JPH07199825A - 電界放出型表示パネル - Google Patents
電界放出型表示パネルInfo
- Publication number
- JPH07199825A JPH07199825A JP33627493A JP33627493A JPH07199825A JP H07199825 A JPH07199825 A JP H07199825A JP 33627493 A JP33627493 A JP 33627493A JP 33627493 A JP33627493 A JP 33627493A JP H07199825 A JPH07199825 A JP H07199825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- display panel
- field emission
- phosphor
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放出型表示パネルに関し、特に輝度を
向上させた電界放出型表示パネルの提供を目的とする。 【構成】 電界で電子を真空中に放出するカソードと、
この電子を真空中で加速し蛍光体に照射させるアノード
とを含んでなる電界放出型表示パネルであって、蛍光体
１７の非画素領域Ｑと対応するアノード２１の領域を、
前述の非画素領域Ｑよりも小さく形成する。
向上させた電界放出型表示パネルの提供を目的とする。 【構成】 電界で電子を真空中に放出するカソードと、
この電子を真空中で加速し蛍光体に照射させるアノード
とを含んでなる電界放出型表示パネルであって、蛍光体
１７の非画素領域Ｑと対応するアノード２１の領域を、
前述の非画素領域Ｑよりも小さく形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界放出型表示パネル
に係り、特に輝度を向上させた電界放出型表示パネルに
関する。
に係り、特に輝度を向上させた電界放出型表示パネルに
関する。
【０００２】フラットディスプレイパネルとしては液晶
パネルやプラズマディスプレイパネルが広く普及してい
るが、液晶パネルと比較しても消費電力が大幅に少なく
なるとして電界放出型表示パネルが最近注目され出して
おり、その開発・実用化が急がれている。
パネルやプラズマディスプレイパネルが広く普及してい
るが、液晶パネルと比較しても消費電力が大幅に少なく
なるとして電界放出型表示パネルが最近注目され出して
おり、その開発・実用化が急がれている。
【０００３】
【従来の技術】電界放出型表示パネルの基本的な構造
は、図８（ａ）、（ｂ）で示すように、表層部が導電性
を有する基板、たとえばシリコン基板１１と、シリコン
基板１１上に形成され、シリコン基板１１上に至る垂直
孔１３ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３上の垂直孔
１３ａの周囲に形成されたゲート電極１４と、垂直孔１
３ａ内でシリコン基板１１上に垂立し、このシリコン基
板１１と接続した円錐状のカソード１２と、透明基板、
たとえばガラス基板１５上に形成され、表面に被着した
蛍光体１７と真空空間とを記載順に介してカソード１２
の先端と対向したアノード１６と、このアノード１６の
カソード１２と非対応の領域と蛍光体１７との間に介在
し、蛍光体１７上を画素領域Ｐと非画素領域Ｑとに分割
する遮光マスク１８とを含んで構成し、蛍光体１７の画
素領域Ｐの点灯（発光状態）と非点灯（非発光状態）に
よって表示動作を行なうものである。
は、図８（ａ）、（ｂ）で示すように、表層部が導電性
を有する基板、たとえばシリコン基板１１と、シリコン
基板１１上に形成され、シリコン基板１１上に至る垂直
孔１３ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３上の垂直孔
１３ａの周囲に形成されたゲート電極１４と、垂直孔１
３ａ内でシリコン基板１１上に垂立し、このシリコン基
板１１と接続した円錐状のカソード１２と、透明基板、
たとえばガラス基板１５上に形成され、表面に被着した
蛍光体１７と真空空間とを記載順に介してカソード１２
の先端と対向したアノード１６と、このアノード１６の
カソード１２と非対応の領域と蛍光体１７との間に介在
し、蛍光体１７上を画素領域Ｐと非画素領域Ｑとに分割
する遮光マスク１８とを含んで構成し、蛍光体１７の画
素領域Ｐの点灯（発光状態）と非点灯（非発光状態）に
よって表示動作を行なうものである。
【０００４】この蛍光体１７の画素領域Ｐの点灯（発
光）は、図８（ｂ）で示すように、第１及び第２の直流
電源Ｅ1,Ｅ2 を使用してカソード１２に対してゲート電
極１４及びアノード１６とをそれぞれ高電位にし、カソ
ード１２の先端部から電界放出させた電子ｅをアノード
１６によって加速して蛍光体１７に照射することによっ
て行なっている。
光）は、図８（ｂ）で示すように、第１及び第２の直流
電源Ｅ1,Ｅ2 を使用してカソード１２に対してゲート電
極１４及びアノード１６とをそれぞれ高電位にし、カソ
ード１２の先端部から電界放出させた電子ｅをアノード
１６によって加速して蛍光体１７に照射することによっ
て行なっている。
【０００５】したがって、第１及び第２の直流電源Ｅ1,
Ｅ2 のオン・オフ操作をすることによって蛍光体１７の
オン（点灯）・オフ（非点灯）制御が自在となり、電界
放出型表示パネルによる表示動作が可能となる。
Ｅ2 のオン・オフ操作をすることによって蛍光体１７の
オン（点灯）・オフ（非点灯）制御が自在となり、電界
放出型表示パネルによる表示動作が可能となる。
【０００６】なお、アノード１６は、蛍光体１７の画素
領域Ｐから発生した光を、ガラス基板１５を介して外部
に効率的に取り出すために透明導電膜、たとえばＩＴＯ
(Indium Tin Oxide)膜で形成されるのが通例である。
領域Ｐから発生した光を、ガラス基板１５を介して外部
に効率的に取り出すために透明導電膜、たとえばＩＴＯ
(Indium Tin Oxide)膜で形成されるのが通例である。
【０００７】ところで、カソード１２は極めて微小であ
るから、従来の電界放出型表示パネルは勿論のこと、本
発明に係る電界放出型表示パネルにおいても、図８
（ｃ）に示すように互いに隣接する複数のカソード１２
でもってカソード群１２Ｇを構成し、それぞれのカソー
ド群１２Ｇに対応する蛍光体１７上の各々の領域をそれ
ぞれ画素領域Ｐとするとともに、それ以外の領域の非画
素領域Ｑとしている。
るから、従来の電界放出型表示パネルは勿論のこと、本
発明に係る電界放出型表示パネルにおいても、図８
（ｃ）に示すように互いに隣接する複数のカソード１２
でもってカソード群１２Ｇを構成し、それぞれのカソー
ド群１２Ｇに対応する蛍光体１７上の各々の領域をそれ
ぞれ画素領域Ｐとするとともに、それ以外の領域の非画
素領域Ｑとしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図８（ｃ）で示すよう
に従来の電界放出型表示パネルのアノード１６は、ガラ
ス基板１５の裏面全体に被着したＩＴＯ膜でもって形成
している。
に従来の電界放出型表示パネルのアノード１６は、ガラ
ス基板１５の裏面全体に被着したＩＴＯ膜でもって形成
している。
【０００９】したがって、カソード１２に対してゲート
電極１４及びアノード１６とをそれぞれ高電位にし、カ
ソード１２の先端部から電界放出させた電子ｅをアノー
ド１６によって加速して蛍光体１７に照射した際に、多
くの電子ｅが蛍光体１７上の画素領域Ｐを照射してこれ
を発光させるものの、一部の電子ｅは蛍光体１７上の非
画素領域Ｑを照射する。
電極１４及びアノード１６とをそれぞれ高電位にし、カ
ソード１２の先端部から電界放出させた電子ｅをアノー
ド１６によって加速して蛍光体１７に照射した際に、多
くの電子ｅが蛍光体１７上の画素領域Ｐを照射してこれ
を発光させるものの、一部の電子ｅは蛍光体１７上の非
画素領域Ｑを照射する。
【００１０】電界放出型表示パネルにおける画素領域Ｐ
の輝度は、この画素領域Ｐを照射した電子ｅの数に略比
例する。したがって、カソード１２から放出される電子
ｅの数が一定である条件のもとでは、蛍光体１７の非画
素領域Ｑを照射する電子ｅが存在する場合の画素領域Ｐ
の輝度は、非画素領域Ｑに照射する電子ｅがない場合の
画素領域Ｐの輝度と比較して低くなる。
の輝度は、この画素領域Ｐを照射した電子ｅの数に略比
例する。したがって、カソード１２から放出される電子
ｅの数が一定である条件のもとでは、蛍光体１７の非画
素領域Ｑを照射する電子ｅが存在する場合の画素領域Ｐ
の輝度は、非画素領域Ｑに照射する電子ｅがない場合の
画素領域Ｐの輝度と比較して低くなる。
【００１１】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は蛍光体１７の画素
領域Ｐの輝度を向上できる電界放出型表示パネルを提供
することにある。
になされたものであって、その目的は蛍光体１７の画素
領域Ｐの輝度を向上できる電界放出型表示パネルを提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１の本発
明の原理説明図で示すように、電界によって電子を真空
中に放出するカソードと、この電子を真空中で加速し蛍
光体に照射させるアノードとを含んでなる電界放出型表
示パネルにおいて、蛍光体１７の非画素領域Ｑと対応す
るアノード２１の領域は、非画素領域Ｑよりも小さく形
成されていることを特徴とする電界放出型表示パネルに
よって達成される。
明の原理説明図で示すように、電界によって電子を真空
中に放出するカソードと、この電子を真空中で加速し蛍
光体に照射させるアノードとを含んでなる電界放出型表
示パネルにおいて、蛍光体１７の非画素領域Ｑと対応す
るアノード２１の領域は、非画素領域Ｑよりも小さく形
成されていることを特徴とする電界放出型表示パネルに
よって達成される。
【００１３】
【作用】本発明の電界放出型表示パネルにおいては、蛍
光体１７の画素領域Ｐに対応するアノード２１の画素対
応領域Ａ以外の領域、すなわち蛍光体１７の非画素領域
Ｑに対応する非画素対応領域Ｂに形成される電界は減少
する。
光体１７の画素領域Ｐに対応するアノード２１の画素対
応領域Ａ以外の領域、すなわち蛍光体１７の非画素領域
Ｑに対応する非画素対応領域Ｂに形成される電界は減少
する。
【００１４】したがって、カソード１２から放出される
電子の殆どは蛍光体１７の画素領域Ｐを照射し、この画
素領域Ｐの輝度が向上する。
電子の殆どは蛍光体１７の画素領域Ｐを照射し、この画
素領域Ｐの輝度が向上する。
【００１５】
【実施例】以下、図１〜図７を参照し、本発明の電界放
出型表示パネルの幾つかの実施例について説明する。
出型表示パネルの幾つかの実施例について説明する。
【００１６】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の電界放出型表示パネルは、図８を参照し
て説明した従来例の電界放出型表示パネルの改良に係る
ものであり、その要点は、図１の本発明の原理説明図で
示すように、蛍光体１７の非画素領域Ｑに対応するアノ
ード２１の領域を少なくし、カソード１２から放出され
る電子ｅの殆どが蛍光体１７の画素領域Ｐを照射するよ
うにし、表示動作オン時における画素領域Ｐの輝度を向
上させるように構成したものである。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の電界放出型表示パネルは、図８を参照し
て説明した従来例の電界放出型表示パネルの改良に係る
ものであり、その要点は、図１の本発明の原理説明図で
示すように、蛍光体１７の非画素領域Ｑに対応するアノ
ード２１の領域を少なくし、カソード１２から放出され
る電子ｅの殆どが蛍光体１７の画素領域Ｐを照射するよ
うにし、表示動作オン時における画素領域Ｐの輝度を向
上させるように構成したものである。
【００１７】図２に示す本発明の第１の実施例は、請求
項２に対応した電界放出型表示パネルであり、そのアノ
ード２１は、このガラス基板１５上で並列したＩＴＯ製
のストライプ状電極２１ａと、このストライプ状電極２
１ａの端部を接続した接続電極２１ｂとからなるもので
ある。
項２に対応した電界放出型表示パネルであり、そのアノ
ード２１は、このガラス基板１５上で並列したＩＴＯ製
のストライプ状電極２１ａと、このストライプ状電極２
１ａの端部を接続した接続電極２１ｂとからなるもので
ある。
【００１８】また、蛍光体１７は、アノード２１のスト
ライプ状電極２１ａ上に飛び石状に配置されて、それぞ
れが画素領域Ｐとなる。このようなストライプ状電極２
１ａでもって形成したアノード２１を有する本発明の第
１の実施例の電界放出型表示パネルにおいては、その表
示動作時においてカソード１２から放出された電子ｅは
ストライプ状電極２１ａ間の領域を照射することがな
い。
ライプ状電極２１ａ上に飛び石状に配置されて、それぞ
れが画素領域Ｐとなる。このようなストライプ状電極２
１ａでもって形成したアノード２１を有する本発明の第
１の実施例の電界放出型表示パネルにおいては、その表
示動作時においてカソード１２から放出された電子ｅは
ストライプ状電極２１ａ間の領域を照射することがな
い。
【００１９】したがって、蛍光体１７の画素領域Ｐを照
射する電子ｅの割合が前述の従来例の場合と比較して増
加し、蛍光体１７の画素領域Ｐの輝度が向上する。ま
た、それぞれのストライプ状電極２１ａの端部には接続
電極２１ｂが接続されており、表示動作時においては全
てのストライプ状電極２１ａは略等電位となり、蛍光体
１７の画素領域Ｐ間の輝度差は少なくなる。
射する電子ｅの割合が前述の従来例の場合と比較して増
加し、蛍光体１７の画素領域Ｐの輝度が向上する。ま
た、それぞれのストライプ状電極２１ａの端部には接続
電極２１ｂが接続されており、表示動作時においては全
てのストライプ状電極２１ａは略等電位となり、蛍光体
１７の画素領域Ｐ間の輝度差は少なくなる。
【００２０】図３に示す本発明の第２の実施例は請求項
３に係る電界放出型表示パネルであり、その特徴は第１
の実施例における蛍光体１７の画素領域Ｐに対応するス
トライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａ以外の領域、す
なわち蛍光体１７の画素領域Ｐに対応するストライプ状
電極２１ａの画素非対応領域Ｂの線幅を狭くしたもので
ある。
３に係る電界放出型表示パネルであり、その特徴は第１
の実施例における蛍光体１７の画素領域Ｐに対応するス
トライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａ以外の領域、す
なわち蛍光体１７の画素領域Ｐに対応するストライプ状
電極２１ａの画素非対応領域Ｂの線幅を狭くしたもので
ある。
【００２１】このようにストライプ状電極２１ａを構成
した本発明の第２の実施例の電界放出型表示パネルにお
いては、その蛍光体１７の画素領域Ｐを照射する電子ｅ
の割合が第１の実施例と比較しても増加し、蛍光体１７
の画素領域Ｐの輝度が一層向上することとなる。
した本発明の第２の実施例の電界放出型表示パネルにお
いては、その蛍光体１７の画素領域Ｐを照射する電子ｅ
の割合が第１の実施例と比較しても増加し、蛍光体１７
の画素領域Ｐの輝度が一層向上することとなる。
【００２２】図４に示す本発明の第３の実施例は請求項
４に係る電界放出型表示パネルであり、その特徴は第１
の実施例において互いに隣接するストライプ状電極２１
ａの蛍光体１７の画素領域Ｐに対応する画素対応領域Ａ
間を短絡電極２１ｃによって接続したものである。
４に係る電界放出型表示パネルであり、その特徴は第１
の実施例において互いに隣接するストライプ状電極２１
ａの蛍光体１７の画素領域Ｐに対応する画素対応領域Ａ
間を短絡電極２１ｃによって接続したものである。
【００２３】このようなストライプ状電極２１ａと短絡
電極２１ｃとを有する本発明の第３の実施例の電界放出
型表示パネルは、その表示動作時において全てのストラ
イプ状電極２１ａの電位が第１の実施例におけるストラ
イプ状電極２１ａの電位と比較してより均一となり、蛍
光体１７の画素領域Ｐ間の輝度差が減少する。
電極２１ｃとを有する本発明の第３の実施例の電界放出
型表示パネルは、その表示動作時において全てのストラ
イプ状電極２１ａの電位が第１の実施例におけるストラ
イプ状電極２１ａの電位と比較してより均一となり、蛍
光体１７の画素領域Ｐ間の輝度差が減少する。
【００２４】図５で示す本発明の第４の実施例のように
ストライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａ間を接続する
短絡電極２１ｃの線幅を狭くすることにより、短絡電極
２１ｃの画素非対応領域Ｂが、上述の第３の実施例にお
ける画素非対応領域Ｂより小さくなり、表示動作時にお
ける蛍光体１７の画素領域Ｐの輝度は第３の実施例にお
けるそれと比較しても一層向上することとなる。
ストライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａ間を接続する
短絡電極２１ｃの線幅を狭くすることにより、短絡電極
２１ｃの画素非対応領域Ｂが、上述の第３の実施例にお
ける画素非対応領域Ｂより小さくなり、表示動作時にお
ける蛍光体１７の画素領域Ｐの輝度は第３の実施例にお
けるそれと比較しても一層向上することとなる。
【００２５】図６に示す本発明の第５の実施例は、スト
ライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａを蛍光体１７の画
素領域Ｐより小さくし、この画素領域Ｐの中央部に電子
ｅを集中させることによりその輝度を一層高めるように
したものである。
ライプ状電極２１ａの画素対応領域Ａを蛍光体１７の画
素領域Ｐより小さくし、この画素領域Ｐの中央部に電子
ｅを集中させることによりその輝度を一層高めるように
したものである。
【００２６】この第５の実施例は、蛍光体１７の輝度を
Ｋとし、また、この蛍光体１７に単位時間に入射する電
子ｅ量をＮとした場合、輝度Ｋは（Ｎ）s に比例する特
徴を利用したものである（なお、Ｓ＞１である）。
Ｋとし、また、この蛍光体１７に単位時間に入射する電
子ｅ量をＮとした場合、輝度Ｋは（Ｎ）s に比例する特
徴を利用したものである（なお、Ｓ＞１である）。
【００２７】図７は本発明の第６の実施例の説明図であ
って、アノード２１のストライプ状電極２１ａは、その
方向（ストライプ状電極２１ａの並列方向に対して直交
する方向）が表示動作時（電界放出型表示パネル完成時
の表示動作時）における走査線Ｓの走査方向Ｄと一致す
るように形成されている。
って、アノード２１のストライプ状電極２１ａは、その
方向（ストライプ状電極２１ａの並列方向に対して直交
する方向）が表示動作時（電界放出型表示パネル完成時
の表示動作時）における走査線Ｓの走査方向Ｄと一致す
るように形成されている。
【００２８】このようにすることで表示動作時において
ストライプ状電極２１ａ間の電子の移動がなくなり表示
の明瞭度の低下が防止される。
ストライプ状電極２１ａ間の電子の移動がなくなり表示
の明瞭度の低下が防止される。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、画素の輝
度を向上させた電界放出型表示パネルの提供を可能にす
る。
度を向上させた電界放出型表示パネルの提供を可能にす
る。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の説明図
【図３】 本発明の第２の実施例の説明図
【図４】 本発明の第３の実施例の説明図
【図５】 本発明の第４の実施例の説明図
【図６】 本発明の第５の実施例の説明図
【図７】 本発明の第６の実施例の説明図
【図８】 従来の電界放出型表示パネルの説明図
１１ シリコン基板（基板） １２ カソード １３ 絶縁層 １３ａ 垂直孔 １４ ゲート電極 １５ ガラス基板（透明基板） １６ アノード １７ 蛍光体 １８ 遮光マスク Ｐ 蛍光体１７の画素領域 Ｑ 蛍光体１７の非画素領域 ２１ アノード ２１ａ ストライプ状電極 Ａ 蛍光体の画素領域に対応したストライプ状電極の画
素対応領域 Ｂ 蛍光体の非画素領域に対応したストライプ状電極の
画素非対応領域 ２１ｂ 接続電極 ２１ｃ 短絡電極 Ｓ 走査線 Ｄ 走査線の走査方向
素対応領域 Ｂ 蛍光体の非画素領域に対応したストライプ状電極の
画素非対応領域 ２１ｂ 接続電極 ２１ｃ 短絡電極 Ｓ 走査線 Ｄ 走査線の走査方向
Claims (6)
- 【請求項１】 電界によって電子を真空中に放出するカ
ソードと、この電子を真空中で加速し蛍光体に照射させ
るアノードとを含んでなる電界放出型表示パネルにおい
て、 前記蛍光体（１７）の非画素領域（Ｑ）と対応する前記
アノード（２１）の領域は、前記非画素領域（Ｑ）より
も小さく形成されていることを特徴とする電界放出型表
示パネル。 - 【請求項２】 透明基板（１５）上で並列した透明なス
トライプ状電極（２１ａ）と、この透明基板（１５）上
で前記ストライプ状電極（２１ａ）を互いに接続した接
続電極（２１ｂ）とで前記アノード（２１）が形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示
パネル。 - 【請求項３】 前記蛍光体（１７）の画素領域（Ｐ）に
非対応の前記ストライプ状電極（２１ａ）の画素非対応
領域（Ｂ）の線幅が、この蛍光体（１７）の画素領域
（Ｐ）に対応するストライプ状電極（２１ａ）の画素対
応領域（Ａ）の線幅より狭く形成されていることを特徴
する請求項１記載の電界放出型表示パネル。 - 【請求項４】 互いに隣接する前記ストライプ状電極
（２１ａ）の画素対応領域（Ａ）間が、短絡電極（２１
ｃ）によって接続されていることを特徴する請求項１記
載の電界放出型表示パネル。 - 【請求項５】 前記ストライプ状電極（２１ａ）の画素
対応領域（Ａ）が、前記蛍光体（１７）の画素領域
（Ｐ）より小さく形成されていることを特徴する請求項
１記載の電界放出型表示パネル。 - 【請求項６】 表示動作時における走査線の走査方向に
対して前記ストライプ状電極（２１ａ）の方向が平行に
形成されていることを特徴とする請求項１記載の電界放
出型表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33627493A JP3596014B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 電界放出型表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33627493A JP3596014B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 電界放出型表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199825A true JPH07199825A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3596014B2 JP3596014B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=18297418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33627493A Expired - Fee Related JP3596014B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 電界放出型表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3596014B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33627493A patent/JP3596014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3596014B2 (ja) | 2004-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7161289B2 (en) | Triode structure of field emission display and fabrication method thereof | |
| US6794814B2 (en) | Field emission display device having carbon nanotube emitter | |
| US20070096624A1 (en) | Electron emission device | |
| JP2010045039A (ja) | 両極型パルス電源によって駆動される電界放出装置 | |
| JPH0316202Y2 (ja) | ||
| JP4129400B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
| KR20040065436A (ko) | 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치 | |
| US7701127B2 (en) | Field emission backlight unit | |
| US20050264167A1 (en) | Electron emission device | |
| EP2075819B1 (en) | Electron emission device and light emission apparatus including the same | |
| JP3596014B2 (ja) | 電界放出型表示パネル | |
| US20090015130A1 (en) | Light emission device and display device using the light emission device as a light source | |
| US20060238106A1 (en) | Electron emission display | |
| KR100231182B1 (ko) | Fed장치용 이중 애노우드 전극 | |
| JP2577361Y2 (ja) | 電子放出素子およびその電子放出素子を用いた画像表示装置 | |
| KR100299427B1 (ko) | 2극다이아몬드박막형전계방출표시소자및그제조방법 | |
| KR100219576B1 (ko) | 전계방출표시소자 | |
| KR20020029565A (ko) | 전계 방출 표시소자 | |
| KR100625466B1 (ko) | 전계 방출 표시소자 | |
| KR100357831B1 (ko) | 전계 방출 표시소자 | |
| KR100269916B1 (ko) | 형광 표시관 | |
| US20060049743A1 (en) | Flat panel display | |
| KR100548256B1 (ko) | 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 구동 방법 | |
| KR100205937B1 (ko) | 전계방출소자 | |
| KR20060065235A (ko) | 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20031218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040830 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |