JPH07201815A - エッチング終点判定方法 - Google Patents

エッチング終点判定方法

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JPH07201815A
JPH07201815A JP33495293A JP33495293A JPH07201815A JP H07201815 A JPH07201815 A JP H07201815A JP 33495293 A JP33495293 A JP 33495293A JP 33495293 A JP33495293 A JP 33495293A JP H07201815 A JPH07201815 A JP H07201815A
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Japan
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etching
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JP33495293A
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English (en)
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Hidenori Takei
秀則 武居
Hitoaki Sato
仁昭 佐藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】エッチング中の発光スペクトル強度に乗ったノ
イズによるエッチング終点の誤判定を防止する。 【構成】発光スペクトル強度の二次微分値がしきい値を
越えから、その後ゼロになるまでの時間が予め設定して
いる時間より長ければエッチング終点とみなす。 【効果】プラズマ処理中の発光スペクトル強度にパルス
状のノイズが発生してもノイズによるエッチング終点の
誤判定はせず、正常にエッチング終点が判定できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング終点判定方法
に係り、特にガスプラズマを用いたエッチング処理の終
点を発光分光法により検出するのに好適なエッチング終
点判定方法である。
【0002】
【従来の技術】従来のエッチング終点判定方法は、特開
昭59−94423号公報に記載のように、処理室の発
光強度を時間で二次微分し、二次微分値がある設定され
たしきい値と、同符号で、かつ二次微分値の絶対値がし
きい値の絶対値を越えた時点もしくは、その後に値がゼ
ロになった時点を終点とし、判定する方法があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
処理室の発光強度信号にパルス状のノイズが乗った場合
たとえば、電力の瞬時停電、不安定等でプラズマ状態が
変化し瞬間的にプラズマの発光量が低下する等により、
発光強度信号にパルス状のノイズが乗った場合に、その
ノイズを二次微分した結果、ノイズの大きさによっては
二次微分値が判定条件を見たしてしまい、実際の終点よ
り前のエッチング途中で終点判定を行なってしまうとい
う問題があった。また、2層膜すなわち、重なりあった
異なった種類の膜を続けてエッチングするとき、ある一
つの周波数の発光スペクトルを取り込み終点判定をさせ
た場合、それぞれの膜に対し発光スペクトル強度の絶対
値が異なるためそれにともなって発光スペクトル強度の
二次微分値も変化し、終点判定しようとする膜の前に異
なる膜の発光スペクトル強度の二次微分値が判定条件を
満足してしまい判定しようとする膜の終点判定ができな
いという問題があった。
【0004】本発明の目的は、パルス状のノイズなどに
よる終点判定の誤判定を無くすことのできるエッチング
終点判定方法を提供することにある。
【0005】本発明の他目的は、多層膜において任意の
膜での終点をパルス状のノイズなどによる終点判定の誤
判定を無く検出するのできるエッチング終点判定方法を
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的は発行分光法を
用いて入力した処理室からの発光スペクトル強度を時間
により二次微分し、前記二次微分値を予め設定したしき
い値と比較して、前記二次微分値が前記しきい値と同符
号で、かつ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値の絶
対値をこえ、その後、前記二次微分値の絶対値がゼロに
なったことを検出して、エッチングの終点を判定する方
法において、二次微分値の絶対値がしきい値の絶対値を
越えてからその後、二次微分値の絶対値がゼロになるま
での時間が予め設定した時間以上であればエッチング終
点と判定することにより達成される。
【0007】上記他の目的は多層膜をエッチングすると
きにおいては膜ごとに異なる周波数の発光スペクトルを
それぞれの分光機に取り入れ上記方法によりエッチング
終点判定を行ない、分光機を切り替え、その切り替え回
数を指定することにより達成できる。1つの周波数の発
光スペクトルだけを取り込み多層膜をエッチングすると
き上記方法によるエッチング終点判定時の上記二次微分
値を予め設定したしきい値と比較して、上記二次微分値
が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微分値の絶対
値が前記しきい値の絶対値をこえてから、予め設定した
時間を経過して再び上記終点判定の方法で終点判定を行
なうことにより達成される。
【0008】また上記他の目的は多層膜エッチングにお
いて1つの周波数の発光スペクトルだけを取り込み上記
方法によるエッチング終点判定の条件を満たした回数を
指定することにより達成される。
【0009】
【作用】一般的に、パルス状のノイズが発生した場合、
処理室発光スペクトル強度の二次微分値が予め設定した
しきい値と比較して、前記二次微分値が前記しきい値と
同符号で、かつ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値
の絶対値をこえ、その後、前記二次微分値の絶対値がゼ
ロになるまでの時間はエッチング終了時に処理室発光ス
ペクトル強度の二次微分値が予め設定したしきい値と比
較して、上記二次微分値が前記しきい値と同符号で、か
つ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値の絶対値をこ
え、その後、前記二次微分値の絶対値がゼロになるまで
の時間に比べ短いため、処理室発光スペクトル強度の二
次微分値が予め設定したしきい値と比較して、前記二次
微分値が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微分値
の絶対値が前記しきい値の絶対値をこえ、その後、前記
二次微分値の絶対値がゼロになるまでの時間が予め設定
した時間内であれば終点判定は行なわれず誤判定にはな
らない。これにたいしエッチング終了時には処理室発光
スペクトル強度の二次微分値が予め設定したしきい値と
比較して、前記二次微分値が前記しきい値と同符号で、
かつ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値の絶対値を
こえ、その後、前記二次微分値の絶対値がゼロになるま
での時間が予め設定した時間を越えているため終点判定
を行ない、誤判定のない正確なエッチング終点判定を行
なうことができる。
【0010】多層膜をエッチングするときにおいては膜
ごとに異なる周波数の発光スペクトルをそれぞれの分光
機に取り入れ上記方法によりエッチング終点判定を行な
い、分光機を切り替え、その切り替え回数を指定するこ
とにより達成多層膜のエッチング時において膜ごとに異
なる周波数の発光スペクトルをそれぞれの分光機に取り
入れ上記方法によりエッチング終点判定を行ない、分光
機を切り替え、その切り替え回数を指定することにより
それぞれの膜のエッチング終点を確認し、ある任意の膜
のエッチング終点をエッチング終点とすることができ
る。また、1つの周波数の発光スペクトルだけを取り込
み多層膜をエッチングするとき上記方法によるエッチン
グ終点判定時の上記二次微分値を予め設定したしきい値
と比較して、上記二次微分値が前記しきい値と同符号
で、かつ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値の絶対
値をこえてから、予め設定した時間を経過して再び上記
終点判定の方法で終点判定を行なうことにより、ある任
意の膜のエッチング終点をエッチング終点とすることが
できる。さらに、多層膜エッチングにおいて1つの周波
数の発光スペクトルだけを取り込み上記方法によるエッ
チング終点判定の条件を満たした回数を指定することに
より、ある任意の膜のエッチング終点をエッチング終点
とすることができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
より説明する。図1は本発明を実施する終点判定システ
ムの構成例である。図1において、エッチングチャンバ
ー1内で発生したプラズマの発光スペクトルは分光器2
に取り込まれ光電変換器3により電気信号化される。信
号は増幅器4により増幅されアナログ/デジタル変換器
5により数値化されマイクロコンピュータ6に入力され
る。
【0012】図2はマイクロコンピュータ6内部での信
号の処理状態を図示したものである。図2において、数
値化された信号は二次微分回路11により二次微分され
