係数を減らすことができ；
光電導体もしくはその他の構成要素の破損および摩耗を
減らすためにキャリア粒子の表面硬度を減らすことがで
き；トナー粒子もしくはその他の物質の、望ましくない
キャリア粒子の永久的付着の傾向を減らすことができ；
そしてキャリア粒子の電気絶縁性を変えることができ
る。
【００９１】本発明の好ましい態様では、キャリアを２
％重量／重量基準で、ポリ（メチルメタクリレート）
（ＰＭＭＡ）でストロンチウムフェライト被覆し、もし
くは米国特許第４，７２６，９９４号公報に開示される
デヒドロ弗素化および酸化弗化炭化水素でストロンチウ
ムフェライト皮膜する。この弗化炭化水素を、０．５％
重量／重量基準で塗布する。弗化炭化水素キャリアを、
本明細書で「改質したKynar 」とも呼ぶ。
％重量／重量基準で、ポリ（メチルメタクリレート）
（ＰＭＭＡ）でストロンチウムフェライト被覆し、もし
くは米国特許第４，７２６，９９４号公報に開示される
デヒドロ弗素化および酸化弗化炭化水素でストロンチウ
ムフェライト皮膜する。この弗化炭化水素を、０．５％
重量／重量基準で塗布する。弗化炭化水素キャリアを、
本明細書で「改質したKynar 」とも呼ぶ。
【００９２】特定の態様では、本発明の現像剤は、本発
明のトナーを１〜２０重量％、そしてキャリア粒子を８
０〜９９重量％含有する。通常、キャリア粒子は、トナ
ー粒子よりも大きい。通常のキャリア粒子は、５〜１２
００μｍの粒子サイズを有し、一般的には、２０〜２０
０μｍである。本発明のトナーは、キャリアおよびトナ
ーを有する現像剤に限定されず、単一成分現像剤とし
て、キャリア無しで用いることができる。
明のトナーを１〜２０重量％、そしてキャリア粒子を８
０〜９９重量％含有する。通常、キャリア粒子は、トナ
ー粒子よりも大きい。通常のキャリア粒子は、５〜１２
００μｍの粒子サイズを有し、一般的には、２０〜２０
０μｍである。本発明のトナーは、キャリアおよびトナ
ーを有する現像剤に限定されず、単一成分現像剤とし
て、キャリア無しで用いることができる。
【００９３】本発明のトナーおよび現像剤を、静電パタ
ーンもしくは潜像を現像する種々の方法に用いることが
できる。そのような現像可能な電荷パターンを、多くの
方法で調製することができ、そして適当な要素によって
維持する。この電荷パターンを、例えば、感光性光電導
性要素もしくは絶縁剤コート電導性シート等の不感光性
誘電性面要素に維持される。一つの適当な現像技法で
は、静電パターン全体に現像剤をカスケードする必要が
ある。別の技法では、磁気ブラシからトナー粒子を塗布
する必要がある。この技法は、磁気誘因性キャリアコア
の使用を必要とする。トナー粒子を像様に付着させた
後、この像を、例えば、トナーを加熱して、トナーを保
持する基体に溶融させることによって定着させる。必要
ならば、未溶融画像をコピー用紙のブランクシート（bl
ank sheet ）等の受容体に転写して、溶融して永久画像
を形成することができる。
ーンもしくは潜像を現像する種々の方法に用いることが
できる。そのような現像可能な電荷パターンを、多くの
方法で調製することができ、そして適当な要素によって
維持する。この電荷パターンを、例えば、感光性光電導
性要素もしくは絶縁剤コート電導性シート等の不感光性
誘電性面要素に維持される。一つの適当な現像技法で
は、静電パターン全体に現像剤をカスケードする必要が
ある。別の技法では、磁気ブラシからトナー粒子を塗布
する必要がある。この技法は、磁気誘因性キャリアコア
の使用を必要とする。トナー粒子を像様に付着させた
後、この像を、例えば、トナーを加熱して、トナーを保
持する基体に溶融させることによって定着させる。必要
ならば、未溶融画像をコピー用紙のブランクシート（bl
ank sheet ）等の受容体に転写して、溶融して永久画像
を形成することができる。
【００９４】
【実施例】本発明を以下の例および比較例によりさらに
説明する。特に断らない限り、出発物質は全て市販され
ているものである。例および比較例の融点は、全て補正
されていない。核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルを、Va
rian Gemini-200 ＮＭＲ分光計（Varian Associates ：
Palo Alto, California 製）を用いて、ＣＤＣｌ3もし
くはジメチルスルホキシド−ｄ6 において得た。金属分
析および臭素分析を中性子放射化分析によって行った以
外は、特に断らない限り、元素分析を通常の燃焼方法で
実施した。Perkin-Elmer 7シリーズ熱分析システムを用
いて、空気中で１０℃／分の加熱速度で７５〜４００℃
で、熱重量分析を得た。無色トナーの場合の結果だけ
を、広く、本明細書に報告した。ブラックおよび青トナ
ーの両方を、本明細書に記載する多くのスルホンアミド
電荷制御剤において調製し、結果を全て、無色トナーの
結果と比較した。
説明する。特に断らない限り、出発物質は全て市販され
ているものである。例および比較例の融点は、全て補正
されていない。核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルを、Va
rian Gemini-200 ＮＭＲ分光計（Varian Associates ：
Palo Alto, California 製）を用いて、ＣＤＣｌ3もし
くはジメチルスルホキシド−ｄ6 において得た。金属分
析および臭素分析を中性子放射化分析によって行った以
外は、特に断らない限り、元素分析を通常の燃焼方法で
実施した。Perkin-Elmer 7シリーズ熱分析システムを用
いて、空気中で１０℃／分の加熱速度で７５〜４００℃
で、熱重量分析を得た。無色トナーの場合の結果だけ
を、広く、本明細書に報告した。ブラックおよび青トナ
ーの両方を、本明細書に記載する多くのスルホンアミド
電荷制御剤において調製し、結果を全て、無色トナーの
結果と比較した。
【００９５】例において、「１」が添えられている文字
は、ＰＭＭＡコートキャリアを含む現像剤を表わし、
「２」が添えられている文字は、改質されたＫｙｎａｒ
コートキャリアを含む現像剤を表わす。例および比較例
の文字記号は、構造式の同一の文字記号に対応してい
る。表２〜１９で、「例」及び「比較例」は、それぞれ
例番号もしくは比較例番号である。「ＣＣＡ」は、電荷
制御剤の構造式の記号である。「ｍ．ｐ．」は、融点で
ある。「濃度」は、スチレン／ｎ−ブチルアクリレート
／ジビニルベンゼンバインダー樹脂中の電荷制御剤の濃
度（バインダー樹脂１００部に当りの部数（ｐｐｈ）、
もしくは重量パーセント（ｗｇｔ％）で表わす）であ
る。「Ｐ／Ｓ」は、６５０倍での目で見た相分離であ
る。「２分」および「１０分」は、示した時間での、マ
イクロクーロン／ｇで表わす質量対電荷の比（Ｑ／ｍ）
である。「bich」は、正電荷および負電荷が同時に存在
することを表わす。「T.O.（mg admix）」は、放出量
（ｍｇ）である。
は、ＰＭＭＡコートキャリアを含む現像剤を表わし、
「２」が添えられている文字は、改質されたＫｙｎａｒ
コートキャリアを含む現像剤を表わす。例および比較例
の文字記号は、構造式の同一の文字記号に対応してい
る。表２〜１９で、「例」及び「比較例」は、それぞれ
例番号もしくは比較例番号である。「ＣＣＡ」は、電荷
制御剤の構造式の記号である。「ｍ．ｐ．」は、融点で
ある。「濃度」は、スチレン／ｎ−ブチルアクリレート
／ジビニルベンゼンバインダー樹脂中の電荷制御剤の濃
度（バインダー樹脂１００部に当りの部数（ｐｐｈ）、
もしくは重量パーセント（ｗｇｔ％）で表わす）であ
る。「Ｐ／Ｓ」は、６５０倍での目で見た相分離であ
る。「２分」および「１０分」は、示した時間での、マ
イクロクーロン／ｇで表わす質量対電荷の比（Ｑ／ｍ）
である。「bich」は、正電荷および負電荷が同時に存在
することを表わす。「T.O.（mg admix）」は、放出量
（ｍｇ）である。
【００９６】例Ａ１、Ａ２ 電荷制御剤の調製： 構造式：
【００９７】
【化３５】
【００９８】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。８５．３２（０．４０モル）の４−ｔ−
ブチルベンゼンスルホンアミド、１０１．１２ｇ（０．
４０モル）の塩化３，５−ｔ−ブチルベンゾイルおよび
６３．２８ｇ（０．８０モル）のピリジンを、蒸気浴で
１．５時間加熱して冷却した。この反応混合物を塩化メ
チレン（１リットッル）に溶解し、希釈ＨＣｌで３回、
水で１回洗浄した。この溶液を硫酸マグネシウム上で乾
燥して濃縮した。残留物をエタノール（３リットル）か
ら再結晶させ、集めて、エタノールで洗浄し、乾燥し
て、１１８．２ｇ（理論収率６８．８％）の生成物を得
た。測定すると、この生成物の融点は２３２〜２３４℃
であった。熱重量分析は、２５７℃まで安定な生成物で
あることを示した。
うに調製した。８５．３２（０．４０モル）の４−ｔ−
ブチルベンゼンスルホンアミド、１０１．１２ｇ（０．
４０モル）の塩化３，５−ｔ−ブチルベンゾイルおよび
６３．２８ｇ（０．８０モル）のピリジンを、蒸気浴で
１．５時間加熱して冷却した。この反応混合物を塩化メ
チレン（１リットッル）に溶解し、希釈ＨＣｌで３回、
水で１回洗浄した。この溶液を硫酸マグネシウム上で乾
燥して濃縮した。残留物をエタノール（３リットル）か
ら再結晶させ、集めて、エタノールで洗浄し、乾燥し
て、１１８．２ｇ（理論収率６８．８％）の生成物を得
た。測定すると、この生成物の融点は２３２〜２３４℃
であった。熱重量分析は、２５７℃まで安定な生成物で
あることを示した。
【００９９】上記の手順を繰り返すと、融点２３１〜２
３２℃を持つ生成物を与えた。この生成物の元素分析
は、Ｃ＝６９．９８、Ｈ＝８．１３、Ｎ＝３．２０、Ｓ
＝７．２９であった。これは理論値：Ｃ＝６９．８９、
Ｈ＝８．２１、Ｎ＝３．２６、Ｓ＝７．４６に対応す
る。ジューテロ化したクロロホルムで核磁気共鳴（ＮＭ
Ｒ）を実施すると、この生成物の上記構造式を支持し
た。
３２℃を持つ生成物を与えた。この生成物の元素分析
は、Ｃ＝６９．９８、Ｈ＝８．１３、Ｎ＝３．２０、Ｓ
＝７．２９であった。これは理論値：Ｃ＝６９．８９、
Ｈ＝８．２１、Ｎ＝３．２６、Ｓ＝７．４６に対応す
る。ジューテロ化したクロロホルムで核磁気共鳴（ＮＭ
Ｒ）を実施すると、この生成物の上記構造式を支持し
た。
【０１００】無色トナーの調製 ５０．０ｇのポリ（スチレン−コ−ブチルアクリレート
−コ−ジビニルベンゼン）および０．５ｇのスルホンア
ミド電荷制御剤Ａ（構造式Ａ）の乾燥配合物を、加熱し
た二本ロール配合ミルに加えた。ローラー面を１５０℃
にした。溶融をミルで２０分間行い、取り出して冷却し
た。得られたスラブを、まず実験室用ミルで２ｍｍサイ
ズに粗くグラインドして、最終的に、Trost TXジェット
ミルで、おおよそ１２μｍサイズに微粉状にした。この
ように調製したトナーは、スチレン／ｎ−ブチルアクリ
レート／ジビニルベンゼンバインダー樹脂の１ｐｐｈの
電荷制御剤の濃度を有していた。電荷制御剤の濃度を変
えてこの手順を繰返すと、同じ基準で、２および４ｐｐ
ｈの濃度を与えた。
−コ−ジビニルベンゼン）および０．５ｇのスルホンア
ミド電荷制御剤Ａ（構造式Ａ）の乾燥配合物を、加熱し
た二本ロール配合ミルに加えた。ローラー面を１５０℃
にした。溶融をミルで２０分間行い、取り出して冷却し
た。得られたスラブを、まず実験室用ミルで２ｍｍサイ
ズに粗くグラインドして、最終的に、Trost TXジェット
ミルで、おおよそ１２μｍサイズに微粉状にした。この
ように調製したトナーは、スチレン／ｎ−ブチルアクリ
レート／ジビニルベンゼンバインダー樹脂の１ｐｐｈの
電荷制御剤の濃度を有していた。電荷制御剤の濃度を変
えてこの手順を繰返すと、同じ基準で、２および４ｐｐ
ｈの濃度を与えた。
【０１０１】ブラックトナーの調製 ３．０ｇの Regal 300（商標）カーボンブラック（Cabo
t Corp.,製）を配合ミルに入れた乾燥配合物に加え、生
成したスラブを最終的に微粉状にする前に、最初２ｍｍ
サイズに粗くグラインドしたこと以外は、同じ手順を、
電荷制御剤Ａを１、２、および４ｐｐｈ有する無色トナ
ーの調製に関して続けた。
t Corp.,製）を配合ミルに入れた乾燥配合物に加え、生
成したスラブを最終的に微粉状にする前に、最初２ｍｍ
サイズに粗くグラインドしたこと以外は、同じ手順を、
電荷制御剤Ａを１、２、および４ｐｐｈ有する無色トナ
ーの調製に関して続けた。
【０１０２】青トナーの調製 ５部もしくは銅フタロシアニン青顔料（BASF Corp.,
製）を配合ミルに入れた乾燥配合物に加え、生成したス
ラブを最終的に微粉状にする前に、最初２ｍｍサイズに
粗くグラインドしたこと以外は、同じ手順を、電荷制御
剤Ａを１、２、および４ｐｐｈ有する無色トナーの調製
に関して続けた。
製）を配合ミルに入れた乾燥配合物に加え、生成したス
ラブを最終的に微粉状にする前に、最初２ｍｍサイズに
粗くグラインドしたこと以外は、同じ手順を、電荷制御
剤Ａを１、２、および４ｐｐｈ有する無色トナーの調製
に関して続けた。
【０１０３】現像剤−ＰＭＭＡコートキャリアの調製 上記のトナー粒子を１２重量％濃度で、ポリ（メチルメ
タクリレート）で薄く被覆（約２重量％）したストロン
チウムフェライトコアを含んでなるキャリア粒子と混合
することによって、上記各トナーの現像剤を調製した。
キャリア粒子の体積平均粒子サイズは、約２５〜３５μ
ｍであった。
タクリレート）で薄く被覆（約２重量％）したストロン
チウムフェライトコアを含んでなるキャリア粒子と混合
することによって、上記各トナーの現像剤を調製した。
キャリア粒子の体積平均粒子サイズは、約２５〜３５μ
ｍであった。
【０１０４】現像剤−改質Ｋｙｎａｒコートキャリアの
調製 上記のトナー粒子を１２重量％濃度で、米国特許第４，
７２６，９９４号公報に記載するデヒドロ弗化および酸
化した弗化炭化水素で薄く被覆（約０．５重量％）した
ストロンチウムフェライトコアを含んでなるキャリア粒
子と混合することによって、上記各トナーの現像剤を調
製した。キャリア粒子の体積平均粒子サイズは、約２５
〜３５μｍであった。
調製 上記のトナー粒子を１２重量％濃度で、米国特許第４，
７２６，９９４号公報に記載するデヒドロ弗化および酸
化した弗化炭化水素で薄く被覆（約０．５重量％）した
ストロンチウムフェライトコアを含んでなるキャリア粒
子と混合することによって、上記各トナーの現像剤を調
製した。キャリア粒子の体積平均粒子サイズは、約２５
〜３５μｍであった。
【０１０５】相分離の評価 無色トナーを１８０℃で顕微鏡スライドに塗布溶融し
て、６５０倍率で相分離の形跡を顕微鏡で検査した。
て、６５０倍率で相分離の形跡を顕微鏡で検査した。
【０１０６】トナー帯電の評価 「MECCA 」装置中で、トナー帯電をトナー１ｇ当りのマ
イクロクーロンの単位（ｍｃ／ｇ）で測定した。測定前
にこのトナーを帯電させ、４ｇの現像剤サンプルをプラ
スチックバイアルに入れ、バイアルのキャップをして、
約２ヘルツおよび２分間で約１１ｃｍの全体振幅で操作
する「リストアクション（wrist-action）」ロボットシ
ェーカーでこのバイアルを振り動かすことによって、現
像剤を激しく振とうもしくは「動かして」摩擦電気を起
こさせた。振とう後、帯電した現像剤のサンプル１００
ｍｇをMECCA 装置に置き、MECCA 装置に移動したトナー
の電荷および質量を測定することにより、各サンプルを
測定した。これには、電極プレート間に設置したサンプ
ル皿に帯電した現像剤サンプル１００ｍｇを置き、そし
て、それを同時に３０秒間、６０Ｈｚ磁界およびプレー
ト間で約２０００ボルト／ｃｍの電界に供することを要
する。トナーがキャリアから放出され、トナー電荷と反
対極性を持つプレートに引き寄せられ集められる。プレ
ートに接続した電位計で、総トナー電荷を測定し、その
値をプレート上のトナーの重量で割って、トナーの単位
質量当りの電荷（Ｑ／ｍ）を得る。また、２０００回転
／分で回転する回転マグネチックコアを備えた円筒状ロ
ールの頂部のガラス瓶に磁化した現像剤を置くことによ
り、さらに１０分間現像剤を動かした後、トナー電荷レ
ベル（即ち、電荷対質量比）を測定した。マグネチック
コアは、交互にＮおよびＳ型で、その周囲に配置された
１２の磁極を有していた。これは、静電写真プロセスで
の現像剤の典型的な現実の使用に厳密に近似している。
この追加の１０分間の運動の後、トナー電荷を、MECCA
装置で測定した。この値を２分及び１０分（Ｑ／ｍ）と
して表II〜III に報告する。
イクロクーロンの単位（ｍｃ／ｇ）で測定した。測定前
にこのトナーを帯電させ、４ｇの現像剤サンプルをプラ
スチックバイアルに入れ、バイアルのキャップをして、
約２ヘルツおよび２分間で約１１ｃｍの全体振幅で操作
する「リストアクション（wrist-action）」ロボットシ
ェーカーでこのバイアルを振り動かすことによって、現
像剤を激しく振とうもしくは「動かして」摩擦電気を起
こさせた。振とう後、帯電した現像剤のサンプル１００
ｍｇをMECCA 装置に置き、MECCA 装置に移動したトナー
の電荷および質量を測定することにより、各サンプルを
測定した。これには、電極プレート間に設置したサンプ
ル皿に帯電した現像剤サンプル１００ｍｇを置き、そし
て、それを同時に３０秒間、６０Ｈｚ磁界およびプレー
ト間で約２０００ボルト／ｃｍの電界に供することを要
する。トナーがキャリアから放出され、トナー電荷と反
対極性を持つプレートに引き寄せられ集められる。プレ
ートに接続した電位計で、総トナー電荷を測定し、その
値をプレート上のトナーの重量で割って、トナーの単位
質量当りの電荷（Ｑ／ｍ）を得る。また、２０００回転
／分で回転する回転マグネチックコアを備えた円筒状ロ
ールの頂部のガラス瓶に磁化した現像剤を置くことによ
り、さらに１０分間現像剤を動かした後、トナー電荷レ
ベル（即ち、電荷対質量比）を測定した。マグネチック
コアは、交互にＮおよびＳ型で、その周囲に配置された
１２の磁極を有していた。これは、静電写真プロセスで
の現像剤の典型的な現実の使用に厳密に近似している。
この追加の１０分間の運動の後、トナー電荷を、MECCA
装置で測定した。この値を２分及び１０分（Ｑ／ｍ）と
して表II〜III に報告する。
【０１０７】放出の評価 放出値（Ｔ．Ｏ）を、１０分間動かした（２分間動かし
た後）１２％トナー濃度の４ｇ現像剤サンプルを採り、
さらに６％トナーを混ぜて最終トナー濃度約１８％を与
え、次に、さらに２分間リストアクションシェーカーで
振り動かすことにより、測定した。その後、この現像剤
を、静電現像で使用する磁気ブラシロールに似せた、回
転マグネチックコアを有するロールに置いた。プレクシ
グラス（商品名）ハウジングは、前記集成体を含んでお
り、ロール上に直接取り付けた真空フィルターじょうご
を有していた。２０００回転／分で１分間、マグネチッ
クコアを運転した後、一枚のフィルター紙上に集められ
たトナー量（ｍｇ）を、放出値として報告する。結果を
表II〜III に報告する。
た後）１２％トナー濃度の４ｇ現像剤サンプルを採り、
さらに６％トナーを混ぜて最終トナー濃度約１８％を与
え、次に、さらに２分間リストアクションシェーカーで
振り動かすことにより、測定した。その後、この現像剤
を、静電現像で使用する磁気ブラシロールに似せた、回
転マグネチックコアを有するロールに置いた。プレクシ
グラス（商品名）ハウジングは、前記集成体を含んでお
り、ロール上に直接取り付けた真空フィルターじょうご
を有していた。２０００回転／分で１分間、マグネチッ
クコアを運転した後、一枚のフィルター紙上に集められ
たトナー量（ｍｇ）を、放出値として報告する。結果を
表II〜III に報告する。
【０１０８】例Ｂ１、Ｂ２〜Ｚ１、Ｚ２ 次のこと以外は、実質的に例Ａ１〜Ａ２に記載したのと
同じ手順を続けた。例Ｆ１〜Ｆ２、Ｇ１〜Ｇ２、Ｎ１〜
Ｎ２、Ｑ１〜Ｑ２、Ｔ１〜Ｔ２、そしてＷ１〜Ｗ２で
は、テトラヒドロフランを、反応混合物に加えた。例Ｖ
１〜Ｖ２では、構造式（Ｖ）を持つ電荷制御剤を、構造
式（Ｅ）を持つ電荷制御剤を過マンガン酸酸化すること
により調製した。例Ｘ１〜Ｘ２では、構造式（Ｘ）を持
つ電荷制御剤を、構造式Ｑを持つ電荷制御剤を触媒還元
する（高圧水素添加）ことにより調製した。
同じ手順を続けた。例Ｆ１〜Ｆ２、Ｇ１〜Ｇ２、Ｎ１〜
Ｎ２、Ｑ１〜Ｑ２、Ｔ１〜Ｔ２、そしてＷ１〜Ｗ２で
は、テトラヒドロフランを、反応混合物に加えた。例Ｖ
１〜Ｖ２では、構造式（Ｖ）を持つ電荷制御剤を、構造
式（Ｅ）を持つ電荷制御剤を過マンガン酸酸化すること
により調製した。例Ｘ１〜Ｘ２では、構造式（Ｘ）を持
つ電荷制御剤を、構造式Ｑを持つ電荷制御剤を触媒還元
する（高圧水素添加）ことにより調製した。
【０１０９】無色トナーのみ製造した。結果を表II〜II
I に報告する。これらの例で用いたスルホンアミド電荷
制御剤を次の構造式で表わす：
I に報告する。これらの例で用いたスルホンアミド電荷
制御剤を次の構造式で表わす：
【０１１０】
【化３６】
【０１１１】
【化３７】
【０１１２】
【化３８】
【０１１３】
【化３９】
【０１１４】
【化４０】
【０１１５】例Ｚ．Ａ１、Ｚ．Ａ２ 構造式：
【０１１６】
【化４１】
【０１１７】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した：４−ｔ−オクチルトルエンの調製 Journal of the American Chemical Society, Vol. 75,
(1935), 6326 ページに記載されるように４−ｔ−オク
チルトルエンを調製した。４−ｔ−オクチル安息香酸の調製 ６１．３１ｇ（０．３０モル）の４−ｔ−オクチルトル
エン、１６１．５ｇのピリジン、および８０．８ｇの３
２％ＫＯＨを、蒸気浴上で加熱した。この混合物に、３
０分毎に１０ｇづつ、１１７．２２ｇ（０．７４モル）
のＫＭｎＯ4を添加した。この反応混合物を一晩加熱し
て、エタノール１０ｍｌを加えた。３０分後、この混合
物を高温で濾過して、固形分を水洗した。濾過および水
洗の組合せをさらに１０分間蒸気浴上で加熱して、再度
濾過して水洗した。二層からなる黄色の濾液を、濃ＨＣ
ｌを用いて酸性にした。冷却すると、上層が結晶化し
た。この固形分を集めて、水洗して乾燥した。この固形
分をリグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、エー
テルに溶解し、水洗し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して濃縮し
た。残留物をヘプタンから再結晶させた。収量は１４．
３ｇ（収率２０．３４％）であった。融点は１５３〜１
５５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝７６．７２、
Ｈ＝９．３９であった。これはＣ15Ｈ22Ｏ2 の理論値：
Ｃ＝７６．８８、Ｈ＝９．４６に対応する。期待した生
成物の構造に一致する、ＣＤＣｌ3 での核磁気共鳴（Ｎ
ＭＲ）スペクトルが得られた。
うに調製した：４−ｔ−オクチルトルエンの調製 Journal of the American Chemical Society, Vol. 75,
(1935), 6326 ページに記載されるように４−ｔ−オク
チルトルエンを調製した。４−ｔ−オクチル安息香酸の調製 ６１．３１ｇ（０．３０モル）の４−ｔ−オクチルトル
エン、１６１．５ｇのピリジン、および８０．８ｇの３
２％ＫＯＨを、蒸気浴上で加熱した。この混合物に、３
０分毎に１０ｇづつ、１１７．２２ｇ（０．７４モル）
のＫＭｎＯ4を添加した。この反応混合物を一晩加熱し
て、エタノール１０ｍｌを加えた。３０分後、この混合
物を高温で濾過して、固形分を水洗した。濾過および水
洗の組合せをさらに１０分間蒸気浴上で加熱して、再度
濾過して水洗した。二層からなる黄色の濾液を、濃ＨＣ
ｌを用いて酸性にした。冷却すると、上層が結晶化し
た。この固形分を集めて、水洗して乾燥した。この固形
分をリグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、エー
テルに溶解し、水洗し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して濃縮し
た。残留物をヘプタンから再結晶させた。収量は１４．
３ｇ（収率２０．３４％）であった。融点は１５３〜１
５５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝７６．７２、
Ｈ＝９．３９であった。これはＣ15Ｈ22Ｏ2 の理論値：
Ｃ＝７６．８８、Ｈ＝９．４６に対応する。期待した生
成物の構造に一致する、ＣＤＣｌ3 での核磁気共鳴（Ｎ
ＭＲ）スペクトルが得られた。
【０１１８】Ｎ−（４−ｔ−オクチルベンゾイル）ベン
ゼン−スルホンアミドの調製 ２５．２８ｇ（０．１０モル）の塩化４−ｔ−オクチル
ベンゾイル（４−ｔ−オクチル安息香酸および塩化オキ
サロイルから調製）、１５．７２ｇ（０．１０モル）の
ベンゼンスルホンアミドおよび１５．８２ｇ（０．２０
モル）のピリジンを、蒸気浴上で１．７５時間加熱し、
冷却した。反応混合物を塩化メチレンに溶解し、希釈Ｈ
Ｃｌ、それから水、そして最後に塩化ナトリウム水溶液
で二回洗浄した。この溶液を、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して
濃縮した。固形分を熱いリグロイン（ｂｐ＝３５〜６０
℃）で処理し、集めて乾燥した。この固形分を、１：１
のヘプタン：トルエンから再結晶させた。収量は２６．
４３ｇ（収率７０．８％）であった。融点は１４６〜１
５１．５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝６７．３
６、Ｈ＝７．１６、Ｎ＝３．７５、Ｓ＝８．６９であっ
た。これはＣ21Ｈ 27ＮＯ3 Ｓの理論値：Ｃ＝６７．５
３、Ｈ＝７．２９、Ｎ＝３．７５、Ｓ＝８．５８に対応
する。期待した生成物の構造に一致する核磁気共鳴（Ｎ
ＭＲ）スペクトルが得られた。
ゼン−スルホンアミドの調製 ２５．２８ｇ（０．１０モル）の塩化４−ｔ−オクチル
ベンゾイル（４−ｔ−オクチル安息香酸および塩化オキ
サロイルから調製）、１５．７２ｇ（０．１０モル）の
ベンゼンスルホンアミドおよび１５．８２ｇ（０．２０
モル）のピリジンを、蒸気浴上で１．７５時間加熱し、
冷却した。反応混合物を塩化メチレンに溶解し、希釈Ｈ
Ｃｌ、それから水、そして最後に塩化ナトリウム水溶液
で二回洗浄した。この溶液を、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して
濃縮した。固形分を熱いリグロイン（ｂｐ＝３５〜６０
℃）で処理し、集めて乾燥した。この固形分を、１：１
のヘプタン：トルエンから再結晶させた。収量は２６．
４３ｇ（収率７０．８％）であった。融点は１４６〜１
５１．５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝６７．３
６、Ｈ＝７．１６、Ｎ＝３．７５、Ｓ＝８．６９であっ
た。これはＣ21Ｈ 27ＮＯ3 Ｓの理論値：Ｃ＝６７．５
３、Ｈ＝７．２９、Ｎ＝３．７５、Ｓ＝８．５８に対応
する。期待した生成物の構造に一致する核磁気共鳴（Ｎ
ＭＲ）スペクトルが得られた。
【０１１９】例Ｚ．Ｂ１、Ｚ．Ｂ２〜Ｚ．Ｅ１、Ｚ．Ｅ
２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例Ｚ．Ａに記載したのと同じ手順を続
けた。トナーおよび現像剤を、例Ａ１、Ａ２のように調
製した。結果を表II〜III に報告する。これらの例で用
いたスルホンアミド類を次の構造式の記号で表わす：
２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例Ｚ．Ａに記載したのと同じ手順を続
けた。トナーおよび現像剤を、例Ａ１、Ａ２のように調
製した。結果を表II〜III に報告する。これらの例で用
