JPH07211672A - ダイシング方法及び装置 - Google Patents

ダイシング方法及び装置

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JPH07211672A
JPH07211672A JP298994A JP298994A JPH07211672A JP H07211672 A JPH07211672 A JP H07211672A JP 298994 A JP298994 A JP 298994A JP 298994 A JP298994 A JP 298994A JP H07211672 A JPH07211672 A JP H07211672A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップに設けられている電極パッドの
位置決めを短時間で行えるので、半導体チップの生産性
の向上を図る。 【構成】 ストリート12に切溝40を加工した後に得
た画像情報と、メモリ部34に予め登録されている画像
情報とを比較して、夫々の画像情報の基準パターン
1 、P2 を一致させた後、基準パターンP1 、P2
位置を求める。そして、基準パターンP1 、P2 の位置
と、基準パターンP1 、P2 を基準にして超音波センサ
24で検出した切溝40のエッジ40A、40Bの位置
との実測距離を求める。従って、基準パターンP1 、P
2 と電極パッド16A、16Bの位置関係を予め登録し
ておけば、ボンディング工程において、切溝40のエッ
ジ40A、40Bを基準面に突き合わせるだけで、半導
体チップ14に設けられた電極パッド16A、16Bの
位置決めが行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はダイシング方法及び装
置に係り、特にウエハに配列された半導体チップを個々
に分割するために、ウエハのストリートに加工される切
溝の位置を正確に検出するダイシング方法及び装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】ダイシング装置は顕微鏡とブレードを備
えていて、顕微鏡の基準線とブレードは同一線上に位置
決めされている。このダイシング装置で、図5に示すウ
エハ2のストリート4を切断する場合、先ず、ダイシン
グ装置のテーブルにウエハ2を載置し、ウエハ2のスト
リート4の中心Lc に顕微鏡の基準線をあわせる。次
に、ブレードでウエハ2のストリート4の中心Lc に切
溝8を加工する。次いで、ストリート4に加工された切
溝8を画像処理して切溝8の中心Ec とストリート4の
中心Lc とのずれδを求めて、ずれδが許容範囲内にあ
る場合に切断が適切に行われたと評価する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、切溝8の中
心Ec は、例えば、画像処理で求めた切溝8のエッジ8
A、8BのエッジラインE1 、E2 、E3 、E4 から求
められる。(尚、E1 、E2 は外側のエッジ、E3 、E
4 は内側のエッジであり、中心Ec の算出はE1、E2
から求める場合と、E3 、E4 から求める場合があ
る。)しかしながら、ストリート4に切溝8を加工する
と、図6に示すように切溝8にチッピング8C、8Cが
発生する場合がある。この場合、切溝8を上方から撮像
するとチッピング8Cの部分がエッジとして検出され
る。従って、画像処理で切溝8のエッジ8A、8Bを正
確に検出することができないという問題がある。一方、
ダイシング工程で個々に分割された半導体チップ2は、
後工程で半導体チップ2の電極パッドに端子が電気的に
接続される(以下ボンディングと称す)。そして、半導
体チップ2の電極パッドに端子をボンディングする場
合、半導体チップ2を正確に位置決めする必要があり、
この位置決めに時間がかかるという問題がある。尚、図
6上で9はウエハ2に貼りつけられたテープである。
【0004】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、半導体チップの切溝のエッジ位置を正確に検出
して、このエッジを基準にして半導体チップを容易に位
置決めすることができるダイシング方法及び装置を提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、テーブル上に
半導体ウエハを載置し、回転刃又はテーブルをX方向に
切削送りすることによって前記半導体ウエハのチップ間
のストリートの溝切を行い、続いて前記チップのY方向
だけ前記回転刃又はテーブルをY方向にピッチ送りした
のち、回転刃又はテーブルをX方向に切削送りすること
によって次のストリートの溝切を行うダイシング方法に
おいて、前記ストリートに切溝を加工する前に、撮像手
段を所定位置に位置決めして該撮像手段を介して撮像し
た前記ストリートの外側部に設けられた基準パターン画
像情報を登録し、前記ストリートに切溝を加工した後、
前記撮像手段を前記所定位置に位置決めして該撮像手段
を介して前記基準パターンの画像情報を得て、前記予め
登録されている画像情報の基準パターンと、前記切溝の
