JPH0720219B2 - Driving method for photoelectric conversion device - Google Patents

Driving method for photoelectric conversion device

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JPH0720219B2
JPH0720219B2 JP60255027A JP25502785A JPH0720219B2 JP H0720219 B2 JPH0720219 B2 JP H0720219B2 JP 60255027 A JP60255027 A JP 60255027A JP 25502785 A JP25502785 A JP 25502785A JP H0720219 B2 JPH0720219 B2 JP H0720219B2
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photoelectric conversion
signal
dark voltage
conversion device
output
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逸男 大図
敏司 鈴木
明 石崎
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光電変換装置の駆動方法、詳しくは複数の光電
変換素子に光を照射して該複数の光電変換素子にキャリ
アを蓄積する工程と、蓄積されたキャリアに基づく光信
号を各光電変換素子から読み出す工程と、該複数の光電
変換素子に蓄積されたキャリアを除く為のリフレッシュ
動作を行う工程と、を含む光電変換装置の駆動方法に関
するものである。
The present invention relates to a method for driving a photoelectric conversion device, more specifically, a step of irradiating a plurality of photoelectric conversion elements with light and accumulating carriers in the plurality of photoelectric conversion elements. And a method for driving a photoelectric conversion device including a step of reading an optical signal based on the accumulated carriers from each photoelectric conversion element, and a step of performing a refresh operation for removing the carriers accumulated in the plurality of photoelectric conversion elements. It is a thing.

[従来技術] 従来、CCD、MOS等のイメージセンサを用いたTVカメラ、
SVカメラ等において絞り機能を持ったものがある。この
ようなオート絞り機能のあるTVカメラ、SVカメラ等を備
えている光電変換装置としては特開昭60−12759号公報
〜特開昭60−12765号公報に記載されている光電変換装
置がある。
[Prior Art] Conventionally, a TV camera using an image sensor such as CCD or MOS,
Some SV cameras have a diaphragm function. As photoelectric conversion devices equipped with such a TV camera and SV camera having an automatic aperture function, there are photoelectric conversion devices described in JP-A-60-12759 to JP-A-60-12765. .

この光電変換装置は半導体トランジスタの制御電極上に
キャリアを有している光センサセルを複数個配列した光
センサ部から成っている。
This photoelectric conversion device comprises an optical sensor section in which a plurality of optical sensor cells having carriers are arranged on a control electrode of a semiconductor transistor.

第3図は光電変換装置の回路図、第4図はそのタイミン
グチャートを示す図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of the photoelectric conversion device, and FIG. 4 is a diagram showing its timing chart.

これらの図において、光センサセル100・・・のキャパ
シタ電極101・・・は駆動ラインに共通に接続されてい
て、コレクタ電極102・・・は正電圧端子に共通に接続
されている。
In these figures, the capacitor electrodes 101 ... Of the optical sensor cells 100 ... Are commonly connected to the drive line, and the collector electrodes 102 ... Are commonly connected to the positive voltage terminal.

そして駆動端子は駆動ラインと接続されている。The drive terminal is connected to the drive line.

この駆動端子には、光センサセル100・・・を駆動する
ためのパルス信号が印加されるようになっており、光セ
ンサセル100・・・のエミッタ端子103・・・は垂直信号
ラインと接続され、リセット用のFET104・・・を介して
共通に接続されると共にアース端子GNDと接続されてい
る。
A pulse signal for driving the optical sensor cell 100 ... Is applied to the drive terminal, and the emitter terminal 103 ... Of the optical sensor cell 100 ... is connected to a vertical signal line. It is commonly connected through the reset FET 104 ... And is also connected to the ground terminal GND.

またFET104・・・のゲート電極はリセット端子に共通に
接続されている。
Further, the gate electrodes of the FETs 104 ... Are commonly connected to the reset terminal.

FET104・・・はスイッチング用の電界効果トランジスタ
である。
FET 104 ... Is a field effect transistor for switching.

