JPH07221162A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPH07221162A JPH07221162A JP3084894A JP3084894A JPH07221162A JP H07221162 A JPH07221162 A JP H07221162A JP 3084894 A JP3084894 A JP 3084894A JP 3084894 A JP3084894 A JP 3084894A JP H07221162 A JPH07221162 A JP H07221162A
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- processing
- coating
- wafers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 室温近辺で精密に温度調整されたウエハの温
度を変化させることなく一定の温度状態でウエハの処理
が行なえるようにする。 【構成】 ウエハを冷却して所定の温度となるように温
度調整する温調手段３０と、これによって温度調整され
たウエハに所定の処理を施す処理手段４０と、これら温
調手段と処理手段との間でウエハの受渡しおよび搬送を
行なう搬送手段とを備えたウエハ処理装置において、前
記温調手段と処理手段との間でのみ用いられる専用の搬
送手段５を具備する。
度を変化させることなく一定の温度状態でウエハの処理
が行なえるようにする。 【構成】 ウエハを冷却して所定の温度となるように温
度調整する温調手段３０と、これによって温度調整され
たウエハに所定の処理を施す処理手段４０と、これら温
調手段と処理手段との間でウエハの受渡しおよび搬送を
行なう搬送手段とを備えたウエハ処理装置において、前
記温調手段と処理手段との間でのみ用いられる専用の搬
送手段５を具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの温調機
能部と塗布・現像プロセス処理機能部等の処理部とを専
用の搬送手段で直結させることにより、レジスト塗布膜
厚均一性、現像時の線幅ユニフォミティ等を向上させる
ことを可能にしたウエハ処理装置に関するものである。
能部と塗布・現像プロセス処理機能部等の処理部とを専
用の搬送手段で直結させることにより、レジスト塗布膜
厚均一性、現像時の線幅ユニフォミティ等を向上させる
ことを可能にしたウエハ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のウエハ処理装置の一例を示
す平面図である。この装置は特開平３−２９０９４６号
公報に開示されているものと同様のものであり、ウエハ
キャリア１０、ウエハキャリア１０から未処理ウエハを
取り出し、およびウエハキャリア１０にレジスト塗布、
現像処理等が済んだウエハを挿入する取出・挿入機構１
１、取出・挿入機構１１から未処理ウエハを受け取って
センタリングし、また処理済ウエハをセンタリングして
取出・挿入機構１１に受け渡すセンタリング機構１２、
ウエハにレジストを塗布し、また現像処理を行なう塗布
・現像プロセス処理機能部１４、ウエハを加熱するオー
ブンとこれによって加熱されたウエハを冷却して室温近
辺の所定の温度となるように調整する温調機能部とを上
下に重ねた部分１５、ウエハを加熱する２つのオーブン
を重ねた部分１６、ならびにセンタリング機構１２、塗
布・現像プロセス処理機能部１４、部分１５、１６間で
ウエハの搬送および授受を行なう主搬送機構１３を備え
る。
す平面図である。この装置は特開平３−２９０９４６号
公報に開示されているものと同様のものであり、ウエハ
キャリア１０、ウエハキャリア１０から未処理ウエハを
取り出し、およびウエハキャリア１０にレジスト塗布、
現像処理等が済んだウエハを挿入する取出・挿入機構１
１、取出・挿入機構１１から未処理ウエハを受け取って
センタリングし、また処理済ウエハをセンタリングして
取出・挿入機構１１に受け渡すセンタリング機構１２、
ウエハにレジストを塗布し、また現像処理を行なう塗布
・現像プロセス処理機能部１４、ウエハを加熱するオー
ブンとこれによって加熱されたウエハを冷却して室温近
辺の所定の温度となるように調整する温調機能部とを上
下に重ねた部分１５、ウエハを加熱する２つのオーブン
を重ねた部分１６、ならびにセンタリング機構１２、塗
布・現像プロセス処理機能部１４、部分１５、１６間で
ウエハの搬送および授受を行なう主搬送機構１３を備え
る。
【０００３】この構成において、未処理ウエハが取出・
