JPH07192336A - 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体Info
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- JPH07192336A JPH07192336A JP33019993A JP33019993A JPH07192336A JP H07192336 A JPH07192336 A JP H07192336A JP 33019993 A JP33019993 A JP 33019993A JP 33019993 A JP33019993 A JP 33019993A JP H07192336 A JPH07192336 A JP H07192336A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】２００℃以下の温度でＭｎＢｉ化合物を記録層
とした光磁気記録媒体を製造する。 【構成】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基板上
に誘電体からなる下地層、Ｂｉ層、Ｍｎ層、誘電体から
なる干渉層を順次成膜し、熱処理によりＭｎＢｉ化合物
を合成する光磁気記録媒体であって、ＭｎＢｉ層中のＭ
ｎ酸化物濃が２０ａｔ％以下であること、Ｂｉ層のＢｉ
（００６）のロッキングカーブの半値幅が３．５°以下
であることを、前記熱処理が２００℃以下の温度雰囲気
で製造することを特徴としている。
とした光磁気記録媒体を製造する。 【構成】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基板上
に誘電体からなる下地層、Ｂｉ層、Ｍｎ層、誘電体から
なる干渉層を順次成膜し、熱処理によりＭｎＢｉ化合物
を合成する光磁気記録媒体であって、ＭｎＢｉ層中のＭ
ｎ酸化物濃が２０ａｔ％以下であること、Ｂｉ層のＢｉ
（００６）のロッキングカーブの半値幅が３．５°以下
であることを、前記熱処理が２００℃以下の温度雰囲気
で製造することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関
し、特に書換可能な光磁気ディスク等に用いられ、磁気
カー効果あるいは磁気ファラデー効果等の磁気光学効果
を読み出すことのできるＭｎＢｉからなる光磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
し、特に書換可能な光磁気ディスク等に用いられ、磁気
カー効果あるいは磁気ファラデー効果等の磁気光学効果
を読み出すことのできるＭｎＢｉからなる光磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体の材料とは、主として以
下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カー回転角が大きいこと。
下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カー回転角が大きいこと。
【０００３】Ｆｅ，Ｃｏ等にＴｂ，Ｇｄ等の重希土類−
３ｄ遷移金属非晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、か
つ量産に適し、読み出しノイズが小さいことから有望と
されている。特にＴｂＦｅＣｂは、有望視され実用材料
となっている。
３ｄ遷移金属非晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、か
つ量産に適し、読み出しノイズが小さいことから有望と
されている。特にＴｂＦｅＣｂは、有望視され実用材料
となっている。
【０００４】光磁気記録の高密度化の手段として、レー
ザーのビーム径を絞ることによる記録領域の微小化があ
る。記録再生ヘッドの対物レンズＮ．Ａ．を変えずにビ
ーム径を絞るためには、レーザー光源の短波長化が必要
となる。このために、非線形光学素子を用いた短波長光
源などの開発が進んでいる。しかし、現在実用化されて
いる重希土類−３ｄ遷移金属非晶質合金膜は、波長が短
くなるにしたがいカー回転角が小さくなることが知られ
ている。また、フォトディテクタの量子変換効率も、波
長の低下により減少する。したがって、短波長レーザー
により再生した場合、再生出力が大幅に低下してしま
い、高記録密度を達成することは困難である。このた
め、短波長域でカー回転角の大きな新たな光磁気記録材
料が必要になる。
ザーのビーム径を絞ることによる記録領域の微小化があ
る。記録再生ヘッドの対物レンズＮ．Ａ．を変えずにビ
ーム径を絞るためには、レーザー光源の短波長化が必要
となる。このために、非線形光学素子を用いた短波長光
源などの開発が進んでいる。しかし、現在実用化されて
いる重希土類−３ｄ遷移金属非晶質合金膜は、波長が短
くなるにしたがいカー回転角が小さくなることが知られ
ている。また、フォトディテクタの量子変換効率も、波
長の低下により減少する。したがって、短波長レーザー
により再生した場合、再生出力が大幅に低下してしま
い、高記録密度を達成することは困難である。このた
め、短波長域でカー回転角の大きな新たな光磁気記録材
料が必要になる。
【０００５】短波長用光磁気記録材料として、これまで
にガーネット、Ｐｔ／Ｃｏ、軽希土類−３ｄ遷移金属非
晶質合金膜が検討されている。しかし、これらの材料に
は以下のような欠点がある。
にガーネット、Ｐｔ／Ｃｏ、軽希土類−３ｄ遷移金属非
晶質合金膜が検討されている。しかし、これらの材料に
は以下のような欠点がある。
【０００６】ガーネットはファラデー回転角が大きいた
め大きな再生出力を得ることができるが、成膜中もしく
は成膜後に結晶を成長させるためには６００℃以上の加
熱が必要とされ通常のガラス基板上に作成することは困
難である。従って、基板として効果が耐熱ガラスを使用
する必要があり、媒体が高価になるという欠点がある。
め大きな再生出力を得ることができるが、成膜中もしく
は成膜後に結晶を成長させるためには６００℃以上の加
熱が必要とされ通常のガラス基板上に作成することは困
難である。従って、基板として効果が耐熱ガラスを使用
する必要があり、媒体が高価になるという欠点がある。
【０００７】Ｐｔ／Ｃｏは、短波長域で重希土類−３ｄ
遷移金属非晶質合金よりも大きなカー回転角を有する
が、フォトディテクタの変換効率の低下を補うほどの大
きな値ではない。また、結晶質であるため媒体雑音が大
きく、短波長域における再生出力は低下するという欠点
がある（特開平３−１６２７３９号公報）。
遷移金属非晶質合金よりも大きなカー回転角を有する
が、フォトディテクタの変換効率の低下を補うほどの大
きな値ではない。また、結晶質であるため媒体雑音が大
きく、短波長域における再生出力は低下するという欠点
がある（特開平３−１６２７３９号公報）。
【０００８】軽希土類−３ｄ遷移金属非晶質合金薄膜の
場合もＰｔ／Ｃｏの場合と同様に、十分大きなカー回転
角を、記録再生が可能な組成範囲では得ることができな
いという欠点を有する。
場合もＰｔ／Ｃｏの場合と同様に、十分大きなカー回転
角を、記録再生が可能な組成範囲では得ることができな
いという欠点を有する。
【０００９】従って、これらの記録材料に変わる新しい
材料の利用が必要となる。
材料の利用が必要となる。
【００１０】ＭｎＢｉ化合物は、基板上にＢｉとＭｎを
順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し反応させると、
ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、Ｃ軸配向のＭｎＢｉ化
合物となる。このＭｎＢｉ化合物は、Ｃ軸に強い磁気異
方性を有するために垂直磁化膜となる。さらに、ＭｎＢ
ｉ化合物は、波長４００ｎｍから９００ｎｍにおいてカ
ー回転角が１度以上と大きいため短波長用光磁気記録材
料として有望である。
順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し反応させると、
ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、Ｃ軸配向のＭｎＢｉ化
合物となる。このＭｎＢｉ化合物は、Ｃ軸に強い磁気異
方性を有するために垂直磁化膜となる。さらに、ＭｎＢ
ｉ化合物は、波長４００ｎｍから９００ｎｍにおいてカ
ー回転角が１度以上と大きいため短波長用光磁気記録材
料として有望である。
【００１１】基板上にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−
Ｂｉ積層膜を加熱し、化合物を合成させるためには、３
００℃以上の温度雰囲気中に積層膜を保持する必要があ
る（例えば、１９７６年、ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス、４７号３６０９頁（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，４７（１９７６）３６０９）。このため、
基板として耐熱性の高いガラス基板が用いられている。
通常の強化ガラス基板上に薄膜を生成する場合、ガラス
基板からのアルカリ金属等がＭｎＢｉを変質させないた
めに誘電体の下地層がバリアー層として用いられてい
る。
Ｂｉ積層膜を加熱し、化合物を合成させるためには、３
００℃以上の温度雰囲気中に積層膜を保持する必要があ
る（例えば、１９７６年、ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス、４７号３６０９頁（Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，４７（１９７６）３６０９）。このため、
基板として耐熱性の高いガラス基板が用いられている。
通常の強化ガラス基板上に薄膜を生成する場合、ガラス
基板からのアルカリ金属等がＭｎＢｉを変質させないた
めに誘電体の下地層がバリアー層として用いられてい
る。
【００１２】次に、従来のＭｎＢｉ光磁気記録媒体の製
造方法及びその記録媒体について図を参照して説明す
る。
造方法及びその記録媒体について図を参照して説明す
る。
【００１３】図８は従来例のＭｎＢｉ光磁気記録媒体の
熱処理前の構成断面図である。ガラス基板１上に、下地
層（スパッタ法による窒化珪素膜）２を１００ｎｍの厚
さに、Ｂｉ層３をイオンクラスタービーム法で２０ｎｍ
の厚さに、Ｍｎ層４をイオンクラスタービーム法で１０
ｍの厚さに、干渉層（スパッタ法によりＳｉＮ）５を３
００ｎｍの厚さに、反射層（スパッタ法によるＡｌ膜）
６を２０ｎｍの厚さに順次成膜した。ＢｉとＭｎの膜厚
比は、熱処理後のカー回転角が最大になる値から決定し
た。ＩＣＰによる組成分析の結果、Ｍｎ：Ｂｉの組成比
は８０ａｔ％近いＭｎ過多であり、過剰のＭｎは酸化物
の状態であることがＸＰＳ測定から確認されている。Ｍ
ｎは非常に酸化され易い物質であるためＭｎ層には高濃
度のＭｎ酸化物が含まれ、これを補償するために組成比
としてはＭｎ過剰になる。この時のＭｎ成膜速度は０．
０５ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は３×１０-6ｔｏｒｒで
ある。Ｂｉの成膜速度は０．１ｎｍ／ｓ，成膜中の真空
度は３×１０-7ｔｏｒｒでる。ＳｉＮ干渉層をスパッタ
成膜するために、Ｂｉ／Ｍｎ層を成膜後一度真空を破っ
ている。このディスクを３２０℃，２５０℃，１８０℃
でそれぞれ１時間熱処理し、ＭｎとＢｉを反応させた。
熱処理前の構成断面図である。ガラス基板１上に、下地
層（スパッタ法による窒化珪素膜）２を１００ｎｍの厚
さに、Ｂｉ層３をイオンクラスタービーム法で２０ｎｍ
の厚さに、Ｍｎ層４をイオンクラスタービーム法で１０
ｍの厚さに、干渉層（スパッタ法によりＳｉＮ）５を３
００ｎｍの厚さに、反射層（スパッタ法によるＡｌ膜）
６を２０ｎｍの厚さに順次成膜した。ＢｉとＭｎの膜厚
比は、熱処理後のカー回転角が最大になる値から決定し
た。ＩＣＰによる組成分析の結果、Ｍｎ：Ｂｉの組成比
は８０ａｔ％近いＭｎ過多であり、過剰のＭｎは酸化物
の状態であることがＸＰＳ測定から確認されている。Ｍ
ｎは非常に酸化され易い物質であるためＭｎ層には高濃
度のＭｎ酸化物が含まれ、これを補償するために組成比
としてはＭｎ過剰になる。この時のＭｎ成膜速度は０．
０５ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は３×１０-6ｔｏｒｒで
ある。Ｂｉの成膜速度は０．１ｎｍ／ｓ，成膜中の真空
度は３×１０-7ｔｏｒｒでる。ＳｉＮ干渉層をスパッタ
成膜するために、Ｂｉ／Ｍｎ層を成膜後一度真空を破っ
ている。このディスクを３２０℃，２５０℃，１８０℃
でそれぞれ１時間熱処理し、ＭｎとＢｉを反応させた。
【００１４】図９は、１時間熱処理後の従来例のＭｎＢ
ｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンである。
熱処理温度は、（ａ）は１８０℃，（ｂ）は２５０℃、
（ｃ）は３２０℃である。３２０℃の熱処理でＭｎＢｉ
のＣ面からの回折が現れ、ＭｎＢｉが合成されているこ
とがわかる。一方、３００℃以下加熱処理である
（ａ），（ｂ）ではＭｎＢｉは合成されていない。
ｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンである。
熱処理温度は、（ａ）は１８０℃，（ｂ）は２５０℃、
（ｃ）は３２０℃である。３２０℃の熱処理でＭｎＢｉ
