JPH0722322A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
- Publication number
- JPH0722322A JPH0722322A JP5187097A JP18709793A JPH0722322A JP H0722322 A JPH0722322 A JP H0722322A JP 5187097 A JP5187097 A JP 5187097A JP 18709793 A JP18709793 A JP 18709793A JP H0722322 A JPH0722322 A JP H0722322A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- coils
- reaction chamber
- frequency power
- density
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応室に発生されるプラズマの密度、密度分布
の変更を容易に実現できるプラズマ発生装置を提供す
る。 【構成】反応室３上部にプラズマ発生用コイル１５を複
数設け、該コイルに高周波電力を印加する様にし、複数
のコイルの配置、巻き数、数、高周波電力の印加状態を
適宜変更することで、プラズマの発生密度、密度分布を
変更する。
の変更を容易に実現できるプラズマ発生装置を提供す
る。 【構成】反応室３上部にプラズマ発生用コイル１５を複
数設け、該コイルに高周波電力を印加する様にし、複数
のコイルの配置、巻き数、数、高周波電力の印加状態を
適宜変更することで、プラズマの発生密度、密度分布を
変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等プラ
ズマを利用してウェーハ、ガラス基板等の被処理物を処
理する装置に於けるプラズマ発生装置に関するものであ
る。
ズマを利用してウェーハ、ガラス基板等の被処理物を処
理する装置に於けるプラズマ発生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７、図８により従来のプラズマ発生装
置を説明する。
置を説明する。
【０００３】真空容器１の上部に石英等の絶縁物材料か
らなる筒２を設け、該筒２と前記真空容器１とで真空気
密構造の反応室３を形成し、該反応室３には排気管６を
介して真空ポンプ４を接続すると共にガス導入管５を接
続する。前記排気管６の途中には可変コンダクタンスバ
ルブ７が設けられている。前記反応室３には被処理物載
置台１６が設けられ、該被処理物載置台１６に被処理物
８が載置される様になっている。前記筒２の周囲にはプ
ラズマ発生コイル９が設けられる。
らなる筒２を設け、該筒２と前記真空容器１とで真空気
密構造の反応室３を形成し、該反応室３には排気管６を
介して真空ポンプ４を接続すると共にガス導入管５を接
続する。前記排気管６の途中には可変コンダクタンスバ
ルブ７が設けられている。前記反応室３には被処理物載
置台１６が設けられ、該被処理物載置台１６に被処理物
８が載置される様になっている。前記筒２の周囲にはプ
ラズマ発生コイル９が設けられる。
【０００４】該プラズマ発生コイル９の一端は接地さ
れ、該プラズマ発生コイル９の他端には整合器１０を介
して高周波電源１１が接続されている。
れ、該プラズマ発生コイル９の他端には整合器１０を介
して高周波電源１１が接続されている。
【０００５】前記反応室３を前記真空ポンプ４で排気し
て減圧状態とし、減圧状態となった反応室３に前記ガス
導入管５より反応ガスを導入する。前記反応室３の圧力
は、排気管６の途中に設置された可変コンダクタンスバ
ルブ７によって設定した圧力に保持される。
て減圧状態とし、減圧状態となった反応室３に前記ガス
導入管５より反応ガスを導入する。前記反応室３の圧力
は、排気管６の途中に設置された可変コンダクタンスバ
ルブ７によって設定した圧力に保持される。
【０００６】前記プラズマ発生コイル９に高周波電源１
１が出力する高周波電力を前記整合器１０を介して印加
すると、プラズマ発生コイル９が発する電磁波により反
応室３にプラズマ１２が生成される。このプラズマ１２
により、被処理物載置台１６上の被処理物８が処理され
る。
１が出力する高周波電力を前記整合器１０を介して印加
すると、プラズマ発生コイル９が発する電磁波により反
応室３にプラズマ１２が生成される。このプラズマ１２
により、被処理物載置台１６上の被処理物８が処理され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】プラズマの発生状態、
即ちプラズマ密度、プラズマ密度分布はプラズマ処理状
態に大きく影響する。この為、処理状況に応じてプラズ
マ発生状態を変更できることが好ましいが、上記した従
来のプラズマ発生装置ではプラズマ発生用のコイルが１
つであった為反応室内部に発生されたプラズマの密度、
密度分布を変更することが困難であるという問題があっ
た。
即ちプラズマ密度、プラズマ密度分布はプラズマ処理状
態に大きく影響する。この為、処理状況に応じてプラズ
マ発生状態を変更できることが好ましいが、上記した従
来のプラズマ発生装置ではプラズマ発生用のコイルが１
つであった為反応室内部に発生されたプラズマの密度、
密度分布を変更することが困難であるという問題があっ
た。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、反応室に発生
されるプラズマの密度、密度分布の変更を容易に実現で
きるプラズマ発生装置を提供しようとするものである。
されるプラズマの密度、密度分布の変更を容易に実現で
きるプラズマ発生装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室上部に
プラズマ発生用コイルを複数設け、該コイルに高周波電
力を印加する様構成したことを特徴とするものである。
プラズマ発生用コイルを複数設け、該コイルに高周波電
力を印加する様構成したことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】複数のコイルの発生する電磁波の状態でプラズ
マの発生状態が決定され、従って複数のコイルの配置、
巻き数、数、高周波電力の印加状態を適宜変更すること
で、プラズマの発生密度、密度分布を変更することがで
きる。
マの発生状態が決定され、従って複数のコイルの配置、
巻き数、数、高周波電力の印加状態を適宜変更すること
で、プラズマの発生密度、密度分布を変更することがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】図１、図２中、図７、図８中で示したもの
と同様の構成要素については同符号を付してある。
と同様の構成要素については同符号を付してある。
【００１３】真空容器１の上面に石英等の絶縁物材料の
天井板１３を設け、真空気密構造の反応室３を形成し、
該反応室３には排気管６を介して真空ポンプ４を接続す
ると共にガス導入管５を接続する。前記排気管６の途中
には可変コンダクタンスバルブ７が設置されている。前
記反応室３内部には被処理物載置台１６が設けられ、該
被処理物載置台１６に被処理物８が載置される様になっ
ている。
天井板１３を設け、真空気密構造の反応室３を形成し、
該反応室３には排気管６を介して真空ポンプ４を接続す
ると共にガス導入管５を接続する。前記排気管６の途中
には可変コンダクタンスバルブ７が設置されている。前
記反応室３内部には被処理物載置台１６が設けられ、該
被処理物載置台１６に被処理物８が載置される様になっ
ている。
【００１４】前記天井板１３の上面に所要数のボビン１
４を立設する。本実施例では５本のボビン１４を中心と
同心円上の４等分位置に立設してある。各ボビン１４に
導線を巻付けコイル１５を設ける。該コイル１５を巻き
方向が同一となる様直列に接続し、接続されたコイル群
の一端を接地し、他端に整合器１０を介して高周波電源
１１を接続する。
４を立設する。本実施例では５本のボビン１４を中心と
同心円上の４等分位置に立設してある。各ボビン１４に
導線を巻付けコイル１５を設ける。該コイル１５を巻き
方向が同一となる様直列に接続し、接続されたコイル群
の一端を接地し、他端に整合器１０を介して高周波電源
１１を接続する。
【００１５】前記反応室３を前記真空ポンプ４で排気し
て減圧状態とし、減圧状態となった反応室３に前記ガス
導入管５より反応ガスを導入する。前記反応室３の内部
の圧力は、排気管６の途中に設置された可変コンダクタ
ンスバルブ７によって設定した圧力に保持する。
て減圧状態とし、減圧状態となった反応室３に前記ガス
導入管５より反応ガスを導入する。前記反応室３の内部
の圧力は、排気管６の途中に設置された可変コンダクタ
ンスバルブ７によって設定した圧力に保持する。
【００１６】前記直列に接続された複数のコイル１５に
高周波電源１１が出力する高周波電力を前記整合器１０
を介して印加すると、コイル１５が発する電磁波により
反応室３にプラズマ１２が生成される。このプラズマ１
２により、被処理物載置台１６上の被処理物８が処理さ
れる。
高周波電源１１が出力する高周波電力を前記整合器１０
を介して印加すると、コイル１５が発する電磁波により
反応室３にプラズマ１２が生成される。このプラズマ１
２により、被処理物載置台１６上の被処理物８が処理さ
れる。
【００１７】プラズマ発生用のコイル１５を複数設けた
ことで、種々の変更を行うことができる。
ことで、種々の変更を行うことができる。
【００１８】図３はコイル１５の巻き方向が異なる様に
接続したものであり、中央のコイル１５の向きを逆に
し、コイル群に高周波電力を印加した場合に交番磁界の
向きが中央部と周辺部で逆向きになる様にしたものであ
る。又、図４は各コイル１５の巻き数を一律に増加させ
た場合のコイル構成を示し、プラズマ密度の変更を図っ
たものである。又、図５はコイル１５の設ける位置を全
て天井板１３の周辺に限定したものであり、更に又図６
は位置に応じてコイルの巻き数を変更したものであり、
いずれの場合もプラズマ密度を変更することができる。
同様に、コイルの数を増減することでもプラズマ密度を
変更することができる。
接続したものであり、中央のコイル１５の向きを逆に
し、コイル群に高周波電力を印加した場合に交番磁界の
向きが中央部と周辺部で逆向きになる様にしたものであ
る。又、図４は各コイル１５の巻き数を一律に増加させ
た場合のコイル構成を示し、プラズマ密度の変更を図っ
たものである。又、図５はコイル１５の設ける位置を全
て天井板１３の周辺に限定したものであり、更に又図６
は位置に応じてコイルの巻き数を変更したものであり、
いずれの場合もプラズマ密度を変更することができる。
同様に、コイルの数を増減することでもプラズマ密度を
変更することができる。
【００１９】尚、上記実施例ではコイルを直列に接続し
たが並列に接続してもよいことは言う迄もない。
たが並列に接続してもよいことは言う迄もない。
【００２０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、プラズ
マの密度及びプラズマの密度分布の変更を、複数のコイ
ルのそれぞれの巻き数及びコイルの配置、或はコイルの
数を変更することにより容易に実現できる。
マの密度及びプラズマの密度分布の変更を、複数のコイ
ルのそれぞれの巻き数及びコイルの配置、或はコイルの
数を変更することにより容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の斜視図である。
【図２】同前実施例の断面図である。
【図３】コイルの接続方法を変えた他の実施例の斜視図
である。
である。
【図４】コイル巻き数を変えた他の実施例の斜視図であ
る。
る。
【図５】コイルの配置を変えた他の実施例の斜視図であ
る。
る。
【図６】複数のコイルの内の一つのコイルの巻き数を変
えた他の実施例の斜視図である。
えた他の実施例の斜視図である。
【図７】プラズマ発生装置の従来例の斜視図である。
【図８】同前従来例の断面図である。
１ 真空容器 ４ 真空ポンプ １１ 高周波電源 １２ プラズマ １３ 天井板 １４ ボビン １５ コイル
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室上部にプラズマ発生用コイルを複
数設け、該コイルに高周波電力を印加する様構成したこ
とを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 複数のコイル内の所要数のコイル巻き数
を異ならせた請求項１のプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 コイルの数を変更することでプラズマの
発生状態を可変とした請求項１のプラズマ発生装置。 - 【請求項４】 複数のコイルの配置を変更することでプ
ラズマの発生状態を可変とした請求項１のプラズマ発生
装置。 - 【請求項５】 複数のコイルへの高周波電力の印加方法
を変更することでプラズマの発生状態を可変とした請求
項１のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187097A JPH0722322A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187097A JPH0722322A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722322A true JPH0722322A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16200058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187097A Pending JPH0722322A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1092598A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-04-10 | Applied Materials Inc | 上部にソレノイドアンテナを有する電磁結合ｒｆプラズマリアクター |
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
| JP2008181747A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ発生方法及び装置 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5187097A patent/JPH0722322A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
| JP4654176B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-16 | 住友精密工業株式会社 | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| JP2011054993A (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| JPH1092598A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-04-10 | Applied Materials Inc | 上部にソレノイドアンテナを有する電磁結合ｒｆプラズマリアクター |
| JP2008181747A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ発生方法及び装置 |
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Legal Events
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