挿入機構１１によりウエハキャリア１０から取り出され
て取出・挿入機構１１に受け渡されると、そこでセンタ
リングされ、さらに主搬送機構１３により塗布・現像プ
ロセス処理機能部１４、部分１５、１６間で搬送・受渡
しが行なわれ、所定の処理が行なわれる。その際、塗布
されたレジスト中に存在する溶剤をオーブンで加熱する
ことにより取り除いたり、加熱したウエハを温調機能部
において冷却して所定の温度に調整する等の処理も行な
われる。
挿入機構１１によりウエハキャリア１０から取り出され
て取出・挿入機構１１に受け渡されると、そこでセンタ
リングされ、さらに主搬送機構１３により塗布・現像プ
ロセス処理機能部１４、部分１５、１６間で搬送・受渡
しが行なわれ、所定の処理が行なわれる。その際、塗布
されたレジスト中に存在する溶剤をオーブンで加熱する
ことにより取り除いたり、加熱したウエハを温調機能部
において冷却して所定の温度に調整する等の処理も行な
われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の装置においては、主搬送機構１３が、塗布・現像プ
ロセス処理機能部１４、部分１５、１６のすべてのユニ
ットに対して、共通に用いられるため、例えばインデク
サ→オーブン→ウエハ温調→塗布・現像プロセス処理機
能部→オーブン→インデクサのようなウエハ処理プロセ
スを行なう場合においては、主搬送機構１３が昇温した
ウエハを保持した後に、室温近辺に温調を施したウエハ
を再度主搬送機構１３が保持し、次の塗布・現像プロセ
ス処理機能部に搬送するというシーケンシャルな動作を
しなければならない。そして、このように主搬送機構１
３は、時には昇温したウエハを保持し、時には室温近辺
の所定温度に精密に温調されたウエハを保持しなければ
ならないため、昇温したウエハを保持した時にウエハの
熱が主搬送機構１３に遷移し、この遷移した熱成分が、
室温近辺で精密温調されたウエハを保持した際に、主搬
送機構１３とウエハの接触部より逆にウエハに移動して
しまうという欠点がある。
来の装置においては、主搬送機構１３が、塗布・現像プ
ロセス処理機能部１４、部分１５、１６のすべてのユニ
ットに対して、共通に用いられるため、例えばインデク
サ→オーブン→ウエハ温調→塗布・現像プロセス処理機
能部→オーブン→インデクサのようなウエハ処理プロセ
スを行なう場合においては、主搬送機構１３が昇温した
ウエハを保持した後に、室温近辺に温調を施したウエハ
を再度主搬送機構１３が保持し、次の塗布・現像プロセ
ス処理機能部に搬送するというシーケンシャルな動作を
しなければならない。そして、このように主搬送機構１
３は、時には昇温したウエハを保持し、時には室温近辺
の所定温度に精密に温調されたウエハを保持しなければ
ならないため、昇温したウエハを保持した時にウエハの
熱が主搬送機構１３に遷移し、この遷移した熱成分が、
室温近辺で精密温調されたウエハを保持した際に、主搬
送機構１３とウエハの接触部より逆にウエハに移動して
しまうという欠点がある。
【０００５】この欠点は、最近のように高集積化された
半導体の塗布・現像において、膜厚の均一性及び膜厚プ
ロファイル並びに現像時の線幅ユニフォミティに対し、
悪影響を及ぼす方向に作用してしまう。
半導体の塗布・現像において、膜厚の均一性及び膜厚プ
ロファイル並びに現像時の線幅ユニフォミティに対し、
悪影響を及ぼす方向に作用してしまう。
【０００６】また、昇温ウエハを保持する機構と、室温
近辺で精密温調されたウエハを保持する機構とを、一つ
の主搬送機構において分離してもたせたものもあるが、
塗布・現像装置のようにオーブン等の発熱源をもった装
置においては、装置内の雰囲気の温度が発熱源の熱によ
り上昇してしまったり、さらにクリーンルーム内の温度
もある規格温度内で変動しているため、装置内に吸気す
るような構造である場合は、主搬送機構は常にその温度
変動の影響を受けることになる。このため、上述のよう
に主搬送機構中に専用の保持機構を設けたとしても、ウ
エハと機構の接触部より移動する熱が、室温近辺に精密
温調されたウエハに悪影響を及ぼすのを阻止することが
できない。
近辺で精密温調されたウエハを保持する機構とを、一つ
の主搬送機構において分離してもたせたものもあるが、
塗布・現像装置のようにオーブン等の発熱源をもった装
置においては、装置内の雰囲気の温度が発熱源の熱によ
り上昇してしまったり、さらにクリーンルーム内の温度
もある規格温度内で変動しているため、装置内に吸気す
るような構造である場合は、主搬送機構は常にその温度
変動の影響を受けることになる。このため、上述のよう
に主搬送機構中に専用の保持機構を設けたとしても、ウ
エハと機構の接触部より移動する熱が、室温近辺に精密
温調されたウエハに悪影響を及ぼすのを阻止することが
できない。
【０００７】なお、塗布・現像プロセス処理機能部内の
雰囲気を室温近辺で温調する機能を有するものもある
が、その温調は、前記のように主搬送機構による構成の
装置においては、主搬送機構との接触部を介して受けた
熱の影響をキャンセルするものでなく、あくまでも薬液
の蒸発速度を常に一定化させるという効果のみを有する
ものである。
雰囲気を室温近辺で温調する機能を有するものもある
が、その温調は、前記のように主搬送機構による構成の
装置においては、主搬送機構との接触部を介して受けた
熱の影響をキャンセルするものでなく、あくまでも薬液
の蒸発速度を常に一定化させるという効果のみを有する
ものである。
【０００８】本発明の目的は、上述の従来技術の問題点
に鑑み、ウエハ処理装置において、室温近辺で精密に温
度調整されたウエハの温度を変化させることなく、一定
の温度状態でウエハの処理が行なえるようにすることに
ある。
に鑑み、ウエハ処理装置において、室温近辺で精密に温
度調整されたウエハの温度を変化させることなく、一定
の温度状態でウエハの処理が行なえるようにすることに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、ウエハを冷却して所定の温度となるように
温度調整する温調手段と、これによって温度調整された
ウエハに所定の処理を施す処理手段と、これら温調手段
と処理手段との間でウエハの受渡しおよび搬送を行なう
搬送手段とを備えたウエハ処理装置において、前記温調
手段と処理手段との間でのみ用いられる専用の搬送手段
を具備することを特徴とする。
本発明では、ウエハを冷却して所定の温度となるように
温度調整する温調手段と、これによって温度調整された
ウエハに所定の処理を施す処理手段と、これら温調手段
と処理手段との間でウエハの受渡しおよび搬送を行なう
搬送手段とを備えたウエハ処理装置において、前記温調
手段と処理手段との間でのみ用いられる専用の搬送手段
を具備することを特徴とする。
【００１０】また、さらに前記温調手段および処理手段
ならびに専用の搬送手段を周辺の雰囲気から隔離するカ
バー、さらにはこのカバー内の雰囲気を調整する手段を
有するのが好ましい。処理手段は、例えば、処理対象の
ウエハに対し、レジストの塗布および現像を行なうもの
である。
ならびに専用の搬送手段を周辺の雰囲気から隔離するカ
バー、さらにはこのカバー内の雰囲気を調整する手段を
有するのが好ましい。処理手段は、例えば、処理対象の
ウエハに対し、レジストの塗布および現像を行なうもの
である。
【００１１】
【作用】この構成において、前の処理で加熱されたウエ
ハは、温調手段において冷却され、処理手段における最
適な所定の温度となるように温度調整されてから、搬送
手段により、処理手段に受け渡され、処理が施される
が、その際、搬送手段は、温調手段と処理手段との間で
のみ用いられる専用のものであるため、常に温度調整さ
れたウエハのみと接し、決して温度の異なるウエハと接
しない。このため、搬送手段の温度はほぼ一定であり、
ウエハとの間で熱の移動があまり生じることがなく、温
度調整されたウエハの温度が保持され、その状態で、処
理が行なわれることになる。すなわち、処理に最適な室
温近辺の所定の温度に精密温調されたウエハの温度分布
をまったくくずすことなく処理が進められる。また、カ
バーを設けた場合には、専用搬送手段に対するカバー外
部の雰囲気の影響が排除され、調整されたウエハの温度
状態がさらに良好に維持される。このようにして処理さ
れたウエハにおいては、レジスト塗布膜厚均一性、現像
時の線幅ユニフォミティ等が向上したものとなる。
ハは、温調手段において冷却され、処理手段における最
適な所定の温度となるように温度調整されてから、搬送
手段により、処理手段に受け渡され、処理が施される
が、その際、搬送手段は、温調手段と処理手段との間で
のみ用いられる専用のものであるため、常に温度調整さ
れたウエハのみと接し、決して温度の異なるウエハと接
しない。このため、搬送手段の温度はほぼ一定であり、
ウエハとの間で熱の移動があまり生じることがなく、温
度調整されたウエハの温度が保持され、その状態で、処
理が行なわれることになる。すなわち、処理に最適な室
温近辺の所定の温度に精密温調されたウエハの温度分布
をまったくくずすことなく処理が進められる。また、カ
バーを設けた場合には、専用搬送手段に対するカバー外
部の雰囲気の影響が排除され、調整されたウエハの温度
