JPH07202318A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JPH07202318A JPH07202318A JP34964793A JP34964793A JPH07202318A JP H07202318 A JPH07202318 A JP H07202318A JP 34964793 A JP34964793 A JP 34964793A JP 34964793 A JP34964793 A JP 34964793A JP H07202318 A JPH07202318 A JP H07202318A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 短波長で発光可能でしかも低しきい値電流密
度の半導体レーザーを実現する。 【構成】 単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の
活性層５を有し、活性層５を構成する量子井戸層がＺｎ
1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体（ただ
し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）から成る半
導体レーザーにおいて、量子井戸層の厚さＷをＷ＜εｈ
2 ／πｍeff ｅ2 が成立するように設定する。ここで、
εは量子井戸層の誘電率、ｈはプランク定数、ｍeff は
量子井戸層中に生成される励起子の換算有効質量、ｅは
電気素量である。
度の半導体レーザーを実現する。 【構成】 単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の
活性層５を有し、活性層５を構成する量子井戸層がＺｎ
1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体（ただ
し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）から成る半
導体レーザーにおいて、量子井戸層の厚さＷをＷ＜εｈ
2 ／πｍeff ｅ2 が成立するように設定する。ここで、
εは量子井戸層の誘電率、ｈはプランク定数、ｍeff は
量子井戸層中に生成される励起子の換算有効質量、ｅは
電気素量である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザーに関
し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた、短波長
で発光可能な半導体レーザーに適用して好適なものであ
る。
し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた、短波長
で発光可能な半導体レーザーに適用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの記録密度の向上やレ
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
【０００３】このような短波長での発光が可能な半導体
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28(1992)1798）。
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28(1992)1798）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体レーザーは、
一般にしきい値電流密度が高いという問題があり、しき
い値電流密度の低減が望まれていた。
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体レーザーは、
一般にしきい値電流密度が高いという問題があり、しき
い値電流密度の低減が望まれていた。
【０００５】従って、この発明の目的は、短波長で発光
可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レーザーを提
供することにある。
可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レーザーを提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】単一量子井戸構造の活性
層を有する半導体レーザーを例にとって考える。今、こ
の半導体レーザーの接合に電流を注入し、活性層、すな
わち量子井戸層に電子および正孔をそれぞれ注入する
と、これらの電子および正孔が対となって生成される励
起子がこの量子井戸層中にある一定時間安定に存在する
ことができれば、この励起子がその寿命時間経過後に電
子−正孔再結合により消滅して発光が起きることによ
り、レーザー発振が起こり得る。このような励起子を介
したレーザー発振が可能であれば、励起子のエネルギー
準位の状態密度は小さいことにより、少ない注入電流で
容易に分布反転を実現することができ、それによってレ
ーザー発振を起こさせることができる。また、この励起
子を介したレーザー発振においては、光吸収を少なく抑
えることができるので、高い利得を得ることができる。
これらのことにより、しきい値電流密度の低減を図るこ
とができる。
層を有する半導体レーザーを例にとって考える。今、こ
の半導体レーザーの接合に電流を注入し、活性層、すな
わち量子井戸層に電子および正孔をそれぞれ注入する
と、これらの電子および正孔が対となって生成される励
起子がこの量子井戸層中にある一定時間安定に存在する
ことができれば、この励起子がその寿命時間経過後に電
子−正孔再結合により消滅して発光が起きることによ
り、レーザー発振が起こり得る。このような励起子を介
したレーザー発振が可能であれば、励起子のエネルギー
準位の状態密度は小さいことにより、少ない注入電流で
容易に分布反転を実現することができ、それによってレ
ーザー発振を起こさせることができる。また、この励起
子を介したレーザー発振においては、光吸収を少なく抑
えることができるので、高い利得を得ることができる。
これらのことにより、しきい値電流密度の低減を図るこ
とができる。
【０００７】今、量子井戸層をＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy
Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体により形成するとする。こ
こで、バルクのＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系
化合物半導体中に生成される励起子（三次元励起子）の
結合エネルギー（束縛エネルギーと呼ばれることもあ
る）はほぼ１０〜１６ｍｅＶ程度であるのに対して、こ
のＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体
中の縦光学フォノン（ＬＯフォノン）のエネルギーは３
０〜４０ｍｅＶ程度である。従って、この三次元励起子
の結合エネルギーはＬＯフォノンのエネルギーよりも小
さい。このため、この三次元励起子はバルクのＺｎ
1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に安
定に存在することができず、従って上述の励起子を介し
たレーザー発振の実現は困難である。
Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体により形成するとする。こ
こで、バルクのＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系
化合物半導体中に生成される励起子（三次元励起子）の
結合エネルギー（束縛エネルギーと呼ばれることもあ
る）はほぼ１０〜１６ｍｅＶ程度であるのに対して、こ
のＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体
中の縦光学フォノン（ＬＯフォノン）のエネルギーは３
０〜４０ｍｅＶ程度である。従って、この三次元励起子
の結合エネルギーはＬＯフォノンのエネルギーよりも小
さい。このため、この三次元励起子はバルクのＺｎ
1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に安
定に存在することができず、従って上述の励起子を介し
たレーザー発振の実現は困難である。
【０００８】この問題は、量子井戸層中に生成される励
起子の結合エネルギーをＬＯフォノンのエネルギーより
も大きくすることができれば解決することができる。こ
の解決手法について以下に説明する。
起子の結合エネルギーをＬＯフォノンのエネルギーより
も大きくすることができれば解決することができる。こ
の解決手法について以下に説明する。
【０００９】図６は励起子を概念的に示し、ｅが電子、
ｈが正孔である。以下、この励起子を水素原子モデルに
基づいて考察する。
ｈが正孔である。以下、この励起子を水素原子モデルに
基づいて考察する。
【００１０】図７に示すように、励起子は、量子井戸層
の伝導帯の底の下側にエネルギー準位群を形成する。図
７において、Ｅc は伝導帯の底のエネルギー、Ｅv は価
電子帯の頂上のエネルギーを示す。この励起子のエネル
ギー準位は、価電子帯の頂上をエネルギーの基準とする
と、 Ｅn ＝Ｅg −ｍeff ｅ4 ／８ε2 ｈ2 ｎ2 （１） のように表される。ここで、Ｅg は量子井戸層のエネル
ギーギャップ、ｍeff は量子井戸層中に生成される励起
子の換算有効質量、ｅは電気素量、εは量子井戸層の誘
電率、ｈはプランク定数、ｎは主量子数を示す。量子井
戸層中の電子および正孔の有効質量をそれぞれｍe およ
びｍh とすると、 １／ｍeff ＝１／ｍe ＋１／ｍh （２） である。
の伝導帯の底の下側にエネルギー準位群を形成する。図
７において、Ｅc は伝導帯の底のエネルギー、Ｅv は価
電子帯の頂上のエネルギーを示す。この励起子のエネル
ギー準位は、価電子帯の頂上をエネルギーの基準とする
と、 Ｅn ＝Ｅg −ｍeff ｅ4 ／８ε2 ｈ2 ｎ2 （１） のように表される。ここで、Ｅg は量子井戸層のエネル
ギーギャップ、ｍeff は量子井戸層中に生成される励起
子の換算有効質量、ｅは電気素量、εは量子井戸層の誘
電率、ｈはプランク定数、ｎは主量子数を示す。量子井
戸層中の電子および正孔の有効質量をそれぞれｍe およ
びｍh とすると、 １／ｍeff ＝１／ｍe ＋１／ｍh （２） である。
【００１１】励起子の結合エネルギーをＥb と書くと、
（１）式より Ｅb ＝Ｅg −Ｅn ＝ｍeff ｅ4 ／８ε2 ｈ2 ｎ2 （３） である。
（１）式より Ｅb ＝Ｅg −Ｅn ＝ｍeff ｅ4 ／８ε2 ｈ2 ｎ2 （３） である。
【００１２】一方、この励起子のボーア半径をａ0 ´と
すると、これは水素原子モデルで得られるボーア半径の
表式ａ0 ＝ε0 ｈ2 ／πｍ0 ｅ2 （ただし、ε0 は真空
の誘電率、ｍ0 は真空中の電子の質量）におけるε0 お
よびｍ0 をそれぞれ量子井戸層の誘電率εおよび励起子
の換算有効質量ｍeff で置き換えたものに等しい。すな
わち、 ａ0 ´＝εｈ2 ／πｍeff ｅ2 （４） である。なお、主量子数ｎに対応する状態にある励起子
の半径ａ´はａ´＝ｎ2ａ0 ´で表される。
すると、これは水素原子モデルで得られるボーア半径の
表式ａ0 ＝ε0 ｈ2 ／πｍ0 ｅ2 （ただし、ε0 は真空
の誘電率、ｍ0 は真空中の電子の質量）におけるε0 お
よびｍ0 をそれぞれ量子井戸層の誘電率εおよび励起子
の換算有効質量ｍeff で置き換えたものに等しい。すな
わち、 ａ0 ´＝εｈ2 ／πｍeff ｅ2 （４） である。なお、主量子数ｎに対応する状態にある励起子
の半径ａ´はａ´＝ｎ2ａ0 ´で表される。
【００１３】さて、今、量子井戸層の厚さをＷとする
と、Ｗ＜ａ0 ´であると、量子井戸層中の励起子は、正
孔の周りの電子の軌道が量子井戸層の厚さ方向に圧縮さ
れる結果、二次元化し、円環（ドーナッツ）状になる。
このような二次元励起子の結合エネルギーは、（３）式
で示されるバルク半導体中の励起子、すなわち三次元励
起子の結合エネルギーの４倍になる。すなわち、この二
次元励起子の結合エネルギーをＥb 2Dとすると、 Ｅb 2D＝４Ｅb （５） となる。
と、Ｗ＜ａ0 ´であると、量子井戸層中の励起子は、正
孔の周りの電子の軌道が量子井戸層の厚さ方向に圧縮さ
れる結果、二次元化し、円環（ドーナッツ）状になる。
このような二次元励起子の結合エネルギーは、（３）式
で示されるバルク半導体中の励起子、すなわち三次元励
起子の結合エネルギーの４倍になる。すなわち、この二
次元励起子の結合エネルギーをＥb 2Dとすると、 Ｅb 2D＝４Ｅb （５） となる。
【００１４】すでに述べたように、バルクのＺｎ1-x-y
Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に生成され
る三次元励起子の結合エネルギーはほぼ１０〜１６ｍｅ
Ｖ程度であるから、（５）式より、Ｗ＜ａ0 ´を満足す
る厚さを有するＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系
化合物半導体から成る量子井戸層中に生成される二次元
励起子の結合エネルギーは４０〜６４ｍｅＶとなる。こ
の値は、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物
半導体中のＬＯフォノンのエネルギー、すなわち３０〜
４０ｍｅＶよりも大きい。すなわち、この二次元励起子
の結合エネルギーは、ＬＯフォノンのエネルギーよりも
大きくなる。このため、この二次元励起子は量子井戸層
中に安定に存在することが可能であり、従ってこの二次
元励起子を介したレーザー発振が可能である。
Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に生成され
る三次元励起子の結合エネルギーはほぼ１０〜１６ｍｅ
Ｖ程度であるから、（５）式より、Ｗ＜ａ0 ´を満足す
る厚さを有するＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系
化合物半導体から成る量子井戸層中に生成される二次元
励起子の結合エネルギーは４０〜６４ｍｅＶとなる。こ
の値は、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物
半導体中のＬＯフォノンのエネルギー、すなわち３０〜
４０ｍｅＶよりも大きい。すなわち、この二次元励起子
の結合エネルギーは、ＬＯフォノンのエネルギーよりも
大きくなる。このため、この二次元励起子は量子井戸層
中に安定に存在することが可能であり、従ってこの二次
元励起子を介したレーザー発振が可能である。
【００１５】以上は単一量子井戸構造の活性層を有する
半導体レーザーについてであるが、多重量子井戸構造の
活性層を有する半導体レーザーにおいても、活性層を構
成する量子井戸層の厚さをＷ＜ａ0 ´が成立するように
設定することにより、上述と同様な効果を得ることがで
きる。
半導体レーザーについてであるが、多重量子井戸構造の
活性層を有する半導体レーザーにおいても、活性層を構
成する量子井戸層の厚さをＷ＜ａ0 ´が成立するように
設定することにより、上述と同様な効果を得ることがで
きる。
【００１６】この発明は、以上の検討に基づいて案出さ
れたものである。すなわち、上記目的を達成するため
に、この発明は、単一量子井戸構造または多重量子井戸
構造の活性層（５）を有し、活性層（５）を構成する量
子井戸層がＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合
物半導体（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜
１）から成る半導体レーザーであって、量子井戸層の厚
さをＷ、量子井戸層の誘電率をε、量子井戸層中に生成
される励起子の換算有効質量をｍeff 、電気素量をｅ、
プランク定数をｈとしたとき、 Ｗ＜εｈ2 ／πｍeff ｅ2 （６） が成立することを特徴とするものである。
れたものである。すなわち、上記目的を達成するため
に、この発明は、単一量子井戸構造または多重量子井戸
構造の活性層（５）を有し、活性層（５）を構成する量
子井戸層がＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合
物半導体（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜
１）から成る半導体レーザーであって、量子井戸層の厚
さをＷ、量子井戸層の誘電率をε、量子井戸層中に生成
される励起子の換算有効質量をｍeff 、電気素量をｅ、
プランク定数をｈとしたとき、 Ｗ＜εｈ2 ／πｍeff ｅ2 （６） が成立することを特徴とするものである。
【００１７】ここで、（６）式におけるｍeff は（２）
式で表される。この場合、ｍe およびｍh は次式で表さ
れる。
式で表される。この場合、ｍe およびｍh は次式で表さ
れる。
【００１８】 ｍe ＝［（１−ｘ−ｙ）ｍe ZnSe＋ｘｍe MgSe＋ｙｍe CdSe］（１−ｚ） ＋［（１−ｘ−ｙ）ｍe ZnS ＋ｘｍe MgS ＋ｙｍe CdSe］ｚ （７） ｍh ＝［（１−ｘ−ｙ）ｍh ZnSe＋ｘｍh MgSe＋ｙｍh CdSe］（１−ｚ） ＋［（１−ｘ−ｙ）ｍh ZnS ＋ｘｍh MgS ＋ｙｍh CdSe］ｚ （８） ただし、ｍe ZnSe、ｍe MgSe、ｍe CdSe、ｍe ZnS およ
びｍe MgS は、それぞれＺｎＳｅ中、ＭｇＳｅ中、Ｃｄ
Ｓｅ中、ＺｎＳ中およびＭｇＳ中の電子の有効質量、ｍ
h ZnSe、ｍh MgSe、ｍh CdSe、ｍh ZnS およびｍh MgS
は、それぞれＺｎＳｅ中、ＭｇＳｅ中、ＣｄＳｅ中、Ｚ
ｎＳ中およびＭｇＳ中の正孔の有効質量である。
びｍe MgS は、それぞれＺｎＳｅ中、ＭｇＳｅ中、Ｃｄ
Ｓｅ中、ＺｎＳ中およびＭｇＳ中の電子の有効質量、ｍ
h ZnSe、ｍh MgSe、ｍh CdSe、ｍh ZnS およびｍh MgS
は、それぞれＺｎＳｅ中、ＭｇＳｅ中、ＣｄＳｅ中、Ｚ
ｎＳ中およびＭｇＳ中の正孔の有効質量である。
【００１９】なお、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ
1-z およびＺｎＳｅのエネルギーギャップをそれぞれＥ
g ZnMgCdSSe およびＥg ZnSeとすると、 ｍe 〜（Ｅg ZnMgCdSSe ／Ｅg ZnSe）ｍe ZnSe （９） と表される。
1-z およびＺｎＳｅのエネルギーギャップをそれぞれＥ
g ZnMgCdSSe およびＥg ZnSeとすると、 ｍe 〜（Ｅg ZnMgCdSSe ／Ｅg ZnSe）ｍe ZnSe （９） と表される。
【００２０】ここで、Ｗの値を例示すると、例えば、Ｚ
ｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-zにおいてｘ＝ｙ＝ｚ
＝０としたもの、すなわちＺｎＳｅに対しては、（７）
式および（８）式より、ｍe ＝０．１７ｍ0 、ｍh ＝
０．６ｍ0 となり、これらの値を（２）式に代入してｍ
eff を計算すると、ｍeff ＝０．１３ｍ0 となる。そし
て、（６）式の右辺にｍeff ＝０．１３ｍ0 を代入し、
また、近似的にε＝１０ε0 とおいて計算すると、約４
ｎｍとなる。従って、Ｗ＜４ｎｍとすればよいことがわ
かる。一方、Ｗは実用的には１ｎｍ程度以上あることが
望ましいため、Ｗは１ｎｍ≦Ｗ＜４ｎｍに設定される。
Ｗは、より好ましくは、１．５ｎｍ≦Ｗ＜３ｎｍに設定
される。
ｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-zにおいてｘ＝ｙ＝ｚ
＝０としたもの、すなわちＺｎＳｅに対しては、（７）
式および（８）式より、ｍe ＝０．１７ｍ0 、ｍh ＝
０．６ｍ0 となり、これらの値を（２）式に代入してｍ
