JPH07199484A - デバイス製造方法 - Google Patents
デバイス製造方法Info
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- JPH07199484A JPH07199484A JP6296036A JP29603694A JPH07199484A JP H07199484 A JPH07199484 A JP H07199484A JP 6296036 A JP6296036 A JP 6296036A JP 29603694 A JP29603694 A JP 29603694A JP H07199484 A JPH07199484 A JP H07199484A
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- polymer
- maleimide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はデバイス製造のためのリソグラフィ
ー方法を開示する。マレイミド含有ポリマーをレジスト
として使用した場合の、リソグラフィー工程中のレジス
トの縮みの問題を改善し、その結果レジスト中のイメー
ジ、ひいてはデバイスパターンに生じる歪みを低減させ
た。 【構成】 照射に感応する材料の領域を基板上に形成す
る。この照射感応材料にはマレイミドモノマーと少なく
とも二つのその他のモノマーの共重合製品であるポリマ
ー成分が含まれる。マレイミドモノマーが共重合してい
るモノマーの一つには不安定な酸基がぶら下がってお
り、この不安定な酸基がぶらさがっているモノマーはコ
ポリマーを形成するモノマーの５０パーセント未満を占
める。この不安定な酸基はマレイミドモノマーにはぶら
下がっていない。
ー方法を開示する。マレイミド含有ポリマーをレジスト
として使用した場合の、リソグラフィー工程中のレジス
トの縮みの問題を改善し、その結果レジスト中のイメー
ジ、ひいてはデバイスパターンに生じる歪みを低減させ
た。 【構成】 照射に感応する材料の領域を基板上に形成す
る。この照射感応材料にはマレイミドモノマーと少なく
とも二つのその他のモノマーの共重合製品であるポリマ
ー成分が含まれる。マレイミドモノマーが共重合してい
るモノマーの一つには不安定な酸基がぶら下がってお
り、この不安定な酸基がぶらさがっているモノマーはコ
ポリマーを形成するモノマーの５０パーセント未満を占
める。この不安定な酸基はマレイミドモノマーにはぶら
下がっていない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィー工程によ
るデバイスの製造に関する。
るデバイスの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路などのデバイスは様々な材料か
らなる複雑な構造を持つ。これらの材料は所望のデバイ
スを形成するために正確に配置されている。これらの材
料は様々な工程を用いて配置される。所望の配置をこの
ようなデバイスを製造する基板上に転写するにはしばし
ばリソグラフィー工程が用いられる。
らなる複雑な構造を持つ。これらの材料は所望のデバイ
スを形成するために正確に配置されている。これらの材
料は様々な工程を用いて配置される。所望の配置をこの
ようなデバイスを製造する基板上に転写するにはしばし
ばリソグラフィー工程が用いられる。
【０００３】しばしばレジストと呼ばれている中間材を
用いてリソグラフィー工程により所望の配置が前記の基
板へと転写される。この所望の配置を示すイメージはま
ずレジストをパターン的に照射することによってレジス
ト内に導入される。このパターンが、最終的に基板へと
転写されることになる配置を規定する。照射されたレジ
ストの部分に化学変化が起こることによって、レジスト
に前記のイメージが導入される。この化学変化はついで
レジストにおけるイメージ現像しパターンを形成するた
めに利用される。このパターンはついでレジストから基
板へと転写される。
用いてリソグラフィー工程により所望の配置が前記の基
板へと転写される。この所望の配置を示すイメージはま
ずレジストをパターン的に照射することによってレジス
ト内に導入される。このパターンが、最終的に基板へと
転写されることになる配置を規定する。照射されたレジ
ストの部分に化学変化が起こることによって、レジスト
に前記のイメージが導入される。この化学変化はついで
レジストにおけるイメージ現像しパターンを形成するた
めに利用される。このパターンはついでレジストから基
板へと転写される。
【０００４】リソグラフィー工程の有効性は、少なくと
もある程度このパターンを基板へと転写するのに用いら
れるレジストに依存する。ある種のレジストはリソグラ
フィー工程において特別に有利である。例えば、レジス
トの中にはこの照射によって引き起こされる化学反応
が、数多くのその他の化学反応を促進することにより、
化学増幅、すなわち照射の効果が増幅される、を行うも
のもある。
もある程度このパターンを基板へと転写するのに用いら
れるレジストに依存する。ある種のレジストはリソグラ
フィー工程において特別に有利である。例えば、レジス
トの中にはこの照射によって引き起こされる化学反応
が、数多くのその他の化学反応を促進することにより、
化学増幅、すなわち照射の効果が増幅される、を行うも
のもある。
【０００５】化学増幅レジストの中にはポリマーを含む
ものがあり、このポリマーのアルカリ性水溶液中の溶解
度は保護側基によって減少する。これらの保護基は照射
を受けることにより製造される触媒によってポリマーか
ら除去される。照射領域中のレジスト材はその結果アル
カリ水溶液の溶解度に変化を生じるが、非露光領域のも
のでは変化が生じない。露光領域と非露光領域のレジス
トにおけるアルカリ水溶液中での溶解度の差が前記のパ
ターンをレジスト中に形成する際に利用される。
ものがあり、このポリマーのアルカリ性水溶液中の溶解
度は保護側基によって減少する。これらの保護基は照射
を受けることにより製造される触媒によってポリマーか
ら除去される。照射領域中のレジスト材はその結果アル
カリ水溶液の溶解度に変化を生じるが、非露光領域のも
のでは変化が生じない。露光領域と非露光領域のレジス
トにおけるアルカリ水溶液中での溶解度の差が前記のパ
ターンをレジスト中に形成する際に利用される。
【０００６】化学増幅レジストの例はIｔoらの米国特許
第４、９３９、０７０号に開示されている。これらのレ
ジストにはヒドロキシスチレンポリマーが含まれている
が、これらはｔ-ブトキシカルボニル（ｔＢＯＣ)基など
の反復側基を持つ。これらの側基は結合にあたりスチレ
ンポリマー主鎖にぶらさがっているヒドロキシル基の水
素を置換し、ヒドロキシスチレンのアルカリ水溶液中で
の溶解度を減少させる。これらの反応基はレジストに照
射する事によって生成される酸の存在下で前記のポリマ
ーから切断される。これらの反応基がこれらのポリマー
から切断されるとこれらは水素原子によって置換され、
その結果、このポリマーのアルカリ水溶液中での溶解度
は比較的不溶性から比較的可溶性へと変化する。
第４、９３９、０７０号に開示されている。これらのレ
ジストにはヒドロキシスチレンポリマーが含まれている
が、これらはｔ-ブトキシカルボニル（ｔＢＯＣ)基など
の反復側基を持つ。これらの側基は結合にあたりスチレ
ンポリマー主鎖にぶらさがっているヒドロキシル基の水
素を置換し、ヒドロキシスチレンのアルカリ水溶液中で
の溶解度を減少させる。これらの反応基はレジストに照
射する事によって生成される酸の存在下で前記のポリマ
ーから切断される。これらの反応基がこれらのポリマー
から切断されるとこれらは水素原子によって置換され、
その結果、このポリマーのアルカリ水溶液中での溶解度
は比較的不溶性から比較的可溶性へと変化する。
【０００７】リソグラフィー工程の目的はパターンをレ
ジストからデバイスへとできる限り正確に転写すること
である。レジストが、それ自身に生じるゆがみによって
イメージおよびその結果デバイスパターンをゆがめてし
まうことは望ましくない。
ジストからデバイスへとできる限り正確に転写すること
である。レジストが、それ自身に生じるゆがみによって
イメージおよびその結果デバイスパターンをゆがめてし
まうことは望ましくない。
【０００８】このようなレジストのゆがみ、およびその
結果としてのレジスト中のイメージのゆがみはリソグラ
フィー工程中のレジストの膨張あるいは縮みによって引
き起こされる。レジストは、かさばった保護基がポリマ
ーから相当数取り除かれると縮む。レジストはそのガラ
ス転移点、Ｔｇ、以上の温度にさらされると膨張し、リ
ソグラフィー工程中に流動を生じる。
結果としてのレジスト中のイメージのゆがみはリソグラ
フィー工程中のレジストの膨張あるいは縮みによって引
き起こされる。レジストは、かさばった保護基がポリマ
ーから相当数取り除かれると縮む。レジストはそのガラ
ス転移点、Ｔｇ、以上の温度にさらされると膨張し、リ
ソグラフィー工程中に流動を生じる。
【０００９】マレイミド含有ポリマーがリソグラフィー
工程において化学増幅レジストとして使用されてきた。
マレイミド含有レジストの例はブランスヴォルドらの米
国特許第４、９３１、３７９号ならびに第４、９３９、
０７０号およびウーらの米国特許第４、９６８、５８１
号に開示されている。マレイミド含有レジスト組成のも
う一つの例はアーンらの「Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチルオキ
シカルボニル）マレイミドの合成と重合ならびにポリマ
ー側鎖ｔ−ＢＯＣ基の簡単な脱保護」ポリマー、３３
（２２）４８５１-４８５６ページ（１９９２年）に記
載されている。これらのレジストは高温にさらされたと
きに望ましい流動耐性を示すのであるが、脱保護とそれ
に続くリソグラフィー工程の際に縮みすぎる。
工程において化学増幅レジストとして使用されてきた。
マレイミド含有レジストの例はブランスヴォルドらの米
国特許第４、９３１、３７９号ならびに第４、９３９、
０７０号およびウーらの米国特許第４、９６８、５８１
号に開示されている。マレイミド含有レジスト組成のも
う一つの例はアーンらの「Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチルオキ
シカルボニル）マレイミドの合成と重合ならびにポリマ
ー側鎖ｔ−ＢＯＣ基の簡単な脱保護」ポリマー、３３
（２２）４８５１-４８５６ページ（１９９２年）に記
載されている。これらのレジストは高温にさらされたと
きに望ましい流動耐性を示すのであるが、脱保護とそれ
に続くリソグラフィー工程の際に縮みすぎる。
【００１０】本発明はマレイミドを含有するポリマーを
含むレジスト材を使用する、デバイス製造用のリソグラ
フィー工程のためのものである。このマレイミド含有ポ
リマーはリソグラフィー工程において特に有利である諸
性質を持つ。
含むレジスト材を使用する、デバイス製造用のリソグラ
フィー工程のためのものである。このマレイミド含有ポ
リマーはリソグラフィー工程において特に有利である諸
性質を持つ。
【００１１】本発明のマレイミド含有ポリマーはマレイ
ミドモノマーと他のモノマーとの重合生成物である。こ
の重合生成物は、３つ以上のモノマーの重合生成物であ
る可能性もあるが、ここではコポリマーと呼ぶことにす
る。コポリマーは反復単位を連ねたものである。実質的
にすべての反復単位は、順に二単位のモノマーを含む。
マレイミドモノマーは、マレイミドもしくは低級アルキ
ル置換マレイミドであることが好ましい。「低級アルキ
ル」とはまっすぐなあるいは枝分かれした配置において
炭素原子が２個まで含まれているという意味である。低
級アルキル置換マレイミドの１つの例はＮ-メチルマレ
イミドである。低級アルキル置換マレイミドのその他の
例にはエチルマレイミドがある。このマレイミドモノマ
ーは一つのマレイミドモノマー、すなわちマレイミドモ
ノマーの１００パーセントがマレイミド、Ｎ-メチルマ
レイミド等である場合と、マレイミドモノマーの混合
物、すなわちマレイミドとＮ-メチルマレイミドの組み
合わせであるなどの場合がある。このコポリマーの約４
０モルパーセントから約６０モルパーセントがマレイミ
ドモノマーであり、各反復ユニット中におよそ一つのマ
レイミドモノマーがあると有利である。コポリマーの残
りの６０から４０モルパーセントが他のモノマーであ
り、実質的にすべての反復単位中にこれらの他のモノマ
ーのうちの１つが含まれる。従ってこのコポリマーは大
まかに言うと、各マレイミドモノマーの間に少なくとも
一つの他のモノマーが入っているような、互い違いの構
造を持っているのである。
ミドモノマーと他のモノマーとの重合生成物である。こ
の重合生成物は、３つ以上のモノマーの重合生成物であ
る可能性もあるが、ここではコポリマーと呼ぶことにす
る。コポリマーは反復単位を連ねたものである。実質的
にすべての反復単位は、順に二単位のモノマーを含む。
マレイミドモノマーは、マレイミドもしくは低級アルキ
ル置換マレイミドであることが好ましい。「低級アルキ
ル」とはまっすぐなあるいは枝分かれした配置において
炭素原子が２個まで含まれているという意味である。低
級アルキル置換マレイミドの１つの例はＮ-メチルマレ
イミドである。低級アルキル置換マレイミドのその他の
例にはエチルマレイミドがある。このマレイミドモノマ
ーは一つのマレイミドモノマー、すなわちマレイミドモ
ノマーの１００パーセントがマレイミド、Ｎ-メチルマ
レイミド等である場合と、マレイミドモノマーの混合
物、すなわちマレイミドとＮ-メチルマレイミドの組み
合わせであるなどの場合がある。このコポリマーの約４
０モルパーセントから約６０モルパーセントがマレイミ
ドモノマーであり、各反復ユニット中におよそ一つのマ
レイミドモノマーがあると有利である。コポリマーの残
りの６０から４０モルパーセントが他のモノマーであ
り、実質的にすべての反復単位中にこれらの他のモノマ
ーのうちの１つが含まれる。従ってこのコポリマーは大
まかに言うと、各マレイミドモノマーの間に少なくとも
一つの他のモノマーが入っているような、互い違いの構
造を持っているのである。
【００１２】少なくともこの他のモノマーの一部には不
安定な酸基がぶらさがっている。これらのぶらさがって
いる不安定な酸の側基はモノマー、およびこれらモノマ
ーとマレイミドモノマーとのコポリマーのアルカリ水溶
液中溶解度を減少させる。一度これらの不安定な酸基が
前記のポリマーから切断されると、このポリマーのアル
カリ水溶液中の溶解度が向上する。このアルカリ水溶液
中での溶解度の差が、パターン化した露光を経てレジス
ト内に転写されるイメージからレジスト中にパターンを
形成するのに利用される。
安定な酸基がぶらさがっている。これらのぶらさがって
いる不安定な酸の側基はモノマー、およびこれらモノマ
ーとマレイミドモノマーとのコポリマーのアルカリ水溶
液中溶解度を減少させる。一度これらの不安定な酸基が
前記のポリマーから切断されると、このポリマーのアル
カリ水溶液中の溶解度が向上する。このアルカリ水溶液
中での溶解度の差が、パターン化した露光を経てレジス
ト内に転写されるイメージからレジスト中にパターンを
形成するのに利用される。
【００１３】不安定酸基の例には、ｔ−ブチル、ｔ−ブ
トキシカルボニル（以後ｔ−ＢＯＣとする）、ｔ−アミ
ロキシカルボニルならびに２メチル−３−トリメチルシ
リル−２−プロパニルオキシカルボニル基がある。酸の
存在下でこれらの基はカルボニウムイオンを生成し、こ
れは十分安定であり、有効なアルファー水素の脱利が生
じる。
トキシカルボニル（以後ｔ−ＢＯＣとする）、ｔ−アミ
ロキシカルボニルならびに２メチル−３−トリメチルシ
リル−２−プロパニルオキシカルボニル基がある。酸の
存在下でこれらの基はカルボニウムイオンを生成し、こ
れは十分安定であり、有効なアルファー水素の脱利が生
じる。
【００１４】通常コポリマーは反復単位の半分未満にこ
れらの不安定なぶらさがり酸基を持つモノマーが含まれ
るように配合される。ポリマーはさらにもう一つのモノ
マーすなわちアセトキシスチレンあるいはトリメチルシ
リルスチレンモノマーとの共重合によってこのように配
合される。このコポリマーには＊モルパーセントの前記
の他のモノマーが含まれるが、それにより前記の不安定
な酸の側基を持つモノマーは確実にコポリマ−の反復ユ
ニットの半分未満を占めることになる。従ってポリマー
構造は反復単位が交互に連なったものとなる。本質的に
すべての反復単位にはマレイミドモノマーがその他のモ
ノマーと組み合わされて含まれている。本質的にすべて
の反復単位にある、前記の他のモノマーには不安定な酸
基がぶらさがっているか、あるいは不安定な酸基が存在
していない。反復単位の５０パーセント未満が不安定な
酸基がぶらさがっているモノマーであると、有利であ
る。
れらの不安定なぶらさがり酸基を持つモノマーが含まれ
るように配合される。ポリマーはさらにもう一つのモノ
マーすなわちアセトキシスチレンあるいはトリメチルシ
リルスチレンモノマーとの共重合によってこのように配
合される。このコポリマーには＊モルパーセントの前記
の他のモノマーが含まれるが、それにより前記の不安定
な酸の側基を持つモノマーは確実にコポリマ−の反復ユ
ニットの半分未満を占めることになる。従ってポリマー
構造は反復単位が交互に連なったものとなる。本質的に
すべての反復単位にはマレイミドモノマーがその他のモ
ノマーと組み合わされて含まれている。本質的にすべて
の反復単位にある、前記の他のモノマーには不安定な酸
基がぶらさがっているか、あるいは不安定な酸基が存在
していない。反復単位の５０パーセント未満が不安定な
酸基がぶらさがっているモノマーであると、有利であ
る。
【００１５】マレイミド含有ポリマーは多くの望ましい
熱的諸性質を持つ。酸が存在しないとき、前記の不安定
な酸の側基は通常マレイミド含有ポリマーから１８０℃
未満の温度では感知されるほどの量は切断されない。マ
レイミド含有ポリマー自身は４００℃未満の温度で熱的
に分解を開始せず、ガラス転移点、Ｔｇは２００℃より
高い。熱分解温度とガラス転移点の両者とも、この不安
定な酸基がポリマーから相当量切断される温度よりも高
温である。従って、１８０℃より高温では、この不安定
な酸基はもはや感知されるほどの量でポリマーにぶらさ
がっていることはできない。これらの熱的諸性質によっ
てリソグラフィー工程中のレジストのゆがみ量が減少す
る。正しく加工することにより、このレジスト組成物は
リソグラフィー工程中のイメージングならびに露光後の
焼成工程中でのその重量損失が２０パーセント未満にな
る。
熱的諸性質を持つ。酸が存在しないとき、前記の不安定
な酸の側基は通常マレイミド含有ポリマーから１８０℃
未満の温度では感知されるほどの量は切断されない。マ
レイミド含有ポリマー自身は４００℃未満の温度で熱的
に分解を開始せず、ガラス転移点、Ｔｇは２００℃より
高い。熱分解温度とガラス転移点の両者とも、この不安
定な酸基がポリマーから相当量切断される温度よりも高
温である。従って、１８０℃より高温では、この不安定
な酸基はもはや感知されるほどの量でポリマーにぶらさ
がっていることはできない。これらの熱的諸性質によっ
てリソグラフィー工程中のレジストのゆがみ量が減少す
る。正しく加工することにより、このレジスト組成物は
リソグラフィー工程中のイメージングならびに露光後の
焼成工程中でのその重量損失が２０パーセント未満にな
る。
【００１６】
【実施例】本発明のプロセスはデバイス製造のためのリ
ソグラフィー工程である。このプロセスには少なくとも
一つのリソグラフィー工程が含まれる。リソグラフィー
工程を含むデバイス製造工程はニューヨークのマグロー
ヒル社から出版されている（１９８３年）Ｓ．Ｍ．ツェ
による論文「ＶＬＳＩテクノロジー」やＬ．Ｆ．トンプ
ソンらの「マイクロリソグラフィー入門」、アメリカン
・ケミカル・ソサエティ−・シンポジウム・シリーズ２
１９、８７−１６１ページ（１９８３年）などに記載さ
れている。リソグラフィー工程には通常、露光およびパ
ターニング可能材料、すなわちレジストが用いられる。
ソグラフィー工程である。このプロセスには少なくとも
一つのリソグラフィー工程が含まれる。リソグラフィー
工程を含むデバイス製造工程はニューヨークのマグロー
ヒル社から出版されている（１９８３年）Ｓ．Ｍ．ツェ
による論文「ＶＬＳＩテクノロジー」やＬ．Ｆ．トンプ
ソンらの「マイクロリソグラフィー入門」、アメリカン
・ケミカル・ソサエティ−・シンポジウム・シリーズ２
１９、８７−１６１ページ（１９８３年）などに記載さ
れている。リソグラフィー工程には通常、露光およびパ
ターニング可能材料、すなわちレジストが用いられる。
【００１７】本発明の工程に使用されるレジスト組成に
はマレイミド含有モノマーと他のモノマーの共重合生成
物であるポリマーが含まれる。このレジスト組成物はす
ばらしい熱特性を持ち、リソグラフィー工程中の縮みが
少ない。
はマレイミド含有モノマーと他のモノマーの共重合生成
物であるポリマーが含まれる。このレジスト組成物はす
ばらしい熱特性を持ち、リソグラフィー工程中の縮みが
少ない。
【００１８】このレジスト組成物はリソグラフィー工程
中フィーチャーを基板へと転写する媒体として働く。イ
メージがこのレジストに導入され、このイメージが現像
されてパターンを形成する。このパターンはついで基板
へと転写される。
中フィーチャーを基板へと転写する媒体として働く。イ
メージがこのレジストに導入され、このイメージが現像
されてパターンを形成する。このパターンはついで基板
へと転写される。
【００１９】本発明の工程に使用されるレジスト組成物
には３つ以上のモノマーの重合生成物が含まれる。この
重合生成物をここではコポリマーと呼ぶ。このコポリマ
ーはマレイミド含有モノマーと他のモノマーのフィード
組成物を重合することによって形成される。このフィー
ドに含まれるマレイミド含有モノマーは好ましくはマレ
イミド、Ｎ-メチルマレイミドなどの低級アルキル置換
マレイミド、あるいはこの二つを組み合わせたものであ
る。このポリマーを形成するために重合されるモノマー
の約４０モルパーセントから約６０モルパーセントがマ
レイミド含有モノマーである。このポリマーを形成する
ために共重合されるモノマーの約４５モルパーセントか
ら約５５モルパーセントがマレイミド含有モノマーであ
ると有利である。
には３つ以上のモノマーの重合生成物が含まれる。この
重合生成物をここではコポリマーと呼ぶ。このコポリマ
ーはマレイミド含有モノマーと他のモノマーのフィード
組成物を重合することによって形成される。このフィー
ドに含まれるマレイミド含有モノマーは好ましくはマレ
イミド、Ｎ-メチルマレイミドなどの低級アルキル置換
マレイミド、あるいはこの二つを組み合わせたものであ
る。このポリマーを形成するために重合されるモノマー
の約４０モルパーセントから約６０モルパーセントがマ
レイミド含有モノマーである。このポリマーを形成する
ために共重合されるモノマーの約４５モルパーセントか
ら約５５モルパーセントがマレイミド含有モノマーであ
ると有利である。
【００２０】このマレイミド含有モノマーは好ましくは
スチレン含有モノマーと共重合される。フィード組成に
おいては、約４０から約６０モルパーセントがスチレン
含有モノマーである。このフィード組成が約４５モルパ
ーセントから約５５モルパーセントがスチレン含有モノ
マーであると有利である。このフィード組成におけるこ
れらのスチレン含有モノマーの一部のみ（約３０モルパ
ーセントから約５０モルパーセント）が不安定なぶらさ
がり酸基を持つ。マレイミド含有モノマーとスチレン含
有モノマーは共重合して交互の構造を持つポリマーを形
成する。つまり、マレイミドモノマーはスチレン含有モ
ノマーと結びつき、それがもう一つのマレイミドモノマ
ーと結びついている。
スチレン含有モノマーと共重合される。フィード組成に
おいては、約４０から約６０モルパーセントがスチレン
含有モノマーである。このフィード組成が約４５モルパ
ーセントから約５５モルパーセントがスチレン含有モノ
マーであると有利である。このフィード組成におけるこ
れらのスチレン含有モノマーの一部のみ（約３０モルパ
ーセントから約５０モルパーセント）が不安定なぶらさ
がり酸基を持つ。マレイミド含有モノマーとスチレン含
有モノマーは共重合して交互の構造を持つポリマーを形
成する。つまり、マレイミドモノマーはスチレン含有モ
ノマーと結びつき、それがもう一つのマレイミドモノマ
ーと結びついている。
【００２１】不安定な酸の側基は、それが側基としてつ
いているコポリマーのアルカリ水溶液における溶解性を
操作するために使用される。例えば、この不安定な酸の
側基は、ポリマーに側基としてついているより極性の高
い基を置換するばあい、このコポリマーのアルカリ水溶
液中の溶解性を減少させる。特定の例を挙げると、ヒド
ロキシスチレンポリマーにあるヒドロキシル基の水素
が、ｔ−ブトキシカルボニル（ｔＢＯＣ）基などの不安
定な酸の側基によって置換されたとする。このヒドロキ
シスチレンモノマーのヒドロキシル官能基が極性基であ
るため、ヒドロキシスチレンは比較的アルカリ水溶液中
で溶解性がある。ｔＢＯＣ基はこのヒドロキシル官能基
よりもはるかに極性が低い。従って、ヒドロキシル官能
基における水素の代わりにｔＢＯＣ 側基を持つヒドロ
キシスチレンを含有するコポリマーはこのようなｔＢＯ
Ｃ側基を持たないヒドロキシスチレン含有コポリマーに
比較し、アルカリ水溶液中での溶解度が低くなる。ヒド
ロキシの官能性はこのようにｔＢＯＣ側基によって「保
護」される。これらのｔＢＯＣ 基を除去するとこのヒ
ドロキシ官能性が「脱保護」される。
いているコポリマーのアルカリ水溶液における溶解性を
操作するために使用される。例えば、この不安定な酸の
側基は、ポリマーに側基としてついているより極性の高
い基を置換するばあい、このコポリマーのアルカリ水溶
液中の溶解性を減少させる。特定の例を挙げると、ヒド
ロキシスチレンポリマーにあるヒドロキシル基の水素
が、ｔ−ブトキシカルボニル（ｔＢＯＣ）基などの不安
定な酸の側基によって置換されたとする。このヒドロキ
シスチレンモノマーのヒドロキシル官能基が極性基であ
るため、ヒドロキシスチレンは比較的アルカリ水溶液中
で溶解性がある。ｔＢＯＣ基はこのヒドロキシル官能基
よりもはるかに極性が低い。従って、ヒドロキシル官能
基における水素の代わりにｔＢＯＣ 側基を持つヒドロ
キシスチレンを含有するコポリマーはこのようなｔＢＯ
Ｃ側基を持たないヒドロキシスチレン含有コポリマーに
比較し、アルカリ水溶液中での溶解度が低くなる。ヒド
ロキシの官能性はこのようにｔＢＯＣ側基によって「保
護」される。これらのｔＢＯＣ 基を除去するとこのヒ
ドロキシ官能性が「脱保護」される。
【００２２】これらの不安定な酸基がポリマーから切断
されると、ポリマーはアルカリ水溶液により溶けやすく
なる。このアルカリ水溶液中での溶解度の差が、パター
ン化露光を通じてレジストへ転写されるイメージからレ
ジストにパターンを形成するのに利用される。
されると、ポリマーはアルカリ水溶液により溶けやすく
なる。このアルカリ水溶液中での溶解度の差が、パター
ン化露光を通じてレジストへ転写されるイメージからレ
ジストにパターンを形成するのに利用される。
【００２３】適当な不安定な酸基の例としてｔ−ブチ
ル、ｔＢＯＣ、ｔ−アミロキシカルボニル、および２−
メチル−３−トリメチルシリル−２−プロパニルオキシ
カルボニル基などがある。これらの置換基は酸の存在下
で、有効なアルファー水素の脱利が行われるに十分な安
定性を持つカルボニウムイオンを生じるように選ばれて
いる。これらの置換基はフーリハンらの米国特許第４、
９９６、１３６号に記載されており、その内容はここに
参照として含められている。
ル、ｔＢＯＣ、ｔ−アミロキシカルボニル、および２−
メチル−３−トリメチルシリル−２−プロパニルオキシ
カルボニル基などがある。これらの置換基は酸の存在下
で、有効なアルファー水素の脱利が行われるに十分な安
定性を持つカルボニウムイオンを生じるように選ばれて
いる。これらの置換基はフーリハンらの米国特許第４、
９９６、１３６号に記載されており、その内容はここに
参照として含められている。
【００２４】前記のフィード組成物中のスチレン含有モ
ノマーの残りの部分（前記のスチレン含有モノマーの約
７０モルパーセントから約５０モルパーセント）には不
安定な酸の側基が含まれない。好ましくは全コポリマー
フィード組成では、前記の不安定なぶらさがり酸基を持
たない、スチレン含有モノマーが約２５から約３５モル
パーセントを占める。このようなモノマーの例として
は、スチレン、アセトキシスチレン、およびヒドロキシ
スチレンがある。このようなモノマーとして好ましいの
はm-ヒドロキシスチレンである。
ノマーの残りの部分（前記のスチレン含有モノマーの約
７０モルパーセントから約５０モルパーセント）には不
安定な酸の側基が含まれない。好ましくは全コポリマー
フィード組成では、前記の不安定なぶらさがり酸基を持
たない、スチレン含有モノマーが約２５から約３５モル
パーセントを占める。このようなモノマーの例として
は、スチレン、アセトキシスチレン、およびヒドロキシ
スチレンがある。このようなモノマーとして好ましいの
はm-ヒドロキシスチレンである。
【００２５】その結果生じるマレイミド含有ポリマーは
約４０モルパーセントから約６０モルパーセントのマレ
イミドモノマー、ならびに約４０モルパーセントから約
６０モルパーセントのスチレン含有モノマーのコポリマ
ーである。このスチレン含有モノマーのうち、約３０モ
ルパーセントから約５０モルパーセント未満が不安定な
ぶらさがり酸基を持ち、約５０モルパーセントから約７
０モルパーセントがこのような不安定なぶらさがり酸基
を持たない。
約４０モルパーセントから約６０モルパーセントのマレ
イミドモノマー、ならびに約４０モルパーセントから約
６０モルパーセントのスチレン含有モノマーのコポリマ
ーである。このスチレン含有モノマーのうち、約３０モ
ルパーセントから約５０モルパーセント未満が不安定な
ぶらさがり酸基を持ち、約５０モルパーセントから約７
０モルパーセントがこのような不安定なぶらさがり酸基
を持たない。
【００２６】コポリマーはその望ましい組成を反映する
相対量のモノマーを含有するフィード組成物を調製する
ことによって製造する。従って、もしコポリマーの組成
が０．２５ヒドロキシスチレン−０．２５ ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレン−０．５−Ｎ−メチルマレ
イミドであるようにしたいなら、このフィード組成は２
５モルパーセントの保護ヒドロキシスチレン、２５モル
パーセントのｔＢＯＣオキシスチレンおよび５０モルパ
ーセントのＮ−メチルマレイミドを持つものとなる。保
護ヒドロキシスチレンとは、ヒドロキシスチレンのｍ−
トリメチルシリルエーテルなどのような、重合を受けや
すい形のヒドロキシスチレンである。当該分野に経験の
ある人なら、所望の共重合を行うために前記のフィード
組成物へ導入することができる保護スチレンには数多く
の種類があることに気づかれるだろう。これらのモノマ
ーはシクロヘキサノンなどの適当な溶媒中で配合され、
当該分野で公知の技法によって重合される。
相対量のモノマーを含有するフィード組成物を調製する
ことによって製造する。従って、もしコポリマーの組成
が０．２５ヒドロキシスチレン−０．２５ ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレン−０．５−Ｎ−メチルマレ
イミドであるようにしたいなら、このフィード組成は２
５モルパーセントの保護ヒドロキシスチレン、２５モル
パーセントのｔＢＯＣオキシスチレンおよび５０モルパ
ーセントのＮ−メチルマレイミドを持つものとなる。保
護ヒドロキシスチレンとは、ヒドロキシスチレンのｍ−
トリメチルシリルエーテルなどのような、重合を受けや
すい形のヒドロキシスチレンである。当該分野に経験の
ある人なら、所望の共重合を行うために前記のフィード
組成物へ導入することができる保護スチレンには数多く
の種類があることに気づかれるだろう。これらのモノマ
ーはシクロヘキサノンなどの適当な溶媒中で配合され、
当該分野で公知の技法によって重合される。
【００２７】レジストの一つの領域にあるポリマーと他
の領域のポリマーとの間のアルカリ水溶液中での溶解度
の差の度合いは、これら二つの領域にあるポリマーにぶ
ら下がっている不安定な酸の側基の相対数に関連してい
る。このレジストがある温度以上の熱にさらされると両
方の領域で不安定な酸の側基が切断される。この不安定
な酸の側基がレジストの非露光領域と露光領域の両方か
ら均一に熱的に切断されることはこの二つの領域間のコ
ントラストに貢献しない。
の領域のポリマーとの間のアルカリ水溶液中での溶解度
の差の度合いは、これら二つの領域にあるポリマーにぶ
ら下がっている不安定な酸の側基の相対数に関連してい
る。このレジストがある温度以上の熱にさらされると両
方の領域で不安定な酸の側基が切断される。この不安定
な酸の側基がレジストの非露光領域と露光領域の両方か
ら均一に熱的に切断されることはこの二つの領域間のコ
ントラストに貢献しない。
【００２８】リソグラフィー工程においてこのレジスト
は照射される前に加熱される。本発明の工程において
は、これらの側基がポリマーから切断される温度（一般
に約１８０℃）より低い温度にこのレジストを加熱する
ことが好ましい。この熱的脱保護に対する敷居温度はそ
の他の多くの従来用いられているレジストよりも高く、
またこれにより加工条件の選択がより寛大におこなえ
る。
は照射される前に加熱される。本発明の工程において
は、これらの側基がポリマーから切断される温度（一般
に約１８０℃）より低い温度にこのレジストを加熱する
ことが好ましい。この熱的脱保護に対する敷居温度はそ
の他の多くの従来用いられているレジストよりも高く、
またこれにより加工条件の選択がより寛大におこなえ
る。
【００２９】マレイミド含有ポリマーはこの他にもレジ
スト材に使用する上で好ましい特性を持っている。この
ポリマーは４００℃未満の温度で熱分解が開始せず、ま
たこのポリマーのガラス転移点、Ｔｇ、は２００℃を越
えている。もちろんこのポリマーは、これらの温度のい
ずれかに達する前に実質的には完全に脱保護されてしま
うであろう。これらの熱特性によりこのポリマーはリソ
グラフィー工程中、特に露光ステップに続く焼成ステッ
プの間、ならびにその後のパターン転送ステップ中にお
いて、ひずみに対し高い抵抗性を持つ。
スト材に使用する上で好ましい特性を持っている。この
ポリマーは４００℃未満の温度で熱分解が開始せず、ま
たこのポリマーのガラス転移点、Ｔｇ、は２００℃を越
えている。もちろんこのポリマーは、これらの温度のい
ずれかに達する前に実質的には完全に脱保護されてしま
うであろう。これらの熱特性によりこのポリマーはリソ
グラフィー工程中、特に露光ステップに続く焼成ステッ
プの間、ならびにその後のパターン転送ステップ中にお
いて、ひずみに対し高い抵抗性を持つ。
【００３０】このポリマーにぶらさがっている不安定な
酸基の数は制限されている。これらの基がこのコポリマ
ーの３０モルパーセント以下のモノマーについていると
有利である。すでに述べたように、この不安定な酸の側
基をポリマーから切断することによって、このポリマー
のアルカリ水溶液での溶解度が変化する。このアルカリ
水溶液での溶解度の変化はついでパターンをレジスト中
に形成するのに用いられる。
酸基の数は制限されている。これらの基がこのコポリマ
ーの３０モルパーセント以下のモノマーについていると
有利である。すでに述べたように、この不安定な酸の側
基をポリマーから切断することによって、このポリマー
のアルカリ水溶液での溶解度が変化する。このアルカリ
水溶液での溶解度の変化はついでパターンをレジスト中
に形成するのに用いられる。
【００３１】しかし、不安定な酸の側基がこのポリマー
から切断されると、ポリマーは焼成ステップ中脱保護に
基づいて縮む。従って、これらの不安定な酸の側基を切
断されることによるポリマーのアルカリ水溶液中の溶解
度の変化におよぼされる望ましい効果とこのような基を
あまり多く分割したためにポリマーの縮みに及ぼされる
望ましくない影響とのバランスをとることが求められ
る。
から切断されると、ポリマーは焼成ステップ中脱保護に
基づいて縮む。従って、これらの不安定な酸の側基を切
断されることによるポリマーのアルカリ水溶液中の溶解
度の変化におよぼされる望ましい効果とこのような基を
あまり多く分割したためにポリマーの縮みに及ぼされる
望ましくない影響とのバランスをとることが求められ
る。
【００３２】このバランスを達成するための一つの方法
はまず第一にこのポリマーについている不安定な酸の側
基の量を制限することである。本発明のコポリマーが持
つこのような不安定な酸の側基の数は他より少ない、と
いうのもこの不安定な酸の側基はポリマーを構成するた
めに共重合されるいくつかのモノマーのうちの一つにし
かついていないからである。この不安定な酸の側基がつ
いているモノマーはポリマーフィード組成の約３０モル
パーセント以下であり、したがってこのポリマーを作り
上げているモノマーの約３０モルパーセント未満がそこ
にこの不安定な酸の側基を持っているのである。
はまず第一にこのポリマーについている不安定な酸の側
基の量を制限することである。本発明のコポリマーが持
つこのような不安定な酸の側基の数は他より少ない、と
いうのもこの不安定な酸の側基はポリマーを構成するた
めに共重合されるいくつかのモノマーのうちの一つにし
かついていないからである。この不安定な酸の側基がつ
いているモノマーはポリマーフィード組成の約３０モル
パーセント以下であり、したがってこのポリマーを作り
上げているモノマーの約３０モルパーセント未満がそこ
にこの不安定な酸の側基を持っているのである。
【００３３】マレイミド含有コポリマーは他の材料と配
合されてこのレジストを形成する。好ましくはこのマレ
イミド含有ポリマーは光酸発生剤と配合されてレジスト
を形成する。この光酸発生剤はある形のエネルギーにさ
らされると酸を発生する。このようにして発生された酸
はマレイミド含有レジストポリマーから不安定な酸基を
切断し、これらの基が切断されていないポリマーのアル
カリ水溶液溶解度に比較して、このポリマーのアルカリ
水溶液での溶解度を高める。適した光酸発生剤の例とし
ては、フーリハンらの米国特許代４、９９６、１３６号
ならびに第５、２００、５４４号に開示されているビス
（２−ニトロ−６−トリフルオロメチルベンジル）−１
−３−ベンゼンジスルフォネートやその他の光酸発生剤
があるが、これらの特許における教示はここに参考とし
て含められている。
合されてこのレジストを形成する。好ましくはこのマレ
イミド含有ポリマーは光酸発生剤と配合されてレジスト
を形成する。この光酸発生剤はある形のエネルギーにさ
らされると酸を発生する。このようにして発生された酸
はマレイミド含有レジストポリマーから不安定な酸基を
切断し、これらの基が切断されていないポリマーのアル
カリ水溶液溶解度に比較して、このポリマーのアルカリ
水溶液での溶解度を高める。適した光酸発生剤の例とし
ては、フーリハンらの米国特許代４、９９６、１３６号
ならびに第５、２００、５４４号に開示されているビス
（２−ニトロ−６−トリフルオロメチルベンジル）−１
−３−ベンゼンジスルフォネートやその他の光酸発生剤
があるが、これらの特許における教示はここに参考とし
て含められている。
【００３４】レジストは既知の技法によって基板上に塗
布され、ついでパターン状に照射される。この照射の波
長は好ましくは約２２０ｎｍから約３００ｎｍである。
照射線量は、約２４８ｎｍの波長での照射における露光
の場合、好ましくは約４ｍＪ／ｃｍ2から約８０ｍＪ／
ｃｍ2である。パターン化されたレジストにはついで１
１０℃から約１７０℃の温度での露光後焼成ステップを
行う。この焼成ステップが約１４０℃から約１６５℃で
行われると有利である。レジストに含まれるコポリマー
の組成はレジストが照射され焼成された後のレジスト重
量が、基板に塗布されたレジストの少なくとも約８０パ
ーセントとなるようなものである。レジストに含まれる
コポリマーの組成が、レジストが照射され焼成された後
のレジスト重量が、基板に塗布されたレジストの少なく
とも約８５パーセントであるようなものであると有利で
ある。
布され、ついでパターン状に照射される。この照射の波
長は好ましくは約２２０ｎｍから約３００ｎｍである。
照射線量は、約２４８ｎｍの波長での照射における露光
の場合、好ましくは約４ｍＪ／ｃｍ2から約８０ｍＪ／
ｃｍ2である。パターン化されたレジストにはついで１
１０℃から約１７０℃の温度での露光後焼成ステップを
行う。この焼成ステップが約１４０℃から約１６５℃で
行われると有利である。レジストに含まれるコポリマー
の組成はレジストが照射され焼成された後のレジスト重
量が、基板に塗布されたレジストの少なくとも約８０パ
ーセントとなるようなものである。レジストに含まれる
コポリマーの組成が、レジストが照射され焼成された後
のレジスト重量が、基板に塗布されたレジストの少なく
とも約８５パーセントであるようなものであると有利で
ある。
【００３５】実施例１：マレイミド含有コポリマーの調
製 マレイミドおよびＮ−メチルマレイミドモノマーを、ウ
ィスコンシン州ミルウォーキーのＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．から入手した。Ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレンおよびアセトキシスチレン
をテキサス州のコルパス クリスチのＨｏｅｃｈｓｔ−
Ｃｅｌａｎｅｓｅ、Ｉｎｃ．から入手した。モノマーは
シクロヘキサノン溶液の形で配合した。このシクロヘキ
サノンは前記のＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃ
ｏ．から入手した。
製 マレイミドおよびＮ−メチルマレイミドモノマーを、ウ
ィスコンシン州ミルウォーキーのＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．から入手した。Ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレンおよびアセトキシスチレン
をテキサス州のコルパス クリスチのＨｏｅｃｈｓｔ−
Ｃｅｌａｎｅｓｅ、Ｉｎｃ．から入手した。モノマーは
シクロヘキサノン溶液の形で配合した。このシクロヘキ
サノンは前記のＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃ
ｏ．から入手した。
【００３６】前記のモノマーは溶媒に約２．５モル／リ
ットルの濃度で溶解して配合した。スチレンタイプのモ
ノマーのマレイミドモノマーに対する比は約１対１であ
った。重合は何例か行い、アセトキシスチレンのｔ-ブ
トキシカルボニルオキシスチレンに対する比を重合ごと
に変えた。マレイミドモノマーのＮ-メチルマレイミド
モノマーに対する比もまた重合ごとに変えた。
ットルの濃度で溶解して配合した。スチレンタイプのモ
ノマーのマレイミドモノマーに対する比は約１対１であ
った。重合は何例か行い、アセトキシスチレンのｔ-ブ
トキシカルボニルオキシスチレンに対する比を重合ごと
に変えた。マレイミドモノマーのＮ-メチルマレイミド
モノマーに対する比もまた重合ごとに変えた。
【００３７】ポリマーを３種の異なるモノマー混合物か
ら製造した。一つの混合物においてフィード組成は２５
モルパーセントのアセトキシスチレン、２５モルパーセ
ントのｔ-ブトキシカルボニルオキシスチレンおよび５
０パーセントのＮ−メチルマレイミドを含むものであっ
た（０．２５アセトキシスチレン−０．２５ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマレイ
ミド）。この組成物を今後「０．２５アセトキシスチレ
ンターポリマー」と呼ぶ。そのほかの二つの混合物は
０．３８アセトキシスチレン-０．１２ｔ-ブトキシカル
ボニルオキシスチレン-０．５Ｎ-メチルマレイミド（以
後「０．３８アセトキシスチレンターポリマー」と呼
ぶ）ならびに０．２５アセトキシスチレン-０．２５ｔ-
ブトキシカルボニルオキシスチレン-０．２５Ｎ-メチル
マレイミド-０．２５マレイミド（以後これを「テトラ
ポリマー」と呼ぶ）であった。
ら製造した。一つの混合物においてフィード組成は２５
モルパーセントのアセトキシスチレン、２５モルパーセ
ントのｔ-ブトキシカルボニルオキシスチレンおよび５
０パーセントのＮ−メチルマレイミドを含むものであっ
た（０．２５アセトキシスチレン−０．２５ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマレイ
ミド）。この組成物を今後「０．２５アセトキシスチレ
ンターポリマー」と呼ぶ。そのほかの二つの混合物は
０．３８アセトキシスチレン-０．１２ｔ-ブトキシカル
ボニルオキシスチレン-０．５Ｎ-メチルマレイミド（以
後「０．３８アセトキシスチレンターポリマー」と呼
ぶ）ならびに０．２５アセトキシスチレン-０．２５ｔ-
ブトキシカルボニルオキシスチレン-０．２５Ｎ-メチル
マレイミド-０．２５マレイミド（以後これを「テトラ
ポリマー」と呼ぶ）であった。
【００３８】これらの三つの溶媒とモノマーの混合物そ
れぞれを別々の反応容器に入れた。モノマー混合物を入
れた各容器は２時間窒素でパージした。ついで溶液を６
０℃に加熱し、ドデシルチオール（０．２５ｍｌ）を溶
液へ加えた。その後フリーラジカル開始剤、窒化アゾ-
ビス-イソブチルを溶液に加えた。
れぞれを別々の反応容器に入れた。モノマー混合物を入
れた各容器は２時間窒素でパージした。ついで溶液を６
０℃に加熱し、ドデシルチオール（０．２５ｍｌ）を溶
液へ加えた。その後フリーラジカル開始剤、窒化アゾ-
ビス-イソブチルを溶液に加えた。
【００３９】重合を２時間行い、それぞれの溶液にメタ
ノールを加え、溶液からポリマーを沈殿させた。得られ
たポリマー沈殿物をまずテトラヒドロフランに溶解し、
ついでメタノール中で沈殿させて、２回ずつ、再沈殿操
作を行った。精製ポリマーはその後真空炉中で室温で２
日間乾燥させた。
ノールを加え、溶液からポリマーを沈殿させた。得られ
たポリマー沈殿物をまずテトラヒドロフランに溶解し、
ついでメタノール中で沈殿させて、２回ずつ、再沈殿操
作を行った。精製ポリマーはその後真空炉中で室温で２
日間乾燥させた。
【００４０】前記の０．２５アセトキシスチレンターポ
リマーとテトラポリマーのフィード組成に基づく実際の
組成を１３ＣＮＭＲスペクトルを用いて調べた。このス
ペクトルはＪＥＯＬ ＧＸ-５００分光計で１２５ＭＨ
ｚの共鳴周波数で記録した。定量スペクトルを５０℃で
核オーバーハウザー効果のないゲートカップリングで得
た。１５秒のパルス遅延を用いた。ポリマーはｄ−クロ
ロホルム溶媒に溶解した。
リマーとテトラポリマーのフィード組成に基づく実際の
組成を１３ＣＮＭＲスペクトルを用いて調べた。このス
ペクトルはＪＥＯＬ ＧＸ-５００分光計で１２５ＭＨ
ｚの共鳴周波数で記録した。定量スペクトルを５０℃で
核オーバーハウザー効果のないゲートカップリングで得
た。１５秒のパルス遅延を用いた。ポリマーはｄ−クロ
ロホルム溶媒に溶解した。
【００４１】ＮＭＲスペクトルによると、このターポリ
マーは０．２４アセトキシスチレン−０．２５ｔ−ブト
キシカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマレ
イミドであった。ＮＭＲスペクトルによると、テトラポ
リマーは０．２７アセトキシスチレン−０．２６ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシスチレン−０．３６Ｎ−メチル
マレイミド−０．１２マレイミドであった。このポリマ
ーは両者とも約５０パーセントのスチレン含有モノマー
と５０パーセントのマレイミドモノマーの組成を持って
いた。従って、このポリマー組成はポリマーとフィード
におけるマレイミドとスチレンの相対量に関してはフィ
ード組成に対応している。しかし、このＮＭＲデータは
Ｎ−メチルマレイミドがマレイミドに対して優先的に重
合されることを示唆している。
マーは０．２４アセトキシスチレン−０．２５ｔ−ブト
キシカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマレ
イミドであった。ＮＭＲスペクトルによると、テトラポ
リマーは０．２７アセトキシスチレン−０．２６ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシスチレン−０．３６Ｎ−メチル
マレイミド−０．１２マレイミドであった。このポリマ
ーは両者とも約５０パーセントのスチレン含有モノマー
と５０パーセントのマレイミドモノマーの組成を持って
いた。従って、このポリマー組成はポリマーとフィード
におけるマレイミドとスチレンの相対量に関してはフィ
ード組成に対応している。しかし、このＮＭＲデータは
Ｎ−メチルマレイミドがマレイミドに対して優先的に重
合されることを示唆している。
【００４２】０．３８アセトキシスチレンターポリマー
の組成を熱重量分析（ＴＧＡ）によって求めた。この分
析はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ ＤＳＣ７システムで行
われた。毎分１０℃で測定を行った。この分析に基づ
き、またポリマーが５０モルパーセントのＮ−メチルマ
レイミドを含むものと仮定すると、０．３８アセトキシ
スチレンターポリマーの組成は０．３８ アセトキシス
チレン−０．１２ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン−０．５Ｎ−メチルマレイミドであると決定された。
従ってこのポリマーを形成しているモノマーのモル比は
フィード中のモノマーのモル比に等しい。
の組成を熱重量分析（ＴＧＡ）によって求めた。この分
析はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ ＤＳＣ７システムで行
われた。毎分１０℃で測定を行った。この分析に基づ
き、またポリマーが５０モルパーセントのＮ−メチルマ
レイミドを含むものと仮定すると、０．３８アセトキシ
スチレンターポリマーの組成は０．３８ アセトキシス
チレン−０．１２ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン−０．５Ｎ−メチルマレイミドであると決定された。
従ってこのポリマーを形成しているモノマーのモル比は
フィード中のモノマーのモル比に等しい。
【００４３】実施例２：スチレン、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレンおよびＮ−メチルマレイミドコポリ
マーの調製 フィード組成物にはシクロヘキサノン（１２５ ｍｌ）
と配合したスチレンのｍ−トリメチルシリルエーテル
（３．６ｍｌ)、ｔＢＯＣオキシスチレン（４．８ ｍ
ｌ）およびＮ−メチルマレイミド（４．８９ g）を含有
させた。シリルエーテル保護ヒドロキシスチレン含有ポ
リマーからのヒドロキシスチレン含有ポリマーの製造は
同時出願され、ここに参照として含められているチャン
ドロス−コメタニ−ナラマス−ライヒマニス−アーリッ
ヒ６５−２−４−１９−１に開示されている。得られた
混合物をアルゴンで１時間パージした。アルゴンのパー
ジが終了した後、ｎ−ドデシルチオール（０．１２ ｍ
ｌ）を混合物に加えた。この混合物をついで６０℃に加
熱した。ついでフリーラジカル開始剤、窒化アゾービス
ーイソブチルを混合物に加えた。
ニルオキシスチレンおよびＮ−メチルマレイミドコポリ
マーの調製 フィード組成物にはシクロヘキサノン（１２５ ｍｌ）
と配合したスチレンのｍ−トリメチルシリルエーテル
（３．６ｍｌ)、ｔＢＯＣオキシスチレン（４．８ ｍ
ｌ）およびＮ−メチルマレイミド（４．８９ g）を含有
させた。シリルエーテル保護ヒドロキシスチレン含有ポ
リマーからのヒドロキシスチレン含有ポリマーの製造は
同時出願され、ここに参照として含められているチャン
ドロス−コメタニ−ナラマス−ライヒマニス−アーリッ
ヒ６５−２−４−１９−１に開示されている。得られた
混合物をアルゴンで１時間パージした。アルゴンのパー
ジが終了した後、ｎ−ドデシルチオール（０．１２ ｍ
ｌ）を混合物に加えた。この混合物をついで６０℃に加
熱した。ついでフリーラジカル開始剤、窒化アゾービス
ーイソブチルを混合物に加えた。
【００４４】混合物を２時間重合させた。ついで混合物
をメタノール（５００ ｍｌ）および塩酸（ＨＣｌ：
０．１２ ｍｌ)と混合し、ポリマーを混合物から沈殿さ
せた。ポリマー沈殿物をついでテトラヒドロフランに溶
解させた後、メタノール中で沈殿させることによって再
沈殿（２回）した。
をメタノール（５００ ｍｌ）および塩酸（ＨＣｌ：
０．１２ ｍｌ)と混合し、ポリマーを混合物から沈殿さ
せた。ポリマー沈殿物をついでテトラヒドロフランに溶
解させた後、メタノール中で沈殿させることによって再
沈殿（２回）した。
【００４５】このポリマーのフィード組成に基づく実際
の組成を求めるために前述のような評価を行った。この
分析の結果は０．２ヒドロキシスチレン−０．３ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマ
レイミドであった。このポリマーを今後「０．２ヒドロ
キシスチレン」ターポリマーと呼ぶ。
の組成を求めるために前述のような評価を行った。この
分析の結果は０．２ヒドロキシスチレン−０．３ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシスチレン−０．５Ｎ−メチルマ
レイミドであった。このポリマーを今後「０．２ヒドロ
キシスチレン」ターポリマーと呼ぶ。
【００４６】実施例３：マレイミド含有モノマーとスチ
レン含有モノマーのコポリマーの調製 スチレンをウィスコンシン州ミルウォーキーのＡｌｄｒ
ｉｃｈ Ｃｏ．から入手した。このモノマーを重合に先
立ちアルミナでスラリー化した。マレイミドとＮ−メチ
ルマレイミドを同じくＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．から入手
した。ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンをテキサ
ス州コープス、クリスチのＨｏｅｃｈｓｔ−Ｃｅｌａｎ
ｅｓｅ、Ｉｎｃ．から入手した。モノマーをＡｌｄｒｉ
ｃｈ Ｃｏ．から入手したシクロヘキサノンに約２．５
モル／リットルの濃度で溶解し、混合した。スチレンモ
ノマーのｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンに対す
る比は約１対１であった。フィード組成におけるマレイ
ミドとＮ−メチルマレイミドの濃度は製造するポリマー
中のこれら二つのモノマーの所望量に応じて決定した。
一つの重合例においてフィード組成は２５モルパーセン
トのスチレン、２５モルパーセントのｔ−ブトキシカル
ボニルオキシスチレンおよび５０モルパーセントのマレ
イミドからなるものであった。もう一つの重合例ではフ
ィード組成は２５モルパーセントのスチレン、２５モル
パーセントのｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、
３５モルパーセントのＮ−メチルマレイミドおよび１５
モルパーセントのマレイミドからなるものであった。
レン含有モノマーのコポリマーの調製 スチレンをウィスコンシン州ミルウォーキーのＡｌｄｒ
ｉｃｈ Ｃｏ．から入手した。このモノマーを重合に先
立ちアルミナでスラリー化した。マレイミドとＮ−メチ
ルマレイミドを同じくＡｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．から入手
した。ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンをテキサ
ス州コープス、クリスチのＨｏｅｃｈｓｔ−Ｃｅｌａｎ
ｅｓｅ、Ｉｎｃ．から入手した。モノマーをＡｌｄｒｉ
ｃｈ Ｃｏ．から入手したシクロヘキサノンに約２．５
モル／リットルの濃度で溶解し、混合した。スチレンモ
ノマーのｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンに対す
る比は約１対１であった。フィード組成におけるマレイ
ミドとＮ−メチルマレイミドの濃度は製造するポリマー
中のこれら二つのモノマーの所望量に応じて決定した。
一つの重合例においてフィード組成は２５モルパーセン
トのスチレン、２５モルパーセントのｔ−ブトキシカル
ボニルオキシスチレンおよび５０モルパーセントのマレ
イミドからなるものであった。もう一つの重合例ではフ
ィード組成は２５モルパーセントのスチレン、２５モル
パーセントのｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、
３５モルパーセントのＮ−メチルマレイミドおよび１５
モルパーセントのマレイミドからなるものであった。
【００４７】上述の二つのフィード組成物を別々の反応
容器に入れた。重合は窒素雰囲気下で約６０℃の温度で
行われた。ついでフリーラジカル開始剤の窒化アゾ-ビ
ス-イソブチルを溶液に加えた。ポリマーの分子量を減
少するためドデシルチオール（０．１２ ｍｌ）を溶液
に加えた。
容器に入れた。重合は窒素雰囲気下で約６０℃の温度で
行われた。ついでフリーラジカル開始剤の窒化アゾ-ビ
ス-イソブチルを溶液に加えた。ポリマーの分子量を減
少するためドデシルチオール（０．１２ ｍｌ）を溶液
に加えた。
【００４８】重合を３時間行った。その後溶液にはそれ
ぞれメタノールを加え、溶液からポリマーを沈殿させ
た。ポリマーはまずテトラヒドロフランに溶解し、メタ
ノール中で沈殿させることによって二回ずつ再沈殿させ
た。生成ポリマーは真空炉に入れ室温で一晩おいた。
ぞれメタノールを加え、溶液からポリマーを沈殿させ
た。ポリマーはまずテトラヒドロフランに溶解し、メタ
ノール中で沈殿させることによって二回ずつ再沈殿させ
た。生成ポリマーは真空炉に入れ室温で一晩おいた。
【００４９】これらのポリマーのフィード組成に基づく
実際の組成を求めるためにＣＮＭＲスペクトルを用いた
評価を行った。このスペクトルはＪＥＯＬ ＧＸ−５０
０分析計で１２５ＭＨｚの共鳴周波数で記録された。定
量スペクトルを５０℃で核オーバーハウザー効果のない
ゲートカップリングで得た。１５秒のパルス遅延が用い
られた。ポリマーはｄ−クロロホルム溶媒に溶解した。
実際の組成を求めるためにＣＮＭＲスペクトルを用いた
評価を行った。このスペクトルはＪＥＯＬ ＧＸ−５０
０分析計で１２５ＭＨｚの共鳴周波数で記録された。定
量スペクトルを５０℃で核オーバーハウザー効果のない
ゲートカップリングで得た。１５秒のパルス遅延が用い
られた。ポリマーはｄ−クロロホルム溶媒に溶解した。
【００５０】実施例４：本発明の方法を用いたデバイス
の製造 実施例１、２および３で記載の方法により合成されたコ
ポリマーのそれぞれを２-メトキシメチルエーテルと混
合した。エーテル中のコポリマーの濃度は単位体積あた
り２０重量パーセントであった。光酸発生剤としてビス
（２−ニトロ−６−トリフルオロメチルベンジル)−
１、３ ベンゼンジスルホネートを溶液にそれぞれ加え
た。光酸発生剤の添加量は実施例１および２のコポリマ
ーに対しては溶液中のコポリマーの量に対して約１２重
量パーセントであった。実施例３のコポリマーに対して
は光酸発生剤の添加量は約１０重量パーセントであっ
た。
の製造 実施例１、２および３で記載の方法により合成されたコ
ポリマーのそれぞれを２-メトキシメチルエーテルと混
合した。エーテル中のコポリマーの濃度は単位体積あた
り２０重量パーセントであった。光酸発生剤としてビス
（２−ニトロ−６−トリフルオロメチルベンジル)−
１、３ ベンゼンジスルホネートを溶液にそれぞれ加え
た。光酸発生剤の添加量は実施例１および２のコポリマ
ーに対しては溶液中のコポリマーの量に対して約１２重
量パーセントであった。実施例３のコポリマーに対して
は光酸発生剤の添加量は約１０重量パーセントであっ
た。
【００５１】各溶液は２０００ｒｐｍ（実施例３のポリ
マーに対しては４００ｒｐｍ）の速度で４インチのシリ
コン基板上にスピンコートした。基板上にこのように堆
積させたフィルムの厚みは１ミクロンであった。被覆基
板は約１２０℃で１分間露光前焼成を行い、フィルムか
ら溶媒を除去した。
マーに対しては４００ｒｐｍ）の速度で４インチのシリ
コン基板上にスピンコートした。基板上にこのように堆
積させたフィルムの厚みは１ミクロンであった。被覆基
板は約１２０℃で１分間露光前焼成を行い、フィルムか
ら溶媒を除去した。
【００５２】被覆基板はついでＫａｒｌ Ｓｕｓｓ Ｉ
ｎｃ．のモデルＭＡ５６Ａコンタクトアライナーを用い
て照射した。このアライナーは２４８ｎｍの波長で作動
するＬａｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋエキシマレーザーには
め込まれた。照射線量は約２ｍＪ／ｃｍ2／ｓｅｃであ
り、被覆基板を照射する時間の長さは約２秒から約４０
秒間の間で変えた。
ｎｃ．のモデルＭＡ５６Ａコンタクトアライナーを用い
て照射した。このアライナーは２４８ｎｍの波長で作動
するＬａｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋエキシマレーザーには
め込まれた。照射線量は約２ｍＪ／ｃｍ2／ｓｅｃであ
り、被覆基板を照射する時間の長さは約２秒から約４０
秒間の間で変えた。
【００５３】被覆基板をついで露光後焼成した。ターポ
リマーは１６５℃の温度で４０秒間焼成した。マレイミ
ドとＮ-メチルマレイミドを含有するテトラポリマーは
１５５℃で４０秒間焼成した。実施例２と３のコポリマ
ーは１５０℃で４０秒間焼成した。
リマーは１６５℃の温度で４０秒間焼成した。マレイミ
ドとＮ-メチルマレイミドを含有するテトラポリマーは
１５５℃で４０秒間焼成した。実施例２と３のコポリマ
ーは１５０℃で４０秒間焼成した。
【００５４】露光フィルム中のそれぞれのイメージをつ
いで現像した。０．２５アセトキシスチレンターポリマ
ーおよび実施例２と３のコポリマーのフィルムが堆積し
ている基板を、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭ
ＡＨ）（９．７体積パーセント：２５重量パーセン
ト）、水（７１．６体積パーセント)の溶液に４０秒間
浸漬した。イソプロパノール（１８．７体積パーセン
ト）も実施例３のコポリマーおよび０．２５アセトキシ
スチレンターポリマー含有溶液に加えた。テトラポリマ
ーのフィルムが堆積した基板はＴＭＡＨ（５．２体積パ
ーセント）、水（７７．７体積パーセント）およびイソ
プロパノール（１７体積パーセント）の溶液に３０秒間
浸漬した。０．３８アセトキシスチレンターポリマーが
堆積した基板は現像液に浸漬したがフィルムは溶解しな
かった。
いで現像した。０．２５アセトキシスチレンターポリマ
ーおよび実施例２と３のコポリマーのフィルムが堆積し
ている基板を、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭ
ＡＨ）（９．７体積パーセント：２５重量パーセン
ト）、水（７１．６体積パーセント)の溶液に４０秒間
浸漬した。イソプロパノール（１８．７体積パーセン
ト）も実施例３のコポリマーおよび０．２５アセトキシ
スチレンターポリマー含有溶液に加えた。テトラポリマ
ーのフィルムが堆積した基板はＴＭＡＨ（５．２体積パ
ーセント）、水（７７．７体積パーセント）およびイソ
プロパノール（１７体積パーセント）の溶液に３０秒間
浸漬した。０．３８アセトキシスチレンターポリマーが
堆積した基板は現像液に浸漬したがフィルムは溶解しな
かった。
【００５５】実施例５：熱脱保護によるポリマーの重量
損失 実施例１および２で合成したポリマーからｔ-ブトキシ
カルボニル基が除去されるときの重量損失をそれぞれ測
定した。この重量損失はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｄ
ＳＣ７システム上で熱重量分析（ＴＧＡ）を用いて測定
した。これらの測定結果を下記に示す。 ポリマー 重量損失（％） ０．２５ アセトキシターポリマー １５．３ ０．３８ アセトキシターポリマー ８．３ テトラポリマー １５．３ ０．２ ヒドロキシスチレンターポリマー １７．９
損失 実施例１および２で合成したポリマーからｔ-ブトキシ
カルボニル基が除去されるときの重量損失をそれぞれ測
定した。この重量損失はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｄ
ＳＣ７システム上で熱重量分析（ＴＧＡ）を用いて測定
した。これらの測定結果を下記に示す。 ポリマー 重量損失（％） ０．２５ アセトキシターポリマー １５．３ ０．３８ アセトキシターポリマー ８．３ テトラポリマー １５．３ ０．２ ヒドロキシスチレンターポリマー １７．９
【００５６】実施例６：ポリマーの熱特性 実施例１、２および３に記載のように合成したポリマー
を実施例５に記載の熱重量分析にかけ、この合成ポリマ
ーから何度でｔ−ブトキシカルボニル基が切断し始める
かを測定した。各ポリマーのガラス転移点Tgもまた測定
した。ポリマーのＴｇはＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｄ
ＳＣ７で毎分２０℃のスキャン速度で測定した。次の結
果が得られた。 ポリマー 脱保護温度（℃） 分解温度（℃） ポリマーのＴｇ 実施例１のポリマー ０．２５アセトキシスチレン １９４ ４４２ ２２０ ターポリマー ０．３８アセトキシスチレン ターポリマー １９６ ４１３ テトラポリマー １８４ ４２０ ２４０ 実施例２のポリマー ０．５マレイミド ０．２５ｔＢＯＣスチレン １９１ ４３７ ０．２５ スチレン ターポリマー 実施例３のポリマー ０．２５スチレン ０．５マレイミド １９８ ４２７ ２３０ ０．２５ｔＢＯＣスチレン ターポリマー ０．１５ マレイミド ０．３５Ｎ−メチルマレイミド １９１ ２４３ ０．２５ｔＢＯＣスチレン テトラポリマー 不安定な酸基はガラス転移点および分解点でコポリマー
から基本的にすべて切断されたことに注意。
を実施例５に記載の熱重量分析にかけ、この合成ポリマ
ーから何度でｔ−ブトキシカルボニル基が切断し始める
かを測定した。各ポリマーのガラス転移点Tgもまた測定
した。ポリマーのＴｇはＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ Ｄ
ＳＣ７で毎分２０℃のスキャン速度で測定した。次の結
果が得られた。 ポリマー 脱保護温度（℃） 分解温度（℃） ポリマーのＴｇ 実施例１のポリマー ０．２５アセトキシスチレン １９４ ４４２ ２２０ ターポリマー ０．３８アセトキシスチレン ターポリマー １９６ ４１３ テトラポリマー １８４ ４２０ ２４０ 実施例２のポリマー ０．５マレイミド ０．２５ｔＢＯＣスチレン １９１ ４３７ ０．２５ スチレン ターポリマー 実施例３のポリマー ０．２５スチレン ０．５マレイミド １９８ ４２７ ２３０ ０．２５ｔＢＯＣスチレン ターポリマー ０．１５ マレイミド ０．３５Ｎ−メチルマレイミド １９１ ２４３ ０．２５ｔＢＯＣスチレン テトラポリマー 不安定な酸基はガラス転移点および分解点でコポリマー
から基本的にすべて切断されたことに注意。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、これ
までそのすぐれた熱的諸性質により、リソグラフィー工
程において化学増幅レジストとして使用されてきたマレ
イミド含有ポリマーの持つ、リソグラフィー工程中の縮
みの問題を改善し、その結果レジストのゆがみ量が減少
した。正しく加工することにより、本発明のレジスト組
成物はリソグラフィー工程中のイメージングならびに露
光後の焼成工程中でのその重量損失が２０パーセント未
満となる。
までそのすぐれた熱的諸性質により、リソグラフィー工
程において化学増幅レジストとして使用されてきたマレ
イミド含有ポリマーの持つ、リソグラフィー工程中の縮
みの問題を改善し、その結果レジストのゆがみ量が減少
した。正しく加工することにより、本発明のレジスト組
成物はリソグラフィー工程中のイメージングならびに露
光後の焼成工程中でのその重量損失が２０パーセント未
満となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エルサ レイチマニス アメリカ合衆国、07090 ニュージャージ ー、ウェストフィールド、セント マーク ス アベニュー 550
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に照射に感応する材料の領域を形
成するステップと、 前記の照射に感応する材料は少なくとも３つの異なるモ
ノマーの重合体であり、 第一のモノマーは不安定な酸置換基を持ち、 第二のモノマーは不安定な酸置換基を持たないマレイミ
ドモノマーであり、 第三のモノマーはマレイミドモノマーではなく、また不
安定な酸置換基も持たないものであり、 前記の不安定な酸置換基を持つモノマーは前記の重合生
成物の５０モルパーセント未満を占めており、 前記のレジスト材料中にエネルギーに露光した、独立し
た離散領域と、 エネルギーに露光していない、隣接し独立した離散領域
とを作りだすために、前記の照射に感応する材料の少な
くとも一部をエネルギーに露光するステップと、 前記の離散領域のそれぞれがあいまって、パターン像を
規定しており、 前記の照射に感応する材料中のイメージからパターンを
現像するステップと、を含むことを特徴とするデバイス
製造方法。 - 【請求項２】 前記の照射に感応する材料を照射した
後、この材料を持つ基板を約１１０℃から約１７０℃で
焼成することをさらに含むことを特徴とする請求項１の
方法。 - 【請求項３】 前記の照射に感応する材料の焼成後の重
量が、前記の基板に形成された、照射感応材料の重量の
少なくとも８０パーセントであることを特徴とする請求
項２の方法。 - 【請求項４】 前記のマレイミドモノマーがマレイミ
ド、低級アルキル置換マレイミドならびにマレイミドと
低級アルキル置換マレイミドの混合物からなる群から選
択され、前記のポリマーの約５０モルパーセントがマレ
イミドモノマーであることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項５】 前記の不安定な酸置換基を持つモノマー
がスチレン含有モノマーであることを特徴とする請求項
４の方法。 - 【請求項６】 前記の不安定な酸置換基がターシャリー
アルキル基、アルコキシカルボニル基、ｔ−アミロキシ
カルボニル基ならびに２−メチル−３−トリメチルシリ
ル−２−プロパニルオキシカルボニル基からなる群から
選択されることを特徴とする請求項５の方法。 - 【請求項７】 前記の不安定な置換基がｔ−ブトキシカ
ルボニル基であることを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項８】 前記の不安定な酸の側基を持つスチレン
含有モノマーがｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン
であることをさらに特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 前記のコポリマーの１５モルパーセント
を越え３０モルパーセント未満がｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレンであることをさらに特徴とする請求項
８の方法。 - 【請求項１０】 前記の照射に感応する材料を持つ基板
を約１１０℃から約１７０℃の温度で焼成するステップ
を事をさらに含み、焼成後のコポリマーの重量が焼成前
のコポリマーの重量の少なくとも８０パーセントである
ことを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項１１】 前記第三のモノマーがアセトキシスチ
レンならびにｍ−トリメチルシリルオキシスチレンから
なる群から選択されることをさらに特徴とする請求項９
の方法。 - 【請求項１２】 前記のポリマーの約２０モルパーセン
トから約４５モルパーセントが前記の第三のモノマーで
あることをさらに特徴とする請求項１１の方法。 - 【請求項１３】 前記のｍ−トリメチルシリルオキシス
チレンの重合生成物がｍ−ヒドロキシスチレンを含有す
るコポリマーであることをさらに特徴とする請求項１１
の方法。 - 【請求項１４】 前記のマレイミドモノマーがＮ−メチ
ルマレイミドであることをさらに特徴とする請求項１３
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14871993A | 1993-11-08 | 1993-11-08 | |
| US148719 | 1993-11-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199484A true JPH07199484A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2991939B2 JP2991939B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=22527035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296036A Expired - Fee Related JP2991939B2 (ja) | 1993-11-08 | 1994-11-07 | デバイス製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5756266A (ja) |
| EP (1) | EP0652485B1 (ja) |
| JP (1) | JP2991939B2 (ja) |
| KR (1) | KR950014984A (ja) |
| DE (1) | DE69422590T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6037107A (en) | 1997-08-28 | 2000-03-14 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions |
| US7026093B2 (en) | 1997-08-28 | 2006-04-11 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions |
| US7482107B2 (en) | 1997-08-28 | 2009-01-27 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist composition |
| US6048664A (en) * | 1999-03-12 | 2000-04-11 | Lucent Technologies, Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| US6586560B1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-07-01 | Microchem Corp. | Alkaline soluble maleimide-containing polymers |
| EP1698937B1 (en) * | 2005-03-04 | 2015-12-23 | FUJIFILM Corporation | Positive resist composition and pattern-forming method using the same |
| EP2216684B1 (en) * | 2009-02-08 | 2015-10-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer |
| KR102458068B1 (ko) * | 2020-11-02 | 2022-10-24 | 인하대학교 산학협력단 | 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1254432A (en) * | 1984-12-28 | 1989-05-23 | Conrad G. Houle | High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist |
| US4968581A (en) * | 1986-02-24 | 1990-11-06 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist of imide containing polymers |
| JPS6336240A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | レジスト構造の作成方法 |
| US4939070A (en) * | 1986-07-28 | 1990-07-03 | Brunsvold William R | Thermally stable photoresists with high sensitivity |
| US4931379A (en) * | 1986-10-23 | 1990-06-05 | International Business Machines Corporation | High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C. |
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