状態がさらに良好に維持される。このようにして処理さ
れたウエハにおいては、レジスト塗布膜厚均一性、現像
時の線幅ユニフォミティ等が向上したものとなる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係るウエハ処理装
置の一部を示す模式図である。塗布・現像プロセス処理
部に近年必須となっている雰囲気コントロールが行なわ
れている場合を示している。図に示された部分以外の主
搬送機構、オーブン、ウエハキャリアに対するウエハの
取出・挿入機構、ウエハのセンタリング機構等は図３の
従来例の場合と同様な構成を有する。図１に示すよう
に、このウエハ処理装置は、ウエハを冷却して所定の温
度となるように温度調整するウエハ温調機能部３０、こ
れによって温度調整されたウエハにレジストの塗布およ
び現像処理を施す塗布・現像プロセス処理機能部４０、
および、これらウエハ温調機能部３０と塗布・現像プロ
セス処理機能部４０との間でのみウエハの受渡しおよび
搬送を行なう専用搬送機構５を備える。ウエハ温調機能
部３０は、電子冷却器等で構成されたウエハ温調器３を
有し、塗布・現像プロセス処理機能部４０はウエハに対
してレジストの塗布および現像処理を施す塗布・現像プ
ロセス機構７を有する。
置の一部を示す模式図である。塗布・現像プロセス処理
部に近年必須となっている雰囲気コントロールが行なわ
れている場合を示している。図に示された部分以外の主
搬送機構、オーブン、ウエハキャリアに対するウエハの
取出・挿入機構、ウエハのセンタリング機構等は図３の
従来例の場合と同様な構成を有する。図１に示すよう
に、このウエハ処理装置は、ウエハを冷却して所定の温
度となるように温度調整するウエハ温調機能部３０、こ
れによって温度調整されたウエハにレジストの塗布およ
び現像処理を施す塗布・現像プロセス処理機能部４０、
および、これらウエハ温調機能部３０と塗布・現像プロ
セス処理機能部４０との間でのみウエハの受渡しおよび
搬送を行なう専用搬送機構５を備える。ウエハ温調機能
部３０は、電子冷却器等で構成されたウエハ温調器３を
有し、塗布・現像プロセス処理機能部４０はウエハに対
してレジストの塗布および現像処理を施す塗布・現像プ
ロセス機構７を有する。
【００１３】ウエハ温調機能部３０および塗布・現像プ
ロセス処理機能部４０ならびに専用搬送機構５は、カバ
ーされ、周辺の雰囲気から隔離されるとともに、カバー
内の雰囲気は、雰囲気温度・湿度コントロール送風機５
０により、温度および湿度が調整されるようになってい
る。
ロセス処理機能部４０ならびに専用搬送機構５は、カバ
ーされ、周辺の雰囲気から隔離されるとともに、カバー
内の雰囲気は、雰囲気温度・湿度コントロール送風機５
０により、温度および湿度が調整されるようになってい
る。
【００１４】図中、１は図３の主搬送機構１３のような
主搬送系により搬送されてきたウエハをカバー内のウエ
ハ温調機能部３０に搬入するためカバーに設けられた開
口部、２はこれを開閉するためのシャッタ、４は搬入さ
れてきたウエハを受け取りウエハ温調器３上に載置する
機構、６はウエハ温調機能部３０と塗布・現像プロセス
処理機能部４０との間に設けられた仕切り壁の開口を開
閉するためのシャッタ、８は雰囲気温度・湿度コントロ
ール送風機５０から送られてくる風量の配分をウエハ温
調機能部３０および塗布・現像プロセス処理機能部４０
との間で調整する風量調節ダンパ、９は雰囲気温度・湿
度コントロール送風機５０とカバーとを接続するダクト
である。
主搬送系により搬送されてきたウエハをカバー内のウエ
ハ温調機能部３０に搬入するためカバーに設けられた開
口部、２はこれを開閉するためのシャッタ、４は搬入さ
れてきたウエハを受け取りウエハ温調器３上に載置する
機構、６はウエハ温調機能部３０と塗布・現像プロセス
処理機能部４０との間に設けられた仕切り壁の開口を開
閉するためのシャッタ、８は雰囲気温度・湿度コントロ
ール送風機５０から送られてくる風量の配分をウエハ温
調機能部３０および塗布・現像プロセス処理機能部４０
との間で調整する風量調節ダンパ、９は雰囲気温度・湿
度コントロール送風機５０とカバーとを接続するダクト
である。
【００１５】この構成において、主搬送系より搬送され
てきたウエハは、開口部１よりウエハ温調機能部３０内
に挿入され、載置機構４上に受け渡される。その後、シ
ャッタ２が閉じられ、載置機構４が下降することによ
り、冷却温調器３上にウエハが載置される。そこで、ウ
エハは冷却温調器３により、あらかじめ設定された室温
近辺の所定の温度となるように冷却され、温度調整され
る。ウエハの温度が設定値内に入ったら、ウエハは搬送
