JPH0721967A - 電子エネルギー損失同時検知器 - Google Patents
電子エネルギー損失同時検知器Info
- Publication number
- JPH0721967A JPH0721967A JP5165720A JP16572093A JPH0721967A JP H0721967 A JPH0721967 A JP H0721967A JP 5165720 A JP5165720 A JP 5165720A JP 16572093 A JP16572093 A JP 16572093A JP H0721967 A JPH0721967 A JP H0721967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- magnetic field
- deflection
- electron beam
- energy loss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000619 electron energy-loss spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
子の照射による検知器の破損を防止するための減衰器の
設置位置を最適化する。 【構成】 透過電子顕微鏡とフォーカス用磁場4重極レ
ンズ18と扇形磁場10と分散ズーム用磁場4重極レン
ズ11と平面検知器12の構成による電子エネルギー損
失同時検知器において、フォーカス用磁場4重極レンズ
18の前に分散方向に対して垂直方向に偏向する偏向器
13を設置し、分散ズーム用磁場4重極レンズ11の近
傍に偏向された電子を除去するスリット15を配置す
る。 【効果】 偏向器を平面検知器から遠ざけることによ
り、偏向場を弱くできる。そのために偏向場による検知
器への外乱や散乱電子によるノイズが低減できる。また
装置がコンパクトに設計でき、組立や保守が容易にな
る。
Description
て試料の微小部の観察と元素分析を行う分析電子顕微鏡
の技術に関する。特に、試料を透過した電子のエネルギ
ーの損失を電磁石で分析して平面検知器で同時に計測す
る電子エネルギー損失同時検知器に関する。
電子を光に変換する蛍光体素子が使われている。この素
子に高エネルギーの電子ビームを当て続けると素子の性
能が劣化する。また透過電子のうちエネルギー損失の少
ないゼロロスピークと損失の多いコアロスピークでは強
度が著しく異なるので、蛍光体素子だけでは光変換のダ
イナミックレンジが不十分であり、ゼロロスピークの強
すぎる強度を何らかの方法で減衰する必要がある。
電場で平面検知器の外に偏向する減衰器(アテネター)
が米国特許第4831255号明細書及び特開平1−2
97585号公報で提案されている。この減衰器は、扇
形電磁石と平面検知器の間に電子ビームを交流の電場あ
るいは磁場で偏向させて電子の強度を減衰させるもので
ある。
損失同時検知器における減衰器の配置を図8に示す。図
8(a)は正面図、図8(b)はそのP視図である。透
過形電子顕微鏡の構成要素である電子源1によって加速
された電子ビームは集束レンズ2によって絞られ、薄い
試料3を透過する。試料3の原子分子と非弾性衝突をし
た透過電子は、対物レンズ4と結像レンズ6によって拡
大され、蛍光板7に結像される。この蛍光板7を取り除
くとき、絞り8を通過した電子ビーム9は、扇形電磁石
10による磁場でエネルギー分散を受け、磁場4重極レ
ンズ系11で分散がズームされ、平面検知器12で同時
に計測される。磁場4重極レンズ系11と平面検知器1
2の間には交流電源14に接続された偏向板13が設置
されており、強度の大きなゼロロス近くの電子ビーム
は、平面検知器12の前で、偏向板13により印加され
る交流電界によって分散方向(x方向)に対して垂直な
方向(y方向)に偏向され減衰される。
ような問題がある。 (1)減衰器を平面検知器のすぐ前に配置して電子ビー
ムを偏向させると、その間の距離を大きく取れないので
偏向の場を強くする必要があり、減衰器の作動に伴う副
作用が発生する。具体的には、交流電場の影響により放
電が発生したり、交流ノイズが発生して、電子エネルギ
ースペクトルのCRT表示画面が揺れる現象が起こる。 (2)コイルによる磁場を用いる偏向の場合は、電子ビ
ームが分散ズーム用の磁場4重極レンズによって分散方
向に拡がっており、コイル間のギャップが小さくできな
いので広い範囲に磁場を均一に発生させなければなら
ず、測定系への交流磁場による悪影響が避けられない。 (3)扇形電磁石と平面検知器の間には分散ズーム磁場
4重極レンズなどが設置されていて狭いので、そのなか
に偏向器を設置すると組立てや保守作業がやりにくくな
る。 (4)平面検知器の正面近くで強い電子ビームを交流場
で偏向すると、散乱電子ビームが検知器に飛来してノイ
ズ信号となり、検知スペクトルのS/N比が低下する。
置位置及び偏向器によって偏向されない電子ビームのみ
を通すスリットの設置位置を最適化することにより上記
の問題を解決する。すなわち、減衰器としての偏向器を
扇形電磁石の手前に設置する。実用的には、扇形電磁石
に入射させる試料透過電子ビームを制限して試料の分析
