JPH07202337A - 半導体光素子及びその駆動方法 - Google Patents
半導体光素子及びその駆動方法Info
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- JPH07202337A JPH07202337A JP33696093A JP33696093A JPH07202337A JP H07202337 A JPH07202337 A JP H07202337A JP 33696093 A JP33696093 A JP 33696093A JP 33696093 A JP33696093 A JP 33696093A JP H07202337 A JPH07202337 A JP H07202337A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光通信に用いられる半導体光増幅器
に関し、飽和出力が高く、かつ偏波依存性が小さい半導
体光増幅器であって、しかも素子作成上のばらつきや使
用環境の変化に対して偏波依存を抑制する。 【構成】第１の電流を注入して主として横磁界（ＴＭ）
光を増幅する第１の活性層２と、第２の電流を注入して
主として横電界（ＴＥ）光を増幅する第２の活性層４
と、第１の活性層２と第２の活性層４の層間に介在し、
第１の活性層２に第１の電流を流し、かつ第２の活性層
４に第２の電流を流すための共通の電極となる電極層３
と、第１の活性層２，電極層３及び第２の活性層４の３
層を層方向に挟んで形成された第１のクラッド層１及び
第２のクラッド層５とを含む。
に関し、飽和出力が高く、かつ偏波依存性が小さい半導
体光増幅器であって、しかも素子作成上のばらつきや使
用環境の変化に対して偏波依存を抑制する。 【構成】第１の電流を注入して主として横磁界（ＴＭ）
光を増幅する第１の活性層２と、第２の電流を注入して
主として横電界（ＴＥ）光を増幅する第２の活性層４
と、第１の活性層２と第２の活性層４の層間に介在し、
第１の活性層２に第１の電流を流し、かつ第２の活性層
４に第２の電流を流すための共通の電極となる電極層３
と、第１の活性層２，電極層３及び第２の活性層４の３
層を層方向に挟んで形成された第１のクラッド層１及び
第２のクラッド層５とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体光素子及びその
駆動方法に関し、より詳しくは、光通信に用いられる半
導体光増幅器及びその駆動方法に関する。半導体光増幅
器は小型、かつ他の半導体素子と集積化可能という特長
を有しており、その特性としては、飽和出力が高く、か
つ偏波依存性がないことが必要とされている。
駆動方法に関し、より詳しくは、光通信に用いられる半
導体光増幅器及びその駆動方法に関する。半導体光増幅
器は小型、かつ他の半導体素子と集積化可能という特長
を有しており、その特性としては、飽和出力が高く、か
つ偏波依存性がないことが必要とされている。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体光増幅器には、光増幅を行
う活性層として厚膜のバルクを用いたものと、薄膜の量
子井戸層を用いたものがある。量子井戸層を用いた場
合、バルクを用いた場合と比べて高い飽和出力が得られ
るが、利得の偏波依存性が大きいという欠点がある。利
得の偏波依存性が大きい理由は、薄膜の量子井戸層の量
子サイズ効果により重い正孔と軽い正孔のバンドの縮退
が解けることで、ＴＥ光に対する利得が大きい電子−重
い正孔間の遷移とＴＥ光に対する利得が大きい電子−軽
い正孔間の遷移のどちらか一方の遷移が支配的になるた
めである。
う活性層として厚膜のバルクを用いたものと、薄膜の量
子井戸層を用いたものがある。量子井戸層を用いた場
合、バルクを用いた場合と比べて高い飽和出力が得られ
るが、利得の偏波依存性が大きいという欠点がある。利
得の偏波依存性が大きい理由は、薄膜の量子井戸層の量
子サイズ効果により重い正孔と軽い正孔のバンドの縮退
が解けることで、ＴＥ光に対する利得が大きい電子−重
い正孔間の遷移とＴＥ光に対する利得が大きい電子−軽
い正孔間の遷移のどちらか一方の遷移が支配的になるた
めである。
【０００３】量子井戸層を用い、かつ偏波依存性を改良
した従来例の半導体光増幅器が種々提案されている。こ
のようなものの代表例として、図６（ａ），（ｂ）に示
すような２つのものがある。どちらも量子井戸活性層に
人為的に二軸性の歪みを加えることでＴＥ光に対する利
得とＴＭ光に対する利得を制御し、これにより偏波依存
性を小さくしている。
した従来例の半導体光増幅器が種々提案されている。こ
のようなものの代表例として、図６（ａ），（ｂ）に示
すような２つのものがある。どちらも量子井戸活性層に
人為的に二軸性の歪みを加えることでＴＥ光に対する利
得とＴＭ光に対する利得を制御し、これにより偏波依存
性を小さくしている。
【０００４】図６（ａ）に示す半導体光増幅器は、0.2
％の引張歪が導入された量子井戸層51ａ〜51ｄとバリア
層52ａ〜52ｃとを交互に積層した活性層５３を形成する
ことで、軽い正孔と重い正孔の量子準位をほぼ等しく
し、ＴＥ光の利得とＴＭ光の利得をほぼ等しくしたもの
である（参考文献：上條 健他、信学技報ＯＱＥ９１−
９３）。
％の引張歪が導入された量子井戸層51ａ〜51ｄとバリア
層52ａ〜52ｃとを交互に積層した活性層５３を形成する
ことで、軽い正孔と重い正孔の量子準位をほぼ等しく
し、ＴＥ光の利得とＴＭ光の利得をほぼ等しくしたもの
である（参考文献：上條 健他、信学技報ＯＱＥ９１−
９３）。
【０００５】図６（ｂ）に示す半導体光増幅器は、ＴＭ
光の利得が大きい１％の引張歪が導入された量子井戸層
56ａ〜56ｃと、ＴＥ光の利得が大きい１％の圧縮歪が導
入された量子井戸層54ａ〜54ｄとをバリア層55ａ〜55ｆ
を介在させて順次積層した多重量子井戸構造に類似の構
造の活性層５７を形成することで、ＴＥ光の利得とＴＭ
光の利得をほぼ等しくしたものである（参考文献：L.F.