ラインまで上昇され、シャッタ６が開かれ、専用搬送機
構５により塗布・現像プロセス処理機能部４０内に搬送
され、処理位置に配置される。その後、専用搬送機構５
は、図示の元の位置に戻り、シャッタ６が閉じられ、塗
布・現像プロセス機構７により、ウエハに対する所定の
処理が行なわれる。この処理が終了すると、再度シャッ
タ６が開かれ、ウエハは専用搬送機構５により取り出さ
れて、上昇された載置機構４上に載置され、シャッタ２
が開かれ、主搬送系により次の処理のために搬送され
る。
てきたウエハは、開口部１よりウエハ温調機能部３０内
に挿入され、載置機構４上に受け渡される。その後、シ
ャッタ２が閉じられ、載置機構４が下降することによ
り、冷却温調器３上にウエハが載置される。そこで、ウ
エハは冷却温調器３により、あらかじめ設定された室温
近辺の所定の温度となるように冷却され、温度調整され
る。ウエハの温度が設定値内に入ったら、ウエハは搬送
ラインまで上昇され、シャッタ６が開かれ、専用搬送機
構５により塗布・現像プロセス処理機能部４０内に搬送
され、処理位置に配置される。その後、専用搬送機構５
は、図示の元の位置に戻り、シャッタ６が閉じられ、塗
布・現像プロセス機構７により、ウエハに対する所定の
処理が行なわれる。この処理が終了すると、再度シャッ
タ６が開かれ、ウエハは専用搬送機構５により取り出さ
れて、上昇された載置機構４上に載置され、シャッタ２
が開かれ、主搬送系により次の処理のために搬送され
る。
【００１６】なお、専用搬送機構５が、ウエハ保持部分
が上下２段式になっていて、ウエハの受渡しと受取りと
を同時に行なうことができるような構成を有するもので
ある場合は、ウエハ処理のスループットを向上させるこ
とができる。
が上下２段式になっていて、ウエハの受渡しと受取りと
を同時に行なうことができるような構成を有するもので
ある場合は、ウエハ処理のスループットを向上させるこ
とができる。
【００１７】図２は本発明の他の実施例に係るウエハ処
理装置を示す模式図である。この場合、図１の雰囲気温
度・湿度コントロール送風機５０や風量調節ダンパがな
く、塗布・現像プロセス処理機能部４０のみが外部の雰
囲気による調整がなされるようになっいる。他の点につ
いては、上述実施例を同様である。
理装置を示す模式図である。この場合、図１の雰囲気温
度・湿度コントロール送風機５０や風量調節ダンパがな
く、塗布・現像プロセス処理機能部４０のみが外部の雰
囲気による調整がなされるようになっいる。他の点につ
いては、上述実施例を同様である。
【００１８】図４は、本発明のさらに他の実施例に係る
ウエハ処理装置を上からみた様子を示す模式図である。
上述実施例では、カバーに設けられた主搬送系に対する
ウエハの出入り口は開口部１の１つのみであるが、図４
の装置では、入口２０と出口２７とが個別に設けられ、
それぞれに入口シャッタ２１および出口シャッタ２６が
設けられている。
ウエハ処理装置を上からみた様子を示す模式図である。
上述実施例では、カバーに設けられた主搬送系に対する
ウエハの出入り口は開口部１の１つのみであるが、図４
の装置では、入口２０と出口２７とが個別に設けられ、
それぞれに入口シャッタ２１および出口シャッタ２６が
設けられている。
【００１９】図５は、本発明のさらに別の実施例に係る
ウエハ処理装置を示す。この装置は、図４の装置の配置
が横方向の配置であるとすれば、縦方向に配置したもの
である。この場合、シャッタ２８が設けられた出入口２
９を介して主搬送機構１３により処理装置に対するウエ
ハの搬入・搬出が行われる。
ウエハ処理装置を示す。この装置は、図４の装置の配置
が横方向の配置であるとすれば、縦方向に配置したもの
である。この場合、シャッタ２８が設けられた出入口２
９を介して主搬送機構１３により処理装置に対するウエ
ハの搬入・搬出が行われる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理に適した室温近辺の所定の温度に精密に温度調整され
たウエハの温度もしくは温度分布をくずすことなく、一
定の温度状態でウエハを処理することができる。したが
って、レジスト塗布膜厚均一性、現像時の線幅ユニフォ
ミティ等を向上させることができるとともに、今後のさ
らに厳しい性能要求に対しても対応することが可能とな
る。
理に適した室温近辺の所定の温度に精密に温度調整され
たウエハの温度もしくは温度分布をくずすことなく、一
定の温度状態でウエハを処理することができる。したが
って、レジスト塗布膜厚均一性、現像時の線幅ユニフォ
ミティ等を向上させることができるとともに、今後のさ
