JPH07201717A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH07201717A JPH07201717A JP35288993A JP35288993A JPH07201717A JP H07201717 A JPH07201717 A JP H07201717A JP 35288993 A JP35288993 A JP 35288993A JP 35288993 A JP35288993 A JP 35288993A JP H07201717 A JPH07201717 A JP H07201717A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光時におけるパーティクルの飛散を確実に
除去し被処理体の歩留りを向上させる。 【構成】 処理膜の形成された被処理体Ｗを載置台に載
置し、この被処理体Ｗの周縁部に光を照射して前記周縁
部を露光処理する露光装置１であって、前記被処理体の
周縁部を露光する露光手段６と、この露光手段６の周囲
を囲み配置された排気手段５０と、前記被処理体Ｗの周
縁部に向けて不活性ガスを吹き付けるガス吹き付け手段
１７とを具備したことを特徴としている。
除去し被処理体の歩留りを向上させる。 【構成】 処理膜の形成された被処理体Ｗを載置台に載
置し、この被処理体Ｗの周縁部に光を照射して前記周縁
部を露光処理する露光装置１であって、前記被処理体の
周縁部を露光する露光手段６と、この露光手段６の周囲
を囲み配置された排気手段５０と、前記被処理体Ｗの周
縁部に向けて不活性ガスを吹き付けるガス吹き付け手段
１７とを具備したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行なわれている。前記
したウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合に
は、一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト
液を滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した
液を遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用
いられている。
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行なわれている。前記
したウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合に
は、一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト
液を滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した
液を遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用
いられている。
【０００３】ところで、上述したスピナー法でウエハ表
面全面に渡ってフォトレジスト膜を形成すると、後工程
におけるウエハ搬送中のハンドリング等においてウエハ
周縁部に形成されたフォトレジスト膜が機械的に剥離さ
れたりしてパーティクルとして飛散し、半導体ウエハ上
に形成された集積回路の歩留りを低下させる可能性があ
る。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジスト
膜を予め除去することが行なわれている。
面全面に渡ってフォトレジスト膜を形成すると、後工程
におけるウエハ搬送中のハンドリング等においてウエハ
周縁部に形成されたフォトレジスト膜が機械的に剥離さ
れたりしてパーティクルとして飛散し、半導体ウエハ上
に形成された集積回路の歩留りを低下させる可能性があ
る。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジスト
膜を予め除去することが行なわれている。
【０００４】ウエハ周縁部のフォトレジスト膜を除去す
る装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５号公
報、特開昭５９−１３８３３５号公報、特開昭５９−１
５８５２０号公報、特開昭６１−７３３３０号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜を光、例えば紫外光を照射し
てこれを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去す
ることが行なわれている。
る装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５号公
報、特開昭５９−１３８３３５号公報、特開昭５９−１
５８５２０号公報、特開昭６１−７３３３０号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜を光、例えば紫外光を照射し
てこれを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去す
