JPH07201018A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 再生感度や再生分解能を低下させることなく
バルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気抵抗効果型
ヘッドの構成を明らかにする。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気
抵抗効果により磁気的信磁気抵抗効果により磁気的信号
を電気的信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁
気抵抗効果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すため
の一対の電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果膜に接して第１の磁区制御層が設
けられ、該第１の磁区制御層が、前記磁気抵抗効果膜に
接して設けられる常磁性膜と、該常磁性膜に接して設け
られる反強磁性膜とを備えることを特徴とするものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果により磁
気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものであり、特に、磁気ディスク装置等の小型
で大容量の磁気記録装置に使用される磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気ディスク
装置等の再生用ヘッドとしての注目されているが、磁気
抵抗効果膜内の磁壁移動により、バルクハウゼンノイズ
が発生するという問題があった。この問題を解決するた
めの手段として、特公昭６０−３２３３０号公報には、
磁気抵抗効果膜上に反強磁性膜を形成することが開示さ
れている。この手段によれば、磁気抵抗効果膜と反強磁
性膜との交換結合によって磁気抵抗効果膜が単磁区化
し、バルクハウゼンノイズは低減するが、前記交換結合
が強すぎると、再生感度が低下するという問題が生じ
る。

【０００３】一方、特開平５−１３５３３１号公報に
は、前記交換結合の強さを制御するための手段として、
磁気抵抗効果膜と反強磁性膜との間に強磁性膜を設ける
構成が開示されている。この構成によれば、前記交換結
合の強さを定量的に示す交換結合磁界の値を１０Ｏｅ以
下とすることができ、再生感度の低下を抑制することが
できるが、該公報中に記載された実施例によれば、交換
結合制御用の強磁性膜の厚さを５０〜５００Åとする必
要があり、磁気抵抗効果膜とシ−ルド層との間の距離が
大きくなって、短波長信号の再生分解能が低下するとい
う問題が生じる。

【０００４】また、該公報中に記載された実施例におい
ては、交換結合制御用強磁性膜の材料としてＮｉＦｅ合
金にＮｂを添加した合金が用いられているが、該強磁性
膜の膜厚を厚くせずに交換結合磁界を小さくするために
は、Ｎｂの濃度を高くする必要がある。しかしながら、
Ｎｂの濃度が高くなるとＮｉＦｅＮｂ合金膜の結晶構造
が乱れ、このような結晶構造の乱れにより交換結合磁界
の制御が不安定になるという問題が生じる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、再生感度や
再生分解能を低下させることなくバルクハウゼンノイズ
の発生を抑制した磁気抵抗効果型ヘッドの構成を明らか
にするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果型ヘッドは、磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すための一対の
電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁
気抵抗効果膜に接して第１の磁区制御層が設けられ、該
第１の磁区制御層が、前記磁気抵抗効果膜に接して設け
られる常磁性膜と、該常磁性膜に接して設けられる反強
磁性膜とを備えることを特徴とするものである。

【０００７】本発明において用いられる磁気抵抗効果膜
の材料は、磁気抵抗効果を有する軟磁性材料であれば特
に限定されるものでなく、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合
金、ＮｉＣｏ合金等を用いることができる。また、これ
らの合金からなる膜を積層した多層膜であってもよい。

【０００８】本発明において第１の磁区制御層を構成す
る反強磁性膜の材料は、磁気抵抗効果膜に対して交換結
合磁界を付与することができる反強磁性材料であれば特
に限定されるものではなく、ＦｅＭｎ合金、ＦｅＭｎ合
金にＰｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｅｒ等の第３元素を添加した合
金、ＮｉＭｎ合金、ＣｒＡｌ合金、ＮｉＯ等を用いるこ
とができる。

