JPH07214472A - ショット投射条件の決定方法 - Google Patents
ショット投射条件の決定方法Info
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- JPH07214472A JPH07214472A JP2626794A JP2626794A JPH07214472A JP H07214472 A JPH07214472 A JP H07214472A JP 2626794 A JP2626794 A JP 2626794A JP 2626794 A JP2626794 A JP 2626794A JP H07214472 A JPH07214472 A JP H07214472A
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- projection
- shot
- strength
- detector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ショットブラストあるいはショットピ−ニン
グにおいて投射される投射材の衝突強さと衝突数を必要
下限に調整し得るショット投射条件の決定方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ショットの衝突強さと衝突数を検出する検出
器とテスト処理製品とを同時にテストブラスト又はテス
トピ−ニングして処理製品が必要とする最小衝突強さと
衝突数をあらかじめモデル処理で求めて処理管理値と
し、実際の製品処理において前記検出器を用いて常時ま
たは一定タイムサイクルで衝突強さと衝突数を測定し、
前記管理値と比較してその過不足をチェックして投射条
件を必要下限にするショット投射条件の決定方法
グにおいて投射される投射材の衝突強さと衝突数を必要
下限に調整し得るショット投射条件の決定方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ショットの衝突強さと衝突数を検出する検出
器とテスト処理製品とを同時にテストブラスト又はテス
トピ−ニングして処理製品が必要とする最小衝突強さと
衝突数をあらかじめモデル処理で求めて処理管理値と
し、実際の製品処理において前記検出器を用いて常時ま
たは一定タイムサイクルで衝突強さと衝突数を測定し、
前記管理値と比較してその過不足をチェックして投射条
件を必要下限にするショット投射条件の決定方法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はブラスト処理またはピ−
ニング処理において投射装置の投射条件すなわちインペ
ラブラストの場合はインペラの回転数と投射量を、エア
−ノズルブラストの場合は噴射圧と噴射量を調整する方
法に関するものである。
ニング処理において投射装置の投射条件すなわちインペ
ラブラストの場合はインペラの回転数と投射量を、エア
−ノズルブラストの場合は噴射圧と噴射量を調整する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来技術と問題点】従来ブラスト処理においては投射
材の種類、投射速度、投射密度（単位面積当りの投射
量）を経験に基づいて設定して試行投射を行ない、その
仕上がりを目視判断して適宜に前述の投射条件を変化さ
せて目視で判断して満足の行く仕上がりを与えるものを
投射条件と決めている。このためこのため処理の信頼性
（仕上がりが満足されていること）を確保するために目
視判断の不安定さをカバ−するために投射条件を安全側
に設定するしかなくランニングコストを最小にする考慮
は結果的には成されていないのが実状である。
材の種類、投射速度、投射密度（単位面積当りの投射
量）を経験に基づいて設定して試行投射を行ない、その
仕上がりを目視判断して適宜に前述の投射条件を変化さ
せて目視で判断して満足の行く仕上がりを与えるものを
投射条件と決めている。このためこのため処理の信頼性
（仕上がりが満足されていること）を確保するために目
視判断の不安定さをカバ−するために投射条件を安全側
に設定するしかなくランニングコストを最小にする考慮
は結果的には成されていないのが実状である。
【０００３】また従来のピ−ニング処理においては標準
試験片（アルメンストスリップ）に投射材を投射して試
験片の反り量（ア−クハイト）を測定し、その反り量の
過不足で投射速度、投射材の粒径、硬度を選定し、さら
に試験片の全面積に対する被打面積比（カバレ−ジ）を
顕微鏡で目視判定し、投射材の粒径、投射密度を選定し
ている。この場合、試験片の反り量は投射強さが大きく
なるにつれ単位投射強さ当りの反り量の増加が小さくな
り、ピ−ニング処理で一般的に管理されるその領域では
管理上の誤差が大きくなるという欠点がある。また試験
片の全面積に対する被打面積比も１００％に近くなるに
つれ重畳打痕が多くなり投射密度の大きい領域では単位
投射密度当りの被打面積比の増加が少なくなり、さらに
目視判定のためピ−ニング処理で一般的に管理されるそ
の領域では管理上の誤差が大きくなるという欠点があ
る。このため処理の信頼性を確保するために、ア−クハ
イト、カバ−レ−ジを安全側に設定するしかなくランニ
ングコストを最小にする投射条件は設定できないのが実