Tiemeijer 他、Technical Digest of ECOC'92, pp.911-
914, Th PDII.6) 。
光の利得が大きい１％の引張歪が導入された量子井戸層
56ａ〜56ｃと、ＴＥ光の利得が大きい１％の圧縮歪が導
入された量子井戸層54ａ〜54ｄとをバリア層55ａ〜55ｆ
を介在させて順次積層した多重量子井戸構造に類似の構
造の活性層５７を形成することで、ＴＥ光の利得とＴＭ
光の利得をほぼ等しくしたものである（参考文献：L.F.
Tiemeijer 他、Technical Digest of ECOC'92, pp.911-
914, Th PDII.6) 。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
（ａ），（ｂ）のような半導体光増幅器では、量子井戸
層の膜厚や組成比等作成上のばらつきが、そのまま、偏
波依存の増大につながるので、歩留り向上が難しい。ま
た、使用環境、例えば使用温度が異なる場合には、各々
の利得が温度による変動を受けるため、構造の異なる素
子を作成しなければならないという問題がある。
（ａ），（ｂ）のような半導体光増幅器では、量子井戸
層の膜厚や組成比等作成上のばらつきが、そのまま、偏
波依存の増大につながるので、歩留り向上が難しい。ま
た、使用環境、例えば使用温度が異なる場合には、各々
の利得が温度による変動を受けるため、構造の異なる素
子を作成しなければならないという問題がある。
【０００７】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、飽和出力が高く、かつ偏波依存性
が小さい半導体光増幅器であって、しかも素子作成上の
ばらつきや使用環境の変化に対して偏波依存の抑制が可
能な半導体光増幅器及びその駆動方法を提供することを
目的とするものである。
作されたものであり、飽和出力が高く、かつ偏波依存性
が小さい半導体光増幅器であって、しかも素子作成上の
ばらつきや使用環境の変化に対して偏波依存の抑制が可
能な半導体光増幅器及びその駆動方法を提供することを
目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、図
１に示すように、第１の電流を注入して主として横磁界
（ＴＭ）光を増幅する第１の活性層２と、第２の電流を
注入して主として横電界（ＴＥ）光を増幅する第２の活
性層４と、前記第１の活性層２と前記第２の活性層４の
層間に介在し、前記第１の活性層２に前記第１の電流を
流し、かつ前記第２の活性層４に前記第２の電流を流す
ための共通の電極となる電極層３と、前記第１の活性層
２，前記電極層３及び前記第２の活性層４の３層を積層
方向に挟んで形成された第１のクラッド層１及び第２の
クラッド層５とを有することを特徴とする半導体光素子
によって達成され、第２に、前記第１の活性層２は、引
張歪みが導入された量子井戸層を有することを特徴とす
る前記半導体光素子によって達成され、第３に、前記第
２の活性層４は、格子整合した量子井戸層又は圧縮歪み
を有する量子井戸層を有することを特徴とする前記半導
体光素子によって達成され、第４に、図３に例示するよ
うに、前記第１の活性層１４，前記電極層１５及び前記
第２の活性層１６の３つの層は増幅される光の進行方向
に沿った帯層を形成し、かつ該帯層の両側に前記電極層
１５と同じ導電型の埋込層26ａ，26ｂが形成され、かつ
前記埋込層26ａを介して前記電極層１５と接続する電極
２７が前記埋込層26ａに形成されていることを特徴とす
る前記半導体光素子によって達成され、第５に、図１に
示すように、前記半導体光素子を用いて、前記第１の活
性層２及び前記第２の活性層４にそれぞれ流す前記第１
の電流及び前記第２の電流を調整することにより横磁界
（ＴＭ）光に対する利得と横電界（ＴＥ）光に対する利
得をほぼ等しくして、入射光を増幅することを特徴とす
る半導体光素子の駆動方法によって達成される。
１に示すように、第１の電流を注入して主として横磁界
（ＴＭ）光を増幅する第１の活性層２と、第２の電流を
注入して主として横電界（ＴＥ）光を増幅する第２の活
性層４と、前記第１の活性層２と前記第２の活性層４の
層間に介在し、前記第１の活性層２に前記第１の電流を
流し、かつ前記第２の活性層４に前記第２の電流を流す
ための共通の電極となる電極層３と、前記第１の活性層
２，前記電極層３及び前記第２の活性層４の３層を積層
方向に挟んで形成された第１のクラッド層１及び第２の
クラッド層５とを有することを特徴とする半導体光素子
によって達成され、第２に、前記第１の活性層２は、引
張歪みが導入された量子井戸層を有することを特徴とす
る前記半導体光素子によって達成され、第３に、前記第
２の活性層４は、格子整合した量子井戸層又は圧縮歪み
を有する量子井戸層を有することを特徴とする前記半導
体光素子によって達成され、第４に、図３に例示するよ
うに、前記第１の活性層１４，前記電極層１５及び前記
第２の活性層１６の３つの層は増幅される光の進行方向
に沿った帯層を形成し、かつ該帯層の両側に前記電極層
１５と同じ導電型の埋込層26ａ，26ｂが形成され、かつ
前記埋込層26ａを介して前記電極層１５と接続する電極
２７が前記埋込層26ａに形成されていることを特徴とす
る前記半導体光素子によって達成され、第５に、図１に
示すように、前記半導体光素子を用いて、前記第１の活
性層２及び前記第２の活性層４にそれぞれ流す前記第１
の電流及び前記第２の電流を調整することにより横磁界
（ＴＭ）光に対する利得と横電界（ＴＥ）光に対する利
得をほぼ等しくして、入射光を増幅することを特徴とす
る半導体光素子の駆動方法によって達成される。
【０００９】
【作用】本発明の半導体光増幅器においては、図１に示
すように、光学的には第１のクラッド層１及び第２のク