【０００９】本発明において第１の磁区制御層を構成す
る常磁性膜の材料は、室温において常磁性を示す材料で
あれば特に限定されるものではないが、磁気抵抗効果膜
及び磁区制御層の反強磁性膜と同種の結晶構造を有する
ものであることが好ましい。すなわち、磁気抵抗効果膜
としてＮｉＦｅ合金膜を用い、反強磁性膜としてγ−Ｆ
ｅＭｎ合金膜を用いる場合には、これらの結晶構造は面
心立方晶系であるので、常磁性膜も面心立方晶系のもの
であることが好ましい。また、常磁性膜の格子定数も磁
気抵抗効果膜や反強磁性膜の格子定数に近いものである
ことが好ましく、その差は±２０％の範囲内、さらに好
ましくは±１０％の範囲内とする。このような常磁性膜
の材料としては、ＮｉＣｕ合金が挙げられる。また、常
磁性膜の膜厚は磁気抵抗効果膜や反強磁性膜の材料や膜
厚により適宜選択されるが、ＮｉＦｅ合金からなる磁気
抵抗効果膜の膜厚が１００〜４００Åであり、ＦｅＭｎ
合金からなる反強磁性膜の膜厚が７５〜２５０Åである
場合には、ＮｉＣｕ合金からなる常磁性膜の膜厚は５０
Å以下とすることが好ましく、さらに好ましくは１０Å
以下とする。

【００１０】本発明に従う好ましい実施態様の一つにお
いては、磁気抵抗効果膜の長手方向両端の側面から所定
の距離だけ離れた位置に、第２の磁区制御層が設けられ
る。

【００１１】第２の磁区制御層は、磁気抵抗効果膜より
も一軸異方性の大きい軟磁性材料からなることが好まし
い。このような軟磁性膜としては、ＣｏＺｒ系アモルフ
ァス合金が挙げられる。

【００１２】また、磁気抵抗効果膜と第２の磁区制御層
との間の距離は、４μｍ以下であることが好ましく、第
２の磁区制御層の側面は、磁気抵抗効果膜の側面全域に
対向するように形成されていることが好ましい。

【００１３】

【作用】上記本発明の構成によれば、第１の磁区制御層
を構成する常磁性膜の膜厚が薄くても交換結合の強さが
十分に制御され、シールド間ギャップ長が拡がらないの
で再生分解能が低下しない。また、前記常磁性膜は結晶
構造が安定したものであるので、交換結合の制御が不安
定になることもない。

【００１４】一方、第２の磁区制御層は磁気抵抗効果膜
と静磁的に結合し、該第２の磁区制御層内に還流磁区が
形成されやすくなるため、第１の磁区制御層内に常磁性
膜を配することにより交換結合磁界が小さくなっても、
磁気抵抗効果膜の端部における還流磁区の発生が抑制さ
れる。また、磁気抵抗効果膜と第２の磁区制御層とは離
れているため、信号を再生する際、第２の磁区制御層内
の磁壁の移動が磁気抵抗効果膜に悪影響を及ぼすことも
ない。従って、再生感度を低下させることなくバルクハ
ウゼンノイズを低減することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。

【００１６】図３は、本発明に従う一実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドを示す斜視図である。図３を参照して、Ｎ
ｉＦｅ合金からなる下部シ−ルド層１（膜厚１μｍ）
は、Ａ１₂Ｏ₃ −ＴｉＣからなる基板（図示せず）上に
Ａ１₂Ｏ₃からなる絶縁層（膜厚１０μｍ：図示せず）を
介して形成されている。下部シ−ルド層１の上には、Ａ
１₂Ｏ₃からなる下部絶縁層（膜厚０．２μｍ：図示せ
ず）が形成されており、該下部絶縁層上に磁気抵抗効果
膜と第１の磁区制御層からなる磁気抵抗効果素子部１０
が形成されている。磁気抵抗効果素子部１０上には、ト
ラック幅に相当する距離を隔てて一対の電極２、３（Ｍ
ｏ／Ａｕ／Ｍｏの３層膜：膜厚２００Å／１０００Å／
２００Å）が設けられている。電極２、３及び該電極間
の磁気抵抗効果素子部１０上には、Ｍｏからなるシャト
ン膜４（膜厚８０Å）が形成されている。シャトン膜４
の上には、Ａ１₂Ｏ₃からなる上部絶縁層（膜厚０．１５
μｍ：図示せず）が形成されており、該上部絶縁層上に
ＮｉＦｅ合金からなる上部シ−ルド層５（膜厚１μｍ）
が形成されている。

