JPH0252475B2 - - Google Patents
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- JPH0252475B2 JPH0252475B2 JP55147999A JP14799980A JPH0252475B2 JP H0252475 B2 JPH0252475 B2 JP H0252475B2 JP 55147999 A JP55147999 A JP 55147999A JP 14799980 A JP14799980 A JP 14799980A JP H0252475 B2 JPH0252475 B2 JP H0252475B2
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた撮像装置に関す
るもので特に、入射光量に応じて信号レベルを制
御する撮像装置の駆動方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an imaging device using a charge transfer device, and more particularly to a method for driving an imaging device that controls a signal level according to the amount of incident light.
撮像装置の映像出力レベルを自動的に調整する
方法としては、映像信号によつて自動的にレンズ
の絞りを制御する方法がある。また電気的に信号
レベルを調整する方法としては、例えば特開昭51
−12724号（特願昭49−84490）「固体撮像装置」
に記載されているように、フレーム転送方式電荷
転送装置で、光電変換を行う電極に電圧を印加す
る時間を映像信号によつて可変することで、映像
信号レベルを調節する方法が提案されている。し
かしながらこのような従来の信号レベル調整法で
は、上記の自動絞りレンズのようにレンズの容量
が大きくなつたり、また機械的な部分をもつた
め、信頼性に乏しかつた。また上記の引用文献に
記載されている電気的に信号レベルを調節する例
では、信号電荷を蓄積する期間の前に発生した光
電変換電荷群が半導体基板内部に残留し、電荷蓄
積を開始する時点でこの残留電荷が信号と混合す
るため再生画像は著るしく劣化した。 As a method of automatically adjusting the video output level of an imaging device, there is a method of automatically controlling the aperture of a lens using a video signal. In addition, as a method of electrically adjusting the signal level, for example, JP-A-51
−12724 (Patent Application 1972-84490) “Solid-state imaging device”
As described in , a method has been proposed for adjusting the video signal level in a frame transfer type charge transfer device by varying the time period during which voltage is applied to the electrodes that perform photoelectric conversion depending on the video signal. . However, such conventional signal level adjustment methods lack reliability because the capacity of the lens becomes large like the above-mentioned automatic diaphragm lens, and it also includes mechanical parts. In addition, in the example of electrically adjusting the signal level described in the above cited document, the group of photoelectric conversion charges generated before the signal charge accumulation period remains inside the semiconductor substrate, and at the time when charge accumulation starts. Since this residual charge mixed with the signal, the reproduced image deteriorated significantly.
本発明は上記に述べた欠点をなくした映像信号
レベルを電気的に制御できる。新しい電荷転送撮
像装置の駆動方法を提供するものである。 The present invention can electrically control the video signal level without the above-mentioned drawbacks. A new method for driving a charge transfer imaging device is provided.
本発明によれば同一基板上に形成され、且つ同
一電極群で駆動できる電荷転送装置から成る複数
列の第１の垂直シフトレジスタ群と、前記第１の
垂直シフトレジスタに対応して配置される光電変
換素子群と、前記第１の垂直シフトレジスタと前
記光電変換素子群との間に信号電荷の読み出しを
制御するトランスフアゲートを配置してなる感光
領域と、前記各第１の垂直シフトレジスタの一端
に設けられた電荷吸収装置と、前記第１の垂直シ
フトレジスタの他の一端に設けられた第２の垂直
シフトレジスタ群と、前記第２の垂直シフトレジ
スタの他の一端に設けられた電荷転送水平シフト
レジスタからなり、前記光電変換素子に蓄えられ
た信号電荷を対応する前記第１の垂直シフトレジ
スタへ読み出した後、前記信号電荷を第２の垂直
シフトレジスタへ転送し、その後前記第２の垂直
シフトレジスタの信号電荷を順次前記水平シフト
レジスタへ転送し映像信号として外部に取り出す
固体撮像装置の駆動方法であつて、前記第２の垂
直シフトレジスタから水平シフトレジスタへ信号
電荷を転送している期間のうち映像信号のレベル
に応じた期間だけ前記トランスフアゲートを開い
て前記光電変換素子で発生した電荷を前記第１の
垂直シフトレジスタへ移し、この電荷を前記電荷
吸収装置へ向けて転送し、残りの期間を蓄積期間
とすることで映像出力レベルを調整することを特
徴とする電荷転送装置の駆動方法が得られる。 According to the present invention, a plurality of columns of first vertical shift register groups are formed on the same substrate and are formed of charge transfer devices that can be driven by the same electrode group, and are arranged corresponding to the first vertical shift registers. a photosensitive region including a group of photoelectric conversion elements, a transfer gate for controlling readout of signal charges arranged between the first vertical shift register and the group of photoelectric conversion elements, and each of the first vertical shift registers; a charge absorption device provided at one end; a second vertical shift register group provided at the other end of the first vertical shift register; and a charge absorption device provided at the other end of the second vertical shift register. The transfer horizontal shift register is configured to read out the signal charge stored in the photoelectric conversion element to the corresponding first vertical shift register, then transfer the signal charge to the second vertical shift register, and then transfer the signal charge to the second vertical shift register. A driving method for a solid-state imaging device in which signal charges of a vertical shift register are sequentially transferred to the horizontal shift register and taken out as a video signal to the outside, the signal charges being transferred from the second vertical shift register to the horizontal shift register. The transfer gate is opened for a period corresponding to the level of the video signal within the period during which the charge generated in the photoelectric conversion element is transferred to the first vertical shift register, and this charge is transferred toward the charge absorption device. , a method for driving a charge transfer device is obtained, which is characterized in that the video output level is adjusted by setting the remaining period as an accumulation period.
次に本発明の一実施例について図面を用いて説
明する。 Next, one embodiment of the present invention will be described using the drawings.
第１図は本発明の電荷転送撮像の駆動方法を説
明するための撮像装置の構成模式図、第２図は本
発明の駆動方法を説明するためのブロツク図、第
３図は第１図、第２図の駆動を説明するためトラ
ンスフアゲートパルス及び垂直シフトレジスタパ
ルスの波形を示すものである。 FIG. 1 is a schematic diagram of the configuration of an imaging device for explaining the driving method for charge transfer imaging of the present invention, FIG. 2 is a block diagram for explaining the driving method of the present invention, and FIG. 3 is the same as that shown in FIG. In order to explain the driving of FIG. 2, waveforms of a transfer gate pulse and a vertical shift register pulse are shown.
説明を簡単にするために本発明の実施例はＮチ
ヤネル電荷転送装置を用いて説明する。 For ease of explanation, embodiments of the invention will be described using an N-channel charge transfer device.
第１図において、１１は例えば基板半導体とｐ
−ｎ接合を形成してなる光電変換部、１２は列状
に配置されている第１の垂直シフトレジスタ群で
図示してないが同一の電荷転送電極群で駆動され
る。第１の垂直シフトレジスタ群１２の一端（第
１図の上方）には例えば基板と反対の導電型から
なる電荷転送吸収装置１３が設けられている。第
１の垂直シフトレジスタ群１２の一側（第１図の
左側）と、それに対応する光電変換部１１の間に
は、光電変換部１１で蓄積した信号電荷群を、第
１の垂直シフトレジスタ１２に読み出す動作を制
御するトランスフアゲート電極１４が配置されて
いる。この光電変換部１１、第１の垂直シフトレ
ジスタ１２、トランスフアゲート電極１４を含む
領域を感光領域１５と呼ぶことにする。 In FIG. 1, 11 is, for example, a substrate semiconductor and p
The photoelectric conversion section 12 formed by forming a -n junction is a first vertical shift register group arranged in a column, and is driven by the same charge transfer electrode group (not shown). At one end of the first vertical shift register group 12 (in the upper part of FIG. 1), a charge transfer/absorption device 13 made of, for example, a conductivity type opposite to that of the substrate is provided. Between one side of the first vertical shift register group 12 (on the left side in FIG. 1) and the corresponding photoelectric conversion section 11, a group of signal charges accumulated in the photoelectric conversion section 11 is transferred to the first vertical shift register group 12. A transfer gate electrode 14 is arranged at 12 to control the read operation. The region including the photoelectric conversion section 11, the first vertical shift register 12, and the transfer gate electrode 14 will be referred to as a photosensitive region 15.
感光領域１５の第１垂直シフトレジスタ群１２
の他の一端（第１図の下方）には、第１の垂直シ
フトレジスタと電気的に結合された第２の垂直シ
フトレジスタ群１６が配置されている。 First vertical shift register group 12 in photosensitive area 15
At the other end (lower side in FIG. 1), a second vertical shift register group 16 electrically coupled to the first vertical shift register is arranged.
第２垂直シフトレジスタ１６の電荷転送段数は
第１の垂直シフトレジスタ１２の段数と等しいか
それより少し多い電荷転送装置で構成され、第１
の垂直シフトレジスタ同様図示してないが同一電
荷転送電極群で駆動される。また第２の垂直シフ
トレジスタ群１６には対応する光電変換部、およ
びトランスフアゲートがないため感光領域１５と
比較すると水平方向に余裕がある、従つて第１の
垂直シフトレジスタ１２と同量の電荷量を転送す
ると仮定すると、電荷転送方向に短かく達成でき
る。この第２の垂直シフトレジスタ群１６を含む
領域を記憶領域１７と呼ぶことにする。 The number of charge transfer stages of the second vertical shift register 16 is equal to or slightly larger than the number of stages of the first vertical shift register 12;
Although not shown, like the vertical shift register, it is driven by the same group of charge transfer electrodes. Furthermore, since the second vertical shift register group 16 does not have a corresponding photoelectric conversion section or transfer gate, it has a margin in the horizontal direction compared to the photosensitive area 15, and therefore has the same amount of charge as the first vertical shift register 12. Assuming that the amount is transferred, this can be achieved in short in the charge transfer direction. The area including this second vertical shift register group 16 will be referred to as a storage area 17.
さらに記憶領域１７の第２の垂直シフトレジス
タ群１６の他の一端（第１図の下方）には第２の
垂直シフトレジスタ１６と電気的に結合した水平
シフトレジスタ１８が配置されており、また水平
シフトレジスタ１８の一端には信号電荷を検出す
る、電荷検出部１９が配置されており、ここから
外部に映像信号として取り出される。 Furthermore, a horizontal shift register 18 electrically coupled to the second vertical shift register 16 is arranged at the other end of the second vertical shift register group 16 in the storage area 17 (lower part in FIG. 1). A charge detection section 19 for detecting signal charges is arranged at one end of the horizontal shift register 18, and the signal charges are taken out from there as a video signal.
第２図に示す本発明の実施例を説明するための
ブロツク図で、２０は、第１図に示す電荷転送撮
像装置で、２１は第１図の１５に対応する感光
部、２２は１７に対応する記憶部、２３は１８に
対応する水平シフトレジスタ部である。水平シフ
トレジスタ２３から映像信号２４が得られる。さ
らに２５は撮像装置２０を駆動するための駆動パ
ルス発生器で、撮像装置２０を駆動する電源も含
まれている。映像信号２４は映像増巾回路２６で
増巾された後、端子２７から映像信号処理回路へ
接続される。一方増巾回路２６からの信号２８
は、例えば映像信号レベルを１フイールド期間内
で平均化する積分回路２９から導かれ積分信号３
０を得る。３１はこの積分された信号３０の積分
最終値を検出し、この信号とパルス発生回路から
の同期信号３２との演算により、トランスフアゲ
ートのパルス巾を決定する情報３３を発生するた
めの装置である。この情報パルス３３はパルス発
生器２５から出力される元のトランスフアゲート
パルス３４とゲート回路部３５で演算され新たな
トランスフアゲートパルス３６を発生させるもの
である。 2 is a block diagram for explaining the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, 20 is the charge transfer imaging device shown in FIG. 1, 21 is a photosensitive section corresponding to 15 in FIG. The corresponding storage section 23 is a horizontal shift register section corresponding to 18. A video signal 24 is obtained from the horizontal shift register 23. Further, 25 is a drive pulse generator for driving the imaging device 20, which also includes a power source for driving the imaging device 20. The video signal 24 is amplified by a video amplification circuit 26 and then connected from a terminal 27 to a video signal processing circuit. On the other hand, the signal 28 from the amplification circuit 26
is an integral signal 3 derived from an integrating circuit 29 that averages the video signal level within one field period, for example.
Get 0. 31 is a device for detecting the final integrated value of this integrated signal 30 and generating information 33 for determining the pulse width of the transfer gate by calculating this signal and a synchronizing signal 32 from the pulse generating circuit. . This information pulse 33 is calculated with the original transfer gate pulse 34 outputted from the pulse generator 25 in the gate circuit section 35 to generate a new transfer gate pulse 36.
次に第３図の駆動パルス波形及び第１図、第２
図を用いて、詳細な動作を説明する。 Next, the drive pulse waveform in Fig. 3 and Fig. 1, 2
The detailed operation will be explained using figures.
第３図は本発明の実施例を説明するための駆動
パルス波形でトランスフアゲートパルス３７、及
び感光部の垂直シフトレジスタ転送パルスの一相
分が図示されている。 FIG. 3 is a drive pulse waveform for explaining an embodiment of the present invention, and shows a transfer gate pulse 37 and one phase of a vertical shift register transfer pulse for the photosensitive section.
期間t1でトランスフアゲートの電位が高レベル
になると、感光素子１１で蓄えられていた信号電
荷は対応する第１の垂直シフトレジスタ１２へ読
み出される。この信号電荷は期間t2で第２垂直シ
フトレジスタ１６へ高速で転送される。この期間
t2ではトランスフアゲートの電位は低レベルにな
つており、感光部１１と第１の垂直シフトレジス
タ１２は電気的に分離される。従つて光電変換さ
れた信号電荷は、期間t2で光電変換素子が過飽和
になるような光が照射されない限り、第１、第２
の垂直シフトレジスタへ漏れ込まない。このよう
にして完全に第２の垂直シフトレジスタへ転送さ
れた信号電荷は、期間t3，t4，t5で水平シフトレ
ジスタ１８に１行毎並列に転送され、検出部１９
から映像信号として外部へ取り出される。一方時
刻t3，t4，t5における第１の垂直シフトレジスタ
１２は逆方向、すなわち電荷吸収装置１３に向つ
て電荷転送が行なわれるように転送パルスが印加
される。またトランスフアゲートパルス３７は、
期間t3で再び高レベルになる。トランスフアゲー
トの電位が高レベルになると、期間t2で蓄えられ
た信号電荷は第１の垂直シフトレジスタ１２へ掃
き出される。その後期間t3でトランスフアゲート
の電位が高レベルに保たれているため、この期間
光電変換部１１で発生した電荷は、トランスフア
ゲートを介して第１垂直シフトレジスタ１２へ流
れ出し、この電荷は電荷吸収装置１３に転送され
てゆく。この様に不必要な電荷は信号電荷と分離
されて電荷吸収装置から外部に掃き出されるた
め、従来例のように蓄積時間以外で発生した電荷
が信号に漏れ込むことがない。期間t4でトランス
フアゲートパルスの電位が再び低レベルになる
と、次にトランスフアゲート電位が高レベルにな
る期間t1までのtR期間信号電荷の蓄積が行なわれ
る。 When the potential of the transfer gate becomes high level in period t 1 , the signal charge stored in the photosensitive element 11 is read out to the corresponding first vertical shift register 12 . This signal charge is transferred at high speed to the second vertical shift register 16 during period t2 . this period
At t2 , the potential of the transfer gate is at a low level, and the photosensitive section 11 and the first vertical shift register 12 are electrically isolated. Therefore, the photoelectrically converted signal charges are not irradiated with light that would oversaturate the photoelectric conversion element during period t2 .
does not leak into the vertical shift register. The signal charges completely transferred to the second vertical shift register in this way are transferred row by row to the horizontal shift register 18 in parallel in periods t 3 , t 4 , and t 5 , and are transferred to the detection unit 19 in parallel.
is extracted to the outside as a video signal. On the other hand, a transfer pulse is applied to the first vertical shift register 12 at times t 3 , t 4 , and t 5 so that charge is transferred in the opposite direction, that is, toward the charge absorption device 13 . Further, the transfer gate pulse 37 is
It becomes high level again in period t 3 . When the potential of the transfer gate becomes high level, the signal charges accumulated during period t 2 are swept out to the first vertical shift register 12 . Thereafter, in period t3 , the potential of the transfer gate is kept at a high level, so the charge generated in the photoelectric conversion unit 11 during this period flows out to the first vertical shift register 12 via the transfer gate, and this charge is absorbed by the charge absorber. The data is transferred to the device 13. In this way, unnecessary charges are separated from signal charges and swept out from the charge absorption device, so charges generated outside the accumulation time do not leak into the signal as in the conventional example. When the potential of the transfer gate pulse becomes low level again in period t4 , signal charges are accumulated for a period tR until the next period t1 when the transfer gate potential becomes high level.
一般に光電変換部１１で蓄積される信号電荷量
は、入射光の強度と蓄積時間tRの積で表わされ
る。従つて入射光量の変化により蓄積時間tRを制
御することにより常に蓄積電荷量（出力信号）を
一定にすることができる。これは入射光量に応じ
てレンズの絞りを可変することと同様な機能であ
る。 Generally, the amount of signal charge accumulated in the photoelectric conversion section 11 is expressed as the product of the intensity of incident light and the accumulation time tR . Therefore, by controlling the accumulation time tR according to changes in the amount of incident light, the amount of accumulated charge (output signal) can be kept constant at all times. This function is similar to changing the aperture of a lens depending on the amount of incident light.
映像信号から電荷蓄積時間tRを制御する方法と
しては、例えば積分回路２９で１フイールド間
（１水平期間、１フレーム期間でも良い）の信号
を積分し、積分周期の最終値をホールドする。こ
のホールドされた電位と、例えばパルス発生器２
５から得る、一フイールド期間の鋸歯状波波形３
２と比較演算により、蓄積時間を設定する時間tR
の情報３３を得ることができる。この比較回路か
らの出力３３とパルス発生器２５から出力され
る、トランスフアゲートパルス３４との演算によ
り演算回路３５から新しいトランスフアゲートパ
ルス３６を発生することができる。 As a method of controlling the charge accumulation time t R from the video signal, for example, the integration circuit 29 integrates the signal for one field (one horizontal period or one frame period is also acceptable) and holds the final value of the integration period. This held potential and, for example, a pulse generator 2
Sawtooth waveform 3 for one field period obtained from 5.
2 and comparison operation, set the accumulation time t R
information 33 can be obtained. By calculating the output 33 from this comparison circuit and the transfer gate pulse 34 output from the pulse generator 25, a new transfer gate pulse 36 can be generated from the arithmetic circuit 35.
上記に述べた実施例では、トランスフアゲート
の低レベル時間すなわち電荷蓄積時間tRの開始時
刻の可変範囲は期間t3，t4の間で任意に設定でき
る。しかしトランスフアゲートパルスの立下りが
有効映像期間内にあると、トランスフアゲートパ
ルスの誘導信号が映像信号に漏れ込むため好まし
くない。他の実施例としては、映像信号の積分出
力と１フイールドの鋸歯状波パルス３２の信号を
演算する比較回路３１の一方の入力である１フイ
ールド鋸歯状波波形３２を１水平期間毎の階段波
にすることによりトランスフアゲートパルスの立
下り時間（波形３３の期間t3とt4の境界）を水平
ブランキング期間に設定することが可能になり上
記の欠点であつた映像有効期間にトランスフアゲ
ートパルスの誘導もれ込がない駆動方法が得られ
る。 In the embodiment described above, the variable range of the start time of the low level time of the transfer gate, that is, the charge accumulation time t R , can be set arbitrarily between the periods t 3 and t 4 . However, if the fall of the transfer gate pulse is within the effective video period, the induced signal of the transfer gate pulse will leak into the video signal, which is undesirable. As another embodiment, the 1-field sawtooth waveform 32, which is one input of the comparison circuit 31 that calculates the integrated output of the video signal and the signal of the 1-field sawtooth wave pulse 32, is converted into a staircase waveform for each horizontal period. By doing so, it is possible to set the fall time of the transfer gate pulse (the boundary between periods t 3 and t 4 of waveform 33) to the horizontal blanking period. A driving method without induction leakage can be obtained.
映像出力レベルの検知方法としては、撮像装置
以外の別の光電変換素子を用いても良く、また映
像信号の積分レベルを検出する手段としては映像
信号の高域成分を除去した信号を積分しても良
い。 As a method for detecting the video output level, a photoelectric conversion element other than the imaging device may be used, and as a means for detecting the integral level of the video signal, a signal obtained by removing high-frequency components of the video signal may be integrated. Also good.