eff を計算すると、ｍeff ＝０．１３ｍ0 となる。そし
て、（６）式の右辺にｍeff ＝０．１３ｍ0 を代入し、
また、近似的にε＝１０ε0 とおいて計算すると、約４
ｎｍとなる。従って、Ｗ＜４ｎｍとすればよいことがわ
かる。一方、Ｗは実用的には１ｎｍ程度以上あることが
望ましいため、Ｗは１ｎｍ≦Ｗ＜４ｎｍに設定される。
Ｗは、より好ましくは、１．５ｎｍ≦Ｗ＜３ｎｍに設定
される。
【００２１】上記のように量子井戸層がＺｎＳｅから成
る場合、好適には、クラッド層はＺｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q 系化合物半導体（ただし、０≦ｐ＜１、０≦ｑ＜
１）から成る。
る場合、好適には、クラッド層はＺｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q 系化合物半導体（ただし、０≦ｐ＜１、０≦ｑ＜
１）から成る。
【００２２】
【作用】上述のように構成されたこの発明による半導体
レーザーによれば、（６）式が成立していることによ
り、活性層を構成する量子井戸層の厚さＷがこの量子井
戸層中に生成される励起子の半径よりも小さくなり、従
ってこの励起子は量子井戸層の厚さ方向に圧縮されるこ
とにより二次元化する。このような二次元励起子の結合
エネルギーは、バルク半導体中の三次元励起子の結合エ
ネルギーの４倍になる。バルクのＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄ
y Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に生成される三次元励
起子の結合エネルギーはほぼ１０〜１６ｍｅＶ程度であ
るから、この二次元励起子の結合エネルギーは４０〜６
４ｍｅＶとなる。一方、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓ
ｅ1-z 系化合物半導体中のＬＯフォノンのエネルギーは
３０〜４０ｍｅＶであるから、この二次元励起子の結合
エネルギーはＬＯフォノンのエネルギーよりも大きくな
る。このため、この二次元励起子は量子井戸層中に安定
に存在することができる。
レーザーによれば、（６）式が成立していることによ
り、活性層を構成する量子井戸層の厚さＷがこの量子井
戸層中に生成される励起子の半径よりも小さくなり、従
ってこの励起子は量子井戸層の厚さ方向に圧縮されるこ
とにより二次元化する。このような二次元励起子の結合
エネルギーは、バルク半導体中の三次元励起子の結合エ
ネルギーの４倍になる。バルクのＺｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄ
y Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体中に生成される三次元励
起子の結合エネルギーはほぼ１０〜１６ｍｅＶ程度であ
るから、この二次元励起子の結合エネルギーは４０〜６
４ｍｅＶとなる。一方、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓ
ｅ1-z 系化合物半導体中のＬＯフォノンのエネルギーは
３０〜４０ｍｅＶであるから、この二次元励起子の結合
エネルギーはＬＯフォノンのエネルギーよりも大きくな
る。このため、この二次元励起子は量子井戸層中に安定
に存在することができる。
【００２３】上述のようにして量子井戸層中に閉じ込め
られる二次元励起子は、その寿命時間が経過したときに
電子−正孔再結合により消滅し、その際に、この二次元
励起子のエネルギー準位と価電子帯の頂上のエネルギー
との差に相当する波長の発光が生じる。そして、注入電
流密度がしきい値電流密度を超えた時点でレーザー発振
が起きる。この場合、二次元励起子のエネルギー準位の
状態密度は小さく、従って少ない注入電流で容易に分布
反転を実現することができる。このため、レーザー発振
に必要なしきい値電流密度の低減を図ることができる。
られる二次元励起子は、その寿命時間が経過したときに
電子−正孔再結合により消滅し、その際に、この二次元
励起子のエネルギー準位と価電子帯の頂上のエネルギー
との差に相当する波長の発光が生じる。そして、注入電
流密度がしきい値電流密度を超えた時点でレーザー発振
が起きる。この場合、二次元励起子のエネルギー準位の
状態密度は小さく、従って少ない注入電流で容易に分布
反転を実現することができる。このため、レーザー発振
に必要なしきい値電流密度の低減を図ることができる。
【００２４】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。図１および図２はこの発明の一実
施例による半導体レーザーを示す。ここで、図１はこの
半導体レーザーの共振器長方向に垂直な断面図、図２は
この半導体レーザーの共振器長方向に平行な断面図を示
す。この半導体レーザーは、いわゆるＳＣＨ（Separate
d Confinement Heterostructure)構造を有するものであ
る。
照しながら説明する。図１および図２はこの発明の一実
施例による半導体レーザーを示す。ここで、図１はこの
半導体レーザーの共振器長方向に垂直な断面図、図２は
この半導体レーザーの共振器長方向に平行な断面図を示
す。この半導体レーザーは、いわゆるＳＣＨ（Separate
d Confinement Heterostructure)構造を有するものであ
る。
【００２５】図１および図２に示すように、この半導体
レーザーにおいては、例えばｎ型不純物としてＳｉがド
ープされた（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型Ｚ
ｎＳｅバッファ層２、例えばｎ型不純物としてＣｌがド
ープされたｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型Ｚ
ｎＳｅ光導波層４、活性層５、例えばｐ型不純物として
Ｎがドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層６、例えばｐ型
不純物としてＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq
Ｓｅ1-q クラッド層７、例えばｐ型不純物としてＮがド
ープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８、例えばｐ型不純
物としてＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、例えばｐ型不純物としてＮがそれぞれドープされた
ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸層とｐ型ＺｎＳｅから成
る障壁層とを交互に積層したｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ多
重量子井戸（ＭＱＷ）層１０および例えばｐ型不純物と
してＮがドープされたｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１が
順次積層されている。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層
１０については後に詳細に説明する。
レーザーにおいては、例えばｎ型不純物としてＳｉがド
ープされた（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型Ｚ
ｎＳｅバッファ層２、例えばｎ型不純物としてＣｌがド
ープされたｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層
３、例えばｎ型不純物としてＣｌがドープされたｎ型Ｚ
ｎＳｅ光導波層４、活性層５、例えばｐ型不純物として
Ｎがドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層６、例えばｐ型
不純物としてＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq
Ｓｅ1-q クラッド層７、例えばｐ型不純物としてＮがド
ープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８、例えばｐ型不純
物としてＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、例えばｐ型不純物としてＮがそれぞれドープされた
ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸層とｐ型ＺｎＳｅから成
る障壁層とを交互に積層したｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅ多
重量子井戸（ＭＱＷ）層１０および例えばｐ型不純物と
してＮがドープされたｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１が
順次積層されている。ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層
１０については後に詳細に説明する。
【００２６】ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の上層部、ｐ型
ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱ
Ｗ層１０およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１はストラ
イプ形状にパターニングされている。このストライプ部
の幅は例えば５μｍである。
ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱ
Ｗ層１０およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１はストラ
イプ形状にパターニングされている。このストライプ部
