JPH07221127A - Burr removal in synthetic resin packaged semiconductor component - Google Patents
Burr removal in synthetic resin packaged semiconductor componentInfo
- Publication number
- JPH07221127A JPH07221127A JP6007535A JP753594A JPH07221127A JP H07221127 A JPH07221127 A JP H07221127A JP 6007535 A JP6007535 A JP 6007535A JP 753594 A JP753594 A JP 753594A JP H07221127 A JPH07221127 A JP H07221127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synthetic resin
- laser beam
- mold
- semiconductor component
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の部分を、
合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成るパッケ
ージ型の半導体部品において、そのモールド部の成形に
際して、その周囲に発生する合成樹脂のバリを除去する
ためのバリ取り方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a deburring method for removing a synthetic resin burr generated around a package type semiconductor component that is packaged in a synthetic resin mold portion when molding the molded portion.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、この種の合成樹脂パッケージ型
半導体部品の一つであるダイオードは、大まかに言っ
て、図６に示すようにして製造される。すなわち、金属
板製のリードフレーム２において、左右一対のサイドフ
レーム３，４を連結するセクションバー５の間の部位に
一体的に造形した一対のリード端子６，７のうち一方の
リード端子６の先端に、半導体素子８をダイボンディン
グし、この半導体素子８と他方のリード端子７との間
を、金属線９によるワイヤボンディング等にて電気的に
接続したのち、各セクションバー５の間の部位に、当該
両セクションバー５を外型として合成樹脂製のモールド
部１０を、当該モールド部１０にて前記半導体素子８及
び金属線９の付近をパッケージするように成形すること
によってダイオード１を構成し、次いで、この各ダイオ
ード１におけるモールド部１０の上面に、半導体部品に
おける製造メーカー名、及び仕様を表示する標印１１を
マーキングしたのち、前記各リード端子６，７を切断す
ることによって、リードフレーム２から切り離すように
している。2. Description of the Related Art Generally, a diode, which is one of the synthetic resin package type semiconductor components of this type, is generally manufactured as shown in FIG. That is, in the lead frame 2 made of a metal plate, one of the lead terminals 6 of the pair of lead terminals 6 and 7 integrally formed at a portion between the section bars 5 connecting the pair of left and right side frames 3 and 4 is formed. A semiconductor element 8 is die-bonded to the tip, and the semiconductor element 8 and the other lead terminal 7 are electrically connected to each other by wire bonding with a metal wire 9 or the like. Then, the diode 1 is formed by molding the mold portion 10 made of synthetic resin with the both section bars 5 as outer molds so as to package the vicinity of the semiconductor element 8 and the metal wire 9 with the mold portion 10. Then, on the upper surface of the mold portion 10 of each diode 1, a mark 11 for displaying the manufacturer name and specifications of the semiconductor component is marked. After packaging, by cutting the respective lead terminals 6 and 7, so that disconnected from the lead frame 2.
【０００３】ところで、前記金属板製のリードフレーム
２は、素材の金属板を、雌型と雄型とで各セクションバ
ー５及び各リード端子６，７を造形するように打ち抜く
ことによって製造されるものであることにより、その各
セクションバー５における左右両側面５ａと上面５ｂと
の角部には、図７に示すように、打ち抜きに際しての塑
性変形のために撫で肩部５ｃが必然的に形成されること
になる。By the way, the lead frame 2 made of a metal plate is manufactured by punching out a metal plate of a material so as to form each section bar 5 and each lead terminal 6, 7 by a female mold and a male mold. Therefore, as shown in FIG. 7, shoulder portions 5c are inevitably formed at the corners between the left and right side surfaces 5a and the upper surface 5b of each section bar 5 by plastic striking for punching. Will be.
【０００４】従って、この各セクションバー５の間の部
位に、モールド部１０を、当該セクションバー５を外型
として成形した場合には、各セクションバー５における
前記撫で肩部５ｃの部分に溶融合成樹脂が進入して、硬
化することにより、合成樹脂製モールド部１０のうち前
記撫で肩部５ｃに該当する部分には、図８に示すよう
に、鋭く尖った合成樹脂のバリ１０ａが形成されること
になる。Therefore, when the mold portion 10 is molded between the section bars 5 using the section bar 5 as an outer mold, the synthetic resin is melted on the shoulder portions 5c of the section bars 5 by the stroke. As a result of the entry and hardening of the resin, a sharply pointed synthetic resin burr 10a is formed in the portion of the synthetic resin mold portion 10 corresponding to the shoulder portion 5c by the stroke, as shown in FIG. Become.
【０００５】そして、この合成樹脂のバリ１０ａは、半
導体部品におけるモールド部１０の側面から突出してい
ることにより、半導体部品の回路基板への自動装填を阻
害する等の問題を誘発することになるから、従来は、前
記モールド部１０の成形した後において、リードフレー
ム２の表裏両面に、サンドブラストを施すことによっ
て、前記した合成樹脂のバリ１０ａを除去するようにし
ている。Since the synthetic resin burr 10a projects from the side surface of the mold portion 10 of the semiconductor component, it causes problems such as inhibiting automatic loading of the semiconductor component on the circuit board. Conventionally, after the molding portion 10 is molded, the front and back surfaces of the lead frame 2 are sandblasted to remove the above-mentioned synthetic resin burr 10a.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、リードフレー
ム２の表裏両面に、合成樹脂のバリ１０ａを除去するた
めにサンドブラストを施すことは、これだけ工程が複雑
化すると共に設備が大型化し、コストの大幅なアップを
招来するばかりか、リードフレーム２の変形、モールド
部１０における表面の荒れ、及び、リードフレーム２の
各リード端子６，７における半田付け性低下等の問題を
招来するのである。However, sandblasting to remove the synthetic resin burrs 10a on both the front and back surfaces of the lead frame 2 complicates the process and enlarges the equipment, resulting in a significant cost reduction. Not only does this lead to a problem of lead-up, but also leads to problems such as deformation of the lead frame 2, surface roughness of the molded portion 10, and deterioration of solderability at the lead terminals 6 and 7 of the lead frame 2.
【０００７】また、最近では、特開昭６２−２４７５５
３号公報等に記載されているように、前記合成樹脂のバ
リ１０ａを、レーザ光線の照射によって除去することが
行われている。このレーザ光線によるバリ取り方法によ
ると、リードフレームの変形等の問題は招来しないもの
の、前記と同様に、半導体部品の製造工程の途中に、モ
ールド部１０の周囲にレーザ光線を照射するための著し
く高価なレーザ光線発信器を設置しなければならないか
ら、これまた、工程が複雑化し、且つ、設備が大型化す
ることになり、コストの一層のアップを招来するのであ
った。In addition, recently, Japanese Patent Laid-Open No. 62-24755.
As described in Japanese Patent No. 3 or the like, the burr 10a of the synthetic resin is removed by irradiation with a laser beam. According to this method of deburring with a laser beam, although problems such as deformation of the lead frame do not occur, as in the above case, it is extremely necessary to irradiate the laser beam around the mold portion 10 during the manufacturing process of the semiconductor component. Since an expensive laser beam transmitter must be installed, this also complicates the process and increases the size of the equipment, further increasing the cost.
【０００８】本発明は、この問題を解消したバリ取り方
法を提供することを技術的課題とするものである。The present invention aims to provide a deburring method that solves this problem.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者は、合成樹脂パ
ッケージ型半導体部品の製造に際しては、そのモールド
部の表面に各種の標印をマーキングすることに、レーザ
光線を、遮光性マスク板に穿設した標印用抜き窓孔を通
してモールド部に照射すると言うレーザマーキング方法
が使用されている点に着目し、このレーザマーキング方
法を利用して、レーザ光線による標印のマーキングと同
時に、モールド部における合成樹脂のバリ取りを行うこ
とにした。Means for Solving the Problems The present inventor, when manufacturing a synthetic resin package type semiconductor component, is to mark various markings on the surface of a mold part thereof so that a laser beam is applied to a masking mask plate. Focusing on the fact that a laser marking method is used that irradiates the mold part through a punched hole for a mark, and using this laser marking method, at the same time as marking the mark with a laser beam, the mold part We decided to deburr the synthetic resin in.