のＣ面からの回折が現れ、ＭｎＢｉが合成されているこ
とがわかる。一方、３００℃以下加熱処理である
（ａ），（ｂ）ではＭｎＢｉは合成されていない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ＭｎＢｉ化合物の合成
に３００℃以上の雰囲気中にＢｉ／Ｍｎ積層膜を保持す
る必要があるため、使用可能な基板は耐熱性の高いガラ
ス基板に限られるという課題がある。
に３００℃以上の雰囲気中にＢｉ／Ｍｎ積層膜を保持す
る必要があるため、使用可能な基板は耐熱性の高いガラ
ス基板に限られるという課題がある。
【００１６】また、３００℃以上の熱処理を行うため、
ガラス基板にグルーブやプリーホーマット信号を記録す
るためには、フォトポリマーによる安価な方法がとれ
ず、ガラス基板の表面を直接エッチングする必要があり
生産性が劣り基板が高価になるという欠点がある。
ガラス基板にグルーブやプリーホーマット信号を記録す
るためには、フォトポリマーによる安価な方法がとれ
ず、ガラス基板の表面を直接エッチングする必要があり
生産性が劣り基板が高価になるという欠点がある。
【００１７】本発明の目的は、２００℃以下の温度でＭ
ｎＢｉ化合物を合成することにより、光磁気記録媒体を
安価に製造できる方法およびそれにより得られる光磁気
記録媒体を提供することにある。
ｎＢｉ化合物を合成することにより、光磁気記録媒体を
安価に製造できる方法およびそれにより得られる光磁気
記録媒体を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に誘電体からなる下地層、Ｂｉ層、Ｍｎ層、
誘電体からなる感傷層を順次成膜し、熱処理によりＭｎ
Ｂｉ化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、ＭｎＢｉ層中のＭｎ酸化物濃が２０ａｔ％以下であ
ること、Ｂｉ層のＢｉ（００６）のロッキングカーブの
半値幅が３．５°以下であることを特徴としている。ま
た、前記熱処理は２００℃以下で行うことを特徴とす
る。
は、基板上に誘電体からなる下地層、Ｂｉ層、Ｍｎ層、
誘電体からなる感傷層を順次成膜し、熱処理によりＭｎ
Ｂｉ化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、ＭｎＢｉ層中のＭｎ酸化物濃が２０ａｔ％以下であ
ること、Ｂｉ層のＢｉ（００６）のロッキングカーブの
半値幅が３．５°以下であることを特徴としている。ま
た、前記熱処理は２００℃以下で行うことを特徴とす
る。
【００１９】また、本発明の基板にはフォトポリマーに
よりグルーブを形成したガラス基板を用いることができ
る。
よりグルーブを形成したガラス基板を用いることができ
る。
【００２０】
【作用】フォトポリマーによりグルーブを形成したガラ
ス基板は、安価で複屈折がないことから通常の光磁気記
録媒体の基板として使用されている。フォトポリマーの
分解温度は２１０℃であることから、２００℃以下の温
度雰囲気ではグルーブの変形等の変質は起こらず高品質
の光磁気記録媒体を製造することができる。
ス基板は、安価で複屈折がないことから通常の光磁気記
録媒体の基板として使用されている。フォトポリマーの
分解温度は２１０℃であることから、２００℃以下の温
度雰囲気ではグルーブの変形等の変質は起こらず高品質
の光磁気記録媒体を製造することができる。
【００２１】２００℃以下で、高いカー回転角を有する
ＭｎＢｉ化合物を合成するためには、出発物質であるＢ
ｉ／Ｍｎ積層膜中のＭｎ層のＭｎ酸化物濃度が２０％以
下であること、Ｂｉ層のＢｉ（００６）面のロッキング
カーブの半値幅が３．５°以下であることが必要とな
る。
ＭｎＢｉ化合物を合成するためには、出発物質であるＢ
ｉ／Ｍｎ積層膜中のＭｎ層のＭｎ酸化物濃度が２０％以
下であること、Ｂｉ層のＢｉ（００６）面のロッキング
カーブの半値幅が３．５°以下であることが必要とな
る。
【００２２】Ｂｉ／Ｍｎの反応は、Ｍｎ原子のＢｉ結晶
中への拡散により進む。ＭｎＢｉ化合物が磁性を発現す
るためには、拡散により生成したＭｎＢｉ微結晶がＭｎ
酸化物を排除しながら再結晶する必要がある。このＭｎ
酸化物濃度の排除には、Ｍｎ原子の拡散よりも高い温度
が必要になる。合成温度を２００℃以下にするために
は、ＭｎＢｉ化合物中のＭｎ酸化物濃度を２０ａｔ％以
下にする必要がある。
中への拡散により進む。ＭｎＢｉ化合物が磁性を発現す
るためには、拡散により生成したＭｎＢｉ微結晶がＭｎ
酸化物を排除しながら再結晶する必要がある。このＭｎ
酸化物濃度の排除には、Ｍｎ原子の拡散よりも高い温度
が必要になる。合成温度を２００℃以下にするために
は、ＭｎＢｉ化合物中のＭｎ酸化物濃度を２０ａｔ％以
下にする必要がある。
【００２３】また、Ｍｎ原子のＢｉ結晶中への拡散速度
はＢｉ層の結晶配向性により異なる。Ｂｉ層のＣ軸配向
性が高いほど拡散速度は大きくなる。合成温度を２００
℃以下にするためには、Ｃ軸配向性の指標であるＢｉ
（００６）面のロッキングカーブの半値幅が３．５°以
下である必要がある。
はＢｉ層の結晶配向性により異なる。Ｂｉ層のＣ軸配向
性が高いほど拡散速度は大きくなる。合成温度を２００
℃以下にするためには、Ｃ軸配向性の指標であるＢｉ
（００６）面のロッキングカーブの半値幅が３．５°以
下である必要がある。
【００２４】
【実施例】ＭｎＢｉ光磁気記録媒体の製造方法およびそ
の記録媒体について図面を参照して説明する。図１はＭ
ｎＢｉ光磁気記録媒体の熱処理前の構成断面図である。
フォトポリマーによりグルーブを形成したガラス基板１
上に、下地層（スパッタ法による窒化珪素膜）２を１０
０ｎｍの厚さに、Ｂｉ層３をイオンクラスタービーム法
で２０ｎｍの厚さに、Ｍｎ層４をイオンクラスタービー
ム法で８ｎｍの厚さに、干渉層（イオンクラスタービー
ム法によるＳｉＯ）５を３００ｎｍの厚さに、反射層
（スパッタ法によるＡｌ膜）６を２０ｎｍの厚さに順次
成膜した。Ｍｎ成膜速度は０．２ｎｍ／ｓ，成膜中の真
空度は１×１０-6ｔｏｒｒである。Ｂｉの成膜速度は
０．０４５ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は３×１０-7ｔｏ
ｒｒである。Ｍｎ酸化物濃度とＢｉの結晶配向性は、成
膜条件により変化させることができる。各種熱処理条件
でＭｎとＢｉを反応させ、ＭｎＢｉ化合物を合成した。
の記録媒体について図面を参照して説明する。図１はＭ
ｎＢｉ光磁気記録媒体の熱処理前の構成断面図である。
フォトポリマーによりグルーブを形成したガラス基板１
上に、下地層（スパッタ法による窒化珪素膜）２を１０
０ｎｍの厚さに、Ｂｉ層３をイオンクラスタービーム法
で２０ｎｍの厚さに、Ｍｎ層４をイオンクラスタービー
ム法で８ｎｍの厚さに、干渉層（イオンクラスタービー
ム法によるＳｉＯ）５を３００ｎｍの厚さに、反射層
（スパッタ法によるＡｌ膜）６を２０ｎｍの厚さに順次
成膜した。Ｍｎ成膜速度は０．２ｎｍ／ｓ，成膜中の真
空度は１×１０-6ｔｏｒｒである。Ｂｉの成膜速度は
０．０４５ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は３×１０-7ｔｏ
ｒｒである。Ｍｎ酸化物濃度とＢｉの結晶配向性は、成
膜条件により変化させることができる。各種熱処理条件
でＭｎとＢｉを反応させ、ＭｎＢｉ化合物を合成した。
【００２５】図２は、２００℃１０時間熱処理後のＭｎ
Ｂｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンであ
る。（ａ）はＭｎ酸化物濃度が３５ａｔ％，（ｂ）は２
５ａｔ％，（ｃ）は２０ａｔ％である。Ｍｎの酸化物濃
度はＭｎの成膜速度と成膜中の真空により変化させた。
（ａ）の成膜速度は０．０４ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度
は１×１０-4ｔｏｒｒである。（ｂ）の成膜速度は０．
０４ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は１×１０-6ｔｏｒｒで
ある。（ｃ）の成膜速度は０．２ｎｍ／ｓ，成膜中の真
空度は１×１０-6ｔｏｒｒである。Ｍｎ酸化物濃度が２
０ａｔ％の（Ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）（００４）
面からの回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭｎＢｉ膜が
得られていることが分かる。２５ａｔ％の（ｂ）では、
反応が未終了なためＢｉ結晶からの回折が見られる。Ｍ
ｎ酸化物が最も多い（ａ）では、ＭｎＢｉ相の成長はみ
られない。
Ｂｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンであ
る。（ａ）はＭｎ酸化物濃度が３５ａｔ％，（ｂ）は２
５ａｔ％，（ｃ）は２０ａｔ％である。Ｍｎの酸化物濃
度はＭｎの成膜速度と成膜中の真空により変化させた。
（ａ）の成膜速度は０．０４ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度
は１×１０-4ｔｏｒｒである。（ｂ）の成膜速度は０．
０４ｎｍ／ｓ，成膜中の真空度は１×１０-6ｔｏｒｒで
ある。（ｃ）の成膜速度は０．２ｎｍ／ｓ，成膜中の真
空度は１×１０-6ｔｏｒｒである。Ｍｎ酸化物濃度が２
０ａｔ％の（Ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）（００４）
面からの回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭｎＢｉ膜が
得られていることが分かる。２５ａｔ％の（ｂ）では、
反応が未終了なためＢｉ結晶からの回折が見られる。Ｍ
ｎ酸化物が最も多い（ａ）では、ＭｎＢｉ相の成長はみ
られない。
【００２６】図３は、２００℃１時間熱処理後のＭｎＢ
ｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンである。
熱処理時間を短くすることで、Ｍｎ酸化物の影響は顕著
になる。（ａ）はＭｎ酸化物濃度が２５ａｔ％，（ｂ）
は２１ａｔ％，（ｃ）は２０ａｔ％である。Ｍｎ酸化物
濃度が２０ａｔ％の（Ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）
（００４）面からの回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭ
ｎＢｉ膜が得られていることが分かる。２１ａｔ％の
（ｂ）では、反応が未終了なためＢｉ結晶からの回折が
見られる。Ｍｎ酸化物が最も多い（ａ）では、ＭｎＢｉ
層の成長はほとんどみられない。以上のＸ線回折の結果
から、２００℃以下の熱処理温度でＭｎＢｉを合成する
ためにはＭｎ酸化物濃度が２０ａｔ％以下である必要が
あることが分かる。熱処理温度はＭｎ酸化物濃度に比例
するため、熱処理温度をさらに下げるためにはＭｎ酸化
物濃度をより低くする必要がある。
ｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンである。
熱処理時間を短くすることで、Ｍｎ酸化物の影響は顕著
になる。（ａ）はＭｎ酸化物濃度が２５ａｔ％，（ｂ）
は２１ａｔ％，（ｃ）は２０ａｔ％である。Ｍｎ酸化物
濃度が２０ａｔ％の（Ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）
（００４）面からの回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭ
ｎＢｉ膜が得られていることが分かる。２１ａｔ％の
（ｂ）では、反応が未終了なためＢｉ結晶からの回折が
見られる。Ｍｎ酸化物が最も多い（ａ）では、ＭｎＢｉ
層の成長はほとんどみられない。以上のＸ線回折の結果
から、２００℃以下の熱処理温度でＭｎＢｉを合成する
ためにはＭｎ酸化物濃度が２０ａｔ％以下である必要が
あることが分かる。熱処理温度はＭｎ酸化物濃度に比例
するため、熱処理温度をさらに下げるためにはＭｎ酸化
物濃度をより低くする必要がある。
【００２７】次にＢｉの結晶配向性の影響を示す。図４
は、熱処理前の３種類のＭｎＢｉ光磁気記録媒体のＢｉ
（００６）面のロッキングカーブである。ロッキングカ
ーブの半値幅は、Ｂｉ層の結晶配向性の指標となり、半
値幅が大きいほと結晶配向性は低くなる。Ｂｉの成膜速
度を小さくすることで、Ｂｉの結晶配向性は向上させる
ことができる。また、イオン化することで、Ｃ軸配向性
は低下する。それぞれの成膜速度は、（ａ），（ｂ）は
０．２９ｎｍ／ｓ，（ｃ）は０．０４５ｎｍ／ｓであ
る。（ａ）だけにイオン化を行っている。それぞれの半
値幅は、（ａ），（ｂ）は０．２９ｎｍ／ｓ，（ｃ）は
０．０４５ｎｍ／ｓである。（ａ）だけにイオン化を行
っている。それぞれの半値幅は、（ａ）は５．１°、
（ｂ）は４．２°、（ｃ）は３．４°である。ＭｎＢｉ
層のＭｎ酸化物濃度は２０ａｔ％一定である。図５は、
２００℃１時間熱処理後のＭｎＢｉ化合物のθ−２θ法
によるＸ線回折パターンである。（ａ），（ｂ），
（ｃ）は、図４に対応している。ＢｉのＣ軸配向性の高
い（ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）（００４）面からの
回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭｎＢｉ膜が得られて
いることが分かる。一方ＢｉのＣ軸配向性の低い
（ａ），（ｂ）では、反応が未終了なためＢｉ結晶から
の回折が見られる。
は、熱処理前の３種類のＭｎＢｉ光磁気記録媒体のＢｉ
（００６）面のロッキングカーブである。ロッキングカ
ーブの半値幅は、Ｂｉ層の結晶配向性の指標となり、半
値幅が大きいほと結晶配向性は低くなる。Ｂｉの成膜速
度を小さくすることで、Ｂｉの結晶配向性は向上させる
ことができる。また、イオン化することで、Ｃ軸配向性
は低下する。それぞれの成膜速度は、（ａ），（ｂ）は
０．２９ｎｍ／ｓ，（ｃ）は０．０４５ｎｍ／ｓであ
る。（ａ）だけにイオン化を行っている。それぞれの半
値幅は、（ａ），（ｂ）は０．２９ｎｍ／ｓ，（ｃ）は
０．０４５ｎｍ／ｓである。（ａ）だけにイオン化を行
っている。それぞれの半値幅は、（ａ）は５．１°、
（ｂ）は４．２°、（ｃ）は３．４°である。ＭｎＢｉ
層のＭｎ酸化物濃度は２０ａｔ％一定である。図５は、
２００℃１時間熱処理後のＭｎＢｉ化合物のθ−２θ法
によるＸ線回折パターンである。（ａ），（ｂ），
（ｃ）は、図４に対応している。ＢｉのＣ軸配向性の高
い（ｃ）では、ＭｎＢｉ（００２）（００４）面からの
回折だけが存在し、Ｃ軸配向したＭｎＢｉ膜が得られて
いることが分かる。一方ＢｉのＣ軸配向性の低い
（ａ），（ｂ）では、反応が未終了なためＢｉ結晶から
の回折が見られる。
【００２８】図６は、Ｂｉ（００６）面のロッキングカ
ーブの半値幅と２００℃１時間熱処理後のＢｉ（００
６）とＭｎＢｉ（００４）の相対強度の関係である。
３．５°以下の半値幅のＢｉを用いることで、２００℃
以下の熱処理により未反応ＢｉのないＭｎＢｉを合成す
ることができる。
ーブの半値幅と２００℃１時間熱処理後のＢｉ（００
６）とＭｎＢｉ（００４）の相対強度の関係である。
３．５°以下の半値幅のＢｉを用いることで、２００℃
以下の熱処理により未反応ＢｉのないＭｎＢｉを合成す
ることができる。
【００２９】図７は、１５０℃１６０分熱処理後のＭｎ
Ｂｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンであ
る。熱処理温度を下げることでＢｉの配向性の影響は顕
著になり、配向性の高い（Ｃ）だけでＭｎＢｉが生成し
ていることが分かる。
Ｂｉ化合物のθ−２θ法によるＸ線回折パターンであ
る。熱処理温度を下げることでＢｉの配向性の影響は顕
著になり、配向性の高い（Ｃ）だけでＭｎＢｉが生成し
ていることが分かる。
【００３０】同様の実験を２１０℃熱処理で行ったが、
グルーブを形成しているフォトポリマーが変形し、光磁
気記録媒体として使用できなかった。
グルーブを形成しているフォトポリマーが変形し、光磁
気記録媒体として使用できなかった。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によりＭｎ
Ｂｉ記録層を利用した光磁気記録媒体をフォトポリマー
によりグルーブを形成したガラス基板上に製造可能とな
り、本発明は高性能で安価な光磁気記録媒体を提供する
という効果を有する。
Ｂｉ記録層を利用した光磁気記録媒体をフォトポリマー
によりグルーブを形成したガラス基板上に製造可能とな
り、本発明は高性能で安価な光磁気記録媒体を提供する
という効果を有する。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の熱処理前の部分断面
図である。
図である。
【図２】２００℃１０時間熱処理後のＭｎＢｉ化合物の
θ−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
θ−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
【図３】２００℃１時間熱処理後のＭｎＢｉ化合物のθ
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
【図４】熱処理前の３種類のＭｎＢｉ光磁気記録媒体の
Ｂｉ（００６）面のロッキングカーブを示す図である。
Ｂｉ（００６）面のロッキングカーブを示す図である。
【図５】２００℃１時間熱処理後のＭｎＢｉ化合物のθ
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】Ｂｉ（００６）面のロッキングカーブの半値幅
と２００℃１時間熱処理後のＢｉ（００６）とＭｎＢｉ
（００４）の相対強度の関係を示す図である。
と２００℃１時間熱処理後のＢｉ（００６）とＭｎＢｉ
（００４）の相対強度の関係を示す図である。
【図７】１５０℃１６０分熱処理後のＭｎＢｉ化合物の
θ−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
θ−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
【図８】従来例の光磁気記録媒体の熱処理前の部分断面
図である。
図である。
【図９】１時間熱処理後の従来例のＭｎＢｉ化合物のθ
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
−２θ法によるＸ線回折パターンを示す図である。
１ ガラス基板 ２ ＳｉＮ下地層 ３ Ｂｉ層 ４ Ｍｎ層 ５ ＳｉＮ保護層 ６ Ａｌ反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に誘電体からなる下地層、Ｂｉ
層、Ｍｎ層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処
理によりＭｎＢｉ化合物を合成する光磁気記録媒体の製
造方法であって、前記Ｍｎ層中のＭｎ酸化物濃度を２０
ａｔ％以下とし、前記熱処理を２００℃以下とする光磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に誘電体からなる下地層、Ｂｉ
層，Ｍｎ層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処
理によりＭｎＢｉ化合物を合成する光磁気記録媒体の製
造方法であって、Ｂｉ層のＢｉ（００６）面のロッキン
グカーブの半値幅を３．５°以下とし、前記熱処理を２
００℃以下とすることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に誘電体からなる下地層、ＭｎＢ
ｉ化合物層、誘電体からなる干渉層が積層された光磁気
記録媒体において、前記ＭｎＢｉ化合物中のＭｎ酸化物
濃度が２０ａｔ％以下であることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 基板上に誘電体からなる下地層、ＭｎＢ
ｉ化合物層、誘電体からなる干渉層が積層された光磁気
記録媒体において、前記基板がフォトホリマーによりグ
ルーブを形成したガラス基板であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330199A JP2661532B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330199A JP2661532B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192336A true JPH07192336A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2661532B2 JP2661532B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=18229948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5330199A Expired - Lifetime JP2661532B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661532B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025123U (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-12 | ||
| JPH0536134A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5330199A patent/JP2661532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025123U (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-12 | ||
| JPH0536134A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661532B2 (ja) | 1997-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970513 |