ラッド層５に挟まれた単一モード導波路が形成されるこ
とになり、かつ電気的には第１のクラッド層１−第１の
活性層２−電極層３で一つのダブルヘテロ構造が形成さ
れ、第２のクラッド層５−第２の活性層４−電極層３で
もう一つのダブルヘテロ構造が形成されることになる。
すように、光学的には第１のクラッド層１及び第２のク
ラッド層５に挟まれた単一モード導波路が形成されるこ
とになり、かつ電気的には第１のクラッド層１−第１の
活性層２−電極層３で一つのダブルヘテロ構造が形成さ
れ、第２のクラッド層５−第２の活性層４−電極層３で
もう一つのダブルヘテロ構造が形成されることになる。
【００１０】主としてＴＭ光を増幅する第１の活性層２
として、例えば、引張歪みの導入された量子井戸層を有
する活性層を用い、主としてＴＥ光を増幅する第２の活
性層４として格子整合した量子井戸層又は圧縮歪みの導
入された量子井戸層を有する活性層を用いる。ところ
で、増幅の利得は活性層中のキャリア数に依存して変化
する。従って、例えば、図３に示すように、電極層１５
（３）を引き出すことにより電極層１５（３）を介して
第１の活性層１４（２）及び第２の活性層１６（４）に
独立に電流を供給し、第１の活性層１４（２）に流す第
１の電流、及び第２の活性層１６（４）に流す第２の電
流を調整することにより、キャリア数の変化を介して、
ＴＭ光及びＴＥ光の利得を独立に制御することができ
る。
として、例えば、引張歪みの導入された量子井戸層を有
する活性層を用い、主としてＴＥ光を増幅する第２の活
性層４として格子整合した量子井戸層又は圧縮歪みの導
入された量子井戸層を有する活性層を用いる。ところ
で、増幅の利得は活性層中のキャリア数に依存して変化
する。従って、例えば、図３に示すように、電極層１５
（３）を引き出すことにより電極層１５（３）を介して
第１の活性層１４（２）及び第２の活性層１６（４）に
独立に電流を供給し、第１の活性層１４（２）に流す第
１の電流、及び第２の活性層１６（４）に流す第２の電
流を調整することにより、キャリア数の変化を介して、
ＴＭ光及びＴＥ光の利得を独立に制御することができ
る。
【００１１】これにより、第１の活性層１４（２）及び
第２の活性層１６（４）を量子井戸構造としても、又は
素子作成上のばらつきや使用環境の変化に対しても、Ｔ
Ｍ光及びＴＥ光の利得をほぼ等しくし、偏波依存を抑制
することが可能となる。従って、飽和出力を大きくし、
かつ偏波無依存を実現することが可能となる。
第２の活性層１６（４）を量子井戸構造としても、又は
素子作成上のばらつきや使用環境の変化に対しても、Ｔ
Ｍ光及びＴＥ光の利得をほぼ等しくし、偏波依存を抑制
することが可能となる。従って、飽和出力を大きくし、
かつ偏波無依存を実現することが可能となる。
【００１２】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の説
明 図３は、本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の
全体の構成を示す斜視図である。
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の説
明 図３は、本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の
全体の構成を示す斜視図である。
【００１３】図３に示すように、P-InP からなる基板１
１上に、クラッド層等を介して、ＴＭ光を増幅する第１
の活性層１４と、電極層１５と、ＴＥ光を増幅する第２
の活性層１６とが順次積層されている。各活性層１４，
１６はともに多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有し、
かつ第１の活性層１４／電極層１５／第２の活性層１６
の３層の周辺部の膜厚方向の構造はＳＣＨ（分離閉じ込
めヘテロ構造）構造を有している。
１上に、クラッド層等を介して、ＴＭ光を増幅する第１
の活性層１４と、電極層１５と、ＴＥ光を増幅する第２
の活性層１６とが順次積層されている。各活性層１４，
１６はともに多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有し、
かつ第１の活性層１４／電極層１５／第２の活性層１６
の３層の周辺部の膜厚方向の構造はＳＣＨ（分離閉じ込
めヘテロ構造）構造を有している。
【００１４】また、第１の活性層１４／電極層１５／第
２の活性層１６の側部周辺部の構造は埋め込みヘテロ構
造を有している。即ち、第１の活性層１４／電極層１５
／第２の活性層１６は、増幅されるレーザの進行方向
（光軸方向）に沿った幅１〜1.5 μｍの帯状の形状を有
し、更に、第１の活性層１４／電極層１５／第２の活性
層１６の側部にはｎ−ＩｎＰ層23ａ，23ｂと、n-In0.78
Ga0.22As0.48P0.52 層（λg ＝1.2 μｍ）24ａ，24ｂ
と、ｎ−ＩｎＰ層25ａ，25ｂとが順次埋め込まれてい
る。これらの埋込み層26ａ，26ｂは液相成長等により形
成される。横モード制御及び電流狭窄は、これらの埋込
み層26ａ，26ｂにより達成される。
２の活性層１６の側部周辺部の構造は埋め込みヘテロ構
造を有している。即ち、第１の活性層１４／電極層１５
／第２の活性層１６は、増幅されるレーザの進行方向
（光軸方向）に沿った幅１〜1.5 μｍの帯状の形状を有
し、更に、第１の活性層１４／電極層１５／第２の活性
層１６の側部にはｎ−ＩｎＰ層23ａ，23ｂと、n-In0.78
Ga0.22As0.48P0.52 層（λg ＝1.2 μｍ）24ａ，24ｂ
と、ｎ−ＩｎＰ層25ａ，25ｂとが順次埋め込まれてい
る。これらの埋込み層26ａ，26ｂは液相成長等により形
成される。横モード制御及び電流狭窄は、これらの埋込
み層26ａ，26ｂにより達成される。
【００１５】更に、埋込み層26ａ，26ｂの部分に表出し
たn-In0.78Ga0.22As0.48P0.52 層24ａ上にAuGe-Au から
なる第３の電極２７が形成されており、埋込み層26ａを
介して第３の電極２７は電極層１５と接続される。n-In
0.78Ga0.22As0.48P0.52 層24ａの表出は、結晶成長後に
選択エッチングによってなされる。また、光軸方向に垂
直な両端面を有しており、各端面にそれぞれ増幅すべき
光を搬送する光ファイバと増幅された光を搬送する光フ
ァイバが光学的に結合される。これらの両端面は劈開に
より形成される。
たn-In0.78Ga0.22As0.48P0.52 層24ａ上にAuGe-Au から
なる第３の電極２７が形成されており、埋込み層26ａを
介して第３の電極２７は電極層１５と接続される。n-In
0.78Ga0.22As0.48P0.52 層24ａの表出は、結晶成長後に
選択エッチングによってなされる。また、光軸方向に垂
直な両端面を有しており、各端面にそれぞれ増幅すべき
光を搬送する光ファイバと増幅された光を搬送する光フ
ァイバが光学的に結合される。これらの両端面は劈開に
より形成される。
【００１６】更に、第２の活性層１６の上部にはクラッ
ド層等を介してコンタクト層１９が形成され、コンタク
ト層１９上にTi-Pt-Auからなる第２の電極２１が形成さ
れている。また、基板１１の裏面にも別のTi-Pt-Auから
なる第１の電極２０が形成されている。上記の半導体光
増幅器を動作させる際には、第１の直流電源２８は基板
１１裏面の第１の電極２０と第３の電極２７間に、第２
の直流電源２９はコンタクト層１９表面の第２の電極２
１と第３の電極２７間にそれぞれ接続され、ＴＭ光を増
幅する第１の活性層１４とＴＥ光を増幅する第２の活性
層１６に独立に制御電流を印加する。
ド層等を介してコンタクト層１９が形成され、コンタク
ト層１９上にTi-Pt-Auからなる第２の電極２１が形成さ
れている。また、基板１１の裏面にも別のTi-Pt-Auから
なる第１の電極２０が形成されている。上記の半導体光
増幅器を動作させる際には、第１の直流電源２８は基板
１１裏面の第１の電極２０と第３の電極２７間に、第２
の直流電源２９はコンタクト層１９表面の第２の電極２
１と第３の電極２７間にそれぞれ接続され、ＴＭ光を増
幅する第１の活性層１４とＴＥ光を増幅する第２の活性
層１６に独立に制御電流を印加する。
【００１７】図２は、図３の光軸方向に活性層を切断し
た面を光軸方向に垂直な方向から見た断面図である。図
２において、１２はp-InP からなる基板１１上に形成さ
れた厚さ約１μｍのp-InP 膜からなる第１のクラッド
層、１３はクラッド層１２上に形成された厚さ約４０ｎ
ｍのp-In0.89Ga0.11As0.24P0.76 膜（λg ＝1.05μｍ）
からなる第１の光閉じ込め層である。
た面を光軸方向に垂直な方向から見た断面図である。図
２において、１２はp-InP からなる基板１１上に形成さ
れた厚さ約１μｍのp-InP 膜からなる第１のクラッド
層、１３はクラッド層１２上に形成された厚さ約４０ｎ
ｍのp-In0.89Ga0.11As0.24P0.76 膜（λg ＝1.05μｍ）
からなる第１の光閉じ込め層である。
【００１８】１４は第１の光閉じ込め層１３上に形成さ
れたＴＭ光を増幅する第１の活性層である。第１の活性
層１４は、ＭＱＷ構造を有し、１％の引張歪みが導入さ
れた厚さ約１２ｎｍのi-In0.48Ga0.52As0.80P0.20 膜か
らなる量子井戸層101 ａ〜101 ｃと、i-In0.89Ga0.11As
0.24P0.76 （λg ＝1.05μｍ）からなる膜厚約１０ｎｍ
のバリア層102 ａ〜102 ｃとが交互に３層ずつ積層され
てなる。引張歪みが導入されることにより、ＴＭ光に対
する利得が高くなっている。電流注入により主としてＴ
Ｍ光が増幅される。また、利得はキャリア依存性を有す
るので、電流値を調整することにより利得調整が可能で
ある。
れたＴＭ光を増幅する第１の活性層である。第１の活性
層１４は、ＭＱＷ構造を有し、１％の引張歪みが導入さ
れた厚さ約１２ｎｍのi-In0.48Ga0.52As0.80P0.20 膜か
らなる量子井戸層101 ａ〜101 ｃと、i-In0.89Ga0.11As
0.24P0.76 （λg ＝1.05μｍ）からなる膜厚約１０ｎｍ
のバリア層102 ａ〜102 ｃとが交互に３層ずつ積層され
てなる。引張歪みが導入されることにより、ＴＭ光に対
する利得が高くなっている。電流注入により主としてＴ
Ｍ光が増幅される。また、利得はキャリア依存性を有す
るので、電流値を調整することにより利得調整が可能で
ある。
【００１９】１５は第１の活性層１４上に形成された膜
厚約７０ｎｍのn-InP 層からなる電極層である。１６は
電極層１５上に形成されたＴＥ光を増幅する第２の活性
層である。第２の活性層１６はＭＱＷ構造を有し、厚さ
約１０ｎｍのi-In0.89Ga0.11As0.24P0.7 6 膜（λg ＝1.
05μｍ）からなるバリア層103 ａ〜103 ｃと、膜厚約１
２ｎｍのi-In0.69Ga0.31As0.68P0.32 膜（λg ＝1.35μ
ｍ）からなる量子井戸層104 ａ〜104 ｃとが交互に３層
ずつ積層されてなる。格子整合している井戸層なので、
ＴＥ光に対する利得が高くなっている。電流注入により
主としてＴＥ光が増幅される。また、利得はキャリア依
存性を有するので、電流値を調整することにより利得調
整が可能である。
厚約７０ｎｍのn-InP 層からなる電極層である。１６は
電極層１５上に形成されたＴＥ光を増幅する第２の活性
層である。第２の活性層１６はＭＱＷ構造を有し、厚さ
約１０ｎｍのi-In0.89Ga0.11As0.24P0.7 6 膜（λg ＝1.
05μｍ）からなるバリア層103 ａ〜103 ｃと、膜厚約１
２ｎｍのi-In0.69Ga0.31As0.68P0.32 膜（λg ＝1.35μ
ｍ）からなる量子井戸層104 ａ〜104 ｃとが交互に３層
ずつ積層されてなる。格子整合している井戸層なので、
ＴＥ光に対する利得が高くなっている。電流注入により
主としてＴＥ光が増幅される。また、利得はキャリア依
存性を有するので、電流値を調整することにより利得調
整が可能である。
【００２０】１７は第２の活性層１６上に形成された膜
厚約４０ｎｍのp-In0.89Ga0.11As0. 24P0.76 膜（λg ＝
1.05μｍ）からなる第２の光閉じ込め層、１８は第２の
光閉じ込め層１７上に形成された厚さ約２μｍのp-InP
膜からなる第２のクラッド層である。１９は第２のクラ
ッド層１８上に形成された膜厚約0.5 μｍのp-In0.78Ga
0.22As0.48P0.52 膜（λg ＝1.2 μｍ）からなるコンタ
クト層、２０は基板１１の表面に形成されたTi-Pt-Auか
らなる第１の電極、２１はコンタクト層１９表面に形成
されたTi-Pt-Auからなる第２の電極である。
厚約４０ｎｍのp-In0.89Ga0.11As0. 24P0.76 膜（λg ＝
1.05μｍ）からなる第２の光閉じ込め層、１８は第２の
光閉じ込め層１７上に形成された厚さ約２μｍのp-InP
膜からなる第２のクラッド層である。１９は第２のクラ
ッド層１８上に形成された膜厚約0.5 μｍのp-In0.78Ga
0.22As0.48P0.52 膜（λg ＝1.2 μｍ）からなるコンタ
クト層、２０は基板１１の表面に形成されたTi-Pt-Auか
らなる第１の電極、２１はコンタクト層１９表面に形成
されたTi-Pt-Auからなる第２の電極である。
【００２１】２２は光軸方向に垂直な両端面に形成され
たＳｉＮからなる無反射コーティング膜（ＡＲ膜）であ
る。次に、上記の半導体光増幅器の動作について説明す
る。まず、光ファイバを半導体光増幅器の両端面に光学
的に結合した後、片側の光ファイバに、例えば、1.3 μ
ｍ帯の波長を有する増幅すべきレーザ光を送る。これに
より、レーザ光は半導体光増幅器内に入射する。
たＳｉＮからなる無反射コーティング膜（ＡＲ膜）であ
る。次に、上記の半導体光増幅器の動作について説明す
る。まず、光ファイバを半導体光増幅器の両端面に光学
的に結合した後、片側の光ファイバに、例えば、1.3 μ
ｍ帯の波長を有する増幅すべきレーザ光を送る。これに
より、レーザ光は半導体光増幅器内に入射する。
【００２２】次に、第１のクラッド層１２と電極層１３
の間に順方向電圧を印加して第１の活性層１４に直流電
流を流すとともに、第２のクラッド層１８と電極層１３
との間にも順方向電圧を印加して第２の活性層１６に直
流電流を流し、レーザ光を増幅する。このとき、第１の
活性層１４ではＴＭ光の利得が大きく、第２の活性層１
６ではＴＥ光の利得が大きくなっている。ＴＭ光の利得
とＴＥ光の利得がほぼ等しければ、電流調整の必要はな
いが、異なっている場合には、利得のキャリア数依存性
を利用して、ＴＭ光の利得とＴＥ光の利得がほぼ等しく
なるように、それぞれの電流を調整する。これにより、
増幅されたレーザ光の偏波無依存が実現できる。
の間に順方向電圧を印加して第１の活性層１４に直流電
流を流すとともに、第２のクラッド層１８と電極層１３
との間にも順方向電圧を印加して第２の活性層１６に直
流電流を流し、レーザ光を増幅する。このとき、第１の
活性層１４ではＴＭ光の利得が大きく、第２の活性層１
６ではＴＥ光の利得が大きくなっている。ＴＭ光の利得
とＴＥ光の利得がほぼ等しければ、電流調整の必要はな
いが、異なっている場合には、利得のキャリア数依存性
を利用して、ＴＭ光の利得とＴＥ光の利得がほぼ等しく
なるように、それぞれの電流を調整する。これにより、
増幅されたレーザ光の偏波無依存が実現できる。
【００２３】以上のように、本発明の第１の実施例に係
る半導体光増幅器においては、第１及び第２のクラッド
層１２，１８の層間に、第１及び第２の光閉じ込め層１
３，１７を介してＴＭ光を増幅する第１の活性層１４
と、電極層１５と、ＴＥ光を増幅する第２の活性層１６
とが順次積層されている。即ち、光学的には第１及び第
２のクラッド層１２，１８に挟まれた単一モード導波路
が形成されていることになり、かつ電気的には第２のク
ラッド層１８−第２の光閉じ込め層１７−第２の活性層
１６−電極層１５で一つのダブルヘテロ構造が形成さ
れ、第１のクラッド層１２−第１の光閉じ込め層１３−
第１の活性層１４−電極層１５でもう一つのダブルヘテ
ロ構造が形成されていることになる。
る半導体光増幅器においては、第１及び第２のクラッド
層１２，１８の層間に、第１及び第２の光閉じ込め層１
３，１７を介してＴＭ光を増幅する第１の活性層１４
と、電極層１５と、ＴＥ光を増幅する第２の活性層１６
とが順次積層されている。即ち、光学的には第１及び第
２のクラッド層１２，１８に挟まれた単一モード導波路
が形成されていることになり、かつ電気的には第２のク
ラッド層１８−第２の光閉じ込め層１７−第２の活性層
１６−電極層１５で一つのダブルヘテロ構造が形成さ
れ、第１のクラッド層１２−第１の光閉じ込め層１３−
第１の活性層１４−電極層１５でもう一つのダブルヘテ
ロ構造が形成されていることになる。
【００２４】従って、電極層１５を介して、第１の活性
層１４及び第２の活性層１６に独立に電流を供給するこ
とができるので、ＴＭ光の利得及びＴＥ光の利得を独立
に制御することが可能である。これにより、第１の活性
層１４及び第２の活性層１６をＭＱＷ構造としても、又
は素子作成上のばらつきや使用環境の変化に対してもＴ
Ｍ光の利得及びＴＥ光の利得をほぼ等しくし、偏波依存
を抑制することが可能である。
層１４及び第２の活性層１６に独立に電流を供給するこ
とができるので、ＴＭ光の利得及びＴＥ光の利得を独立
に制御することが可能である。これにより、第１の活性
層１４及び第２の活性層１６をＭＱＷ構造としても、又
は素子作成上のばらつきや使用環境の変化に対してもＴ
Ｍ光の利得及びＴＥ光の利得をほぼ等しくし、偏波依存
を抑制することが可能である。
【００２５】また、第１の活性層１４及び第２の活性層
１６はＭＱＷ構造となっているので、大きな飽和出力を
得ることができる。 （２）本発明の第２の実施例に係る半導体光増幅器の説
明 図４は、本発明の第２の実施例に係る半導体光増幅器の
光軸方向に活性層を切断した面を示す断面図である。
１６はＭＱＷ構造となっているので、大きな飽和出力を
得ることができる。 （２）本発明の第２の実施例に係る半導体光増幅器の説
明 図４は、本発明の第２の実施例に係る半導体光増幅器の
光軸方向に活性層を切断した面を示す断面図である。
【００２６】図２と異なるところは、ＴＥ光を増幅する
第２の活性層16ａとして、膜厚約１０ｎｍのi-In0.89Ga
0.11As0.24P0.76 膜（λg ＝1.05μｍ）からなるバリア
層106 ａ〜106 ｃと、１％の圧縮歪みが導入された厚さ
約６ｎｍのi-In0.87Ga0.13As 0.57P0.43 膜からなる量子
井戸層105 ａ〜105 ｃとが交互に３層ずつ積層されてい
るものを用いていることである。圧縮歪みが導入される
ことにより、ＴＥ光に対する利得が高くなっている。な
お、図中、図２と同じ符号で示すものは図２と同じもの
を示す。
第２の活性層16ａとして、膜厚約１０ｎｍのi-In0.89Ga
0.11As0.24P0.76 膜（λg ＝1.05μｍ）からなるバリア
層106 ａ〜106 ｃと、１％の圧縮歪みが導入された厚さ
約６ｎｍのi-In0.87Ga0.13As 0.57P0.43 膜からなる量子
井戸層105 ａ〜105 ｃとが交互に３層ずつ積層されてい
るものを用いていることである。圧縮歪みが導入される
ことにより、ＴＥ光に対する利得が高くなっている。な
お、図中、図２と同じ符号で示すものは図２と同じもの
を示す。
【００２７】この場合にも、第１の実施例と同様な動作
を行わせることにより、ＴＥ光の利得及びＴＭ光の利得
を独立に制御することができるので、飽和出力を高く、
かつ偏波依存性を小さくし、しかも素子作成上のばらつ
きや使用環境の変化に対して偏波依存を抑制することが
可能である。第２の実施例の場合、特に、ＴＥ光を増幅
する第２の活性層16ａに圧縮歪みを加えることにより、
第１の実施例の格子整合の場合と比べてより小さい電流
で高利得を得ることができる。
を行わせることにより、ＴＥ光の利得及びＴＭ光の利得
を独立に制御することができるので、飽和出力を高く、
かつ偏波依存性を小さくし、しかも素子作成上のばらつ
きや使用環境の変化に対して偏波依存を抑制することが
可能である。第２の実施例の場合、特に、ＴＥ光を増幅
する第２の活性層16ａに圧縮歪みを加えることにより、
第１の実施例の格子整合の場合と比べてより小さい電流
で高利得を得ることができる。
【００２８】なお、上記第１及び第２の実施例では、第
１のクラッド層１２と第１の活性層１４の間に第１の光
閉じ込め層１３が介在し、第２のクラッド層１８と第２
の活性層１６又は16ａの間に第２の光閉じ込め層１７が
介在しているが、第１及び第２の光閉じ込め層１３，１
７を省略して、直接第１の活性層１４に接するように第
１のクラッド層１２を形成し、かつ第２の活性層１６に
接するように第２のクラッド層１８を形成してもよい。
この場合、量子井戸層101a(104c,106c) とクラッド層１
２が直接接触しないように、その間にバリア層102a〜10
2cと同一のバリア層を設けることで、全ての井戸のポテ
ンシャル形状を等しくし、端部の量子井戸層の量子準位
が他の井戸層と異なることを防ぐことができる。
１のクラッド層１２と第１の活性層１４の間に第１の光
閉じ込め層１３が介在し、第２のクラッド層１８と第２
の活性層１６又は16ａの間に第２の光閉じ込め層１７が
介在しているが、第１及び第２の光閉じ込め層１３，１
７を省略して、直接第１の活性層１４に接するように第
１のクラッド層１２を形成し、かつ第２の活性層１６に
接するように第２のクラッド層１８を形成してもよい。
この場合、量子井戸層101a(104c,106c) とクラッド層１
２が直接接触しないように、その間にバリア層102a〜10
2cと同一のバリア層を設けることで、全ての井戸のポテ
ンシャル形状を等しくし、端部の量子井戸層の量子準位
が他の井戸層と異なることを防ぐことができる。
【００２９】また、第１の活性層１４が電極層１５の下
に、第２の活性層１６又は16ａが電極層１５の上に形成
されているが、第１の活性層１４が電極層１５の上に、
第２の活性層１６又は16ａが電極層１５の下に形成され
てもよい。更に、第１の活性層１４及び第２の活性層１
６又は16ａともにＭＱＷ構造となっているが、一層のＱ
Ｗ構造その他の構造であってもよい。
に、第２の活性層１６又は16ａが電極層１５の上に形成
されているが、第１の活性層１４が電極層１５の上に、
第２の活性層１６又は16ａが電極層１５の下に形成され
てもよい。更に、第１の活性層１４及び第２の活性層１
６又は16ａともにＭＱＷ構造となっているが、一層のＱ
Ｗ構造その他の構造であってもよい。
【００３０】また、無反射コーティング膜２２を形成せ
ずに両端面をへき開状態のまま乃至は適当な反射率の反
射膜を形成した場合には上記第１及び第２の実施例の素
子は半導体レーザとしても動作する。その場合、第１の
直流電源２８と第２の直流電源２９を調整することで、
発生するレーザ光をＴＥ光としたりＴＭ光としたりする
ことができる。 （３）本発明の第３の実施例に係る半導体レーザの説明 図５は、本発明の第３の実施例に係る半導体レーザの光
軸方向に活性層を切断した面を示す断面図である。
ずに両端面をへき開状態のまま乃至は適当な反射率の反
射膜を形成した場合には上記第１及び第２の実施例の素
子は半導体レーザとしても動作する。その場合、第１の
直流電源２８と第２の直流電源２９を調整することで、
発生するレーザ光をＴＥ光としたりＴＭ光としたりする
ことができる。 （３）本発明の第３の実施例に係る半導体レーザの説明 図５は、本発明の第３の実施例に係る半導体レーザの光
軸方向に活性層を切断した面を示す断面図である。
【００３１】図４に示す第２の実施例と異なるところ
は、ｐ-InPからなる基板１１の表面に光軸に沿って回折
格子３１を設けることにより、ＤＦＢレーザとしたこと
である。また、第３の活性層14ａは１％の引張歪みが導
入された量子井戸層107a〜107cとバリア層108a〜108cと
が交互に積層されたＭＱＷ構造を有し、ＴＭモードのレ
ーザ光を発生する。また、第４の活性層16ｂは１％の圧
縮歪みが導入された量子井戸層110a〜110cとバリア層10
9a〜109cとが交互に積層されたＭＱＷ構造を有し、ＴＥ
モードのレーザ光を発生する。
は、ｐ-InPからなる基板１１の表面に光軸に沿って回折
格子３１を設けることにより、ＤＦＢレーザとしたこと
である。また、第３の活性層14ａは１％の引張歪みが導
入された量子井戸層107a〜107cとバリア層108a〜108cと
が交互に積層されたＭＱＷ構造を有し、ＴＭモードのレ
ーザ光を発生する。また、第４の活性層16ｂは１％の圧
縮歪みが導入された量子井戸層110a〜110cとバリア層10
9a〜109cとが交互に積層されたＭＱＷ構造を有し、ＴＥ
モードのレーザ光を発生する。
【００３２】更に、これらの量子井戸層107a〜107c, 11
0a〜110cの組成比、膜厚はレーザ光の発振波長を調整す
るために、同じ波長帯の光増幅器の場合と異なる組成比
とすることもある。また、光軸方向に垂直な両端面に適
当な反射率のコーティングを施して共振器を形成しても
よい。なお、図中、図４と同じ符号で示すものは図４と
同じものを示す。
0a〜110cの組成比、膜厚はレーザ光の発振波長を調整す
るために、同じ波長帯の光増幅器の場合と異なる組成比
とすることもある。また、光軸方向に垂直な両端面に適
当な反射率のコーティングを施して共振器を形成しても
よい。なお、図中、図４と同じ符号で示すものは図４と
同じものを示す。
【００３３】同一の回折格子においてもＴＥ光に対する
ブラッグ波長とＴＭ光に対するブラッグ波長が異なるの
で、この素子では第３の活性層１４ａへの注入電流と第
４の活性層１６ｂへの注入電流を制御して発生するレー
ザ光をＴＥ光とＴＭ光で切り換えることで２つの発振波
長を切り換えることができる。なお、図２の構造のもの
に回折格子を設けても、同様な効果が得られる。 （４）比較例 半導体光増幅器ではないが、半導体レーザの構造におい
て、下記の２つの文献に示されるように、２つの活性層
がｎ型領域層を層間に挟んで形成され、上記の実施例に
類似した構造を有するものがある。
ブラッグ波長とＴＭ光に対するブラッグ波長が異なるの
で、この素子では第３の活性層１４ａへの注入電流と第
４の活性層１６ｂへの注入電流を制御して発生するレー
ザ光をＴＥ光とＴＭ光で切り換えることで２つの発振波
長を切り換えることができる。なお、図２の構造のもの
に回折格子を設けても、同様な効果が得られる。 （４）比較例 半導体光増幅器ではないが、半導体レーザの構造におい
て、下記の２つの文献に示されるように、２つの活性層
がｎ型領域層を層間に挟んで形成され、上記の実施例に
類似した構造を有するものがある。
【００３４】（ａ）M.C.Amann et.al, Electronics Let
ters vol.25 June (1989), pp.837-839 （ｂ）山本英二他 信学技報ＯＱＥ９１−４１（MW91-4
2 ）, pp.55-60, 1991しかし、（ａ）の例は、チューニ
ング用途であり、活性層のバンドギャップがチューニン
グしようとする光の波長に対応するエネルギよりも大き
いため、増幅作用が行われない。従って、光増幅器とし
て用いた場合には、偏波無依存を実現することは不可能
である。
ters vol.25 June (1989), pp.837-839 （ｂ）山本英二他 信学技報ＯＱＥ９１−４１（MW91-4
2 ）, pp.55-60, 1991しかし、（ａ）の例は、チューニ
ング用途であり、活性層のバンドギャップがチューニン
グしようとする光の波長に対応するエネルギよりも大き
いため、増幅作用が行われない。従って、光増幅器とし
て用いた場合には、偏波無依存を実現することは不可能
である。
【００３５】また、（ｂ）の例では、ＭＱＷ構造の活性
層はともにＴＥモードのレーザ光のみの利得向上のため
の構造となっている。従って、このような構造の半導体
レーザを光増幅器として用いた場合には、偏波無依存と
することは不可能である。
層はともにＴＥモードのレーザ光のみの利得向上のため
の構造となっている。従って、このような構造の半導体
レーザを光増幅器として用いた場合には、偏波無依存と
することは不可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体光増幅器
によれば、第１のクラッド層及び第２のクラッド層の層
間にＴＭ光を増幅する第１の活性層，電極層及びＴＥ光
を増幅する第２の活性層が順次積層されているので、電
極層を介して各活性層に独立に電流を供給することがで
きる。
によれば、第１のクラッド層及び第２のクラッド層の層
間にＴＭ光を増幅する第１の活性層，電極層及びＴＥ光
を増幅する第２の活性層が順次積層されているので、電
極層を介して各活性層に独立に電流を供給することがで
きる。
【００３７】従って、各活性層に流す電流値を調整する
ことにより、キャリア数の変調を介して、ＴＥ光の利得
及びＴＭ光の利得を独立に制御することができる。これ
により、活性層を量子井戸層としても、又は素子作成上
のばらつきや使用環境の変化に対しても、ＴＥ光の利得
及びＴＭ光の利得をほぼ等しくして、偏波依存を抑制す
ることが可能となる。
ことにより、キャリア数の変調を介して、ＴＥ光の利得
及びＴＭ光の利得を独立に制御することができる。これ
により、活性層を量子井戸層としても、又は素子作成上
のばらつきや使用環境の変化に対しても、ＴＥ光の利得
及びＴＭ光の利得をほぼ等しくして、偏波依存を抑制す
ることが可能となる。
【００３８】以上により、飽和出力を高くし、かつ偏波
無依存を実現することが可能である。
無依存を実現することが可能である。
【図１】本発明に係る半導体光素子の原理構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の
構成について示す断面図である。
構成について示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る半導体光増幅器の
全体の構成について示す斜視図である。
全体の構成について示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る半導体光増幅器の
構成について示す断面図である。
構成について示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る半導体レーザの構
成について示す断面図である。
成について示す断面図である。
【図６】従来例に係る半導体光増幅器の構成について示
す断面図である。
す断面図である。
１，１２ 第１のクラッド層、 ２ ＴＥ光を増幅する第１の活性層、 ３，１５ 電極層、 ４ ＴＭ光を増幅する第２の活性層、 ５，１８ 第２のクラッド層、 ６，７ 直流電源、 １１，11ａ 基板、 １３ 第１の光閉じ込め層、 13ａ 第３の光閉じ込め層、 １４ 第１の活性層、 14ａ 第３の活性層、 １６，16ａ 第２の活性層、 16ｂ 第４の活性層、 １７ 第２の光閉じ込め層、 17ａ 第４の光閉じ込め層、 18ａ クラッド層、 １９，19ａ コンタクト層、 ２０ 第１の電極、 ２１ 第２の電極、 22ａ，22ｂ ＡＲ膜、 23ａ，23ｂ，25ａ，25ｂ ｎ−ＩｎＰ層、 24ａ，24ｂ n-InGaAsP 層、 26ａ，26ｂ 埋込み層、 ２７ 第３の電極、 ２８ 第１の直流電源、 ２９ 第２の直流電源、 ３１ 回折格子、 101a〜101c，107a〜107c １％引張歪量子井戸層、 102a〜102c，103a〜103c，105a〜105c，108a〜108c，10
9a〜109c バリア層、 104a〜104c 格子整合量子井戸層、 106a〜106c，110a〜110c １％圧縮歪量子井戸層。
9a〜109c バリア層、 104a〜104c 格子整合量子井戸層、 106a〜106c，110a〜110c １％圧縮歪量子井戸層。
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の電流を注入して主として横磁界
（ＴＭ）光を増幅する第１の活性層（２）と、 第２の電流を注入して主として横電界（ＴＥ）光を増幅
する第２の活性層（４）と、 前記第１の活性層（２）と前記第２の活性層（４）の層
間に介在し、前記第１の活性層（２）に前記第１の電流
を流し、かつ前記第２の活性層（４）に前記第２の電流
を流すための共通の電極となる電極層（３）と、 前記第１の活性層（２），前記電極層（３）及び前記第
２の活性層（４）の３層を積層方向に挟んで形成された
第１のクラッド層（１）及び第２のクラッド層（５）と
を有することを特徴とする半導体光素子。 - 【請求項２】 前記第１の活性層（２）は、引張歪みが
導入された量子井戸層を有することを特徴とする請求項
１記載の半導体光素子。 - 【請求項３】 前記第２の活性層（４）は、格子整合し
た量子井戸層又は圧縮歪みを有する量子井戸層を有する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体光
素子。 - 【請求項４】 前記第１の活性層と第１のクラッド層の
層間に第１の光閉じ込め層が介在し、かつ前記第２の活
性層と第２のクラッド層の層間に第２の光閉じ込め層が
介在することを特徴とする請求項１，請求項２又は請求
項３記載の半導体光素子。 - 【請求項５】 前記第１の活性層（１４），前記電極層
（１５）及び前記第２の活性層（１６）の３つの層は増
幅される光の進行方向に沿った帯層を形成し、かつ該帯
層の両側に前記電極層（１５）と同じ導電型の埋込層
（26ａ，26ｂ）が形成され、かつ前記埋込層（26ａ）を
介して前記電極層（１５）と接続する電極（２７）が前
記埋込層（26ａ）に形成されていることを特徴とする請
求項１，請求項２，請求項３又は請求項４記載の半導体
光素子。 - 【請求項６】 請求項１，請求項２，請求項３，請求項
４又は請求項５記載の半導体光素子を用いて、前記第１
の活性層（２）及び前記第２の活性層（４）にそれぞれ
流す前記第１の電流及び前記第２の電流を調整すること
により横磁界（ＴＭ）光に対する利得と横電界（ＴＥ）
光に対する利得をほぼ等しくして、入射光を増幅するこ
とを特徴とする半導体光素子の駆動方法。 - 【請求項７】 第３の電流が注入され、主として横磁界
（ＴＭ）モードのレーザ光を発生する第３の活性層（14
ａ）と、 第４の電流が注入され、主として横電界（ＴＥ）モード
のレーザ光を発生する第４の活性層（16ａ）と、 前記第３の活性層（14ａ）と前記第４の活性層（16ａ）
の層間に介在し、前記第３の活性層（14ａ）に前記第３
の電流を流し、かつ前記第４の活性層（16ａ）に前記第
４の電流を流すための共通の電極となる電極層（15ａ）
と、 前記第３の活性層（14ａ）又は前記第４の活性層（16
ａ）に隣接し、かつ光の進行方向に形成された回折格子
（３１）とを有することを特徴とする半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696093A JPH07202337A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光素子及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696093A JPH07202337A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202337A true JPH07202337A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18304208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33696093A Withdrawn JPH07202337A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体光素子及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002171027A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 半導体光増幅器 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33696093A patent/JPH07202337A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002171027A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 半導体光増幅器 |
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