【００１０】すなわち、本発明は、前記の技術的課題を
達成するために、「リードフレームにおける各セクショ
ンバー間の部位に当該各セクションバーを外型として成
形したモールド部の表面に、レーザ光線を、遮光性マス
ク板に穿設した標印用抜き窓孔を通して照射するにおい
て、前記遮光性マスク板に、前記標印用抜き窓孔とは別
にスリット状抜き窓孔を穿設し、このスリット状抜き窓
孔を通して、前記モールド部とセクションバーとの境界
部分に、レーザ光線を照射する。」ことにした。That is, in order to achieve the above-mentioned technical object, the present invention is to provide a laser beam on the surface of a mold part formed by molding each section bar as an outer mold in a portion between the section bars in the lead frame. When irradiating through the mark-extracting window hole formed in the light-shielding mask plate, the slit-extracting window hole is formed in the light-shielding mask plate separately from the mark-extracting window hole. The laser beam is applied to the boundary portion between the mold portion and the section bar through the window hole. ”
【００１１】[0011]
【作 用】これにより、レーザ光線を、モールド部の
上面に対して遮光性マスク板に穿設した標印用抜き窓孔
を通してモールド部の表面に照射できると同時に、前記
モールド部とセクションバーとの境界部分にも、レーザ
光線を遮光性マスク板に穿設したスリット状抜き窓孔を
通して照射することができるから、前記モールド部の上
面に、レーザ光線の照射によって標印をマーキングする
ことができると同時に、前記セクションバーにおける撫
で肩部の箇所に発生する合成樹脂のバリを、レーザ光線
の照射による焼失にて略完全に除去することができる。[Operation] As a result, the surface of the mold can be irradiated with the laser beam through the marking hole formed in the light-shielding mask plate on the upper surface of the mold, and at the same time, the mold and the section bar Since the laser beam can be radiated also to the boundary portion of the above through the slit-shaped window hole formed in the light shielding mask plate, the mark can be marked on the upper surface of the mold portion by the laser beam irradiation. At the same time, the burrs of the synthetic resin generated at the shoulders of the section bar by being stroked can be almost completely removed by burning out due to the irradiation of the laser beam.
【００１２】[0012]
【発明の効果】従って、本発明によると、半導体部品に
おけるモールド部に対して標印を、レーザマーキング方
法によってマーキングすると同時に、このレーザマーキ
ング方法を利用してモールド部とセクションバーとの境
界部分に発生する合成樹脂のバリを除去することがで
き、換言すると、標印のマーキングとバリ取りとを、一
つのレーザマーキング装置によって行うことができるこ
とにより、従来のように、合成樹脂のバリ取りを行う工
程を付加する必要がないから、工程が簡単になると共
に、設備の大型化を回避できて、コストを大幅に低減で
きる効果を有する。Therefore, according to the present invention, a marking is applied to a mold portion of a semiconductor component by a laser marking method, and at the same time, a boundary portion between the mold portion and the section bar is utilized by using this laser marking method. It is possible to remove the burrs of the synthetic resin generated, in other words, the marking and deburring of the mark can be performed by a single laser marking device, so that the deburring of the synthetic resin is performed as in the conventional case. Since there is no need to add additional steps, the steps are simplified and the equipment can be prevented from increasing in size, resulting in a significant cost reduction.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１〜図５の図面
について説明する。この図において符号１は、半導体部
品の一つの実施例であるところのダイオードを示し、こ
のダイオード１は、前記した図６に示すように、金属板
製のリードフレーム２における左右一対のサイドフレー
ム３，４を連結するセクションバー５の間の部位に一体
的に造形した一対のリード端子６，７のうち一方のリー
ド端子６の先端に、半導体素子８をダイボンディング
し、この半導体素子８と他方のリード端子７との間を、
金属線９によるワイヤボンディング等にて電気的に接続
したのち、各セクションバー５の間の部位に、当該両セ
クションバー５を外型として合成樹脂製のモールド部１
０を、当該モールド部１０にて前記半導体素子８及び金
属線９の付近をパッケージするように成形することによ
って構成したものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings of FIGS. In the figure, reference numeral 1 denotes a diode which is one embodiment of a semiconductor component. As shown in FIG. 6, the diode 1 is a pair of left and right side frames 3 in a lead frame 2 made of a metal plate. , 4 is connected to a section between the section bars 5, and a semiconductor element 8 is die-bonded to the tip of one of the pair of lead terminals 6 and 7 integrally formed. Between the lead terminal 7 of
After being electrically connected by wire bonding with a metal wire 9 or the like, a mold part 1 made of synthetic resin is formed between the section bars 5 as an external mold at a portion between the section bars 5.
0 is molded by the molding unit 10 so as to package the vicinity of the semiconductor element 8 and the metal wire 9.