の幅は例えば５μｍである。
【００２７】さらに、上述のストライプ部以外の部分の
ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８上には、例えば厚さが３００
ｎｍのアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜から成る絶縁層１２が
形成されている。そして、ストライプ形状のｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層１１および絶縁層１３上にｐ側電極１３
が形成されている。このｐ側電極１３がｐ型ＺｎＴｅコ
ンタクト層１１とコンタクトした部分が電流の通路とな
る。ここで、このｐ側電極１３としては、例えば、厚さ
が１０ｎｍのＰｄ膜と厚さが１００ｎｍのＰｔ膜と厚さ
が３００ｎｍのＡｕ膜とを順次積層した構造のＰｄ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極が用いられる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１４がコ
ンタクトしている。
ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８上には、例えば厚さが３００
ｎｍのアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜から成る絶縁層１２が
形成されている。そして、ストライプ形状のｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層１１および絶縁層１３上にｐ側電極１３
が形成されている。このｐ側電極１３がｐ型ＺｎＴｅコ
ンタクト層１１とコンタクトした部分が電流の通路とな
る。ここで、このｐ側電極１３としては、例えば、厚さ
が１０ｎｍのＰｄ膜と厚さが１００ｎｍのＰｔ膜と厚さ
が３００ｎｍのＡｕ膜とを順次積層した構造のＰｄ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極が用いられる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１４がコ
ンタクトしている。
【００２８】この半導体レーザーにおいては、いわゆる
端面コーティングが施されている。すなわち、図２に示
すように、共振器長方向に垂直な一対の共振器端面のう
ちレーザー光が取り出されるフロント側の端面にはＡｌ
2 Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とから成る多層膜がコーティ
ングされ、共振器長方向に垂直な一対の共振器端面のう
ちレーザー光が取り出されないリア側の端面にはＡｌ2
Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とを２周期積層した多層膜がコ
ーティングされている。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 膜１５とＳ
ｉ膜１６とから成る多層膜の厚さは、それに屈折率をか
けた光学的距離が、レーザー光の発振波長の１／４に等
しくなるように選ばれる。このような端面コーティング
が施されていることにより、例えば、フロント側の端面
の反射率を７０％、リア側の端面の反射率を９５％にす
ることができる。
端面コーティングが施されている。すなわち、図２に示
すように、共振器長方向に垂直な一対の共振器端面のう
ちレーザー光が取り出されるフロント側の端面にはＡｌ
2 Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とから成る多層膜がコーティ
ングされ、共振器長方向に垂直な一対の共振器端面のう
ちレーザー光が取り出されないリア側の端面にはＡｌ2
Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とを２周期積層した多層膜がコ
ーティングされている。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 膜１５とＳ
ｉ膜１６とから成る多層膜の厚さは、それに屈折率をか
けた光学的距離が、レーザー光の発振波長の１／４に等
しくなるように選ばれる。このような端面コーティング
が施されていることにより、例えば、フロント側の端面
の反射率を７０％、リア側の端面の反射率を９５％にす
ることができる。
【００２９】また、この半導体レーザーにおいては、活
性層５はｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単
一量子井戸構造を有し、そのｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層の厚さＷは、（６）式が成立するような厚さに
選ばれており、具体的には例えば１．５〜３ｎｍに選ば
れている。このため、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸
層中に生成される励起子は二次元化し、その結合エネル
ギーは、このｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層中のＬ
Ｏフォノンのエネルギー（ｈ／２π）ωLO（ただし、ω
LOはＬＯフォノンの角振動数）に比べて大きくなってい
る。
性層５はｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単
一量子井戸構造を有し、そのｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量
子井戸層の厚さＷは、（６）式が成立するような厚さに
選ばれており、具体的には例えば１．５〜３ｎｍに選ば
れている。このため、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸
層中に生成される励起子は二次元化し、その結合エネル
ギーは、このｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層中のＬ
Ｏフォノンのエネルギー（ｈ／２π）ωLO（ただし、ω
LOはＬＯフォノンの角振動数）に比べて大きくなってい
る。
【００３０】ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層
７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０９、またＳ組成比ｑは
例えば０．１８であり、そのときのエネルギーギャップ
Ｅg は７７Ｋで約２．９４ｅＶである。これらのＭｇ組
成比ｐ＝０．０９およびＳ組成比ｑ＝０．１８を有する
ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ
型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層７はＧａＡｓ
と格子整合する。また、活性層５を構成するｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層のＣｄ組成比ｚは例えば０．
１９であり、そのときのエネルギーギャップＥg は７７
Ｋで約２．５４ｅＶである。この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍ
ｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７と活性層５を構成するｉ型
Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層との間のエネルギーギャ
ップＥg の差ΔＥg は０．４０ｅＶである。なお、室温
でのエネルギーギャップＥg の値は、７７Ｋでのエネル
ギーギャップＥg の値から０．１ｅＶを引くことにより
求めることができる。
層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層
７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０９、またＳ組成比ｑは
例えば０．１８であり、そのときのエネルギーギャップ
Ｅg は７７Ｋで約２．９４ｅＶである。これらのＭｇ組
成比ｐ＝０．０９およびＳ組成比ｑ＝０．１８を有する
ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ
型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層７はＧａＡｓ
と格子整合する。また、活性層５を構成するｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層のＣｄ組成比ｚは例えば０．
１９であり、そのときのエネルギーギャップＥg は７７
Ｋで約２．５４ｅＶである。この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍ
ｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７と活性層５を構成するｉ型
Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層との間のエネルギーギャ
ップＥg の差ΔＥg は０．４０ｅＶである。なお、室温
でのエネルギーギャップＥg の値は、７７Ｋでのエネル
ギーギャップＥg の値から０．１ｅＶを引くことにより
求めることができる。
【００３１】この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層３の厚さは例えば０．８μｍであり、不
純物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ-3であ
る。ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４の厚さは例えば６０ｎｍで
あり、不純物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ
-3である。また、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の厚さは例え
ば６０ｎｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば５
×１０17ｃｍ-3である。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層７の厚さは例えば０．６μｍであり、不
純物濃度はＮA −ＮD で例えば２×１０17ｃｍ-3であ
る。ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さは例えば０．６μ
ｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17
ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９の厚さは例
えば４５ｎｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば
８×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
１の厚さは例えば７０ｎｍであり、不純物濃度はＮA −
ＮD で例えば１×１０19ｃｍ-3である。
1-q クラッド層３の厚さは例えば０．８μｍであり、不
純物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ-3であ
る。ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４の厚さは例えば６０ｎｍで
あり、不純物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ
-3である。また、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の厚さは例え
ば６０ｎｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば５
×１０17ｃｍ-3である。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層７の厚さは例えば０．６μｍであり、不
純物濃度はＮA −ＮD で例えば２×１０17ｃｍ-3であ
る。ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さは例えば０．６μ
ｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17
ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９の厚さは例
えば４５ｎｍであり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば
８×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
１の厚さは例えば７０ｎｍであり、不純物濃度はＮA −
ＮD で例えば１×１０19ｃｍ-3である。
【００３２】また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２の厚さ
は、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが格
子不整合が存在することから、この格子不整合に起因し
てこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層２およびその上の各層の
エピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止するた
めに、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも十分
に小さく選ばれるが、ここでは例えば３３ｎｍに選ばれ
る。
は、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが格
子不整合が存在することから、この格子不整合に起因し
てこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層２およびその上の各層の
エピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止するた
めに、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも十分
に小さく選ばれるが、ここでは例えば３３ｎｍに選ばれ
る。
【００３３】なお、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ク
ラッド層７上に積層されたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８
は、場合に応じて、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ク
ラッド層７に加えた第２のｐ型クラッド層としての機
能、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７との
格子整合をとる機能、ヒートシンク上へのレーザーチッ
プのマウントの際のチップ端面におけるはんだの這い上
がりによる短絡を防止するためのスペーサ層としての機
能などのうちの一または二以上の機能を有する。ｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７のＭｇ組成比ｐ
およびＳ組成比ｑとの兼ね合いもあるが、このｐ型Ｚｎ
Ｓv Ｓｅ1-v 層８のＳ組成比ｖは、０＜ｖ≦０．１、好
ましくは０．０６≦ｖ≦０．０８の範囲内に選ばれ、特
に、ｐ型Ｚｎ 1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７との
格子整合をとるために最適なＳ組成比ｖは０．０６であ
る。
ラッド層７上に積層されたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８
は、場合に応じて、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ク
ラッド層７に加えた第２のｐ型クラッド層としての機
能、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７との
格子整合をとる機能、ヒートシンク上へのレーザーチッ
プのマウントの際のチップ端面におけるはんだの這い上
がりによる短絡を防止するためのスペーサ層としての機
能などのうちの一または二以上の機能を有する。ｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７のＭｇ組成比ｐ
およびＳ組成比ｑとの兼ね合いもあるが、このｐ型Ｚｎ
Ｓv Ｓｅ1-v 層８のＳ組成比ｖは、０＜ｖ≦０．１、好
ましくは０．０６≦ｖ≦０．０８の範囲内に選ばれ、特
に、ｐ型Ｚｎ 1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７との
格子整合をとるために最適なＳ組成比ｖは０．０６であ
る。
【００３４】上述のｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１
０が設けられているのは、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９
とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１とを直接接合すると、
接合界面において価電子帯に大きな不連続が生じ、これ
がｐ側電極１３からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１に注
入される正孔に対する障壁となることから、この障壁を
実効的になくすためである。
０が設けられているのは、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９
とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１とを直接接合すると、
接合界面において価電子帯に大きな不連続が生じ、これ
がｐ側電極１３からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１に注
入される正孔に対する障壁となることから、この障壁を
実効的になくすためである。
【００３５】すなわち、ｐ型ＺｎＳｅ中のキャリア濃度
は通常は５×１０17ｃｍ-3程度が上限であり、一方、ｐ
型ＺｎＴｅ中のキャリア濃度は１０18ｃｍ-3以上とする
ことが可能である。また、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさは約０．５ｅＶ
である。このようなｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合の
価電子帯には、接合がステップ接合であると仮定する
と、ｐ型ＺｎＳｅ側に Ｗ´＝（２εφT ／ｑＮA ）1/2 (10) の幅にわたってバンドの曲がりが生じる。ここで、εは
ＺｎＳｅの誘電率、φTはｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさ（約０．５ｅ
Ｖ）を表す。
は通常は５×１０17ｃｍ-3程度が上限であり、一方、ｐ
型ＺｎＴｅ中のキャリア濃度は１０18ｃｍ-3以上とする
ことが可能である。また、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさは約０．５ｅＶ
である。このようなｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合の
価電子帯には、接合がステップ接合であると仮定する
と、ｐ型ＺｎＳｅ側に Ｗ´＝（２εφT ／ｑＮA ）1/2 (10) の幅にわたってバンドの曲がりが生じる。ここで、εは
ＺｎＳｅの誘電率、φTはｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ
界面における価電子帯の不連続の大きさ（約０．５ｅ
Ｖ）を表す。
【００３６】(10) 式を用いてこの場合のＷ´を計算す
ると、Ｗ´＝３２ｎｍとなる。このときに価電子帯の頂
上がｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面に垂直な方向に沿
ってどのように変化するかを示したのが図３である。た
だし、ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位
は価電子帯の頂上に一致すると近似している。図３に示
すように、この場合、ｐ型ＺｎＳｅの価電子帯はｐ型Ｚ
ｎＴｅに向かって、下（低エネルギー側）に曲がってい
る。この下に凸の価電子帯の変化は、ｐ側電極１３から
このｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合に注入された正孔
に対してポテンシャル障壁として働く。
ると、Ｗ´＝３２ｎｍとなる。このときに価電子帯の頂
上がｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面に垂直な方向に沿
ってどのように変化するかを示したのが図３である。た
だし、ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位
は価電子帯の頂上に一致すると近似している。図３に示
すように、この場合、ｐ型ＺｎＳｅの価電子帯はｐ型Ｚ
ｎＴｅに向かって、下（低エネルギー側）に曲がってい
る。この下に凸の価電子帯の変化は、ｐ側電極１３から
このｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ接合に注入された正孔
に対してポテンシャル障壁として働く。
【００３７】この問題は、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９
とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１との間にｐ型ＺｎＴｅ
／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０を設けることにより解決するこ
とができる。このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０
は具体的には例えば次のように設計される。
とｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１との間にｐ型ＺｎＴｅ
／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０を設けることにより解決するこ
とができる。このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０
は具体的には例えば次のように設計される。
【００３８】図４は、ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸層
の両側をｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層によりはさんだ構
造の単一量子井戸におけるｐ型ＺｎＴｅから成る量子井
戸の幅ＬW に対して第１量子準位Ｅ1 がどのように変化
するかを有限障壁の井戸型ポテンシャルに対する量子力
学的計算により求めた結果を示す。ただし、この計算で
は、量子井戸層および障壁層における電子の質量として
ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅ中の正孔の有効質量ｍ
h を想定して０．６ｍ0 を用い、また、井戸の深さは
０．５ｅＶとしている。
の両側をｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層によりはさんだ構
造の単一量子井戸におけるｐ型ＺｎＴｅから成る量子井
戸の幅ＬW に対して第１量子準位Ｅ1 がどのように変化
するかを有限障壁の井戸型ポテンシャルに対する量子力
学的計算により求めた結果を示す。ただし、この計算で
は、量子井戸層および障壁層における電子の質量として
ｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅ中の正孔の有効質量ｍ
h を想定して０．６ｍ0 を用い、また、井戸の深さは
０．５ｅＶとしている。
【００３９】図４より、量子井戸の幅ＬW を小さくする
ことにより、量子井戸内に形成される第１量子準位Ｅ1
を高くすることができることがわかる。ｐ型ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅＭＱＷ層１０はこのことを利用して設計され
る。
ことにより、量子井戸内に形成される第１量子準位Ｅ1
を高くすることができることがわかる。ｐ型ＺｎＴｅ／
ＺｎＳｅＭＱＷ層１０はこのことを利用して設計され
る。
【００４０】この場合、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界
面からｐ型ＺｎＳｅ側に幅Ｗ´にわたって生じるバンド
の曲がりは、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面からの距
離ｘ（図５）の二次関数 φ（ｘ）＝φT ｛１−（ｘ／Ｗ´）2 ｝ (11) で与えられる。従って、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層１０の設計は、(11)式に基づいて、ｐ型ＺｎＴｅから
成る量子井戸層のそれぞれに形成される第１量子準位Ｅ
1 がｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯の頂上
のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなるように
ＬW を段階的に変えることにより行うことができる。
面からｐ型ＺｎＳｅ側に幅Ｗ´にわたって生じるバンド
の曲がりは、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面からの距
離ｘ（図５）の二次関数 φ（ｘ）＝φT ｛１−（ｘ／Ｗ´）2 ｝ (11) で与えられる。従って、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層１０の設計は、(11)式に基づいて、ｐ型ＺｎＴｅから
成る量子井戸層のそれぞれに形成される第１量子準位Ｅ
1 がｐ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯の頂上
のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなるように
ＬW を段階的に変えることにより行うことができる。
【００４１】図５は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層
１０におけるｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層の幅ＬB を２
ｎｍとした場合の量子井戸幅Ｌw の設計例を示す。ここ
で、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９のアクセプタ濃度ＮA
は５×１０17ｃｍ-3とし、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
１のアクセプタ濃度ＮA は１×１０19ｃｍ-3としてい
る。図５に示すように、この場合には、合計で７個ある
量子井戸の幅Ｌw を、その第１量子準位Ｅ1 がｐ型Ｚｎ
Ｓｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位と一致するよう
に、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９からｐ型ＺｎＴｅコン
タクト層１１に向かってＬw ＝０．３ｎｍ、０．４ｎ
ｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍ、１．１ｎ
ｍ、１．７ｎｍと変化させている。
１０におけるｐ型ＺｎＳｅから成る障壁層の幅ＬB を２
ｎｍとした場合の量子井戸幅Ｌw の設計例を示す。ここ
で、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９のアクセプタ濃度ＮA
は５×１０17ｃｍ-3とし、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
１のアクセプタ濃度ＮA は１×１０19ｃｍ-3としてい
る。図５に示すように、この場合には、合計で７個ある
量子井戸の幅Ｌw を、その第１量子準位Ｅ1 がｐ型Ｚｎ
Ｓｅおよびｐ型ＺｎＴｅのフェルミ準位と一致するよう
に、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９からｐ型ＺｎＴｅコン
タクト層１１に向かってＬw ＝０．３ｎｍ、０．４ｎ
ｍ、０．５ｎｍ、０．６ｎｍ、０．８ｎｍ、１．１ｎ
ｍ、１．７ｎｍと変化させている。
【００４２】なお、量子井戸の幅Ｌw の設計に当たって
は、厳密には、それぞれの量子井戸の準位は相互に結合
しているためにそれらの相互作用を考慮する必要があ
り、また、量子井戸層と障壁層との格子不整合による歪
みの効果も取り入れなければならないが、多重量子井戸
の量子準位を図５のようにフラットに設定することは、
原理的に十分可能である。
は、厳密には、それぞれの量子井戸の準位は相互に結合
しているためにそれらの相互作用を考慮する必要があ
り、また、量子井戸層と障壁層との格子不整合による歪
みの効果も取り入れなければならないが、多重量子井戸
の量子準位を図５のようにフラットに設定することは、
原理的に十分可能である。
【００４３】図５において、ｐ型ＺｎＴｅに注入された
正孔は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０のそれぞ
れの量子井戸に形成された第１量子準位Ｅ1 を介して共
鳴トンネリングによりｐ型ＺｎＳｅ側に流れることがで
きるので、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面のポテンシ
ャル障壁は実効的になくなる。
正孔は、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０のそれぞ
れの量子井戸に形成された第１量子準位Ｅ1 を介して共
鳴トンネリングによりｐ型ＺｎＳｅ側に流れることがで
きるので、ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面のポテンシ
ャル障壁は実効的になくなる。
【００４４】次に、上述のように構成された図１および
図２に示す半導体レーザーの製造方法について説明す
る。
図２に示す半導体レーザーの製造方法について説明す
る。
【００４５】すなわち、図１および図２に示す半導体レ
ーザーを製造するには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、後述のような成長原料を用いたＭＢＥ法により、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層３、ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４、ｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る活性層５、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラ
ッド層７、ｐ型ＺｎＳvＳｅ1-v 層８、ｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１を順次エピタキシャ
ル成長させる。
ーザーを製造するには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、後述のような成長原料を用いたＭＢＥ法により、ｎ
型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層３、ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４、ｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る活性層５、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラ
ッド層７、ｐ型ＺｎＳvＳｅ1-v 層８、ｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１を順次エピタキシャ
ル成長させる。
【００４６】上述のＭＢＥ法によるエピタキシャル成長
においては、例えば、Ｚｎ原料としては純度９９．９９
９９％のＺｎを用い、Ｍｇ原料としては純度９９．９％
のＭｇを用い、Ｓ原料としては９９．９９９９％のＺｎ
Ｓを用い、Ｓｅ原料としては純度９９．９９９９％のＳ
ｅを用いる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｎ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層４のｎ型不純物としてのＣｌのドーピング
は、例えば純度９９．９９９９％のＺｎＣｌ2をドーパ
ントとして用いて行う。一方、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層
６、ｐ型Ｚｎ1-pＭｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７、ｐ
型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層１１のｐ型不純物としてのＮのドーピン
グは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）により発生さ
れたＮ2 プラズマを照射することにより行う。
においては、例えば、Ｚｎ原料としては純度９９．９９
９９％のＺｎを用い、Ｍｇ原料としては純度９９．９％
のＭｇを用い、Ｓ原料としては９９．９９９９％のＺｎ
Ｓを用い、Ｓｅ原料としては純度９９．９９９９％のＳ
ｅを用いる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｎ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層４のｎ型不純物としてのＣｌのドーピング
は、例えば純度９９．９９９９％のＺｎＣｌ2をドーパ
ントとして用いて行う。一方、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層
６、ｐ型Ｚｎ1-pＭｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７、ｐ
型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層１１のｐ型不純物としてのＮのドーピン
グは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）により発生さ
れたＮ2 プラズマを照射することにより行う。
【００４７】次に、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１上に
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さ方向の途中までウ
エットエッチング法によりエッチングする。これによっ
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０
およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１がストライプ形状
にパターニングされる。
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さ方向の途中までウ
エットエッチング法によりエッチングする。これによっ
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層９、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層１０
およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１１がストライプ形状
にパターニングされる。
【００４８】次に、上述のエッチングに用いたレジスト
パターンを残したまま全面にＡｌ2Ｏ3 膜を真空蒸着し
た後、このレジストパターンを、その上に形成されたＡ
ｌ2Ｏ3 膜とともに除去する（リフトオフ）。これによ
って、ストライプ部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v
層８上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜から成る絶縁層１２が形成さ
れる。
パターンを残したまま全面にＡｌ2Ｏ3 膜を真空蒸着し
た後、このレジストパターンを、その上に形成されたＡ
ｌ2Ｏ3 膜とともに除去する（リフトオフ）。これによ
って、ストライプ部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v
層８上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜から成る絶縁層１２が形成さ
れる。
【００４９】次に、ストライプ形状のｐ型ＺｎＴｅコン
タクト層１１および絶縁層１２の全面にＰｄ膜、Ｐｔ膜
およびＡｕ膜を順次真空蒸着してＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極
から成るｐ側電極１３を形成し、その後必要に応じて熱
処理を行って、このｐ側電極１３をｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層１１にオーミックコンタクトさせる。一方、ｎ型
ＧａＡｓ基板１の裏面にはＩｎ電極のようなｎ側電極１
４を形成する。
タクト層１１および絶縁層１２の全面にＰｄ膜、Ｐｔ膜
およびＡｕ膜を順次真空蒸着してＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極
から成るｐ側電極１３を形成し、その後必要に応じて熱
処理を行って、このｐ側電極１３をｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層１１にオーミックコンタクトさせる。一方、ｎ型
ＧａＡｓ基板１の裏面にはＩｎ電極のようなｎ側電極１
４を形成する。
【００５０】この後、以上のようにしてレーザー構造が
形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共
振器端面を形成した後、真空蒸着法により、フロント側
の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とから成る多層
膜を形成するとともに、リア側の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１
５とＳｉ膜１６とを２周期繰り返した多層膜を形成す
る。このように端面コーティングを施した後、このバー
を劈開してチップ化し、パッケージングを行う。
形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共
振器端面を形成した後、真空蒸着法により、フロント側
の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１５とＳｉ膜１６とから成る多層
膜を形成するとともに、リア側の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１
５とＳｉ膜１６とを２周期繰り返した多層膜を形成す
る。このように端面コーティングを施した後、このバー
を劈開してチップ化し、パッケージングを行う。
【００５１】以上のように、この一実施例によれば、ｉ
型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単一量子井戸
構造の活性層５の厚さが、この活性層５中に生成される
二次元励起子の結合エネルギーがこの活性層５中に生成
されるＬＯフォノンのエネルギーよりも大きくなるよう
に十分に小さく設定されているので、励起子を介したレ
ーザー発振が可能となり、これによってしきい値電流密
度の低減を図ることができる。
型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単一量子井戸
構造の活性層５の厚さが、この活性層５中に生成される
二次元励起子の結合エネルギーがこの活性層５中に生成
されるＬＯフォノンのエネルギーよりも大きくなるよう
に十分に小さく設定されているので、励起子を介したレ
ーザー発振が可能となり、これによってしきい値電流密
度の低減を図ることができる。
【００５２】そして、この一実施例によれば、短波長で
発光可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レーザー
を実現することが可能である。より具体的には、例え
ば、室温において連続発振可能な緑色発光の半導体レー
ザーを実現することが可能である。また、レーザー発振
に必要な印加電圧の低減を図ることも可能である。
発光可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レーザー
を実現することが可能である。より具体的には、例え
ば、室温において連続発振可能な緑色発光の半導体レー
ザーを実現することが可能である。また、レーザー発振
に必要な印加電圧の低減を図ることも可能である。
【００５３】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００５４】例えば、上述の一実施例においては、ＳＣ
Ｈ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適用
した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
Ｈ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適用
した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
【００５５】なお、上述の一実施例においては、化合物
半導体基板としてＧａＡｓ基板を用いているが、この化
合物半導体基板としては、例えばＧａＰ基板などを用い
てもよい。
半導体基板としてＧａＡｓ基板を用いているが、この化
合物半導体基板としては、例えばＧａＰ基板などを用い
てもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
活性層を構成する量子井戸層の厚さＷがＷ＜εｈ2 ／π
ｍeff ｅ2 が成立するように設定されているので、励起
子を介したレーザー発振が可能であり、これによって短
波長で発光可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レ
ーザーを実現することができる。
活性層を構成する量子井戸層の厚さＷがＷ＜εｈ2 ／π
ｍeff ｅ2 が成立するように設定されているので、励起
子を介したレーザー発振が可能であり、これによって短
波長で発光可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レ
ーザーを実現することができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザーの共
振器長方向に垂直な断面図である。
振器長方向に垂直な断面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体レーザーの共
振器長方向に平行な断面図である。
振器長方向に平行な断面図である。
【図３】ｐ型ＺｎＳｅ／ｐ型ＺｎＴｅ界面の近傍の価電
子帯を示すエネルギーバンド図である。
子帯を示すエネルギーバンド図である。
【図４】ｐ型ＺｎＴｅから成る量子井戸の幅Ｌw に対す
る量子井戸の第１量子準位Ｅ1の変化を示すグラフであ
る。
る量子井戸の第１量子準位Ｅ1の変化を示すグラフであ
る。
【図５】この一実施例による半導体レーザーにおけるｐ
型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層の設計例を示す略線図で
ある。
型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層の設計例を示す略線図で
ある。
【図６】励起子を概念的に示す略線図である。
【図７】励起子のエネルギー準位を示すエネルギーバン
ド図である。
ド図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ３ ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ４ ｎ型ＺｎＳｅ光導波層 ５ 活性層 ６ ｐ型ＺｎＳｅ光導波層 ７ ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ８ ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層 ９ ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層 １０ ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層 １１ ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層 １２ 絶縁層 １３ ｐ側電極 １４ ｎ側電極
Claims (3)
- 【請求項１】 単一量子井戸構造または多重量子井戸構
造の活性層を有し、上記活性層を構成する量子井戸層が
Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓz Ｓｅ1-z 系化合物半導体
（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）から
成る半導体レーザーであって、 上記量子井戸層の厚さをＷ、上記量子井戸層の誘電率を
ε、上記量子井戸層中に生成される励起子の換算有効質
量をｍeff 、電気素量をｅ、プランク定数をｈとしたと
き、 Ｗ＜εｈ2 ／πｍeff ｅ2 が成立することを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 上記量子井戸層がＺｎＳｅから成り、ク
ラッド層がＺｎ1-pＭｇp Ｓq Ｓｅ1-q 系化合物半導体
（ただし、０≦ｐ＜１、０≦ｑ＜１）から成ることを特
徴とする請求項２記載の半導体レーザー。 - 【請求項３】 Ｗ≦４ｎｍであることを特徴とする請求
項２記載の半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34964793A JPH07202318A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34964793A JPH07202318A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202318A true JPH07202318A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18405155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34964793A Pending JPH07202318A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2005259815A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Japan Science & Technology Agency | 酸化物量子井戸構造及びそれを用いた光デバイス |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP34964793A patent/JPH07202318A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2005259815A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Japan Science & Technology Agency | 酸化物量子井戸構造及びそれを用いた光デバイス |
| JP4543148B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-09-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 酸化物量子井戸構造及びそれを用いた光デバイス |
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