状である。本発明は上記の問題に鑑みて成されたもので
ショットブラストあるいはショットピ−ニングにおいて
投射される投射材の衝突強さと衝突数を必要下限に調整
し得るショット投射条件の決定方法を提供することを目
的とする。
試験片（アルメンストスリップ）に投射材を投射して試
験片の反り量（ア−クハイト）を測定し、その反り量の
過不足で投射速度、投射材の粒径、硬度を選定し、さら
に試験片の全面積に対する被打面積比（カバレ−ジ）を
顕微鏡で目視判定し、投射材の粒径、投射密度を選定し
ている。この場合、試験片の反り量は投射強さが大きく
なるにつれ単位投射強さ当りの反り量の増加が小さくな
り、ピ−ニング処理で一般的に管理されるその領域では
管理上の誤差が大きくなるという欠点がある。また試験
片の全面積に対する被打面積比も１００％に近くなるに
つれ重畳打痕が多くなり投射密度の大きい領域では単位
投射密度当りの被打面積比の増加が少なくなり、さらに
目視判定のためピ−ニング処理で一般的に管理されるそ
の領域では管理上の誤差が大きくなるという欠点があ
る。このため処理の信頼性を確保するために、ア−クハ
イト、カバ−レ−ジを安全側に設定するしかなくランニ
ングコストを最小にする投射条件は設定できないのが実
状である。本発明は上記の問題に鑑みて成されたもので
ショットブラストあるいはショットピ−ニングにおいて
投射される投射材の衝突強さと衝突数を必要下限に調整
し得るショット投射条件の決定方法を提供することを目
的とする。
【０００４】
【問題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明におけるショット投射条件の決定方法は、シ
ョットの衝突強さと衝突数を検出する検出器とテスト処
理製品とを同時にテストブラスト又はテストピ−ニング
して処理製品が必要とする最小衝突強さと衝突数をあら
かじめモデル処理で求めて処理管理値とし、実際の製品
処理において前記検出器を用いて常時または一定タイム
サイクルで衝突強さと衝突数を測定し、前記管理値と比
較してその過不足をチェックして投射条件を必要下限に
することを特徴とするものである。
めに本発明におけるショット投射条件の決定方法は、シ
ョットの衝突強さと衝突数を検出する検出器とテスト処
理製品とを同時にテストブラスト又はテストピ−ニング
して処理製品が必要とする最小衝突強さと衝突数をあら
かじめモデル処理で求めて処理管理値とし、実際の製品
処理において前記検出器を用いて常時または一定タイム
サイクルで衝突強さと衝突数を測定し、前記管理値と比
較してその過不足をチェックして投射条件を必要下限に
することを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】本発明は上記のような解決手段を採用すること
により、投射される一粒一粒の衝突強さ、即ち投射強さ
（一粒一粒の運動エネルギ−または運動量）と、投射さ
れ衝突する総粒数、特に一定の運動エネルギ−または運
動量以上をもつ投射材に限定してその衝突数、即ち投射
粒数の総計を計測することで、必要とする処理投射強さ
（一粒一粒の最小投射強さ）と処理を安定化するための
処理投射量（投射粒数下限値）と、前記測定した値をそ
れぞれ比較して定量的に管理することで過剰処理をさ
け、ランニングコストを最小にする。
により、投射される一粒一粒の衝突強さ、即ち投射強さ
（一粒一粒の運動エネルギ−または運動量）と、投射さ
れ衝突する総粒数、特に一定の運動エネルギ−または運
動量以上をもつ投射材に限定してその衝突数、即ち投射
粒数の総計を計測することで、必要とする処理投射強さ
（一粒一粒の最小投射強さ）と処理を安定化するための
処理投射量（投射粒数下限値）と、前記測定した値をそ
れぞれ比較して定量的に管理することで過剰処理をさ
け、ランニングコストを最小にする。
【０００６】
【実施例１】まず図１及び図２により投射強さ及び投射
粒数を測定する検出器Ｅについて説明する。図１におい
て投射されたショットＳが衝突して弾性波を発生するシ
ョット衝突部１と該弾性波を伝播する伝播部２は環状の
防振ゴム３を介して箱形のケ−ス４に固定されると共に
ショット衝突部１を表出させており、該ショット衝突部
１は超硬合金、浸炭鋼、セラミックスのような耐摩耗性
の材料で作られた径３０mm厚さ１０mmの円板状（他の形
状、寸法でもよい）にされ、伝播部２は樹脂のような減
衰材でショット衝突部１の背面に接合されている。伝播
部２の背面には伝播される弾性波を受信して高周波電気
信号に変換して出力する圧伝素子を応用した変換器５
（圧電センサ−、加速度センサ−、ＡＥセンサ−等）が
取付けられている。該変換器５にはケ−ブル６が接続さ
れていると共に該ケ−ブル６には計測回路７が接続され
ており、該計測回路７は前記ケ−ス４内に内蔵されてい
る。
粒数を測定する検出器Ｅについて説明する。図１におい
て投射されたショットＳが衝突して弾性波を発生するシ
ョット衝突部１と該弾性波を伝播する伝播部２は環状の
防振ゴム３を介して箱形のケ−ス４に固定されると共に
ショット衝突部１を表出させており、該ショット衝突部
１は超硬合金、浸炭鋼、セラミックスのような耐摩耗性
の材料で作られた径３０mm厚さ１０mmの円板状（他の形
状、寸法でもよい）にされ、伝播部２は樹脂のような減
衰材でショット衝突部１の背面に接合されている。伝播
部２の背面には伝播される弾性波を受信して高周波電気
信号に変換して出力する圧伝素子を応用した変換器５
（圧電センサ−、加速度センサ−、ＡＥセンサ−等）が
取付けられている。該変換器５にはケ−ブル６が接続さ
れていると共に該ケ−ブル６には計測回路７が接続され
ており、該計測回路７は前記ケ−ス４内に内蔵されてい
る。
【０００７】次に計測回路７について図２により説明す
る。前記ケ−ブル６の先端には高周波電気信号を包路線
検波に変換する包路線検波回路８が増幅回路９を介して
接続されており、該包路線検波回路８には包路線検波の
発生回数を検出するカウンタ回路１０と、包路線検波の
ピ−ク値を検出するピ−ク測定回路１１が接続されてい
る。さらに該カウンタ回路１０と該ピ−ク測定回路１１
のデ−タを入力して演算する演算回路１２と演算結果を
保持するメモリ−１３が接続されている。該メモリ−１
３には外部演算表示装置（パ−ソナルコンピュ−タな
ど）１４に伝送ケ−ブル１５でデ−タ伝送できる出力端
子１６が取付けられている。該伝送ケ−ブル１５は取り
外し自在になっている。
る。前記ケ−ブル６の先端には高周波電気信号を包路線
検波に変換する包路線検波回路８が増幅回路９を介して
接続されており、該包路線検波回路８には包路線検波の
発生回数を検出するカウンタ回路１０と、包路線検波の
ピ−ク値を検出するピ−ク測定回路１１が接続されてい
る。さらに該カウンタ回路１０と該ピ−ク測定回路１１
のデ−タを入力して演算する演算回路１２と演算結果を
保持するメモリ−１３が接続されている。該メモリ−１
３には外部演算表示装置（パ−ソナルコンピュ−タな
ど）１４に伝送ケ−ブル１５でデ−タ伝送できる出力端
子１６が取付けられている。該伝送ケ−ブル１５は取り
外し自在になっている。
【０００８】次にブラスト処理において前記検出器Ｅを
用いた投射条件決定方法について説明する。まずテスト
処理製品と前記検出器Ｅとを同時にテストブラストして
テスト処理製品の剥離する被膜（塗装膜、さび、スケ−
ル等）、砂については皮膜剥離度合と投射強さの関係
を、また除去するバリについては除去度合と投射強さの
関係を図３のように作成する。剥離度合、または除去度
合が１００％になる投射強さを図３より決定し、その値
のある一定の安全率を含んだ値を、必要とする処理投射
強さ（一粒一粒の最小投射強さ）とする。次にテスト処
理製品と前記検出器Ｅを上記の必要とする処理投射強さ
で同時にテストブラストしてテスト処理製品のある面積
を対象にその剥離度合または除去度合が１００％になっ
ている部分の度合と累計投射粒数の関係を図４のように
作成する。ある面積での剥離度合、または除去度合が１
００％になる累計投射粒数を図４より決定しその値のあ
る一定の安全率を含んだ値を、処理を安定化するための
処理投射量（投射粒数下限値）とする。これらの処理投
射強さと処理投射量をブラスト処理の管理値とする。
用いた投射条件決定方法について説明する。まずテスト
処理製品と前記検出器Ｅとを同時にテストブラストして
テスト処理製品の剥離する被膜（塗装膜、さび、スケ−
ル等）、砂については皮膜剥離度合と投射強さの関係
を、また除去するバリについては除去度合と投射強さの
関係を図３のように作成する。剥離度合、または除去度
合が１００％になる投射強さを図３より決定し、その値
のある一定の安全率を含んだ値を、必要とする処理投射
強さ（一粒一粒の最小投射強さ）とする。次にテスト処
理製品と前記検出器Ｅを上記の必要とする処理投射強さ
で同時にテストブラストしてテスト処理製品のある面積
を対象にその剥離度合または除去度合が１００％になっ
ている部分の度合と累計投射粒数の関係を図４のように
作成する。ある面積での剥離度合、または除去度合が１
００％になる累計投射粒数を図４より決定しその値のあ
る一定の安全率を含んだ値を、処理を安定化するための
処理投射量（投射粒数下限値）とする。これらの処理投
射強さと処理投射量をブラスト処理の管理値とする。
【０００９】このようにして管理値が決められると、こ
の管理値に基づいて処理製品をブラスト処理してゆく
が、ブラスト処理に当って常時または一定のタイムサイ
クルで前記検出器Ｅを処理製品と同時にブラスト処理に
設置してブラスト処理し、投射強さおよび投射量を測定
する。処理後に検出器Ｅを取り出し、前記伝送ケ−ブル
１５で前記外部演算表示装置１４に検出器Ｅ内の前記メ
モリ−１３に保存されているデ−タを伝送し、前記外部
演算表示装置１４に、表示に必要な演算を行ない実際に
処理製品上のある位置で受けている投射強さおよび投射
量を表示し、前記の管理値と比較すると共にその過不足
をチェックして投射条件を必要下限にして以後のブラス
ト処理をするものである。
の管理値に基づいて処理製品をブラスト処理してゆく
が、ブラスト処理に当って常時または一定のタイムサイ
クルで前記検出器Ｅを処理製品と同時にブラスト処理に
設置してブラスト処理し、投射強さおよび投射量を測定
する。処理後に検出器Ｅを取り出し、前記伝送ケ−ブル
１５で前記外部演算表示装置１４に検出器Ｅ内の前記メ
モリ−１３に保存されているデ−タを伝送し、前記外部
演算表示装置１４に、表示に必要な演算を行ない実際に
処理製品上のある位置で受けている投射強さおよび投射
量を表示し、前記の管理値と比較すると共にその過不足
をチェックして投射条件を必要下限にして以後のブラス
ト処理をするものである。
【００１０】次にピ−ニング処理において、前記検出器
Ｅを用いた投射条件決定方法について説明する。まず繰
り返し応力を受ける機械部品例えば歯車、バネ、コネク
ティングロッド、クランクシャフト、ト−ションバ−等
のテスト処理製品を前記検出器Ｅとを同時にテストピ−
ニングしてテスト処理製品の表面および内部に発生する
応力値から寿命目標管理値とするある深さの応力値、ま
たはある深さまでの応力累積値に対して実際に投射した
ときの値の比率と投射強さの関係を図５のように作成す
る。寿命目標管理値に対する実際値の比率が１００％に
なる投射強さを図５より決定し、その値のある一定の安
全率を含んだ値を、必要とする処理投射強さ（一粒一粒
の最小投射強さ）とする。次にテスト処理製品と前記検
出器Ｅを上記の必要とする処理投射強さで同時にテスト
ピ−ニングしてテスト処理製品のある一定の任意の位置
での寿命目標管理値に対する実際値の比率が１００％に
なっている部分の度合と、前記処理投射強さ以上又はあ
る一定の投射強さ以上で投射される投射材に限定してそ
の累計投射粒数との関係を図６のように作成する。寿命
目標管理値に対する実際値の比率が１００％になってい
る部分の度合が１００％になる累計投射粒数を図６より
決定し、その値のある一定の安全率を含んだ値を、処理
を安定化するための処理投射量（投射粒数下限値）とす
る。これらの処理投射強さと処理投射量をピ−ニング処
理の管理値とする。
Ｅを用いた投射条件決定方法について説明する。まず繰
り返し応力を受ける機械部品例えば歯車、バネ、コネク
ティングロッド、クランクシャフト、ト−ションバ−等
のテスト処理製品を前記検出器Ｅとを同時にテストピ−
ニングしてテスト処理製品の表面および内部に発生する
応力値から寿命目標管理値とするある深さの応力値、ま
たはある深さまでの応力累積値に対して実際に投射した
ときの値の比率と投射強さの関係を図５のように作成す
る。寿命目標管理値に対する実際値の比率が１００％に
なる投射強さを図５より決定し、その値のある一定の安
全率を含んだ値を、必要とする処理投射強さ（一粒一粒
の最小投射強さ）とする。次にテスト処理製品と前記検
出器Ｅを上記の必要とする処理投射強さで同時にテスト
ピ−ニングしてテスト処理製品のある一定の任意の位置
での寿命目標管理値に対する実際値の比率が１００％に
なっている部分の度合と、前記処理投射強さ以上又はあ
る一定の投射強さ以上で投射される投射材に限定してそ
の累計投射粒数との関係を図６のように作成する。寿命
目標管理値に対する実際値の比率が１００％になってい
る部分の度合が１００％になる累計投射粒数を図６より
決定し、その値のある一定の安全率を含んだ値を、処理
を安定化するための処理投射量（投射粒数下限値）とす
る。これらの処理投射強さと処理投射量をピ−ニング処
理の管理値とする。
【００１１】このようにして管理値が決められると、こ
の管理値に基づいて処理製品をピ−ニング処理してゆく
が、ピ−ニング処理に当って、常時または一定タイムサ
イクルで前記検出器Ｅを処理製品と同時にピ−ニング装
置に設置してピ−ニング処理し、投射強さ、および投射
量を測定する。処理後に検出器Ｅを取り出し前記伝送ケ
−ブル１５で前記外部演算表示装置１４に検出器Ｅ内の
前記メモリ−１３に保存されているデ−タを伝送し、前
記外部演算表示装置１４に表示に必要な演算を行ない、
実際に処理製品上のある位置で受けている投射強さ及び
投射量を表示し、前記の管理値と比較すると共にその過
不足をチェックして投射条件を必要下限にして以後のピ
−ニング処理をするものである。
の管理値に基づいて処理製品をピ−ニング処理してゆく
が、ピ−ニング処理に当って、常時または一定タイムサ
イクルで前記検出器Ｅを処理製品と同時にピ−ニング装
置に設置してピ−ニング処理し、投射強さ、および投射
量を測定する。処理後に検出器Ｅを取り出し前記伝送ケ
−ブル１５で前記外部演算表示装置１４に検出器Ｅ内の
前記メモリ−１３に保存されているデ−タを伝送し、前
記外部演算表示装置１４に表示に必要な演算を行ない、
実際に処理製品上のある位置で受けている投射強さ及び
投射量を表示し、前記の管理値と比較すると共にその過
不足をチェックして投射条件を必要下限にして以後のピ
−ニング処理をするものである。
【００１２】
【実施例２】次にブラスト処理またはピ−ニング装置の
内部に、投射強さおよび投射量を測定する検出器本体部
を組み込み、投射条件を決定する場合について説明す
る。まず図７、図８により投射強さ及び投射粒数を測定
する検出器について説明する。図７において、投射され
たショットＳが衝突して弾性波を発生するショット衝突
部２１と該弾性波を伝播する伝播部２２は環状の防振ゴ
ム２３を介して箱形のケ−ス２４に固定されると共にシ
ョット衝突部２１を表出させており、該ショット部衝突
部２１は超硬合金、浸炭鋼、セラミックスのような耐摩
耗性の材料で作られた径３０mm厚さ１０mmの円板状（他
の形状、寸法でもよい）にされ、伝播部２２は樹脂のよ
うな減衰材でショット衝突部２１の背面に接合されてい
る。伝播部２２の背面には伝播される弾性波を受信して
高周波電気信号に変換して出力する圧電素子を応用した
変換器２５（圧電センサ−、加速度センサ−、ＡＥセン
サ−等）が取付けられている。該変換器２５にはケ−ブ
ル２６が接続されており、該ケ−ブル２６には計測回路
２７が接続されており、該計測回路２７は箱形のケ−ス
４で包囲した検出器本体部Ｔの外部に別置きされる。
内部に、投射強さおよび投射量を測定する検出器本体部
を組み込み、投射条件を決定する場合について説明す
る。まず図７、図８により投射強さ及び投射粒数を測定
する検出器について説明する。図７において、投射され
たショットＳが衝突して弾性波を発生するショット衝突
部２１と該弾性波を伝播する伝播部２２は環状の防振ゴ
ム２３を介して箱形のケ−ス２４に固定されると共にシ
ョット衝突部２１を表出させており、該ショット部衝突
部２１は超硬合金、浸炭鋼、セラミックスのような耐摩
耗性の材料で作られた径３０mm厚さ１０mmの円板状（他
の形状、寸法でもよい）にされ、伝播部２２は樹脂のよ
うな減衰材でショット衝突部２１の背面に接合されてい
る。伝播部２２の背面には伝播される弾性波を受信して
高周波電気信号に変換して出力する圧電素子を応用した
変換器２５（圧電センサ−、加速度センサ−、ＡＥセン
サ−等）が取付けられている。該変換器２５にはケ−ブ
ル２６が接続されており、該ケ−ブル２６には計測回路
２７が接続されており、該計測回路２７は箱形のケ−ス
４で包囲した検出器本体部Ｔの外部に別置きされる。
【００１３】次に別置きにされる計測回路２７について
図８により説明する。前記ケ−ブル２６は検出器本体Ｔ
のケ−ス２４から外部に導びかれ、その先端には高周波
電気信号を包絡線検波に変換する包絡線検波回路２８が
増幅回路２９を介して接続されており、該包絡線検波回
路２８には包絡線検波の発生回数を検出するカウンタ回
路３０と包絡線検波のピ−ク値を検出するピ−ク測定回
路３１が接続されている。さらに該カウンタ回路３０と
該ピ−ク測定回路３１のデ−タを入力して演算する演算
回路３２と演算結果を保持するメモリ−３３が接続され
ている。該メモリ−３３には外部演算表示装置（パ−ソ
ナルコンピュ−タなど）３４に伝送ケ−ブル３５でデ−
タ伝送できる出力端子３６が取付けられ測定中に連続、
またはバッチでデ−タは伝送されるようになっている。
この場合前記演算回路３２より前記出力端子３６を介し
て直接外部演算表示装置３４へ伝送することもできる。
図８により説明する。前記ケ−ブル２６は検出器本体Ｔ
のケ−ス２４から外部に導びかれ、その先端には高周波
電気信号を包絡線検波に変換する包絡線検波回路２８が
増幅回路２９を介して接続されており、該包絡線検波回
路２８には包絡線検波の発生回数を検出するカウンタ回
路３０と包絡線検波のピ−ク値を検出するピ−ク測定回
路３１が接続されている。さらに該カウンタ回路３０と
該ピ−ク測定回路３１のデ−タを入力して演算する演算
回路３２と演算結果を保持するメモリ−３３が接続され
ている。該メモリ−３３には外部演算表示装置（パ−ソ
ナルコンピュ−タなど）３４に伝送ケ−ブル３５でデ−
タ伝送できる出力端子３６が取付けられ測定中に連続、
またはバッチでデ−タは伝送されるようになっている。
この場合前記演算回路３２より前記出力端子３６を介し
て直接外部演算表示装置３４へ伝送することもできる。
【００１４】前記検出器本体部Ｔはブラスト処理の場合
には図９に示すようにブラスト装置Ｂに設置された各投
射装置（インペラまたはエア−ノズル）４２の位置にハ
ンドリング装置（一次元、二次元又は三次元）４３を介
して常時は投射ゾ−ンＲから外れ、必要時に投射ゾ−ン
Ｒに移動されるようにして設置される。またピ−ニング
処理する場合には図１０に示すようにピ−ニング装置Ｐ
に設置された各投射装置（インペラまたはエア−ノズ
ル）４５の位置にハンドリング装置（一次元、二次元又
は三次元）４６を介して常時は投射ゾ−ンＲから外れ必
要時に投射ゾ−ンＲに移動されるようにして設置され
る。また前記ケ−ブル２６はそれぞれハンドリング装置
４３、４６の機構内を通って外部に別置きされた計測回
路２７に接続される。
には図９に示すようにブラスト装置Ｂに設置された各投
射装置（インペラまたはエア−ノズル）４２の位置にハ
ンドリング装置（一次元、二次元又は三次元）４３を介
して常時は投射ゾ−ンＲから外れ、必要時に投射ゾ−ン
Ｒに移動されるようにして設置される。またピ−ニング
処理する場合には図１０に示すようにピ−ニング装置Ｐ
に設置された各投射装置（インペラまたはエア−ノズ
ル）４５の位置にハンドリング装置（一次元、二次元又
は三次元）４６を介して常時は投射ゾ−ンＲから外れ必
要時に投射ゾ−ンＲに移動されるようにして設置され
る。また前記ケ−ブル２６はそれぞれハンドリング装置
４３、４６の機構内を通って外部に別置きされた計測回
路２７に接続される。
【００１５】次に前記ブラスト装置Ｂにおける投射条件
決定方法について説明する。まずテスト処理製品をブラ
スト装置Ｂの搬送装置に載せて搬送しテストブラストす
ると同時にハンドリング装置４３により検出器本体部Ｔ
を投射ゾ−ンＲ内に移動させて、テスト処理品の剥離す
る皮膜、砂については皮膜剥離度合と投射強さの関係
を、また除去するバリについては除去度合と投射強さの
関係を図３のように作成する。剥離度合または除去度合
が１００％になる投射強さを図３より決定し、その値の
ある一定の安全率を含んだ値を、必要とする処理投射強
さ（一粒一粒の最小投射強さ）とする。次にテスト処理
製品と前記検出器本体部Ｔを上記の必要とする処理投射
強さで同様にしてテストブラストしてテスト処理製品の
ある面積を対象にその剥離度合が１００％になっている
部分の度合と累計投射粒数の関係を図４のように作成す
る。ある面積での剥離度合または除去度合が１００％に
なる累計投射粒数を図４より決定し、その値のある一定
の安全率を含んだ値を処理を安定化するための処理投射
量（投射粒数下限値）とする。これらの処理投射強さと
処理投射量をブラスト処理の管理値とする。尚この管理
値の決定は実施例１で使用した検出器Ｅを使用するもの
であってもよい。
決定方法について説明する。まずテスト処理製品をブラ
スト装置Ｂの搬送装置に載せて搬送しテストブラストす
ると同時にハンドリング装置４３により検出器本体部Ｔ
を投射ゾ−ンＲ内に移動させて、テスト処理品の剥離す
る皮膜、砂については皮膜剥離度合と投射強さの関係
を、また除去するバリについては除去度合と投射強さの
関係を図３のように作成する。剥離度合または除去度合
が１００％になる投射強さを図３より決定し、その値の
ある一定の安全率を含んだ値を、必要とする処理投射強
さ（一粒一粒の最小投射強さ）とする。次にテスト処理
製品と前記検出器本体部Ｔを上記の必要とする処理投射
強さで同様にしてテストブラストしてテスト処理製品の
ある面積を対象にその剥離度合が１００％になっている
部分の度合と累計投射粒数の関係を図４のように作成す
る。ある面積での剥離度合または除去度合が１００％に
なる累計投射粒数を図４より決定し、その値のある一定
の安全率を含んだ値を処理を安定化するための処理投射
量（投射粒数下限値）とする。これらの処理投射強さと
処理投射量をブラスト処理の管理値とする。尚この管理
値の決定は実施例１で使用した検出器Ｅを使用するもの
であってもよい。
【００１６】このようにして管理値が決められると、こ
の管理値に基づいて処理製品をブラスト処理してゆくが
ブラスト処理に当って常時または一定タイムサイクルで
前記検出器本体部Ｔをハンドリング装置４３を介して投
射ゾ−ンＲに移動させて投射強さおよび投射量を測定す
る。この測定結果は前記伝送ケ−ブル３５で前記外部演
算表示装置３４に、前記計測回路２７内のメモリ−３３
からデ−タを連続またはバッチで伝送し前記外部演算表
示装置３４に表示に必要な演算を行ない処理製品搬送の
基準位置からの任意の位置で処理製品が受ける投射強さ
および投射量を全投射装置４２を累計表示し、前記の管
理値と比較すると共にその過不足をチェックして投射条
件を必要下限にして以後のブラスト処理をするものであ
る。
の管理値に基づいて処理製品をブラスト処理してゆくが
ブラスト処理に当って常時または一定タイムサイクルで
前記検出器本体部Ｔをハンドリング装置４３を介して投
射ゾ−ンＲに移動させて投射強さおよび投射量を測定す
る。この測定結果は前記伝送ケ−ブル３５で前記外部演
算表示装置３４に、前記計測回路２７内のメモリ−３３
からデ−タを連続またはバッチで伝送し前記外部演算表
示装置３４に表示に必要な演算を行ない処理製品搬送の
基準位置からの任意の位置で処理製品が受ける投射強さ
および投射量を全投射装置４２を累計表示し、前記の管
理値と比較すると共にその過不足をチェックして投射条
件を必要下限にして以後のブラスト処理をするものであ
る。
【００１７】次に前記ピ−ニング装置Ｐにおける投射条
件決定方法について説明する。まずテスト処理製品をピ
−ニング装置Ｐのタ−ンテ−ブルに載せて投射ゾ−ンＲ
へ移動させテストピ−ニングをすると同時にハンドリン
グ装置４６により検出器本体部Ｔを投射ゾ−ンＲ内に移
動させてテスト処理製品の表面および内部に発生する応
力値から寿命目標管理値とするある深さの応力値または
ある深さまでの応力累積値に対し実際に投射したときの
値の比率と投射強さの関係を図５のように作成する。寿
命目標管理値に対する実際値の比率が１００％になる投
射強さを図５により決定しその値のある一定の安全率を
含んだ値を、必要とする処理投射強さとする。次にテス
ト処理製品と前記検出器本体部Ｔを上記の必要とする処
理投射強さで同時にテストピ−ニングしてテスト処理製
品のある一定数の任意の位置での寿命目標値に対する実
際値の比率が１００％になっている部分の度合と前記処
理投射強さ以上またはある一定の投射強さ以上で投射さ
れる投射材に限定してその累計投射粒数との関係を図６
のように作成する。寿命目標管理値に対する実際値の比
率が１００％になっている部分の度合が１００％になる
累計投射粒数を図６より決定し、その値のある一定の安
全率を含んだ値を、処理を安定化するための処理投射量
（投射粒数下限値）とする。これらの処理投射強さと処
理投射量をピ−ニング処理しの管理値とする。尚この管
理値の決定は実施例１で使用した検出器Ｅを使用するも
のであってもよい。
件決定方法について説明する。まずテスト処理製品をピ
−ニング装置Ｐのタ−ンテ−ブルに載せて投射ゾ−ンＲ
へ移動させテストピ−ニングをすると同時にハンドリン
グ装置４６により検出器本体部Ｔを投射ゾ−ンＲ内に移
動させてテスト処理製品の表面および内部に発生する応
力値から寿命目標管理値とするある深さの応力値または
ある深さまでの応力累積値に対し実際に投射したときの
値の比率と投射強さの関係を図５のように作成する。寿
命目標管理値に対する実際値の比率が１００％になる投
射強さを図５により決定しその値のある一定の安全率を
含んだ値を、必要とする処理投射強さとする。次にテス
ト処理製品と前記検出器本体部Ｔを上記の必要とする処
理投射強さで同時にテストピ−ニングしてテスト処理製
品のある一定数の任意の位置での寿命目標値に対する実
際値の比率が１００％になっている部分の度合と前記処
理投射強さ以上またはある一定の投射強さ以上で投射さ
れる投射材に限定してその累計投射粒数との関係を図６
のように作成する。寿命目標管理値に対する実際値の比
率が１００％になっている部分の度合が１００％になる
累計投射粒数を図６より決定し、その値のある一定の安
全率を含んだ値を、処理を安定化するための処理投射量
（投射粒数下限値）とする。これらの処理投射強さと処
理投射量をピ−ニング処理しの管理値とする。尚この管
理値の決定は実施例１で使用した検出器Ｅを使用するも
のであってもよい。
【００１８】このようにして管理値が決められると、こ
の管理値に基づいて処理製品をピ−ニング処理してゆく
がピ−ニング処理に当って常時または一定タイムサイク
ルで前記検出器本体部Ｔをハンドリング装置４６を介し
て投射ゾ−ンＲに移動させて投射強さおよび投射量を測
定する。この測定結果は前記伝送ケ−ブル３５で前記外
部演算表示装置３４に、前記計測回路２７内のメモリ−
３３からデ−タを連続またはバッチで伝送し、前記外部
演算表示装置３４に表示に必要な演算を行ない、製品搬
送の基準位置からの任意の位置で処理製品が受ける投射
強さおよび投射量を全投射装置４５を累計表示し、前記
の管理値と比較すると共にその過不足をチェックして投
射条件を必要下限にして以後のピ−ニング処理をするも
のである。
の管理値に基づいて処理製品をピ−ニング処理してゆく
がピ−ニング処理に当って常時または一定タイムサイク
ルで前記検出器本体部Ｔをハンドリング装置４６を介し
て投射ゾ−ンＲに移動させて投射強さおよび投射量を測
定する。この測定結果は前記伝送ケ−ブル３５で前記外
部演算表示装置３４に、前記計測回路２７内のメモリ−
３３からデ−タを連続またはバッチで伝送し、前記外部
演算表示装置３４に表示に必要な演算を行ない、製品搬
送の基準位置からの任意の位置で処理製品が受ける投射
強さおよび投射量を全投射装置４５を累計表示し、前記
の管理値と比較すると共にその過不足をチェックして投
射条件を必要下限にして以後のピ−ニング処理をするも
のである。
【００１９】
【発明の効果】本発明は上記の説明から明らかなように
投射材の投射の状況（投射強さ、及び投射量）を定量的
に把握し、管理してゆくものであるため、過剰処理がさ
けられ、ランニングコストを最小にでき、かつ投射装置
の摩耗等による投射状況の変化にもすばやく対応させる
ことができる等種々の効果がある。
投射材の投射の状況（投射強さ、及び投射量）を定量的
に把握し、管理してゆくものであるため、過剰処理がさ
けられ、ランニングコストを最小にでき、かつ投射装置
の摩耗等による投射状況の変化にもすばやく対応させる
ことができる等種々の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】投射強さ及び投射量を測定する検出器の断面図
である。
である。
【図２】検出器における計測回路を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】剥離度合、除去度合と投射強さとの関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】剥離度合、除去度合が１００％になっている部
分の度合と累計投射粒数の関係を示すグラフである。
分の度合と累計投射粒数の関係を示すグラフである。
【図５】寿命目標管理値に対する実際値の比率と投射強
さの関係を示すグラフである。
さの関係を示すグラフである。
【図６】寿命目標管理値に対する実際値の比率が１００
％になっている部分の度合と累計投射粒数の関係を示す
グラフである。
％になっている部分の度合と累計投射粒数の関係を示す
グラフである。
【図７】ブラスト処理あるいはピ−ニング装置に組み込
まれて投射強さ及び投射量を測定する検出器本体の断面
図である。
まれて投射強さ及び投射量を測定する検出器本体の断面
図である。
【図８】検出器本体に接続される計測回路のブロック図
である。
である。
【図９】ブラスト装置の縦断面図である。
【図１０】ピ−ニング装置の横断面図である。
１ 21 ショット衝突部 ２ 22 伝播部 ３ 23 防振ゴム ４ 24 ケ−ス ５ 25 変換器 ６ 26 ケ−ブル ７ 27 計測回路 14 34 外部演算表示装置
Claims (2)
- 【請求項１】 投射されたショットが衝突することによ
り弾性波を発生するショット衝突部と前記弾性波を伝播
し、減衰する伝播部と前記弾性波を受信して高周波電気
信号に変換する変換部と前記高周波電気信号に基づきシ
ョットの衝突強さと衝突数を検出する計測回路とを内蔵
し、ショット衝突部のみを外部に表出して耐摩耗性のケ
−スで被った検出器と、テスト処理製品とを同時にテス
トブラスト又はテストピ−ニングして処理製品が必要と
する最小衝突強さと、最小衝突数をあらかじめモデル処
理で求めて処理管理値とし、実際の製品処理において前
記検出器を用いて常時または一定タイムサイクルで衝突
強さと衝突数を測定し前記管理値と比較してその過不足
をチェックして投射条件を必要下限にすることを特徴と
するショット投射条件の決定方法 - 【請求項２】 投射されたショットが衝突することによ
り弾性波を発生するショット衝突部と前記弾性波を伝播
し減衰する伝播部と前記弾性波を受信して高周波電気信
号に変換する変換部とを内蔵し、ショット衝突部のみを
外部に表出して耐摩耗性のケ−スで被った検出器本体部
と、該検出器本体部外部に配設されて前記高周波電気信
号に基づきショットの衝突強さと衝突数を検出する計測
回路とから構成された検出器とテスト処理製品とを同時
にテストブラスト又はテストピ−ニングして処理製品が
必要とする最小衝突強さと、最小衝突数をあらかじめモ
デル処理で求めて処理管理値とし、実際の製品処理にお
いて前記検出器を用いて常時または一定タイムサイクル
で衝突強さと衝突数を測定し、前記管理値と比較してそ
の過不足をチェックして投射条件を必要下限にすること
を特徴とするショット投射条件の決定方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2626794A JPH07214472A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ショット投射条件の決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2626794A JPH07214472A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ショット投射条件の決定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07214472A true JPH07214472A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=12188505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2626794A Pending JPH07214472A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ショット投射条件の決定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07214472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1254744A2 (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-06 | Sintokogio, Ltd. | Method and apparatus for controlling shot peening device |
| US6640596B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-11-04 | Sintokogio Ltd. | Apparatus for detecting intensity of shot peening and replacement unit for the apparatus |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP2626794A patent/JPH07214472A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6640596B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-11-04 | Sintokogio Ltd. | Apparatus for detecting intensity of shot peening and replacement unit for the apparatus |
| EP1254744A2 (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-06 | Sintokogio, Ltd. | Method and apparatus for controlling shot peening device |
| EP1254744A3 (en) * | 2001-04-26 | 2003-07-09 | Sintokogio, Ltd. | Method and apparatus for controlling shot peening device |
| US6694789B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-02-24 | Sintokogio, Ltd. | Method and apparatus for controlling shot-peening device |
| KR100875764B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2008-12-24 | 신토고교 가부시키가이샤 | 쇼트 피닝 장치의 제어 방법 및 장치 |
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