【００１７】上記磁気抵抗効果型ヘッドを構成する各層
は、基板１上に順次スパッタリング法等により成膜さ
れ、エッチング法等により所定の平面形状に整形された
ものである。

【００１８】下部シ−ルド層１及び上部シ−ルド層５
は、磁気抵抗効果素子部１０に信号磁界以外の外部磁界
が混入するのを防止し、再生分解能を高めるために設け
られており、その材料としては上記ＮｉＦｅ合金以外に
もＣｏ系非晶質合金等の軟磁性材が用いられ、膜厚は一
般に１〜３μｍである。

【００１９】電極２、３は、磁気抵抗効果素子部１０の
磁気抵抗効果膜に信号検出用の電流を流すために設けら
れており、その膜厚は一般に１０００〜２０００Åであ
る。

【００２０】シャトン膜４は、磁気抵抗効果素子部１０
に対してバイアス磁界を印加するため設けられており、
その材料としては上記Ｍｏ以外にもＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｗ等が用いられ、膜厚は一般に８０〜１０００Åであ
る。

【００２１】図１は、図３に示す磁気抵抗効果素子部１
０の断面図である。図１を参照して、磁気抵抗効果素子
部１０は、磁気抵抗効果膜１１上に常磁性膜１２を介し
て反強磁性膜１３を積層することにより構成されてい
る。この実施例では、磁気抵抗効果膜の材料としてＮｉ
Ｆｅ合金を用い、その膜厚を３００Åとしている。ま
た、反強磁性膜１３の材料としてγ−ＦｅＭｎ合金を用
い、その膜厚を１５０Åとしている。また、常磁性膜１
２の材料としてＮｉＣｕ合金を用い、その膜厚を１０Å
としている。なお、この磁気抵抗効果素子部１０は、エ
ッチング法により１５０×５μｍの平面形状に整形され
ている。

【００２２】磁気抵抗効果膜１１として用いているＮｉ
Ｆｅ合金は面心立方の結晶構造（以下、ｆｃｃ構造と略
す）を有し、格子定数は約３．５５Åである。また、反
強磁性膜１３として用いているγ−ＦｅＭｎ合金もｆｃ
ｃ構造であり、格子定数は約３．６０Åである。また、
常磁性膜１２として用いているＮｉＣｕ合金もｆｃｃ構
造を有し、その格子定数は約３．８５Åである。すなわ
ち、磁気抵抗効果膜１１と反強磁性膜１３と常磁性膜１
２は同種の結晶構造を有し、その格子定数の値も互いに
非常に近い。なお、ＮｉＣｕ合金は、Ｎｉ含有量が約４
０〜７０原子％の組成範囲で２０℃以下のキュリ−点を
有する常磁性体となる。

【００２３】図７は、図１に示すような磁気抵抗効果素
子部を有する磁気抵抗効果型ヘッドについての抵抗−磁
界曲線（以下、ＭＲ曲線と略す）を示している。また図
８は、図１に示すような磁気抵抗効果素子部において、
常磁性膜１２や反強磁性膜１３を形成せずに磁気抵抗効
果膜１１のみを磁気抵抗効果素子部として用い、その他
は図３に示す実施例と同様にして作製した比較例の磁気
抵抗効果型ヘッドについてのＭＲ曲線を示している。図
７と図８を比較すればわかるように、磁気抵抗効果膜上
に常磁性膜と反強磁性膜とを設けることによりＭＲ曲線
が滑らかになり、バルクハウゼンノイズが発生しにくく
なる。

【００２４】ここで、上記実施例の磁気抵抗効果素子部
において、磁気抵抗効果膜に付与される交換結合磁界を
測定したところ、４Ｏｅであった。また、常磁性膜の膜
厚を１０Åから５Åと薄くする以外は上記実施例と同様
の磁気抵抗効果素子部を作製し、その時の交換結合磁界
を測定したところ、７Ｏｅであった。また、比較例とし
て常磁性膜を設けずに磁気抵抗効果膜上に直接反強磁性
膜を形成した磁気抵抗効果素子部を作製し、その時の交
換結合磁界を測定したところ、２５Ｏｅであった。これ
らの結果を、表１にまとめて示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】表１を見ればわかるように、磁気抵抗効果
膜と反強磁性膜との間に常磁性膜を設けることによって
交換結合磁界が小さくなり、再生感度が向上する。

