JPH07207172A - フタロシアニン化合物及びそれを含有してなる光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ¹,Ｒ²,Ｒ³,Ｒ⁴,Ｒ⁵,Ｒ⁶,Ｒ⁷及びＲ⁸は
それぞれ独立に、（ａ）炭素数１〜１５の置換または未
置換の飽和炭化水素または（ｂ）炭素数２〜１５の置換
または未置換の不飽和炭化水素基を表し、かつ全てが同
一の炭化水素基となることはない。〕で示されるフタロ
シアニン化合物、及びそれを記録媒体中に含有してなる
光記録媒体。 【効果】 本発明のフタロシアニン化合物は、通常記録
のみならず高速記録および高密度記録における感度およ
び記録特性に優れた光記録媒体の記録層形成化合物とし
て著しい効果を示した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録、表示センサ
ー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な
役割を果たす近赤外線吸収剤として有用な化合物と、そ
れを記録層に含有して形成される光ディスク及び光カー
ド等の光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク、光カ−ド等の記録媒体の記
録層にフタロシアニン色素、特にアルコキシ置換フタロ
シアニンを利用する技術は、特開昭６１−１５４８８８
号公報（ＥＰ１８６４０４）、同６１−１９７２８０号
公報、同６１−２４６０９１号公報、同６２−３９２８
６号公報（ＵＳＰ４７６９３０７）、同６３−３７９９
１号公報、同６３−３９３８８号公報等により広く知ら
れている。これらの特許に開示されているフタロシアニ
ン色素を用いた光記録媒体においては、感度、記録特性
において十分な性能を有しているとは言い難かった。特
に、特開昭６１−１９７２８０号公報において、ＭＰｃ
（ＯＲ）_n（Ｙ）_16-n（Ｍ：金属、ＯＲ：アルコキシ
基、Ｙ：水素またはハロゲン原子、Ｐｃ：フタロシアニ
ン環、ｎ＝５〜１６）について提案しているが、金属と
してはＣｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｐｔ，
Ｖ，水素等に着目し好ましいとしており、Ｐｄについて
の効果・実施例について記述されていない。また、アル
コキシ基は分子内で同一のものである。

【０００３】上記を改良したのが特開平３−６２８７８
号公報（ＵＳＰ５１２４０６７）であるが、その改良化
合物においても、レーザー光による高速記録及び高密度
記録時の誤差が大きく未だ実用上十分ではなかった。こ
こでも、分子内に８個のアルコキシ基を有する金属フタ
ロシアニンの中心金属が、Ｐｄが良いと言う効果・実施
例について記述されていない。

【０００４】なお、光反応増感剤、燃料電池、触媒、太
陽電池などの材料としてフタロシアニン色素を利用する
技術として、特開昭６１−２２３０５６号公報がある。
ここで提案しているフタロシアニン色素は分子内に同一
のアルコキシ基を８個有するものであり、もちろん記録
媒体に使用した場合の記述はない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光記録媒体への書き込
み及び読み出しは一般に６００〜９００ｎｍのレ−ザ−
光を利用するので、記録材料の使用レーザー発振波長近
傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き込み時に
おける精度の良いピット形成が必要である。このこと
は、最近願望されている高速記録、高密度記録において
は特に重要である。また、耐久性に優れることも必要不
可欠である。

【０００６】以上の事を満足するため、構造安定性が高
く、レーザー発振波長近傍の光に対して屈折率が高く、
分解特性が良好で、かつ感度の高い光記録媒体用色素の
開発が必要となる。ところが従来開発された光記録媒体
用色素は、記録媒体に用いた時、特に高速記録、高密度
記録時の感度（Ｃ／Ｎ比）、記録特性（ジッター、デビ
エイション）ついて欠点を有するという問題があった。

【０００７】従って、本発明の目的は、上記欠点を改善
し、高速記録、高密度記録時においても感度が高く、記
録特性が良好で長期安定性・耐光性に優れる光記録媒体
を提供し得る色素を供給することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前項の課
題を解決すべく鋭意検討の結果、下記一般式（Ｉ）で示
される新規なフタロシアニン化合物を見出し、本発明を
完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）

【００１０】

【化２】 〔式（Ｉ）中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及
びＲ⁸はそれぞれ独立に、（ａ）炭素数１〜１５の置換
または未置換の飽和炭化水素基または（ｂ）炭素数２〜
１５の置換または未置換の不飽和炭化水素基を表し、か
つ全てが同一の炭化水素基となることはない。〕で示さ
れるフタロシアニン化合物、及びそれを記録層中に含有
して形成される光記録媒体である。

【００１１】特に一般式（Ｉ）において、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ
³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸のうち少なくとも２つ
が、分岐した飽和または不飽和炭化水素基であり、かつ
Ｒ¹とＲ²，Ｒ³とＲ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶及びＲ⁷とＲ⁸の組み合わ
せにおいて、各々異なる分子式または異なる幾何構造式
で表される飽和または不飽和炭化水素基であること、Ｒ
¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸の炭化水素基
の炭素数の合計が２４〜６４であること、さらにはＲ¹
とＲ²，Ｒ³とＲ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶及びＲ⁷とＲ⁸の組み合わせ
において、各々の炭化水素基の炭素数の和が６〜１６で
あること等が好ましい。

【００１２】一般式（Ｉ）で記載される、置換の飽和ま
たは不飽和の炭化水素基の置換基としては、アルキルオ
キシ基、アリ−ルオキシ基、アシル基、ヒドロキシ基、
アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリール
基がある。一般式（Ｉ）で記載される不飽和炭化水素基
は、アルケニル基、アルキニル基、アリール基があげら
れる。

【００１３】本発明のフタロシアニン化合物は、７００
〜８００ｎｍにシャープな吸収を有し、分子吸光係数は
１５０，０００以上と高く、長期安定性および耐光性に
も優れるため、現在一般に使用されている７８０ｎｍ近
傍発振の半導体レ−ザ−を用いる光記録媒体(光ディス
ク、光カード等)の記録材料に好適である。機構は未だ
明らかではなく現在検討中であるが、特にフタロシアニ
ン環のα位に適当な異なる８つのアルコキシ基が置換す
ることで分子内の立体障害および融点の制御をしたこ
と、および中心金属をＰｄとすることで適切な吸収波長
・吸光係数が得られたことが、記録時の感度の向上に寄
与し、形成された信号の誤差の減少に効果を上げている
と考えられる。すなわち、光記録時に色素の分解・溶融
が制御され精度の高いピット形成が行われたこと、記録
媒体の樹脂基板へのダメージが減少したこと、反射層を
有する記録媒体の場合は記録層と反射層である金属層と
の密着性が向上したことなどが挙げられる。また、分子
内のアルコキシ基が異なることでフタロシアニン化合物
全体の対称性が低下し、塗布有機溶媒への溶解性が向上
した。さらに、中心金属をＰｄとすることで、熱・光・
化学安定性に優れたものとなった。

【００１４】本発明のフタロシアニン化合物の特徴は、
フタロシアニン環のα位に酸素原子を介して異なる飽和
炭化水素基または不飽和炭化水素基が８個置換し、その
中心金属がＰｄであることである。なお、フタロシアニ
ン環のβ位は未置換（水素原子）である。

【００１５】以下に本発明の好ましい態様を詳述する。

【００１６】一般式（Ｉ）中、ＯＲで示される置換基の
具体例としては、炭素数１〜１５の飽和炭化水素オキシ
基または炭素数２〜１５の不飽和炭化水素オキシ基であ
るが、入手の容易さやフタロシアニン分子全体の融点を
考慮して好ましくは炭素数１２までの置換または未置換
の飽和炭化水素オキシ基または不飽和炭化水素オキシ基
である。

【００１７】例えば、未置換の飽和炭化水素オキシ基の
例として、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ
基、iso-プロピルオキシ基、iso-ブチルオキシ基、sec-
ブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオ
キシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ
基、2-メチルブチル-3-オキシ基、n-ヘキシルオキシ
基、cyclo-ヘキシルオキシ基、2-メチルペンチル-1-オ
キシ基、2-メチルペンチル-4-オキシ基、2-メチルペン
チル-5-オキシ基、2-メチルペンチル-3-オキシ基、3-メ
チルペンチル-4-オキシ基、3-メチルペンチル-5-オキシ
基、n-ヘプチルオキシ基、2-メチルヘキシル-5-オキシ
基、2-メチルヘキシル-6-オキシ基、2,4-ジメチルペン
チル-3-オキシ基、2-メチルヘキシル-3-オキシ基、ヘプ
チル-4-オキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキ
シル-1-オキシ基、2,5-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、
2,4-ジメチルヘキシル-3-オキシ基、2,2,4-トリメチル
ペンチル-3-オキシ基、n-ノニルオキシ基、3,5-ジメチ
ルヘプチル-4-オキシ基、2,6-ジメチルヘプチル-3-オキ
シ基、2,4-ジメチルヘプチル-3-オキシ基、3,5,5-トリ
メチルヘキシル-1-オキシ基、n-ドデシルオキシ基、2,
2,5,5-テトラメチルヘキシル-3-オキシ基、1-cyclo-ペ
ンチル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基、1-cyclo-ヘ
キシル-2,2-ジメチルプロピル-1-オキシ基等が挙げられ
る。

【００１８】置換飽和炭化水素オキシ基の例として、メ
トキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエ
トキシ基、ブトキシエトキシ基、γ−メトキシプロピル
オキシ基、γ−エトキシプロピルオキシ基等のアルコキ
シアルコキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、ブチル
オキシエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシア
ルコキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、2-アミノ-2-
メチルヘキシル-3-オキシ基等のアミノアルコキシ基、
ベンジルオキシ基、4-tert-ブチルベンジルオキシ基、4
-cyclo-ヘキシルベンジルオキシ基、フェニルエチルオ
キシ基、ナフチルメチルオキシ基、3-ベンジル-3-メチ
ルブチル-2-オキシ基等のアラルキルオキシ基、

【００１９】2-ヒドロキシエチル-1-オキシ基、2-ヒド
ロキシ-3-フェノキシプロピル-1-オキシ基等のヒドロキ
シアルコキシ基、アセトキシエチルオキシ基、アセトキ
シエトキシエチルオキシ基等のアシルオキシアルコキシ
基、4-tert-ブチルフェノキシメトキシ基、フェノキシ
エトキシ基等のアリールオキシアルコキシ基、メチルチ
オエトキシ基、エチルチオエトキシ基、n-プロピルチオ
プロポキシ基等のアルキルチオアルコキシ基、フェニル
チオメトキシ基、ナフチルチオエトキシ基、4-tert-ブ
チルフェニルチオエトキシ基、メトキシフェニルチオメ
トキシ基等のアリールチオアルコキシ基、などが挙げら
れる。

【００２０】置換または未置換の不飽和炭化水素オキシ
基の例として、エテニルオキシ基、2-プロペニル-1-オ
キシ基、1-ブテニル-3-オキシ基、2-ブテニル-1-オキシ
基、3-ブテニル-1-オキシ基、3-ブテニル-2-オキシ基、
1-ヒドロキシ-2-ブテニル-4-オキシ基、2-ペンテニル-1
-オキシ基、3-ペンテニル-2-オキシ基、1-ペンテニル-3
-オキシ基、1,4-ペンタジエニル-3-オキシ基、1-ヘキセ
ニル-3-オキシ基、2-ヘキセニル-1-オキシ基、2-ヘキセ
ニル-4-オキシ基、3-ヘキセニル-2-オキシ基、4-ヘキセ
ニル-3-オキシ基、5-ヘキセニル-2-オキシ基、5-ヘキセ
ニル-1-オキシ基、3-ヘキセニル-1-オキシ基、4-ヘキセ
ニル-1-オキシ基、2,4-ヘキサジエニル-1-オキシ基、1,
4-ヘキサジエニル-3-オキシ基、1,5-ヘキサジエニル-3-
オキシ基、1-ヒドロキシ-2,4-ヘキサジエニル-6-オキシ
基、2,5-ヘキサジエニル-1-オキシ基、1,3-ヘキサジエ
ニル-5-オキシ基、1-ヘプテニル-3-オキシ基、2-ヘプテ
ニル-4-オキシ基、3-ヘプテニル-5-オキシ基、1,4-ヘプ
タジエニル-3-オキシ基、1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ
基、1,5-ヘプタジエニル-3-オキシ基、2,5-ヘプタジエ
ニル-4-オキシ基、1-オクテニル-3-オキシ基、2-オクテ
ニル-4-オキシ基、1-オクテニル-4-オキシ基、1-ノネニ
ル-3-オキシ基、

【００２１】4-ジメチルアミノ-1-ブテニル-3-オキシ
基、4-メチルチオ-1-ブテニル-3-オキシ基、4-アセトキ
シ-1-ブテニル-3-オキシ基、4-フェニルチオ-1-ブテニ
ル-3-オキシ基、1-シクロペンチル-2-メチル-2-プロペ
ニル-1-オキシ基、1-シクロヘキシル-2-メチル-2-プロ
ペニル-1-オキシ基、2-メチル-2-ブテニル-1-オキシ
基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、2-メチル-3-ブ
テニル-2-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-2-オキシ
基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、2-メチル-3-ブ
テニル-1-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-1-オキシ
基、2,3-ジメチル-3-ブテニル-2-オキシ基、2-メチル-1
-ペンテニル-3-オキシ基、3-メチル-1-ペンテニル-3-オ
キシ基、4-メチル-3-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル
-1-ペンテニル-3-オキシ基，3-メチル-4-ペンテニル-3-
オキシ基、2-メチル-4-ペンテニル-3-オキシ基、3-メチ
ル-4-ペンテニル-2-オキシ基、4-メチル-4-ペンテニル-
2-オキシ基、2-メチル-4-ペンテニル-2-オキシ基、2,4-
ジメチル-1-ペンテニル-3-オキシ基、2,3-ジメチル-1-
ペンテニル-3-オキシ基、2,4-ジメチル-1,4-ペンタジエ
ニル-3-オキシ基、2,4,4-トリメチル-1-ペンテニル-3-
オキシ基、4-メチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチ
ル-1-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メチル-4-ヘキセニル-
3-オキシ基、3-メチル-3-ヘキセニル-2-オキシ基、4-メ
チル-4-ヘキセニル-2-オキシ基、5-メチル-5-ヘキセニ
ル-2-オキシ基、5-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、2
-メチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘ
キセニル-4-オキシ基、2,5-ジメチル-5-ヘキセニル-3-
オキシ基、2,2-ジメチル-5-ヘキセニル-3-オキシ基、2-
メチル-1,5-ヘキサジエニル-3-オキシ基、2-メチル-1,5
-ヘキサジエニル-4-オキシ基、5-メチル-1,5-ヘキサジ
エニル-3-オキシ基、2,5-ジメチル-1,5-ヘキサジエニル
-3-オキシ基、2,2-ジメチル-5-ヘキセニル-4-オキシ
基、2,3,4-トリメチル-4-ヘキセニル-3-オキシ基、2-メ
チル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、5-メチル-1-ヘプテニ
ル-3-オキシ基、4-メチル-4-ヘプテニル-3-オキシ基、6
-メチル-5-ヘプテニル-2-オキシ基、5-メチル-1-ヘプテ
ニル-4-オキシ基、6-メチル-6-ヘプテニル-3-オキシ
基、2-メチル-1,5-ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,5-ジ
メチル-1-ヘプテニル-3-オキシ基、3,5-ジメチル-1,6-
ヘプタジエニル-4-オキシ基、2,4-ジメチル-2,6-ヘプタ
ジエニル-1-オキシ基、2,6-ジメチル-2,5-ヘプタジエニ
ル-4-オキシ基、3,5-ジメチル-1,5-ヘプタジエニル-4-
オキシ基、2-メチル-4-ジメチルアミノ-1-ブテニル-3-
オキシ基、2-メチル-4-メチルチオ-1-ブテニル-3-オキ
シ基、3-メチル-2-ペンテニル-4-イン-1-オキシ基、2,6
-ジメチル-1-ノネニル-3-イン-5-オキシ基、1-フェニル
-4-メチル-1-ペンチニル-3-オキシ基、4-エチル-1-ヘキ
シニル-3-オキシ基、2,6-ジメチル-6-ヘプテニル-4-イ
ン-3-オキシ基、4-メチル-1-ペンチニル-3-オキシ基、4
-tert-ブチルフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、ト
ルイルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、等が挙げ
られる。

【００２２】特に好ましい例としては、色素の融点およ
びフタロシアニンへの環化反応を考慮して炭素数が１１
以下で、適度に分岐して適度な立体障害を有するもので
あり、かつ単位重量当たりの吸光係数を大きくできる
基、また、光記録媒体としたとき感度向上に有効な基で
あり、具体的にはiso-ブチルオキシ基、iso-ペンチルオ
キシ基、2-メチルペンチル-1-オキシ基、2-メチルペン
チル-5-オキシ基、3-メチルペンチル-5-オキシ基、2-メ
チルヘキシル-6-オキシ基、2-エチルヘキシル-1-オキシ
基、3,5,5-トリメチルヘキシル-1-オキシ基、2-メチル-
2-ブテニル-1-オキシ基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキ
シ基、3-メチル-2-ブテニル-1-オキシ基、2-メチル-3-
ブテニル-1-オキシ基、3-メチル-3-ブテニル-1-オキシ
基、2,4-ジメチル−2,6-ヘプタジエニル-1-オキシ基、3
-メチル-2-ペンテニル-4-イン-1-オキシ基、4-tert-ブ
チルベンジルオキシ基等である。ただし、一般式（Ｉ）
におけるＯＲ¹とＯＲ²，ＯＲ³とＯＲ⁴，ＯＲ⁵とＯＲ⁶及
びＯＲ⁷とＯＲ⁸の組み合わせにおいて、一方が上記のも
のであれば好ましい。

【００２３】一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化
合物の合成法としては、下式（II）

【００２４】

【化３】 〔式（II）中、ＲおよびＲ’は前述の一般式（Ｉ）で述
べたような炭化水素基を表す。〕で示されるフタロニト
リル化合物のにおいて１〜４種を混合して、例えば1,8-
ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン（ＤＢＵ）存在下
に、Ｐｄ金属誘導体とアルコール中で加熱反応する。あ
るいは、Ｐｄ金属誘導体とクロルナフタレン、ブロムナ
フタレン、トリクロルベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱
反応する方法が挙げられる。Ｐｄ金属誘導体としては、
ＰｄＣｌ₂，ＰｄＢｒ₂，ＰｄＩ₂，ＰｄＯ，ＰｄＳＯ₄，
（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂Ｐｄ，Ｐｄ（ＮＯ₃）₂，（ＣＦ₃ＣＯ
Ｏ） ₂Ｐｄ等が挙げられる。また、式（II）で示される
化合物を、アルコール中、ナトリウムメチラートを触媒
にアンモニアと反応して式（III）で示されるジイミノ
イソインドリンを中間体として同様に反応する方法等が
挙げられる。

【００２５】

【化４】

【００２６】式（II）で示される化合物の合成は、特開
平２−２７９６６４号公報および同２−２７９６６５号
公報に記載の方法により合成することができる。

【００２７】本発明のフタロシアニン化合物を用いて光
記録媒体を製造する方法には、透明基板上に本発明のフ
タロシアニン化合物を含む１〜３種の化合物を１層また
は２層に塗布、あるいは蒸着する方法があり、塗布法と
しては、バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０
％と、本発明のフタロシアニン化合物０．０５〜２０重
量％、好ましくは０．５〜２０重量％となるように溶媒
に溶解し、スピンコーターで塗布する方法等がある。ま
た蒸着方法としては１０^-5〜１０^-7ｔｏｒｒ、１００〜
３００℃にて基板上にフタロシアニン化合物を含む１〜
３種の化合物を堆積させる方法等がある。

【００２８】基板としては、光学的に透明な樹脂であれ
ばよい。例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩
化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹
脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂等
が挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬
化性樹脂により表面処理がなされていてもよい。

【００２９】光記録媒体（光ディスク、光カード等）を
作製する場合、コストの面、ユーザーの取り扱いの面よ
り、基板はポリアクリレート基板またはポリカーボネー
ト基板を用い、かつスピンコート法により塗布されるの
が好ましい。

【００３０】基板の耐溶剤性より、スピンコートに用い
る溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレ
ン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アル
コール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオ
クタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）、あるいはこれらの混合溶
媒が好適に用いられる。

【００３１】記録媒体として加工するには、上記のよう
に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、
エアーギャップを設けて対向させて張り合わせる、また
は、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設
け、熱硬化性または光硬化性樹脂の保護層を積層する方
法などがある。保護層として、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，Ｓ
ｉＯ，ＳｎＯ₂等の無機化合物を利用してもよい。

【００３２】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。

【００３３】実施例１ 下記構造式（Ａ−１）で示される2,3-ジシアノハイドロ
キノン５９．２ｇ（０．３７モル）と

【００３４】

【化５】 炭酸カリウム１０２．８ｇ（０．７０モル）及びN,N-ジ
メチルホルムアミド３００ｍｌを撹拌器、還流冷却器お
よび窒素導入管を備えた容器に装入し、窒素通気下撹拌
する。６０℃に加熱し３０分間撹拌した後、iso-アミル
ブロマイド６２．０ｇ（０．４１モル）を６０℃で添加
し、その後昇温して８０℃で２０時間加熱撹拌した。次
にこれを水１．５リットル中に排出し、酢酸エチルを用
いて抽出・濃縮後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、
溶媒；ヘキサン：酢酸エチル＝５：２）し、下記構造式
（Ａ−２）で示されるアルコキシフタロニトリル化合物
６７．３ｇ（収率７９％）を得た。

【００３５】

【化６】

【００３６】液体クロマトグラフィーでの純度分析の結
果は９９．１％であった。元素分析の結果は以下の通り
である。

【００３７】元素分析：Ｃ₁₃Ｈ₁₄Ｎ₂Ｏ₂

【００３８】（Ａ−２）で示される化合物７６．０ｇ
（０．３３モル）と炭酸カリウム９２．０ｇ（０．６３
モル）及びN,N-ジメチルアセトアミド３００ｍｌを撹拌
器、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に装入
し、窒素通気下撹拌する。６０℃に加熱し３０分間撹拌
した後、1-ブロモ-4-メチルペンタン６１．７ｇ（０．
３７モル）を６０℃で添加し、その後昇温して８０℃で
２０時間加熱撹拌した。次にこれを水１．５リットル中
に排出し、酢酸エチルを用いて抽出・濃縮後、カラム精
製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造
式（Ａ−３）で示されるアルコキシフタロニトリル化合
物８４．０ｇ（収率８１％）を得た。

【００３９】

【化７】

【００４０】液体クロマトグラフィーでの純度分析の結
果は９９．０％であった。元素分析の結果は以下の通り
である。

【００４１】元素分析：Ｃ₁₉Ｈ₂₆Ｎ₂Ｏ₂

【００４２】次に、撹拌器、還流冷却器および窒素導入
管を備えた容器に、化合物（Ａ−３）９．４ｇ（０．０
３モル）、ＤＢＵ４．５６ｇ（０．０３モル）及びｎ−
アミルアルコール４０ｍｌを装入し、窒素雰囲気下で、
１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウ
ム１．３５ｇ（０．００７５モル）を添加し、９５〜１
００℃で２０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不
溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した
後、カラム精製（シリカゲル２００ｇ、溶媒；トルエ
ン：ヘキサン＝１：９）して、目的とするα位に８個の
炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化
合物の緑色結晶を得た。収量は５．２ｇ（収率５１％）
であった。高速液体クロトグラフィーによる純度測定の
結果は９９．０％であった。可視吸光スペクトル及び元
素分析の結果は以下の通りである。

【００４３】可視吸収： λ_max＝７２３．５ｎｍ ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン） 元素分析：Ｃ₇₆Ｈ₁₀₄Ｎ₈Ｏ₈Ｐｄ

【００４４】上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン
溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．
６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外
形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボ
ネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート
成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反
射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂により
オーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ
型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍの半導
体レーザーを用いて、線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは
０．２％未満であり、カ−ボンア−ク灯６３℃、２００
時間の耐久試験においても変化はなかった。

【００４５】実施例２ （Ａ−２）で示される化合物７６．０ｇ（０．３３モ
ル）と炭酸カリウム９２．０ｇ（０．６３モル）及びN,
N-ジメチルアセトアミド３００ｍｌを撹拌器、還流冷却
器および窒素導入管を備えた容器に装入し、窒素通気下
撹拌する。６０℃に加熱し３０分間撹拌した後、n-アミ
ルブロマイド５５．９ｇ（０．３７モル）を６０℃で添
加し、その後昇温して８０℃で２０時間加熱撹拌した。
次にこれを水１．５リットル中に排出し、酢酸エチルを
用いて抽出・濃縮後、カラム精製（シリカゲル５００
ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（Ａ−４）で示され
るアルコキシフタロニトリル化合物７８．３ｇ（収率７
９％）を得た。

【００４６】

【化８】

【００４７】液体クロマトグラフィーでの純度分析の結
果は９９．１％であった。元素分析の結果は以下の通り
である。

【００４８】元素分析：Ｃ₁₈Ｈ₂₄Ｎ₂Ｏ₂

【００４９】（Ａ−４）で示される化合物９．４ｇ
（０．０３モル）を実施例１と同様に塩化パラジウムと
加熱反応させることにより目的とするα位に８個の炭化
水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合物
の緑色結晶を得た。収量は５．１ｇ（収率５２％）であ
った。高速液体クロトグラフィーによる純度測定の結果
は９９．３％であった。可視吸光スペクトル及び元素分
析の結果は以下の通りである。

【００５０】可視吸収： λ_max＝７２３．０ｎｍ ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン） 元素分析：Ｃ₇₂Ｈ₉₆Ｎ₈Ｏ₈Ｐｄ

【００５１】上記フタロシアニン化合物のジブチルエ−
テル溶液（１０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピンコー
ターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗布
し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹脂
を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。
この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速
１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き
込んだときのエラーレートは０．２％未満であり、０．
５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなかっ
た。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後も
記録・再生に支障はなかった。

【００５２】実施例３ （Ａ−２）で示される化合物７６．０ｇ（０．３３モ
ル）と炭酸カリウム９２．０ｇ（０．６３モル）及びN,
N-ジメチルアセトアミド３００ｍｌを撹拌器、還流冷却
器および窒素導入管を備えた容器に装入し、窒素通気下
撹拌する。６０℃に加熱し３０分間撹拌した後、iso-ブ
チルブロマイド５０．７ｇ（０．３７モル）を６０℃で
添加し、その後昇温して８０℃で２０時間加熱撹拌し
た。次にこれを水１．５リットル中に排出し、酢酸エチ
ルを用いて抽出・濃縮後、カラム精製（シリカゲル５０
０ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（Ａ−５）で示さ
れるアルコキシフタロニトリル化合物７０．９ｇ（収率
７５％）を得た。

【００５３】

【化９】

【００５４】液体クロマトグラフィーでの純度分析の結
果は９９．０％であった。元素分析の結果は以下の通り
である。

【００５５】元素分析：Ｃ₁₇Ｈ₂₂Ｎ₂Ｏ₂

【００５６】脱水メタノール１００ｍｌ中に金属ナトリ
ウム０．５８ｇ（０．０２５モル）を添加し完溶した
後、化合物（Ａ−５）１４．３ｇ（０．０５モル）を添
加し５０〜６０℃で約１０時間アンモニアガスを吹き込
みながら加熱反応させた。この反応液からメタノ−ルを
溜去した後トルエン２００ｍｌを加え、その後トルエン
層の水洗を行った。さらにこれを減圧濃縮した後、ｎ−
ヘキサン中で再結晶を行うことで、下記構造式（Ａ−
６）で示されるジイミノイソインドリン化合物１３．８
ｇ（収率９１％）を得た。

【００５７】

【化１０】

【００５８】液体クロマトグラフィーでの純度分析の結
果は９８．９％であった。元素分析の結果は以下の通り
である。

【００５９】元素分析：Ｃ₁₇Ｈ₂₅Ｎ₃Ｏ₂

【００６０】次に、撹拌器、還流冷却器および窒素導入
管を備えた容器に、化合物（Ａ−６）９．１ｇ（０．０
３モル）、ＤＢＵ２．２８ｇ（０．０１５モル）及びｎ
−オクタノ−ル４０ｍｌを装入し、窒素雰囲気下で、１
９０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム
１．３５ｇ（０．００７５モル）を添加し、１８５〜１
９５℃で４時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却
した後、メタノール１リットルに排出し沈澱物を濾過し
た。沈澱物をカラム精製（シリカゲル２００ｇ、溶媒；
トルエン：ヘキサン＝１：９）して、目的とするα位に
８個の炭化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジ
ウム化合物の緑色結晶を得た。収量は４．６ｇ（収率４
９％）であった。高速液体クロトグラフィーによる純度
測定の結果は９９．０％であった。可視吸光スペクトル
及び元素分析の結果は以下の通りである。

【００６１】可視吸収： λ_max＝７２４．５ｎｍ ε_g＝１．８ｘ１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン） 元素分析：Ｃ₆₈Ｈ₈₈Ｎ₈Ｏ₈Ｐｄ

【００６２】上記フタロシアニン化合物１０ｇをジブチ
ルエ−テルとジイソプロピルエーテルの３：１（体積
比）混合溶媒５００ｍｌに溶解し、スピンコーターによ
りポリカ−ボネート製光カード基板上に厚み１００ｎｍ
で塗布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層
を形成し、光カ−ドを作製した。この媒体に７８０ｎ
ｍ、線速２ｍ／ｓ，４ｍＷの半導体レーザー光により記
録したとき、ＣＮ比は６１ｄＢであった。また、線速２
ｍ／ｓ，０．８ｍＷのレーザ−光により再生可能で、再
生光安定性を調べたところ、１０⁵回の再生が可能であ
った。さらにこの光カ−ドは保存安定性も良好なもので
あった。

【００６３】実施例４ 前記構造式（Ａ−３）及び構造式（Ａ−４）で示される
アルコキシフタロニトリル化合物の各０．１５モルずつ
を混合したものを、実験例１と同様に塩化パラジウムと
加熱反応させることにより、目的とするα位に８個の炭
化水素オキシ基を有するフタロシアニンパラジウム化合
物の緑色結晶を得た。収量は４．３ｇ（収率４３％）で
あった。高速液体クロトグラフィーによる純度測定の結
果は９９．０％であった。可視吸光スペクトル及び元素
分析の結果は以下の通りである。

【００６４】可視吸収： λ_max＝７２３．５ｎｍ ε_g＝１．７ｘ１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン） 元素分析：Ｃ₇₄Ｈ₁₀₀Ｎ₈Ｏ₈Ｐｄ

【００６５】上記フタロシアニン化合物のエチルシクロ
ヘキサン溶液（２０ｇ／ｌ）を実施例１と同様にスピン
コーターによりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に塗
布し、その上に金をスパッタ蒸着し、続いてＵＶ硬化樹
脂を用いて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型媒体を作製し
た。この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線
速２．８ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書
き込んだときのエラーレートは０．２％未満であり、
０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても変化がなか
った。また８０℃／８５％の条件で１０００時間経過後
も記録・再生に支障はなかった。

【００６６】実施例５〜１３ 下記一般式（II）で示されるフタロニトリル（表１）ま
たは一般式（II）から誘導されるジイミノイソインドリ
ンの１〜４種とＰｄ金属誘導体と反応することにより、
表２に示すパラジウムフタロシアニン化合物を合成し
た。これらの化合物は大きな吸光係数を有していた。

【００６７】

【化１１】

【００６８】これらの各フタロシアニン化合物のジメチ
ルシクロヘキサン溶液（１０ｇ／ｌ）をスピンコーター
によりＰＭＭＡ製光カード基板上に厚み１００ｎｍで塗
布し、続いて塗布面にＵＶ硬化樹脂を用いて保護層を形
成し、光カードを作製した。これらの光カードは、７８
０ｎｍ（フタロシアニンオキシバナジウム化合物の媒体
のときのみ８００ｎｍ），線速２ｍ／ｓ，４ｍＷの半導
体レーザー光により記録することが可能で、その際のＣ
Ｎ比は５８〜６１ｄＢであった。また、線速２ｍ／ｓｅ
ｃ，０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、再生光
安定性を調べたところ１０⁵回の再生が可能であった。
さらに、上記各フタロシアニン化合物を用いて実施例１
と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。これらの媒体
に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．４ｍ
／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだと
きのエラーレートは、０．２％未満であった。また、こ
れらの媒体にキセノンランプ５０℃による耐光性試験を
行ったところ、２００時間経過しても変化がなかった。

【００６９】

【表１】

【００７０】

【表２】

【００７１】比較試験 以上得られたフタロシアニン化合物の光記録媒体と公知
のフタロシアニン化合物を用いた光記録媒体についてそ
の性能を比較した。本発明の媒体として、実施例１〜１
１の化合物を用いて実施例１と同様にして作製した媒体
を使用し、比較例として下記２種の公知アルコキシフタ
ロシアニン（特開平３−６２８７８号公報（ＵＳＰ５１
２４０６７）の例示化合物）を用いて実施例１と同様に
して作製した媒体を使用した。

【００７２】比較例１：

【００７３】

【化１２】

【００７４】比較例２：

【００７５】

【化１３】

【００７６】レーザー波長７８０ｎｍでの記録・再生を
行い、記録は下記３種の方法を用いた。 通常記録：線速度１．４ｍ／ｓ（１倍速）で６３分の情
報を記録する。 高速記録：線速度５．６ｍ／ｓ（４倍速）で６３分の情
報を記録する。 高密度記録：線速度１．２ｍ／ｓで７４分の情報を記録
する。

【００７７】尚、通常記録および高密度記録の時は６．
０ｍＷ、高速記録の時は８．０ｍＷのレーザーパワーで
記録した。

【００７８】さらに、記録感度（Ｃ／Ｎ比）、ジッター
及びデビエイションをそれぞれＣＤデコーダーＤＲ３５
５２（ケンウッド社製）、ＬＪＭ−１８５１ジッターメ
ーター（リーダー電子製）及びＴＩＡ−１７５タイムイ
ンターバルアナライザー（ＡＤＣ社製）を用いて計測し
た。この評価結果を表３に示す。

【００７９】

【表３】

【００８０】評価基準 感度（C/N比） ○： ≧５５ｄＢ ×： ＜５５ｄＢ ジッター ○：3Tピットジッター及び3Tランドジッターが ＜３５
ｎｓ ×：3Tピットジッター又は3Tランドジッターが ≧３５
ｎｓ デビエイション ○：−５０ｎｓ＜ 3T及び11Tデビエイション ＜５０
ｎｓ ×： 3T又は11Tデビエイション≧５０ｎｓ 又は 3T又は11Tデビエイション≦−５０ｎｓ 表３の結果から、本発明の効果は明らかである。

【００８１】

【発明の効果】本発明のフタロシアニン化合物は、フタ
ロシアニン環のα位に酸素原子を介して異なるアルコキ
シ基を８個置換し、β位は水素原子で、中心金属はＰｄ
である。この化合物を用いた光記録媒体においては、書
き込み時の色素の分解・溶融を制御できたことから通常
記録のみならず高速記録および高密度記録における感
度、記録特性が向上した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 伊藤 尚登 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及
   びＲ⁸はそれぞれ独立に、（ａ）炭素数１〜１５の置換
   または未置換の飽和炭化水素基または（ｂ）炭素数２〜
   １５の置換または未置換の不飽和炭化水素基を表し、か
   つ全てが同一の炭化水素基となることはない。〕で示さ
   れるフタロシアニン化合物。
2. 【請求項２】 請求項１において、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，
   Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸のうち少なくとも２つが、
   分岐した飽和または不飽和炭化水素基であり、かつＲ¹
   とＲ²，Ｒ³とＲ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶及びＲ⁷とＲ⁸の組み合わせ
   において、各々異なる分子式または異なる幾何構造式で
   表される飽和または不飽和炭化水素基であるフタロシア
   ニン化合物。
3. 【請求項３】 請求項２において、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，
   Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷及びＲ⁸の炭化水素基の炭素数の合
   計が２４〜６４であるフタロシアニン化合物。
4. 【請求項４】 請求項３において、Ｒ¹とＲ²，Ｒ³と
   Ｒ⁴，Ｒ⁵とＲ⁶及びＲ⁷とＲ⁸の組み合わせにおいて、各
   々の炭化水素基の炭素数の和が６〜１６であるフタロシ
   アニン化合物。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３または４に記載のフタ
   ロシアニン化合物を記録層に含有して形成される光記録
   媒体。