垂直信号ラインは、FET105・・・を介して蓄積キャパシ
タ106・・・と接続されると共にFET107・・・のソース
電極とも接続されており、このFET107・・・のドレイン
電極は水平信号ラインに共通に接続され、FET105のゲー
ト電極は制御端子に共通に接続される。
The vertical signal line is connected to the storage capacitor 106 ... Through the FET 105 ... and also connected to the source electrode of the FET 107 ..., and the drain electrode of the FET 107 ... Is common to the horizontal signal line. And the gate electrode of the FET 105 is commonly connected to the control terminal.

またFET107のゲート電極は走査回路108の出力端子に接
続される。
The gate electrode of the FET 107 is connected to the output terminal of the scanning circuit 108.

水平信号ラインは、出力増幅器109を介して外部出力端
子と接続されると共にFET110を介してアース端子GNDと
も接続される。
The horizontal signal line is connected to the external output terminal via the output amplifier 109 and also connected to the ground terminal GND via the FET 110.

またFET110のゲート端子はリセット端子と接続されてい
る。
Further, the gate terminal of the FET 110 is connected to the reset terminal.

ここで用いているFET110は、水平ラインをリセットする
ための電界効果トランジスタである。
The FET 110 used here is a field effect transistor for resetting a horizontal line.

次に第3図の回路の駆動方法を第4図のタイミングチャ
ートにより説明する。
Next, the driving method of the circuit of FIG. 3 will be described with reference to the timing chart of FIG.

先ず、制御端子及びリセット端子を共にHレベルにす
る。するとリセット期間には蓄積キャパシタ106・・・
に蓄積された光信号がリセットされる。
First, both the control terminal and the reset terminal are set to H level. Then, during the reset period, the storage capacitor 106 ...
The optical signal stored in is reset.

そして光センサセル100・・・に蓄積されている光信号
の読出しは、制御端子がHレベル、リセット端子がLレ
ベルのとき、駆動端子に読出し用のパルス信号を印加す
ることにより、光信号が垂直信号ライン上に読出され
て、蓄積キャパシタ106・・・に光信号が蓄積される。
When the control terminal is at the H level and the reset terminal is at the L level, the pulse signal for reading is applied to the drive terminal to read out the optical signal accumulated in the optical sensor cells 100. The optical signal is read out on the signal line and stored in the storage capacitors 106 ...

このように読出し用のパルス信号がHレベルの時に光セ
ンサセル100・・・の読出しが開始し、所定期間経過後
には読出し用のパルス信号がLレベルになり読出しが終
了する。
In this way, the reading of the photosensor cells 100 ... Starts when the reading pulse signal is at the H level, and the reading pulse signal becomes the L level and the reading ends after a lapse of a predetermined period.

また制御端子がLレベル、リセット端子がHレベルの際
には、リフレッシュ動作状態となり、光センサセル100
・・・に蓄積された光信号が消去される。
When the control terminal is at the L level and the reset terminal is at the H level, the refresh operation state is set, and the optical sensor cell 100
The optical signal stored in ... Is erased.

そしてリフレッシュ用のパルス信号がLレベルになりリ
フレッシュ動作を終了する。
Then, the pulse signal for refresh becomes L level and the refresh operation is completed.

つまり、次に再び読出し動作状態になるまでの期間が光
センサセル100にキャリヤを蓄積する蓄積期間である。
That is, the period until the next read operation state is reached is the accumulation period for accumulating carriers in the photosensor cell 100.

また、走査回路108の各出力端子からのパルス信号は、
シフトつるタイミングに従ってFET107を順番にオンす
る。
The pulse signal from each output terminal of the scanning circuit 108 is
The FET 107 is sequentially turned on according to the shift timing.

この走査回路108の水平走査によって蓄積キャパシタ106
・・・に蓄えられている光信号がシリアルに水平ライン
上に読出され、出力増幅器109で増幅された後に外部出
力端子から出力される。
By the horizontal scanning of the scanning circuit 108, the storage capacitor 106
The optical signals stored in ... Are read serially on the horizontal line, amplified by the output amplifier 109, and then output from the external output terminal.

このように蓄積キャパシタ106・・・に蓄えられた全て
の光信号の読出しが終了すると、再び最初のリセット期
間に戻る。
When the reading of all the optical signals stored in the storage capacitors 106 ... Is completed in this way, the process returns to the first reset period again.

そして以上の動作が繰返し行なわれる。Then, the above operation is repeated.

[発明が解決しようとする問題点] 上述した光電変換装置の駆動方法においては、任意の蓄
積時間に光センサセル内で発生する暗電圧のバラツキの
ために、光センサセルから読出された出力信号に雑音が
含まれてしまうことがある。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described method for driving the photoelectric conversion device, the output signal read from the photosensor cell is noisy due to the variation of the dark voltage generated in the photosensor cell at any storage time. May be included.

このため従来から光センサセル内で発生する暗電流分に
相当する出力信号を事前にレファレンス光信号として外
部記憶装置に記憶し、このレファレンス光信号よりのレ
ファレンス出力信号と光センサセルから読出された実際
の光信号の出力信号を比較することによって補正を行な
い、暗電圧に起因する雑音成分を除去しようとしたもの
がある。
Therefore, conventionally, an output signal corresponding to the dark current generated in the photosensor cell is stored in advance in the external storage device as a reference light signal, and the reference output signal from this reference light signal and the actual read signal from the light sensor cell are read. There is a method in which correction is performed by comparing output signals of optical signals to remove a noise component due to dark voltage.

しかし、このような従来の光電変換装置においては、光
電変換装置のシステム化を図ろうとする場合に、別に外
部回路が必要となるためにシステムがより複雑化してし
まうという問題がある。
However, in such a conventional photoelectric conversion device, when attempting to systemize the photoelectric conversion device, there is a problem that the system becomes more complicated because an external circuit is separately required.

本発明はかかる実状に鑑みなされたもので、光電変換素
子から読出した光信号を蓄積する光信号蓄積手段と共に
光電変換素子から読出した暗電圧信号を蓄わえる暗電圧
信号蓄積手段を備え、前記光信号蓄積手段に蓄えられた
実際の光信号と、前記暗電圧信号蓄積手段に蓄えられた
暗電圧信号とを別個の出力ライン上に同時に読出すこと
によって、暗電圧分に相当する信号を光センサセルごと
に補正し、その出力信号の中から暗電圧のバラツキに起
因する雑音を除去することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a dark voltage signal storage unit that stores a dark voltage signal read from a photoelectric conversion element together with an optical signal storage unit that stores an optical signal read from a photoelectric conversion element, By simultaneously reading the actual optical signal stored in the optical signal storage means and the dark voltage signal stored in the dark voltage signal storage means on separate output lines, the signal corresponding to the dark voltage is optically read. The purpose is to correct for each sensor cell and remove the noise due to the variation of the dark voltage from the output signal.

[問題点を解決するための手段] 本発明は上記問題点を解決するために、複数の光電変換
素子に光を照射して該複数の光電変換素子にキャリアを
蓄積する工程と、 蓄積されたキャリアに基づく光信号を各光電変換素子か
ら読み出して光信号蓄積手段に蓄積する工程と、 該複数の光電変換素子に蓄積されたキャリアを除く為の
リフレッシュ動作を行う工程と、 該複数の光電変換素子を遮光した状態で各光電変換素子
から暗電圧信号を読み出して暗電圧信号蓄積手段に蓄積
する工程と、 該光信号蓄積手段及び該暗電圧信号蓄積手段から独立し
た複数の出力線に該光信号及び該暗電圧信号をそれぞれ
出力する工程と、 を含むことを特徴とする光電変換装置の駆動方法を提供
するものである。
[Means for Solving Problems] In order to solve the above problems, the present invention includes a step of irradiating a plurality of photoelectric conversion elements with light to accumulate carriers in the plurality of photoelectric conversion elements. A step of reading an optical signal based on the carrier from each photoelectric conversion element and accumulating it in the optical signal accumulating means; a step of performing a refresh operation for removing the carriers accumulated in the plurality of photoelectric conversion elements; A step of reading a dark voltage signal from each photoelectric conversion element in a state where the element is shielded and accumulating it in the dark voltage signal accumulating means; And a step of respectively outputting a signal and the dark voltage signal, and a method for driving a photoelectric conversion device, comprising:

[作用] 上記の方法によって、暗電圧信号蓄積手段に蓄えられた
暗電圧信号を別個の情報出力ライン上に同時に読出すと
共に暗電圧信号を光センサセルごとに補正し、出力信号
の中から暗電圧のバラツキに起因する雑音を除去する。
[Operation] According to the method described above, the dark voltage signal stored in the dark voltage signal storage means is simultaneously read on the separate information output lines, and the dark voltage signal is corrected for each photosensor cell. The noise caused by the variation of is removed.

従って、暗電圧分に相当する雑音をセンサ内で、処理す
ることができるため、外部回路等が必要とならず、シス
テム構成が平易にでき、低価格の光電変換装置を提供す
ることができる。
Therefore, since noise corresponding to the dark voltage can be processed in the sensor, an external circuit or the like is not required, the system configuration can be simplified, and a low-cost photoelectric conversion device can be provided.

[実施例] 以下、本発明の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説
明する。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明を用いた光電変換装置の一例を示す回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a photoelectric conversion device using the present invention.

この図において、符号1は光電変換素子である光センサ
セルで、この光センサセル1は一次元的に配列されてい
る。
In this figure, reference numeral 1 is a photosensor cell which is a photoelectric conversion element, and the photosensor cells 1 are arranged one-dimensionally.

光センサセル1のキャパシタ電極2は駆動ラインに共通
に接続されると共に駆動端子に接続されており、光セン
サセル1のコレクタ電極3は正電圧端子に共通に接続さ
れている。
The capacitor electrode 2 of the photosensor cell 1 is commonly connected to the drive line and is also connected to the drive terminal, and the collector electrode 3 of the photosensor cell 1 is commonly connected to the positive voltage terminal.

また光センサセル1のエミッタ電極4は、垂直ライン5
と接続されており、この垂直ライン5はFET6を介して共
通に接続され、FET6はアース端子7に接続される。
In addition, the emitter electrode 4 of the optical sensor cell 1 has a vertical line 5
The vertical line 5 is commonly connected via the FET 6, and the FET 6 is connected to the ground terminal 7.

前記FET6のゲート電極にはリセット端子が共通に接続さ
れている。
A reset terminal is commonly connected to the gate electrode of the FET 6.

また垂直ライン5にはFET8を介して、キャパシタ9とFE
T10のソース電極が接続されており、キャパシタ9はア
ースライン11を介してアース端子12が接続されている。
The vertical line 5 is connected to the capacitor 9 and FE via the FET 8.
The source electrode of T10 is connected, and the capacitor 9 is connected to the earth terminal 12 via the earth line 11.

キャパシタ9は光信号蓄積用のキャパシタである。The capacitor 9 is a capacitor for storing an optical signal.

FET10のゲート電極は走査回路13の出力端子14と接続さ
れ、FET10のドレイン電極は水平ライン15を介して出力
増幅器16と接続されている。この出力増幅器16の出力側
は外部出力端子17と接続され、外部出力端子17から出力
電圧が取出される。
The gate electrode of the FET 10 is connected to the output terminal 14 of the scanning circuit 13, and the drain electrode of the FET 10 is connected to the output amplifier 16 via the horizontal line 15. The output side of the output amplifier 16 is connected to the external output terminal 17, and the output voltage is taken out from the external output terminal 17.

またFET10のゲート電極はFET18のゲート電極とも接続さ
れており、FET18のドレイン電極は出力ライン19を介し
て出力増幅器20と接続されている。
The gate electrode of the FET 10 is also connected to the gate electrode of the FET 18, and the drain electrode of the FET 18 is connected to the output amplifier 20 via the output line 19.

この出力増幅器20の出力側は外部出力端子21と接続され
ていて、外部出力端子21から出力電圧が取出される。
The output side of the output amplifier 20 is connected to the external output terminal 21, and the output voltage is taken out from the external output terminal 21.

更にFET18のソース電極はFET22を介して垂直ライン5と
も接続されている。
Further, the source electrode of the FET 18 is also connected to the vertical line 5 via the FET 22.

本実施例では以上の他に、FET18のソース電極とFET22間
に垂直ライン23を介してキャパシタ24の一方の電極部が
接続され、キャパシタ24のもう一方の電極部は前記アー
スライン11に接続されている。
In addition to the above, in the present embodiment, one electrode portion of the capacitor 24 is connected between the source electrode of the FET 18 and the FET 22 through the vertical line 23, and the other electrode portion of the capacitor 24 is connected to the earth line 11. ing.

このキャパシタ24が暗電圧信号蓄積用のキャパシタであ
る。
This capacitor 24 is a capacitor for dark voltage signal storage.

次に本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

第2図のタイミング・チャート図に示すように、光セン
サセル1・・・には光照射蓄積期間における光蓄積動作
により、光量に応じた光信号を蓄積する。
As shown in the timing chart of FIG. 2, the optical sensor cells 1 ... Accumulate an optical signal according to the light amount by the optical accumulation operation in the light irradiation accumulation period.

先ず、光信号読出し期間になるまでの一定期間の間に、
光センサセル1・・・は光照射によりキャリヤの蓄積動
作をする。そして、リセット期間においては制御端子及
びリセット端子が共にHレベルとなり、キャパシタ9に
蓄えられた電荷をリセットする。
First, during the fixed period until the optical signal read-out period,
The photosensor cells 1 ... Accumulate carriers by light irradiation. Then, in the reset period, both the control terminal and the reset terminal become the H level, and the electric charge stored in the capacitor 9 is reset.

次に、制御端子をHレベル、リセット端子をLレベルと
して、駆動端子に読出し用のパルス電圧が印加される
と、光センサセル1・・・に蓄積された光情報は、垂直
ライン上に読出される。
Next, when the read terminal pulse voltage is applied to the drive terminal with the control terminal at the H level and the reset terminal at the L level, the optical information stored in the optical sensor cells 1 ... Is read out on the vertical line. It

そしてキャパシタ9に光信号が蓄積される。Then, the optical signal is stored in the capacitor 9.

光信号読出し期間終了後、リセット端子をHレベルにし
て駆動端子にリフレッシュ用のパルス電圧を印加すれ
ば、光センサセル1・・・がリフレッシュ状態となり、
光センサセル1・・・内に蓄積した光信号が消去する。
After the end of the optical signal reading period, if the reset terminal is set to the H level and the refresh pulse voltage is applied to the drive terminal, the optical sensor cells 1 ...
The optical signals accumulated in the optical sensor cells 1 ... Are erased.

リフレッシュ期間終了後には、光センサセル1・・・を
一時的に遮光し、遮光期間とする。
After the refresh period ends, the light sensor cells 1 ...

この際、光センサセル1・・・には暗状態において発生
する暗電圧の蓄積が行なわれる。ここで暗電圧蓄積期間
と光照射蓄積期間とが同じ時間になるように設定する。
At this time, the dark voltage generated in the dark state is accumulated in the photosensor cells 1 ... Here, the dark voltage accumulation period and the light irradiation accumulation period are set to be the same time.

次に、暗電圧読出し端子とリセット端子を共にHレベル
にすることによって、リセット期間中にキャパシタ24に
蓄えられた電荷をリセットする。
Next, by setting both the dark voltage read terminal and the reset terminal to the H level, the electric charge stored in the capacitor 24 during the reset period is reset.

光センサセル1・・・に蓄積された暗電圧信号は、暗電
圧読出し用端子をHレベル、リセット端子をLレベルと
し、駆動端子に読出し用のパルス電圧Erを印加し、垂直
ライン5上に読出す。
The dark voltage signal accumulated in the optical sensor cells 1 ... Is read on the vertical line 5 by setting the dark voltage read terminal to the H level and the reset terminal to the L level, applying the read pulse voltage Er to the drive terminal. put out.

このようにしてキャパシタ24に暗電圧信号が蓄積され
る。
In this way, the dark voltage signal is stored in the capacitor 24.

この暗電圧読出し期間終了後に、暗電圧読出用端子をL
レベル、リセット端子をHレベルとして、駆動端子にリ
フレッシュ用のパルス電圧E0を印加して、光センサセル
1・・・をリフレッシュ状態にする。
After the end of the dark voltage reading period, the dark voltage reading terminal is set to L.
The level and reset terminal are set to H level, and the pulse voltage E0 for refresh is applied to the drive terminal to bring the photosensor cells 1 ...

そして、ある一定時間経過後にリフレッシュ用のパルス
電圧をLレベルにすると、リフレッシュ期間が終了する
と共に遮光期間が終了し、さらにリセット端子をLレベ
ルにする。
When the refresh pulse voltage is set to the L level after a certain period of time, the refresh period ends and the light shielding period ends, and the reset terminal is set to the L level.

次に、走査回路13の出力端子14からの出力パルスがシフ
トするタイミングに従ってFET10、FET18を順次オンす
る。
Next, the FET 10 and the FET 18 are sequentially turned on according to the timing at which the output pulse from the output terminal 14 of the scanning circuit 13 shifts.

この水平走査によってキャパシタ9に蓄えられた光信号
が直列に水平ライン15上に読出される。また、この読出
しに同期して、暗電圧信号を出力ライン19上に読出す。
By this horizontal scanning, the optical signals stored in the capacitor 9 are serially read out on the horizontal line 15. Further, in synchronization with this reading, the dark voltage signal is read on the output line 19.

このように、水平ライン15上に読出された光信号は、出
力増幅器16を通して外部出力端子17に出力され、一方出
力ライン19上に読出された暗電圧信号は、出力増幅器20
を通して外部出力端子21に出力され、この外部出力端子
から出力電圧が取出される。
In this way, the optical signal read on the horizontal line 15 is output to the external output terminal 17 through the output amplifier 16, while the dark voltage signal read on the output line 19 is output by the output amplifier 20.
To the external output terminal 21, and the output voltage is taken out from this external output terminal.

そして一定期間後には水平走査期間が終了し、再びリセ
ット期間に戻り、それ以降は、以上の動作を繰り返し行
なう。
Then, after a fixed period, the horizontal scanning period ends, the reset period returns again, and thereafter, the above operation is repeated.

本実施例における光電変換装置は以上のように動作する
ため、暗電圧による雑音を除去するために、従来の光電
変換装置のような付加的な外部回路も必要とならず、シ
ステム構成が平易にできるから、低価格の光電変換装置
にしたいという要望にも応じることができるようにな
る。
Since the photoelectric conversion device in this embodiment operates as described above, an additional external circuit such as a conventional photoelectric conversion device is not required to remove noise due to dark voltage, and the system configuration is simple. Therefore, it becomes possible to meet the demand for a low-cost photoelectric conversion device.

尚、上記実施例においては、個別ライン上に同時に読出
された実際の光信号と、暗電圧信号を出力回路部25にお
いて出力増幅器16,20を用いて増幅し、外部に出力する
ようにしているが、このような構成に限定されず、出力
回路部25を差動増幅器等に置き換え、実際の光信号から
その中に含まれる暗電圧信号を差し引いた分の光信号を
外部に出力するようにしたものであってもよいことは言
うまでもない。
In the above embodiment, the actual optical signals simultaneously read on the individual lines and the dark voltage signal are amplified in the output circuit section 25 by using the output amplifiers 16 and 20 and output to the outside. However, the configuration is not limited to such a configuration, and the output circuit unit 25 is replaced with a differential amplifier or the like, and an optical signal corresponding to the actual optical signal minus the dark voltage signal contained therein is output to the outside. It goes without saying that it may be one that has been done.

また本実施例では、暗電圧蓄積期間と光照射期間とを同
時間に設定したがこれに限定されない。
Further, in this embodiment, the dark voltage accumulation period and the light irradiation period are set at the same time, but the present invention is not limited to this.

例えば光センサセル1・・・における暗電圧の発生量と
暗電圧蓄積時間との間の関係を有効に利用することによ
って、暗電圧蓄積時間を光照射時間より短かくし、出力
回路部25の出力増幅器16,20の利得を個々に調整したも
の、または蓄積用キャパシタ9・・・、24・・・の値を
調整することにより、上記実施例と同等の結果が得られ
るようにしたものであってもよいことは言うまでもな
い。
For example, by effectively utilizing the relationship between the dark voltage generation amount and the dark voltage storage time in the photosensor cells 1 ..., The dark voltage storage time is made shorter than the light irradiation time, and the output amplifier of the output circuit unit 25 is provided. The gains of 16 and 20 are individually adjusted, or the values of the storage capacitors 9 ..., 24 ... Are adjusted to obtain the same result as the above embodiment. It goes without saying that it is good.

更に本実施例では光センサセルを一次元的に並べたもの
について説明したがこれのみに限定されないことは言う
までもない。
Further, in the present embodiment, the one in which the photosensor cells are arranged one-dimensionally has been described, but it goes without saying that the present invention is not limited to this.

[発明の効果] 上記のように、複数の光電変換素子に光を照射して該複
数の光電変換素子にキャリアを蓄積する工程と、蓄積さ
れたキャリアに基づく光信号を各光電変換素子から読み
出して光信号蓄積手段に蓄積する工程と、該複数の光電
変換素子に蓄積されたキャリアを除く為のリフレッシュ
動作を行う工程と、該複数の光電変換素子を遮光した状
態で各光電変換素子から暗電圧信号を読み出して暗電圧
信号蓄積手段に蓄積する工程と、該光信号蓄積手段及び
該暗電圧信号蓄積手段から独立した複数の出力線に該光
信号及び該暗電圧信号をそれぞれ出力する工程と、を含
むようにしたため、光センサセルから読出した実際の光
信号を外部に出力する際に、その中に含む暗電圧に相当
する信号を光センサセルごとに補正し、出力信号の中か
ら暗電圧のバラツキに起因する雑音を除去することがで
きる。また、従来の駆動方法のように付加的な外部回路
を必要としないために、システム構成を平易にでき、経
済的な光電変換装置にしたいという要望にも応じること
ができる。
[Effects of the Invention] As described above, a step of irradiating a plurality of photoelectric conversion elements with light to accumulate carriers in the plurality of photoelectric conversion elements, and reading an optical signal based on the accumulated carriers from each photoelectric conversion element The photoelectric signal storage means, a step of performing a refresh operation for removing the carriers stored in the plurality of photoelectric conversion elements, and a step of darkening each photoelectric conversion element in a state where the plurality of photoelectric conversion elements are shielded from light. Reading the voltage signal and accumulating it in the dark voltage signal accumulating means; and outputting the optical signal and the dark voltage signal to a plurality of output lines independent of the optical signal accumulating means and the dark voltage signal accumulating means, respectively. Therefore, when outputting the actual optical signal read from the optical sensor cell to the outside, the signal corresponding to the dark voltage contained therein is corrected for each optical sensor cell, and It is possible to remove noise due to variations in dark voltage. Further, unlike the conventional driving method, an additional external circuit is not required, so that the system configuration can be simplified and it is possible to meet the demand for an economical photoelectric conversion device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明を用いた光電変換装置の一例を示す回路
図、第2図はそのタイミング・チャート図、第3図は光
電変換装置の回路図、第4図はそのタイミング・チャー
トを示すものである。 符号の説明 1は光電変換素子 2はキャパシタ電極 9は光情報蓄積手段 15,19は情報出力ライン 24は暗電圧蓄積手段
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a photoelectric conversion device using the present invention, FIG. 2 is a timing chart diagram thereof, FIG. 3 is a circuit diagram of a photoelectric conversion device, and FIG. 4 is a timing chart thereof. It is a thing. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 is a photoelectric conversion element 2 is a capacitor electrode 9 is an optical information storage means 15, 19 is an information output line 24 is a dark voltage storage means

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の光電変換素子に光を照射して該複数
の光電変換素子にキャリアを蓄積する工程と、 蓄積されたキャリアに基づく光信号を各光電変換素子か
ら読み出して光信号蓄積手段に蓄積する工程と、 該複数の光電変換素子に蓄積されたキャリアを除く為の
リフレッシュ動作を行う工程と、 該複数の光電変換素子を遮光した状態で各光電変換素子
から暗電圧信号を読み出して暗電圧信号蓄積手段に蓄積
する工程と、 該光信号蓄積手段及び該暗電圧信号蓄積手段から独立し
た複数の出力線に該光信号及び該暗電圧信号をそれぞれ
出力する工程と、 を含むことを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
1. A step of irradiating a plurality of photoelectric conversion elements with light to accumulate carriers in the plurality of photoelectric conversion elements, and an optical signal accumulating means for reading an optical signal based on the accumulated carriers from each photoelectric conversion element. And a step of performing a refresh operation for removing carriers accumulated in the plurality of photoelectric conversion elements, and reading a dark voltage signal from each photoelectric conversion element with the plurality of photoelectric conversion elements shielded. A step of accumulating in the dark voltage signal accumulating means, and a step of outputting the optical signal and the dark voltage signal to a plurality of output lines independent of the optical signal accumulating means and the dark voltage signal accumulating means, respectively. A method of driving a photoelectric conversion device, which is characterized.
【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の光電変換装置
の駆動方法において、前記光電変換素子はトランジスタ
であることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
2. The method for driving a photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a transistor.
【請求項3】特許請求の範囲第1項記載の光電変換装置
の駆動方法において、前記複数の出力線に設けられた増
幅器によって該光信号及び該暗電圧信号を増幅して出力
することを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
3. The method for driving a photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the optical signal and the dark voltage signal are amplified and output by an amplifier provided in the plurality of output lines. And a method for driving a photoelectric conversion device.
【請求項4】特許請求の範囲第1項記載の光電変換装置
の駆動方法において、前記複数の出力線に設けられた作
動増幅器によって、該光信号より該暗電圧信号を差し引
いた信号を出力することを特徴とする光電変換装置の駆
動方法。
4. A method of driving a photoelectric conversion device according to claim 1, wherein a signal obtained by subtracting the dark voltage signal from the optical signal is output by an operational amplifier provided in the plurality of output lines. A method for driving a photoelectric conversion device, comprising:
【請求項5】特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれか
に記載の光電変換装置の駆動方法において、走査回路に
より、前記光信号蓄積手段及び前記暗電圧信号蓄積手段
に蓄積された各光電変換素子毎の前記光信号及び前記暗
電圧信号を、前記複数の出力線に同時に出力することを
特徴とする光電変換装置の駆動方法。
5. A method for driving a photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 4, wherein the photoelectric signal storage means and the dark voltage signal storage means accumulate the light by a scanning circuit. A method of driving a photoelectric conversion device, wherein the optical signal and the dark voltage signal for each photoelectric conversion element are simultaneously output to the plurality of output lines.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0824352B2 (en) * 1986-02-10 1996-03-06 株式会社日立製作所 Solid-state imaging device
JP2669462B2 (en) * 1987-08-05 1997-10-27 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device
JP2583564B2 (en) * 1988-03-18 1997-02-19 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device
JP2531781B2 (en) * 1989-04-10 1996-09-04 キヤノン株式会社 Subtraction circuit
JP2798805B2 (en) * 1990-11-13 1998-09-17 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device and multi-chip sensor device using the same
SG70128A1 (en) * 1997-10-06 2000-01-25 Canon Kk Method of driving image sensor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52122038A (en) * 1976-04-07 1977-10-13 Toshiba Corp Fixed noise elimination of solid image sensor
DE2936703A1 (en) * 1979-09-11 1981-03-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München MONOLITHICALLY INTEGRATED CIRCUIT WITH A TWO-DIMENSIONAL IMAGE SENSOR
JPS5792983A (en) * 1980-11-28 1982-06-09 Fujitsu Ltd Solid-state image pickup device
JPS60199277A (en) * 1984-03-23 1985-10-08 Junichi Nishizawa Two-dimensional solid-state image pickup device
JPH0831991B2 (en) * 1984-04-17 1996-03-27 オリンパス光学工業株式会社 Solid-state imaging device

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