JPH07221033A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07221033A JPH07221033A JP1325794A JP1325794A JPH07221033A JP H07221033 A JPH07221033 A JP H07221033A JP 1325794 A JP1325794 A JP 1325794A JP 1325794 A JP1325794 A JP 1325794A JP H07221033 A JPH07221033 A JP H07221033A
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- temperature control
- control device
- noise
- noise removal
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度制御対象を温度制御機器にて制御するプ
ラズマ処理装置において高周波ノイズによる誤動作を防
止する。 【構成】 温度制御機器１０、２０と温度制御対象８、
９、１８、１９とを接続する導電線１１、２１の途中に
ノイズ除去フィルタ１２、２２を介装し、温度制御機器
１０、２０とノイズ除去フィルタ１２、２２をそれぞれ
接地された導電体によって囲まれた空間内に配設し、温
度制御機器１０、２０とノイズ除去フィルタ１２、２２
を接続する導電線１１ｂ、２１ｂを接地された導電体１
４、２４によって囲まれた空間内に配設し、ノイズ除去
フィルタ１２、２２と温度制御対象８、９、１８、１９
を接続する導電線１１ａ、２１ａを減圧容器３の壁部と
接地された導電体１３、２３とによって囲まれた空間内
に配設した。
ラズマ処理装置において高周波ノイズによる誤動作を防
止する。 【構成】 温度制御機器１０、２０と温度制御対象８、
９、１８、１９とを接続する導電線１１、２１の途中に
ノイズ除去フィルタ１２、２２を介装し、温度制御機器
１０、２０とノイズ除去フィルタ１２、２２をそれぞれ
接地された導電体によって囲まれた空間内に配設し、温
度制御機器１０、２０とノイズ除去フィルタ１２、２２
を接続する導電線１１ｂ、２１ｂを接地された導電体１
４、２４によって囲まれた空間内に配設し、ノイズ除去
フィルタ１２、２２と温度制御対象８、９、１８、１９
を接続する導電線１１ａ、２１ａを減圧容器３の壁部と
接地された導電体１３、２３とによって囲まれた空間内
に配設した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング、ス
パッタリング、ＣＶＤ等に利用されるプラズマ処理装置
に関するものである。
パッタリング、ＣＶＤ等に利用されるプラズマ処理装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図を図
３に示す。図３において、上部電極１と下部電極２が反
応室である減圧容器３内に平行に配置される。下部電極
２は熱電対８と抵抗加熱ヒータ９を内蔵しており、温度
制御機器１０により下部電極２を所定の温度に制御でき
るように構成されている。基板１５は下部電極２上に置
かれる。上部電極１にはガス配管７が貫通している。上
部電極１の下部電極２との対向面にはガス導入口４が設
けられている。上部電極１及び下部電極２はそれぞれ高
周波電源５及び６に接続されている。
３に示す。図３において、上部電極１と下部電極２が反
応室である減圧容器３内に平行に配置される。下部電極
２は熱電対８と抵抗加熱ヒータ９を内蔵しており、温度
制御機器１０により下部電極２を所定の温度に制御でき
るように構成されている。基板１５は下部電極２上に置
かれる。上部電極１にはガス配管７が貫通している。上
部電極１の下部電極２との対向面にはガス導入口４が設
けられている。上部電極１及び下部電極２はそれぞれ高
周波電源５及び６に接続されている。
【０００３】そして、ガス配管７を通じて反応ガスをガ
ス導入口４から減圧容器３内に導入しつつ排気を行い、
減圧容器３内を適当な圧力に保ちながら、高周波電力を
投入して２つの電極１、２間にグロー放電プラズマを発
生させ、基板１５上に薄膜を堆積するように構成されて
いる。
ス導入口４から減圧容器３内に導入しつつ排気を行い、
減圧容器３内を適当な圧力に保ちながら、高周波電力を
投入して２つの電極１、２間にグロー放電プラズマを発
生させ、基板１５上に薄膜を堆積するように構成されて
いる。
【０００４】ところが、このような構成では熱電対８あ
るいは抵抗加熱ヒータ９と温度制御機器１０とを接続す
る導電線１１にはプラズマ発生時に高周波ノイズが重畳
し、温度制御機器１０に誤動作を生じ、また導電線１１
がアンテナとなって高周波ノイズを電磁波の形で放射す
るため、プラズマＣＶＤ装置の制御系にも誤動作を生じ
るという問題があった。
るいは抵抗加熱ヒータ９と温度制御機器１０とを接続す
る導電線１１にはプラズマ発生時に高周波ノイズが重畳
し、温度制御機器１０に誤動作を生じ、また導電線１１
がアンテナとなって高周波ノイズを電磁波の形で放射す
るため、プラズマＣＶＤ装置の制御系にも誤動作を生じ
るという問題があった。
【０００５】そこで、導電線１１からのノイズの伝導を
防ぐために、図４に示すように、コイルとコンデンサか
ら成るノイズ除去フィルタ１２を導電線１１の途中に介
装することも行われている。
防ぐために、図４に示すように、コイルとコンデンサか
ら成るノイズ除去フィルタ１２を導電線１１の途中に介
装することも行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示すような構成においても、熱電対８及び抵抗加熱ヒー
タ９とノイズ除去フィルタ１２を接続する導電線１１ａ
から高周波ノイズが電磁波の形で放射され、ノイズ除去
フィルタ１２と温度制御機器１０とを接続する導電線１
１ｂにも間接的に高周波ノイズが重畳し、温度制御機器
１０の誤動作を完全に防止できないばかりか、熱電対８
及び抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１２を接続
する導電線１１ａが主なノイズ放射源となってプラズマ
ＣＶＤ装置の制御系に誤動作を生じることがあるという
問題があった。
示すような構成においても、熱電対８及び抵抗加熱ヒー
タ９とノイズ除去フィルタ１２を接続する導電線１１ａ
から高周波ノイズが電磁波の形で放射され、ノイズ除去
フィルタ１２と温度制御機器１０とを接続する導電線１
１ｂにも間接的に高周波ノイズが重畳し、温度制御機器
１０の誤動作を完全に防止できないばかりか、熱電対８
及び抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１２を接続
する導電線１１ａが主なノイズ放射源となってプラズマ
ＣＶＤ装置の制御系に誤動作を生じることがあるという
問題があった。
【０００７】そこで、図５に示すように、熱電対８及び
抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１２を接続する
導電線１１ａを、減圧容器３の壁部と接地された導電体
１３とによって囲まれた空間内に配置することにより、
熱電対８及び抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１
２を接続する導電線１１ａからの放射ノイズが反応室３
の壁部と接地された導電体１３とによって囲まれた空間
外に漏れないようにし、温度制御機器１０やプラズマＣ
ＶＤ装置の制御系の誤動作を避けることが考えられた。
抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１２を接続する
導電線１１ａを、減圧容器３の壁部と接地された導電体
１３とによって囲まれた空間内に配置することにより、
熱電対８及び抵抗加熱ヒータ９とノイズ除去フィルタ１
２を接続する導電線１１ａからの放射ノイズが反応室３
の壁部と接地された導電体１３とによって囲まれた空間
外に漏れないようにし、温度制御機器１０やプラズマＣ
ＶＤ装置の制御系の誤動作を避けることが考えられた。
【０００８】ところが、その場合でも減圧容器３の覗き
窓や高周波電源系等から高周波ノイズが漏れて、その放
射ノイズが温度制御機器１０とノイズ除去フィルタ１２
とを接続する導電線１１ｂに重畳し、温度制御機器１０
の誤動作を完全に防止することができないという問題が
あることが判明した。
窓や高周波電源系等から高周波ノイズが漏れて、その放
射ノイズが温度制御機器１０とノイズ除去フィルタ１２
とを接続する導電線１１ｂに重畳し、温度制御機器１０
の誤動作を完全に防止することができないという問題が
あることが判明した。
【０００９】なお、プラズマ処理装置としては、上述し
たプラズマＣＶＤ装置の他に、ドライエッチング装置や
スパッタリング装置等があり、プラズマＣＶＤ装置と同
様に反応室である減圧容器内の特定部位の温度制御を必
要とすることが多い。また、反応ガスとして常温で液体
の物質を用いる場合などには減圧容器３外に配設されて
いるガス配管７の温度制御が必要となることがある。こ
のように、各種プラズマ処理装置における減圧容器の内
部又は外部で温度制御が必要となるケースは多く、その
場合上記したようなプラズマＣＶＤ装置の下部電極２の
温度制御について見たのと同様に高周波ノイズによる制
御系の誤動作が生じるという問題点があった。
たプラズマＣＶＤ装置の他に、ドライエッチング装置や
スパッタリング装置等があり、プラズマＣＶＤ装置と同
様に反応室である減圧容器内の特定部位の温度制御を必
要とすることが多い。また、反応ガスとして常温で液体
の物質を用いる場合などには減圧容器３外に配設されて
いるガス配管７の温度制御が必要となることがある。こ
のように、各種プラズマ処理装置における減圧容器の内
部又は外部で温度制御が必要となるケースは多く、その
場合上記したようなプラズマＣＶＤ装置の下部電極２の
温度制御について見たのと同様に高周波ノイズによる制
御系の誤動作が生じるという問題点があった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、高周
波ノイズによる誤動作のないプラズマ処理装置を提供す
ることを目的としている。
波ノイズによる誤動作のないプラズマ処理装置を提供す
ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のプラズ
マ処理装置は、減圧容器内に高周波電力を印加すること
によりプラズマを発生させるプラズマ発生手段と特定部
位の温度制御を行う温度制御機器とを備えたプラズマ処
理装置において、温度制御機器と温度制御対象とを接続
する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装し、温度
制御機器とノイズ除去フィルタをそれぞれ接地された導
電体によって囲まれた空間内に配設し、温度制御機器と
ノイズ除去フィルタを接続する導電線を接地された導電
体によって囲まれた空間内に配設し、ノイズ除去フィル
タと温度制御対象を接続する導電線を減圧容器の壁部と
接地された導電体とによって囲まれた空間内に配設した
ことを特徴とする。
マ処理装置は、減圧容器内に高周波電力を印加すること
によりプラズマを発生させるプラズマ発生手段と特定部
位の温度制御を行う温度制御機器とを備えたプラズマ処
理装置において、温度制御機器と温度制御対象とを接続
する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装し、温度
制御機器とノイズ除去フィルタをそれぞれ接地された導
電体によって囲まれた空間内に配設し、温度制御機器と
ノイズ除去フィルタを接続する導電線を接地された導電
体によって囲まれた空間内に配設し、ノイズ除去フィル
タと温度制御対象を接続する導電線を減圧容器の壁部と
接地された導電体とによって囲まれた空間内に配設した
ことを特徴とする。
【００１２】又、第２発明のプラズマ処理装置は、上記
ノイズ除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導
電体によって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度
制御機器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体
から成る仕切り部材を介在し、ノイズ除去フィルタと温
度制御対象を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地さ
れた導電体とによって囲まれた空間内に配設したことを
特徴とする。
ノイズ除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導
電体によって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度
制御機器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体
から成る仕切り部材を介在し、ノイズ除去フィルタと温
度制御対象を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地さ
れた導電体とによって囲まれた空間内に配設したことを
特徴とする。
【００１３】上記特定部位は、減圧容器内の特定部位で
あっても、減圧容器の壁部と接地された導電体によって
囲まれた空間内に特定部位であってもよい。
あっても、減圧容器の壁部と接地された導電体によって
囲まれた空間内に特定部位であってもよい。
【００１４】
【作用】本発明によれば、温度制御機器と温度制御対象
とを接続する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装
しているので温度制御機器への伝導ノイズの混入を避け
ることができる。
とを接続する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装
しているので温度制御機器への伝導ノイズの混入を避け
ることができる。
【００１５】また、温度制御機器とノイズ除去フィルタ
をそれぞれ接地された導電体によって囲まれた空間内に
配設し、温度制御機器とノイズ除去フィルタを接続する
導電線を接地された導電体によって囲まれた空間内に配
設しているので、たとえ減圧容器の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても温度制御機器への
放射ノイズの混入を避けることができる。なお、ノイズ
除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導電体に
よって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度制御機
器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体から成
る仕切り部材を介在しても同様の作用が得られる。
をそれぞれ接地された導電体によって囲まれた空間内に
配設し、温度制御機器とノイズ除去フィルタを接続する
導電線を接地された導電体によって囲まれた空間内に配
設しているので、たとえ減圧容器の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても温度制御機器への
放射ノイズの混入を避けることができる。なお、ノイズ
除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導電体に
よって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度制御機
器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体から成
る仕切り部材を介在しても同様の作用が得られる。
【００１６】更に、温度制御対象とノイズ除去フィルタ
を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地された導電体
とによって囲まれた空間内に配設しているので、温度制
御対象とノイズ除去フィルタを接続する導電線からの放
射ノイズがこの空間外に漏れず、プラズマ処理装置の制
御系の誤動作を避けることができる。
を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地された導電体
とによって囲まれた空間内に配設しているので、温度制
御対象とノイズ除去フィルタを接続する導電線からの放
射ノイズがこの空間外に漏れず、プラズマ処理装置の制
御系の誤動作を避けることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明をシリコン酸化膜堆積に利用さ
れるプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例について説明
する。尚、実施例は６インチ半導体基板用プラズマＣＶ
Ｄ装置である。
れるプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例について説明
する。尚、実施例は６インチ半導体基板用プラズマＣＶ
Ｄ装置である。
【００１８】まず、第１実施例について、図１を参照し
ながら説明する。図１において、上部電極１と下部電極
２が反応室である減圧容器３内に平行に配設されてい
る。下部電極２は熱電対８と抵抗加熱ヒータ９を内蔵し
ており、温度制御機器１０により下部電極２を所定の温
度に制御するように構成されている。なお、熱電対８と
抵抗加熱ヒータ９を総称して温度制御対象８、９と呼ぶ
ことがある。下部電極２は３００〜４００°Ｃに制御さ
れる。基板１５は下部電極２上に置かれる。上部電極１
にはガス配管７が貫通されている。上部電極１の下部電
極２との対向面にはガス導入口４が設けられている。上
部電極１は、１３．５６ＭＨｚの高周波電源５に、また
下部電極２は数１００ＫＨｚの高周波電源６に接続され
ている。反応ガスとしては、ＴＥＯＳとＯ2 ガスの混合
ガスを用いる。ＴＥＯＳは常温で液体であり、ガス配管
７は約１００°Ｃに温度制御する必要がある。このた
め、熱電対１８と抵抗加熱ヒータ１９がガス配管７の周
囲に取付けられており、温度制御機器２０により制御す
るように構成されている。なお、熱電対１８と抵抗加熱
ヒータ１９を総称して温度制御対象１８、１９と呼ぶこ
とがある。
ながら説明する。図１において、上部電極１と下部電極
２が反応室である減圧容器３内に平行に配設されてい
る。下部電極２は熱電対８と抵抗加熱ヒータ９を内蔵し
ており、温度制御機器１０により下部電極２を所定の温
度に制御するように構成されている。なお、熱電対８と
抵抗加熱ヒータ９を総称して温度制御対象８、９と呼ぶ
ことがある。下部電極２は３００〜４００°Ｃに制御さ
れる。基板１５は下部電極２上に置かれる。上部電極１
にはガス配管７が貫通されている。上部電極１の下部電
極２との対向面にはガス導入口４が設けられている。上
部電極１は、１３．５６ＭＨｚの高周波電源５に、また
下部電極２は数１００ＫＨｚの高周波電源６に接続され
ている。反応ガスとしては、ＴＥＯＳとＯ2 ガスの混合
ガスを用いる。ＴＥＯＳは常温で液体であり、ガス配管
７は約１００°Ｃに温度制御する必要がある。このた
め、熱電対１８と抵抗加熱ヒータ１９がガス配管７の周
囲に取付けられており、温度制御機器２０により制御す
るように構成されている。なお、熱電対１８と抵抗加熱
ヒータ１９を総称して温度制御対象１８、１９と呼ぶこ
とがある。
【００１９】下部電極２用の温度制御対象８、９と温度
制御機器１０とを接続する導電線１１の途中にノイズ除
去フィルタ１２が設けられ、温度制御機器１０とノイズ
除去フィルタ１２はそれぞれ接地された導電体から成る
箱１０ａ、１２ａに納められている。下部電極２用の温
度制御対象８、９とノイズ除去フィルタ１１とは導電線
１１ａにて接続され、ノイズ除去フィルタ１２と温度制
御機器１０とは導電線１１ｂにて接続されている。導電
線１１ａは接地された減圧容器３の壁部と接地された導
電体１３とで囲まれた空間内に配設され、導電線１１ｂ
は接地された導電体１４にて囲まれた空間内に配設され
ている。なお、別途に導電体１４を設けなくても、上記
接地された導電体から成る箱１０ａ、１２ａを互いにボ
ルト接合して電気的に接続し、それらを貫通する穴に導
電線１１ｂを配設してもよい。
制御機器１０とを接続する導電線１１の途中にノイズ除
去フィルタ１２が設けられ、温度制御機器１０とノイズ
除去フィルタ１２はそれぞれ接地された導電体から成る
箱１０ａ、１２ａに納められている。下部電極２用の温
度制御対象８、９とノイズ除去フィルタ１１とは導電線
１１ａにて接続され、ノイズ除去フィルタ１２と温度制
御機器１０とは導電線１１ｂにて接続されている。導電
線１１ａは接地された減圧容器３の壁部と接地された導
電体１３とで囲まれた空間内に配設され、導電線１１ｂ
は接地された導電体１４にて囲まれた空間内に配設され
ている。なお、別途に導電体１４を設けなくても、上記
接地された導電体から成る箱１０ａ、１２ａを互いにボ
ルト接合して電気的に接続し、それらを貫通する穴に導
電線１１ｂを配設してもよい。
【００２０】ガス配管７用の温度制御対象１８、１９と
温度制御機器２０とを接続する導電線２１の途中にノイ
ズ除去フィルタ２２が設けられ、温度制御機器２０とノ
イズ除去フィルタ２２はそれぞれ接地された導電体から
成る箱２０ａ、２２ａに納められている。ガス配管７用
の温度制御対象１８、１９とノイズ除去フィルタ２１と
は導電線２１ａにて接続され、ノイズ除去フィルタ２２
と温度制御機器２０とは導電線２１ｂにて接続されてい
る。導電線２１ａは接地された反応室３の壁部と接地さ
れた導電体２３とで囲まれた空間内に配設され、導電線
２１ｂは接地された導電体２４にて囲まれた空間内に配
設されている。なお、別途に導電体２４を設けなくて
も、上記接地された導電体から成る箱２０ａ、２２ａを
互いにボルト接合して電気的に接続し、それらを貫通す
る穴に導電線２１ｂを配設してもよい。
温度制御機器２０とを接続する導電線２１の途中にノイ
ズ除去フィルタ２２が設けられ、温度制御機器２０とノ
イズ除去フィルタ２２はそれぞれ接地された導電体から
成る箱２０ａ、２２ａに納められている。ガス配管７用
の温度制御対象１８、１９とノイズ除去フィルタ２１と
は導電線２１ａにて接続され、ノイズ除去フィルタ２２
と温度制御機器２０とは導電線２１ｂにて接続されてい
る。導電線２１ａは接地された反応室３の壁部と接地さ
れた導電体２３とで囲まれた空間内に配設され、導電線
２１ｂは接地された導電体２４にて囲まれた空間内に配
設されている。なお、別途に導電体２４を設けなくて
も、上記接地された導電体から成る箱２０ａ、２２ａを
互いにボルト接合して電気的に接続し、それらを貫通す
る穴に導電線２１ｂを配設してもよい。
【００２１】以上の構成によれば、下部電極２及びガス
配管７の双方において温度制御機器１０、２０と温度制
御対象８、９及び１８、１９とを接続する導電線１１、
２１の途中にノイズ除去フィルタ１２、２２が介装され
ているため、温度制御機器１０、２０への伝導ノイズの
混入を避けることができる。
配管７の双方において温度制御機器１０、２０と温度制
御対象８、９及び１８、１９とを接続する導電線１１、
２１の途中にノイズ除去フィルタ１２、２２が介装され
ているため、温度制御機器１０、２０への伝導ノイズの
混入を避けることができる。
【００２２】また、温度制御機器１０、２０とノイズ除
去フィルタ１２、２２をそれぞれ接地された導電体から
成る箱１０ａ、２０ａ、１２ａ、２２ａによって囲まれ
た空間内に配設し、温度制御機器１０、２０とノイズ除
去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１ｂ、２１ｂ
を接地された導電体１４、２４によって囲まれた空間内
に配設しているので、減圧容器３の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても、温度制御機器１
０、２０への放射ノイズの混入を完全に避けることがで
きる。
去フィルタ１２、２２をそれぞれ接地された導電体から
成る箱１０ａ、２０ａ、１２ａ、２２ａによって囲まれ
た空間内に配設し、温度制御機器１０、２０とノイズ除
去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１ｂ、２１ｂ
を接地された導電体１４、２４によって囲まれた空間内
に配設しているので、減圧容器３の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても、温度制御機器１
０、２０への放射ノイズの混入を完全に避けることがで
きる。
【００２３】また、温度制御対象８、９及び１８、１９
とノイズ除去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１
ａ、２１ａを反応室３の壁部と接地された導電体１３、
２３とによって囲まれた空間内に配設しているので、温
度制御対象８、９及び１８、１９とノイズ除去フィルタ
１２、２２を接続する導電線１１ａ、２１ａからの放射
ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ処
理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
とノイズ除去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１
ａ、２１ａを反応室３の壁部と接地された導電体１３、
２３とによって囲まれた空間内に配設しているので、温
度制御対象８、９及び１８、１９とノイズ除去フィルタ
１２、２２を接続する導電線１１ａ、２１ａからの放射
ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ処
理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
【００２４】次に、第２実施例について図２を参照しな
がら説明する。なお、図１の第１実施例と共通の構成要
素については同一参照符号を付して説明を省略する。
がら説明する。なお、図１の第１実施例と共通の構成要
素については同一参照符号を付して説明を省略する。
【００２５】この実施例においては、下部電極２用の温
度制御対象８、９及びガス配管７用の温度制御対象１
８、１９に対してノイズ除去フィルタ内蔵型温度制御装
置３１、３２を用いており、それぞれ接地された導電体
の箱３１ａ、３２ａ内に納められている。これらノイズ
除去フィルタ内蔵型温度制御装置３１、３２の内部で
は、ノイズ除去フィルタ１２、２２と温度制御機器１
０、２０とが接地された導電体から成る仕切り部材３
３、３４によって仕切られており、仕切り部材３２、３
３に設けられた貫通穴を貫通する導電線１１ｂ、２１ｂ
にてノイズ除去フィルタ１２、２２と温度制御機器１
０、２０が接続されている。
度制御対象８、９及びガス配管７用の温度制御対象１
８、１９に対してノイズ除去フィルタ内蔵型温度制御装
置３１、３２を用いており、それぞれ接地された導電体
の箱３１ａ、３２ａ内に納められている。これらノイズ
除去フィルタ内蔵型温度制御装置３１、３２の内部で
は、ノイズ除去フィルタ１２、２２と温度制御機器１
０、２０とが接地された導電体から成る仕切り部材３
３、３４によって仕切られており、仕切り部材３２、３
３に設けられた貫通穴を貫通する導電線１１ｂ、２１ｂ
にてノイズ除去フィルタ１２、２２と温度制御機器１
０、２０が接続されている。
【００２６】以上の構成においても、第１実施例と同様
に下部電極２及びガス配管７の双方において温度制御機
器１０、２０と温度制御対象８、９及び１８、１９とを
接続する導電線１１、２１の途中にノイズ除去フィルタ
１２、２２が介装されているため、温度制御機器１０、
２０への伝導ノイズの混入を避けることができる。
に下部電極２及びガス配管７の双方において温度制御機
器１０、２０と温度制御対象８、９及び１８、１９とを
接続する導電線１１、２１の途中にノイズ除去フィルタ
１２、２２が介装されているため、温度制御機器１０、
２０への伝導ノイズの混入を避けることができる。
【００２７】また、ノイズ除去フィルタ内蔵型温度制御
装置３１、３２を接地された導電体の箱３１ａ、３２ａ
内に納め、さらに内蔵されたノイズ除去フィルタ１２、
２２と温度制御機器１０、２０とを、接地された導電体
から成る仕切り部材３３、３４によって仕切ってその貫
通穴に通した導電線１１ｂ、２１ｂにてノイズ除去フィ
ルタ１２、２２と温度制御機器１０、２０を接続してい
るので、外部から及びノイズ除去フィルタ１２、２２か
ら温度制御機器１０、２０への放射ノイズの混入を避け
ることができる。
装置３１、３２を接地された導電体の箱３１ａ、３２ａ
内に納め、さらに内蔵されたノイズ除去フィルタ１２、
２２と温度制御機器１０、２０とを、接地された導電体
から成る仕切り部材３３、３４によって仕切ってその貫
通穴に通した導電線１１ｂ、２１ｂにてノイズ除去フィ
ルタ１２、２２と温度制御機器１０、２０を接続してい
るので、外部から及びノイズ除去フィルタ１２、２２か
ら温度制御機器１０、２０への放射ノイズの混入を避け
ることができる。
【００２８】また、温度制御対象８、９及び１８、１９
とノイズ除去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１
ａ、２１ａを反応室３の壁部と接地された導電体１３、
２３とによって囲まれた空間内に配設しているので、温
度制御対象８、９及び１８、１９とノイズ除去フィルタ
１２、２２を接続する導電線１１ａ、２１ａからの放射
ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ処
理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
とノイズ除去フィルタ１２、２２を接続する導電線１１
ａ、２１ａを反応室３の壁部と接地された導電体１３、
２３とによって囲まれた空間内に配設しているので、温
度制御対象８、９及び１８、１９とノイズ除去フィルタ
１２、２２を接続する導電線１１ａ、２１ａからの放射
ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ処
理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
【００２９】上記第１、第２実施例では、半導体基板用
プラズマＣＶＤ装置について説明したが、ドライエッチ
ング装置やスパッタリング装置等、他のプラズマ処理装
置にも適用可能である。
プラズマＣＶＤ装置について説明したが、ドライエッチ
ング装置やスパッタリング装置等、他のプラズマ処理装
置にも適用可能である。
【００３０】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置によれば、以
上の説明から明らかなように、温度制御機器と温度制御
対象とを接続する導電線の途中にノイズ除去フィルタを
介装しているので温度制御機器への伝導ノイズの混入を
避けることができる。
上の説明から明らかなように、温度制御機器と温度制御
対象とを接続する導電線の途中にノイズ除去フィルタを
介装しているので温度制御機器への伝導ノイズの混入を
避けることができる。
【００３１】また、温度制御機器とノイズ除去フィルタ
をそれぞれ接地された導電体によって囲まれた空間内に
配設し、温度制御機器とノイズ除去フィルタを接続する
導電線を接地された導電体によって囲まれた空間内に配
設しているので、たとえ減圧容器の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても温度制御機器への
放射ノイズの混入を避けることができる。また、ノイズ
除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導電体に
よって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度制御機
器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体から成
る仕切り部材を介在しても同様の効果を発揮する。
をそれぞれ接地された導電体によって囲まれた空間内に
配設し、温度制御機器とノイズ除去フィルタを接続する
導電線を接地された導電体によって囲まれた空間内に配
設しているので、たとえ減圧容器の覗き窓や高周波電源
系等から高周波ノイズが漏れていても温度制御機器への
放射ノイズの混入を避けることができる。また、ノイズ
除去フィルタを温度制御機器と共に接地された導電体に
よって囲まれた共通の空間内に配設し、かつ温度制御機
器とノイズ除去フィルタの間に接地された導電体から成
る仕切り部材を介在しても同様の効果を発揮する。
【００３２】更に、温度制御対象とノイズ除去フィルタ
を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地された導電体
とによって囲まれた空間内に配設しているので、温度制
御対象とノイズ除去フィルタを接続する導電線からの放
射ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ
処理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
を接続する導電線を減圧容器の壁部と接地された導電体
とによって囲まれた空間内に配設しているので、温度制
御対象とノイズ除去フィルタを接続する導電線からの放
射ノイズがこの空間外へ漏れないようにでき、プラズマ
処理装置の制御系の誤動作を避けることができる。
【００３３】かくして、本発明によれば高周波ノイズに
よる誤動作のないプラズマ処理装置を提供することがで
きる。
よる誤動作のないプラズマ処理装置を提供することがで
きる。
【図１】本発明の第１実施例のプラズマ処理装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の第２実施例のプラズマ処理装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図３】従来例のプラズマ処理装置の概略構成図であ
る。
る。
【図４】他の従来例のプラズマ処理装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図５】従来例のプラズマ処理装置の改良構成例の概略
構成図である。
構成図である。
３ 減圧容器 ８ 熱電対（温度制御対象） ９ 抵抗加熱ヒータ（温度制御対象） １０ 温度制御機器 １０ａ 導電体から成る箱 １１（１１ａ、１１ｂ） 導電線 １２ ノイズ除去フィルタ １２ａ 導電体から成る箱 １３ 導電体 １４ 導電体 １８ 熱電対（温度制御対象） １９ 抵抗加熱ヒータ（温度制御対象） ２０ 温度制御機器 ２０ａ 導電体から成る箱 ２１（２１ａ、２１ｂ） 導電線 ２２ ノイズ除去フィルタ ２２ａ 導電体から成る箱 ２３ 導電体 ２４ 導電体 ３１ ノイズ除去フィルタ内蔵型温度制御機器 ３２ ノイズ除去フィルタ内蔵型温度制御機器 ３３ 仕切り部材 ３３ 仕切り部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 減圧容器内に高周波電力を印加すること
によりプラズマを発生させるプラズマ発生手段と特定部
位の温度制御を行う温度制御機器とを備えたプラズマ処
理装置において、温度制御機器と温度制御対象とを接続
する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装し、温度
制御機器とノイズ除去フィルタをそれぞれ接地された導
電体によって囲まれた空間内に配設し、温度制御機器と
ノイズ除去フィルタを接続する導電線を接地された導電
体によって囲まれた空間内に配設し、ノイズ除去フィル
タと温度制御対象を接続する導電線を減圧容器の壁部と
接地された導電体とによって囲まれた空間内に配設した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 減圧容器内に高周波電力を印加すること
によりプラズマを発生させるプラズマ発生手段と特定部
位の温度制御を行う温度制御機器とを備えたプラズマ処
理装置において、温度制御機器と温度制御対象とを接続
する導電線の途中にノイズ除去フィルタを介装するとと
もに、このノイズ除去フィルタは温度制御機器と共に接
地された導電体によって囲まれた共通の空間内に配設
し、かつ温度制御機器とノイズ除去フィルタの間に接地
された導電体から成る仕切り部材を介在し、ノイズ除去
フィルタと温度制御対象を接続する導電線を減圧容器の
壁部と接地された導電体とによって囲まれた空間内に配
設したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 特定部位は、減圧容器内の特定部位であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項４】 特定部位は、減圧容器の壁部と接地され
た導電体によって囲まれた空間内の特定部位であること
を特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325794A JPH07221033A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325794A JPH07221033A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221033A true JPH07221033A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11828172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325794A Pending JPH07221033A (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221033A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025987A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP2009123505A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20140050560A (ko) * | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2014099585A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| TWI623961B (zh) * | 2013-05-24 | 2018-05-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device and filter unit |
-
1994
- 1994-02-07 JP JP1325794A patent/JPH07221033A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025987A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP2009123505A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| CN102858078A (zh) * | 2007-11-14 | 2013-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| TWI472267B (zh) * | 2007-11-14 | 2015-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| KR20140050560A (ko) * | 2012-10-19 | 2014-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2014099585A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| TWI621172B (zh) * | 2012-10-19 | 2018-04-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| US10332728B2 (en) | 2012-10-19 | 2019-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| TWI623961B (zh) * | 2013-05-24 | 2018-05-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device and filter unit |
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