いたスルホンアミド類を次の構造式の記号で表わす：
【０１２０】
【化４２】
【０１２１】
【化４３】
【０１２２】
【表２】
【０１２３】
【表３】
【０１２４】
【表４】
【０１２５】
【表５】
【０１２６】
【表６】
【０１２７】
【表７】
【０１２８】
【表８】
【０１２９】
【表９】
【０１３０】
【表１０】
【０１３１】
【表１１】
【０１３２】例ＡＡ１、ＡＡ２ 構造式：
【０１３３】
【化４４】
【０１３４】を持つスルホンアミド電荷制御剤を、次の
ように調製した：３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオン酸を、米国特許第４，
２０５，１７６号公報に記載する方法で、２，６−ジ−
ｔ−ブチルフェノールおよびアクリロニトリルから、次
の反応図式に従って調製した：
ように調製した：３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオン酸を、米国特許第４，
２０５，１７６号公報に記載する方法で、２，６−ジ−
ｔ−ブチルフェノールおよびアクリロニトリルから、次
の反応図式に従って調製した：
【０１３５】
【化４５】
【０１３６】３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオニルクロライドを、３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオン酸および塩化オキサリルから、次の反応図式
に従って調製した：
ロキシフェニル）プロピオニルクロライドを、３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオン酸および塩化オキサリルから、次の反応図式
に従って調製した：
【０１３７】
【化４６】
【０１３８】４−クロロベンゼドスルホンアミド（９．
５８ｇ、０．０５モル）、３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルクロライド
（１４．８４ｇ、０．０５モル）、及びトルエン（１０
０ｍｌ）の混合物を調製し、還流で加熱した。完全溶液
を得て、酸性蒸気を放散した。還流を約２２．５時間継
続した。冷却後、この溶液をロータリーエバポレーター
で濃縮して、オイル状の残留物を得た。この残留物をリ
グロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で混合して、結晶性沈
澱物を得た。この結晶物質を集めて、１００ｍｌの１：
１のヘプタン：トルエンから再結晶させた。生じた固形
分を、１：１のヘプタン：トルエンですすいで集め、リ
グロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄して、乾燥し
た。収量は１７．９ｇ（収率７９．２％）であった。融
点は１６６．５〜１７１℃であった。元素分析実測値
は、Ｃ＝６０．６３、Ｈ＝６．５９、Ｎ＝３．００、Ｃ
ｌ＝８．１９、Ｓ＝７．０８であった。これはＣ23Ｈ30
ＣｌＮＯ4 Ｓの理論値：Ｃ＝６１．１２、Ｈ＝６．６
９、Ｎ＝３．１０、Ｃｌ＝７．８４、Ｓ＝７．０９に対
応する。期待した生成物の構造に一致する核磁気共鳴
（ＮＭＲ）スペクトルが得られた。
５８ｇ、０．０５モル）、３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルクロライド
（１４．８４ｇ、０．０５モル）、及びトルエン（１０
０ｍｌ）の混合物を調製し、還流で加熱した。完全溶液
を得て、酸性蒸気を放散した。還流を約２２．５時間継
続した。冷却後、この溶液をロータリーエバポレーター
で濃縮して、オイル状の残留物を得た。この残留物をリ
グロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で混合して、結晶性沈
澱物を得た。この結晶物質を集めて、１００ｍｌの１：
１のヘプタン：トルエンから再結晶させた。生じた固形
分を、１：１のヘプタン：トルエンですすいで集め、リ
グロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄して、乾燥し
た。収量は１７．９ｇ（収率７９．２％）であった。融
点は１６６．５〜１７１℃であった。元素分析実測値
は、Ｃ＝６０．６３、Ｈ＝６．５９、Ｎ＝３．００、Ｃ
ｌ＝８．１９、Ｓ＝７．０８であった。これはＣ23Ｈ30
ＣｌＮＯ4 Ｓの理論値：Ｃ＝６１．１２、Ｈ＝６．６
９、Ｎ＝３．１０、Ｃｌ＝７．８４、Ｓ＝７．０９に対
応する。期待した生成物の構造に一致する核磁気共鳴
（ＮＭＲ）スペクトルが得られた。
【０１３９】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜
V に表わす。例ＡＢ１、ＡＢ２ 構造式：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜
V に表わす。例ＡＢ１、ＡＢ２ 構造式：
【０１４０】
【化４７】
【０１４１】を持つスルホンアミド電荷制御剤を、次の
反応図式に従って調製した：
反応図式に従って調製した：
【０１４２】
【化４８】
【０１４３】４−クロロベンゼドスルホンアミド（９．
５８ｇ、０．０５０モル）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシ−ベンゾイルクロライド（１３．４４
ｇ、０．０５０モル）、及びトルエン（１００ｍｌ）の
混合物を調製し、還流で加熱した。完全溶液を得て、酸
性蒸気を放散した。還流を約１８．５時間継続した。こ
の間に固形分が沈澱した。この期間の終りには、酸蒸気
の発生が停止していた。冷却後、白色固形分を集めて、
リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄して、乾燥し
た。この物質を、アセトニトリル（５５０ｍｌ）から再
結晶させて、集めて乾燥した。収量は１６．８ｇ（収率
７９．２５％）であった。融点は２６０〜２６１．５℃
であった。元素分析実測値は、Ｃ＝５９．０５、Ｈ＝
６．０８、Ｎ＝３．４９、Ｃｌ＝８．９８、Ｓ＝７．４
０であった。これはＣ21Ｈ26ＣｌＮＯ 4 Ｓの理論値：Ｃ
＝５９．４９、Ｈ＝６．１８、Ｎ＝３．３０、Ｃｌ＝
８．３６、Ｓ＝７．５６に対応する。期待した生成物の
構造に一致する核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルが得ら
れた。
５８ｇ、０．０５０モル）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシ−ベンゾイルクロライド（１３．４４
ｇ、０．０５０モル）、及びトルエン（１００ｍｌ）の
混合物を調製し、還流で加熱した。完全溶液を得て、酸
性蒸気を放散した。還流を約１８．５時間継続した。こ
の間に固形分が沈澱した。この期間の終りには、酸蒸気
の発生が停止していた。冷却後、白色固形分を集めて、
リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄して、乾燥し
た。この物質を、アセトニトリル（５５０ｍｌ）から再
結晶させて、集めて乾燥した。収量は１６．８ｇ（収率
７９．２５％）であった。融点は２６０〜２６１．５℃
であった。元素分析実測値は、Ｃ＝５９．０５、Ｈ＝
６．０８、Ｎ＝３．４９、Ｃｌ＝８．９８、Ｓ＝７．４
０であった。これはＣ21Ｈ26ＣｌＮＯ 4 Ｓの理論値：Ｃ
＝５９．４９、Ｈ＝６．１８、Ｎ＝３．３０、Ｃｌ＝
８．３６、Ｓ＝７．５６に対応する。期待した生成物の
構造に一致する核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルが得ら
れた。
【０１４４】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜V に表
わす。例ＡＣ１、ＡＣ２〜ＡＯ．Ｂ１〜ＡＯ．Ｂ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＡＢに記載したのと同じ手順を続
け、溶剤としてキシレンで、例ＡＥを調製し、そしてテ
トラヒドロフラン中でピリジンおよび４−ジメチルアミ
ノピリジンを用いて例ＡＮを調製した。結果を表IV〜V
に報告する。これらの例で用いたスルホンアミド類を次
の構造式の記号で表わす：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜V に表
わす。例ＡＣ１、ＡＣ２〜ＡＯ．Ｂ１〜ＡＯ．Ｂ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＡＢに記載したのと同じ手順を続
け、溶剤としてキシレンで、例ＡＥを調製し、そしてテ
トラヒドロフラン中でピリジンおよび４−ジメチルアミ
ノピリジンを用いて例ＡＮを調製した。結果を表IV〜V
に報告する。これらの例で用いたスルホンアミド類を次
の構造式の記号で表わす：
【０１４５】
【化４９】
【０１４６】
【化５０】
【０１４７】
【化５１】
【０１４８】
【化５２】
【０１４９】例ＡＯ．Ｃ１〜ＡＯ．Ｃ２ 構造式：
【０１５０】
【化５３】
【０１５１】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次の反
応図式に従って以下のように調製した。
応図式に従って以下のように調製した。
【０１５２】
【化５４】
【０１５３】３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ニトロベン
ゾイルクロライドを、３，５−ジ−ｔ−ブチル安息香酸
４６．８６ｇ（０．２０モル）を９０％硝酸（１５０ｍ
ｌ、ｄ＝１．５）でニトロ化して、３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−２−ニトロ安息香酸（５４．６ｇ）得て、次にジ
メチルホルムアミド（１ｍｌ）を含む塩化チオニル（２
５０ｍｌ）で処理して調製した。
ゾイルクロライドを、３，５−ジ−ｔ−ブチル安息香酸
４６．８６ｇ（０．２０モル）を９０％硝酸（１５０ｍ
ｌ、ｄ＝１．５）でニトロ化して、３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−２−ニトロ安息香酸（５４．６ｇ）得て、次にジ
メチルホルムアミド（１ｍｌ）を含む塩化チオニル（２
５０ｍｌ）で処理して調製した。
【０１５４】３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ニトロ−ベ
ンゾイルクロライド（２９．７８ｇ、０．１０モル）、
４−クロロベンゼドスルホンアミド（１９．１６ｇ、
０．１０モル）、およびピリジン（１５．８２ｇ、０．
２０モル）の混合物を調製し、攪拌しながら蒸気浴上で
加熱した。５分後、５０ｍｌのテトラヒドロフランを加
えた。さらに５０ｍｌのテトラヒドロフランを１０分後
に加えた。約１．５時間後、この反応混合物を冷却し
て、希釈ＨＣｌに注いだ。晶出したオイル状の沈澱物を
集めて、２回水洗した。この生成物をイソプロパノール
から再結晶させて、集めて乾燥した。収量は３１．５５
ｇ（収率６９．７％）であった。融点は２４３〜２４８
℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝５５．３９、Ｈ＝
５．６２、Ｎ＝６．２５、Ｃｌ＝７．９０、Ｓ＝７．５
２であった。これはＣ21Ｈ25ＣｌＮ2Ｏ5 Ｓの理論値：
Ｃ＝５５．６９、Ｈ＝５．５６、Ｎ＝６．１８、Ｃｌ＝
７．８３、Ｓ＝７．０８に対応する。期待した生成物の
構造に一致する核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルが得ら
れた。
ンゾイルクロライド（２９．７８ｇ、０．１０モル）、
４−クロロベンゼドスルホンアミド（１９．１６ｇ、
０．１０モル）、およびピリジン（１５．８２ｇ、０．
２０モル）の混合物を調製し、攪拌しながら蒸気浴上で
加熱した。５分後、５０ｍｌのテトラヒドロフランを加
えた。さらに５０ｍｌのテトラヒドロフランを１０分後
に加えた。約１．５時間後、この反応混合物を冷却し
て、希釈ＨＣｌに注いだ。晶出したオイル状の沈澱物を
集めて、２回水洗した。この生成物をイソプロパノール
から再結晶させて、集めて乾燥した。収量は３１．５５
ｇ（収率６９．７％）であった。融点は２４３〜２４８
℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝５５．３９、Ｈ＝
５．６２、Ｎ＝６．２５、Ｃｌ＝７．９０、Ｓ＝７．５
２であった。これはＣ21Ｈ25ＣｌＮ2Ｏ5 Ｓの理論値：
Ｃ＝５５．６９、Ｈ＝５．５６、Ｎ＝６．１８、Ｃｌ＝
７．８３、Ｓ＝７．０８に対応する。期待した生成物の
構造に一致する核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルが得ら
れた。
【０１５５】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜
Vに表わす。
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表IV〜
Vに表わす。
【０１５６】
【表１２】
【０１５７】
【表１３】
【０１５８】
【表１４】
【０１５９】
【表１５】
【０１６０】
【表１６】
【０１６１】
【表１７】
【０１６２】例ＡＰ１、ＡＰ２ 構造式：
【０１６３】
【化５５】
【０１６４】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。例Ｔ１〜Ｔ２のスルホンアミド（４０．
８０ｇ、０．１０モル）を、４．２ｇ（０．１０５モ
ル）のＮａＯＨおよび水１リットルと混合した。この反
応混合物を攪拌しながら、加熱して沸騰させ、２０分間
還流して冷却した。沈澱物を集めて、水洗して乾燥し
た。この固形分を４００ｍｌのメタノールを用いて抽出