ることが行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射した際
に、光エネルギーによる急激な温度上昇或いは紫外線に
起因する化学反応等が原因でウエハに塗布されたレジス
ト膜内にレジスト膜内に含有する溶剤等の蒸発により気
泡が発生し、この気泡がレジスト膜の表面を突き破る時
にレジストの破片が飛散し、パーティクルの発生要因と
なっていた。このようなパーティクルがウエハのデバイ
ス形成面に付着するとウエハの現像処理の際に現像残り
となって歩留りを低下させてしまうので、露光中に発生
するパーティクルを確実に排除する必要があるという改
善点を有する。
露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射した際
に、光エネルギーによる急激な温度上昇或いは紫外線に
起因する化学反応等が原因でウエハに塗布されたレジス
ト膜内にレジスト膜内に含有する溶剤等の蒸発により気
泡が発生し、この気泡がレジスト膜の表面を突き破る時
にレジストの破片が飛散し、パーティクルの発生要因と
なっていた。このようなパーティクルがウエハのデバイ
ス形成面に付着するとウエハの現像処理の際に現像残り
となって歩留りを低下させてしまうので、露光中に発生
するパーティクルを確実に排除する必要があるという改
善点を有する。
【０００６】本発明の目的は、露光時におけるパーティ
クルの飛散を確実に除去し被処理体の歩留りを向上させ
る露光装置を提供することにある。
クルの飛散を確実に除去し被処理体の歩留りを向上させ
る露光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理膜の形成
された被処理体を載置台に載置し、この被処理体の周縁
部に光を照射して前記周縁部を露光処理する露光装置で
あって、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段と、
この露光手段の周囲を囲み配置された排気手段と、前記
被処理体の周縁部に向けて不活性ガスを吹き付けるガス
吹き付け手段とを具備し構成されたものである。
された被処理体を載置台に載置し、この被処理体の周縁
部に光を照射して前記周縁部を露光処理する露光装置で
あって、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段と、
この露光手段の周囲を囲み配置された排気手段と、前記
被処理体の周縁部に向けて不活性ガスを吹き付けるガス
吹き付け手段とを具備し構成されたものである。
【０００８】
【作用】本発明は露光手段によって被処理体を露光処理
する際、被処理体に形成されたの処理膜から発生する気
体がその処理膜の表面から飛散するパーティクルの量を
ガス吹き付け手段により抑制するとともに、露光手段の
周囲を囲み配置された排気手段により飛散したパーティ
クルを確実に排気除去することができる。
する際、被処理体に形成されたの処理膜から発生する気
体がその処理膜の表面から飛散するパーティクルの量を
ガス吹き付け手段により抑制するとともに、露光手段の
周囲を囲み配置された排気手段により飛散したパーティ
クルを確実に排気除去することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
に係る露光装置について説明する。最初に、図１及び図
２に基づいて、露光装置の構成を説明する。
に係る露光装置について説明する。最初に、図１及び図
２に基づいて、露光装置の構成を説明する。
【００１０】図１に示すように、この露光装置１は周囲
が図示しない筐体によって囲まれており、内部には被処
理体、例えば半導体ウエハＷを吸着保持するためにウエ
ハ保持面が平板状になされた円板状のスピンチャック２
が配置されている。このスピンチャック２のウエハ保持
面の中央部には図示されない真空装置に接続された真空
吸着孔３が設けられており、ウエハＷを吸着保持し得る
ように構成される。また、前記スピンチャック２の下端
部には、回転機構、例えばスピンモータ４が連結されて
おり、前記スピンチャック２を回転し得るよう構成され
ている。そして、このスピンモータ４は、図示しない例
えば水平垂直移動機構上に設けられており、前記スピン
チャック２自体を水平（Ｘ，Ｙ）方向及び垂直（Ｚ）方
向へ移動可能に構成されている。
が図示しない筐体によって囲まれており、内部には被処
理体、例えば半導体ウエハＷを吸着保持するためにウエ
ハ保持面が平板状になされた円板状のスピンチャック２
が配置されている。このスピンチャック２のウエハ保持
面の中央部には図示されない真空装置に接続された真空
吸着孔３が設けられており、ウエハＷを吸着保持し得る
ように構成される。また、前記スピンチャック２の下端
部には、回転機構、例えばスピンモータ４が連結されて
おり、前記スピンチャック２を回転し得るよう構成され
ている。そして、このスピンモータ４は、図示しない例
えば水平垂直移動機構上に設けられており、前記スピン
チャック２自体を水平（Ｘ，Ｙ）方向及び垂直（Ｚ）方
向へ移動可能に構成されている。
【００１１】そして、前記スピンチャック２により吸着
保持されたウエハＷの周縁部５の上方には、この周縁部
５を露光するための露光手段６が設けられている。この
露光手段６は、光照射部７を有し、この光照射部７に
は、例えば光ファイバ等により形成された光通路８が結
合部９を介して接続されており、例えば水銀ランプやキ
セノンランプ等よりなる光源１０から、光、例えば紫外
線を前記光照射部７まで伝搬してこれよりウエハＷのこ
のウエハＷに形成されるデバイスの領域外である周縁部
５に向けて照射し得るように構成されている。
保持されたウエハＷの周縁部５の上方には、この周縁部
５を露光するための露光手段６が設けられている。この
露光手段６は、光照射部７を有し、この光照射部７に
は、例えば光ファイバ等により形成された光通路８が結
合部９を介して接続されており、例えば水銀ランプやキ
セノンランプ等よりなる光源１０から、光、例えば紫外
線を前記光照射部７まで伝搬してこれよりウエハＷのこ
のウエハＷに形成されるデバイスの領域外である周縁部
５に向けて照射し得るように構成されている。
【００１２】また、前記光照射部７の周囲を囲むように
排気手段５０例えば、前記結合部９の両端部は前記光照
射部７と並設するように前記ウエハＷの中心方向側及び
外周方向側にはそれぞれ排気ダクト１１（第一の排気手
段），排気ダクト１２（第二の排気手段）を保持してお
り、このウエハＷの中心方向側の排気ダクト１１の一端
は図２に示すように前記光照射部７側にα度の角度に曲
折された排気口１３を有し、また、この排気ダクト１１
の他端は図１に示すように排気管１４に接続され、この
排気管１４は排気流量を制御する開閉弁、例えばバタフ
ライバルブ１５を介して排気装置、例えば真空ポンプ１
６に接続されている。
排気手段５０例えば、前記結合部９の両端部は前記光照
射部７と並設するように前記ウエハＷの中心方向側及び
外周方向側にはそれぞれ排気ダクト１１（第一の排気手
段），排気ダクト１２（第二の排気手段）を保持してお
り、このウエハＷの中心方向側の排気ダクト１１の一端
は図２に示すように前記光照射部７側にα度の角度に曲
折された排気口１３を有し、また、この排気ダクト１１
の他端は図１に示すように排気管１４に接続され、この
排気管１４は排気流量を制御する開閉弁、例えばバタフ
ライバルブ１５を介して排気装置、例えば真空ポンプ１
６に接続されている。
【００１３】さらに、前記排気ダクト１１内には、ガス
吹き付け手段１７が内蔵されており、このガス吹き付け
手段１７は、具体的には図２に示すように不活性ガス、
例えばＮ２ ガスを前記ウエハＷの光照射部に吹き付け
るための例えば、ノズル内径、例えば１〜２ｍｍでウエ
ハＷの外側方向に曲折されるとともに開口角がβ度に形
成されている噴射ノズル１８を有し、この噴射ノズル１
８はガス供給管１９と接続され、このガス供給管１９
は、ガス流量を調整するための流量制御装置、例えばマ
スフローコントローラ（ＭＦＣ）２０を介して不活性ガ
ス源２１に接続され構成されている。
吹き付け手段１７が内蔵されており、このガス吹き付け
手段１７は、具体的には図２に示すように不活性ガス、
例えばＮ２ ガスを前記ウエハＷの光照射部に吹き付け
るための例えば、ノズル内径、例えば１〜２ｍｍでウエ
ハＷの外側方向に曲折されるとともに開口角がβ度に形
成されている噴射ノズル１８を有し、この噴射ノズル１
８はガス供給管１９と接続され、このガス供給管１９
は、ガス流量を調整するための流量制御装置、例えばマ
スフローコントローラ（ＭＦＣ）２０を介して不活性ガ
ス源２１に接続され構成されている。
【００１４】また、前記ウエハＷの外周方向側の排気ダ
クト１２の吸引側端部は図２に示すように前記ウエハＷ
の周縁部の裏面側近傍まで開口する排気口２２を有し、
また、この排気ダクト１２の他端は図１に示すように排
気管２３に接続され、この排気管２３は開閉弁、例えば
電磁バルブ２４を介して排気装置、例えば真空ポンプ２
５に接続されている。
クト１２の吸引側端部は図２に示すように前記ウエハＷ
の周縁部の裏面側近傍まで開口する排気口２２を有し、
また、この排気ダクト１２の他端は図１に示すように排
気管２３に接続され、この排気管２３は開閉弁、例えば
電磁バルブ２４を介して排気装置、例えば真空ポンプ２
５に接続されている。
【００１５】また、前記結合部９には前記光照射部７，
ガス吹き付け手段１７及び排気ダクト１１，１２を同時
に前記ウエハＷの上方から裏面方向又は前記ウエハＷの
下方から表面方向に回動するための回動機構２６が設け
られており、この回動機構２６は、回動レール２７、例
えばボールベアリングと軸結合した駆動手段、例えばス
テッピングモータＭによりθ方向に自在に移動する基台
２８と前記結合部９とを支持柱２９により接続すること
により構成されている。
ガス吹き付け手段１７及び排気ダクト１１，１２を同時
に前記ウエハＷの上方から裏面方向又は前記ウエハＷの
下方から表面方向に回動するための回動機構２６が設け
られており、この回動機構２６は、回動レール２７、例
えばボールベアリングと軸結合した駆動手段、例えばス
テッピングモータＭによりθ方向に自在に移動する基台
２８と前記結合部９とを支持柱２９により接続すること
により構成されている。
【００１６】以上のように構成された露光裝置におけ
る、半導体ウエハＷの周縁部を露光処理する作用につい
て説明する。
る、半導体ウエハＷの周縁部を露光処理する作用につい
て説明する。
【００１７】図２に示すように、フォトレジスト膜３０
が塗布形成されたウエハＷの周縁部の上方に図１に示す
回動機構２６により光照射部７，ガス吹き付け手段１７
及び排気ダクト１１，１２を移動した後、水平垂直移動
機構によりウエハＷの表面と光照射部７との間の距離Ｌ
１をこれらが接触しない範囲で光の干渉による影響が少
なくなる距離、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度に移動す
ると共にウエハＷの周縁部のウエハＷのハンドリング時
に接触して剥離する恐れのある幅Ｌ２、例えば３〜５ｍ
ｍ程度に移動する。この状態でスピンモータ４を回転駆
動することによりウエハＷを回転させるとともに光源１
０を作動させて発生した光、例えば紫外線Ｖを光照射部
７からウエハ周縁部に向けて照射し、この部分における
処理膜であるフォトレジスト膜３０を露光する。
が塗布形成されたウエハＷの周縁部の上方に図１に示す
回動機構２６により光照射部７，ガス吹き付け手段１７
及び排気ダクト１１，１２を移動した後、水平垂直移動
機構によりウエハＷの表面と光照射部７との間の距離Ｌ
１をこれらが接触しない範囲で光の干渉による影響が少
なくなる距離、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度に移動す
ると共にウエハＷの周縁部のウエハＷのハンドリング時
に接触して剥離する恐れのある幅Ｌ２、例えば３〜５ｍ
ｍ程度に移動する。この状態でスピンモータ４を回転駆
動することによりウエハＷを回転させるとともに光源１
０を作動させて発生した光、例えば紫外線Ｖを光照射部
７からウエハ周縁部に向けて照射し、この部分における
処理膜であるフォトレジスト膜３０を露光する。
【００１８】そして、この露光操作と同時にガス吹き付
け手段１７を駆動して不活性ガス源２１からの不活性ガ
ス、例えばＮ2 ガスを噴射ノズル１８から露光部に対し
ウエハＷの外側方向に向けて吹き付けると共に排気装置
２５を駆動し開閉弁２４を開放してウエハＷの周縁部近
傍の雰囲気を排気ダクト１２より排気する。この周縁露
光に際しては、図２に示すように強力な紫外線Ｖが照射
されるのでウエハ周縁部のレジスト部分から温度上昇や
化学反応等に起因してレジスト膜３０中に含有する溶剤
等が気化して気泡３１が発生し、この気泡３１がレジス
ト膜３０の表面を突き破ってパーティクル３２となって
飛散することになる。このパーティクル３２の発生を抑
制するため、ガス吹き付け手段１７にて露光されるウエ
ハ周縁部にＮ2 ガスを吹き付け、露光されるウエハ周縁
部に冷却効果を生じさせ、レジスト膜の温度上昇を抑制
することにより、発生する気泡３１及びパーティクルの
発生量を抑制する。
け手段１７を駆動して不活性ガス源２１からの不活性ガ
ス、例えばＮ2 ガスを噴射ノズル１８から露光部に対し
ウエハＷの外側方向に向けて吹き付けると共に排気装置
２５を駆動し開閉弁２４を開放してウエハＷの周縁部近
傍の雰囲気を排気ダクト１２より排気する。この周縁露
光に際しては、図２に示すように強力な紫外線Ｖが照射
されるのでウエハ周縁部のレジスト部分から温度上昇や
化学反応等に起因してレジスト膜３０中に含有する溶剤
等が気化して気泡３１が発生し、この気泡３１がレジス
ト膜３０の表面を突き破ってパーティクル３２となって
飛散することになる。このパーティクル３２の発生を抑
制するため、ガス吹き付け手段１７にて露光されるウエ
ハ周縁部にＮ2 ガスを吹き付け、露光されるウエハ周縁
部に冷却効果を生じさせ、レジスト膜の温度上昇を抑制
することにより、発生する気泡３１及びパーティクルの
発生量を抑制する。
【００１９】さらに、ガス吹き付け手段１７により抑制
しえなかったパーティクル３２はガス吹き付け手段１７
の噴射ノズル１８からより噴射したＮ2 ガスによりウエ
ハＷの外側方向に向けて搬送され、排気ダクト１２内へ
排出されることになる。また、この処理の際大半のパー
ティクル３２は排気ダクト１２内へ排出されるが、排気
ダクト１２内へ排出されずウエハＷの中心方向に微量に
も飛散するパーティクル３２は、図１に示す排気装置１
６を駆動しバタフライバルブ１５により噴射ノズル１８
から噴射するＮ2 ガスが逆流しない程度の排気量に設定
されたガス吹き付け手段１７を内蔵する側の排気ダクト
１１より排出される。
しえなかったパーティクル３２はガス吹き付け手段１７
の噴射ノズル１８からより噴射したＮ2 ガスによりウエ
ハＷの外側方向に向けて搬送され、排気ダクト１２内へ
排出されることになる。また、この処理の際大半のパー
ティクル３２は排気ダクト１２内へ排出されるが、排気
ダクト１２内へ排出されずウエハＷの中心方向に微量に
も飛散するパーティクル３２は、図１に示す排気装置１
６を駆動しバタフライバルブ１５により噴射ノズル１８
から噴射するＮ2 ガスが逆流しない程度の排気量に設定
されたガス吹き付け手段１７を内蔵する側の排気ダクト
１１より排出される。
【００２０】次に、回動機構２６により図３及び図４に
示すように、光照射部７，ガス吹き付け手段１７及び排
気ダクト１１，１２は連動して、ウエハＷの上方から裏
面方向に回動し、ウエハＷの周縁部のレジスト膜３０を
ウエハＷの上面から側面、側面から下面へと露光処理を
していく。この際、排気ダクト１１の排気量は噴射ノズ
ル１８から噴射するＮ2 ガスが処理に支障のない程度に
バタフライバルブ１５を制御し排気量の設定を増大させ
ていく、これはウエハＷの上面から側面に処理移動する
際、図３に示すようにウエハＷのエッジ部にて噴射ノズ
ル１８から噴射するＮ2 ガスの流路角が変化するため排
気ダクト１２方向に流れるＮ2 ガス量が多少減り、排気
ダクト１１方向に流れるＮ2 ガス量が多少増大し、これ
によって搬送されるパーティクル３２の数も増大するこ
とに起因する。
示すように、光照射部７，ガス吹き付け手段１７及び排
気ダクト１１，１２は連動して、ウエハＷの上方から裏
面方向に回動し、ウエハＷの周縁部のレジスト膜３０を
ウエハＷの上面から側面、側面から下面へと露光処理を
していく。この際、排気ダクト１１の排気量は噴射ノズ
ル１８から噴射するＮ2 ガスが処理に支障のない程度に
バタフライバルブ１５を制御し排気量の設定を増大させ
ていく、これはウエハＷの上面から側面に処理移動する
際、図３に示すようにウエハＷのエッジ部にて噴射ノズ
ル１８から噴射するＮ2 ガスの流路角が変化するため排
気ダクト１２方向に流れるＮ2 ガス量が多少減り、排気
ダクト１１方向に流れるＮ2 ガス量が多少増大し、これ
によって搬送されるパーティクル３２の数も増大するこ
とに起因する。
【００２１】そして、図４に示すようにウエハＷの下面
の周縁部のレジスト膜３０を露光処理した後、スピンモ
ータ４の回転を停止するとともに光照射部７から照射す
る紫外線Ｖ，ガス吹き付け手段１７の噴射ノズル１８か
らのＮ2 ガス及び排気手段１１，１２の排気動作を停止
し、図１に示す回動機構２６によりウエハＷの上方の周
縁部に移動する。
の周縁部のレジスト膜３０を露光処理した後、スピンモ
ータ４の回転を停止するとともに光照射部７から照射す
る紫外線Ｖ，ガス吹き付け手段１７の噴射ノズル１８か
らのＮ2 ガス及び排気手段１１，１２の排気動作を停止
し、図１に示す回動機構２６によりウエハＷの上方の周
縁部に移動する。
【００２２】次に、図５に示すように、ウエハＷの周縁
部３４は前述の処理にて処理されるがウエハＷに形成さ
れたオリフラ部３５の周縁部３６は未処理のままである
ので、この周縁部３６を露光処理する処理作用を説明す
ると、水平垂直移動機構によりウエハＷのオリフラ周縁
部３６が均一に同間隔で光照射部７からの紫外線Ｖ照射
するようにＹ方向に往復移動させながら、回動機構２６
により光照射部７，ガス吹き付け手段１７及び排気ダク
ト１１，１２は連動して、ウエハＷの上方から裏面方向
に回動し、ウエハＷの周縁部のレジスト膜３０をウエハ
Ｗの上面から側面、側面から下面へと前述同様の露光処
理をし、ウエハＷの周縁部の露光処理は終了する。
部３４は前述の処理にて処理されるがウエハＷに形成さ
れたオリフラ部３５の周縁部３６は未処理のままである
ので、この周縁部３６を露光処理する処理作用を説明す
ると、水平垂直移動機構によりウエハＷのオリフラ周縁
部３６が均一に同間隔で光照射部７からの紫外線Ｖ照射
するようにＹ方向に往復移動させながら、回動機構２６
により光照射部７，ガス吹き付け手段１７及び排気ダク
ト１１，１２は連動して、ウエハＷの上方から裏面方向
に回動し、ウエハＷの周縁部のレジスト膜３０をウエハ
Ｗの上面から側面、側面から下面へと前述同様の露光処
理をし、ウエハＷの周縁部の露光処理は終了する。
【００２３】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。露光処理中にガス吹き付け手段１７に
て露光されるウエハ周縁部にＮ2 ガスを吹き付けること
により、露光されるウエハ周縁部に冷却効果を生じさ
せ、レジスト膜の温度上昇を抑制することにより、発生
する気泡３１及びパーティクルの発生量を抑制すること
ができ、さらにガス吹き付け手段１７の噴射ノズル１８
から噴射する不活性ガスによって、レジスト膜３０から
飛散したパーティクル３２は強制的にウエハＷのデバイ
ス形成面の外側へ搬送され排気ダクト１２内へ排出され
ると共にウエハＷの中心方向に微量にも飛散するパーテ
ィクル３２をも排気ダクト１１内に排出されるので、パ
ーティクル３２の排除を確実に行なうことができ、ウエ
ハＷ上にパーティクル３２が付着するのを防止できる。
ついて説明する。露光処理中にガス吹き付け手段１７に
て露光されるウエハ周縁部にＮ2 ガスを吹き付けること
により、露光されるウエハ周縁部に冷却効果を生じさ
せ、レジスト膜の温度上昇を抑制することにより、発生
する気泡３１及びパーティクルの発生量を抑制すること
ができ、さらにガス吹き付け手段１７の噴射ノズル１８
から噴射する不活性ガスによって、レジスト膜３０から
飛散したパーティクル３２は強制的にウエハＷのデバイ
ス形成面の外側へ搬送され排気ダクト１２内へ排出され
ると共にウエハＷの中心方向に微量にも飛散するパーテ
ィクル３２をも排気ダクト１１内に排出されるので、パ
ーティクル３２の排除を確実に行なうことができ、ウエ
ハＷ上にパーティクル３２が付着するのを防止できる。
【００２４】従って、露光処理のスループットを低下さ
せることなくウエハＷに形成されたデバイスの歩留り向
上させることが可能となる。
せることなくウエハＷに形成されたデバイスの歩留り向
上させることが可能となる。
【００２５】さらに、回動機構２６によりウエハＷの上
面から側面、側面から下面へと露光処理が行なう場合で
も、排気ダクト１１の排気量をバタフライバルブ１５に
より適宜設定することで、パーティクル３２の飛散量が
ウエハＷの中心方向に飛散する飛散量が変化してもこれ
に追従しパーティクル３２を確実に排除することができ
る。
面から側面、側面から下面へと露光処理が行なう場合で
も、排気ダクト１１の排気量をバタフライバルブ１５に
より適宜設定することで、パーティクル３２の飛散量が
ウエハＷの中心方向に飛散する飛散量が変化してもこれ
に追従しパーティクル３２を確実に排除することができ
る。
【００２６】次に、図６に示す第二の実施例について説
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１は排
気量を所定の排気量にする排気制御装置、例えばマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）２０に配管１９を介して接
続され、さらに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２
０は、排気装置、例えば真空ポンプ１６に接続されてい
る。また、前記排気ダクト５１の外部には、ガス吹き付
け手段１７が配置され、このガス吹き付け手段１７によ
り、不活性ガス、例えばＮ2 ガスをウエハＷの光照射部
に吹き付けるよう構成している。このように構成ことに
より、ウエハＷの光照射部より発生するパーティクルは
その光照射部の上方に搬送され、パーティクルを排気ダ
クト５１の開口部外に飛散させず、排気ダクト５１の開
口面積内で排気除去でき、さらに露光装置の小型化が図
ることができる。
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１は排
気量を所定の排気量にする排気制御装置、例えばマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）２０に配管１９を介して接
続され、さらに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２
０は、排気装置、例えば真空ポンプ１６に接続されてい
る。また、前記排気ダクト５１の外部には、ガス吹き付
け手段１７が配置され、このガス吹き付け手段１７によ
り、不活性ガス、例えばＮ2 ガスをウエハＷの光照射部
に吹き付けるよう構成している。このように構成ことに
より、ウエハＷの光照射部より発生するパーティクルは
その光照射部の上方に搬送され、パーティクルを排気ダ
クト５１の開口部外に飛散させず、排気ダクト５１の開
口面積内で排気除去でき、さらに露光装置の小型化が図
ることができる。
【００２７】次に、図７に示す第三の実施例について説
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１は排
気量を所定の排気量にする排気制御装置、例えばマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）２０に配管１９を介して接
続され、さらに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２
０は、排気装置、例えば真空ポンプ１６に接続されてい
る。また、前記排気ダクト５１の内部には、ガス吹き付
け手段１７が配置され、このガス吹き付け手段１７によ
り、不活性ガス、例えばＮ2 ガスをウエハＷの光照射部
に吹き付けるよう構成している。このように構成ことに
より、ガス吹き付け手段１７により吹き付ける、不活性
ガス、例えばＮ2 ガスによるダクト５１近傍に生ずる気
流の乱れを生ぜず、さらにダクト５１外部に流体の流れ
雰囲気を生じないのでウエハＷの光照射部より発生する
パーティクルは確実にその光照射部の上方に搬送され、
パーティクルを排気ダクト５１の開口部外に飛散させ
ず、排気ダクト５１の開口面積内で排気除去でき、さら
に露光装置の小型化が図ることができる。
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１は排
気量を所定の排気量にする排気制御装置、例えばマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）２０に配管１９を介して接
続され、さらに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２
０は、排気装置、例えば真空ポンプ１６に接続されてい
る。また、前記排気ダクト５１の内部には、ガス吹き付
け手段１７が配置され、このガス吹き付け手段１７によ
り、不活性ガス、例えばＮ2 ガスをウエハＷの光照射部
に吹き付けるよう構成している。このように構成ことに
より、ガス吹き付け手段１７により吹き付ける、不活性
ガス、例えばＮ2 ガスによるダクト５１近傍に生ずる気
流の乱れを生ぜず、さらにダクト５１外部に流体の流れ
雰囲気を生じないのでウエハＷの光照射部より発生する
パーティクルは確実にその光照射部の上方に搬送され、
パーティクルを排気ダクト５１の開口部外に飛散させ
ず、排気ダクト５１の開口面積内で排気除去でき、さら
に露光装置の小型化が図ることができる。
【００２８】次に、図８に示す第四の実施例について説
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１の内
部は隔壁５２により複数の室に分割されており、この複
数の室をそれぞれ独立に排気量を所定の排気量にする排
気制御装置、例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに配管１９，１
９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを介して接続され、さら
に、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２０，２０ａ，
２０ｂ，２０ｃ，２０ｄは、排気装置、例えば真空ポン
プ１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄにそれぞれ接
続されている。このように構成ことにより、ガス吹き付
け手段１７により吹き付ける、不活性ガス、例えばＮ2
ガスがウエハＷに作用し、それによって反射し気流の乱
れが生じてもＭＦＣ２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２
０ｄを制御し、Ｎ2 ガスの気流の乱れまたは反射量の大
きい方向の室の排気量を設定することによりＮ2 ガスに
より搬送されるパーティクルは確実にその室に搬送され
排気除去できる。
明すると、排気手段５０の排気ダクト５１は露光手段６
の周囲を囲むように配置され、この排気ダクト５１の内
部は隔壁５２により複数の室に分割されており、この複
数の室をそれぞれ独立に排気量を所定の排気量にする排
気制御装置、例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに配管１９，１
９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄを介して接続され、さら
に、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２０，２０ａ，
２０ｂ，２０ｃ，２０ｄは、排気装置、例えば真空ポン
プ１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄにそれぞれ接
続されている。このように構成ことにより、ガス吹き付
け手段１７により吹き付ける、不活性ガス、例えばＮ2
ガスがウエハＷに作用し、それによって反射し気流の乱
れが生じてもＭＦＣ２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２
０ｄを制御し、Ｎ2 ガスの気流の乱れまたは反射量の大
きい方向の室の排気量を設定することによりＮ2 ガスに
より搬送されるパーティクルは確実にその室に搬送され
排気除去できる。
【００２９】尚、実施例のウエハ周縁部の露光操作は、
ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であればどの工
程でも良く、例えばレジスト膜の密着性を良好にするプ
リベーク処理の前工程や、マスクパターン処理の前後工
程、或いは現像工程の直前の工程で行なっても良いこと
は言うまでもなく、また、ウエハのオリフラ部とオリフ
ラ部外の処理の順番はどちらを先に行なっても良くま
た、不活性ガスとしてＮ2 ガスを用いたが、これに限定
されず、例えばＣＯ2 ガスやＡｒガスを用いても良くク
リーンエアーを用いてもよい、また、被処理体としては
半導体ウエハを用いた場合について説明したが、これに
限定されず、ＬＣＤ基板、円板状フロッピーディスクへ
の磁性材のスピンコーティング等にも適応し得るのは勿
論である。
ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であればどの工
程でも良く、例えばレジスト膜の密着性を良好にするプ
リベーク処理の前工程や、マスクパターン処理の前後工
程、或いは現像工程の直前の工程で行なっても良いこと
は言うまでもなく、また、ウエハのオリフラ部とオリフ
ラ部外の処理の順番はどちらを先に行なっても良くま
た、不活性ガスとしてＮ2 ガスを用いたが、これに限定
されず、例えばＣＯ2 ガスやＡｒガスを用いても良くク
リーンエアーを用いてもよい、また、被処理体としては
半導体ウエハを用いた場合について説明したが、これに
限定されず、ＬＣＤ基板、円板状フロッピーディスクへ
の磁性材のスピンコーティング等にも適応し得るのは勿
論である。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、被処理体を露光処理中に発生
するパーティクルを確実に排気除去することができるの
で、被処理体にパーティクルが付着するのを防止でき、
もって被処理体の歩留り向上させることができるという
顕著な効果がある。
するパーティクルを確実に排気除去することができるの
で、被処理体にパーティクルが付着するのを防止でき、
もって被処理体の歩留り向上させることができるという
顕著な効果がある。
【００３１】
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用される露光装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】図１の露光装置の部分断面図である。
【図３】図１の露光装置の動作を説明する動作説明図で
ある。
ある。
【図４】図１の露光装置の動作を説明する動作説明図で
ある。
ある。
【図５】図１の露光装置による被処理体のオリフラ部を
処理する動作を説明する動作説明図である。
処理する動作を説明する動作説明図である。
【図６】他の実施例を説明する概略平面図である。
【図７】他の実施例を説明する概略平面図である。
【図８】他の実施例を説明する概略平面図である。
１ 露光装置 ６ 露光手段 １１ 排気ダクト（第一の排気手段） １２ 排気ダクト（第二の排気手段） １７ ガス吹き付け手段 ２６ 回動機構 ３０ レジスト膜 ３１ 気泡 ５０ 排気手段 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
Claims (3)
- 【請求項１】 処理膜の形成された被処理体を載置台に
載置し、この被処理体の周縁部に光を照射して前記周縁
部を露光処理する露光装置であって、前記被処理体の周
縁部を露光する露光手段と、この露光手段の周囲を囲み
配置された排気手段と、前記被処理体の周縁部に向けて
不活性ガスを吹き付けるガス吹き付け手段とを具備した
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記ガス吹き付け手段は前記排気手段に
内設したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
露光装置。 - 【請求項３】 前記排気手段は前記露光手段の前記被処
理体内方向側に設けられた第一の排気手段と、前記露光
手段の被処理体外方向側に設けられた第二の排気手段と
で構成され、前記ガス吹き付け手段は前記第一の排気手
段に内設したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35288993A JP3199548B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35288993A JP3199548B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光装置および露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201717A true JPH07201717A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3199548B2 JP3199548B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18427147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35288993A Expired - Fee Related JP3199548B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199548B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| JP2013172120A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 周辺露光方法及び周辺露光装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35288993A patent/JP3199548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196500A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Ushio Inc | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| KR100523890B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2005-10-26 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 필름 회로 기판의 주변 노광 장치 |
| JP2013172120A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 周辺露光方法及び周辺露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3199548B2 (ja) | 2001-08-20 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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