KR950014984A - 장치의 제조방법 - Google Patents

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KR950014984A
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acid
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엘렌 갈빈-도노휴 메리
라이크마니스 엘자
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알. 제이 보토스
에이티 앤드 티 코포레이션
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Abstract

본 발명은 장치를 제조하는 석판인쇄 공정에 관한 것이다. 방사선 민감성 물질의 영역을 기판위에 형성시킨다. 방사선 민감성 물질은 중합체성 성분을 함유한다. 중합체성 성분은 말레이미드 단량체와 2개 이상의 다른 단량체의 공중합 생성물이다. 말레이미드 단량체와 공중합되는 단량체중 하나에는 산에 불안정한 그룹이 펜던트된다. 산에 불안정한 그룰은 공중합체를 구성하는 단량체의 50몰%미만에 펜던트 된다. 산에 불안정한 그룰은 말레이미드 단량체에는 펜던트되지 않는다.
방사선 민감성 물질을 기판위에 형성시킨 후 방사선에 패턴식 노출시킨다. 패턴식 노출로 화상(image)이 방사성 민감성 물질로 전사된다. 화상을 방사선 민감성 물질중의 패턴으로 현상시킨다. 이어서, 패턴을 기판으로 전사시킨다.

Description

장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 산에 불안정한 치환체가 결합되어 있는 제1단량체, 산에 불안정한 치환체가 결합되어 있지 않는 말레이미드 단량체인 제2단량체 및 산에 불안정한 치환체가 결합되어 있지 않고 말레이미드 단량체가 아닌 제3단량체(여기서, 산에 불안정한 치환체가 결합되어 있는 단량체는 중합 생성물의 50몰%미만이다)이 3개 이상의 상이한 단량체의 중합 생성물인 공중합체를 포함하는 방사선 민감성 물질 영역을 기판상에 형성시키고, 방사선 민감성 물질 영역의 적어도 일부를 에너지에 노출시켜 에너지에 노출된 내 식막 물질중의 불연속 영역 및 에너지 노출되지 않은 내식막 물질의 별도의 인접한 불연속 영역을 만들어 이들 불연속 영역이 함께 패턴의 화상(image)을 한정하게 한 다음, 방사선 민감성 물질중의 화상으로부터의 패턴을 현상함을 포함하여, 장치를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 방사선 민감성 물질을 약110 내지 약 170℃의 온도에서 방사선에 노출시킨 후 방사선 민감성 물질이 놓인 기판을 베이킹(baking)함을 추가로 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 베이킹 후의 방사선 민감성 물질의 중량이 기판에 형성된 방사선 민감성 물질의 중랑의 80%이상인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 말레이미드 단량체를 말레이미드, 저급 알킬-치환된 말레이미드 및 말레이미드와 저급 알킬-치환된 말레이미드와의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택하고 중합체가 약 50몰% 말레이미드 단량체인 방법.
  5. 제5항에 있어서, 산에 불안정한 치환체가 스티렌-함유단량체에 결합된 방법.
  6. 제5항에 있어서, 산에 불안정한 치환체가 3급 알킬, 알콕시카보닐, t-아밀옥시카보닐 및 2-메틸-3-트리메틸실릴-2-프로판일옥시카보닐로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 산에 불안정한 치환체가 t-부톡시카보닐인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 산에 불안정한 치환체가 펜던트된 스티렌-함유 단량체가 t-부톡시카보닐옥시스티렌인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 공중합체가 15몰%를 초과하나 30몰% 미민인 t-부톡시카보닐옥시스트렌인 방법.
  10. 제6항에 있어서, 방사선 민감성 물질이 놓은 기판을 약 110 내지 약 170℃의 온도에서 베이킹(여기서, 베이킹후의 공중합체의 중량은 베이킹전의 공중합체의 중량의 80중량% 이상이다)함을 추가로 포함하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 제3단량체가 아세톡시스티렌 및 m-트리메틸실릴옥시스티렌으로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 중합체가 제3단량체 약 20 내지 약45몰%인 방법.
  13. 제11항에 있어서, m-트리메틸실릴옥시스티렌의 중합생성물이 m-하이드록시스티렌을 포함하는 공중합체인 방법.
  14. 제13항에 있어서, 말레이미드 단량체가 N-메틸 말레이미드인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940028964A 1993-11-08 1994-11-05 장치의 제조방법 KR950014984A (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958654A (en) * 1997-08-25 1999-09-28 Lucent Technologies Inc. Lithographic process and energy-sensitive material for use therein
US6037107A (en) 1997-08-28 2000-03-14 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US7026093B2 (en) 1997-08-28 2006-04-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US7482107B2 (en) 1997-08-28 2009-01-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
US6048664A (en) * 1999-03-12 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6586560B1 (en) * 2001-09-18 2003-07-01 Microchem Corp. Alkaline soluble maleimide-containing polymers
EP1698937B1 (en) * 2005-03-04 2015-12-23 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
EP2216684B1 (en) * 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer
KR102458068B1 (ko) * 2020-11-02 2022-10-24 인하대학교 산학협력단 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
US4968581A (en) * 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
JPS6336240A (ja) * 1986-07-28 1988-02-16 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン レジスト構造の作成方法
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
US4931379A (en) * 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
US4847327A (en) * 1987-09-16 1989-07-11 Hoechst Celanese Surface or electrically active copolymers of poly(4-substituted styrene/N-substituted maleimide)
US4996136A (en) * 1988-02-25 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Radiation sensitive materials and devices made therewith
US5200544A (en) * 1988-02-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Resist materials
DE3902115A1 (de) * 1989-01-25 1990-08-02 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere
CA2020378A1 (en) * 1989-07-28 1991-01-29 Sangya Jain Maleimide containing, negative working deep uv photoresist

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Publication number Publication date
EP0652485A1 (en) 1995-05-10
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JP2991939B2 (ja) 1999-12-20
EP0652485B1 (en) 2000-01-12
DE69422590T2 (de) 2000-08-24
US5756266A (en) 1998-05-26

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