【００２７】図２は、本発明に従う他の実施例における
磁気抵抗効果素子部１０を示す断面図である。図２を参
照して、この実施例では、下地膜１４の上に磁気抵抗効
果膜１１、常磁性膜１２及び反強磁性膜１３を順次形成
することにより磁気抵抗効果素子部１０が構成されてい
る。下地膜１４の材料としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ等の金属、あるいはそれらを主成分とする合金、Ｓｉ
₃Ｎ₄等の絶縁体等を用いることができる。このような下
地膜１４上に磁気抵抗効果膜１１を形成することによ
り、磁気抵抗効果膜１１の結晶構造が安定化し、その上
の常磁性膜１２や反強磁性膜１３の結晶構造も安定化
し、交換結合がさらに安定化する。

【００２８】ここで、図２に示すような下地膜を有した
磁気抵抗効果素子部を用いること以外は前記表１に示し
た実施例と同様にして磁気抵抗効果素子部を作製し、交
換結合磁界を測定した結果を表２に示す。下地膜に関し
ては、厚さ３０ÅのＭｏ膜を用いたものと厚さ１００Å
のＴｉ膜を用いたものを作製した。常磁性膜に関して
は、厚さ１０Åのものと５Åのものを作製した。

【００２９】

【表２】

【００３０】表１と表２を比較すればわかるように、下
地膜を有する磁気抵抗効果素子部においては交換結合磁
界が僅かに大きくなっているが、このことは、下地膜上
の磁気抵抗効果膜、常磁性膜及び反強磁性膜の結晶構造
が安定化し、交換結合が安定化したことを意味する。

【００３１】以上の実施例では、図４に示すように磁気
抵抗効果膜１１の上面全体に接して常磁性膜１２及び反
強磁性膜１３を形成した磁気抵抗効果素子部１０を示し
たが、本発明はこのような構造に限定されるものでな
く、図５に示すようにトラック部を除く部分の上のみに
常磁性膜１２及び反強磁性膜１３を形成した磁気抵抗効
果素子部１０を用いてもよい。また、図６に示すように
トラック部のみに常磁性膜１２及び反強磁性膜１３を形
成した磁気抵抗効果素子部１０を用いてもよい。

【００３２】図９は、本発明において用いられる磁気抵
抗効果素子部１０の構造のさらに他の例を示す断面図で
ある。図９を参照して、磁気抵抗素子部１０は、反強磁
性膜１３の上に常磁性膜１２を介して磁気抵抗効果膜１
１を積層することにより構成されている。この実施例で
は、磁気抵抗効果膜１１としてＮｉＦｅ合金を用い、そ
の膜厚を２５０Åとしている。また、反強磁性膜１３と
してＮｉＯを用い、その膜厚を３００Åとしている。ま
た、常磁性膜１２としてＮｉＣｕ合金を用い、その膜厚
を５０Åとしている。この実施例における交換結合磁界
を測定したところ、２Ｏｅであった。さらに、この実施
例においてＮｉＣｕ膜の膜厚を１０〜８０Åの範囲で変
化させたところ、交換結合磁界は９〜１Ｏｅの範囲で変
化し、膜厚を制御することにより交換結合磁界を制御で
きることが確認された。

【００３３】図９に示す実施例において、反強磁性膜１
３としてＮｉＯの代わりに厚さ３００ÅのＣｒＡｌ合金
を用いた場合にも、同様な結果が得られた。

【００３４】図１０は、本発明に従うさらに他の実施例
の磁気抵抗効果型ヘッドを示す断面図である。この実施
例の磁気効果型ヘッドにおいては、一対の第２の磁区制
御層２５、２６が設けられている。図１０を参照して、
基板３３の上には、絶縁層３２、下部シ−ルド層２９及
び絶縁層３１が順次形成されている。絶縁層３１の上に
は、磁気抵抗効果素子部２０が形成されている。磁気抵
抗効果素子部２０は、ＮｉＦｅ合金からなる磁気抵抗効
果膜２１、ＮｉＣｕ合金からなる常磁性膜２２及びγ−
ＦｅＭｎ合金からなる反強磁性膜２３により構成されて
いる。この磁気抵抗効果素子部２０は、図１に示す磁気
抵抗効果素子部１０とほぼ同様のものである。なお、磁
気抵抗効果膜２１は長手方向を磁化容易軸とする一軸異
方性を有し、その一軸異方性磁界は６Ｏｅである。