加工後に得られた画像情報の基準パターンとを一致させ
て超音波センサを前記基準パターンに対して所定位置に
位置決めし、前記基準パターンを基準にして前記超音波
センサで前記切溝のエッジ座標位置データを検出し、前
記基準パターンの座標位置データと前記切溝のエッジの
座標位置データから前記基準パターンと前記切溝のエッ
ジとの間の距離を求めるダイシング方法、及びこの方法
を実施する装置である。
【0006】また、本発明は、上記発明において求めら
れた距離と、予め設定されている設定距離とが異なる場
合にはエラー信号で警告するか、又は前記求められた距
離と設定距離との差を算出して次のストリートの溝切を
行うダイシング方法、及びこの方法を実施する装置であ
る。
【0007】
【作用】本発明によれば、超音波センサはストリートに
加工された切溝のエッジ位置を検出する。メモリ部は、
ストリートに切溝を加工する前に、ストリートの外側部
に設けられた基準パターンの画像情報を予め登録する。
演算部は、ストリートへの切溝加工後に得た画像情報
と、メモリ部に予め登録されている前記画像情報とを比
較して、夫々の画像情報の基準パターンを一致させた
後、基準パターンの位置を求める。また、演算部は、基
準パターンの位置と、基準パターンを基準にして超音波
センサで検出した切溝のエッジ位置との実測距離を求め
る。さらに、演算部は、実測距離と、予め設定されてい
る設定距離とが異なる場合にはエラー信号で警告する
か、又は実測距離と設定距離との差を算出して次のスト
リートの溝切を行うように指示する。
【0008】従って、基準パターンと電極パッドの位置
関係を予め登録しておけば、電極パッドから切溝のエッ
ジ位置までの距離を所望の距離に設定することができ
る。
【0009】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るダイシン
グ方法及び装置について詳説する。図1は本発明に係る
ダイシング装置の要部拡大図、図2、図3はダイシング
方法を説明する説明図である。図1に示すようにウエハ
10にはX、Y方向に所定間隔でストリート12、12
…が碁盤目状に形成され、ストリート12、12…が形
成する矩形枠の中には半導体チップ14、14…が配置
されている。また、図2に示すように半導体チップ1
4、14…にはストリート12の外側近傍に、ストリー
ト中心LC から予め距離のわかっている(計測して距離
を得てもよい。)位置に基準パターンP1 、P2 が設け
られている。尚、図2上で16A、16Bは電極パター
ンであり、電極パターン16A、16Bには端子(図示
せず)がボンディングされる。
【0010】また、図1に示すように、ダイシング装置
20は顕微鏡22、超音波センサ24及びブレード26
を備えていて、顕微鏡24の基準線A、超音波センサ2
4及びブレード26は同一線上に位置するように支持体
(図示せず)に一体的に固定されている。このダイシン
グ装置20で、ウエハ10のストリート12を切断する
場合、先ず、テーブル28に載置されたウエハ10のス
トリート12の中心に顕微鏡24の基準線Aをあわせ、
次に、前記支持体又はテーブルのいずれか一方をX方向
に移動して、ブレード26でウエハ10のストリート1
2の中心に切溝40を加工する。そして、超音波センサ
24は加工後の切溝40をセンシングする。すなわち、
超音波センサ24は発信器から切溝40に向けて超音波
を発信した状態でY方向にセンシングする。これによ
り、この場合、切溝40内で反射した超音波と切溝40
外で反射した超音波では受信器にもどってくるまでの時
間に差があるのでエッジ40A、40Bの位置を検出す
ることができる。
【0011】さらに、ダイシング装置20はITVカメ
ラ32、メモリ部34及び演算部36を備え、ITVカ
メラ32は、顕微鏡22の基準線Aがストリート12の
中心に位置決めされたときに、顕微鏡22がとらえた視
野を画像として取り込む。メモリ部34は、ITVカメ
ラ32が取り込んだ画像を登録する。演算部36は、ス
トリート12に切溝40を加工した後にITVカメラ3
2を介して得た画像と、メモリ部34に予め登録されて
いる画像とを比較して、夫々の画像の基準パターン
1 、P2 を一致させた後、基準パターンP1 、P2
位置を求める。このように、ストリート12に切溝40
を加工した後にITVカメラ32を介して得た画像を、
メモリ部34に予め登録されている画像に一致させるこ
とにより、基準パターンP1 、P2 を基準にした超音波
センサ24の位置が求められる。また、演算部36は、
求められた基準パターンP1 、P2 の位置と、基準パタ
ーンP1 、P2 を基準にして超音波センサ24で検出し
た切溝40のエッジ40A、40Bの位置との実測距離
を求める。
【0012】尚、図3上で41はウエハ10に貼りつけ
られたテープである。前記の如く構成された本発明に係
るダイシング方法及び装置を図4に示すフローチャート
に基づいて説明する。先ず、ウエハ10に設けられてい
る基準パターンP1 、P2 の画像をメモリ部34に登録
する(ステップ50)。次に、ダイシング装置20のテ
ーブル28に載置されたウエハ10のストリート12の
中心に顕微鏡22の基準線Aをあわせて、ダイシング装
置20のブレード26でストリート12に切溝40を加
工する(ステップ52)。
【0013】次いで、ストリート12に加工された切溝
40を顕微鏡22の下方に位置決めして、顕微鏡22が
写した視野を画像として新たに取り込む(ステップ5
4)。そして、新たに取り込んだ画像と予めメモリ部3
4に登録されている画像とを比較して、新たに取り込ん
だ画像の中から、夫々画像の基準パターンP1 、P2
一致する画像領域をサーチし、さらに基準パターン
1 、P2 の位置座標を求める(ステップ56)。この
場合、超音波センサ24は前述したようにブレード26
と基準線Aの延長線上に位置決めされているので、超音
波センサ24は基準パターンP1 、P2 に対して所定位
置に位置決めされる。続いて、座標位置が求められた基
準パターンP1 、P2 を基準にして超音波センサ24で
切溝40をY方向にスキャンする。この場合、切溝40
内で反射した超音波と切溝40外で反射した超音波では
受信器に戻ってくるまでに時間の差があるのでエッジ4
0A、40Bの位置を検出することができる(ステップ
58)。
【0014】次に、基準パターンP1 の位置からエッジ
40Aの位置までの距離、基準パターンP2 の位置から
エッジ40Bの位置までの距離を求める(ステップ6
0)。次いで、基準パターンP1 、P2 と基準パッド1
6A、16Bとの位置関係に基づいて、基準パッド16
Aの位置からエッジ40Aの位置までの距離、基準パッ
ド16Bの位置からエッジ40Bの位置までの距離を求
める(ステップ62)。続いて、基準パッド16Aの位
置からエッジ40Aの位置までの距離、基準パッド16
Bの位置からエッジ40Bの位置までの距離が、予め設
定されている設定値と異なるか否かを評価し(ステップ
64)、異なる場合にはエラー信号で警告するか、自動
修正を行うようにする(ステップ66)。
【0015】ここで、自動修正について説明する。例え
ば基準パターンP1 とエッジ40A間の距離及び基準パ
ターンP2 とエッジ40B間の距離に基づいて切溝40
の位置を正確に管理する場合、基準パターンP1 とエッ
ジ40A間の距離及び基準パターンP2 とエッジ40B
間の距離を求め、これらの距離と予め設定されている基
準距離との差を算出し、算出された差に基づいて、次の
ストリートへのピッチ送り量を補正して次のストリート
の溝切を行う。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るダイシ
ング方法及び装置によれば、ストリートへの切溝加工後
に得た画像情報と、メモリ部に予め登録されている前記
画像情報とを比較して、夫々の画像情報の基準パターン
を一致させた後、基準パターンの位置を求める。そし
て、基準パターンの位置と、基準パターンを基準にして
超音波センサで検出した切溝のエッジ位置との実測距離
を求める。さらに、実測距離と、予め設定されている設
定距離とが異なる場合にはエラー信号で警告するか、又
は実測距離と設定距離との差を算出して次のストリート
の溝切を行う。
【0017】従って、基準パターンと電極パッドの位置
関係を予め登録しておけば、電極パッドから切溝のエッ
ジ位置までの距離を所望の距離に設定することができ
る。このように、電極パッドから切溝のエッジ位置まで
の距離を所望の距離に設定することにより、ダイシング
工程の後工程で行われるボンディング工程において、切
溝のエッジを基準面に突き合わせるだけで、半導体チッ
プに設けられている電極パッドの位置決めを行うことが
できる。
【0018】これにより、半導体チップに設けられてい
る電極パッドの位置決めを短時間で行うことができるの
で、半導体チップの生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るダイシング装置の概略斜視図
【図2】ウエハの平面図
【図3】図2のA−A断面図
【図4】本発明に係るダイシング装置の作用を説明する
フローチャート
【図5】従来のダイシング方法を説明する説明図
【図6】図5の断面B−B図
【符号の説明】
10…ブレード 12…ストリート 14…半導体チップ 20…ダイシング装置 24…超音波センサ 28…テーブル 34…メモリ部 36…演算部 40…切溝 40A、40B…エッジ P1 、P2 …基準パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年11月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】 また、図1に示すように、ダイシング装
置20は顕微鏡22、超音波センサ24及びブレード2
6を備えていて、顕微鏡22、超音波センサ24及びブ
レード26は支持体(図示せず)に一体的に固定されて
いる。このダイシング装置20で、ウエハ10のストリ
ート12を切断する場合、先ず、テーブル28に載置さ
れたウエハ10のストリート12の中心に顕微鏡24の
基準線Aをあわせ、次に、前記支持体又はテーブルのい
ずれか一方をX方向に移動して、ブレード26でウエハ
10のストリート12の中心に切溝40を加工する。そ
して、超音波センサ24は加工後の切溝40をセンシン
グする。すなわち、超音波センサ24は発信器から切溝
40に向けて超音波を発信した状態でY方向にセンシン
グする。これにより、この場合、切溝40内で反射した
超音波と切溝40外で反射した超音波では受信器にもど
ってくるまでの時間に差があるのでエッジ40A、40
Bの位置を検出することができる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】 ここで、自動修正について説明する。例
えば基準パターンP1 とエッジ40A間の距離及び基準
パターンP2 とエッジ40B間の距離に基づいて切溝4
0の位置を正確に管理する場合、基準パターンP1 とエ
ッジ40A間の距離及び基準パターンP2 とエッジ40
B間の距離を求め、これらの距離と予め設定されている
基準距離との差を算出し、算出された差に基づいて、次
のストリートへのピッチ送り量を補正して次のストリー
トの溝切を行う。なお、チップはウエーハに繰り返し存
在するので、P1 、P2は1つパターンで代用すること
も可能である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テーブル上に半導体ウエハを載置し、回
    転刃又はテーブルをX方向に切削送りすることによって
    前記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行
    い、続いて前記チップのY方向だけ前記回転刃又はテー
    ブルをY方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブ
    ルをX方向に切削送りすることによって次のストリート
    の溝切を行うダイシング方法において、 前記ストリートに切溝を加工する前に、撮像手段を所定
    位置に位置決めして該撮像手段を介して撮像した前記ス
    トリートの外側部に設けられた基準パターン画像情報を
    登録し、 前記ストリートに切溝を加工した後、前記撮像手段を前
    記所定位置に位置決めして該撮像手段を介して前記基準
    パターンの画像情報を得て、 前記予め登録されている画像情報の基準パターンと、前
    記切溝の加工後に得られた画像情報の基準パターンとを
    一致させて超音波センサを前記基準パターンに対して所
    定位置に位置決めし、 前記基準パターンを基準にして前記超音波センサで前記
    切溝のエッジ座標位置データを検出し、 前記基準パターンの座標位置データと前記切溝のエッジ
    の座標位置データから前記基準パターンと前記切溝のエ
    ッジとの間の距離を求めることを特徴とするダイシング
    方法。
  2. 【請求項2】 前記求められた距離と、予め設定されて
    いる設定距離とが異なる場合にはエラー信号で警告する
    か、又は前記求められた距離と設定距離との差を算出し
    て次のストリートの溝切を行うことを特徴とする請求項
    1記載のダイシング方法。
  3. 【請求項3】 テーブル上に半導体ウエハを載置し、回
    転刃又はテーブルをX方向に切削送りすることによって
    前記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行
    い、続いて前記チップのY方向だけ前記回転刃又はテー
    ブルをY方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブ
    ルをX方向に切削送りすることによって次のストリート
    の溝切を行うダイシング装置において、 前記ストリートの外側部に設けられた基準パターンを撮
    像する撮像手段と、 前記ストリートに加工された切溝のエッジ位置を検出す
    る超音波センサと、 前記ストリートに切溝を加工する前に、前記撮像手段を
    所定位置に位置決めして該撮像手段を介して撮像した前
    記ストリートの外側部に設けられた基準パターンの画像
    情報を登録するメモリ部と、 前記ストリートへの切溝加工後に、前記撮像手段を前記
    所定位置に位置決めして該撮像手段を介して得た前記基
    準パターンの画像情報と、前記メモリ部に予め登録され
    ている前記画像情報とを比較して、夫々の画像情報の基
    準パターンを一致させて前記超音波センサを前記基準パ
    ターンに対して所定位置に位置決めし、前記基準パター
    ンを基準にして前記超音波センサで検出した前記切溝の
    エッジ座標位置データと、前記基準パターンの座標位置
    データとに基づいて前記基準パターンと前記切溝のエッ
    ジとの間の距離を求める演算部と、 を備えたことを特徴とするダイシング装置。
  4. 【請求項4】 前記演算部は、前記求められた距離と、
    予め設定されている設定距離とが異なる場合にはエラー
    信号で警告するか、又は前記求められた距離と設定距離
    との差を算出して次のストリートの溝切を行うように指
    示することを特徴とする請求項3記載のダイシング装
    置。
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