さらに判定回路12に入力される。入力された二次微分
値が判定条件を満たした時点で終点判定を実施する。
【0013】図3は判定回路12に入力される発光スペ
クトル強度の二次微分値と二次微分回路に入力される発
光スペクトル強度を時間で示したグラフである。図3
(a)に示す発光スペクトル強度が時間にともない波形
21のようになるとその2次差分値は図3(b)に示す
波形22のようになる。この場合の発光スペクトル強度
の二次微分は所定の時間間隔で発光スペクトル強度を複
数点サンプリングし、その平均値を求め、平均値による
発光スペクトル強度を用いてサンプリング時とは異なる
所定の時間間隔で差分をとって計算を行ない、実際の発
光スペクトル強度に対してある一定の遅れ時間を持って
いる。
【0014】発光スペクトル強度の波形21においてエ
ッチング処理中に、パルス状のノイズ23が発生したと
する。また、エッチング終点判定を行なう時間をt1とし
二次微分値においてエッチング終点と判断するしきい値
をaとし、タイマー13に設定する時間が、二次微分値
がしきい値を越えてゼロになってもこの設定時間内なら
ばエッチング終点とみなさない時間をT1とする。ここ
で、設定時間T1は実際のエッチング終点時に発光スペ
クトルの二次微分値がしきい値aをこえてからゼロにな
るまでの時間よりは短く、パルス状のノイズにより発光
スペクトルの二次微分値がしきい値aをこえてからゼロ
になるまでの時間よりはできるだけ長くなければならな
い。
【0015】パルス状のノイズ23がおきた場合、二次
微分値はノイズ波形24のように変化するこのとき、2
時差分値はしきい値aと同符号でかつしきい値aの絶対
値を越え、さらにゼロになるという条件を満たすことに
なる。しかし二次差分値がしきい値aと同符号でかつし
きい値aの絶対値を越えてから、ゼロになっても予め設
定しておいた時間T1内なのでエッチング終点とみなさ
ず、無視する。これにより、パルス状のノイズ23が発
生して二次微分値が終点判定条件を満たしても、二次微
分値の絶対値がしきい値を越えてからゼロになるまでの
時間が終点判定条件を満たしていないため、エッチング
終点判定の誤判定には至らない。
【0016】その後、エッチングがさらに進行し、実際
の終点近くになると波形21の発光スペクトルが徐々に
低下し、それに伴って発光スペクトル強度に応じた二次
微分値も変化し、点25の時点でしきい値aを越え、さ
らに、時間が経過すると二次微分値は点26の時点で値
ゼロになる。この時点で終点判定を行なうための2つの
条件を満たしている。さらに、二次微分値がしきい値を
越えたときの25からゼロになったとき点26までの時
間は予め設定した時間T1よりも長いため、二次微分値
がゼロになったときの点26は時間T1内では無い。こ
こで二次微分値がゼロになる時、二次微分値がしきい値
を越えてからT1以上の時間がすぎていなければならな
いという条件を満たしたことになり、判定回路12によ
り終点判定が行なわれる。
【0017】以上、本実施例によれば、実際のエッチン
グ終点時には発光スペクトルの変化が徐々に変化しそれ
に伴い二次微分値もパルス状のノイズの発光スペクトル
の二次微分値に比べ時間的にゆっくり変化していくので
発光スペクトルの二次微分値がしきい値aと比較して同
符号で、かつ二次微分値の絶対値がしきい値aを越え
て、その後ゼロになっても、その間が時間T1以内なら
ば終点と判定せず誤判定の無い正確な終点判定を行なう
ことができる。なお、本実施例は多層膜のエッチング終
点を判定するときにも応用できる。
【0018】次に、本発明の第二の実施例を図4ないし
図7によって説明する。図4に多層膜の構造を図示す
る。図4において、多層膜には一層目のX、二層目のY
と種類の違う膜32,33が重なりあい、その上にマス
クになるレジスト31がパターンリングされている。
【0019】多層膜をエッチングする場合の終点判定シ
ステムの構成を図5に示す。図5において、多層膜のエ
ッチングの場合それぞれの膜をエッチングしたとき、そ
れぞれの膜に対しエッチング終点時に発光スペクトルの
強度変化が最も大きい特有な波長の発光スペクトルを取
り込むほうが有効である。X膜32をエッチング時の発
光スペクトルを分光機41で取り込む、取り込まれた発
光スペクトルは上述のように処理されマイクロコンピュ
ータ45に信号として送りこまれる。マイクロコンピュ
ータ45内では図2の処理を行ない終点判定を判定す
る。終点判定が確認されるとマイクロコンピュータ45
より切り替え装置43に信号が出て次のY膜33をエッ
チング時には分光機41とは異なる波長の発光スペクト
ルを取り込む分光器42に切り替わり、再び上記システ
ムで終点判定が行なわれる。図6(a),図6(b)は
マイクロコンピュータ45に入力されるX膜エッチング
時の発光スペクトル強度とマイクロコンピュータ45内
