JPH0720912Y2 - 半導体基板の回転サセプタ - Google Patents
半導体基板の回転サセプタInfo
- Publication number
- JPH0720912Y2 JPH0720912Y2 JP1988062443U JP6244388U JPH0720912Y2 JP H0720912 Y2 JPH0720912 Y2 JP H0720912Y2 JP 1988062443 U JP1988062443 U JP 1988062443U JP 6244388 U JP6244388 U JP 6244388U JP H0720912 Y2 JPH0720912 Y2 JP H0720912Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- substrate
- rotary
- susceptor
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988062443U JPH0720912Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体基板の回転サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988062443U JPH0720912Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体基板の回転サセプタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165622U JPH01165622U (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-11-20 |
JPH0720912Y2 true JPH0720912Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31288052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988062443U Expired - Lifetime JPH0720912Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体基板の回転サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0720912Y2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021190547A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 昭和電工株式会社 | サセプタ、化学気相成長装置及びエピタキシャルウェハの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0754803B2 (ja) * | 1986-05-15 | 1995-06-07 | 富士通株式会社 | 気相成長方法 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP1988062443U patent/JPH0720912Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021190547A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 昭和電工株式会社 | サセプタ、化学気相成長装置及びエピタキシャルウェハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01165622U (enrdf_load_stackoverflow) | 1989-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI417988B (zh) | Pneumatic growth device base | |
CN100490075C (zh) | 衬托器和气相生长装置 | |
JP5837290B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 | |
WO2012022111A1 (zh) | 一种外延片托盘及与其配合的支撑和旋转联接装置 | |
JPH06310438A (ja) | 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置 | |
JP2009087989A (ja) | エピタキシャル成長膜形成方法 | |
EP0953659A2 (en) | Apparatus for thin film growth | |
KR20110113612A (ko) | Cvd 장치 | |
WO2009084154A1 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
JP4923189B2 (ja) | 支持システム | |
CN111996591A (zh) | 一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法 | |
JP3758579B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2017135147A (ja) | エピタキシャル成長装置及び保持部材 | |
JPH0720912Y2 (ja) | 半導体基板の回転サセプタ | |
CN111719140B (zh) | 用于气相沉积设备的晶圆承载装置 | |
US6475278B2 (en) | Molecular beam source and molecular beam epitaxy apparatus | |
WO2015001975A1 (ja) | ウェハ支持台、およびそのウェハ支持台が用いられてなる化学的気相成長装置 | |
KR100674872B1 (ko) | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 | |
JPH11145065A (ja) | 気相薄膜形成装置及びそれを用いる気相薄膜形成法 | |
JP6587354B2 (ja) | サセプタ | |
JPH06349748A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
CN120082873A (zh) | 基板支撑装置和生长基板腔室 | |
CN115502048B (zh) | 改善匀胶趋势和均匀性的光刻胶匀胶装置、方法及应用 | |
JP2000034568A (ja) | 回転基板ホルダー | |
JP2007227838A (ja) | エピタキシャル成長装置 |