らに厳しい性能要求に対しても対応することが可能とな
る。
【図１】 本発明の一実施例に係る雰囲気温調付きのウ
エハ処理装置の一部を示す模式図である。
エハ処理装置の一部を示す模式図である。
【図２】 本発明の他の実施例に係る雰囲気温調無しの
ウエハ処理装置を示す模式図である。
ウエハ処理装置を示す模式図である。
【図３】 従来のウエハ処理装置の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】 本発明のさらに他の実施例に係るウエハ処理
装置を上からみた様子を示す模式図である。
装置を上からみた様子を示す模式図である。
【図５】 本発明のさらに別の実施例に係るウエハ処理
装置を上からみた様子を示す模式図である。
装置を上からみた様子を示す模式図である。
１：開口部、２：シャッタ、３：ウエハ温調器、４：載
置機構、５：専用搬送機構、６：シャッタ、７：塗布・
現像プロセス機構、８：風量調節ダンパ、９：ダクト、
２０：入口、２１：入口シャッタ、２６：出口シャッ
タ、２７：出口、２８：シャッタ、２９：出入口、３
０：ウエハ温調機能部、４０：塗布・現像プロセス処理
機能部、５０：雰囲気温度・湿度コントロール送風機。
置機構、５：専用搬送機構、６：シャッタ、７：塗布・
現像プロセス機構、８：風量調節ダンパ、９：ダクト、
２０：入口、２１：入口シャッタ、２６：出口シャッ
タ、２７：出口、２８：シャッタ、２９：出入口、３
０：ウエハ温調機能部、４０：塗布・現像プロセス処理
機能部、５０：雰囲気温度・湿度コントロール送風機。
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハを冷却して所定の温度となるよう
に温度調整する温調手段と、これによって温度調整され
たウエハに所定の処理を施す処理手段と、これら温調手
段と処理手段との間でウエハの受渡しおよび搬送を行な
う搬送手段とを備えたウエハ処理装置において、前記温
調手段と処理手段との間でのみ用いられる専用の搬送手
段を具備することを特徴とするウエハ処理装置。 - 【請求項２】 前記温調手段および処理手段ならびに専
用の搬送手段を周辺の雰囲気から隔離するカバーを有す
ることを特徴とする請求項１記載のウエハ処理装置。 - 【請求項３】 処理手段は、処理対象のウエハに対し、
レジストの塗布および現像を行なうものであることを特
徴とする請求項１または２記載のウエハ処理装置。 - 【請求項４】 前記カバー内の雰囲気を調整する手段を
有することを特徴とする請求項２記載のウエハ処理装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3084894A JP3159284B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084894A JP3159284B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | ウエハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221162A true JPH07221162A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3159284B2 JP3159284B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=12315131
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3084894A Expired - Lifetime JP3159284B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3159284B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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Families Citing this family (1)
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-
1994
- 1994-02-03 JP JP3084894A patent/JP3159284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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