【００３５】磁気抵抗効果素子部２１の上には、Ｍｏか
らなるシャトン層２４が形成されており、磁気抵抗効果
膜２１の長手方向両端の側面から距離ｌだけ離れた絶縁
層３１の上には、高飽和磁束密度で一軸異方性磁界が大
きい軟磁性材料からなる第２の磁区制御層２５、２６が
形成されている。この実施例では、第２の磁区制御層２
５、２６の材料としてＣｏＺｒＳｎアモルファス合金が
用いられている。この場合、第２の磁区制御層２５、２
６の一軸異方性磁界は１７Ｏｅで、磁気抵抗効果膜２１
の一軸異方性磁界よりも大きく、第２の磁区制御層２
５、２６の最大抵抗変化率（以下、ＭＲ比と略す）は
０．１％以下で、磁気抵抗効果膜２１のＭＲ比よりも１
桁〜２桁小さい。

【００３６】シャント層２４上の両側には、一対の電極
２７、２８が形成されている。電極２７は第２の磁区制
御層２５を覆うように、電極２８は第２の磁区制御層２
６を覆うように形成されている。電極２７と電極２８の
間が、トラック部となる。

【００３７】図１１は、図１０に示す実施例の磁区抵抗
効果型ヘッドを示す斜視図である。図１１に示すよう
に、電極層２７、２８の上には、絶縁層（図示せず）を
介して上部シ−ルド層３０が設けられている。なお、図
１１においては、第２の磁区制御層２５、２６や下部シ
−ルド層２９上の絶縁層についても図示省略している。

【００３８】図１２は、図１０に示す実施例の磁気抵抗
効果膜２１及び磁区制御層２５、２６の磁区構造を、ビ
ッタ−法により観測した結果を示す平面図である。図１
２に示すように、磁気抵抗効果膜２１内には磁壁が存在
せず、磁気抵抗効果膜２１は単磁区化している。一方、
第２の磁区制御層２５、２６には磁壁４５、４６がそれ
ぞれ発生している。これは、第２の磁区制御層２５、２
６が磁壁エネルギ−の大きな材料により構成されている
ためである。磁気抵抗効果型ヘッドとして信号を再生す
る際、第２の磁区制御層２５、２６内の磁壁４５、４６
は信号磁界の影響を受けて移動するが、磁気抵抗効果素
子２１は第２の磁区制御層２５、２６から離れているた
めに、磁壁４５、４６の移動が磁気抵抗効果素子２１内
に新たな磁壁の発生をもたらすようなことはなく、バル
クハウゼンノイズも発生しない。

【００３９】図１３は、第２の磁区制御層を設けていな
い場合の磁気抵抗効果膜の磁区構造を示す平面図であ
る。このような場合には磁気抵抗効果膜１１内に磁壁４
１が発生しやすくなり、該磁壁４１は、磁気抵抗効果型
ヘッドとして信号を再生する際に信号磁界の影響を受け
て移動しやすく、バルクハウゼンノイズが発生しやすく
なる。

【００４０】以上のことからわかるように、第２の磁区
制御層を設けることにより、バルクハウゼンノイズの発
生をさらに抑制することができる。

【００４１】図１４は、図１０に示す磁気抵抗効果膜２
１と第２の磁区制御層２５、２６との間の距離ｌと、バ
ルクハウゼンノイズの発生状況との関係を示す図であ
る。図１４において、縦軸は磁区抵抗効果膜の端部に発
生する磁区の大きさ、すなわち図１３に示すｍを示して
いる。

【００４２】図１４からわかるように、磁気抵抗効果膜
と第２の磁区制御層との間の距離ｌが２μｍ以下であれ
ば磁気抵抗効果膜に磁壁が発生せず、磁気抵抗効果膜は
単磁区構造になる。また、距離ｌが４μｍ以下では磁区
の大きさｍが５μｍ以下となり、バルクハウゼンノイズ
が発生しない。

