JPH07218717A - カラーフィルターの製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法Info
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- JPH07218717A JPH07218717A JP838694A JP838694A JPH07218717A JP H07218717 A JPH07218717 A JP H07218717A JP 838694 A JP838694 A JP 838694A JP 838694 A JP838694 A JP 838694A JP H07218717 A JPH07218717 A JP H07218717A
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- color filter
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明基板上に金属遮光層、画素および透明保
護膜を順次形成するカラーフィルタの製造工程におい
て、前記透明基板上に前記金属遮光層を形成し前記画素
を形成した後、前記金属遮光層表面をエッチングし、続
いて前記透明保護膜を形成することを特徴とするカラー
フィルターの製造方法。 【効果】 金属遮光層表面に形成される透明保護膜の金
属遮光層に対する密着性を悪化させる原因であると推定
される金属酸化物や有機物の薄膜を、除去することがで
き、透明保護膜の金属遮光層に対する密着性を向上させ
る。
護膜を順次形成するカラーフィルタの製造工程におい
て、前記透明基板上に前記金属遮光層を形成し前記画素
を形成した後、前記金属遮光層表面をエッチングし、続
いて前記透明保護膜を形成することを特徴とするカラー
フィルターの製造方法。 【効果】 金属遮光層表面に形成される透明保護膜の金
属遮光層に対する密着性を悪化させる原因であると推定
される金属酸化物や有機物の薄膜を、除去することがで
き、透明保護膜の金属遮光層に対する密着性を向上させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子および固
体撮像素子などに用いられるカラーフィルターの製造方
法に関するものである。
体撮像素子などに用いられるカラーフィルターの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、金属薄膜を遮光層とするカラ
ーフィルターは、まず透明基板上に金属遮光層をスパッ
タ蒸着法等により形成し、フォトリソグラフィー法等に
より遮光層パターンを形成したあと、遮光層パターン開
口部に印刷法・染色法・電着法・フォトリソグラフィー
法等により赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の画素
を形成し、透明保護膜を形成したあと透明電極層をスパ
ッタ蒸着法等により形成するという一連の工程を経て製
造されている。透明保護膜は、画素の表面平坦化と表面
保護を目的として設けられる。これらの透明保護膜とし
てはアクリル樹脂（特開平3-251819号公報）、エポキシ
樹脂（特開平2-228630号公報）、ポリイミド樹脂（特開
昭61-254905 号公報）、シリコーン樹脂（特開昭63-241
076 号公報）などが知られている。ポリイミド樹脂は耐
熱性、密着性などに優れているが、表面平坦化性、硬度
に問題がある。一方シリコーン樹脂は耐熱性、表面平坦
化性、硬度は優れているが密着性が不十分である。この
両者の特性を兼ね備えたものとしてイミド変性シリコー
ン（特開昭63-291924 号公報）なども知られている。
ーフィルターは、まず透明基板上に金属遮光層をスパッ
タ蒸着法等により形成し、フォトリソグラフィー法等に
より遮光層パターンを形成したあと、遮光層パターン開
口部に印刷法・染色法・電着法・フォトリソグラフィー
法等により赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の画素
を形成し、透明保護膜を形成したあと透明電極層をスパ
ッタ蒸着法等により形成するという一連の工程を経て製
造されている。透明保護膜は、画素の表面平坦化と表面
保護を目的として設けられる。これらの透明保護膜とし
てはアクリル樹脂（特開平3-251819号公報）、エポキシ
樹脂（特開平2-228630号公報）、ポリイミド樹脂（特開
昭61-254905 号公報）、シリコーン樹脂（特開昭63-241
076 号公報）などが知られている。ポリイミド樹脂は耐
熱性、密着性などに優れているが、表面平坦化性、硬度
に問題がある。一方シリコーン樹脂は耐熱性、表面平坦
化性、硬度は優れているが密着性が不十分である。この
両者の特性を兼ね備えたものとしてイミド変性シリコー
ン（特開昭63-291924 号公報）なども知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、透明保
護膜を形成する前に存在する画素形成工程等において、
金属遮光層表面に金属酸化物や有機物の薄膜が形成され
てしまうために、その上に透明保護膜を形成すると、透
明保護膜の金属遮光層に対する密着性が悪化するという
問題があった。そのため、透明保護膜形成前に金属遮光
層との密着性を改善するためのプライマー層を形成して
密着性を向上させることが要求されていた。すなわち、
本発明はかかる欠点を改良し、プライマー層なしでも金
属遮光層に対する密着性の良好な透明保護膜を有するカ
ラーフィルターを提供することを課題とする。
護膜を形成する前に存在する画素形成工程等において、
金属遮光層表面に金属酸化物や有機物の薄膜が形成され
てしまうために、その上に透明保護膜を形成すると、透
明保護膜の金属遮光層に対する密着性が悪化するという
問題があった。そのため、透明保護膜形成前に金属遮光
層との密着性を改善するためのプライマー層を形成して
密着性を向上させることが要求されていた。すなわち、
本発明はかかる欠点を改良し、プライマー層なしでも金
属遮光層に対する密着性の良好な透明保護膜を有するカ
ラーフィルターを提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の課題は、
透明基板上に金属遮光層、画素および透明保護膜をこの
順に設けたカラーフィルタの製造方法であって、前記透
明基板上に前記金属遮光層および前記画素を順次形成し
た後、前記金属遮光層表面をエッチング処理し、続いて
前記透明保護膜を設けることを特徴とするカラーフィル
ターの製造方法により達成される。
透明基板上に金属遮光層、画素および透明保護膜をこの
順に設けたカラーフィルタの製造方法であって、前記透
明基板上に前記金属遮光層および前記画素を順次形成し
た後、前記金属遮光層表面をエッチング処理し、続いて
前記透明保護膜を設けることを特徴とするカラーフィル
ターの製造方法により達成される。
【０００５】本発明のカラーフィルタは、金属遮光層と
透明保護膜を有し、該金属遮光層と該透明保護膜との接
着面を有するものであればどのようなものであってもよ
い。本発明のカラーフィルタは、透明基板上に金属遮光
層、画素および透明保護膜をこの順に設けたものであ
り、通常、この上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの
透明電極層が形成される。画素は、赤、緑、青からな
り、各画素間には、コントラストの向上等のため、金属
遮光層が設けられる。
透明保護膜を有し、該金属遮光層と該透明保護膜との接
着面を有するものであればどのようなものであってもよ
い。本発明のカラーフィルタは、透明基板上に金属遮光
層、画素および透明保護膜をこの順に設けたものであ
り、通常、この上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの
透明電極層が形成される。画素は、赤、緑、青からな
り、各画素間には、コントラストの向上等のため、金属
遮光層が設けられる。
【０００６】本発明において、画素形成に用いる方法
は、いわゆる印刷法、染色法、電着法あるいはフォトリ
ソグラフィー法等のいずれであっても良い。
は、いわゆる印刷法、染色法、電着法あるいはフォトリ
ソグラフィー法等のいずれであっても良い。
【０００７】本発明において用いる金属遮光層は、金属
薄膜であればいずれでも良いが、好ましくは遮光層とし
て金属クロムを用いれば本発明による金属遮光層に対す
る透明保護膜の密着性改善効果が最も顕著に現れる。
薄膜であればいずれでも良いが、好ましくは遮光層とし
て金属クロムを用いれば本発明による金属遮光層に対す
る透明保護膜の密着性改善効果が最も顕著に現れる。
【０００８】本発明においては、金属遮光層および画素
を形成した後、金属遮光層表面をエッチング処理するこ
とが重要である。
を形成した後、金属遮光層表面をエッチング処理するこ
とが重要である。
【０００９】本発明中の金属遮光層表面のエッチング処
理においては、通常の金属遮光層のパターン形成に用い
るエッチング液を用いることができる。例えば、金属遮
光層がクロムの場合、本発明のエッチング処理は、硝酸
セリウムアンモニウム水溶液を用いて行なうことができ
る。エッチング液の濃度としては、通常、０．０５〜１
０ｗｔ％、好ましくは、０．１〜５ｗｔ％である。例え
ば、硝酸セリウムアンモニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液
を用いる場合には、その５〜２０倍に希釈した液を用い
れば良い。用いる硝酸セリウムアンモニウムの濃度を
０．０５ｗｔ％未満に希釈したエッチング液を用いる
と、透明保護膜のクロム遮光層に対する密着性改善効果
が小さくなり、また１０ｗｔ％を越えるとクロム遮光層
の光学濃度が低下する。また、この場合、エッチング処
理を、硝酸セリウムアンモニウム塩水溶液に過塩素酸を
添加した溶液中で行うのが好ましい。過塩素酸を添加す
ることによって、ｐＨの上昇を抑え、水酸化セリウムの
生成を抑制することができ、したがって、金属遮光層表
面エッチング処理後の基板の汚染を防ぐことができる。
過塩素酸の添加量は、添加後の過塩素酸の濃度が２．０
ｗｔ％以上になるようにすることが好ましい。
理においては、通常の金属遮光層のパターン形成に用い
るエッチング液を用いることができる。例えば、金属遮
光層がクロムの場合、本発明のエッチング処理は、硝酸
セリウムアンモニウム水溶液を用いて行なうことができ
る。エッチング液の濃度としては、通常、０．０５〜１
０ｗｔ％、好ましくは、０．１〜５ｗｔ％である。例え
ば、硝酸セリウムアンモニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液
を用いる場合には、その５〜２０倍に希釈した液を用い
れば良い。用いる硝酸セリウムアンモニウムの濃度を
０．０５ｗｔ％未満に希釈したエッチング液を用いる
と、透明保護膜のクロム遮光層に対する密着性改善効果
が小さくなり、また１０ｗｔ％を越えるとクロム遮光層
の光学濃度が低下する。また、この場合、エッチング処
理を、硝酸セリウムアンモニウム塩水溶液に過塩素酸を
添加した溶液中で行うのが好ましい。過塩素酸を添加す
ることによって、ｐＨの上昇を抑え、水酸化セリウムの
生成を抑制することができ、したがって、金属遮光層表
面エッチング処理後の基板の汚染を防ぐことができる。
過塩素酸の添加量は、添加後の過塩素酸の濃度が２．０
ｗｔ％以上になるようにすることが好ましい。
【００１０】本発明におけるエッチング処理の方法とし
ては、（１）金属遮光層用エッチング液希釈液中に基板
を浸漬する方法、（２）金属遮光層用エッチング液希釈
液を基板にシャワー噴霧する等の方法があるが、金属遮
光層が該金属遮光層用エッチング液希釈液に触れていれ
ば上記（１）、（２）、あるいはその他の方法のいずれ
であっても良い。ただし、金属遮光層表面エッチング処
理が強すぎると、金属遮光層の光学濃度が低下して実用
性がなくなるので、処理後の光学濃度が、超ねじれネマ
ティック型カラー液晶表示装置用のカラーフィルターの
場合は１．０以上、薄膜トランジスタ型カラー液晶表示
装置用のカラーフィルターの場合は３．０以上を保つよ
うに処理を行なうことが望ましい。
ては、（１）金属遮光層用エッチング液希釈液中に基板
を浸漬する方法、（２）金属遮光層用エッチング液希釈
液を基板にシャワー噴霧する等の方法があるが、金属遮
光層が該金属遮光層用エッチング液希釈液に触れていれ
ば上記（１）、（２）、あるいはその他の方法のいずれ
であっても良い。ただし、金属遮光層表面エッチング処
理が強すぎると、金属遮光層の光学濃度が低下して実用
性がなくなるので、処理後の光学濃度が、超ねじれネマ
ティック型カラー液晶表示装置用のカラーフィルターの
場合は１．０以上、薄膜トランジスタ型カラー液晶表示
装置用のカラーフィルターの場合は３．０以上を保つよ
うに処理を行なうことが望ましい。
【００１１】本発明において用いる透明保護膜はイミド
変性シリコーン、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、
エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂等
のいずれであっても良いが、好ましくはイミド変性シリ
コーンを用いると本発明による金属遮光層に対する透明
保護膜の密着性改善効果が最も顕著に現れる。
変性シリコーン、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、
エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂等
のいずれであっても良いが、好ましくはイミド変性シリ
コーンを用いると本発明による金属遮光層に対する透明
保護膜の密着性改善効果が最も顕著に現れる。
【００１２】以下に、透明保護膜として好ましく使用さ
れるイミド変性シリコーンについて説明する。
れるイミド変性シリコーンについて説明する。
【００１３】イミド変性シリコーンとしては、例えば、
（ａ）一般式（１） Ｈ2 Ｎ- （ＣＨ2 ）m - ＳｉＲ1 n （ＯＲ2 ）3-n ……（１） （式（１）において、ｍは１以上の整数、ｎは０〜２の
整数、Ｒ1 はアルキル基またはアリール基、Ｒ2 はアル
キル基またはアシル基を示す。）で表されるアミノ化合
物とテトラカルボン酸二無水物を反応させて得られる化
合物（Ａ）と、（ｂ）一般式（２） Ｒ3 p Ｓｉ（ＯＲ4 ）4-p ……（２） （式（２）において、ｐは１〜３の整数、Ｒ3 は有機
基、Ｒ4 はアルキル基またはアシル基を示す。）で表さ
れる化合物の加水分解による部分的縮合物（Ｂ）または
濃縮した化合物（Ｂ’）とを含有する硬化性組成物を硬
化させた化合物が挙げられる。
（ａ）一般式（１） Ｈ2 Ｎ- （ＣＨ2 ）m - ＳｉＲ1 n （ＯＲ2 ）3-n ……（１） （式（１）において、ｍは１以上の整数、ｎは０〜２の
整数、Ｒ1 はアルキル基またはアリール基、Ｒ2 はアル
キル基またはアシル基を示す。）で表されるアミノ化合
物とテトラカルボン酸二無水物を反応させて得られる化
合物（Ａ）と、（ｂ）一般式（２） Ｒ3 p Ｓｉ（ＯＲ4 ）4-p ……（２） （式（２）において、ｐは１〜３の整数、Ｒ3 は有機
基、Ｒ4 はアルキル基またはアシル基を示す。）で表さ
れる化合物の加水分解による部分的縮合物（Ｂ）または
濃縮した化合物（Ｂ’）とを含有する硬化性組成物を硬
化させた化合物が挙げられる。
【００１４】化合物（Ａ）、すなわちイミド前駆体
（Ａ）の原料となるテトラカルボン酸二無水物として
は、脂肪族、芳香族のテトラカルボン酸二無水物が挙げ
られ、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4' −
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,
4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,
4'−オキシジフタル酸二無水物、2,3,5 −トリカルボキ
シシクロペンチル酢酸二無水物、1,2,3,4 −シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4 −シクロペンタ
ンテトラカルボン酸二無水物などで、これらは単独で
も、二種以上組み合わせて用いることもできる。
（Ａ）の原料となるテトラカルボン酸二無水物として
は、脂肪族、芳香族のテトラカルボン酸二無水物が挙げ
られ、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4' −
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,
4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,
4'−オキシジフタル酸二無水物、2,3,5 −トリカルボキ
シシクロペンチル酢酸二無水物、1,2,3,4 −シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4 −シクロペンタ
ンテトラカルボン酸二無水物などで、これらは単独で
も、二種以上組み合わせて用いることもできる。
【００１５】また、一般式（１）で表されるアミノ化合
物としては、例えば、3 −アミノプロピルトリメトキシ
シラン、3 −アミノプロピルトリエトキシシラン、3 −
アミノプロピルトリプロポキシシラン、3 −アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3 −アミノプロピルメチ
ルジエトキシシラン、3 −アミノプロピルメチルジプロ
ポキシシラン、3 −アミノプロピルエチルジメトキシシ
ラン、3 −アミノプロピルエチルジエトキシシラン、3
−アミノプロピルエチルジプロポキシシラン、3 −アミ
ノプロピルジメチルメトキシシラン、3 −アミノプロピ
ルジメチルエトキシシラン、3 −アミノプロピルジメチ
ルプロポキシシランなどが挙げられる。これらのアミノ
化合物は、単独でも、二種以上組み合わせて用いること
もできる。
物としては、例えば、3 −アミノプロピルトリメトキシ
シラン、3 −アミノプロピルトリエトキシシラン、3 −
アミノプロピルトリプロポキシシラン、3 −アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3 −アミノプロピルメチ
ルジエトキシシラン、3 −アミノプロピルメチルジプロ
ポキシシラン、3 −アミノプロピルエチルジメトキシシ
ラン、3 −アミノプロピルエチルジエトキシシラン、3
−アミノプロピルエチルジプロポキシシラン、3 −アミ
ノプロピルジメチルメトキシシラン、3 −アミノプロピ
ルジメチルエトキシシラン、3 −アミノプロピルジメチ
ルプロポキシシランなどが挙げられる。これらのアミノ
化合物は、単独でも、二種以上組み合わせて用いること
もできる。
【００１６】化合物（Ｂ）、（Ｂ’）、すなわちシリコ
ーン成分（Ｂ）、（Ｂ’）の原料となる一般式（２）で
表されるアルコキシシラン化合物としては、例えば、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメ
チルジプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラ
ン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエ
トキシシラン、ビニルメチルジプロポキシシラン、3 −
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3 −グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、3 −グリシドキシ
プロピルトリプロポキシシラン、3 −グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3 −グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、3 −グリシドキシプロピル
メチルジプロポキシシラン、3 −メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルト
リエトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルトリプ
ロポキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
メトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
プロポキシシラン、3 −メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、3 −メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、3 −メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
3 −メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、3,4
−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、
3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラ
ン、3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルメチルジメト
キシシラン、3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルメチ
ルジエトキシシランなどが挙げられる。これらのアルコ
キシシラン化合物は、組み合わせて用いることもでき
る。特に好ましくはメチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
エチルトリプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、およびフェニルトリ
エトキシシランならびにこれらの重合物が望ましい。さ
らに接着性を向上させる目的で耐熱性を低下させない範
囲でシロキサン結合を有する脂肪族ジアミンを共重合し
たり、アミノシランを添加することも可能である。また
塗布性を向上させる目的でシリコーン系やフッ素系など
の界面活性剤を添加することもできる。中でもシリコー
ン系界面活性剤が好ましく用いられる。
ーン成分（Ｂ）、（Ｂ’）の原料となる一般式（２）で
表されるアルコキシシラン化合物としては、例えば、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエ
トキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメ
チルジプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラ
ン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエ
トキシシラン、ビニルメチルジプロポキシシラン、3 −
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3 −グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、3 −グリシドキシ
プロピルトリプロポキシシラン、3 −グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3 −グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、3 −グリシドキシプロピル
メチルジプロポキシシラン、3 −メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルト
リエトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルトリプ
ロポキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
メトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、3 −メタクリロキシプロピルメチルジ
プロポキシシラン、3 −メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、3 −メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、3 −メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
3 −メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、3,4
−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、
3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラ
ン、3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルメチルジメト
キシシラン、3,4 −エポキシシクロヘキシルエチルメチ
ルジエトキシシランなどが挙げられる。これらのアルコ
キシシラン化合物は、組み合わせて用いることもでき
る。特に好ましくはメチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
エチルトリプロポキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、およびフェニルトリ
エトキシシランならびにこれらの重合物が望ましい。さ
らに接着性を向上させる目的で耐熱性を低下させない範
囲でシロキサン結合を有する脂肪族ジアミンを共重合し
たり、アミノシランを添加することも可能である。また
塗布性を向上させる目的でシリコーン系やフッ素系など
の界面活性剤を添加することもできる。中でもシリコー
ン系界面活性剤が好ましく用いられる。
【００１７】透明保護膜の形成方法としては、特に限定
されず、通常のコート方法が採用できる。最も好ましく
は、スピンコート法による。
されず、通常のコート方法が採用できる。最も好ましく
は、スピンコート法による。
【００１８】透明保護膜を形成した後、透明電極を該透
明保護層の上に形成する。用いる透明電極としては、通
常のものが使用可能であり、例えば、ＩＴＯなどが用い
られる。
明保護層の上に形成する。用いる透明電極としては、通
常のものが使用可能であり、例えば、ＩＴＯなどが用い
られる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００２０】参考例１ （画素形成基板の作製）透明基板として厚さ1.1mm のガ
ラス基板（日本電気硝子社製無アルカリガラスＯＡ−
２）を約2.5%のアルカリ液に十分に浸漬し、超音波によ
る洗浄を行った。このガラス基板上にクロム全面成膜し
パターン加工してクロム遮光層を設け、さらに耐熱性顔
料を含む着色ポリイミド層にフォトリソグラフィ法を適
用して赤・緑・青の画素をパターン形成して画素形成基
板を作製した。本基板のクロム遮光層の光学濃度（Ｏ
Ｄ）は４．０であった。
ラス基板（日本電気硝子社製無アルカリガラスＯＡ−
２）を約2.5%のアルカリ液に十分に浸漬し、超音波によ
る洗浄を行った。このガラス基板上にクロム全面成膜し
パターン加工してクロム遮光層を設け、さらに耐熱性顔
料を含む着色ポリイミド層にフォトリソグラフィ法を適
用して赤・緑・青の画素をパターン形成して画素形成基
板を作製した。本基板のクロム遮光層の光学濃度（Ｏ
Ｄ）は４．０であった。
【００２１】参考例２ （イミド変性シリコーン組成物の製造）丸底フラスコに
N- メチル-2- ピロリドン 131 [g]を入れ、窒素通気
下、撹拌しながら３，３´４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物 60 [g]を仕込んだ。氷浴で内
温を 6℃に下げた後、3-アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン 71 [g] を滴下した。滴下終了後、室温で３時
間撹拌して褐色の溶液（ｄ）を得た。
N- メチル-2- ピロリドン 131 [g]を入れ、窒素通気
下、撹拌しながら３，３´４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物 60 [g]を仕込んだ。氷浴で内
温を 6℃に下げた後、3-アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン 71 [g] を滴下した。滴下終了後、室温で３時
間撹拌して褐色の溶液（ｄ）を得た。
【００２２】また別の丸底フラスコにメチルトリメトキ
シシラン 290 [g]を入れ、撹拌、氷冷し内温を 6℃にし
た。0.1 ％酢酸水溶液 115 [g]を内温 30 ℃以下で滴下
した。滴下終了後、氷浴を外して３時間撹拌した後、撹
拌を停止して溶液（ｅ）を得た。
シシラン 290 [g]を入れ、撹拌、氷冷し内温を 6℃にし
た。0.1 ％酢酸水溶液 115 [g]を内温 30 ℃以下で滴下
した。滴下終了後、氷浴を外して３時間撹拌した後、撹
拌を停止して溶液（ｅ）を得た。
【００２３】フラスコにエチレングリコールモノブチル
エーテル 50 [g] と”ディスパロン” #1610（楠本化成
製） 0.28 [g] を仕込み、Ｎ2 通気しながら１時間撹拌
した。つぎに溶液（ｄ） 15 [g] 、溶液（ｅ） 37.5
[g] を加えて１時間撹拌してイミド変性シリコーン組成
物を得た。
エーテル 50 [g] と”ディスパロン” #1610（楠本化成
製） 0.28 [g] を仕込み、Ｎ2 通気しながら１時間撹拌
した。つぎに溶液（ｄ） 15 [g] 、溶液（ｅ） 37.5
[g] を加えて１時間撹拌してイミド変性シリコーン組成
物を得た。
【００２４】比較例１ 実施例１で作製した画素形成基板に、透明保護膜として
参考例２で製造した 3,3',4,4'- ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、3-アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン（イミド前駆体（Ａ））およびメチルトリメト
キシシラン（シリコーン成分（Ｂ））を成分とするイミ
ド変性シリコーン組成物を、スピンコート法によりスピ
ンナーで硬化後1 μm の厚さになるように塗布した。そ
の後この塗布された基板を100 ℃のオーブン中で１０分
間セミキュアを施した後、２８０℃で３０分間キュアを
行い保護膜を完全に硬化させ、最後にＩＴＯをスパッタ
蒸着してカラーフィルターとした。
参考例２で製造した 3,3',4,4'- ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、3-アミノプロピルメチルジエトキ
シシラン（イミド前駆体（Ａ））およびメチルトリメト
キシシラン（シリコーン成分（Ｂ））を成分とするイミ
ド変性シリコーン組成物を、スピンコート法によりスピ
ンナーで硬化後1 μm の厚さになるように塗布した。そ
の後この塗布された基板を100 ℃のオーブン中で１０分
間セミキュアを施した後、２８０℃で３０分間キュアを
行い保護膜を完全に硬化させ、最後にＩＴＯをスパッタ
蒸着してカラーフィルターとした。
【００２５】本サンプルのクロム遮光層部にＪＩＳ Ｋ
５４００−１９９０に従ってカッターで１ｍｍ四方の格
子模様を１００個入れ、粘着テープ（ニチバン社製“セ
ロテープ”）を用いて透明保護膜とクロム遮光層との密
着性評価試験を行ったところ、１００個の格子全てが剥
離した。
５４００−１９９０に従ってカッターで１ｍｍ四方の格
子模様を１００個入れ、粘着テープ（ニチバン社製“セ
ロテープ”）を用いて透明保護膜とクロム遮光層との密
着性評価試験を行ったところ、１００個の格子全てが剥
離した。
【００２６】実施例１ 参考例１で作製した画素形成基板を、硝酸セリウムアン
モニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液（和光純薬社製”ＨＩ
ＣＲＥＴＣＨ”Ｓ−１）を純水で５倍に希釈した液をエ
ッチング液として、１分間浸漬した後、水洗・乾燥し、
比較例１と同様にして、比較例１と同じイミド変性シリ
コーン系樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、１
００℃で１０分間仮乾燥後、２８０℃で３０分間キュア
した。最後にＩＴＯをスパッタ蒸着してカラーフィルタ
とした。
モニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液（和光純薬社製”ＨＩ
ＣＲＥＴＣＨ”Ｓ−１）を純水で５倍に希釈した液をエ
ッチング液として、１分間浸漬した後、水洗・乾燥し、
比較例１と同様にして、比較例１と同じイミド変性シリ
コーン系樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、１
００℃で１０分間仮乾燥後、２８０℃で３０分間キュア
した。最後にＩＴＯをスパッタ蒸着してカラーフィルタ
とした。
【００２７】本サンプルに比較例１と同様にして透明保
護膜とクロム遮光層との密着性評価試験を行ったとこ
ろ、１００個の格子中１００個全てが剥離せずに残っ
た。また、クロム遮光層の光学濃度（ＯＤ）を測定した
結果、３．６であった。
護膜とクロム遮光層との密着性評価試験を行ったとこ
ろ、１００個の格子中１００個全てが剥離せずに残っ
た。また、クロム遮光層の光学濃度（ＯＤ）を測定した
結果、３．６であった。
【００２８】実施例２ 比較例１で作製した画素形成基板を、硝酸セリウムアン
モニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液（和光純薬社製ＨＩＣ
ＲＥＴＣＨ Ｓ−１）を純水で１５倍に希釈した後過塩
素酸をその濃度が４．０ｗｔ％になるように添加した液
を、エッチング液として、４０秒間シャワー噴霧処理し
た後、水洗・乾燥し、比較例１と同じイミド変性シリコ
ーン系樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、１０
０℃で１０分間仮乾燥後、２８０℃で３０分間キュアし
た。最後にＩＴＯをスパッタ蒸着してカラーフィルタと
した。
モニウム塩１３．５ｗｔ％水溶液（和光純薬社製ＨＩＣ
ＲＥＴＣＨ Ｓ−１）を純水で１５倍に希釈した後過塩
素酸をその濃度が４．０ｗｔ％になるように添加した液
を、エッチング液として、４０秒間シャワー噴霧処理し
た後、水洗・乾燥し、比較例１と同じイミド変性シリコ
ーン系樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、１０
０℃で１０分間仮乾燥後、２８０℃で３０分間キュアし
た。最後にＩＴＯをスパッタ蒸着してカラーフィルタと
した。
【００２９】本サンプルに比較例１と同様の透明保護膜
とクロム遮光層との密着性評価試験を行ったところ、１
００個の格子中１００個全てが剥離せずに残った。ま
た、クロム遮光層の光学濃度（ＯＤ）を測定した結果、
３．８であった。
とクロム遮光層との密着性評価試験を行ったところ、１
００個の格子中１００個全てが剥離せずに残った。ま
た、クロム遮光層の光学濃度（ＯＤ）を測定した結果、
３．８であった。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、金属遮光層表面をエッ
チングして除去することにより、金属遮光層表面に形成
され透明保護膜の金属遮光層に対する密着性を悪化させ
る原因であると推定される金属酸化物や有機物の薄膜
を、除去することができ、透明保護膜の金属遮光層に対
する密着性を向上させる効果をもたらすことができる。
チングして除去することにより、金属遮光層表面に形成
され透明保護膜の金属遮光層に対する密着性を悪化させ
る原因であると推定される金属酸化物や有機物の薄膜
を、除去することができ、透明保護膜の金属遮光層に対
する密着性を向上させる効果をもたらすことができる。
【００３１】また、本発明で製造されるカラーフィルタ
ーは液晶表示素子および固体撮像素子などに用いられ
る。
ーは液晶表示素子および固体撮像素子などに用いられ
る。
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板上に金属遮光層、画素および透
明保護膜をこの順にに設けたカラーフィルターの製造方
法であって、前記透明基板上に前記金属遮光層および前
記画素を順次形成した後、前記金属遮光層表面をエッチ
ング処理し、続いて前記透明保護膜を設けることを特徴
とするカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項２】 金属遮光層がクロムからなる請求項１記
載のカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項３】 透明保護膜がイミド変性シリコーンから
なる請求項１記載のカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項４】 イミド変性シリコーンが、 （ａ）一般式（１） Ｈ2 Ｎ- （ＣＨ2 ）m - ＳｉＲ1 n （ＯＲ2 ）3-n ……（１） （式（１）において、ｍは１以上の整数、ｎは０〜２の
整数、Ｒ１はアルキル基またはアリール基、Ｒ2 はアル
キル基またはアシル基を示す。）で表されるアミノ化合
物とテトラカルボン酸二無水物を反応させて得られる化
合物（Ａ）と、 （ｂ）一般式（２） Ｒ3 p Ｓｉ（ＯＲ4 ）4-p ……（２） （式（２）において、ｐは１〜３の整数、Ｒ3 は有機
基、Ｒ4 はアルキル基またはアシル基を示す。）で表さ
れる化合物の加水分解による部分的縮合物（Ｂ）または
濃縮した化合物（Ｂ’）とを含有する硬化性組成物を硬
化させた化合物である請求項３記載のカラーフィルター
の製造方法。 - 【請求項５】 エッチング処理を硝酸セリウムアンモニ
ウム水溶液を用いて行なう請求項１記載のカラーフィル
ターの製造方法。 - 【請求項６】 硝酸セリウムアンモニウム水溶液の濃度
が０．０５〜１０ｗｔ％である請求項５記載のカラーフ
ィルターの製造方法。 - 【請求項７】 エッチング処理後の金属遮光層の光学濃
度が１．０以上である請求項１記載のカラーフィルター
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP838694A JPH07218717A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | カラーフィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP838694A JPH07218717A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | カラーフィルターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07218717A true JPH07218717A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11691779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP838694A Pending JPH07218717A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | カラーフィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07218717A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271536B2 (en) | 2004-08-04 | 2007-09-18 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic EL panel |
| US7579768B2 (en) | 2004-10-19 | 2009-08-25 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with improved moisture protection |
| DE102004010000B4 (de) * | 2003-03-12 | 2015-11-26 | Unified Innovative Technology, Llc | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer organischen EL-Anzeigevorrichtung |
| DE10392604B4 (de) | 2002-05-23 | 2023-03-09 | Global Oled Technology Llc | Organische EL-Anzeige |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP838694A patent/JPH07218717A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10392604B4 (de) | 2002-05-23 | 2023-03-09 | Global Oled Technology Llc | Organische EL-Anzeige |
| DE102004010000B4 (de) * | 2003-03-12 | 2015-11-26 | Unified Innovative Technology, Llc | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer organischen EL-Anzeigevorrichtung |
| US7271536B2 (en) | 2004-08-04 | 2007-09-18 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic EL panel |
| US7579768B2 (en) | 2004-10-19 | 2009-08-25 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Organic electroluminescent device with improved moisture protection |
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