で二次微分された発光スペクトル強度の二次微分値を分
光器41と分光器42について分けて図示したものであ
る。また図7(a),図7(b)はマイクロコンピュー
タ45に入力されるY膜エッチング時の発光スペクトル
強度とマイクロコンピュータ45内で二次微分された発
光スペクトル強度の二次微分値を分光器41と分光器4
2について分けて図示したものである。波形51とその
二次微分を図示した52は分光器41から送られてきた
ものであり、波形53とその二次微分を図示した54は
分光器42から送られてきたものである。また、X膜3
2エッチング時に終点判定動作を開始する時間をt2、Y
膜33エッチング時に終点判定動作を開始する時間をt3
とし、それぞれのしきい値をb,cとする。また、二次
微分値がしきい値を越えてゼロになってもこの時間内な
らばエッチング終点とみなさない時間をそれぞれT2,
T3とする。エッチング開始から時間t2が経過した時
点で分光器41に取り込まれるX膜32エッチング時の
判定動作が開始される。切り替えポイント55ではX膜
32エッチング時の発光スペクトルの二次微分値がしき
い値bと比較して同符号で、かつ二次微分値の絶対値が
しきい値bを越えて、その後ゼロになり、かつ二次微分
値の絶対値がしきい値bを越えてから、その後ゼロにな
るまでの時間が時間T2よりも長いので55をX32膜
のエッチング終点とみなす。終点を判定すると分光器は
すぐに42に切り替わりY33膜の判定動作を開始す
る。Y膜33エッチングを開始して時間t3から終点判
定動作を開始ししきい値C、時間T3に対して判定条件
を満たしたときを、終点とする。この実施例によればそ
れぞれ違った種類の膜をエッチング処理するときにそれ
ぞれの膜の終点を誤判定無く正確に判定することができ
る。例えば各膜ごとにエッチング条件を変更するときな
どに有効である。本実施例は2層膜だけでは無くもっと
異なった膜種のたくさん重なった多層膜について適応で
きる。それぞれの膜にたいして図8のようにそれぞれの
膜に対応した分光器を設置し切り替え回路61にカウン
ト回路62を取り付けることによりカウント回路62に
指定した回数だけ分光器が切り替わると指定した回数切
り替わった時点で次の終点判定を行ない終点判定条件を
満たした時点でエッチング終了とする。これにより任意
の膜でのエッチング終点でエッチング処理を停止させる
ことができる。
【0020】次に第三の実施例を図9ないし図11によ
り説明する。多層膜については上述したとうりそれぞれ
の膜に対しエッチング終点時に発光スペクトルの強度変
化が最も大きい特有な波長の発光スペクトルを取り込む
ほうが有効であるが、例えば図9に示すようなAl-Si-Cu
/TiN膜のような多層膜をエッチングする場合、Alのエ
ッチング時に強度変化の最も大きい波長396nmのみ
を検出する分光器だけを使用してAl-Si-Cu及びTiN膜の
終点を検出できる。図10はAl膜エッチング時の発光
スペクトル強度分布を示したものである。Alのエッチ
ング時に強度変化の最も大きい波長396nmを使用し
Al-Si-Cu/TiN膜をエッチングしたときの発光スペクトル
強度とその二次微分値を図11に示す。このとき、エッ
チング終点判定動作を開始する時間をt4とし二次微分値
においてエッチング終点と判断するしきい値をdとし、
二次微分値がしきい値を越えてゼロになってもこの時間
内ならばエッチング終点とみなさない時間をT4とす
る。Al-Si-Cu/TiN膜を続けてエッチングする場合その終
点において発光スペクトルの波形は波形91,92のよ
うに二段回に変化する。これは波形91でAl-Si-Cu膜が
エッチング終了となり、その後TiN膜エッチング時に波
長396nmの発光スペクトルが出ているためである。
この発光スペクトル強度はTiN膜エッチング終了時に波
形92のように低下する。このような発光スペクトルの
変化に伴い発光スペクトルの二次微分値は波形93のよ
うに変化していく。発光スペクトル強度が波形91のよ
うに変化した時点で発光スペクトルの二次微分値は終点
判定条件を満たしている。しかし、時間T4を発光スペ
クトル強度が波形91のように変化した時の発光スペク
トルの二次微分値がしきい値dをこえてから、その後、
ゼロになり、さらにその後、発光スペクトル強度が波形
92のように変化した時の発光スペクトルの二次微分値
がしきい値dを越えるまでの時間より長く、発光スペク
トル強度が波形91のように変化した時の発光スペクト
ルの二次微分値がしきい値dをこえてから、その後、ゼ
ロになり、さらにその後、発光スペクトル強度が波形9
2のように変化した時の発光スペクトルの二次微分値が
しきい値dを越えゼロになるまでの時間よりは短い時間
に設定しておくと、時間T4内であれば終点判定は行な
われずTiN膜エッチング終了時をエッチング終点としエ
ッチングを終了する。
【0021】この実施例によれば、多層膜エッチング中
の発光スペクトルの一つの波長だけ分光器に取り入れ終
点判定を行なうときエッチングを終了したい膜のエッチ
ング終点の前に上層の膜のエッチング終点が終点判定条
件を満たしたとしてもエッチングを終了したい膜の終点
で誤判定無く正確に判定できエッチングを終了させるこ
とができる。
【0022】上述実施例は多層膜エッチング時に時間設
定により任意の膜でのエッチング終点を判定し検出する
方法であったが、任意の膜でのエッチング終点を判定し
検出する方法としての図の12のように判定回路12に
タイマー13とさらにカウント回路101を取り付ける
方法がある。上述実施例のとおりタイマー13は誤判定
を防ぐために使用する。Al-Si-Cu/TiN膜などの多層膜エ
ッチング時には終点判定条件を満足することが複数回あ
る。判定条件を満足する度にカウント回路101により
その回数を数え設定した任意の膜のエッチング終了時に
エッチングを停止することができる。例えば図9のAl-S
i-Cu/TiN膜のエッチングであればTiN膜エッチング終了
時にエッチング停止したいとする。この時、TiN膜のエ
ッチング終了までに判定条件を満足するのは、2回であ
る。このとき、予めカウント回路101に回数を2回で
エッチング停止の設定をしておけば、TiN膜エッチング
終了時にエッチングは停止する。
【0023】この実施例においても、多層膜エッチング
中の発光スペクトルの一つの波長だけ分光機に取り入れ
終点判定を行なうときエッチングを終了したい膜のエッ
チング終点の前に上層の膜のエッチング終点が終点判定
条件を満たしたとしてもエッチングを終了したい膜の終
点で誤判定無く正確に判定でき、エッチングを終了させ
ることができる。
【0024】
【発明の効果】以上、述べたように本発明ではプラズマ
処理中の発光スペクトル強度にパルス状のノイズが発生
してもノイズによるエッチング終点の誤判定はせず、正
常にエッチング終点が判定できるという効果がある。ま
た、重なりあった異なった種類の膜を続けてエッチング
するとき任意の膜でのエッチング終点でエッチング停止
とすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のエッチング終点判定方法の一実施例の
終点システムの構成図である。
【図2】図1に示した終点システムのマイクロコンピュ
ータ内部での処理状態説明図である。
【図3】本発明の一実施例を説明するためのエッチング
処理中のプラズマからの発光スペクトル強度の時間変化
を(a)に、発光スペクトル強度の二次微分値の時間変
化を(b)に示した説明図である。
【図4】本発明のエッチング終点判定方法の他の実施例
における実施例の被エッチング膜の構造図である。
【図5】図1を参考として本発明の他の実施例を実施す
るための終点システムの構成図である。
【図6】本発明の実施例を説明するためのX膜のエッチ
ング処理中のプラズマからの発光スペクトル強度の時間
変化を(a)に、発光スペクトル強度の二次微分値の時
間変化を(b)に示した説明図である。
【図7】本発明の実施例を説明するためのY膜のエッチ
ング処理中のプラズマからの発光スペクトル強度の時間
変化を(a)に、発光スペクトル強度の二次微分値の時
間変化を(b)に示した説明図である。
【図8】本発明のエッチング終点判定方法の他の実施例
を実施するための終点システムの構成図である。
【図9】本発明のエッチング終点判定方法の他の実施例
における実施例の被エッチング膜の構造図である。
【図10】本発明の実施例を説明するためのAl膜エッチ
ング中の発光スペクトル分布を図示した説明図である。
【図11】本実施例のAlエッチング時に強度変化の最
も大きい波長396nmを使用しAl-Si-Cu/TiN膜をエッ
チングした時の発光スペクトル強度を(a)に、その二
次微分値を(b)に示した説明図である。
【図12】本発明のエッチング終点方法の他の実施例の
終点システムの構成図である。
【符号の説明】
1…エッチングチャンバー、2…分光器、3…光電変換
器、4…増幅器、4…増幅器、5…アナログ/デジタル
変換器、6…マイクロコンピュータ、11…二次微分回
路、12…判定回路、13…タイマー、21…発光スペ
クトル強度の波形、22…発光スペクトル強度の二次微
分値の波形、23…パルス状のノイズ、24…パルス状
のノイズの二次微分値の変化、25…二次微分値の絶対
値がしきい値aを越えた時間、26…二次微分値が絶対
値がゼロになった時間、31…レジスト、41…X膜の
発光スペクトルを取り込む分光器、42…Y膜の発光ス
ペクトルを取り込む分光器、43…切り替え装置、45
…マイクロコンピュータ、51…X膜エッチング中の発
光スペクトル強度波形、52…X膜エッチング中の発光
スペクトル強度の二次微分値波形、53…Y膜エッチン
グ中の発光スペクトル強度波形、54…Y膜エッチング
中の発光スペクトル強度の二次微分値波形、55…X膜
エッチング終点、61…切り替え装置、62…・カウン
ト回路、91…Al-Si-Cu膜エッチング終点変化、92…
TiN膜エッチング終点変化、93…Al-Si-Cu/TiN膜エッ
チング時の発光スペクトル強度の二次微分値波形、10
1…カウント回路、102…タイマー、103…判定回
路。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光分光法を用いて入力した処理室からの
    発光スペクトル強度を時間により二次微分し、前記二次
    微分値を予め設定したしきい値と比較して、前記二次微
    分値が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微分値の
    絶対値が前記しきい値の絶対値をこえ、その後、前記二
    次微分値の絶対値がゼロになったことを検出して、エッ
    チングの終点を判定する方法において、前記二次微分値
    が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微分値の絶対
    値が前記しきい値の絶対値をこえてから予め設定した時
    間を経過し、その後前記二次微分値の絶対値がゼロにな
    ったことを検出してエッチングの終点とすることを特徴
    とするエッチング終点判定方法。
  2. 【請求項2】前記検出した二次微分値の絶対値がゼロに
    なった時点で、前記設定時間内であればエッチングの終
    点とはみなさず、無視するかもしくは警報を発する請求
    項1記載のエッチング終点判定方法。
  3. 【請求項3】重なりあった異なった種類の膜を続けてエ
    ッチングするときそれぞれの膜に対し異なった周波数の
    発光スペクトルを取り込むための分光器を用い、各膜の
    終点を検出する度に分光器を切り替えることを特徴とす
    るエッチング終点判定方法。
  4. 【請求項4】前記分光器の切り替え回数を指定すること
    のできる請求項3記載のエッチング終点判定方法。
  5. 【請求項5】重なりあった異なった種類の膜を続けてエ
    ッチングするとき発行分光法を用いて入力した一つの周
    波数の発光スペクトル強度を時間により二次微分し、前
    記二次微分値を予め設定したしきい値と比較して、前記
    二次微分値が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微
    分値の絶対値が前記しきい値の絶対値をこえ、その後、
    前記二次微分値の絶対値がゼロになったことを検出し
    て、エッチングの終点を判定する方法において、ある膜
    のエッチング時に前記二次微分値が予め設定したしきい
    値と比較して、前記二次微分値が前記しきい値と同符号
    で、かつ前記二次微分値の絶対値が前記しきい値の絶対
    値をこえた後、予め設定した時間内は終点判定を行なわ
    ないことを特徴とするエッチング終点判定方法。
  6. 【請求項6】重なりあった異なった種類の膜を続けてエ
    ッチングするとき発行分光法を用いて入力した一つの周
    波数の発光スペクトル強度を時間により二次微分し、前
    記二次微分値を予め設定したしきい値と比較して、前記
    二次微分値が前記しきい値と同符号で、かつ前記二次微
    分値の絶対値が前記しきい値の絶対値をこえ、その後、
    前記二次微分値の絶対値がゼロになったことを検出し
    て、エッチングの終点を判定する方法において、終点判
    定条件が満たされる毎に回数を数え予め指定した回数の
    終点判定条件が満たされたとき終点とすることを特徴と
    するエッチング終点判定方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111801774A (zh) * 2019-02-08 2020-10-20 株式会社日立高新技术 蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111801774A (zh) * 2019-02-08 2020-10-20 株式会社日立高新技术 蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器
CN111801774B (zh) * 2019-02-08 2023-06-23 株式会社日立高新技术 蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器

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