JPH07221254A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH07221254A JPH07221254A JP6031841A JP3184194A JPH07221254A JP H07221254 A JPH07221254 A JP H07221254A JP 6031841 A JP6031841 A JP 6031841A JP 3184194 A JP3184194 A JP 3184194A JP H07221254 A JPH07221254 A JP H07221254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- inner lead
- semiconductor device
- lead
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 インナーリード先端部の所定箇所のみにＡｌ
をロスなく且つ生産性高く付け、封止の際に高温度に加
熱されても金属間化合物が生ぜず、ワイヤ−ボンディン
グ部の接続劣化や剥離等がない半導体装置用リードフレ
ームを得る。 【構成】 インナーリード２の先端部にＡｌ片１１をか
しめ、植設又は嵌設で付設したことを特徴とする半導体
装置用リードフレームである。
をロスなく且つ生産性高く付け、封止の際に高温度に加
熱されても金属間化合物が生ぜず、ワイヤ−ボンディン
グ部の接続劣化や剥離等がない半導体装置用リードフレ
ームを得る。 【構成】 インナーリード２の先端部にＡｌ片１１をか
しめ、植設又は嵌設で付設したことを特徴とする半導体
装置用リードフレームである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックパッケージに
好適なリードフレームに関する。
好適なリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ（以下、チップという）は
高集積度化され、また該チップを組み込んだ半導体装置
の実装は高密度となり、小型化が図られている。一方、
半導体装置は信号伝送の高速化を要請されているが、係
る半導体装置は使用時に発生する熱が高くなる。
高集積度化され、また該チップを組み込んだ半導体装置
の実装は高密度となり、小型化が図られている。一方、
半導体装置は信号伝送の高速化を要請されているが、係
る半導体装置は使用時に発生する熱が高くなる。
【０００３】前記熱を放散して温度上昇を抑制すること
は、半導体装置の機能を長期にわたって発揮させ、ま
た、温度上下差に起因するパッケージのクラック防止、
水分の侵入防止、チップの界面剥離防止、ワイヤ−ボン
ディング部の劣化防止等から重要である。
は、半導体装置の機能を長期にわたって発揮させ、ま
た、温度上下差に起因するパッケージのクラック防止、
水分の侵入防止、チップの界面剥離防止、ワイヤ−ボン
ディング部の劣化防止等から重要である。
【０００４】放熱性がよく且つ気密性の優れたパッケー
ジとしてセラミックパッケージが知られている。これは
高価ではあるが高集積化されたＩＣやＬＳＩのパッケー
ジに使用されている。
ジとしてセラミックパッケージが知られている。これは
高価ではあるが高集積化されたＩＣやＬＳＩのパッケー
ジに使用されている。
【０００５】セラミックパッケージは、封止を高温例え
ば５００℃付近に加熱して行われている。該加熱過程で
チップとリードフレームのインナーリード間で金属間化
合物が生成して弊害を生じないように、チップ電極と同
じＡｌ製のボンディングワイヤ−を用い、インナーリー
ドのワイヤ−ボンディング箇所域にはＡｌを蒸着して被
覆している。なお、接続性がよく、金属間化合物を殆ど
生じないＡｕを被覆することもなされているが、これは
コスト高を避け難い。
ば５００℃付近に加熱して行われている。該加熱過程で
チップとリードフレームのインナーリード間で金属間化
合物が生成して弊害を生じないように、チップ電極と同
じＡｌ製のボンディングワイヤ−を用い、インナーリー
ドのワイヤ−ボンディング箇所域にはＡｌを蒸着して被
覆している。なお、接続性がよく、金属間化合物を殆ど
生じないＡｕを被覆することもなされているが、これは
コスト高を避け難い。
【０００６】前記のように同種の金属を接続材及び接続
箇所に用いること、あるいは貴金属を用いることで、高
温に加熱されても金属間化合物が生じない作用効果があ
る。
箇所に用いること、あるいは貴金属を用いることで、高
温に加熱されても金属間化合物が生じない作用効果があ
る。
【０００７】
【この発明が解決しようとする課題】しかし、インナー
リードのワイヤ−ボンディング箇所つまり特定箇所のみ
に、Ａｌを蒸着で被覆させるのは難しくその周辺まで付
きロスがでる、また、蒸着は真空装置内でバッチ的にな
されるから生産性が高くならない問題がある。
リードのワイヤ−ボンディング箇所つまり特定箇所のみ
に、Ａｌを蒸着で被覆させるのは難しくその周辺まで付
きロスがでる、また、蒸着は真空装置内でバッチ的にな
されるから生産性が高くならない問題がある。
【０００８】また、Ａｌめっきも考えられるが、これは
部分めっきするのが至難でインナーリードの先端部のみ
にめっきするのは現時点では不可能である。
部分めっきするのが至難でインナーリードの先端部のみ
にめっきするのは現時点では不可能である。
【０００９】本発明はインナーリードの先端部所定箇所
のみにＡｌを生産性高く設け、封止の際に高温度に加熱
されても金属間化合物が生ぜず、ワイヤ−ボンディング
部の接続劣化や剥離等がない半導体装置用リードフレー
ムを目的とする。
のみにＡｌを生産性高く設け、封止の際に高温度に加熱
されても金属間化合物が生ぜず、ワイヤ−ボンディング
部の接続劣化や剥離等がない半導体装置用リードフレー
ムを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、ボンデ
ィングワイヤ−又はチップと接続されるインナーリード
の先端部に、Ａｌ片を付設した半導体装置用リードフレ
ームにある。また、前記付設がかしめ、植設又は嵌設で
あるところにある。
ィングワイヤ−又はチップと接続されるインナーリード
の先端部に、Ａｌ片を付設した半導体装置用リードフレ
ームにある。また、前記付設がかしめ、植設又は嵌設で
あるところにある。
【００１１】
【作用】本発明はリードフレームのインナーリードの先
端部に、Ａｌ片を、かしめ、植設、嵌設で付設している
ので、所定箇所のみにきっちり付けられロスがない。ま
た、前記付設は機械的に行え生産性が高まる。さらに、
その後のチップとインナーリードを接続するワイヤ−ボ
ンディング、又は直接的接続が接合不良を生じることな
く確実に且つ迅速になされる。
端部に、Ａｌ片を、かしめ、植設、嵌設で付設している
ので、所定箇所のみにきっちり付けられロスがない。ま
た、前記付設は機械的に行え生産性が高まる。さらに、
その後のチップとインナーリードを接続するワイヤ−ボ
ンディング、又は直接的接続が接合不良を生じることな
く確実に且つ迅速になされる。
【００１２】
【実施例】次に本発明について１実施例に基づき図面を
参照して詳細に説明する。図面において、１はリードフ
レームで、２はそのインナーリードでチップが設けられ
る空所領域３の周りに放射状に形成されている。４はタ
イバ−でインナーリード２を連結しているとともに、そ
れに連なるアウターリード５の一端も連結している。６
はサイドレ−ルで、アウターリード５の他端が連結して
いる。
参照して詳細に説明する。図面において、１はリードフ
レームで、２はそのインナーリードでチップが設けられ
る空所領域３の周りに放射状に形成されている。４はタ
イバ−でインナーリード２を連結しているとともに、そ
れに連なるアウターリード５の一端も連結している。６
はサイドレ−ルで、アウターリード５の他端が連結して
いる。
【００１３】該リードフレーム１はセラミックパッケー
ジに使用され高温度で封止されるが、インナーリード２
の先端部のワイヤ−ボンディング箇所に接続不良や、脆
くて亀裂等を引き起こす金属間化合物が生じないように
Ａｌ片を付設している。それは次のようである。
ジに使用され高温度で封止されるが、インナーリード２
の先端部のワイヤ−ボンディング箇所に接続不良や、脆
くて亀裂等を引き起こす金属間化合物が生じないように
Ａｌ片を付設している。それは次のようである。
【００１４】インナーリード２の先端部に、図２に示す
ようプレスあるいはエッチングで凹み８、孔９、薄肉部
１０を形成し、そこにＡｌ片１１が植設、かしめ、嵌合
などで付設されている。Ａｌ片１１の付設高さはインナ
ーリード１の面と同じ、あるいは高くと任意になされ
る。該付設は所定箇所のみになされるとともに、プレス
等で機械的になされるのでインナーリード２先端部の強
度が強まり、その後のハンドリング、搬送時等での変形
が防止される。
ようプレスあるいはエッチングで凹み８、孔９、薄肉部
１０を形成し、そこにＡｌ片１１が植設、かしめ、嵌合
などで付設されている。Ａｌ片１１の付設高さはインナ
ーリード１の面と同じ、あるいは高くと任意になされ
る。該付設は所定箇所のみになされるとともに、プレス
等で機械的になされるのでインナーリード２先端部の強
度が強まり、その後のハンドリング、搬送時等での変形
が防止される。
【００１５】リードフレーム１は以上のように構成さ
れ、これにチップ１２が搭載され、チップ端子とインナ
ーリード２がボンディングワイヤ−７で接続される。こ
の際、チップ端子は一般にＡｌ製電極で作成され、また
ボンディングワイヤ−７もＡｌ製で、これと同種のＡｌ
片１１をインナーリード２の先端部に付設しているので
接続が不良を生じることなく円滑に行える。また、付設
は機械的であるから所定箇所のみにきっちりなされる。
なお、ボンディングワイヤ−７が金線であっても問題な
く接続できる。
れ、これにチップ１２が搭載され、チップ端子とインナ
ーリード２がボンディングワイヤ−７で接続される。こ
の際、チップ端子は一般にＡｌ製電極で作成され、また
ボンディングワイヤ−７もＡｌ製で、これと同種のＡｌ
片１１をインナーリード２の先端部に付設しているので
接続が不良を生じることなく円滑に行える。また、付設
は機械的であるから所定箇所のみにきっちりなされる。
なお、ボンディングワイヤ−７が金線であっても問題な
く接続できる。
【００１６】ワイヤ−ボンディング後、供給リ−ル側の
ボンディングワイヤ−はギロチン方式等で切断される。
該切断時にインナーリード２の先端部に外力が作用する
が、該先端部は金属片１１の付設で機械的強度が強めら
れていて、変形することなく迅速に切断作業ができる。
ボンディングワイヤ−はギロチン方式等で切断される。
該切断時にインナーリード２の先端部に外力が作用する
が、該先端部は金属片１１の付設で機械的強度が強めら
れていて、変形することなく迅速に切断作業ができる。
【００１７】その後、封止されセラミックパッケージ１
３が製造される。該封止では約５００℃に加熱される
が、前記ボンディング箇所及びその近傍で異種金属によ
る金属間化合物の生成がなく、接続信頼性の低下などの
不都合が生じない。
３が製造される。該封止では約５００℃に加熱される
が、前記ボンディング箇所及びその近傍で異種金属によ
る金属間化合物の生成がなく、接続信頼性の低下などの
不都合が生じない。
【００１８】この実施例ではリードフレーム１にパッド
を有しないものについて述べたが、パッドを有するもの
にも同様に適用できる。また、チップ１２とインナーリ
ード２の接続をボンディングワイヤ−７を介して行うも
のについて述べたが、直接接続するものにも適用でき
る。
を有しないものについて述べたが、パッドを有するもの
にも同様に適用できる。また、チップ１２とインナーリ
ード２の接続をボンディングワイヤ−７を介して行うも
のについて述べたが、直接接続するものにも適用でき
る。
【００１９】
【発明の効果】前述のように、本発明はインナーリード
の先端部の所定箇所のみにＡｌ片がきっちり付設され、
また、ワイヤ−ボンディング工程でインナーリードに変
形が生ぜず、さらに、封止で加熱作用を受けても金属間
化合物ができず種々の不都合を防止できる。
の先端部の所定箇所のみにＡｌ片がきっちり付設され、
また、ワイヤ−ボンディング工程でインナーリードに変
形が生ぜず、さらに、封止で加熱作用を受けても金属間
化合物ができず種々の不都合を防止できる。
【図１】本発明の１実施例におけるリードフレームを示
す図。
す図。
【図２】本発明の１実施例での１部のインナーリードの
先端部を示す図。
先端部を示す図。
【図３】本発明の１実施例における半導体装置パッケー
ジを示す図。
ジを示す図。
１ リードフレーム ２ インナーリード ３ 空所領域 ４ タイバ− ５ アウターリード ６ サイドレ−ル ７ ボンディングワイヤ− ８ 凹み ９ 孔 １０ 幅狭部 １１ Ａｌ片 １２ チップ １３ セラミックパッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーリードの先端部にＡｌ片を付設
したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 インナーリードの先端部への前記Ａｌ片
の付設がかしめ、植設、又は嵌設であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031841A JPH07221254A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031841A JPH07221254A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221254A true JPH07221254A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12342286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6031841A Pending JPH07221254A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010043580A1 (en) | 2008-10-13 | 2010-04-22 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Leadframe for electronic components |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP6031841A patent/JPH07221254A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010043580A1 (en) | 2008-10-13 | 2010-04-22 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Leadframe for electronic components |
| CN102177581A (zh) * | 2008-10-13 | 2011-09-07 | 泰科电子Amp有限责任公司 | 用于电子元件的引线框架 |
| US8927342B2 (en) | 2008-10-13 | 2015-01-06 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Leadframe for electronic components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08116016A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| US5164815A (en) | Integrated circuit device and method to prevent cracking during surface mount | |
| JPH08111491A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0090566B1 (en) | Semiconductor device package | |
| US5796160A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH07221254A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH07211852A (ja) | リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造装置 | |
| JPH11307713A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0982870A (ja) | 半導体装置、リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH077124A (ja) | Ｘ形状ダイ支持部材を有する半導体装置 | |
| WO2008083146A1 (en) | Stress-resistant leadframe and method | |
| JPH05211250A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06120406A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6129162A (ja) | 半導体装置 | |
| US5960261A (en) | Method for manufacturing semiconductor package | |
| JP3345759B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000036556A (ja) | 半導体装置の製造方法とその半導体装置 | |
| JPH05308083A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0758273A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0476504B2 (ja) | ||
| JPS6060743A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0778918A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3287327B2 (ja) | 半導体樹脂封止パッケージの製造方法 | |
| JPH0637221A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 |