し、不溶性物質を濾過して除いた。濾液を濃縮して、乾
燥し、その後、メチルエチルケトンから再結晶させた
（スーパーセルで高温濾過）。収量は１４．１ｇ（収率
３２．８％）であった。融点は３４５〜３４７℃であっ
た。元素分析実測値は、Ｃ＝５８．４４、Ｈ＝５．７
８、Ｎ＝３．３７、Ｃｌ＝８．５２、Ｓ＝６．２２、Ｎ
ａ＝５．１２であった。これはＣ21Ｈ25ＣｌＮＮａＯ3
Ｓの理論値：Ｃ＝５８．６７、Ｈ＝５．８６、Ｎ＝３．
２６、Ｃｌ＝８．２５、Ｓ＝７．４６、Ｎａ＝５．３５
に対応する。ジューテロ化したジメチルスルホキシドで
ＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構
造に一致していた。
うに調製した。例Ｔ１〜Ｔ２のスルホンアミド（４０．
８０ｇ、０．１０モル）を、４．２ｇ（０．１０５モ
ル）のＮａＯＨおよび水１リットルと混合した。この反
応混合物を攪拌しながら、加熱して沸騰させ、２０分間
還流して冷却した。沈澱物を集めて、水洗して乾燥し
た。この固形分を４００ｍｌのメタノールを用いて抽出
し、不溶性物質を濾過して除いた。濾液を濃縮して、乾
燥し、その後、メチルエチルケトンから再結晶させた
（スーパーセルで高温濾過）。収量は１４．１ｇ（収率
３２．８％）であった。融点は３４５〜３４７℃であっ
た。元素分析実測値は、Ｃ＝５８．４４、Ｈ＝５．７
８、Ｎ＝３．３７、Ｃｌ＝８．５２、Ｓ＝６．２２、Ｎ
ａ＝５．１２であった。これはＣ21Ｈ25ＣｌＮＮａＯ3
Ｓの理論値：Ｃ＝５８．６７、Ｈ＝５．８６、Ｎ＝３．
２６、Ｃｌ＝８．２５、Ｓ＝７．４６、Ｎａ＝５．３５
に対応する。ジューテロ化したジメチルスルホキシドで
ＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構
造に一致していた。
【０１６５】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VI〜
VIIに表わす。例ＡＯ１、ＡＯ２ 構造式：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VI〜
VIIに表わす。例ＡＯ１、ＡＯ２ 構造式：
【０１６６】
【化５６】
【０１６７】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。２．６１ｇ（０．０１モル）のＮ−ベン
ゾイルベンゼンスルホンアミド、５０ｍｌの水に０．８
４ｇ（０．０１モル）のＮａＨＣＯ3 の混合物を調製
し、温めながら攪拌した。泡立ちが観察された。反応混
合物を濾過し、この濾液を乾燥するまで濃縮した。収量
は２．０６ｇ（収率７９．２５％）であった。融点は２
５０℃を越えていた。元素分析実測値は、Ｃ＝５４．７
２、Ｈ＝３．５９、Ｎ＝５．０６、Ｓ＝１１．２４、Ｎ
ａ＝７．９であった。これはＣ13Ｈ10ＮＯ3 ＳＮａの理
論値：Ｃ＝５５．１２、Ｈ＝３．５６、Ｎ＝４．９４、
Ｓ＝１１．３２、Ｎａ＝８．１２に対応する。Ｄ2 Ｏ中
でＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の
構造に一致していた。
うに調製した。２．６１ｇ（０．０１モル）のＮ−ベン
ゾイルベンゼンスルホンアミド、５０ｍｌの水に０．８
４ｇ（０．０１モル）のＮａＨＣＯ3 の混合物を調製
し、温めながら攪拌した。泡立ちが観察された。反応混
合物を濾過し、この濾液を乾燥するまで濃縮した。収量
は２．０６ｇ（収率７９．２５％）であった。融点は２
５０℃を越えていた。元素分析実測値は、Ｃ＝５４．７
２、Ｈ＝３．５９、Ｎ＝５．０６、Ｓ＝１１．２４、Ｎ
ａ＝７．９であった。これはＣ13Ｈ10ＮＯ3 ＳＮａの理
論値：Ｃ＝５５．１２、Ｈ＝３．５６、Ｎ＝４．９４、
Ｓ＝１１．３２、Ｎａ＝８．１２に対応する。Ｄ2 Ｏ中
でＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の
構造に一致していた。
【０１６８】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VI〜
VIIに表わす。例ＡＲ１、ＡＲ２ 構造式：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VI〜
VIIに表わす。例ＡＲ１、ＡＲ２ 構造式：
【０１６９】
【化５７】
【０１７０】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。例Ｚ１〜Ｚ２のスルホンアミド（２６．
１３ｇ、０．１０モル）、ＭｇＣＯ3（４．２２ｇ、
０．０５モル）および水３７５ｍｌをフラスコに入れ、
攪拌しながら、３時間加熱した。この時、反応混合物は
透明な淡黄色であった。反応混合物を氷浴中で冷却する
と、ふわふわした白色沈澱を生じた。この固形分を濾別
して、溶液をロータリーエバポレーターで蒸発させる
と、硬い白色固形物を生成した。収量は２０．１４ｇ
（収率７３．９％）であった。融点は４００℃を越えて
いた。元素分析実測値は、Ｃ＝５７．００、Ｈ＝３．７
７、Ｎ＝５．２７、Ｓ＝１１．０９、Ｍｇ＝４．１であ
った。これは（Ｃ13Ｈ10ＮＯ3 Ｓ）Ｍｇの理論値：Ｃ＝
５７．３１、Ｈ＝３．７０、Ｎ＝５．１４、Ｓ＝１１．
７７、Ｍｇ＝４．４６に対応する。
うに調製した。例Ｚ１〜Ｚ２のスルホンアミド（２６．
１３ｇ、０．１０モル）、ＭｇＣＯ3（４．２２ｇ、
０．０５モル）および水３７５ｍｌをフラスコに入れ、
攪拌しながら、３時間加熱した。この時、反応混合物は
透明な淡黄色であった。反応混合物を氷浴中で冷却する
と、ふわふわした白色沈澱を生じた。この固形分を濾別
して、溶液をロータリーエバポレーターで蒸発させる
と、硬い白色固形物を生成した。収量は２０．１４ｇ
（収率７３．９％）であった。融点は４００℃を越えて
いた。元素分析実測値は、Ｃ＝５７．００、Ｈ＝３．７
７、Ｎ＝５．２７、Ｓ＝１１．０９、Ｍｇ＝４．１であ
った。これは（Ｃ13Ｈ10ＮＯ3 Ｓ）Ｍｇの理論値：Ｃ＝
５７．３１、Ｈ＝３．７０、Ｎ＝５．１４、Ｓ＝１１．
７７、Ｍｇ＝４．４６に対応する。
【０１７１】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。
【０１７２】
【表１８】
【０１７３】
【表１９】
【０１７４】例ＡＳ１、ＡＳ２ 構造式：
【０１７５】
【化５８】
【０１７６】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。Ｎ−メチル−４−クロロベンゼンスルホ
ンアミド（２０．５７ｇ、０．１０モル）および３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾイルクロライ
ド（２６．８７ｇ、０．１０モル）を、トルエン（２０
０ｍｌ）とフラスコ中で混ぜ、１８．５時間還流した。
反応混合物を６００ｍｌのリグロイン（ｂｐ＝３５〜６
０℃）に注いだ。晶出した白色固形分を集め、さらにリ
グロインで洗浄し、乾燥し、ＣＨ3 ＣＮから再結晶さ
せ、集めて乾燥した。収量は２０．１ｇ（収率４５．８
９％）であった。融点は１６９〜１７２℃であった。元
素分析実測値は、Ｃ＝６０．１７、Ｈ＝６．１９、Ｎ＝
３．３６、Ｃｌ＝８．２２、Ｓ＝８．２４であった。こ
れはＣ22Ｈ28ＣｌＮＯ4 Ｓの理論値：Ｃ＝６０．３３、
Ｈ＝６．４４、Ｎ＝３．２０、Ｃｌ＝８．０９、Ｓ＝
７．３２に対応する。ジューテロ化したクロロホルムで
ＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構
造に一致していた。
うに調製した。Ｎ−メチル−４−クロロベンゼンスルホ
ンアミド（２０．５７ｇ、０．１０モル）および３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾイルクロライ
ド（２６．８７ｇ、０．１０モル）を、トルエン（２０
０ｍｌ）とフラスコ中で混ぜ、１８．５時間還流した。
反応混合物を６００ｍｌのリグロイン（ｂｐ＝３５〜６
０℃）に注いだ。晶出した白色固形分を集め、さらにリ
グロインで洗浄し、乾燥し、ＣＨ3 ＣＮから再結晶さ
せ、集めて乾燥した。収量は２０．１ｇ（収率４５．８
９％）であった。融点は１６９〜１７２℃であった。元
素分析実測値は、Ｃ＝６０．１７、Ｈ＝６．１９、Ｎ＝
３．３６、Ｃｌ＝８．２２、Ｓ＝８．２４であった。こ
れはＣ22Ｈ28ＣｌＮＯ4 Ｓの理論値：Ｃ＝６０．３３、
Ｈ＝６．４４、Ｎ＝３．２０、Ｃｌ＝８．０９、Ｓ＝
７．３２に対応する。ジューテロ化したクロロホルムで
ＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構
造に一致していた。
【０１７７】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VIII
〜IXに表わす。例ＡＴ１、ＡＴ２〜ＡＵ１〜ＡＵ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＡＳ１〜ＡＳ２に記載したのと同じ
手順を続けた。結果を表VIII〜IXに報告する。これらの
例で用いたスルホンアミド類を次の構造式の記号で表わ
す：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表VIII
〜IXに表わす。例ＡＴ１、ＡＴ２〜ＡＵ１〜ＡＵ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＡＳ１〜ＡＳ２に記載したのと同じ
手順を続けた。結果を表VIII〜IXに報告する。これらの
例で用いたスルホンアミド類を次の構造式の記号で表わ
す：
【０１７８】
【化５９】
【０１７９】
【表２０】
【０１８０】
【表２１】
【０１８１】例ＡＶ１、ＡＶ２ 構造式：
【０１８２】
【化６０】
【０１８３】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。ジクロロメタン（５０ｍｌ）中のＮ−
（フェニルスルホニル）−ベンゼンカルボキシイミドイ
ルクロライド（８．３９ｇ、０．０３モル）に、濃縮Ｎ
Ｈ4 ＯＨ（５０ｍｌ）を加えた。この反応混合物を約１
０分間攪拌している間、発熱反応が生じた。そしてこの
反応混合物を蒸気浴上で加熱して、ＣＨ2 Ｃｌ2 を追い
出した。晶出した固形分を集めて、水洗し、メタノール
から再結晶させて真空オーブンで乾燥した。収量は５．
９ｇ（収率７５．５％）であった。融点は１５０〜１５
２℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝６０．０１、Ｈ
＝４．６３、Ｎ＝１０．６３、Ｓ＝１２．１０であっ
た。これはＣ13Ｈ12Ｎ2 Ｏ2 Ｓの理論値：Ｃ＝５９．９
８、Ｈ＝４．６５、Ｎ＝１０．７６、Ｓ＝１２．３２に
対応する。ジューテロ化したジメチルスルホキシドでＮ
ＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構造
に一致していた。
うに調製した。ジクロロメタン（５０ｍｌ）中のＮ−
（フェニルスルホニル）−ベンゼンカルボキシイミドイ
ルクロライド（８．３９ｇ、０．０３モル）に、濃縮Ｎ
Ｈ4 ＯＨ（５０ｍｌ）を加えた。この反応混合物を約１
０分間攪拌している間、発熱反応が生じた。そしてこの
反応混合物を蒸気浴上で加熱して、ＣＨ2 Ｃｌ2 を追い
出した。晶出した固形分を集めて、水洗し、メタノール
から再結晶させて真空オーブンで乾燥した。収量は５．
９ｇ（収率７５．５％）であった。融点は１５０〜１５
２℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝６０．０１、Ｈ
＝４．６３、Ｎ＝１０．６３、Ｓ＝１２．１０であっ
た。これはＣ13Ｈ12Ｎ2 Ｏ2 Ｓの理論値：Ｃ＝５９．９
８、Ｈ＝４．６５、Ｎ＝１０．７６、Ｓ＝１２．３２に
対応する。ジューテロ化したジメチルスルホキシドでＮ
ＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物の構造
に一致していた。
【０１８４】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表X 〜
XIに表わす。例ＡＸ１、ＡＸ２〜ＢＡ１〜ＢＡ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、ＡＸ１、ＡＸ２；ＡＹ１、ＡＹ２；およびＢＡ
１、ＢＡ２では、実質的に例ＡＶ１〜ＡＶ２に記載した
のと同じ手順を続けた。例ＡＺ１、ＡＺ２を、Journal
of American Chemical Society, vol. 64, (1942),ペー
ジ 2763 および Zh. Org. Khim., Vol 11, No. 1, (197
5), ページ 113に報告されているより具体的な手順に従
って、ベンズアミジン・ＨＣｌおよびパラ−トルエンス
ルホニルクロライドから調製した。結果を表X 〜XIに表
わす。
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表X 〜
XIに表わす。例ＡＸ１、ＡＸ２〜ＢＡ１〜ＢＡ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、ＡＸ１、ＡＸ２；ＡＹ１、ＡＹ２；およびＢＡ
１、ＢＡ２では、実質的に例ＡＶ１〜ＡＶ２に記載した
のと同じ手順を続けた。例ＡＺ１、ＡＺ２を、Journal
of American Chemical Society, vol. 64, (1942),ペー
ジ 2763 および Zh. Org. Khim., Vol 11, No. 1, (197
5), ページ 113に報告されているより具体的な手順に従
って、ベンズアミジン・ＨＣｌおよびパラ−トルエンス
ルホニルクロライドから調製した。結果を表X 〜XIに表
わす。
【０１８５】これらの例で用いたスルホンアミド類を次
の構造式の記号で表わす：
の構造式の記号で表わす：
【０１８６】
【化６１】
【０１８７】
【表２２】
【０１８８】
【表２３】
【０１８９】例ＢＢ１、ＢＢ２ 構造式：
【０１９０】
【化６２】
【０１９１】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。Ｎ−（４−クロロベンゼンスルホニル）
−３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゼンカルボキシモイルク
ロライドを、次の手順によりまず調製した：３０．５ｇ
（０．０７５モル）のＮ−（３，５−ジ−ｔ−ブチルベ
ンゾイル）−４−クロロベンゼン−スルホンアミドおよ
び１７．１３ｇ（０．０８２モル）のＰＣｌ5 の混合物
を、１７０℃浴中で３時間攪拌子ながら加熱した。この
反応混合物を真空下で蒸気浴上で濃縮した。ヘプタンを
加えて、反応混合物の総量を２００ｍｌにした。この反
応混合物をスーパーセルで濾過して、ドライアイス／イ
ソプロパノール浴中で冷却した。晶出した白色固形分を
集めて、リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、
そして乾燥した。収量は１７．１４ｇ（収率５３．６
％）であった。融点は９１〜９２．５℃であった。元素
分析実測値は、Ｃ＝５８．７８、Ｈ＝５．８１、Ｎ＝
３．１２、Ｃｌ＝１６．１６、Ｓ＝７．７７であった。
これはＣ21Ｈ25Ｃｌ2 ＮＯ2 Ｓの理論値：Ｃ＝５９．１
５、Ｈ＝５．９１、Ｎ＝３．２８、Ｃｌ＝１６．６３、
Ｓ＝７．５２に対応する。ジューテロ化したクロロホル
ムでＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物
の構造に一致していた。
うに調製した。Ｎ−（４−クロロベンゼンスルホニル）
−３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゼンカルボキシモイルク
ロライドを、次の手順によりまず調製した：３０．５ｇ
（０．０７５モル）のＮ−（３，５−ジ−ｔ−ブチルベ
ンゾイル）−４−クロロベンゼン−スルホンアミドおよ
び１７．１３ｇ（０．０８２モル）のＰＣｌ5 の混合物
を、１７０℃浴中で３時間攪拌子ながら加熱した。この
反応混合物を真空下で蒸気浴上で濃縮した。ヘプタンを
加えて、反応混合物の総量を２００ｍｌにした。この反
応混合物をスーパーセルで濾過して、ドライアイス／イ
ソプロパノール浴中で冷却した。晶出した白色固形分を
集めて、リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、
そして乾燥した。収量は１７．１４ｇ（収率５３．６
％）であった。融点は９１〜９２．５℃であった。元素
分析実測値は、Ｃ＝５８．７８、Ｈ＝５．８１、Ｎ＝
３．１２、Ｃｌ＝１６．１６、Ｓ＝７．７７であった。
これはＣ21Ｈ25Ｃｌ2 ＮＯ2 Ｓの理論値：Ｃ＝５９．１
５、Ｈ＝５．９１、Ｎ＝３．２８、Ｃｌ＝１６．６３、
Ｓ＝７．５２に対応する。ジューテロ化したクロロホル
ムでＮＭＲスペクトルを得た。それは、期待した生成物
の構造に一致していた。
【０１９２】水１５０ｍｌ中２１．６２ｇ（０．０９モ
ル）のＮａ2 Ｓ・９Ｈ2 Ｏの溶液に、連続して約２分か
けて、テトラヒドロフラン中３１．９８ｇ（０．０７５
モル）のＮ−（４−クロロベンゼンスルホニル）−３，
５−ジ−ｔ−ブチルベンゼンカルボキシモイルクロライ
ドの溶液を加えた。穏やかに発熱反応が生じ、反応混合
物は、緑黄色になった。この反応物を約２時間攪拌し
て、濃ＨＣｌ（１２ｍｌ）で酸性にした。反応物が明る
いオレンジ色になり、有機層と水性層とに分離した。有
機層を分離して、水洗してジクロロメタンを加えた。有
機層を分離し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して、オレンジ−黄
色固形残留物に濃縮した。この残留物を、３：１ヘプタ
ン：トルエン（２４０ｍｌ）から再結晶させた。黄色の
針状物を集めて、リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で
洗浄し、乾燥した。収量は２２．９ｇ（収率７２．０
％）であった。融点は１７７〜１７９℃であった。元素
分析実測値は、Ｃ＝５９．３７、Ｈ＝６．２４、Ｎ＝
３．２６、Ｃｌ＝８．４３、Ｓ＝１４．９８であった。
これはＣ21Ｈ26ＣｌＮＯ2 Ｓ2 の理論値：Ｃ＝５９．４
９、Ｈ＝６．１８、Ｎ＝３．３０、Ｃｌ＝８．３６、Ｓ
＝１５．１２に対応する。期待した生成物の構造に一致
したＮＭＲスペクトルを得た。
ル）のＮａ2 Ｓ・９Ｈ2 Ｏの溶液に、連続して約２分か
けて、テトラヒドロフラン中３１．９８ｇ（０．０７５
モル）のＮ−（４−クロロベンゼンスルホニル）−３，
５−ジ−ｔ−ブチルベンゼンカルボキシモイルクロライ
ドの溶液を加えた。穏やかに発熱反応が生じ、反応混合
物は、緑黄色になった。この反応物を約２時間攪拌し
て、濃ＨＣｌ（１２ｍｌ）で酸性にした。反応物が明る
いオレンジ色になり、有機層と水性層とに分離した。有
機層を分離して、水洗してジクロロメタンを加えた。有
機層を分離し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥して、オレンジ−黄
色固形残留物に濃縮した。この残留物を、３：１ヘプタ
ン：トルエン（２４０ｍｌ）から再結晶させた。黄色の
針状物を集めて、リグロイン（ｂｐ＝３５〜６０℃）で
洗浄し、乾燥した。収量は２２．９ｇ（収率７２．０
％）であった。融点は１７７〜１７９℃であった。元素
分析実測値は、Ｃ＝５９．３７、Ｈ＝６．２４、Ｎ＝
３．２６、Ｃｌ＝８．４３、Ｓ＝１４．９８であった。
これはＣ21Ｈ26ＣｌＮＯ2 Ｓ2 の理論値：Ｃ＝５９．４
９、Ｈ＝６．１８、Ｎ＝３．３０、Ｃｌ＝８．３６、Ｓ
＝１５．１２に対応する。期待した生成物の構造に一致
したＮＭＲスペクトルを得た。
【０１９３】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表XII
〜XIIIに表わす。例ＢＣ１、ＢＣ２ カルボノチオニルスルホンアミド調製の出発物質が異な
ること以外は、実質的に例ＢＢに記載したのと同じ手順
を続けた。結果を表XII 〜XIIIに表わす。例ＢＣで用い
たスルホンアミド類の構造式を次に表わす：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表XII
〜XIIIに表わす。例ＢＣ１、ＢＣ２ カルボノチオニルスルホンアミド調製の出発物質が異な
ること以外は、実質的に例ＢＢに記載したのと同じ手順
を続けた。結果を表XII 〜XIIIに表わす。例ＢＣで用い
たスルホンアミド類の構造式を次に表わす：
【０１９４】
【化６３】
【０１９５】
【表２４】
【０１９６】
【表２５】
【０１９７】例ＢＧ１、ＢＧ２ 構造式：
【０１９８】
【化６４】
【０１９９】を持つスルホンアミド電荷制御剤を次のよ
うに調製した。２４．１ｇ（０．２０モル）の塩化ピバ
ロイル、１９．０２ｇ（０．２０モル）のメタンスルホ
ンアミド、および３１．６４ｇ（０．４０モル）のピリ
ジンを、蒸気浴上で１．５時間加熱した。そして、この
反応混合物をＣＨ2 Ｃｌ2 で取り出し、希釈ＨＣｌで２
回、水で１回洗浄し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥し、濃縮し、
トルエンから再結晶させ、集めて、リグロイン（ｂｐ＝
３５〜６０℃）で洗浄し、乾燥した。収量は１７．７ｇ
（収率４９．３８％）であった。融点は１２８〜１２
９．５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝４０．３
１、Ｈ＝７．２０、Ｎ＝７．９１、Ｓ＝１８．２０であ
った。これはＣ6 Ｈ13ＮＯ3 Ｓの理論値：Ｃ＝４０．２
１、Ｈ＝７．３１、Ｎ＝７．８１、Ｓ＝１７．８９に対
応する。期待した生成物の構造に一致したＮＭＲスペク
トルを得た。
うに調製した。２４．１ｇ（０．２０モル）の塩化ピバ
ロイル、１９．０２ｇ（０．２０モル）のメタンスルホ
ンアミド、および３１．６４ｇ（０．４０モル）のピリ
ジンを、蒸気浴上で１．５時間加熱した。そして、この
反応混合物をＣＨ2 Ｃｌ2 で取り出し、希釈ＨＣｌで２
回、水で１回洗浄し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥し、濃縮し、
トルエンから再結晶させ、集めて、リグロイン（ｂｐ＝
３５〜６０℃）で洗浄し、乾燥した。収量は１７．７ｇ
（収率４９．３８％）であった。融点は１２８〜１２
９．５℃であった。元素分析実測値は、Ｃ＝４０．３
１、Ｈ＝７．２０、Ｎ＝７．９１、Ｓ＝１８．２０であ
った。これはＣ6 Ｈ13ＮＯ3 Ｓの理論値：Ｃ＝４０．２
１、Ｈ＝７．３１、Ｎ＝７．８１、Ｓ＝１７．８９に対
応する。期待した生成物の構造に一致したＮＭＲスペク
トルを得た。
【０２００】無色トナーのみを製造した以外は、トナー
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表XIV
〜XVに表わす。例ＢＨ１、ＢＨ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＢＧに記載したのと同じ手順を続け
た。結果を表XIV 〜XVに表わす。この例で用いたスルホ
ンアミド類を次の構造式の記号で表わす：
および現像剤の調製、並びに物質評価において、実質的
に例Ａに記載するのと同じ手順を続けた。結果を表XIV
〜XVに表わす。例ＢＨ１、ＢＨ２ アロイルスルホンアミド調製での出発物質が異なること
以外は、実質的に例ＢＧに記載したのと同じ手順を続け
た。結果を表XIV 〜XVに表わす。この例で用いたスルホ
ンアミド類を次の構造式の記号で表わす：
【０２０１】
【化６５】
【０２０２】
【表２６】
【０２０３】
【表２７】
【０２０４】比較例 比較例１ａ、１ｂ 電荷制御剤を用いないこと以外は、例Ａ１〜Ａ２と同じ
方法でトナーおよび現像剤を調製し、評価した。比較例２ａ、２ｂ 構造式：
方法でトナーおよび現像剤を調製し、評価した。比較例２ａ、２ｂ 構造式：
【０２０５】
【化６６】
【０２０６】を持つサッカリン（オルト−ベンゾスルフ
ィミド）を、Alcrich Chemical Company（Milwaukee, W
isconsin）から購入した。スルホンアミド電荷制御剤に
換えてサッカリンを用いたこと以外は、トナーおよび現
像剤を例Ａと同じ方法で、調製し評価した。結果を表XV
I 〜XVIIに表わす。比較例３ａ、３ｂ 構造式：
ィミド）を、Alcrich Chemical Company（Milwaukee, W
isconsin）から購入した。スルホンアミド電荷制御剤に
換えてサッカリンを用いたこと以外は、トナーおよび現
像剤を例Ａと同じ方法で、調製し評価した。結果を表XV
I 〜XVIIに表わす。比較例３ａ、３ｂ 構造式：
【０２０７】
【化６７】
【０２０８】を持つ１−（２−ヒドロキシフェニル）−
３−（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−１，３−プ
ロパンジオンを、次の反応図式を用いて調製した：
３−（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−１，３−プ
ロパンジオンを、次の反応図式を用いて調製した：
【０２０９】
【化６８】
【０２１０】２’−（３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゾイ
ルオキシ）−アセトフェノン（５５．０ｇ、０．１５６
モル）、Ｋ2 ＣＯ3 （１６５ｇ）、およびトルエン（５
５０ｍｌ）の混合物を調製し、攪拌しながら蒸気浴上で
加熱した。約２時間以内に、かなりの量の黄色固形分が
生成していた。加熱を計約２１時間続けた。この反応混
合物を高温で濾過した。集めた固形分をリグロイン（ｂ
ｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、乾燥し、水中でスラリー
にして、集めて、酢酸と水との１：１混合物で洗浄し
た。この固形分は、タフィー（taffy ）状になった。水
性相をデカントし、生成物を水洗し、エタノール（約３
００ｍｌ）で再結晶させた。黄色の針形状の固形分を集
めて乾燥した。そしてこの固形分をジクロロメタンに溶
解し、この溶液を濾過して水溶性塩類を除いた。濾液を
水洗し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥し濃縮した。冷却すると晶
出するオイル状の残留物を得た。この固形分をエタノー
ル（５０ｍｌ）から再結晶させた。沈澱物を集めて乾燥
した。収量は２０．３ｇ（収率３６．９％）であった。
融点は９２〜９４℃であった（７５℃で融解が始まり、
９２〜９４℃で完全に融解した）。元素分析実測値は、
Ｃ＝７８．３７、Ｈ＝７．９３であった。これはＣ22Ｈ
22Ｏ3 の理論値：Ｃ＝７８．３８、Ｈ＝８．０１に対応
する。ジューテロ化したクロロホルムでＮＭＲスペクト
ルを得た。それは、期待した生成物の構造に一致してい
た。
ルオキシ）−アセトフェノン（５５．０ｇ、０．１５６
モル）、Ｋ2 ＣＯ3 （１６５ｇ）、およびトルエン（５
５０ｍｌ）の混合物を調製し、攪拌しながら蒸気浴上で
加熱した。約２時間以内に、かなりの量の黄色固形分が
生成していた。加熱を計約２１時間続けた。この反応混
合物を高温で濾過した。集めた固形分をリグロイン（ｂ
ｐ＝３５〜６０℃）で洗浄し、乾燥し、水中でスラリー
にして、集めて、酢酸と水との１：１混合物で洗浄し
た。この固形分は、タフィー（taffy ）状になった。水
性相をデカントし、生成物を水洗し、エタノール（約３
００ｍｌ）で再結晶させた。黄色の針形状の固形分を集
めて乾燥した。そしてこの固形分をジクロロメタンに溶
解し、この溶液を濾過して水溶性塩類を除いた。濾液を
水洗し、ＭｇＳＯ4 上で乾燥し濃縮した。冷却すると晶
出するオイル状の残留物を得た。この固形分をエタノー
ル（５０ｍｌ）から再結晶させた。沈澱物を集めて乾燥
した。収量は２０．３ｇ（収率３６．９％）であった。
融点は９２〜９４℃であった（７５℃で融解が始まり、
９２〜９４℃で完全に融解した）。元素分析実測値は、
Ｃ＝７８．３７、Ｈ＝７．９３であった。これはＣ22Ｈ
22Ｏ3 の理論値：Ｃ＝７８．３８、Ｈ＝８．０１に対応
する。ジューテロ化したクロロホルムでＮＭＲスペクト
ルを得た。それは、期待した生成物の構造に一致してい
た。
【０２１１】スルホンアミド電荷制御剤に換えて、１−
（２−ヒドロキシフェニル）−３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）−１，３−プロパンジオンを用いた以
外は、例Ａ１、Ａ２と同じ方法でトナーおよび現像剤を
調製し、評価した。結果を表XVI 〜XVIIに表わす。比較例４ａ、４ｂ 構造式：
（２−ヒドロキシフェニル）−３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチルフェニル）−１，３−プロパンジオンを用いた以
外は、例Ａ１、Ａ２と同じ方法でトナーおよび現像剤を
調製し、評価した。結果を表XVI 〜XVIIに表わす。比較例４ａ、４ｂ 構造式：
【０２１２】
【化６９】
【０２１３】を持つビス｛１−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３−プロ
パンジオナート｝亜鉛を、次の反応図式を用いて調製し
た：
ル）−３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３−プロ
パンジオナート｝亜鉛を、次の反応図式を用いて調製し
た：
【０２１４】
【化７０】
【０２１５】２’−（３，５−ジ−ｔ−ブチルベンゾイ
ルオキシ）−アセトフェノンを、２’−（４−ｔ−ブチ
ルベンゾイルオキシ）アセトフェノンで置き換えた以外
は、比較例４に記載した手順で、１−（２−ヒドロキシ
フェニル）−３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３
−プロパンジオンを調製した。メタン（５０ｍｌ）中の
１−（２−ヒドロキシフェニル）−３−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３−プロパンジオン（２．９６ｇ、
０．０１モル）溶液を加熱しながら調製した。この溶液
に、予め加熱した、メタノール（１０ｍｌ）中の酢酸亜
鉛二水和物（１．１１ｇ、５ミリモル）を加えた。生じ
た反応混合物を蒸気浴上で１５分間加熱した。生成した
固体結晶性沈澱物を高温で濾過し、メタノールで洗浄し
て乾燥した。収量は１．１７ｇであった。融点は１２６
〜１２８℃であった（溶融再結晶すると、２５０℃を越
える融点を持つ生成物を与える）。元素分析実測値は、
Ｃ＝６９．１９、Ｈ＝５．６８、Ｚｎ＝１１．６であっ
た。これはＣ38Ｈ38Ｏ6 Ｚｎの理論値：Ｃ＝６９．５
７、Ｈ＝５．８４、Ｚｎ＝９．９７に対応する。ジュー
テロ化したクロロホルムでＮＭＲスペクトルを得た。そ
れは、期待した生成物の構造に一致していた。
ルオキシ）−アセトフェノンを、２’−（４−ｔ−ブチ
ルベンゾイルオキシ）アセトフェノンで置き換えた以外
は、比較例４に記載した手順で、１−（２−ヒドロキシ
フェニル）−３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３
−プロパンジオンを調製した。メタン（５０ｍｌ）中の
１−（２−ヒドロキシフェニル）−３−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３−プロパンジオン（２．９６ｇ、
０．０１モル）溶液を加熱しながら調製した。この溶液
に、予め加熱した、メタノール（１０ｍｌ）中の酢酸亜
鉛二水和物（１．１１ｇ、５ミリモル）を加えた。生じ
た反応混合物を蒸気浴上で１５分間加熱した。生成した
固体結晶性沈澱物を高温で濾過し、メタノールで洗浄し
て乾燥した。収量は１．１７ｇであった。融点は１２６
〜１２８℃であった（溶融再結晶すると、２５０℃を越
える融点を持つ生成物を与える）。元素分析実測値は、
Ｃ＝６９．１９、Ｈ＝５．６８、Ｚｎ＝１１．６であっ
た。これはＣ38Ｈ38Ｏ6 Ｚｎの理論値：Ｃ＝６９．５
７、Ｈ＝５．８４、Ｚｎ＝９．９７に対応する。ジュー
テロ化したクロロホルムでＮＭＲスペクトルを得た。そ
れは、期待した生成物の構造に一致していた。
【０２１６】スルホンアミド電荷制御剤に換えて、ビス
｛１−（２−ヒドロキシフェニル）−３−（４−ｔ−ブ
チルフェニル）−１，３−プロパンジオナート｝亜鉛を
用いた以外は、例Ａ１、Ａ２と同じ方法でトナーおよび
現像剤を調製し、評価した。結果を表XVI 〜XVIIに表わ
す。比較例５ａ、５ｂ 構造式：
｛１−（２−ヒドロキシフェニル）−３−（４−ｔ−ブ
チルフェニル）−１，３−プロパンジオナート｝亜鉛を
用いた以外は、例Ａ１、Ａ２と同じ方法でトナーおよび
現像剤を調製し、評価した。結果を表XVI 〜XVIIに表わ
す。比較例５ａ、５ｂ 構造式：
【０２１７】
【化７１】
【０２１８】を持つ３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンゼンスルホンアミドを、次のように調製し
た：３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゼン
スルホニルクロライドを、米国特許第５，１５７，１５
６号公報に記載する方法で調製した。塩化メチレン（１
７００ｍｌ）中の３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンゼンスルホニルクロライド（１４９．５ｇ、
０．４９モル）の溶液をアンモニアで３５分間処理し
た。乳状の有機層を乾燥するまで濃縮し、固形残留物を
アセトンで採り、濾過して濃縮した。この残留物をエー
テルに採り、水洗してＭｇＳＯ4 上で乾燥し濃縮した。
残留物をイソプロパノール（６００ｍｌ）から再結晶さ
せると、９９．０ｇの生成物（理論収率７０．８％）を
与えた。融点は１６６〜１６８℃であった。元素分析実
測値は、Ｃ＝５８．５５、Ｈ＝８．０７、Ｎ＝４．９
８、Ｓ＝１０．９３であった。これはＣ14Ｈ23ＮＯ3 Ｓ
の理論値：Ｃ＝５８．９２、Ｈ＝８．１２、Ｎ＝４．９
１、Ｓ＝１１．２３に対応する。期待した生成物の構造
に一致したＮＭＲスペクトルを得た。
ロキシベンゼンスルホンアミドを、次のように調製し
た：３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゼン
スルホニルクロライドを、米国特許第５，１５７，１５
６号公報に記載する方法で調製した。塩化メチレン（１
７００ｍｌ）中の３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンゼンスルホニルクロライド（１４９．５ｇ、
０．４９モル）の溶液をアンモニアで３５分間処理し
た。乳状の有機層を乾燥するまで濃縮し、固形残留物を
アセトンで採り、濾過して濃縮した。この残留物をエー
テルに採り、水洗してＭｇＳＯ4 上で乾燥し濃縮した。
残留物をイソプロパノール（６００ｍｌ）から再結晶さ
せると、９９．０ｇの生成物（理論収率７０．８％）を
与えた。融点は１６６〜１６８℃であった。元素分析実
測値は、Ｃ＝５８．５５、Ｈ＝８．０７、Ｎ＝４．９
８、Ｓ＝１０．９３であった。これはＣ14Ｈ23ＮＯ3 Ｓ
の理論値：Ｃ＝５８．９２、Ｈ＝８．１２、Ｎ＝４．９
１、Ｓ＝１１．２３に対応する。期待した生成物の構造
に一致したＮＭＲスペクトルを得た。
【０２１９】電荷制御剤が異なる以外は、例Ｂと同じ方
法でトナーおよび現像剤を調製し、評価した。結果を表
XVI 〜XVIIに表わす。
法でトナーおよび現像剤を調製し、評価した。結果を表
XVI 〜XVIIに表わす。
【０２２０】
【表２８】
【０２２１】
【表２９】
【０２２２】本発明の他の好ましい態様を請求項の形式
で、次ぎに記載する。 （態様１）ポリマーバインダーおよび一般構造：
で、次ぎに記載する。 （態様１）ポリマーバインダーおよび一般構造：
【０２２３】
【化７２】
【０２２４】およびそれらの金属塩；［式中、Ｔ1 は、
Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシク
ロアルキル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは
縮合環を持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、から
なる群より独立して選ばれ；Ｒ1 は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｈ、
Ｎ−Ｒ5 、もしくはＮ−Ｌ−Ｒ5 であり、（ここで、Ｌ
は、
Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシク
ロアルキル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは
縮合環を持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、から
なる群より独立して選ばれ；Ｒ1 は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｈ、
Ｎ−Ｒ5 、もしくはＮ−Ｌ−Ｒ5 であり、（ここで、Ｌ
は、
【０２２５】
【化７３】
【０２２６】から選ばれる結合基であり、Ｒ5 は、炭素
数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキ
ル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を
持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群よ
り独立して選ばれ）Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立し
て、直接結合または炭素数１〜２０の二価のアルキルも
しくはフルオロアルキルであり；そしてＲa およびＲb
は、Ｈ、Ｆ、並びに単一環または２〜３の縮合もしくは
結合環を持つ環系からなる群よりそれぞれ独立して選ば
れ、前記環系は、置換もしくは非置換であり、前記環系
は、置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４である； 但
し、Ｌ1 が直接結合の場合は、Ｒa は環系であり、そし
てＬ2 が直接結合の場合は、Ｒb が環系である］を持つ
スルホンアミド類からなる群より選ばれる電荷制御剤を
含んでなる電子写真トナー。 （態様２）電荷制御剤が一般構造：
数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキ
ル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を
持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群よ
り独立して選ばれ）Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立し
て、直接結合または炭素数１〜２０の二価のアルキルも
しくはフルオロアルキルであり；そしてＲa およびＲb
は、Ｈ、Ｆ、並びに単一環または２〜３の縮合もしくは
結合環を持つ環系からなる群よりそれぞれ独立して選ば
れ、前記環系は、置換もしくは非置換であり、前記環系
は、置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４である； 但
し、Ｌ1 が直接結合の場合は、Ｒa は環系であり、そし
てＬ2 が直接結合の場合は、Ｒb が環系である］を持つ
スルホンアミド類からなる群より選ばれる電荷制御剤を
含んでなる電子写真トナー。 （態様２）電荷制御剤が一般構造：
【０２２７】
【化７４】
【０２２８】（式中、Ｍは金属イオンであり、そしてｅ
はＭの原子価である）を持つ態様１に記載のトナー。 （態様３）Ｔ1 がＨである態様１に記載のトナー （態様４）スルホンアミドが、一般構造：
はＭの原子価である）を持つ態様１に記載のトナー。 （態様３）Ｔ1 がＨである態様１に記載のトナー （態様４）スルホンアミドが、一般構造：
【０２２９】
【化７５】
【０２３０】（式中、Ｔ2 は、−Ｈ、−Ｒ5 、もしくは
−Ｌ−Ｒ5 である）を有する態様３に記載のトナー。 （態様５）Ｒa およびＲb が、ＨおよびＦからなる群よ
り選ばれる態様３に記載のトナー。 （態様６）Ｒa およびＲb の一方がＨであり、そしてＲ
a およびＲb のもう一方が環系である態様３に記載のト
ナー。 （態様７）スルホンアミドが、一般構造：
−Ｌ−Ｒ5 である）を有する態様３に記載のトナー。 （態様５）Ｒa およびＲb が、ＨおよびＦからなる群よ
り選ばれる態様３に記載のトナー。 （態様６）Ｒa およびＲb の一方がＨであり、そしてＲ
a およびＲb のもう一方が環系である態様３に記載のト
ナー。 （態様７）スルホンアミドが、一般構造：
【０２３１】
【化７６】
【０２３２】（式中、Ｒ1 はＯもしくはＳであり；Ｌ1
およびＬ2 は、それぞれ独立して、直接結合または炭素
数１〜２０の二価のアルキルもしくはフルオロアルキル
であり；Ｒa およびＲb は、それぞれ、単一環または２
〜３の縮合もしくは結合環を持つ環系であって、前記環
系は置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４である）を持
つ態様３に記載のトナー。 （態様８）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、Ｈ、炭
素数１〜２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯ
ＯＨ、炭素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数２
〜２０のアルキルカルボニルオキシもしくは炭素数２〜
２０のカルボアルコキシ、および炭素数１〜２０のアル
コキシからなる群より選ばれる部分によって置換されて
いる態様７に記載のトナー。 （態様９）Ｒ1 がＯである態様７に記載のトナー。
およびＬ2 は、それぞれ独立して、直接結合または炭素
数１〜２０の二価のアルキルもしくはフルオロアルキル
であり；Ｒa およびＲb は、それぞれ、単一環または２
〜３の縮合もしくは結合環を持つ環系であって、前記環
系は置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４である）を持
つ態様３に記載のトナー。 （態様８）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、Ｈ、炭
素数１〜２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯ
ＯＨ、炭素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数２
〜２０のアルキルカルボニルオキシもしくは炭素数２〜
２０のカルボアルコキシ、および炭素数１〜２０のアル
コキシからなる群より選ばれる部分によって置換されて
いる態様７に記載のトナー。 （態様９）Ｒ1 がＯである態様７に記載のトナー。
【０２３３】（態様１０）Ｒa およびＲb の少なくとも
一方が、炭素数４〜２０の第三アルキルによって置換さ
れている態様９に記載のトナー。 （態様１１）Ｌ1 が直接結合である態様９に記載のトナ
ー。 （態様１２）Ｒa およびＲb が、第三ブチルによって置
換されている態様１１に記載のトナー。 （態様１３）Ｌ2 が直接結合である態様１２に記載のト
ナー。 （態様１４）電荷制御剤が、次式：
一方が、炭素数４〜２０の第三アルキルによって置換さ
れている態様９に記載のトナー。 （態様１１）Ｌ1 が直接結合である態様９に記載のトナ
ー。 （態様１２）Ｒa およびＲb が、第三ブチルによって置
換されている態様１１に記載のトナー。 （態様１３）Ｌ2 が直接結合である態様１２に記載のト
ナー。 （態様１４）電荷制御剤が、次式：
【０２３４】
【化７７】
【０２３５】
【化７８】
【０２３６】からなる群より選ばれる態様９に記載のト
ナー。 （態様１５）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの炭素数４〜２０の第三
アルキルにより置換されている（但し、電子吸引性基の
数は、ｔ−アルキルの数と等しいか、もしくは少な
い）、態様７に記載のトナー。 （態様１６）Ｒ1 がＯである態様１５に記載のトナー。 （態様１７）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの第三ブチルにより置換
されている態様１６に記載のトナー。 （態様１８）Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であり、Ｒa お
よびＲb がフェニルである態様１６に記載のトナー。 （態様１９）スルホンアミドが、次式：
ナー。 （態様１５）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの炭素数４〜２０の第三
アルキルにより置換されている（但し、電子吸引性基の
数は、ｔ−アルキルの数と等しいか、もしくは少な
い）、態様７に記載のトナー。 （態様１６）Ｒ1 がＯである態様１５に記載のトナー。 （態様１７）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの第三ブチルにより置換
されている態様１６に記載のトナー。 （態様１８）Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であり、Ｒa お
よびＲb がフェニルである態様１６に記載のトナー。 （態様１９）スルホンアミドが、次式：
【０２３７】
【化７９】
【０２３８】
【化８０】
【０２３９】
【化８１】
【０２４０】からなる群より選ばれる態様１６に記載の
トナー。 （態様２０）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、二種
類のｔ−ブチル置換基と、ＮＯ2 、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ
（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数
１〜８のアルコキシからなる群より選ばれる三番目の置
換基とを持つフェニルである態様７に記載のトナー。 （態様２１）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次
式：
トナー。 （態様２０）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、二種
類のｔ−ブチル置換基と、ＮＯ2 、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ
（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数
１〜８のアルコキシからなる群より選ばれる三番目の置
換基とを持つフェニルである態様７に記載のトナー。 （態様２１）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次
式：
【０２４１】
【化８２】
【０２４２】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ル）である態様７に記載のトナー。 （態様２２）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
ル）である態様７に記載のトナー。 （態様２２）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
【０２４３】
【化８３】
【０２４４】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ル）を含む態様７に記載のトナー。 （態様２３）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
ル）を含む態様７に記載のトナー。 （態様２３）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
【０２４５】
【化８４】
【０２４６】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ルであり；そしてＲは、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数１〜８のア
ルコキシからなる群より選ばれる）を含む態様７に記載
のトナー。 （態様２４）Ｒ1 がＯである態様２３に記載のトナー。 （態様２５）ＲがＯＨである態様２３に記載のトナー。 （態様２６）Ｒa およびＲb の一方が、一般構造：
ルであり；そしてＲは、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数１〜８のア
ルコキシからなる群より選ばれる）を含む態様７に記載
のトナー。 （態様２４）Ｒ1 がＯである態様２３に記載のトナー。 （態様２５）ＲがＯＨである態様２３に記載のトナー。 （態様２６）Ｒa およびＲb の一方が、一般構造：
【０２４７】
【化８５】
【０２４８】を持ち、もう一方が、同じ一般構造を持つ
か、もしくは単一環または２〜３の縮合もしくは結合環
を持つ環系である態様２３に記載のトナーであって、前
記環系が炭素原子が６〜１４を有し、そして炭素数１〜
２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯＨ、炭
素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数２〜２０の
アルキルカルボニルオキシもしくは炭素数２〜２０のカ
ルボアルコキシ、および炭素数１〜２０のアルコキシか
らなる群より選ばれる少なくとも一つの置換基を有す
る、トナー。 （態様２７）スルホンアミドが一般構造：
か、もしくは単一環または２〜３の縮合もしくは結合環
を持つ環系である態様２３に記載のトナーであって、前
記環系が炭素原子が６〜１４を有し、そして炭素数１〜
２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯＨ、炭
素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数２〜２０の
アルキルカルボニルオキシもしくは炭素数２〜２０のカ
ルボアルコキシ、および炭素数１〜２０のアルコキシか
らなる群より選ばれる少なくとも一つの置換基を有す
る、トナー。 （態様２７）スルホンアミドが一般構造：
【０２４９】
【化８６】
【０２５０】を有する態様２３に記載のトナー。 （態様２８）Ｌ1 およびＬ2 が直接結合であり、Ｒa お
よびＲb の両方が置換されたフェニル部分を含んでなる
態様２３に記載のトナー。 （態様２９）電荷制御剤が、
よびＲb の両方が置換されたフェニル部分を含んでなる
態様２３に記載のトナー。 （態様２９）電荷制御剤が、
【０２５１】
【化８７】
【０２５２】
【化８８】
【０２５３】
【化８９】
【０２５４】および
【０２５５】
【化９０】
【０２５６】からなる群より選ばれる態様２３に記載の
トナー。 （態様３０）バインダーが、スチレン−ブチル−アクリ
レートコポリマーからなる群より選ばれる態様２３に記
載のトナー。 （態様３１）態様１記載のトナーおよびキャリア粒子を
含んでなる静電写真現像剤。 （態様３２）キャリア粒子が、弗化炭化水素ポリマーも
しくはポリ（メチルメタクリレート）で被覆されている
コアを含んでなる態様３１に記載の静電写真現像剤。 （態様３３）キャリア粒子および態様１に規定されるト
ナーを含んでなる現像剤を用いて静電潜像を生成し、次
に前記像を適当な基体に転写して、その像をそれに永久
的に貼り付けることを含んでなる静電潜像を現像する方
法。 （態様３４）一般構造：
トナー。 （態様３０）バインダーが、スチレン−ブチル−アクリ
レートコポリマーからなる群より選ばれる態様２３に記
載のトナー。 （態様３１）態様１記載のトナーおよびキャリア粒子を
含んでなる静電写真現像剤。 （態様３２）キャリア粒子が、弗化炭化水素ポリマーも
しくはポリ（メチルメタクリレート）で被覆されている
コアを含んでなる態様３１に記載の静電写真現像剤。 （態様３３）キャリア粒子および態様１に規定されるト
ナーを含んでなる現像剤を用いて静電潜像を生成し、次
に前記像を適当な基体に転写して、その像をそれに永久
的に貼り付けることを含んでなる静電潜像を現像する方
法。 （態様３４）一般構造：
【０２５７】
【化９１】
【０２５８】（式中、Ｒ1 はＯもしくはＳであり；Ｌ1
およびＬ2 は、それぞれ独立して、直接結合または炭素
数１〜２０の二価のアルキルもしくはフルオロアルキ
ル；Ｒa およびＲb は、それぞれ、核として、単一の炭
素数６の環または２〜３の縮合もしくは結合環を持つ環
系であって、前記環系は炭素数６〜３４であり、Ｒa お
よびＲb の少なくとも一方が炭素数４〜２０の第三アル
キルで置換されていることを条件とする）を持つスルホ
ンアミド。 （態様３５）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの炭素数４〜２０の第三
アルキルにより置換されている（但し、電子吸引性基の
数は、ｔ−アルキルの数と等しいか、もしくは少ない）
態様３４に記載のスルホンアミド。 （態様３６）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、二種
類のｔ−ブチル置換基と、ＮＯ2 、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ
（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数
１〜８のアルコキシからなる群より選ばれる三番目の置
換基とを持つフェニルである態様３４に記載のスルホン
アミド。 （態様３７）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次
式：
およびＬ2 は、それぞれ独立して、直接結合または炭素
数１〜２０の二価のアルキルもしくはフルオロアルキ
ル；Ｒa およびＲb は、それぞれ、核として、単一の炭
素数６の環または２〜３の縮合もしくは結合環を持つ環
系であって、前記環系は炭素数６〜３４であり、Ｒa お
よびＲb の少なくとも一方が炭素数４〜２０の第三アル
キルで置換されていることを条件とする）を持つスルホ
ンアミド。 （態様３５）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つ
の電子吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb
のもう一方が、少なくとも一つの炭素数４〜２０の第三
アルキルにより置換されている（但し、電子吸引性基の
数は、ｔ−アルキルの数と等しいか、もしくは少ない）
態様３４に記載のスルホンアミド。 （態様３６）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、二種
類のｔ−ブチル置換基と、ＮＯ2 、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ
（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数
１〜８のアルコキシからなる群より選ばれる三番目の置
換基とを持つフェニルである態様３４に記載のスルホン
アミド。 （態様３７）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次
式：
【０２５９】
【化９２】
【０２６０】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ル）である態様３４に記載のスルホンアミド。 （態様３８）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
ル）である態様３４に記載のスルホンアミド。 （態様３８）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
【０２６１】
【化９３】
【０２６２】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ルであり；そしてＲが、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数１〜８のア
ルコキシからなる群より選ばれる）を含む態様３４に記
載のスルホンアミド。 （態様３９）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
ルであり；そしてＲが、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）
2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数１〜８のア
ルコキシからなる群より選ばれる）を含む態様３４に記
載のスルホンアミド。 （態様３９）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の
部分：
【０２６３】
【化９４】
【０２６４】（式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキ
ル）を含む態様３４に記載のスルホンアミド。
ル）を含む態様３４に記載のスルホンアミド。
【０２６５】
【発明の効果】本発明は、好ましい帯電特性を提供す
る、スルホンアミド電荷制御剤、並びに電子写真現像剤
およびトナー並びに使用方法を提供する。このスルホン
アミド電荷制御剤は、一般構造：
る、スルホンアミド電荷制御剤、並びに電子写真現像剤
およびトナー並びに使用方法を提供する。このスルホン
アミド電荷制御剤は、一般構造：
【０２６６】
【化９５】
【０２６７】およびそれらの金属塩を持つスルホンアミ
ド類からなる群より選ばれる。Ｔ1は、Ｈ、炭素数１〜
２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキル、並
びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を持つ芳
香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群より独立
して選ばれる。Ｒ1 は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ5 、も
しくはＮ−Ｌ−Ｒ5 であり、（ここで、Ｌは、
ド類からなる群より選ばれる。Ｔ1は、Ｈ、炭素数１〜
２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキル、並
びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を持つ芳
香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群より独立
して選ばれる。Ｒ1 は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ5 、も
しくはＮ−Ｌ−Ｒ5 であり、（ここで、Ｌは、
【０２６８】
【化９６】
【０２６９】から選ばれる結合基であり、Ｒ5 は、炭素
数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキ
ル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を
持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群よ
り独立して選ばれる。Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立
して、直接結合または炭素数１〜２０の二価のアルキル
もしくはフルオロアルキルである。Ｒa およびＲb は、
Ｈ、Ｆ、並びに単一環または２〜３の縮合もしくは結合
環を持つ環系からなる群よりそれぞれ独立して選ばれ、
前記環系は、置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４であ
る。Ｌ1 が直接結合の場合は、Ｒa は環系であり、そし
てＬ2 が直接結合の場合は、Ｒb が環系である。
数１〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキ
ル、並びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を
持つ芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群よ
り独立して選ばれる。Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立
して、直接結合または炭素数１〜２０の二価のアルキル
もしくはフルオロアルキルである。Ｒa およびＲb は、
Ｈ、Ｆ、並びに単一環または２〜３の縮合もしくは結合
環を持つ環系からなる群よりそれぞれ独立して選ばれ、
前記環系は、置換基の炭素を含めて炭素数３〜３４であ
る。Ｌ1 が直接結合の場合は、Ｒa は環系であり、そし
てＬ2 が直接結合の場合は、Ｒb が環系である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター スティーブン アレクサンドロ ビチ アメリカ合衆国，ニューヨーク 14617, ロチェスター，バン ブアヒス アベニュ 324 (72)発明者 スティーブン マーク ボンサー アメリカ合衆国，ニューヨーク 14450, フェアポート，ブロードムーア トレイル 82
Claims (4)
- 【請求項１】 一般構造： 【化１】 およびそれ等の金属塩；［式中、Ｔ1 は、Ｈ、炭素数１
〜２０のアルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキル、
並びに単一環または２〜３の結合もしくは縮合環を持つ
芳香族環系およびヘテロ芳香族環系、からなる群より独
立して選ばれ；Ｒ1 は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ5 、も
しくはＮ−Ｌ−Ｒ5 であり、 （ここで、Ｌは、 【化２】 から選ばれる結合基であり、Ｒ5 は、炭素数１〜２０の
アルキル、炭素数３〜１８のシクロアルキル、並びに単
一環または２〜３の結合もしくは縮合環を持つ芳香族環
系およびヘテロ芳香族環系、からなる群より独立して選
ばれ）Ｌ1 およびＬ2 は、それぞれ独立して、直接結合
または炭素数１〜２０の二価のアルキルもしくはフルオ
ロアルキルであり；そしてＲa およびＲb は、Ｈ、Ｆ、
並びに単一環または２〜３の縮合もしくは結合環を持つ
環系からなる群よりそれぞれ独立して選ばれ、前記環系
は、置換もしくは非置換であり、前記環系は、置換基の
炭素を含めて炭素数３〜３４である；但し、Ｌ1 が直接
結合の場合は、Ｒa は環系であり、そしてＬ2 が直接結
合の場合は、Ｒb が環系である］を持つスルホンアミ
ド。 - 【請求項２】 下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、もしくは
（ｄ）のいずれか一つである請求項１に記載のスルホン
アミドであって； （ａ）一般構造： 【化３】 （式中、Ｍは金属イオンであり、そしてｅはＭの原子価
である）； （ｂ）一般構造： 【化４】 （式中、Ｔ2 は、−Ｈ、−Ｒ5 、もしくは−Ｌ−Ｒ5 で
ある）； （ｃ）一般構造： 【化５】 （式中、Ｒa およびＲb は、ＨおよびＦからなる群より
選ばれるか、もしくはＲ a およびＲb の一方がＨであ
り、Ｒa およびＲb のもう一方は環系である）； （ｄ）一般構造： 【化６】 （式中、Ｒ1 はＯもしくはＳであり；Ｌ1 およびＬ2
は、それぞれ独立して、直接結合または炭素数１〜２０
の二価のアルキルもしくはフルオロアルキルであり；Ｒ
a およびＲb は、それぞれ、単一環または２〜３の縮合
もしくは結合環を持つ環系であって、前記環系は置換基
の炭素を含めて炭素数３〜３４である）；そして、必要
に応じて、下記（i ）〜（vii ）のいずれかであること
を、さらに特徴とする請求項１に記載のスルホンアミ
ド： （i ）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、Ｈ、炭素数
１〜２０のアルキル、ＮＯ2 、ＮＨ2 、ＯＨ、ＣＯＯ
Ｈ、炭素数３〜６のシクロアルキル、ハロ、炭素数２〜
２０のアルキルカルボニルオキシもしくは炭素数２〜２
０のカルボアルコキシ、および炭素数１〜２０のアルコ
キシからなる群より選ばれる部分によって置換されてい
る； （ii）Ｒa およびＲb の一方が、少なくとも一つの電子
吸引性基により置換されており、Ｒa およびＲb のもう
一方が、少なくとも一つの炭素数４〜２０の第三アルキ
ルにより置換されている（但し、電子吸引性基の数は、
ｔ−アルキルの数と等しいか、もしくは少ない）； （iii ）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、炭素数４
〜２０の第三アルキルによって置換されている； （iv）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、二種類のｔ
−ブチル置換基と、ＮＯ2 、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ
3 ）2 、炭素数１〜８のアルキル、および炭素数１〜８
のアルコキシからなる群より選ばれる三番目の置換基と
を持つフェニルである； （v ）Ｒa およびＲb の少な
くとも一方が、次式： 【化７】 （式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキル）である； （vi）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の部分： 【化８】 （式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキル）であり、
そしてもう一方が、同じ一般構造を有するか、または単
一環または２〜３の縮合もしくは結合環を持つ環系であ
り、前記環系は、炭素数６〜１４を有し、そして少なく
とも一つの置換基は、炭素数１〜２０のアルキル、ＮＯ
2 、ＮＨ 2 、ＯＨ、ＣＯＯＨ、炭素数３〜６のシクロア
ルキル、ハロ、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルオ
キシ、もしくは炭素数２〜２０のカルボアルコキシ、お
よび炭素数１〜２０のアルコキシからなる群より選ばれ
る； （vii ）Ｒa およびＲb の少なくとも一方が、次の部
分： 【化９】 （式中、Ｔは、炭素数４〜８のｔ−アルキルであり；そ
してＲが、ＯＨ、ＮＨ2 、Ｎ（ＣＨ3 ）2 、炭素数１〜
８のアルキル、および炭素数１〜８のアルコキシからな
る群より選ばれる）を含む。 - 【請求項３】 ポリマーバインダーおよび請求項１に記
載のスルホンアミドを含んでなる電子写真現像剤。 - 【請求項４】 キャリア粒子並びにポリマーバインダー
および態様１に規定されるスルホンアミドを含むトナー
を含んでなる現像剤を用いて静電潜像を生成し、次に前
記像を適当な基体に転写して、その像をそれに永久的に
貼り付けることを含んでなる潜像を現像する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US171783 | 1993-12-22 | ||
| US08/171,783 US5405727A (en) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | N-(carbonyl, carbonimidoyl, carbonothioyl) sulfonamide charge control agents and toners and developers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07224024A true JPH07224024A (ja) | 1995-08-22 |
Family
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|---|---|---|---|
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5405727A (ja) |
| EP (1) | EP0659738B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07224024A (ja) |
| DE (1) | DE69405527T2 (ja) |
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| DD71015A (ja) * | ||||
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