部分を選択する絞りの後が望ましい。さらに、扇形電磁
石と平面検知器の間に設置される分散ズーム用4重極レ
ンズの近傍に扇形磁場の分散方向(x方向)に垂直な方
向(y方向)の電子ビームの拡がりを制限するスリット
を設置する。電子ビームは分散ズーム用4重極レンズの
近傍でy方向に収束されていて、偏向されたビームを除
去しやすいからである。
を偏向するタイプのものでも、コイルで発生する磁場で
電子ビームを偏向するタイプのものでもよい。なお、扇
形電磁石の前にフォーカス用磁場4重極レンズを設置し
てもよく、このように扇形電磁石の前後にそれぞれ1個
ずつの磁場4重極レンズを配置することによって、本出
願人の別途出願明細書に詳細に記載したように、従来の
ように複数の4重極レンズを扇形電磁石の後に設置する
よりも大きな分散率でズームできる効果が奏せられる。
合は、扇形磁場の手前に設置された偏向器に偏向電圧を
印加して、エネルギー分散方向に垂直な方向に電子ビー
ムを偏向し、分散ズーム用4重極レンズの近傍に設置さ
れたスリットを通らないようにする。電子エネルギー損
失スペクトルを測定する場合は、偏向器に偏向電圧を印
加せずに電子ビームがスリットを通過するようにし、ス
リットを通過した電子ビームを平面検知器で積算する。
場合で電子ビームの強度が強すぎる場合は、平面検知器
に流れる電子電流を検知して偏向器用電源に交流電圧を
印加させることにより、電子ビームをy方向に振って平
面検知器に到達する電子の量を減衰することもできる。
器における偏向電場の配置を図1に示す。図1(a)は
正面図、図1(b)はそのP視図である。
板13を扇形磁場10の手前、実用的には絞り8の後に
設置し、さらに扇形磁場の分散方向に垂直なy方向の拡
がりを制限するスリット15を分散ズーム用4重極レン
ズ(Q2レンズ)11の近傍に設置した点である。スリ
ット15を分散ズーム用4重極レンズ11の近傍に設置
するのは、電子ビームはそこでy方向に収束されてい
て、偏向されたビームを除去しやすいからである。偏向
板13と扇形電磁石10の間には、フォーカス用の磁場
4重極レンズ(Q1レンズ)18が配置されている。
い場合は、扇形電磁石10の手前に設置された偏向器1
3に偏向電圧を印加する。すると、電子ビーム9はエネ
ルギー分散方向に垂直なy方向に偏向され、スリット1
5を通過することができない。電子エネルギー損失スペ
クトルを測定する場合は、偏向器13に偏向電圧を印加
しない。この時、電子ビーム9はy方向に偏向されるこ
とがないのでスリット15を通過する。スリット15を
通過した電子ビーム9は平面検知器12で積算される。
場合で電子ビーム9の強度が強すぎる場合は、平面検知
器12に流れる電子電流を検知し、偏向制御系21の指
令で偏向電場用電源14の交流電圧を偏向板13に印加
し、電子ビーム9をy方向に振って平面検知器に到達す
る電子の量を減衰する。図2に従来技術と本実施例の偏
向電場の位置による偏向効果の比較を示す。図2(a)
は従来技術による場合を示し、図2(b)は本実施例に
よる場合を示す。図示したように、従来技術の場合の偏
向電場13から平面検知器までの距離をLaとし、本実
施例の場合の偏向電場13から平面検知器までの距離を
Lbとすると、LbはLaより5倍以上長くなる。
離について説明する。偏向電場を平行平板電極により発
生する場合、電子の加速電圧をU、電荷をe、質量を
m、速度をvとし、偏向電極の印加電圧を±V、電極の
長さをf、電極間のギャップを2G、電極内の電子の偏
向による軌道半径をRとすると、近似的に次の関係式が
成立する。
式で与えられる。 y=Ltanθ=LfV/(4UG) (4) すなわち偏向距離は偏向電場13から平面検知器までの
距離Lと偏向電圧Vに比例するので、本実施例の配置を
採用すると、従来技術と同じ偏向距離を得るには1/5
の偏向電圧ですむ。
0の入射側にフォーカス用のQ1レンズ18を配置し、
扇形電磁石10の出射側に分散ズーム用のQ2レンズ1
1を配置する構成を採用している。このQ1レンズ及び
Q2レンズの配置は本発明者らの提案に係るものであ
り、その詳細は別の出願において説明したが、例えば米
国特許第4743756号明細書に記載されているよう
な少なくとも3個の磁場4重極レンズQ1,Q2,Q3
を扇形電磁石10と平面検知器12の間に設置する必要
がある従来の分散ズーム電子レンズ系に比較して、装置
構成の簡素化を図りながらズーミング性能を向上するこ
とができるものである。従って、本実施例のようなQ
1,Q2レンズによる分散ズーム系と偏向板13とを組
み合わせると、さらに有利な電子エネルギー損失同時検
出器が得られる。
書に記載されているような従来の分散ズーム電子レンズ
系と、図1に示したQ1及びQ2レンズを用いる分散ズ
ーム系について、電子の軌道計算プログラムでシミュレ
ーションして比較した結果を簡単に示す。図4は、両者
のズーム効果を比較したものである。図4の横軸QKM
は、従来技術ではQ3、本実施例ではQ2レンズの場の
定数であり、それぞれの分散のズーム可変の役割をす
る。平面検知器12上へのフォーカスの役目はそれぞれ
のQ1レンズが分担するが、その変化はズーム用Qレン
ズの値に比例した場になる。縦軸Dは速度分散係数を表
し、エネルギー分散係数の0.5倍に相当する。この値
の変化が大きいほど、分散のズーム効果が高いといえ
る。
によるシミュレーション結果を示し、破線の曲線(b)
は従来の構成によるシミュレーション結果を示す。この
図から明らかなように、本実施例の構成による場合、D
は0.22から245まで変化し、1114倍のズーム
拡大率が得られている。これに対して同じ規模の配置に
おける従来技術では、Dは3.0から130まで変化
し、ズーム拡大率は43倍に留まる。
化を知るために、y方向の収差係数Bの値を図5に示し
た。横軸は、図4と同じくズーム拡大用磁場4重極レン
ズの場の定数である。図中、実線(a)は本実施例の構
成を採用した場合を示し、破線(b)は従来の構成を採
用した場合を示す。図5から明らかなように、本実施例
の配置による場合も従来技術の場合とほぼ同じ程度の値
(−1<B<1)で変化している。ただしこの範囲に留
めるにはQ2レンズの位置が微妙に影響するので、電子
ビームの進行方向(z)に沿ってQ2レンズの位置を微
動調整する機構があると便利がよい。
ンズの相関を図6に示す。図中、実線(a)は本実施例
の場合を、破線(b)は従来の場合を示す。図から分か
るように、本実施例は従来技術と同じく比例関係にあ
る。場の強さは従来技術に比べて1/4程度小さい値で
すむ。従って、Q2レンズの変化に比例して、自動的に
レンズの磁場コイル電流が制御する機構を備えると便利
である。
場を用いた実施例を図7に示す。図7(a)は正面図、
図7(b)はP視図である。本実施例では、偏向磁場発
生用コイル19を扇形電磁石10の手前に配置し、平面
検知器12までの距離を従来よりも長くする。偏向磁場
と扇形磁場の磁力線の方向は互いに垂直になるように配
置して、電子ビームをy方向に偏向させる。図7には偏
向磁場発生用コイルを鉄心入りで図示したが、空心のコ
イルでも十分である。
ペクトルを測定する場合で電子ビーム9の強度が強すぎ
る場合は、平面検知器12に流れる電子電流を検知し、
偏向制御系21の指令で偏向磁場用電源20の交流電圧
をコイル19に印加し、電子ビーム9をy方向に振って
平面検知器12に到達する電子の量を減衰する。図中、
18は前述のフォーカス用Q1レンズ、11は分散ズー
ム用Q2レンズであり、これらと偏向磁場発生用コイル
19とを組み合わせると有利である。
は、偏向磁場を用いる実施例2の場合にも同様に成立す
る。すなわち磁束密度をBとすると、式(2)の代わり
にローレンツ力と遠心力の釣合いから、 mv2/R=evB (5) が成立し、磁場による偏向距離yは y=(e/2mU)1/2×LfB (6) となり、本実施例の配置のようにLを5倍長く取ると、
同じ偏向距離yを得るには1/5の偏向磁束密度Bです
む。
めると、つぎのようになる。 (1)偏向器の偏向電圧又は偏向磁束密度が小さくでき
るので、放電やノイズの影響が低減できる。 (2)扇形磁場の前で偏向するので、電子ビームが拡が
っていないから、偏向磁場のギャップと領域を狭くで
き、外部への影響を少なくできる。 (3)平面検知器の前に空間的な余裕ができ、組立てや
保守作業が容易になる。 (4)偏向された電子ビームは平面検知器から遠く離れ
たy方向スリットで除去されるので、散乱電子による検
知器へのノイズを著しく低減できる。
る偏向電場の配置を示す図。
を示す図。
係を示す図。
る偏向磁場の配置を示す図。
減衰器の配置を示す図。
ズ、5:結像、6:結像レンズ、7:蛍光板、8:絞
り、9:電子ビーム、10:扇形電磁石、11:分散ズ
ーム用磁場4重極レンズ、12:平面検知器、13:偏
向電場、14:偏向電場用電源、15:y方向スリッ
ト、16:y偏向電子ビーム、17:平面検知器用遮
蔽、18:フォーカス用磁場4重極レンズ、19:偏向
磁場発生用コイル、20:偏向磁場用電源、21:偏向
制御系
Claims (8)
- 【請求項1】 試料を透過した電子ビームの一部を透過
させる絞りと、絞りを透過した電子のエネルギー損失を
分析する扇形電磁石と、扇形電磁石の形成する磁場によ
って分散された電子ビームを同時に検知する平面検知器
とを備え、前記絞りと扇形電磁石の間に、扇形電磁石に
よる電子ビームの偏向方向とほぼ垂直な方向に電子ビー
ムを電場によって偏向する偏向板を設置したことを特徴
とする電子エネルギー損失同時検知器。 - 【請求項2】 偏向板と扇形電磁石の間に第1の磁場4
重極レンズを設置し、扇形電磁石と平面検知器の間に第
2の磁場4重極レンズを設置したことを特徴とする請求
項1記載の電子エネルギー損失同時検知器。 - 【請求項3】 第2の磁場4重極レンズの近傍に、扇形
電磁石による分散方向に垂直な方向のビーム拡がりを制
限するスリットを設置したことを特徴とする請求項2記
載の電子エネルギー損失同時検知器。 - 【請求項4】 偏向板に接続された偏向電場用電源と平
面検知器とを制御系で結び、エネルギー損失スペクトル
を測定しないときは、偏向板に直流の偏向電圧を印加し
て電子ビームが平面検知器に到達しないようにすること
を特徴とする請求項1、2又は3記載の電子エネルギー
損失同時検知器。 - 【請求項5】 試料を透過した電子ビームの一部を透過
させる絞りと、絞りを透過した電子のエネルギー損失を
分析する扇形電磁石と、扇形電磁石の形成する磁場によ
って分散された電子ビームを同時に検知する平面検知器