【００４３】図１５は、各種磁気抵抗効果型ヘッドにつ
いてのＭＲ曲線を示す図であり、（ａ）は、図１０に示
す実施例の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
［Ａ］と略す）に関するものであり、（ｂ）は、第１の
磁区制御層及び第２の磁区制御層を有していない磁気抵
抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、ＭＲヘッド［Ｂ］と略す）に関するものであり、
（ｃ）は、磁気抵抗効果膜に接して反強磁性膜が設けら
れ常磁性膜及び第２の磁区制御層を有していない磁気抵
抗効果素子部から構成される磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、ＭＲヘッド［Ｃ］と略す）に関するものである。な
お、ＭＲヘッド［Ｃ］における交換結合磁界は２０Ｏｅ
以上となっている。

【００４４】図１５を見ればわかるように、ＭＲヘッド
［Ｂ］においてはＭＲ比が大きく、再生感度の点では優
れているが、バルクハウゼンノイズが発生する。ＭＲヘ
ッド［Ｃ］はバルクハウゼンノイズが発生しないという
点では優れているが、ＭＲ比が小さくて最適バイアス磁
界も大きいため、再生感度の点で不利である。これに対
して、本発明実施例のＭＲヘッド［Ａ］においてはバル
クハウゼンノイズが発生せず、ＭＲ比が大きくて最適バ
イアス磁界も小さいため、再生感度の点でも優れてい
る。

【００４５】図１６〜図１８は、本発明における磁気抵
抗効果膜と第２の磁区制御層との相対配置や第２の磁区
制御層の平面形状の例を示す平面図であり、各図に示さ
れた磁気抵抗効果膜２１及び第２の磁区制御層２５、２
６の上側の端辺が磁気記録媒体に対向することになる。

【００４６】図１６に示す例では、磁気抵抗効果膜２１
と第２の磁区制御層２５、２６の幅が互いにほぼ等し
い。すなわち、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両端の側
面２１ａの全幅に対して、第２の磁区制御層２５、２６
の側面が対向している。

【００４７】図１７に示す例では、第２の磁区制御層２
５、２６の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、第２の
磁区制御層２５、２６が磁気抵抗効果膜よりも下方に突
出している。この構造においても、磁気抵抗効果膜２１
の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対して、第２の磁
区制御層２５、２６の側面が対向している。

【００４８】図１８に示す例では、第２の磁区制御層２
５、２６の幅が磁気抵抗効果膜２１よりも広く、磁気抵
抗効果膜２１の下方において、第２の磁区制御層２５、
２６が互いに近づく方向に突出している。この構造にお
いても、磁気抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１
ａの全幅に対して、第２の磁区制御層２５、２６の側面
が対向している。

【００４９】図１９及び図２０は、磁気抵抗効果膜と第
２の磁区制御層との相対配置や第２の磁区制御層の平面
形状の好ましくない例を示す平面図であり、各図に示さ
れた磁気抵抗効果膜２１及び第２の磁区制御層２５、２
６の上側の端辺が磁気記録媒体に対向することになる。

【００５０】図１９に示す例では、第２の磁区制御層２
５、２６の幅が磁気抵抗効果層２１の幅よりも狭くなっ
ている。この場合ように、磁気抵抗効果膜２１の長手方
向両端の側面２１ａに対して第２の磁区制御層２５、２
６の側面が対向しない部分があると、本発明における第
２の磁区制御層による効果が低減する。

【００５１】図２０に示す例では、第２の磁区制御層２
５、２６の側面が尖った形状になっており、この場合
も、本発明における第２の磁区制御層による効果が低減
する。

【００５２】以上のことからわかるように、本発明にお
ける第２の磁区制御層による効果を得るためには、磁気
抵抗効果膜２１の長手方向両端の側面２１ａの全幅に対
して、第２の磁区制御層２５、２６の側面が対向してい
ることが好ましい。

【００５３】なお、以上の説明ではシャトンバイアス方
式でシールド型の磁気抵抗効果型ヘッドを例に挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ソフトバ
イアス方式やヨーク型等、他の方式、型式の磁気抵抗効
果型ヘッドにも適用され得るものである。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、再生感度や再生分解能
を低下させることなくバルクハウゼンノイズの発生を抑
制した磁気抵抗効果型ヘッドが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う一実施例における磁気抵抗効果素
子部を示す断面図。

【図２】本発明に従う他の実施例における磁気抵抗効果
素子部を示す断面図。

【図３】本発明に従う一実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
を示す斜視図。

【図４】本発明において用いられる磁気抵抗効果素子部
の構造の一例を示す断面図。

【図５】本発明において用いられる磁気抵抗効果素子部
の構造の他の例を示す断面図。

【図６】本発明において用いられる磁気抵抗効果素子部
の構造のさらに他の例を示す断面図。

【図７】本発明に従う一実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
におけるＭＲ曲線を示す図。

【図８】比較例の磁気抵抗効果型ヘッドのＭＲ曲線を示
す図。

【図９】本発明において用いられる磁気抵抗効果素子部
の構造のさらに他の例を示す断面図。

【図１０】本発明に従うさらに他の実施例における磁気
抵抗効果型ヘッドを示す断面図。

【図１１】図１０に示す実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
を示す斜視図。

【図１２】図１０に示す実施例における磁気抵抗効果膜
の磁区構造を示す平面図。

【図１３】比較例の磁気抵抗効果膜の磁区構造を示す平
面図。

【図１４】磁気抵抗効果膜と第２の磁区制御層の間の距
離と、磁区の大きさとの関係を示す図。

【図１５】磁気抵抗効果型ヘッドにおけるバイアス磁界
強度とＭＲ比との関係を示す図。

【図１６】本発明における磁気抵抗効果膜と第２の磁区
制御層の形状及び配置の一例を示す平面図。

【図１７】本発明における磁気抵抗効果膜と第２の磁区
制御層の形状及び配置の他の例を示す平面図。

【図１８】本発明における磁気抵抗効果膜と第２の磁区
制御層の形状及び配置のさらに他の例を示す平面図。

【図１９】比較例における磁気抵抗効果膜と第２の磁区
制御層の形状及び配置を示す平面図。

【図２０】他の比較例における磁気抵抗効果膜と第２の
磁区制御層の形状及び配置を示す平面図。

【符号の説明】

２、３、２７、２８ 電極 ４、２４ シャント層 １０、２０ 磁気抵抗効果素子部 １１、２１ 磁気抵抗効果膜 １２、２２ 常磁性膜 １３、２３ 反強磁性膜 ２５、２６ 第２の磁区制御層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
   信号に変換するための磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
   果膜の長手方向に信号検出用の電流を流すための一対の
   電極とを備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜に接して第１の磁区制御層が設けら
   れ、 該第１の磁区制御層が、前記磁気抵抗効果膜に接して設
   けられる常磁性膜と、該常磁性膜に接して設けられる反
   強磁性膜とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
   ッド。
2. 【請求項２】 前記磁気抵抗効果膜、前記第１の磁区制
   御層及び前記一対の電極が、一対のシ−ルド層の間に設
   けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
   抗効果型ヘッド。
3. 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜、前記反強磁性膜及
   び前記常磁性膜のいずれもが、面心立方晶系の結晶構造
   を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効
   果型ヘッド。
4. 【請求項４】 前記常磁性膜が、２０℃以下のキュリ−
   点を有するＮｉＣｕ合金からなることを特徴とする請求
   項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
5. 【請求項５】 前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端の側
   面から所定の距離だけ離れた位置に、第２の磁区制御層
   が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁
   気抵抗効果型ヘッド。
6. 【請求項６】 前記第２の磁区制御層が、前記磁気抵抗
   効果膜に比べて一軸異方性磁界の大きい軟磁性材料から
   なることを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果型
   ヘッド。
7. 【請求項７】 前記磁気抵抗効果膜と前記第２の磁区制
   御層との間の距離が、４μｍ以下であることを特徴とす
   る請求項５に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
8. 【請求項８】 前記第２の磁区制御層が、前記磁気抵抗
   効果膜の両端の側面の全域に対向する側面を有すること
   を特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。