第１図は本発明の駆動方法を説明するための電
荷転送装置を示す構成模式図で、第２図は本発明
による電荷転送装置の駆動方法を説明するための
ブロツク図、第３図は、第１図、第２図の動作を
説明するためのトランスフアゲートパルス、及び
垂直転送パルス波形を示す。
１１は光電変換素子、１２は第１垂直シフトレ
ジスタ、１３は電荷吸収装置、１４はトランスフ
アゲート、１６は第２垂直シフトレジスタ、１８
は水平シフトレジスタ、２０は電荷転送撮像装
置、２６は映像増巾回路、２９は映像信号積分回
路、３１は例えば比較回路、３５はゲート回路を
示す。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a charge transfer device for explaining the driving method of the present invention, FIG. 2 is a block diagram for explaining the driving method of the charge transfer device according to the present invention, and FIG. 2 shows transfer gate pulse and vertical transfer pulse waveforms for explaining the operations of FIGS. 1 and 2. FIG. 11 is a photoelectric conversion element, 12 is a first vertical shift register, 13 is a charge absorption device, 14 is a transfer gate, 16 is a second vertical shift register, 18
20 is a horizontal shift register, 20 is a charge transfer imaging device, 26 is a video amplification circuit, 29 is a video signal integration circuit, 31 is, for example, a comparison circuit, and 35 is a gate circuit.
Claims (1)
動する電荷転送装置から成る複数列の第１の垂直
シフトレジスタ群と、前記第１の垂直シフトレジ
スタに対応し配置される光電変換素子群と、前記
第１の垂直シフトレジスタと前記光電変換素子群
との間に信号電荷の読み出しを制御するトランス
フアゲートを配置してなる感光領域と、前記各第
１の垂直シフトレジスタの一端に設けられた電荷
吸収装置と、前記第１の垂直シフトレジスタの他
の一端に設けられた第２の垂直シフトレジスタ群
と、前記第２の垂直シフトレジスタ群の他の一端
に設けられた電荷転送水平シフトレジスタからな
り、前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を対
応する前記第１の垂直シフトレジスタへ読み出し
た後、前記信号電荷を第２の垂直シフトレジスタ
へ転送し、その後前記第２の垂直シフトレジスタ
の信号電荷を順次前記水平シフトレジスタへ転送
し映像信号として外部に取り出す固体撮像装置の
駆動方法であつて、前記第２の垂直シフトレジス
タから水平シフトレジスタへ信号電荷を転送して
いる期間のうち映像信号のレベルに応じた期間だ
け前記トランスフアゲートを開いて前記光電変換
素子で発生した電荷を前記第１の垂直シフトレジ
スタへ移し、この電荷を前記電荷吸収装置へ向け
て転送し、残りの期間を蓄積期間とすることで映
像出力レベルを調整することを特徴とする電荷転
送撮像装置の駆動方法。1. A plurality of rows of first vertical shift register groups formed on the same substrate and consisting of charge transfer devices driven by the same electrode group, and a group of photoelectric conversion elements arranged corresponding to the first vertical shift registers. , a photosensitive region including a transfer gate for controlling readout of signal charges arranged between the first vertical shift register and the photoelectric conversion element group; and a photosensitive region provided at one end of each of the first vertical shift registers. a charge absorption device, a second vertical shift register group provided at the other end of the first vertical shift register group, and a charge transfer horizontal shift register provided at the other end of the second vertical shift register group. After reading the signal charge stored in the photoelectric conversion element to the corresponding first vertical shift register, the signal charge is transferred to the second vertical shift register, and then the signal charge is transferred to the second vertical shift register. A method for driving a solid-state imaging device in which signal charges are sequentially transferred to the horizontal shift register and taken out as video signals, wherein the signal charges are transferred from the second vertical shift register to the horizontal shift register. The transfer gate is opened for a period corresponding to the level of the video signal to transfer the charge generated in the photoelectric conversion element to the first vertical shift register, and this charge is transferred to the charge absorption device for the remaining period. A method for driving a charge transfer imaging device, characterized in that a video output level is adjusted by setting a storage period to .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55147999A JPS5772473A (en) | 1980-10-22 | 1980-10-22 | Driving method for charge transfer image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55147999A JPS5772473A (en) | 1980-10-22 | 1980-10-22 | Driving method for charge transfer image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS5772473A JPS5772473A (en) | 1982-05-06 |
| JPH0252475B2 true JPH0252475B2 (en) | 1990-11-13 |
Family
ID=15442842
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Country Status (1)
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| JP (1) | JPS5772473A (en) |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5552675A (en) * | 1978-10-14 | 1980-04-17 | Toshiba Corp | Solid state pickup device |
-
1980
- 1980-10-22 JP JP55147999A patent/JPS5772473A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552675A (en) * | 1978-10-14 | 1980-04-17 | Toshiba Corp | Solid state pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5772473A (en) | 1982-05-06 |
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