とを備え、前記絞りと扇形電磁石の間に、扇形電磁石に
よる電子ビームの偏向方向とほぼ垂直な方向に電子ビー
ムを磁場によって偏向する偏向コイルを設置したことを
特徴とする電子エネルギー損失同時検知器。 - 【請求項6】 偏向コイルと扇形電磁石のあいだに第1
の磁場4重極レンズを設置し、扇形電磁石と平面検知器
のあいだに第2の磁場4重極レンズを設置したことを特
徴とする請求項5記載の電子エネルギー損失同時検知
器。 - 【請求項7】 第2の磁場4重極レンズの近傍に、扇形
電磁石による分散方向に垂直な方向のビーム拡がりを制
限するスリットを設置したことを特徴とする請求項6記
載の電子エネルギー損失同時検知器。 - 【請求項8】 偏向コイルに接続された偏向磁場用電源
と平面検知器を制御系で結び、エネルギー損失スペクト
ルを測定しないときは、偏向コイルに直流の偏向電流を
流して電子ビームが平面検知器に到達しないようにする
ことを特徴とする請求項5、6又は7記載の電子エネル
ギー損失同時検知器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5165720A JP2887362B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 電子エネルギー損失同時検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5165720A JP2887362B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 電子エネルギー損失同時検知器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0721967A true JPH0721967A (ja) | 1995-01-24 |
JP2887362B2 JP2887362B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=15817793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5165720A Expired - Lifetime JP2887362B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 電子エネルギー損失同時検知器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2887362B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1209720A2 (en) | 2000-11-21 | 2002-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Energy spectrum measurement |
US6794648B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-09-21 | Hitachi, Ltd. | Ultimate analyzer, scanning transmission electron microscope and ultimate analysis method |
JP2004265879A (ja) * | 1999-01-04 | 2004-09-24 | Hitachi Ltd | 元素マッピング装置,走査透過型電子顕微鏡および元素マッピング方法 |
US7928376B2 (en) | 1999-01-04 | 2011-04-19 | Hitachi, Ltd. | Element mapping unit, scanning transmission electron microscope, and element mapping method |
CN109597115A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 用于探测束流损失的设备 |
CN114158175A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-08 | 中山大学 | 强流电子直线加速器中的Chicane系统 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165720A patent/JP2887362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004265879A (ja) * | 1999-01-04 | 2004-09-24 | Hitachi Ltd | 元素マッピング装置,走査透過型電子顕微鏡および元素マッピング方法 |
US7928376B2 (en) | 1999-01-04 | 2011-04-19 | Hitachi, Ltd. | Element mapping unit, scanning transmission electron microscope, and element mapping method |
EP1209720A2 (en) | 2000-11-21 | 2002-05-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Energy spectrum measurement |
US6794648B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-09-21 | Hitachi, Ltd. | Ultimate analyzer, scanning transmission electron microscope and ultimate analysis method |
US6933501B2 (en) | 2001-11-02 | 2005-08-23 | Hitachi, Ltd. | Ultimate analyzer, scanning transmission electron microscope and ultimate analysis method |
CN109597115A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 用于探测束流损失的设备 |
CN114158175A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-08 | 中山大学 | 强流电子直线加速器中的Chicane系统 |
CN114158175B (zh) * | 2021-11-26 | 2022-11-15 | 中山大学 | 强流电子直线加速器中的Chicane系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2887362B2 (ja) | 1999-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4758723A (en) | Electron spectrometer | |
US5900629A (en) | Scanning electron microscope | |
US6043491A (en) | Scanning electron microscope | |
US7439500B2 (en) | Analyzing system and charged particle beam device | |
JP3403036B2 (ja) | 電子ビーム検査方法及びその装置 | |
JP7029494B2 (ja) | 分光およびイメージングシステム、並びに、試料の特性評価の方法 | |
US7034297B2 (en) | Method and system for use in the monitoring of samples with a charged particle beam | |
EP1057203B1 (en) | Particle-optical apparatus involving detection of auger electrons | |
KR100443761B1 (ko) | 하전 입자 장치 | |
WO2015183734A1 (en) | Electron beam imaging with dual wien-filter monochromator | |
CN108807118A (zh) | 一种扫描电子显微镜系统及样品探测方法 | |
GB1564526A (en) | Mass spectrometer | |
US5591971A (en) | Shielding device for improving measurement accuracy and speed in scanning electron microscopy | |
JPH04242060A (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
US3717761A (en) | Scanning electron microscope | |
JP2632808B2 (ja) | 定量的電位測定用スペクトロメーター対物レンズ装置 | |
JP2887362B2 (ja) | 電子エネルギー損失同時検知器 | |
JP3293724B2 (ja) | 荷電粒子線装置のビームブランキング装置 | |
US9543115B2 (en) | Electron microscope | |
JP2872001B2 (ja) | 分析電子顕微鏡 | |
JPS6334844A (ja) | 絶縁材料のイオン分析方法および装置 | |
JP2000228162A (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2947440B2 (ja) | 電子エネルギ損失同時計測装置 | |
US5689112A (en) | Apparatus for detection of surface contaminations on silicon wafers | |
JP2006278069A (ja) | ウィーンフィルタ型エネルギーアナライザ及び放出電子顕微鏡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |