JPH0719950B2 - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- JPH0719950B2 JPH0719950B2 JP4973192A JP4973192A JPH0719950B2 JP H0719950 B2 JPH0719950 B2 JP H0719950B2 JP 4973192 A JP4973192 A JP 4973192A JP 4973192 A JP4973192 A JP 4973192A JP H0719950 B2 JPH0719950 B2 JP H0719950B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線基板、特に高密度
および高断面の配線回路を有する配線基板およびその製
造方法に関する。
および高断面の配線回路を有する配線基板およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型薄型モータ等に使用されるコイルに
は、高密度で且つ高断面の回路パターンが要求される。
このような配線パターンを形成するには、サブトラクテ
ィブ法、すなわち基板上の回路以外の導体膜（銅など）
をエッチングにより除去する方法が検討されてきた。し
かし、低抵抗値を得るために、導体膜を厚くすると導体
膜の中腹部が幅方向に削られるサイドエッチ効果により
配線間のギャップが大きくなり高密度回路を形成できな
くなる。また導体膜を薄くすれば高断面を得ることがで
きないために抵抗値を低くできないという欠点がある。
そこで、高密度および高断面の配線回路を形成する方法
として、特開昭５７−９１５９０号に示される製造方法
が提案されている。この方法は、アルミなどの金属薄板
上に電解メッキなどによって銅などの導電体を成長さ
せ、ついで得られた導電体を絶縁性基板に金属薄板を上
にして貼り付けたのち、金属薄板をエッチング除去す
る。この方法は電解メッキによって配線パターンを形成
しているために導体膜の太りを充分に期待でき、また配
線パターンはレジストを使用することによって行うため
に高密度の配線パターンを実現することが可能である。
は、高密度で且つ高断面の回路パターンが要求される。
このような配線パターンを形成するには、サブトラクテ
ィブ法、すなわち基板上の回路以外の導体膜（銅など）
をエッチングにより除去する方法が検討されてきた。し
かし、低抵抗値を得るために、導体膜を厚くすると導体
膜の中腹部が幅方向に削られるサイドエッチ効果により
配線間のギャップが大きくなり高密度回路を形成できな
くなる。また導体膜を薄くすれば高断面を得ることがで
きないために抵抗値を低くできないという欠点がある。
そこで、高密度および高断面の配線回路を形成する方法
として、特開昭５７−９１５９０号に示される製造方法
が提案されている。この方法は、アルミなどの金属薄板
上に電解メッキなどによって銅などの導電体を成長さ
せ、ついで得られた導電体を絶縁性基板に金属薄板を上
にして貼り付けたのち、金属薄板をエッチング除去す
る。この方法は電解メッキによって配線パターンを形成
しているために導体膜の太りを充分に期待でき、また配
線パターンはレジストを使用することによって行うため
に高密度の配線パターンを実現することが可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開昭５７−９１５９０号に示される製造方法ではアル
ミなどの金属薄板が必要であり、しかも最終工程として
この金属薄板をエッチング除去しなければならなくさら
に絶縁性基板も必要であることから工程が極めて煩雑と
なる。
特開昭５７−９１５９０号に示される製造方法ではアル
ミなどの金属薄板が必要であり、しかも最終工程として
この金属薄板をエッチング除去しなければならなくさら
に絶縁性基板も必要であることから工程が極めて煩雑と
なる。
【０００４】本発明の目的は、高密度，高断面の配線回
路を得ることができるとともに、従来のサブトラクティ
ブ法を使用することによって非常に低コスト化できる配
線基板およびその製造方法を提供することにある。
路を得ることができるとともに、従来のサブトラクティ
ブ法を使用することによって非常に低コスト化できる配
線基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る配線基板
は、基板上に形成され、中腹部から上部を中心に側部全
体がけずられた山型または略Ｉ型の断面形状の配線の周
囲に幅方向よりも厚み方向に厚い電解メッキ層を被着し
てなることを特徴とする。
は、基板上に形成され、中腹部から上部を中心に側部全
体がけずられた山型または略Ｉ型の断面形状の配線の周
囲に幅方向よりも厚み方向に厚い電解メッキ層を被着し
てなることを特徴とする。
【０００６】また、前記配線はうず巻状であることを特
徴とする。
徴とする。
【０００７】本発明に係る配線基板の製造方法は、基板
上の導体層をエッチングすることにより所望の配線パタ
ーンを形成するとき、オーバーエッチングにより配線断
面の中腹部から上部を十分に削り、ついで電解メッキに
より配線の周囲に電解メッキ層を成長させることを特徴
とする。
上の導体層をエッチングすることにより所望の配線パタ
ーンを形成するとき、オーバーエッチングにより配線断
面の中腹部から上部を十分に削り、ついで電解メッキに
より配線の周囲に電解メッキ層を成長させることを特徴
とする。
【０００８】
【作用】エッチング液によって銅箔などの導体層をエッ
チングする場合、導体膜の厚さが厚い状態でエッチング
を進めオーバエッチを行うと、サイドエッチによって導
体層の断面中腹部から上部を中心に側部全体が内側に削
られていき、山型または略Ｉ型の断面形状となる。本発
明では、この山型または略Ｉ型の断面形状を核として周
囲に電解メッキ層を成長させたものであり、しかもその
電解メッキ層は幅方向よりも厚み方向に厚くなるように
制御されたものである。このような構成であると、電解
メッキを使用するために配線は高断面となり、また電解
メッキ時には幅方向にもメッキ層が成長するために線幅
の間隔は小さくなる。
チングする場合、導体膜の厚さが厚い状態でエッチング
を進めオーバエッチを行うと、サイドエッチによって導
体層の断面中腹部から上部を中心に側部全体が内側に削
られていき、山型または略Ｉ型の断面形状となる。本発
明では、この山型または略Ｉ型の断面形状を核として周
囲に電解メッキ層を成長させたものであり、しかもその
電解メッキ層は幅方向よりも厚み方向に厚くなるように
制御されたものである。このような構成であると、電解
メッキを使用するために配線は高断面となり、また電解
メッキ時には幅方向にもメッキ層が成長するために線幅
の間隔は小さくなる。
【０００９】本発明では、基板上の導体層をエッチング
するときに、従来のサブトラクティブ法の制御目標であ
った適性エッチングに逆行してオーバーエッチングを行
い、配線断面の中腹部から上部を中心に側部全体が充分
に削られるようにする。図１（Ａ）は適性エッチングを
示し、同図（Ｂ）は本発明に係るオーバーエッチングを
示している。図２は本発明の配線基板の断面図を示す。
なお、図において１はエッチングレジスト膜、２は導体
層（銅等）からなる配線、３は電解メッキ層をそれぞれ
示している。オーバーエッチングを行ったのち、レジス
ト膜１を取り除いて、配線断面の中腹部から上部が充分
に削られた銅箔２を電極として電解メッキにより銅箔２
の周囲に電解メッキ層３を成長させる。本発明の製造方
法では、このときの電解メッキ層３の成長速度に異方性
が生じることを利用する。すなわち、電解メッキの工程
では、メッキ液の金属イオン濃度が、配線２，２間では
低く、それ以外の所で高いと考えられる。この理由は、
配線２，２間ではメッキ液の流れが同配線が障害物とな
るために相対的に悪いと考えられるからである。このた
めにメッキ層３は厚み方向により早く成長していく。し
たがって、隣接する配線２，２間の距離が短くても、厚
み方向により厚いメッキ層を得ることが出来るから高断
面の配線を形成することができる。また、電解メッキ工
程においては配線２が電極となるが、左右両サイドが削
られた配線２は所謂薄膜ではないために充分低い抵抗値
にある。従って基板全体のメッキ層の成長は均一なもの
となる。
するときに、従来のサブトラクティブ法の制御目標であ
った適性エッチングに逆行してオーバーエッチングを行
い、配線断面の中腹部から上部を中心に側部全体が充分
に削られるようにする。図１（Ａ）は適性エッチングを
示し、同図（Ｂ）は本発明に係るオーバーエッチングを
示している。図２は本発明の配線基板の断面図を示す。
なお、図において１はエッチングレジスト膜、２は導体
層（銅等）からなる配線、３は電解メッキ層をそれぞれ
示している。オーバーエッチングを行ったのち、レジス
ト膜１を取り除いて、配線断面の中腹部から上部が充分
に削られた銅箔２を電極として電解メッキにより銅箔２
の周囲に電解メッキ層３を成長させる。本発明の製造方
法では、このときの電解メッキ層３の成長速度に異方性
が生じることを利用する。すなわち、電解メッキの工程
では、メッキ液の金属イオン濃度が、配線２，２間では
低く、それ以外の所で高いと考えられる。この理由は、
配線２，２間ではメッキ液の流れが同配線が障害物とな
るために相対的に悪いと考えられるからである。このた
めにメッキ層３は厚み方向により早く成長していく。し
たがって、隣接する配線２，２間の距離が短くても、厚
み方向により厚いメッキ層を得ることが出来るから高断
面の配線を形成することができる。また、電解メッキ工
程においては配線２が電極となるが、左右両サイドが削
られた配線２は所謂薄膜ではないために充分低い抵抗値
にある。従って基板全体のメッキ層の成長は均一なもの
となる。
【００１０】
【実施例】図３は本発明に係る配線基板製造方法の実施
例の前半の工程を示し、図４は同製造方法の後半の工程
を示している。
例の前半の工程を示し、図４は同製造方法の後半の工程
を示している。
【００１１】素材には両面銅張積層板を使用する。この
素材は、フェノールまたはエポキシ樹脂１０の表面およ
び裏面に銅箔１１を接着したものである。板厚は、例え
ば０．４５ｔのものが使用され、この場合の銅箔１１の
厚さは３５〜７０μｍのものが使用される。次に、スル
ーホール部を形成する箇所に穴明けを行う。続いてスル
ーホール部および表面裏面全体に厚さが略１０μｍの電
解メッキ１２を行う。
素材は、フェノールまたはエポキシ樹脂１０の表面およ
び裏面に銅箔１１を接着したものである。板厚は、例え
ば０．４５ｔのものが使用され、この場合の銅箔１１の
厚さは３５〜７０μｍのものが使用される。次に、スル
ーホール部を形成する箇所に穴明けを行う。続いてスル
ーホール部および表面裏面全体に厚さが略１０μｍの電
解メッキ１２を行う。
【００１２】図４に示す後半の工程では、厚さ２０μｍ
の感光性レジスト１３をエッチングレジストとして、前
記電解メッキ１２上に付ける。その後、露光および現像
を行って所望のレジストパターンを得る。そして、エッ
チング液に浸しオーバーエッチングを行い、図２に示す
ように配線２の側部全体が中腹部から上部を中心に十分
にけずられるようにする。なお、中腹部よりも上方部の
けずりが大きいと、完全な山型となり、より好ましい形
状となる。但し、いずれの場合も高さ上方向のけずりは
ないから、配線２の高さは元のままである。さらにその
後、感光性レジスト１３の剥離を行う。そして、配線パ
ターンを電極としてメッキ液に浸して電解メッキを行
い、図に示すような形状にメッキ層を成長させ、さらに
その後ハンダレジスト１５をつける。
の感光性レジスト１３をエッチングレジストとして、前
記電解メッキ１２上に付ける。その後、露光および現像
を行って所望のレジストパターンを得る。そして、エッ
チング液に浸しオーバーエッチングを行い、図２に示す
ように配線２の側部全体が中腹部から上部を中心に十分
にけずられるようにする。なお、中腹部よりも上方部の
けずりが大きいと、完全な山型となり、より好ましい形
状となる。但し、いずれの場合も高さ上方向のけずりは
ないから、配線２の高さは元のままである。さらにその
後、感光性レジスト１３の剥離を行う。そして、配線パ
ターンを電極としてメッキ液に浸して電解メッキを行
い、図に示すような形状にメッキ層を成長させ、さらに
その後ハンダレジスト１５をつける。
【００１３】実験例 素材としては図３に示すものを使用し、また電解メッキ
１２および感光性レジスト１３の膜厚も１２，１３に示
すようにそれぞれ１０μｍ，２０μｍものを使用した。
なおエッチングレジストとして使用した感光性レジスト
１３には、印刷インクやＥＤ塗料やフォトレジストのよ
うな有機レジストの他、Ａｕ，Ｓｎ−ＰｄＳｎなどのメ
タルレジストあるいはアルキルイシダゾールなどを使用
することもも可能である。エッチング液としては、塩化
第２銅エッチング液を使用した。
１２および感光性レジスト１３の膜厚も１２，１３に示
すようにそれぞれ１０μｍ，２０μｍものを使用した。
なおエッチングレジストとして使用した感光性レジスト
１３には、印刷インクやＥＤ塗料やフォトレジストのよ
うな有機レジストの他、Ａｕ，Ｓｎ−ＰｄＳｎなどのメ
タルレジストあるいはアルキルイシダゾールなどを使用
することもも可能である。エッチング液としては、塩化
第２銅エッチング液を使用した。
【００１４】この他、アルカリエッチング液や塩化第２
鉄エッチング液を使用することも可能である。さらに、
連続コンベア方式によってエッチングを行った。エッチ
ング条件は以下のとおりである。
鉄エッチング液を使用することも可能である。さらに、
連続コンベア方式によってエッチングを行った。エッチ
ング条件は以下のとおりである。
【００１５】 塩酸濃度 １２０（１００〜１４０）ｇ／ｌ（リット
ル） ＯＲＰ ５７０（５５０−６００）ｍＶ 比 重 １．２４８（１．２４０〜１．２５０）ｇ／ｃ
ｍ3 （ａｔ２５℃） スプレー圧力 上１．８５（１．７５〜１．９５）ｋｇ
／ｃｍ2 下２．３５（２．２５〜２．４５）ｋｇ／ｃｍ2 コンベアスピード１．５ （１．４５〜１．９０）ｍ
／分 ２回流し 電解メッキを行うのに硫酸銅メッキを使用した。この
他、ピロリン酸銅メッキ，シアン化銅，ホウフッ化銅な
どを使用することも可能である。
ル） ＯＲＰ ５７０（５５０−６００）ｍＶ 比 重 １．２４８（１．２４０〜１．２５０）ｇ／ｃ
ｍ3 （ａｔ２５℃） スプレー圧力 上１．８５（１．７５〜１．９５）ｋｇ
／ｃｍ2 下２．３５（２．２５〜２．４５）ｋｇ／ｃｍ2 コンベアスピード１．５ （１．４５〜１．９０）ｍ
／分 ２回流し 電解メッキを行うのに硫酸銅メッキを使用した。この
他、ピロリン酸銅メッキ，シアン化銅，ホウフッ化銅な
どを使用することも可能である。
【００１６】条件は、 硫酸濃度 １８０（１７０〜２１０）ｇ／ｌ 塩酸イオン ５０（３０〜６０）ｍｇ／ｌ 銅濃度 ３０（２０〜５０）ｇ／ｌ 光沢剤 キューボートＭ（商品名）５（３〜８）
ｍｌ／ｌ 陰極電流密度 ６（５〜８）Ａ／ｄｍ2 メッキ時間 ８８分 以上の条件で図３，図４に示す工程を実施した結果、図
５に示すようにメッキ厚Ｈと片側メッキ幅ａ、すなわ
ち、（メッキ幅Ｗ−銅下地幅ａ）／２の比は、１．５以
上：１．０となった。従って、メッキ間隔ｂを最低３０
μｍと決めれば、ピッチ（ｐ）−Ｗ（メッキ幅）＝３０
μｍとなり、ピッチｐ（回路幅）が与えられたときにメ
ッキ幅Ｗをコントロールすることで、すなわち電解メッ
キの時間をコントロールすることで３０μｍの一定のメ
ッキ間隔ｂを得ることができる。また、この場合、メッ
キ厚Ｈは片側メッキ幅ａの少なくとも１．５倍以上とな
るために、高断面積の配線パターンにすることができ
る。
ｍｌ／ｌ 陰極電流密度 ６（５〜８）Ａ／ｄｍ2 メッキ時間 ８８分 以上の条件で図３，図４に示す工程を実施した結果、図
５に示すようにメッキ厚Ｈと片側メッキ幅ａ、すなわ
ち、（メッキ幅Ｗ−銅下地幅ａ）／２の比は、１．５以
上：１．０となった。従って、メッキ間隔ｂを最低３０
μｍと決めれば、ピッチ（ｐ）−Ｗ（メッキ幅）＝３０
μｍとなり、ピッチｐ（回路幅）が与えられたときにメ
ッキ幅Ｗをコントロールすることで、すなわち電解メッ
キの時間をコントロールすることで３０μｍの一定のメ
ッキ間隔ｂを得ることができる。また、この場合、メッ
キ厚Ｈは片側メッキ幅ａの少なくとも１．５倍以上とな
るために、高断面積の配線パターンにすることができ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、従来のサブトラクティブ法
に電解メッキ工程を追加するだけで高密度且つ高断面積
の配線パターンを形成でき、非常に低コストとなり、し
かも工数が少ないために製造時間を短く出来る。しか
も、電解メッキを行うときにはエッチング後の配線を電
極とするが、この配線は薄膜のような小断面ではなくメ
ッキを行うのに充分な断面を有することからメッキ成長
が基板全面に渡って均一なものとなる。また、メッキ時
間をコントロールすることにより任意の配線ピッチに対
応することも可能である。
に電解メッキ工程を追加するだけで高密度且つ高断面積
の配線パターンを形成でき、非常に低コストとなり、し
かも工数が少ないために製造時間を短く出来る。しか
も、電解メッキを行うときにはエッチング後の配線を電
極とするが、この配線は薄膜のような小断面ではなくメ
ッキを行うのに充分な断面を有することからメッキ成長
が基板全面に渡って均一なものとなる。また、メッキ時
間をコントロールすることにより任意の配線ピッチに対
応することも可能である。
【図１】（Ａ），（Ｂ）従来の適性エッチング，本発明
に係るオーバーエッチングをそれぞれ示す図。
に係るオーバーエッチングをそれぞれ示す図。
【図２】本発明に係る配線基板の配線パターンの断面図
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明の実施例の製造方法の前半の工程を示す
図。
図。
【図４】上記製造方法の後半の工程を示す図。
【図５】メッキ部の大きさについて説明するための図。
２−エッチング後の配線部 ３（１４）−電解メッキ部
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に形成され、中腹部から上部を中心
に側部全体がけずられた山型または略Ｉ型の断面形状の
配線の周囲に幅方向よりも厚み方向に厚い電解メッキ層
を被着してなる配線基板。 - 【請求項２】前記配線はうず巻状であることを特徴とす
る、請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】基板上の導体層をエッチングすることによ
り所望の配線パターンを形成するとき、オーバーエッチ
ングにより配線断面の中腹部から上部を十分に削り、つ
いで電解メッキにより配線の周囲に電解メッキ層を成長
させることを特徴とする、配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4973192A JPH0719950B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4973192A JPH0719950B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251852A JPH05251852A (ja) | 1993-09-28 |
| JPH0719950B2 true JPH0719950B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=12839336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4973192A Expired - Fee Related JPH0719950B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719950B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016147993A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2017-12-21 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 平面コイル素子及び平面コイル素子の製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5982653B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-31 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 磁気素子及びその製造方法 |
| KR101983137B1 (ko) * | 2013-03-04 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 파워 인덕터 및 그 제조방법 |
| KR102047561B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2019-11-21 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 실장기판 |
| KR101532172B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-06-26 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 그 실장기판 |
| JP6311200B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2018-04-18 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板、電子部品及びプリント配線板の製造方法 |
| KR101981466B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2019-05-24 | 주식회사 모다이노칩 | 파워 인덕터 |
| JP6755378B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-09-16 | 住友化学株式会社 | ターゲット材の研磨方法、ターゲット材の製造方法及びリサイクル鋳塊の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4973192A patent/JPH0719950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016147993A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2017-12-21 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 平面コイル素子及び平面コイル素子の製造方法 |
| US11083092B2 (en) | 2015-03-13 | 2021-08-03 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Planar coil element and method for producing planar coil element |
| US11785724B2 (en) | 2015-03-13 | 2023-10-10 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Planar coil element and method for producing planar coil element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251852A (ja) | 1993-09-28 |
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