【００１４】そして、前記ダイオード１におけるモール
ド部１０の上面に、予め当該上面にマーンキグする標印
１１に対応する抜き窓孔Ａ１を穿設して成るステンレス
鋼板等の遮光性マスク板Ａを配設し、この状態で、図示
しないレーザ光線発信器から発射されたレーザ光線を、
前記遮光性マスク板Ａの上面からモールド部１０に向か
って照射することにより、前記モールド部１０の上面
に、前記標印用抜き窓孔Ａ１に対応する形状の標印１１
を、レーザ光線による焼き付けによってマーキングする
のである。A light-shielding mask plate A, such as a stainless steel plate, is formed on the upper surface of the mold portion 10 of the diode 1 by previously forming a window hole A1 corresponding to the mark 11 for marking on the upper surface. Then, in this state, the laser beam emitted from the laser beam transmitter (not shown)
By irradiating the upper surface of the light-shielding mask plate A toward the mold portion 10, the upper surface of the mold portion 10 has a mark 11 having a shape corresponding to the mark opening window hole A1.
Are marked by printing with a laser beam.
【００１５】このとき、前記遮光性マスク板Ａには、当
該遮光性マスク板Ａのうちモールド部１０とその両側に
おけるセクションバー５との境界部分に、スリット状の
抜き窓孔Ａ２を、このスリット状抜き窓孔Ａ２がセクシ
ョンバー５の長手方向に沿って延びるように穿設してお
くのである。すると、前記遮光性マスク板Ａの上面から
モールド部１０に向かって照射されたレーザ光線を、遮
光性マスク板Ａに穿設した標印用抜き窓孔Ａ１を通して
モールド部の上面に照射できると同時に、前記モールド
部１０とその両側のセクションバー５との境界部分に
も、遮光性マスク板Ａに穿設したスリット状抜き窓孔Ａ
２を通して照射することができるから、前記モールド部
１０の上面に、図４に示すように、標印１１をレーザ光
線の焼き付けにてマーキングできると同時に、前記各セ
クションバー５における撫で肩部５ｃの箇所に発生する
合成樹脂のバリを、図５に示すように、レーザ光線の照
射による焼失にて略完全に除去することができるのであ
る。At this time, the light-shielding mask plate A is provided with slit-shaped window holes A2 at the boundaries between the mold portion 10 and the section bars 5 on both sides of the light-shielding mask plate A. The punched window hole A2 is provided so as to extend along the longitudinal direction of the section bar 5. Then, the laser beam radiated from the upper surface of the light-shielding mask plate A toward the mold portion 10 can be radiated to the upper surface of the mold portion at the same time through the mark extraction window hole A1 formed in the light-shielding mask plate A. At the boundary between the mold portion 10 and the section bars 5 on both sides of the mold portion 10, a slit-shaped window hole A formed in the light-shielding mask plate A is also provided.
As shown in FIG. 4, markings 11 can be marked on the upper surface of the mold portion 10 by baking a laser beam, and at the same time, the shoulder portions 5c can be stroked by stroking the section bars 5 as shown in FIG. As shown in FIG. 5, the burrs of the synthetic resin generated at 1) can be almost completely removed by burning out by irradiation with a laser beam.
【００１６】また、前記遮光性マスク板Ａには、ダイオ
ード１におけるモールド部１０の上面のうち一端部の部
分に、広幅スリット状の抜き窓孔Ａ３を穿設しておくこ
とにより、前記標印１１のマーキング及び合成樹脂のバ
リ取りと同時に、モールド部１０の上面における一端部
の部分に、ダイオード１における一方の極の方向を示す
極マーク１２を、レーザ光線による焼き付けにてマーキ
ングすることができるのである。Further, in the light-shielding mask plate A, a wide slit-shaped cut window hole A3 is formed in one end portion of the upper surface of the mold portion 10 of the diode 1, so that the mark is formed. At the same time as marking 11 and deburring of the synthetic resin, a pole mark 12 indicating the direction of one pole of the diode 1 can be marked on the upper surface of the mold portion 10 by baking with a laser beam. Of.
【００１７】なお、前記実施例は、半導体部品の一つで
あるところのダイオードについて説明したが、本発明
は、このダイオードに限らず、トランジスター又はＩＣ
等のその他の合成樹脂パッケージ型の半導体部品に対し
て適用できることは言うまでもない。In the above embodiment, the diode, which is one of the semiconductor components, has been described, but the present invention is not limited to this diode, but a transistor or an IC.
Needless to say, the present invention can be applied to other synthetic resin package type semiconductor components such as.
【図１】本発明における実施例の方法を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing a method according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.
【図３】図２のIII −III 視断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【図４】ダイオードの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a diode.
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。5 is an enlarged sectional view taken along line VV of FIG.
【図６】リードフレームを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a lead frame.
【図７】図６のVII −VII 視拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged sectional view taken along line VII-VII of FIG.
【図８】図６のVIII−VIII視拡大断面図である。8 is an enlarged sectional view taken along line VIII-VIII of FIG.
１ ダイオード ２ リードフレーム ３，４ サイドフレーム ５ セクションバー ６，７ リード端子 ８ 半導体素子 ９ 金属線 １０ モールド部 １０ａ 合成樹脂のバリ １１ 標印 Ａ 遮光性マスク板 Ａ１ 標印用抜き窓孔 Ａ２ スリット状抜き窓孔 1 Diode 2 Lead frame 3,4 Side frame 5 Section bar 6,7 Lead terminal 8 Semiconductor element 9 Metal wire 10 Mold part 10a Synthetic resin burr 11 Mark A Light-shielding mask plate A1 Mark window hole A2 Slit shape Window hole
Claims (1)
間の部位に当該各セクションバーを外型として成形した
モールド部の表面に、レーザ光線を、遮光性マスク板に
穿設した標印用抜き窓孔を通して照射するにおいて、前
記遮光性マスク板に、前記標印用抜き窓孔とは別にスリ
ット状抜き窓孔を穿設し、このスリット状抜き窓孔を通
して、前記モールド部とセクションバーとの境界部分
に、レーザ光線を照射することを特徴とする合成樹脂パ
ッケージ型半導体部品におけるバリ取り方法。1. A laser beam is passed through a marking window hole formed in a light-shielding mask plate on the surface of a mold part formed by molding each section bar as an outer mold between the section bars of a lead frame. In the irradiation, a slit-shaped opening window is formed in the light-shielding mask plate in addition to the marking-purpose opening window, and through the slit-shaped opening window, a boundary portion between the mold portion and the section bar is formed. A method for deburring a synthetic resin package type semiconductor component, which comprises irradiating a laser beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00753594A JP3388856B2 (en) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | Deburring method for synthetic resin package type semiconductor parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00753594A JP3388856B2 (en) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | Deburring method for synthetic resin package type semiconductor parts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221127A true JPH07221127A (en) | 1995-08-18 |
| JP3388856B2 JP3388856B2 (en) | 2003-03-24 |
Family
ID=11668486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00753594A Expired - Fee Related JP3388856B2 (en) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | Deburring method for synthetic resin package type semiconductor parts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3388856B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004343038A (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-02 | Jettech Ltd | Semiconductor package having cutting groove on side flash, method of forming this cutting groove, deflashing method in semiconductor package having cutting groove |
-
1994
- 1994-01-27 JP JP00753594A patent/JP3388856B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004343038A (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-02 | Jettech Ltd | Semiconductor package having cutting groove on side flash, method of forming this cutting groove, deflashing method in semiconductor package having cutting groove |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3388856B2 (en) | 2003-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002064114A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| KR100244966B1 (en) | Apparatus having trim punch with air flow route for trimming gate scrap | |
| JP3388856B2 (en) | Deburring method for synthetic resin package type semiconductor parts | |
| US4592131A (en) | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
| KR101090259B1 (en) | Method for cutting lead terminal of package type electronic component | |
| JPH0722555A (en) | Lead frame structure for semiconductor device and method of cutting | |
| JPS6146049B2 (en) | ||
| JPH05226532A (en) | Manufacture of lead frame for power transistor | |
| JPH06163995A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2001203311A (en) | Method for cutting lead tip of semiconductor element | |
| JP3117812B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP2593365Y2 (en) | Structure of lead frame for electronic parts | |
| JP2603814B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH07153892A (en) | Lead frame | |
| KR920006175Y1 (en) | Lead frame cutter | |
| KR100271355B1 (en) | Mold structure and method for marking coo mark of semiconductor package using the mold structure | |
| JP3458907B2 (en) | Lead frame | |
| JP2736123B2 (en) | Lead frame for semiconductor | |
| JPH0679512U (en) | Mold for electronic parts | |
| JPH04121752U (en) | Structure of lead frame for electronic components | |
| JPH0493057A (en) | Manufacture of electronic parts lead frame and electronic parts using the same | |
| JPH04121754U (en) | Structure of lead frame for electronic components | |
| JPH0839617A (en) | Molded product and mold | |
| JPH06196604A (en) | Manufacture of lead frame | |
| JPH0645381A (en) | Molded product and mold thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |