JPH07221346A - エレクトロルミネッセント材料、半導体エレクトロルミネッセント装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

エレクトロルミネッセント材料、半導体エレクトロルミネッセント装置及びそれらの製造方法

Info

Publication number
JPH07221346A
JPH07221346A JP27969094A JP27969094A JPH07221346A JP H07221346 A JPH07221346 A JP H07221346A JP 27969094 A JP27969094 A JP 27969094A JP 27969094 A JP27969094 A JP 27969094A JP H07221346 A JPH07221346 A JP H07221346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
silicon
mixture
forming
doping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP27969094A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3477855B2 (ja
Inventor
Salvatore Ugo Campisano
ユーゴ カンピサーノ サルバトーレ
Salvatore Lombardo
ロンバルド サルバトーレ
Giuseppe Ferla
フェルラ ジュセッペ
Albert Polman
ポルマン アルベルト
Den Hoven Gerard N Van
ニコラース ファン デン ホーベン ジェルラス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
Original Assignee
CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno filed Critical CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
Publication of JPH07221346A publication Critical patent/JPH07221346A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3477855B2 publication Critical patent/JP3477855B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L33/343—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的はエレクトロルミネッセント材
料をベースとするシリコン、従来技術で生じていた問題
点を解決する半導体装置を提供することである。 【構成】 エレクトロルミネッセント材料及び半導体エ
レクトロルミネッセント装置は室温発光するように希土
類元素イオンがドーピングされた酸化シリコンの混合に
よって形成される混合物層（３）を含む。エレクトロル
ミネッセントは希土類元素イオンによるものである。元
素周期表のＶ族又はIII 族をもつインプレントはＰＮ接
合（３，４）に付与する。得られる構成は４００〜１１
００℃のレンジで熱処理を条件とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロルミネッセン
ト材料、半導体エレクトロルミネッセント装置及びそれ
らの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、シリコンの間接禁止帯が
有効な光電子放出を実現できないのでエレクトロルミネ
ッセント装置の製造のためにシリコンを使用することが
制限されている。エルビウムイオンを持つシリコンの不
純物は液体窒素沸点（７７°Ｋ）近くの低い温度でのみ
強烈な発光をもたらす結果となる。更に、エルビウムを
もつ酸化シリコンの不純物は室温で光電子放出を実現で
きることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エルビ
ウムがドーピングされた酸化シリコンを用いて、酸化シ
リコンの絶縁特性によるキャリアー伝送（電子発光）に
よってなされる発光を観測できない。
【０００４】次に、エルビウムがドーピングされた単一
のクリスタルシリコンにおける発光効果の詳細な解析
は、この材料の光電子の応用がチョクラルスキー法又は
フラットゾーン技術によって増大されるシリコンでのエ
ルビウムの小さなソリッド溶解によって厳しく制限され
ることが示す。
【０００５】現在、エレクトロルミネッセント装置は通
常例えばＧａＡｓやそれに類似したものである複合半導
体の使用で製造される。しかし、これらの材料の技術的
な工程は中間温度で熱工程における化学量論の低下を設
定する構成の１つの外散乱によってそれぞれ限定され
る。
【０００６】更に、混合半導体構造の価格はシリコンウ
ェハの価格よりかなり高く、実際の構成物はサイズがシ
リコンウェハの直径、一般に２００ｍｍに達するウェハ
を供給することができない。そのような制限は単一の工
程で製造される少ない数の装置を意味するし、各装置は
まだ高価である。
【０００７】本発明の目的はエレクトロルミネッセント
材料をベースにするシリコン、従来技術で生じていた問
題点を解決する半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、特許請求の範囲第１項に定義されたエレクトロルミ
ネッセント材料と特許請求の範囲第６項に定義された半
導体エレクトロルミネッセント装置を提供する。
【０００９】本発明の物質はシリコンとキャリア伝送に
十分大きい導電性を有する酸化シリコンの混合であり、
希土類元素をドーピングされ得、発光を実現する熱処理
を扱えられ得る。この物質は室温発光を示す多くの希土
類元素イオンを酸化シリコンの半導体としてシリコンの
有効性を組み入れる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１はチップに集積さらた半導体エレクトロルミ
ネッセント装置１の断面図である。装置１はＮ型シリコ
ン基板２、Ｎ型層３（エルビウムがドーピングされてい
る）及びＰ型層４（ホウ素がドーピングされている）に
よって形成されたスタックから構成される。接点５，６
は各々基板２及びＰ型層４によって形成された表面７，
８上に蒸着される。
【００１１】層３，４はシリコンの混合と酸化シリコン
から形成される単一の混合材料層から得られ、酸素の容
量は１〜６５原子％の間で変化する。ＳＩＰＯＳ（セミ
集積多結晶シリコン）と呼ばれる混合材料が既に化学表
面工程、例えば電源装置の電解板を製造するために使用
されるが、希土類元素イオンでドーピングされるときに
光電子応用を提案できない。そして層３，４はＳＩＰＯ
Ｓのような所望のドーピングによって得られる。特に層
３はエルビウムで混合されて材料のような不純物によっ
て得られ、層４はホウ素での不純物によって得られる。
【００１２】図１の構成を製造するための工程の可能な
シーケンスを以下に説明する。はじめに、Ｎ型及び任意
の方位のシリコンが化学蒸着沈殿システム（図示せず）
でもたらされる。ウェハの温度は５５０−７００℃で蒸
着を得るために適切な値に上昇させ、そしてウェハはシ
リコンの沈殿と酸化シリコン（例えばSiH4とN2O ）を実
現できるガスの流れにさらされる。ガスの流れの率は量
流れ制御器によって制御され、好ましくは酸素の容量が
１〜６５原子％に変化する層を得るために任意の方法で
調整される。
【００１３】蒸着後、層の構成を安定化するためにウェ
ハは中間温度で熱的に処理される。そして、ウェハはイ
オンアイソレータでもたらされ、１×１０14〜１×１０
16イオン／ｃｍ2 で適量に分けるためにエルビウムイオ
ンでインプラントされる。試験で使用されるインプラン
トエネルギーは５００ＫｅＶ、所定の集中プロフィール
を得るために変えられる。また他のエルビウム適量は使
用される。
【００１４】ウェハはＰＮ接合を得るために低エネルギ
ーホウ素イオン（約３０ＫｅＶ）でインプラントされ
る。よって、ウェハは放射ダメージを減少するためにか
つもたらされる不純物を活性化するために所定の温度
（４００〜１１００℃）というきびしい環境でもたらさ
れる。層３，４は図１で２点鎖線で示す不純物集中プロ
フィール構成を有し形成される。そしてウェハは接点
５，６などを得るために接点蒸着の他の製造工程を条件
とする。
【００１５】図２は本発明の他の実施例の装置を示し、
装置１１はＰ型シリコン基板１２、Ｐ型層１３、Ｎ型層
１４及び表面１７，１８上の接点１５，１６を含む。装
置１１の製造工程は前述した工程と類似している。基板
１２はＰ型であり、ホウ素インプラントは、基板の近く
にホウ素を配置するために高いエネルギーで作られ、エ
ルビウムインプラントは基板１８をふさぐＮ型層１４を
形成するために低いエネルギーで作られる。
【００１６】図３において、装置２１はシリコン基板２
２、基板２２上の酸化シリコン層２３、酸化シリコン層
２３上のＮ型層２４、層２４の上部の面、装置の表面２
６と共に形成する上部面を除かれた層２４に埋められた
Ｐ型層２５、及び各々層２３，２４に接点２７，２８を
含む。装置２１の製造工程は装置１の製造するための工
程と異なり、ＳＩＰＯＳ材料は絶縁基板（層２３又は絶
縁材料の他の層を含む）に蒸着され、ホウ素インプラン
トは層２５の領域を制限するマスクを介して実施され、
両接点は各々層２４，２５を接触するために同じ装置の
表面（表面２６）上に形成される。
【００１７】図４において、混合物質層は図１〜３の層
と異なり、特に装置３１はシリコン基板３２と大変薄い
層のスタックによって形成された多層３３を含み、酸化
又はＳＩＰＯＳ層３４及びシリコン層３５を含む。例え
ば層３４，３５は約１００Åの厚さである。多層３３は
装置１，１１又は２１の混合物質層に等しく、そのよう
な装置に前述にドーピングされ、上部表面３８又は装置
の上部と底部の表面３８，３９上の接点３６，３７を有
する。
【００１８】もちろん、前述されたインプラント工程は
その工程の後の代わりに物質を安定するために要求され
た熱処理前になされることで説明されることから前述の
製造方法が変えられ、インプラント工程は前もって行わ
れるウェハ上になされ、情着された混合された物質層は
１〜６５原子％のレンジの酸素容量を有する。
【００１９】エルビウムでドーピングされたＳＩＰＯＳ
物質の発光は図５に示される構成（４１で示される）で
あるサンプルで３００°Ｋ以上の温度で見られる。２点
鎖線で示されるエルビウム集中プロフィールを有する層
を得るために、その構成は単一のクリスタルシリコン基
板４２とエルビウムでドーピングされたＳＩＰＯＳ層４
３を含む。
【００２０】試験で、サンプル４１は２Ｗアルゴンレー
ザによって放射される緑色の光りで発光され、その発光
はモノクロメータ及びＩＲ検出器を介して見える。放射
された発光スペクトラムが異なる平均酸素容量における
図６に示されている。特に、曲線Ａは単一クリスタルシ
リコンサンプル（層４３がない）にエルビウムでドーピ
ングすることによって得られる基準サンプルに関し、曲
線Ｂは図５の構成を有するサンプルによって得られ、層
４３の酸素容量が４原子％であり、曲線Ｃは１１原子％
の酸素容量を有するサンプルに関し、曲線Ｄは２７原子
％の酸素容量を有するサンプルに関し、曲線Ｅは酸化シ
リコンによってのみ形成される層４３であるサンプルに
関する特性である。単一クリスタルシリコン層（曲線
Ａ）のエルビウムのドーピングがあきらかに室温で発光
しないが１．５３５μｍでピークがＳＩＰＯＳフィルム
で酸素容量を持つ直線的以上に上昇する。
【００２１】また、ルミネッセンスＬはレーザポンプ波
長の変数として測定され、その結果は２つの異なる焼き
なます温度で図７に示される。ポンプレーザ波長での発
光の不十分な依存が明らかな表示であり、発光はポンプ
レーザによって注入される電子キャリアによってなされ
る。
【００２２】エレクトロルミネッセント測定は図１に示
された装置１を使用してなされる。ＳＩＰＯＳ層の厚み
（層３，４の厚みの合計に等しい）は約０．２５μｍで
あった。試験からの結果である電流／電圧特性は２つの
異なる温度別に図８に示される。明らかなように、測定
された特性はバイポーラ導電メカニズムを示すダイオー
ド作用を示す。同様に、ダイオード特性はＡｓ／Ｂ及び
Ｐ／Ｂを持つドーピングされたＳＩＰＯＳ物質によって
得られる。
【００２３】エレクトロルミネッセント試験において、
装置はジュール熱によってなされるエネルギーを移動す
るために熱シンク、またダイオードをバイアスするため
の電源の付加をもつ発光試験として説明したことに類似
するエレクトロルミネッセント測定装置でもたらされ
る。
【００２４】図９は８．６ｍＡ（曲線Ｆ）の測定電流に
おける室温で得られる発光される赤外線のスペクトラム
を示す。
【００２５】示された光／エレクトロルミネッセントは
次に説明するが、電子／ホールの組は入射光（発光）又
はバイアスされたダイオード（エレクトロルミネッセン
ト）での注入のいずれかによってシリコンに注入され
る。電子／ホール組はＥｒ3+のイントラ４ｆ変位をなす
ことを再構成し、そして約１．５４μｍ波長で発光す
る。
【００２６】シリコン／エルビウム及び／又は物質の導
電率を変化するための他の不純物（希土類元素）でドー
ピングされた酸化シリコンの混合された物質が激しく室
温で赤外線で光及びエレクトロルミネッセントを得るこ
とができる。得られる前述した物質又は接合装置は光電
子がハイブリッドで又は集積回路で構成するように使用
され得る。 当業者であれば発明の変化が物質、装置及
び製造方法をなすことができるであろう。特に、それは
エルビウムを用いての混合物質をドーピングすることの
代わりであり、他の希土類元素でドーピングすることや
異なる波長での発光を得ることができる。ＰＮ接合を得
るために求められるドーピング工程のシーケンスは前述
の説明で発明され得る。すでに示したように、混合物質
はシリコン及び酸化シリコンの思いつきの混合として形
成されるか又はシリコン及び酸化シリコンの薄膜フィル
ムの規則的なスタック又はシリコン及びＳＩＰＯＳとし
て形成される。酸素の容量は混合物質（例えば物質又は
化学蒸着によって、又はイオンインプラント又は他の同
類の技術）を蒸着するための技術同様に変化する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るエレクトロルミネッセント材料の
断面図である。
【図２】本発明に係る別のエレクトロルミネッセント材
料の断面図である。
【図３】本発明に係る別のエレクトロルミネッセント材
料の断面図である。
【図４】本発明に係る別のエレクトロルミネッセント材
料の断面図である。
【図５】本発明におけるエレクトロルミネッセント材料
によって形成されるサンプルの断面図である。
【図６】光とエレクトロルミネッセントの試験から得ら
れる特性を示す特性図である。
【図７】光とエレクトロルミネッセントの試験から得ら
れる特性を示す特性図である。
【図８】光とエレクトロルミネッセントの試験から得ら
れる特性を示す特性図である。
【図９】光とエレクトロルミネッセントの試験から得ら
れる特性を示す特性図である。
【符号の説明】
１ 半導体エレクトロルミネッセント装置 ２ Ｎ型シリコン基板 ３ Ｎ型層 ４ Ｐ型層 ６ 接点 ７，８ 表面 ４３ 混合物
フロントページの続き (72)発明者 サルバトーレ ユーゴ カンピサーノ イタリー国， 95125 カターニャ， ビ ア エフ．ツァングリ 28番地 (72)発明者 サルバトーレ ロンバルド イタリー国， 95128 カターニャ， ビ ア ブイ．ジュッフリダ 203ビー番地 (72)発明者 ジュセッペ フェルラ イタリー国， 95100 カターニャ ビア アシ キャステロ 12番地 (72)発明者 アルベルト ポルマン オランダ国， 1092 エーピー アムステ ルダム オステルパルク 50−ラ番地 (72)発明者 ジェルラス ニコラース ファン デン ホーベン オランダ国， 6717 ビーエス エデ フ ューベ マンデルブールトベック 240番 地

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリコンと希土類元素イオンでドーピン
    グされた酸化シリコンの混合によって形成される混合物
    （４３）を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセ
    ント材料。
  2. 【請求項２】 前記希土類元素イオンはエルビウムイオ
    ンである請求項１に記載のエレクトロルミネッセント材
    料。
  3. 【請求項３】 前記混合物の酸素容量は１〜６５原子％
    レンジである請求項１に記載のエレクトロルミネッセン
    ト材料。
  4. 【請求項４】 シリコンと酸化シリコンの前記混合は互
    いにシリコンと酸化シリコンのスタックされた薄い層
    （３４，３５）からなる請求項１〜３のいずれか１項に
    記載のエレクトロルミネッセント材料。
  5. 【請求項５】 シリコンと前記混合との互いにスタック
    された薄い層（３４，３５）からなる請求項１〜３のい
    ずれか１項に記載のエレクトロルミネッセント材料。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の前
    記エレクトロルミネッセント材料の第１の層（３，１
    ４，２４）によって形成されるＰＮ接合を含み、シリコ
    ン及び元素周期表のＶ族又はIII 族の不純物でドーピン
    グされる酸化シリコンによって形成される混合物の少な
    くとも１つの第２の層（４，１３，２５）を含む半導体
    エレクトロルミネッセント装置。
  7. 【請求項７】 前記希土類元素イオンはエルビウムイオ
    ンである請求項６に記載の半導体エレクトロルミネッセ
    ント装置。
  8. 【請求項８】 前記不純物はホウ素イオンである請求項
    ６又は７に記載の半導体エレクトロルミネッセント装
    置。
  9. 【請求項９】 前記第１の層（３）は第１の導電型を有
    し、前記第１の導電型を有するシリコン基板（２）の上
    に配列され、前記第２の層（４）は第２の導電型を有
    し、前記第１の層の上に配列され、前記装置は前記基板
    及び前記第２の層を持つ導電構成（５，６）を含む請求
    項６〜８のいずれか１項に記載の半導体エレクトロルミ
    ネッセント装置。
  10. 【請求項１０】 前記第２の層（１３）は第１の導電型
    を有し、前記第１の導電型を有するシリコン基板（１
    ２）の上に配列され、前記第２の層（１４）は第２の導
    電型を有し、前記第２の層の上に配列され、前記装置は
    前記基板及び前記第１の層を持つ導電構成（１５，１
    ６）を含む請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体
    エレクトロルミネッセント装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１及び第２の層（２４，２５）
    はシリコン基板（２２）上に配列された逆に絶縁層（２
    ３）の上に配列され、前記第１及び第２の層の１つ（２
    ５）は前記第１及び第２の層の他（２４）によって側面
    的に及び下方面的に囲まれ、第１及び第２の層は装置の
    主な表面（２６）を形成し、接点構成（２７，２８）は
    前記第１及び第２の層を有する電子接点に前記装置の主
    な表面上に形成される請求項６〜８のいずれか１項に記
    載の半導体エレクトロルミネッセント装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の
    エレクトロルミネッセント材料を製造する方法であっ
    て、 基板（３２，４２）上にシリコン及び酸化シリコンの混
    合を含む混合物層（３３，４３）を形成する工程と、 前記混合物層に希土類元素イオンをドーピングする工程
    とを含むことを特徴とする製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記希土類元素イオンがエルビウムイ
    オンである請求項１２に記載の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記混合物を安定化するために熱処理
    を行う工程をさらに含む請求項１２又は１３に記載の製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 化学又は物質蒸着によって、又はシリ
    コン及び酸化シリコンのイオンインプラントを構成する
    混合物層を形成する工程をさらに含む請求項１２〜１４
    のいずれか１項に記載の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記混合物層を形成する工程は薄いシ
    リコン層（３５）逆に覆う薄い酸化シリコン層（３４）
    のスタックを蒸着する工程を含む請求項１２〜１４のい
    ずれか１項に記載の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項５に記載のエレクトロルミネッ
    セント材料を製造する方法であって、 基板（３２，４２）上で、薄いシリコン層（３５）とシ
    リコンと酸化シリコンを含む薄い混合物層（３４）を蒸
    着する工程と、 希土類元素イオンで前記薄いシリコンと薄い混合物層を
    ドーピングする工程を含む製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項６〜１１のいずれか１項に記載
    の半導体エレクトロルミネッセント装置を製造する方法
    であって、 基板（３２，４２）上でシリコンと酸化シリコンの混合
    物を含む薄い混合物層（３３，３４）を形成する工程
    と、 希土類元素イオン及び元素周期表のＶ又はIII 族の不純
    物で前記混合物層をドーピングすることによって前記混
    合物層（３３，３４）にＰＮ接合を形成する工程とを含
    むことを特徴とする製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記ＰＮ接合を形成する工程が第１及
    び第２のドーピング工程からなり、該第１のドーピング
    工程が前記第２のドーピング工程より高いエネルギーで
    実施される請求項１８に記載の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１のドーピング工程が前記混合
    物層を希土類元素イオンでドーピングすることであり、
    前記第２のドーピング工程が元素周期表のＶ又はIII 族
    の不純物で前記混合物層をドーピングすることである請
    求項１９に記載の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記第１のドーピング工程が元素周期
    表のＶ又はIII 族の不純物で前記混合物層をドーピング
    することであり、前記第２のドーピング工程が前記混合
    物層を希土類元素イオンでドーピングすることである請
    求項１９に記載の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記基板（２，１２）は第１の導電型
    を有し、ＰＮ接合を形成する工程は前記基板上に前記第
    １の導電型の第１の層（３，１３）と前記第１の層上に
    第２の導電型の第２の層（４，１４）とを形成する工程
    を含み、更に前記基板及び前記第２の層で直接電気的接
    点で前記装置（１，１１）の反対の表面（７，８；１
    ７，１８）上に接点（５，６；１５，１６）を形成する
    工程を含む請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の製
    造方法。
  23. 【請求項２３】 前記基板（２２）と前記混合物層（２
    ４，２５）の間の絶縁層（２３）を形成する工程を含
    み、前記ＰＮ接合を形成する工程は装置の主な表面（２
    ６）を定めるための前記第１の層の表面と共に一列にな
    る前記第２の層の表面と共に前記第１の層に第２の層
    （２５）を形成し前記絶縁層上の第１の層（２４）を形
    成する工程を含む、更に前記第１及び第２の層で電気的
    接点で前記装置広い表面（２６）に接点（２７，２８）
    を形成する工程を含む請求項１８〜２１のいずれか１項
    に記載の製造方法。
JP27969094A 1993-10-20 1994-10-20 固体エレクトロルミネッセント装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3477855B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT93830421.9 1993-10-20
EP93830421A EP0650200B1 (en) 1993-10-20 1993-10-20 Solid state electro-luminescent device and process for fabrication thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07221346A true JPH07221346A (ja) 1995-08-18
JP3477855B2 JP3477855B2 (ja) 2003-12-10

Family

ID=8215234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27969094A Expired - Fee Related JP3477855B2 (ja) 1993-10-20 1994-10-20 固体エレクトロルミネッセント装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5580663A (ja)
EP (1) EP0650200B1 (ja)
JP (1) JP3477855B2 (ja)
DE (1) DE69323884T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332490A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Sony Corp 発光素子及び発光装置
JP2012084331A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sharp Corp 発光装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377716B1 (ko) * 1998-02-25 2003-03-26 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 광학적 방사를 위해 희토류 원소로 도핑된 실리콘 구조체 및 방사방법
US6340826B1 (en) * 1998-03-30 2002-01-22 Agisilaos Iliadis Infra-red light emitting Si-MOSFET
US7655586B1 (en) * 2003-05-29 2010-02-02 Pentron Ceramics, Inc. Dental restorations using nanocrystalline materials and methods of manufacture
US6734453B2 (en) 2000-08-08 2004-05-11 Translucent Photonics, Inc. Devices with optical gain in silicon
KR100384892B1 (ko) * 2000-12-01 2003-05-22 한국전자통신연구원 에르븀이 도핑된 실리콘나노점의 형성 방법
US20040252738A1 (en) * 2003-01-22 2004-12-16 Hill Steven E. Light emitting diodes and planar optical lasers using IV semiconductor nanocrystals
US20040151461A1 (en) * 2003-01-22 2004-08-05 Hill Steven E. Broadband optical pump source for optical amplifiers, planar optical amplifiers, planar optical circuits and planar optical lasers fabricated using group IV semiconductor nanocrystals
US20040214362A1 (en) * 2003-01-22 2004-10-28 Hill Steven E. Doped semiconductor nanocrystal layers and preparation thereof
US7148528B2 (en) * 2003-07-02 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Pinned photodiode structure and method of formation
KR20060079210A (ko) 2003-09-08 2006-07-05 그룹 Iv 세미콘덕터 아이엔씨. 고체 형태 백색 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
JP4529646B2 (ja) * 2004-11-09 2010-08-25 ソニー株式会社 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子
US7320897B2 (en) * 2005-03-23 2008-01-22 Sharp Laboratories Of Amrica, Inc. Electroluminescence device with nanotip diodes
US7553043B2 (en) * 2007-03-06 2009-06-30 Venn Curtiss M Light emitting apparatus for use in a container
CN101950786B (zh) * 2010-09-13 2013-03-27 北京大学 一种硅基发光二极管的制备方法
GB201019725D0 (en) * 2010-11-22 2011-01-05 Univ Surrey Optoelectronic devices

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3527711A (en) * 1963-04-16 1970-09-08 Owens Illinois Inc Process for preparing rare earth doped luminescent silica glass
GB8711373D0 (en) * 1987-05-14 1987-06-17 Secr Defence Electroluminescent silicon device
US5249195A (en) * 1992-06-30 1993-09-28 At&T Bell Laboratories Erbium doped optical devices
US5322813A (en) * 1992-08-31 1994-06-21 International Business Machines Corporation Method of making supersaturated rare earth doped semiconductor layers by chemical vapor deposition
US5363398A (en) * 1993-09-30 1994-11-08 At&T Bell Laboratories Absorption resonant rare earth-doped micro-cavities

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332490A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Sony Corp 発光素子及び発光装置
JP2012084331A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sharp Corp 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5667905A (en) 1997-09-16
DE69323884T2 (de) 1999-07-22
EP0650200A1 (en) 1995-04-26
US5580663A (en) 1996-12-03
JP3477855B2 (ja) 2003-12-10
DE69323884D1 (de) 1999-04-15
EP0650200B1 (en) 1999-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3477855B2 (ja) 固体エレクトロルミネッセント装置及びその製造方法
US4947218A (en) P-N junction diodes in silicon carbide
Hu Properties of amorphous silicon nitride films
JPS58182259A (ja) ポリシリコン抵抗体の形成方法
KR20110089291A (ko) 기판에 다중 도핑된 접합을 형성하는 방법
US4278476A (en) Method of making ion implanted reverse-conducting thyristor
US3940847A (en) Method of fabricating ion implanted znse p-n junction devices
US3326730A (en) Preparing group ii-vi compound semiconductor devices
US20050186435A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
Krutko et al. P-type polycrystalline diamond layers by rapid thermal diffusion of boron
JP2006019426A (ja) 発光素子およびその製造方法
Rao et al. P N junction formation in 6H SiC by acceptor implantation into n-type substrate
US3599059A (en) Ion implanted cadmium sulfide pn junction device
JP2816684B2 (ja) 複数のダイオードの製造方法
US3513363A (en) Thyristor with particular doping
Schroder et al. Silicon‐on‐sapphire with microsecond carrier lifetimes
Eryu et al. Formation of ap‐n junction in silicon carbide by aluminum doping at room temperature using a pulsed laser doping method
JPH03129883A (ja) 半導体ダイオードの製造方法並びに半導体発光ダイオード並びに光電池
US3440497A (en) Semiconductor negative resistance electroluminescent diode
Burger et al. Electrical characterization of epitaxial silicon deposited at low temperatures by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Ventura et al. Shallow-junction formation by rapid thermal diffusion into silicon from doped spin-on glass films
Rudmann et al. Hermetic electrical feedthroughs based on the diffusion of platinum into silicon
Kittler et al. Silicon nanostructures for IR light emitters
RU2488918C1 (ru) Способ создания светоизлучающего элемента
Tucker et al. Material and n–p junction characteristics of As-and Sb-implanted SiC

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030902

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees