JPH07196637A - イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法 - Google Patents
イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法Info
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- JPH07196637A JPH07196637A JP6009143A JP914394A JPH07196637A JP H07196637 A JPH07196637 A JP H07196637A JP 6009143 A JP6009143 A JP 6009143A JP 914394 A JP914394 A JP 914394A JP H07196637 A JPH07196637 A JP H07196637A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 農薬およびその中間体として有用なイソチア
ゾールカルボン酸アミドの簡便かつ効率的な製造法を提
供する。 【構成】 一般式（２）で表されるイソチアゾール誘導
体をパラジウム化合物およびホスフィン化合物を触媒と
し、塩基の存在下に一酸化炭素、および一般式（３）で
表されるアミン類と反応させることを特徴とする、一般
式（１）で表わされるイソチアゾールカルボン酸アミド
誘導体の製造法。 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、アルケ
ニル基などを示し、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原
子、アルキル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基などを示し、更にＲ3 とＲ4 は環
状構造でもよい。）
ゾールカルボン酸アミドの簡便かつ効率的な製造法を提
供する。 【構成】 一般式（２）で表されるイソチアゾール誘導
体をパラジウム化合物およびホスフィン化合物を触媒と
し、塩基の存在下に一酸化炭素、および一般式（３）で
表されるアミン類と反応させることを特徴とする、一般
式（１）で表わされるイソチアゾールカルボン酸アミド
誘導体の製造法。 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、アルケ
ニル基などを示し、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原
子、アルキル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基などを示し、更にＲ3 とＲ4 は環
状構造でもよい。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は農薬またはその中間体と
して有用なイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製
造法に関する。例えば、３−アルキル−イソチアゾール
−５−カルボン酸アミドは、農園芸用殺菌剤として優れ
た植物病害防除効果を示し、特にイネいもち病に対して
優れた防除効果を示すことが知られている（特開平５−
５９０２４）。
して有用なイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製
造法に関する。例えば、３−アルキル−イソチアゾール
−５−カルボン酸アミドは、農園芸用殺菌剤として優れ
た植物病害防除効果を示し、特にイネいもち病に対して
優れた防除効果を示すことが知られている（特開平５−
５９０２４）。
【０００２】
【従来の技術】従来、芳香族カルボン酸アミドの製造法
として、芳香族ハライドのＣＯ挿入反応により合成する
方法がＨｅｃｋ反応として知られている。即ち、Ｊ．Ｏ
ｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３９，３３２７，（１９７４）に
は、例えば２−ブロモチオフェンをビス（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジブロマイドを触媒と
して、一酸化炭素およびトリ（ｎ−ブチル）アミン存在
下にアニリンと１００℃、２時間反応させてチオフェン
−２−カルボン酸アニリドを製造する方法が記載されて
いるが収率は６３％と低い。
として、芳香族ハライドのＣＯ挿入反応により合成する
方法がＨｅｃｋ反応として知られている。即ち、Ｊ．Ｏ
ｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３９，３３２７，（１９７４）に
は、例えば２−ブロモチオフェンをビス（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジブロマイドを触媒と
して、一酸化炭素およびトリ（ｎ−ブチル）アミン存在
下にアニリンと１００℃、２時間反応させてチオフェン
−２−カルボン酸アニリドを製造する方法が記載されて
いるが収率は６３％と低い。
【０００３】本発明者等はこの方法を先ず、３−メチル
−５−ヨードイソチアゾールに適用することにより３−
メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが合成で
きないかと考え、その検討を行った。その結果、予想通
り目的物は得られたが、収率は約６０％と低かった。こ
の原因について詳細に検討した結果、式（４）（化４）
−５−ヨードイソチアゾールに適用することにより３−
メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが合成で
きないかと考え、その検討を行った。その結果、予想通
り目的物は得られたが、収率は約６０％と低かった。こ
の原因について詳細に検討した結果、式（４）（化４）
【０００４】
【化４】 で表わされる二量体が多量に副生するためであった。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、二量体の副生を減少させて、高収率で、工業的にも
利用できるイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体を製
造する方法を提供することにある。
は、二量体の副生を減少させて、高収率で、工業的にも
利用できるイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体を製
造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の課題を解決する
ため、本発明者らは、３−メチル−５−ヨードイソチア
ゾールを始めとして種々のハロゲノイソチアゾールから
イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体を製造する方法
について鋭意検討した。その結果、用いる触媒の量がそ
の収率に大きな影響を与えることを見いだし、本発明を
完成した。
ため、本発明者らは、３−メチル−５−ヨードイソチア
ゾールを始めとして種々のハロゲノイソチアゾールから
イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体を製造する方法
について鋭意検討した。その結果、用いる触媒の量がそ
の収率に大きな影響を与えることを見いだし、本発明を
完成した。
【０００７】すなわち本発明は、一般式（２）（化５）
【０００８】
【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、フッ素原
子、塩素原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキ
ルスルホキシ基、アルキルスルホニル基、アルコキシカ
ルボニル基、アシル基、置換されてもよいアミノ基、シ
アノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよ
い複素環式基または置換されてもよいアラルキル基を示
し、Ｘは臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表され
るイソチアゾール誘導体をパラジウム化合物およびホス
フィン化合物を触媒とし、塩基の存在下に一酸化炭素、
および一般式（３）（化６）
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、フッ素原
子、塩素原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキ
ルスルホキシ基、アルキルスルホニル基、アルコキシカ
ルボニル基、アシル基、置換されてもよいアミノ基、シ
アノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよ
い複素環式基または置換されてもよいアラルキル基を示
し、Ｘは臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表され
るイソチアゾール誘導体をパラジウム化合物およびホス
フィン化合物を触媒とし、塩基の存在下に一酸化炭素、
および一般式（３）（化６）
【０００９】
【化６】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アシル基、置換されてもよいアミ
ノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよい
複素環式基または置換されてもよいアラルキル基等を示
し、更にＲ3 とＲ4 は環状構造でもよい）で表されるア
ミン類と反応させることにより、一般式（１）（化７）
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アシル基、置換されてもよいアミ
ノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよい
複素環式基または置換されてもよいアラルキル基等を示
し、更にＲ3 とＲ4 は環状構造でもよい）で表されるア
ミン類と反応させることにより、一般式（１）（化７）
【００１０】
【化７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は前記に同じ。）で表
されるイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法
である。
されるイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法
である。
【００１１】そして、この反応においてホスフィン化合
物をパラジウム化合物のモル数に対して過剰に添加する
と、驚くべきことにイソチアゾールカルボン酸アミド誘
導体の選択率が大幅に向上し、特にホスフィン化合物を
パラジウム化合物のモル数に対して１０倍量以上過剰に
添加した場合に、イソチアゾールカルボン酸アミド誘導
体がほぼ定量的に得られる。
物をパラジウム化合物のモル数に対して過剰に添加する
と、驚くべきことにイソチアゾールカルボン酸アミド誘
導体の選択率が大幅に向上し、特にホスフィン化合物を
パラジウム化合物のモル数に対して１０倍量以上過剰に
添加した場合に、イソチアゾールカルボン酸アミド誘導
体がほぼ定量的に得られる。
【００１２】以下に本発明の製造法について更に詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】出発物質であるハロゲノイソチアゾールは
特に限定されるものではなく、前記一般式（２）で表さ
れる化合物であり、式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して
水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、ハロア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキ
ル基、フッ素原子、塩素原子、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アルキルスルホキシ基、アルキルスルホニル
基、アルコキシカルボニル基、アシル基、置換されても
よいアミノ基、シアノ基、置換されてもよいアリール
基、置換されてもよい複素環式基または置換されてもよ
いアラルキル基を示し、Ｘは臭素原子またはヨウ素原子
を示す。Ｒ1 、Ｒ2 およびＸの置換位置はイソチアゾー
ル環の３位、４位または５位のいずれの位置でも良い。
特に限定されるものではなく、前記一般式（２）で表さ
れる化合物であり、式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して
水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、ハロア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキ
ル基、フッ素原子、塩素原子、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アルキルスルホキシ基、アルキルスルホニル
基、アルコキシカルボニル基、アシル基、置換されても
よいアミノ基、シアノ基、置換されてもよいアリール
基、置換されてもよい複素環式基または置換されてもよ
いアラルキル基を示し、Ｘは臭素原子またはヨウ素原子
を示す。Ｒ1 、Ｒ2 およびＸの置換位置はイソチアゾー
ル環の３位、４位または５位のいずれの位置でも良い。
【００１４】ここで、アルキル基は通常、炭素数１〜１
２の直鎖または分枝鎖のものであり、具体的にはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘ
キシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシ
ル基等およびそれらの異性体、例えばｉｓｏ−プロピル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基等が挙げられる。
２の直鎖または分枝鎖のものであり、具体的にはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘ
キシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシ
ル基等およびそれらの異性体、例えばｉｓｏ−プロピル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基等が挙げられる。
【００１５】アルコキシアルキル基のアルキル部は通
常、炭素数１〜４のものを、アルキレン部は通常、炭素
数１〜４のものを示し、具体的にはメトキシメチル基、
エトキシメチル基、ｎ−ブトキシエチル基等が挙げられ
る。ハロアルキル基はモノまたはポリハロゲン化された
炭素数１〜４のものであり、ここでハロゲンはフッ素、
塩素、臭素、ヨー素原子を表す。具体的には、ＣＦ3
基、ＣＨＣｌ2 基、ＣＣｌ 3 基、Ｃ2Ｆ5基等が挙げられ
る。
常、炭素数１〜４のものを、アルキレン部は通常、炭素
数１〜４のものを示し、具体的にはメトキシメチル基、
エトキシメチル基、ｎ−ブトキシエチル基等が挙げられ
る。ハロアルキル基はモノまたはポリハロゲン化された
炭素数１〜４のものであり、ここでハロゲンはフッ素、
塩素、臭素、ヨー素原子を表す。具体的には、ＣＦ3
基、ＣＨＣｌ2 基、ＣＣｌ 3 基、Ｃ2Ｆ5基等が挙げられ
る。
【００１６】アルケニル基は炭素数２〜５のものであ
り、具体的には１−プロペニル基、アリル基、２−ブテ
ニル基等が挙げられる。アルキニル基は炭素数２〜５の
ものであり、具体的には１−プロピニル基、プロパルギ
ル基、１−ブチニル基等が挙げられる。シクロアルキル
基は炭素数３〜８のものであり、具体的にはシクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基等である。
り、具体的には１−プロペニル基、アリル基、２−ブテ
ニル基等が挙げられる。アルキニル基は炭素数２〜５の
ものであり、具体的には１−プロピニル基、プロパルギ
ル基、１−ブチニル基等が挙げられる。シクロアルキル
基は炭素数３〜８のものであり、具体的にはシクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基等である。
【００１７】アルコキシ基は炭素数１〜４のものであ
り、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等が挙げ
られる。アルキルチオ基は炭素数１〜４のものであり、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピル
チオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等
が挙げられる。アルキルスルホキシ基は炭素数１〜４の
ものであり、具体的にはメチルスルホキシ基、エチルス
ルホキシ基、ｎ−プロピルスルホキシ基、ｉｓｏ−プロ
ピルスルホキシ基、ｎ−ブチルスルホキシ基等が挙げら
れる。アルキルスルホニル基は炭素数１〜４のものであ
り、具体的にはメチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉｓｏ−プロピルスル
ホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基等が挙げられる。
り、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等が挙げ
られる。アルキルチオ基は炭素数１〜４のものであり、
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピル
チオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等
が挙げられる。アルキルスルホキシ基は炭素数１〜４の
ものであり、具体的にはメチルスルホキシ基、エチルス
ルホキシ基、ｎ−プロピルスルホキシ基、ｉｓｏ−プロ
ピルスルホキシ基、ｎ−ブチルスルホキシ基等が挙げら
れる。アルキルスルホニル基は炭素数１〜４のものであ
り、具体的にはメチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉｓｏ−プロピルスル
ホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基等が挙げられる。
【００１８】アルコキシカルボニル基は炭素数１〜６の
ものであり、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等が挙げら
れる。アシル基は炭素数１〜８のものであり、具体的に
はアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。置換されてもよいアミノ基は炭素数１〜４のも
のであり、具体的にはジメチルアミノ基、メチルエチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、メチルアミノ基、エチル
アミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。
ものであり、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等が挙げら
れる。アシル基は炭素数１〜８のものであり、具体的に
はアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げ
られる。置換されてもよいアミノ基は炭素数１〜４のも
のであり、具体的にはジメチルアミノ基、メチルエチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、メチルアミノ基、エチル
アミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。
【００１９】アリール基は例えば、フェニル基、ナフチ
ル基等の芳香族基であり、これらはメチル基、塩素原
子、メトキシ基等の置換基で置換されていてもよい。複
素環式基は例えば、ピリジン、チオフェン、フラン等で
あり、これらはメチル基、塩素原子、メトキシ基等の置
換基で置換されていてもよい。アラルキル基は例えば、
ベンジル基、フェネチル基等を示し、これらはメチル
基、塩素原子、メトキシ基等の置換基で置換されていて
もよい。
ル基等の芳香族基であり、これらはメチル基、塩素原
子、メトキシ基等の置換基で置換されていてもよい。複
素環式基は例えば、ピリジン、チオフェン、フラン等で
あり、これらはメチル基、塩素原子、メトキシ基等の置
換基で置換されていてもよい。アラルキル基は例えば、
ベンジル基、フェネチル基等を示し、これらはメチル
基、塩素原子、メトキシ基等の置換基で置換されていて
もよい。
【００２０】一方、本反応におけるもう一方の出発物質
であるアミン類は、前記一般式（３）で表される化合物
であり、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アシル基、置換されてもよいアミ
ノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよい
複素環式基または置換されてもよいアラルキル基等を示
し、更にＲ3 とＲ4 は環状構造でもよい。
であるアミン類は、前記一般式（３）で表される化合物
であり、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アシル基、置換されてもよいアミ
ノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよい
複素環式基または置換されてもよいアラルキル基等を示
し、更にＲ3 とＲ4 は環状構造でもよい。
【００２１】ここで、アルキル基は通常、炭素数１〜２
０、好ましくは１〜１２の直鎖または分枝鎖のものであ
り、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−
デシル基、ｎ−ドデシル基等およびそれらの異性体、例
えばｉｓｏ−プロピル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。アルコ
キシアルキル基のアルキル部は通常、炭素数１〜１２の
ものを、アルキレン部は通常、炭素数１〜１２のものを
示し、具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル
基、ｎ−ブトキシエチル基等が挙げられる。
０、好ましくは１〜１２の直鎖または分枝鎖のものであ
り、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−
デシル基、ｎ−ドデシル基等およびそれらの異性体、例
えばｉｓｏ−プロピル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。アルコ
キシアルキル基のアルキル部は通常、炭素数１〜１２の
ものを、アルキレン部は通常、炭素数１〜１２のものを
示し、具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル
基、ｎ−ブトキシエチル基等が挙げられる。
【００２２】ハロアルキル基はモノまたは過ハロゲン化
された炭素数１〜１２のものであり、ここでハロゲンは
フッ素、塩素、臭素、ヨー素原子を表す。具体的には、
ＣＦ 3 基、ＣＨＣｌ2 基、ＣＣｌ3 基、Ｃ2Ｆ5基等が挙
げられる。
された炭素数１〜１２のものであり、ここでハロゲンは
フッ素、塩素、臭素、ヨー素原子を表す。具体的には、
ＣＦ 3 基、ＣＨＣｌ2 基、ＣＣｌ3 基、Ｃ2Ｆ5基等が挙
げられる。
【００２３】アルケニル基は炭素数２〜１２のものであ
り、具体的には１−プロペニル基、アリル基、２−ブテ
ニル基等が挙げられる。アルキニル基は炭素数２〜１２
のものであり、具体的には１−プロピニル基、プロパル
ギル基、１−ブチニル基等が挙げられる。シクロアルキ
ル基は炭素数３〜１２のものであり、具体的にはシクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等である。アルコキシ基は炭素数１〜８の
ものであり、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基
等が挙げられる。
り、具体的には１−プロペニル基、アリル基、２−ブテ
ニル基等が挙げられる。アルキニル基は炭素数２〜１２
のものであり、具体的には１−プロピニル基、プロパル
ギル基、１−ブチニル基等が挙げられる。シクロアルキ
ル基は炭素数３〜１２のものであり、具体的にはシクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等である。アルコキシ基は炭素数１〜８の
ものであり、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基
等が挙げられる。
【００２４】アルキルチオ基は炭素数１〜８のものであ
り、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロ
ピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ
基等が挙げられる。アシル基は炭素数１〜１２のもので
あり、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾ
イル基等が挙げられる。置換されてもよいアミノ基は炭
素数１〜１２のものであり、具体的にはジメチルアミノ
基、メチルエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチル
アミノ基、エチルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、アニ
リノ基等が挙げられる。
り、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロ
ピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ
基等が挙げられる。アシル基は炭素数１〜１２のもので
あり、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾ
イル基等が挙げられる。置換されてもよいアミノ基は炭
素数１〜１２のものであり、具体的にはジメチルアミノ
基、メチルエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチル
アミノ基、エチルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、アニ
リノ基等が挙げられる。
【００２５】アリール基は例えば、フェニル基、ナフチ
ル基等の芳香族基であり、これらはメチル基、塩素原
子、メトキシ基等の置換基で置換されていてもよい。複
素環式基は例えば、ピリジン、チオフェン、フラン等で
あり、これらはメチル基、塩素原子、メトキシ基等の置
換基で置換されていてもよい。アラルキル基は例えば、
ベンジル基、フェネチル基等を示し、これらはメチル
基、塩素原子、メトキシ基等の置換基で置換されていて
もよい。これらのアミン類として具体的には、例えばア
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン、ｉｓｏ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、
ｉｓｏ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｎ−ヘ
キシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチル
アミン、１−メチルブチルアミン、３−メチルチオプロ
ピルアミン、ジメチルヒドラジン、Ｏ−メトキシヒドロ
キシルアミン、アニリン、トルイジン、メトキシアニリ
ン、クロロアニリン、インダンアミン、ベンジルアニリ
ン、３−フェニルプロピルアミン等が挙げられる。更に
Ｒ3 とＲ4 が環状構造の化合物としては、モルホリン、
ピロリジン、ピペリジン、ピロール、イミダゾール、ト
リアゾール、インドール等の含窒素ヘテロ環が挙げられ
る。
ル基等の芳香族基であり、これらはメチル基、塩素原
子、メトキシ基等の置換基で置換されていてもよい。複
素環式基は例えば、ピリジン、チオフェン、フラン等で
あり、これらはメチル基、塩素原子、メトキシ基等の置
換基で置換されていてもよい。アラルキル基は例えば、
ベンジル基、フェネチル基等を示し、これらはメチル
基、塩素原子、メトキシ基等の置換基で置換されていて
もよい。これらのアミン類として具体的には、例えばア
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン、ｉｓｏ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、
ｉｓｏ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｎ−ヘ
キシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチル
アミン、１−メチルブチルアミン、３−メチルチオプロ
ピルアミン、ジメチルヒドラジン、Ｏ−メトキシヒドロ
キシルアミン、アニリン、トルイジン、メトキシアニリ
ン、クロロアニリン、インダンアミン、ベンジルアニリ
ン、３−フェニルプロピルアミン等が挙げられる。更に
Ｒ3 とＲ4 が環状構造の化合物としては、モルホリン、
ピロリジン、ピペリジン、ピロール、イミダゾール、ト
リアゾール、インドール等の含窒素ヘテロ環が挙げられ
る。
【００２６】使用されるパラジウム化合物はホスフィン
化合物と組み合わせて使用すれば良くパラジウム化合物
としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラ
ジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラ
ジウム（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）クロライド、ビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム（ＩＩ）ブロマイド、ビス（ベンゾニ
トリル）パラジウム（ＩＩ）クロライド、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）アセテート、テ
トラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム
（０）、金属パラジウム、パラジウムカーボン、パラジ
ウムアルミナ等が挙げられ、好ましくは塩化パラジウム
（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロライド、ビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ブロマ
イド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）アセテート、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（０）等である。
化合物と組み合わせて使用すれば良くパラジウム化合物
としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラ
ジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラ
ジウム（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）クロライド、ビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム（ＩＩ）ブロマイド、ビス（ベンゾニ
トリル）パラジウム（ＩＩ）クロライド、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）アセテート、テ
トラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム
（０）、金属パラジウム、パラジウムカーボン、パラジ
ウムアルミナ等が挙げられ、好ましくは塩化パラジウム
（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロライド、ビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ブロマ
イド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）アセテート、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（０）等である。
【００２７】パラジウム化合物の使用量は特に限定され
ないが、通常、一般式（２）で表される有機ハロゲン化
物に対して０．０１モル％〜１０モル％、好ましくは
０．０３モル％〜２モル％である。
ないが、通常、一般式（２）で表される有機ハロゲン化
物に対して０．０１モル％〜１０モル％、好ましくは
０．０３モル％〜２モル％である。
【００２８】ホスフィン化合物としては、例えば、トリ
イソプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
フェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホ
スフィン、トリス（３−メチルフェニル）ホスフィン、
トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４
−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−ジメチ
ルアミノフェニル）ホスフィン、ジメチルフェニルホス
フィン、１，１−ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、
１，１−ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、１，２−
ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジ
エチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジメチルホ
スフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジメチルホスフィ
ノ）ブタン、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）メ
タン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，
４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，５−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等が挙げられる。
本発明に於いては、パラジウム化合物とホスフィン化合
物をそれぞれ単独で使用しても良く、予め錯体の形で調
製したものを用いても良い。パラジウム化合物を単独で
使用した場合、ホスフィン化合物の添加量は特に限定さ
れていないが、パラジウム化合物１等量に対して、ホス
フィン化合物を少なくとも１等量以上、通常、２〜１０
０等量、好ましくは１０〜５０等量である。すなわち、
トリフェニルホスフィンの様な単座配位子の場合には、
パラジウム化合物に対して少なくとも１倍モル以上、通
常、２〜１００倍モル量、好ましくは１０〜５０倍モル
量である。特にパラジウム化合物に対して１０倍モル以
上のホスフィン化合物を使用することにより、例えば式
（４）（化８）に示した２量体の副生が極度に減少し、
目的のイソチアゾールカルボン酸アミドが高収率で得ら
れる。５０倍モルを超えて用いても収率的には問題がな
いが、経済的ではない。１，２−ビス（ジメチルホスフ
ィノ）エタンの様な二座配位子の場合には、その半分量
の１〜５０倍モル量、好ましくは５〜２５倍モル量使用
する。
イソプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
フェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホ
スフィン、トリス（３−メチルフェニル）ホスフィン、
トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４
−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−ジメチ
ルアミノフェニル）ホスフィン、ジメチルフェニルホス
フィン、１，１−ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、
１，１−ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、１，２−
ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジ
エチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジメチルホ
スフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジメチルホスフィ
ノ）ブタン、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）メ
タン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，
４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，５−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等が挙げられる。
本発明に於いては、パラジウム化合物とホスフィン化合
物をそれぞれ単独で使用しても良く、予め錯体の形で調
製したものを用いても良い。パラジウム化合物を単独で
使用した場合、ホスフィン化合物の添加量は特に限定さ
れていないが、パラジウム化合物１等量に対して、ホス
フィン化合物を少なくとも１等量以上、通常、２〜１０
０等量、好ましくは１０〜５０等量である。すなわち、
トリフェニルホスフィンの様な単座配位子の場合には、
パラジウム化合物に対して少なくとも１倍モル以上、通
常、２〜１００倍モル量、好ましくは１０〜５０倍モル
量である。特にパラジウム化合物に対して１０倍モル以
上のホスフィン化合物を使用することにより、例えば式
（４）（化８）に示した２量体の副生が極度に減少し、
目的のイソチアゾールカルボン酸アミドが高収率で得ら
れる。５０倍モルを超えて用いても収率的には問題がな
いが、経済的ではない。１，２−ビス（ジメチルホスフ
ィノ）エタンの様な二座配位子の場合には、その半分量
の１〜５０倍モル量、好ましくは５〜２５倍モル量使用
する。
【００２９】
【化８】 本発明で使用する塩基は、アルカリ金属の水酸化物、炭
酸塩、炭酸水素塩等の無機塩基、および有機塩基であ
る。無機塩基として具体的には水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム等が挙げられる。有機塩基としては、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
ジイソプルピルエチルアミン、トリイソオクチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、Ｎ−メチル
ピロリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホ
リン等が挙げられる。
酸塩、炭酸水素塩等の無機塩基、および有機塩基であ
る。無機塩基として具体的には水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム等が挙げられる。有機塩基としては、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
ジイソプルピルエチルアミン、トリイソオクチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、Ｎ−メチル
ピロリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホ
リン等が挙げられる。
【００３０】塩基の使用量は、前記一般式（２）で表さ
れる有機ハロゲン化合物に対して０．１〜１００倍モ
ル、好ましくは１〜５倍モルである。
れる有機ハロゲン化合物に対して０．１〜１００倍モ
ル、好ましくは１〜５倍モルである。
【００３１】本発明における反応は、溶媒存在下または
無溶媒で行うことができる。使用できる溶媒としては、
反応に不活性なものであれば特に限定されず、例えば、
エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサ
ン、ベンゼン、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホ
ルムアミド等が挙げられる。使用量は特に限定されない
が、通常、原料に対し１〜１０重量倍である。
無溶媒で行うことができる。使用できる溶媒としては、
反応に不活性なものであれば特に限定されず、例えば、
エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサ
ン、ベンゼン、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホ
ルムアミド等が挙げられる。使用量は特に限定されない
が、通常、原料に対し１〜１０重量倍である。
【００３２】本発明の反応は常圧〜加圧下に行われ、一
酸化炭素の圧力は１〜２００気圧、好ましくは１〜５０
気圧の範囲で行われる。反応の温度は、４０〜２００℃
の範囲であり、好ましくは８０〜１５０℃の範囲であ
る。
酸化炭素の圧力は１〜２００気圧、好ましくは１〜５０
気圧の範囲で行われる。反応の温度は、４０〜２００℃
の範囲であり、好ましくは８０〜１５０℃の範囲であ
る。
【００３３】反応時間は、反応試剤の量及び反応温度に
より異なるが、３０分〜２４時間の範囲である。
より異なるが、３０分〜２４時間の範囲である。
【００３４】反応終了後は、蒸留、再結晶またはカラム
クロマトグラフィーにより容易に精製できる。
クロマトグラフィーにより容易に精製できる。
【００３５】
実施例１ Ｎ−ｎ−オクチル−３−メチルイソチアゾー
ル−５−カルボン酸アミド（化合物番号１）の製造 ２００ｍｌのオートクレーブに２０ｍｌの１，４−ジオ
キサンを入れる。これに５ｇ（０．０２２ｍｏｌ）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０５８ｇ
（８．２６×１０-5ｍｏｌ）のビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．３７
（１．４１×１０-3）ｇのトリフェニルホスフィン、
６．３ｇ（０．０４９ｍｏｌ）のｎ−オクチルアミンお
よび４．５ｇ（０．０２４ｍｏｌ）のトリ（ｎ−ブチ
ル）アミンを加えた。反応器をセットした後に１０気圧
の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。
反応終了後、反応液を１００ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に
注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗
浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別
後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−
（ｎ−オクチル）−３−メチルイソチアゾール−５−カ
ルボン酸アミドが黄色油状物として５．５０ｇ（収率９
７％）得られた。更に０．２８ｇ（収率１％）の二量体
（ｍ．ｐ．：１２２〜１２３℃）が副生した。
ル−５−カルボン酸アミド（化合物番号１）の製造 ２００ｍｌのオートクレーブに２０ｍｌの１，４−ジオ
キサンを入れる。これに５ｇ（０．０２２ｍｏｌ）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０５８ｇ
（８．２６×１０-5ｍｏｌ）のビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．３７
（１．４１×１０-3）ｇのトリフェニルホスフィン、
６．３ｇ（０．０４９ｍｏｌ）のｎ−オクチルアミンお
よび４．５ｇ（０．０２４ｍｏｌ）のトリ（ｎ−ブチ
ル）アミンを加えた。反応器をセットした後に１０気圧
の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。
反応終了後、反応液を１００ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に
注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗
浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別
後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−
（ｎ−オクチル）−３−メチルイソチアゾール−５−カ
ルボン酸アミドが黄色油状物として５．５０ｇ（収率９
７％）得られた。更に０．２８ｇ（収率１％）の二量体
（ｍ．ｐ．：１２２〜１２３℃）が副生した。
【００３６】実施例２〜４ 実施例１においてトリフェニルホスフィンの量を変えた
以外は全く同様に操作した。その結果を第１表（表１）
に示す。
以外は全く同様に操作した。その結果を第１表（表１）
に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例５ Ｎ−ｎ−オクチル−３−メチルイソチアゾール−５−カ
ルボン酸アミド（化合物番号１）の製造 ２００ｍｌのオートクレーブに２０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに５ｇ（０．０２２ｍｏｌ）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０１５ｇ
（８．３３×１０-5ｍｏｌ）の塩化パラジウム（Ｉ
Ｉ）、０．４４（１．６７×１０-3）ｇのトリフェニル
ホスフィン、６．３ｇ（０．０４９ｍｏｌ）のｎ−オク
チルアミンおよび４．５ｇ（０．０２４ｍｏｌ）のトリ
（ｎ−ブチル）アミンを加えた。反応器をセットした後
に１０気圧の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応
を行った。反応終了後、反応液を１００ｍｌの３Ｎ−塩
酸水溶液に注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。
有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和
食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥
剤を濾別後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液
ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的
のＮ−（ｎ−オクチル）−３−メチルイソチアゾール−
５−カルボン酸アミドが黄色油状物として５．２５ｇ
（収率９３％）得られた。
ルボン酸アミド（化合物番号１）の製造 ２００ｍｌのオートクレーブに２０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに５ｇ（０．０２２ｍｏｌ）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０１５ｇ
（８．３３×１０-5ｍｏｌ）の塩化パラジウム（Ｉ
Ｉ）、０．４４（１．６７×１０-3）ｇのトリフェニル
ホスフィン、６．３ｇ（０．０４９ｍｏｌ）のｎ−オク
チルアミンおよび４．５ｇ（０．０２４ｍｏｌ）のトリ
（ｎ−ブチル）アミンを加えた。反応器をセットした後
に１０気圧の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応
を行った。反応終了後、反応液を１００ｍｌの３Ｎ−塩
酸水溶液に注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。
有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和
食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥
剤を濾別後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液
ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的
のＮ−（ｎ−オクチル）−３−メチルイソチアゾール−
５−カルボン酸アミドが黄色油状物として５．２５ｇ
（収率９３％）得られた。
【００３９】実施例６ Ｎ−シクロヘキシル−３−メチルイソチアゾール−５−
カルボン酸アミド（化合物番号２）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（４．４４×１０-3ｍｏ
ｌ）の５−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０
１２（１．６７×１０-5）ｇのビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０７４
（２．８３×１０-4）ｇのトリフェニルホスフィン、
０．９７ｇ（９．７７×１０-3）のシクロヘキシルアミ
ンおよび０．９１（４．８９×１０-3）ｇのトリ（ｎ−
ブチル）アミンを加えた。反応器をセットした後に１０
気圧の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液
に注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で
洗浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別
後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−シ
クロヘキシル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボ
ン酸アミドが結晶として０．９０ｇ（収率９１％）得ら
れた。
カルボン酸アミド（化合物番号２）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（４．４４×１０-3ｍｏ
ｌ）の５−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０
１２（１．６７×１０-5）ｇのビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０７４
（２．８３×１０-4）ｇのトリフェニルホスフィン、
０．９７ｇ（９．７７×１０-3）のシクロヘキシルアミ
ンおよび０．９１（４．８９×１０-3）ｇのトリ（ｎ−
ブチル）アミンを加えた。反応器をセットした後に１０
気圧の一酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液
に注ぎ５０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で
洗浄し無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別
後、有機層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルのカラムクロマトグラフィー（展開液ヘキサ
ン：酢酸エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−シ
クロヘキシル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボ
ン酸アミドが結晶として０．９０ｇ（収率９１％）得ら
れた。
【００４０】実施例７ Ｎ−ベンジル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボ
ン酸アミド（化合物番号３）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをベンジ
ルアミン１．０５ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を
行い同様な処理を行うと０．９８ｇ（収率９５％）のＮ
−ベンジル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボン
酸アミドが得られた。
ン酸アミド（化合物番号３）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをベンジ
ルアミン１．０５ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を
行い同様な処理を行うと０．９８ｇ（収率９５％）のＮ
−ベンジル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボン
酸アミドが得られた。
【００４１】実施例８ ３−メチル−５−イソチアゾール−５−カルボン酸ピペ
リジド（化合物番号４）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをピペリ
ジン０．８３ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を行い
同様な処理を行うと目的の３−メチルイソチアゾール−
５−カルボン酸ピペリジドが０．８５ｇ（収率９２％）
得られた。
リジド（化合物番号４）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをピペリ
ジン０．８３ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を行い
同様な処理を行うと目的の３−メチルイソチアゾール−
５−カルボン酸ピペリジドが０．８５ｇ（収率９２％）
得られた。
【００４２】実施例９ Ｎ−フェニル−３−メチルイソチアゾール−５−カルボ
ン酸アミド（化合物番号５）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをアニリ
ン０．９１ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を行い同
様な処理を行うと目的のＮ−フェニル−３−メチルイソ
チアゾール−５−カルボン酸アミドが結晶として０．９
０ｇ（収率９３％）得られた。
ン酸アミド（化合物番号５）の製造 実施例６と同様の条件でシクロヘキシルアミンをアニリ
ン０．９１ｇ（９．７７×１０-3）に替え反応を行い同
様な処理を行うと目的のＮ−フェニル−３−メチルイソ
チアゾール−５−カルボン酸アミドが結晶として０．９
０ｇ（収率９３％）得られた。
【００４３】実施例１０ Ｎ−（１，１，３−トリメチルインダン−４−イル）−
３−メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミド（化
合物番号６）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（３．４８×１０-3ｍｏ
ｌ）の５−ヨード−３−フェニルイソチアゾール、０．
００９ｇ（１．３１×１０-5）のビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０５
８ｇ（２．２２×１０-4）のトリフェニルホスフィン、
１．３４ｇ（７．６７×１０-3）の４−アミノ−１，
１，３−トリメチルインダンおよび０．７０ｇ（３．８
３×１０-3）のトリ（ｎ−ブチル）アミンを加えた。反
応器をセットした後に１０気圧の一酸化炭素を圧入し１
００℃で６時間反応を行った。反応終了後、反応液を３
０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ３０ｍｌの酢酸エチル
で３回抽出した。有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムに
て乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機層を減圧下において
溶媒を留去した。残渣をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に
て精製すると１．１５ｇ（収率９１％）のＮ−（１，
１，３−トリメチルインダン−４−イル）−３−フェニ
ルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが得られた。
３−メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミド（化
合物番号６）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（３．４８×１０-3ｍｏ
ｌ）の５−ヨード−３−フェニルイソチアゾール、０．
００９ｇ（１．３１×１０-5）のビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０５
８ｇ（２．２２×１０-4）のトリフェニルホスフィン、
１．３４ｇ（７．６７×１０-3）の４−アミノ−１，
１，３−トリメチルインダンおよび０．７０ｇ（３．８
３×１０-3）のトリ（ｎ−ブチル）アミンを加えた。反
応器をセットした後に１０気圧の一酸化炭素を圧入し１
００℃で６時間反応を行った。反応終了後、反応液を３
０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ３０ｍｌの酢酸エチル
で３回抽出した。有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムに
て乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機層を減圧下において
溶媒を留去した。残渣をシリカゲルのカラムクロマトグ
ラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）に
て精製すると１．１５ｇ（収率９１％）のＮ−（１，
１，３−トリメチルインダン−４−イル）−３−フェニ
ルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが得られた。
【００４４】実施例１１ Ｎ−（２−フェニルフェニル）−３−メチルイソチアゾ
ール−４−カルボン酸アミド（化合物番号７）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（５．６２×１０-3）の４
−ブロム−３−メチルイソチアゾール、０．０１５ｇ
（２．１１×１０-5）のビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０９４ｇ
（３．５８×１０-4）のトリフェニルホスフィン、２．
０９ｇ（１．２４×１０-2）のビフェニルアミンおよび
１．１５ｇ（６．１８×１０-3）のトリ（ｎ−ブチル）
アミンを加えた。反応器をセットした後に１０気圧の一
酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。反応
終了後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ５
０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無
水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機
層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲル
のカラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸
エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−（２−フェ
ニルフェニル）−３−メチルイソチアゾール−４−カル
ボン酸アミドが結晶として１．４８ｇ（収率９０％）得
られた。
ール−４−カルボン酸アミド（化合物番号７）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（５．６２×１０-3）の４
−ブロム−３−メチルイソチアゾール、０．０１５ｇ
（２．１１×１０-5）のビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０９４ｇ
（３．５８×１０-4）のトリフェニルホスフィン、２．
０９ｇ（１．２４×１０-2）のビフェニルアミンおよび
１．１５ｇ（６．１８×１０-3）のトリ（ｎ−ブチル）
アミンを加えた。反応器をセットした後に１０気圧の一
酸化炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。反応
終了後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ５
０ｍｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無
水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機
層を減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲル
のカラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸
エチル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−（２−フェ
ニルフェニル）−３−メチルイソチアゾール−４−カル
ボン酸アミドが結晶として１．４８ｇ（収率９０％）得
られた。
【００４５】実施例１２ Ｎ−ｎ−ブチル−３−メチルイソチアゾール−５−カル
ボン酸アミド（化合物番号８）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（４．４４×１０-3）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０１２ｇ
（１．６７×１０-5）のビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０７４
（２．８３×１０-4）ｇのトリフェニルホスフィン、
０．７１ｇ（９．７７×１０-3）のｎ−ブチルアミンお
よび０．２０ｇ（４．８９×１０-3）の水酸化ナトリウ
ムを加えた。反応器をセットした後に１０気圧の一酸化
炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。反応終了
後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ５０ｍ
ｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無水硫
酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機層を
減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルのカ
ラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸エチ
ル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−ｎ−ブチル−３
−メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが０．
８５ｇ（収率９７％）得られた。
ボン酸アミド（化合物番号８）の製造 １００ｍｌのオートクレーブに１０ｍｌの１、４−ジオ
キサンを入れる。これに１ｇ（４．４４×１０-3）の５
−ヨード−３−メチルイソチアゾール、０．０１２ｇ
（１．６７×１０-5）のビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、０．０７４
（２．８３×１０-4）ｇのトリフェニルホスフィン、
０．７１ｇ（９．７７×１０-3）のｎ−ブチルアミンお
よび０．２０ｇ（４．８９×１０-3）の水酸化ナトリウ
ムを加えた。反応器をセットした後に１０気圧の一酸化
炭素を圧入し１００℃で６時間反応を行った。反応終了
後、反応液を５０ｍｌの３Ｎ−塩酸水溶液に注ぎ５０ｍ
ｌの酢酸エチルで３回抽出した。有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で洗浄後、飽和食塩水で洗浄し無水硫
酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾別後、有機層を
減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルのカ
ラムクロマトグラフィー（展開液 ヘキサン：酢酸エチ
ル＝４：１）にて精製すると目的のＮ−ｎ−ブチル−３
−メチルイソチアゾール−５−カルボン酸アミドが０．
８５ｇ（収率９７％）得られた。
【００４６】実施例において製造された化合物および、
同様な反応条件で得られた化合物の収率を以下の第２表
（表２、３）に、またその物性を第３表（表４〜８）に
まとめて示す。
同様な反応条件で得られた化合物の収率を以下の第２表
（表２、３）に、またその物性を第３表（表４〜８）に
まとめて示す。
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】
【表４】
【００５０】
【表５】
【００５１】
【表６】
【００５２】
【表７】
【００５３】
【表８】
【００５４】
【発明の効果】本発明の方法により、従来技術では満足
な結果が得られなかったイソチアゾールカルボン酸アミ
ド誘導体が高収率かつ非常に簡便に製造できるようにな
った。
な結果が得られなかったイソチアゾールカルボン酸アミ
ド誘導体が高収率かつ非常に簡便に製造できるようにな
った。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（２）（化１） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、フッ素原
子、塩素原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキ
ルスルホキシ基、アルキルスルホニル基、アルコキシカ
ルボニル基、アシル基、置換されてもよいアミノ基、シ
アノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよ
い複素環式基または置換されてもよいアラルキル基を示
し、Ｘは臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表され
るイソチアゾール誘導体をパラジウム化合物およびホス
フィン化合物を触媒とし、塩基の存在下に一酸化炭素、
および一般式（３）（化２） 【化２】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アシル基、置換されてもよいアミ
ノ基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよい
複素環式基または置換されてもよいアラルキル基等を示
し、更にＲ3 とＲ4 は環状構造でもよい）で表されるア
ミン類と反応させることを特徴とする、一般式（１）
（化３） 【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は前記と同じ。）で表
されるイソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造
法。 - 【請求項２】 Ｒ2 が水素原子であり、Ｒ1 の置換位置
が３位、Ｘの置換位置が５位である請求項１記載のイソ
チアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法。 - 【請求項３】 Ｒ2 が水素原子であり、Ｒ1 が水素原
子、アルキル基または置換されてもよいフェニル基であ
ってその置換位置が３位であり、Ｘの置換位置が５位で
あり、Ｒ3 、Ｒ4 が互いに独立して水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、置換されてもよいフェニル基ま
たは置換されてもよいアラルキル基であり、更にＲ3 と
Ｒ4 は環状構造であってもよい請求項１記載のイソチア
ゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法。 - 【請求項４】 ホスフィン化合物の使用量が、使用する
パラジウム化合物１等量に対して、２〜１００等量であ
ることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 ホスフィン化合物の使用量が、使用する
パラジウム化合物１等量に対して、１０〜５０等量であ
ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6009143A JPH07196637A (ja) | 1993-11-24 | 1994-01-31 | イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-293003 | 1993-11-24 | ||
| JP29300393 | 1993-11-24 | ||
| JP6009143A JPH07196637A (ja) | 1993-11-24 | 1994-01-31 | イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07196637A true JPH07196637A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=26343805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6009143A Pending JPH07196637A (ja) | 1993-11-24 | 1994-01-31 | イソチアゾールカルボン酸アミド誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07196637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5869427A (en) * | 1996-06-11 | 1999-02-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | Substituted thiophene derivative and plant disease control agent comprising the same as active ingredient |
| EP1012150A4 (en) * | 1997-05-19 | 2002-05-29 | Sugen Inc | HETEROARYLCARBOXAMIDE COMPOUNDS THAT ARE EFFECTIVE OF DISEASES CAUSED BY PROTEIN-TYROSIN-KINASE |
| JP2002524557A (ja) * | 1998-09-16 | 2002-08-06 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | イソチアゾールカルボン酸アミド類 |
| JP2010529006A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | Ｎ−置換（３−ジハロメチル−１−メチル−ピラゾール−４−イル）カルボキサミドの製造方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP6009143A patent/JPH07196637A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5869427A (en) * | 1996-06-11 | 1999-02-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | Substituted thiophene derivative and plant disease control agent comprising the same as active ingredient |
| EP1012150A4 (en) * | 1997-05-19 | 2002-05-29 | Sugen Inc | HETEROARYLCARBOXAMIDE COMPOUNDS THAT ARE EFFECTIVE OF DISEASES CAUSED BY PROTEIN-TYROSIN-KINASE |
| JP2002524557A (ja) * | 1998-09-16 | 2002-08-06 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | イソチアゾールカルボン酸アミド類 |
| JP4856312B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2012-01-18 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | イソチアゾールカルボン酸アミド類 |
| JP2010529006A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | Ｎ−置換（３−ジハロメチル−１−メチル−ピラゾール−４−イル）カルボキサミドの製造方法 |
| KR101517254B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2015-04-30 | 바스프 에스이 | Ｎ-치환된 (3-디할로메틸-1-메틸-피라졸-4-일)카르복사미드의 제조 방법 |
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