JPH07183708A

JPH07183708A - 高周波半導体装置

Info

Publication number: JPH07183708A
Application number: JP5328236A
Authority: JP
Inventors: Taku Fujita; 卓藤田; Kazuaki Takahashi; 和晃高橋; Morikazu Sagawa; 守一佐川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-12-24
Filing date: 1993-12-24
Publication date: 1995-07-21
Anticipated expiration: 2015-08-14
Also published as: JP3077487B2

Abstract

(57)【要約】【目的】各種高周波機器に使用される半導体装置にお
いて、設計自由度が増し、分布結合線路の結合度の調整
が容易で低損失な高周波半導体装置に関する。【構成】下面に接地導体１を有する誘電体基板２上に
中心導体３を設け、この中心導体３の両側に所定の間隔
をあけて、お互いに影響のでないようにして、バンプ７
を設け、フリップチップ方式の実装によって接地導体５
を備え、接地導体５の誘電体基板２に面した側に誘電体
膜６を積層し、誘電体膜６の中心導体３の上方に中心導
体４を設ける。２つの中心導体３、４はストリップ線路
構造をとった分布結合線路となっており、結合線路の一
方の導体を基板上に、もう一方をフリップチップ方式の
実装によって基板上の線路の上方に設けた構造をとるこ
とにより低損失で強い結合も実現でき、結合線路の結合
度を調整できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波回路の分布結合
線路に係わる高周波半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高周波半導体装置に用いる分布結
合線路は、同一面上に形成されたマイクロストリップ構
造の線路の側端を結合させたものが多く使用されてお
り、結合度を大きくするには、結合線路を相重なる構造
にする方法や結合線路の上に絶縁板を介して他の導体を
置く方法がとられている。

【０００３】図１０、１１、１２は従来の分布結合線路
の構成を示すものである。図１０において、１０１は接
地導体、１０２は誘電体基板、１０３、１０４は平行結
合線路であり、接地導体１０１上に誘電体基板１０２が
あり、その上に平行結合線路１０３、１０４が設けら
れ、分布結合平行２線路として動作する。

【０００４】図１１は結合度を大きくするために結合線
路を相重なる構造としたもので、平行結合線路１０３、
１０４の結合面積を広げることにより結合度を大きくし
ている。１０５は接地導体である。

【０００５】図１２は分布結合平行２線路の上に誘電体
１０７を介して導体１０６を設けた構造としたもので、
１０６はオーバーレイ導体、１０７はオーバーレイ誘電
体として用いられ、オーバーレイ構造をとることで特性
を改善している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、分布結合線路は予め基板上に設けられて
おり、オーバーレイ導体もオーバーレイ誘電体上に作り
つけられているため、後から結合度の調整をすることが
困難であるという問題点を有していた。

【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、設計の自由度が増し、結合線路の結合度の調整が
容易で、低損失な高周波半導体装置を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の高周波半導体装置は、第１の誘電体の下面に
第１の接地導体を設け、前記第１の誘電体上に第１の中
心導体を設け、前記第１の中心導体より一定距離上方に
フリップチップ方式の実装によって第２の接地導体を備
え、前記第２の接地導体の前記第１の誘電体に面した側
に第１の誘電体膜を積層し、前記第１の誘電体膜上の前
記第１の中心導体上方に第２の中心導体を設け、前記第
１の中心導体とで分布結合する構成を有する。

【０００９】また、前記第１の誘電体の下面に第１の接
地導体を設け、前記第１の誘電体上に第１の中心導体を
設け、前記第１の中心導体より一定距離上方にフリップ
チップ方式の実装によって第２の誘電体を備え、前記第
２の誘電体の前記第１の誘電体に面した側の前記第１の
中心導体上方に第２の中心導体を設け、前記第１の中心
導体とで分布結合する構成を有する。

【００１０】また、前記第１の中心導体と第２の中心導
体の線路幅を変えることによって結合度を調整した構成
としても良い。

【００１１】また、前記第１の中心導体の斜め上方に第
２の中心導体を設けることによって結合度を調整した構
成としても良い。

【００１２】また、前記第１の誘電体の下面に第１の接
地導体を設け、前記第１の誘電体上に一定の間隔をあけ
て平行に第３及び第４の中心導体を設け、前記第３及び
第４の中心導体より一定距離上方にフリップチップ方式
の実装によって設けられた導体を備え、前記導体を第１
のオーバーレイ導体とすることでオーバーレイ構造をと
った構成を有する。

【００１３】また、前記第１の誘電体の下面に第１の接
地導体を設け、前記第１の誘電体上に一定の間隔をあけ
て平行に第３及び第４の中心導体を設け、前記第３及び
第４の中心導体より一定距離上方にフリップチップ方式
の実装によって設けられた第３の誘電体を備え、前記第
３の誘電体上の前記第３及び第４の中心導体上方に導体
を設け、前記導体を第２のオーバーレイ導体とすること
でオーバーレイ構造をとる構成を有する。

【００１４】また、前記第１の誘電体上に第３のオーバ
ーレイ導体を設け、前記第３のオーバーレイ導体より一
定距離上方にフリップチップ方式の実装によって設けら
れた第３の接地導体を備え、前記第３の接地導体の前記
第１の誘電体側に第２の誘電体膜を積層し、前記第２の
誘電体膜上の前記第３のオーバーレイ導体上方に、第５
及び第６の中心導体を設けることでオーバーレイ構造を
とる構成を有する。

【００１５】また、前記第１の誘電体上に一定の間隔を
あけて第４の接地導体を設けてスロット線路を形成し、
前記第４の接地導体より一定距離上方にフリップチップ
方式の実装によって設けられた第５の接地導体を備え、
前記第５の接地導体の前記第４の接地導体に面した側に
第３の誘電体膜を設け、前記第３の誘電体膜上の前記ス
ロット線路の上方に第７の中心導体を設け、マイクロス
トリップ線路を形成することで、マイクロストリップ線
路とスロット線路を結合させた構成を有する。

【００１６】また、前記第１の誘電体の下面に第１の接
地導体を設け、前記第１の誘電体上に第８の中心導体を
設け、マイクロストリップ線路を形成し、前記第８の中
心導体より一定距離上方にフリップチップ方式の実装に
よって設けられた第４の誘電体を備え、前記第４の誘電
体上の前記８の中心導体に面した側に一定の間隔をあけ
て第６の接地導体を設け、スロット線路を形成すること
で、マイクロストリップ線路とスロット線路を結合させ
た構成を有する。

【００１７】また、前記第１の誘電体とフリップチップ
方式で実装された導体または誘電体とで囲まれる空間に
誘電体材料を満たした構成としても良い。

【００１８】また、接地導体として、不純物注入量の高
いシリコン基板を用いて構成しても良い。

【００１９】また、誘電体膜として、シリコン窒化膜ま
たはシリコン酸化膜を用いて構成しても良い。

【００２０】また、誘電体として、ガリウム砒素を用い
て構成しても良い。

【００２１】

【作用】この構成によって、結合する線路間の距離、線
路幅を適宜調整することができ、誘電体の一部に空気を
用いているので、利用目的に適した結合度を有する低損
失な分布結合線路が得られる。

【００２２】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の第１の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の第１の
実施例における高周波半導体装置の一部切り欠き斜視
図、図１（ｂ）は同側断面図である。

【００２３】図１において、１は第１の誘電体２の下面
に設けられた第１の接地導体、３は第１の誘電体２上に
設けられた第１の中心導体、５は第１の中心導体３より
一定距離上方にフリップチップ方式の実装によって設け
られた導体、６は導体５を第２の接地導体として第１の
誘電体２に面した側に積層した第１の誘電体膜、４は第
１の誘電体膜６上の第１の中心導体２の上方に設けられ
た第２の中心導体、７はバンプである。

【００２４】なお、第１の誘電体２上には、結合線路と
なる第１の中心導体３を設けると共に、その両側には所
定の間隔をあけて、お互いに影響のでないようにして、
バンプ７を設け、フリップチップ方式の実装によって結
合線路となる第２の中心導体４の設けられた第２の接地
導体５を設置している。

【００２５】第１及び第２の中心導体３、４は、所望の
線路幅で伝送路の長さ方向に形成する。例えば、バンプ
７の高さを１０μｍとし、第１の誘電体２と第１の誘電
体膜６の比誘電率を１、第１の誘電体２の厚さを４５μ
ｍとした場合には、線路幅は７０μｍ程度で特性インピ
ーダンスが５０Ωで、結合度が２．４ｄＢ程度となり、
ミリ波帯などにおいても十分な結合度を確保できる。

【００２６】結合線路となる第１及び第２の中心導体
３、４間の結合度は、バンプ７の高さによって決定さ
れ、適宜バンプ７の高さを変えることにより、結合度を
容易に調整できるとともに、結合線路間の誘電体は空気
であるので低損失である。

【００２７】なお、第１の接地導体１は半導体基板に蒸
着した金属や不純物注入量の高いシリコン基板などを用
いて構成できる。

【００２８】また例えば、第１の誘電体２、第１の誘電
体膜６としてはガリウム砒素あるいは、シリコン窒化
膜、シリコン酸化膜を用いてもよい。

【００２９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。図２は本発明の
第２の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００３０】図２において、図１の構成と異なる点は、
図１における第２の接地導体５に代えて、第２の誘電体
８をフリップチップ方式で実装し、そこに第２の中心導
体４を設けた点である。

【００３１】上記構成によれば、第１の誘電体２上に設
けられた第１の中心導体３と、第２の誘電体８上の第１
の誘電体２に面した側の第１の中心導体３の上方に設け
られた第２の中心導体４は、第１の接地導体１とでマイ
クロストリップ線路構造をとり、バンプ７の高さを変え
て線路導体間の距離を変化させたり、第２の中心導体４
による線路導体の幅を調整することで、結合度が容易に
調整できるとともに、線路間の誘電体は空気であるので
低損失な平行結合線路を実現できる。

【００３２】なお、第２の誘電体８としてはガリウム砒
素を用いてもよい。（実施例３）以下、本発明の第３の実施例について図面
を参照しながら説明する。図３は本発明の第３の実施例
における高周波半導体装置の側断面図である。

【００３３】図３において、図１の構成と異なる点は、
第１の中心導体３Ａと第２の中心導体４Ａの線路幅を変
えた点である。

【００３４】第１の中心導体３Ａと第２の中心導体４Ａ
を異なった線路幅とすることで、第１、第２の中心導体
３Ａ、４Ａによって構成される結合線路の奇偶インピー
ダンスを変化させることができる。このようにして結合
線路の線路幅を変えることで、結合線路の奇偶インピー
ダンスを調整することが可能で、結合度の調整が容易な
平行結合線路を実現できる。

【００３５】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について図面を参照しながら説明する。図４は本発明の
第４の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００３６】図４において、図１の構成と異なる点は、
第２の中心導体４Ｂを第１の中心導体３Ｂの真上ではな
く、斜め上方に設けることでオフセットした点である。

【００３７】第１の中心導体Ｂ３と第２の中心導体４Ｂ
によって構成される結合線路の結合度は、線路間の結合
面積によって決まるが、２つの結合線路を正対させず、
ずらしてオフセットすることで、結合する面積を調整
し、結合度の調整が容易に可能な平行結合線路を実現で
きる。

【００３８】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について、図面を参照しながら説明する。図５は本発明
の第５の実施例における高周波半導体装置の側断面図で
ある。

【００３９】図５において、１は第１の誘電体２の下面
に設けられた第１の接地導体、９、１０はそれぞれ第１
の誘電体２上に一定の間隔に平行に設けた第３及び第４
の中心導体、１１は第３及び第４の中心導体より一定距
離上方にフリップチップ方式の実装によって設け、第１
のオーバーレイ導体とする導体である。

【００４０】なお、第１の誘電体２上には、分布結合平
行線路となる第３の中心導体９と第４の中心導体１０を
一定の間隔をあけて平行に設けると共に、その両側には
所定の間隔をあけて、お互いに影響のでないようにし
て、バンプ７を設け、フリップチップ方式の実装によっ
てオーバーレイ導体１１を設置してある。

【００４１】第３及び第４の中心導体９、１０は、所望
の線路幅で伝送路の長さ方向に形成する。

【００４２】バンプ７の高さを変えることによりオーバ
ーレイ導体１１による影響が変化するため、第３及び第
４の中心導体９、１０で構成される分布結合平行線路は
結合度を容易に調整することができ、分布結合線路とオ
ーバーレイ導体１１の間のオーバーレイ誘電体は空気で
あるので低損失である。

【００４３】なお、第１の接地導体１は半導体基板に蒸
着した金属や不純物注入量の高いシリコン基板などを用
いて構成できる。

【００４４】また例えば、第１の誘電体２としてはガリ
ウム砒素を用いてもよい。なお、本実施例において第１
のオーバーレイ導体１１を分布結合平行線路に近づける
際に、第１のオーバーレイ導体１１と分布結合平行線路
が接触しないならバンプ７を用いなくても良い。

【００４５】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について図面を参照しながら説明する。図６は本発明の
第６の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００４６】図６において、図５の構成と異なる点は、
第３の誘電体１２上に、第２のオーバーレイ導体１３を
設け、第３、第４の中心導体９、１０と、第２のオーバ
ーレイ導体１３が面するようにフリップチップ実装した
点である。

【００４７】第２のオーバーレイ導体１３は、第３及び
第４の中心導体９、１０の上方にこれを覆うように形成
され、バンプ７の高さを変えたり、オーバーレイ導体１
３の面積、位置を変えることで、結合度を調整すること
ができる。

【００４８】なお、第２のオーバーレイ導体１３を設け
ず、第３の誘電体のみをフリップチップ方式で実装する
ことでも、第３、第４の中心導体９、１０の結合度を高
めることができる。また、この場合はバンプ７を用いな
くても良い。

【００４９】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図７は本発明の第
７の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００５０】図７において、１４は第１の誘電体２上に
設けられた導体、１８は導体１４を第３のオーバーレイ
導体とし、当該オーバーレイ導体１８より一定距離上方
にフリップチップ方式の実装によって設けられた導体、
１７は導体１８を第３の接地導体として、当該第３の接
地導体１８の第１の誘電体２に面する側に積層した第２
の誘電体膜、１５、１６は第２の誘電体膜１７上の第３
のオーバーレイ導体１８上方に、一定の間隔をあけて並
行に設けられた第５及び第６の中心導体である。

【００５１】なお、第１の誘電体２上には、第３のオー
バーレイ導体１４を設け、その両側には所定の間隔をあ
けて、お互いに影響のでないようにして、バンプ７を設
け、フリップチップ方式の実装によって第３の接地導体
１８を設置し、前記第３の接地導体１８の第３のオーバ
ーレイ導体１４に面した側に、第２の誘電体膜１７を積
層し、前記第２の誘電体膜１７上の第３のオーバーレイ
導体１４の上方に一定の間隔をあけて第５及び第６の中
心導体１５、１６を設け、これを分布結合平行線路とし
ている。

【００５２】以上の構成によれば、第５及び第６の中心
導体１５、１６で構成される分布結合平行線路は、第６
の実施例と同様に、バンプ７の高さを変えたり、オーバ
ーレイ導体１４の面積、位置を変えることで、結合度を
調整することができる。

【００５３】また例えば、第１の誘電体２、第２の誘電
体膜１７としてはガリウム砒素あるいは、シリコン窒化
膜、シリコン酸化膜を用いてもよい。

【００５４】（実施例８）以下、本発明の第８の実施例
について図面を参照しながら説明する。図８は本発明の
第８の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００５５】図８はマイクロストリップ線路とスロット
線路間の変換を行うもので、図８において、２は第１の
誘電体、７はバンプ、１９は第４の接地導体、２０は第
７の中心導体、２１は第３の誘電体膜、２２は第５の接
地導体である。

【００５６】第１の誘電体２上には、一定の間隔をあけ
て第４の接地導体１９を設けると共に、その上には所定
の間隔をあけて、前記第４の接地導体１９にあけた間隔
に影響のでないようにして、バンプ７を設け、フリップ
チップ方式の実装によって第５の接地導体２２を設置
し、この第５の接地導体２２の第４の接地導体１９に面
した側に、第３の誘電体膜２１を積層し、この第３の誘
電体膜２１上の第４の接地導体１９にあけた間隔の上方
に第７の中心導体２０を設け、第４の接地導体１９にあ
けた間隔をスロット線路、第７の中心導体２０をマイク
ロストリップ線路として、この２つの線路の結合部を構
成する。

【００５７】第７の中心導体２０と第４の接地導体１９
で構成される結合部は、バンプ７の高さを変えたり、交
差角を変えることで、結合度を調整することができる。

【００５８】（実施例９）以下本発明の第９の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図９は本発明の第
９の実施例における高周波半導体装置の側断面図であ
る。

【００５９】本実施例もマイクロストリップ線路とスロ
ット線路変換回路を示したもので、図８に示した第８の
実施例と異なるのは、スロット線路をフリップチップ方
式の実装により構成した点である。図９において、１は
第１の接地導体、２は第１の誘電体、７はバンプ、２３
は第８の中心導体、２４は第６の接地導体、２５は第４
の誘電体とする。

【００６０】下面に第１の接地導体１を有する第１の誘
電体２上には、第８の中心導体２３を設けると共に、そ
の両側には所定の間隔をあけて、お互いに影響のでない
ようにして、バンプ７を設け、フリップチップ方式の実
装によって第４の誘電体２５を設置し、この第４の誘電
体２５の第８の中心導体２３に面した側に、第８の中心
導体２３と交差するように一定の間隔をあけて第６の接
地導体２４を設け、これをマイクロストリップ線路とス
ロット線路の結合部とする。

【００６１】第８の中心導体２３と第６の接地導体２４
で構成される結合部は、適宜バンプ７の高さを変えた
り、交差角を変えることで、結合度を調整することがで
きる。

【００６２】

【発明の効果】以上のように本発明は、結合線路の２導
体、結合線路とオーバーレイ導体、あるいはマイクロス
トリップ線路とスロット線路をそれぞれ独立して構成す
ることで、設計の自由度が増加し、結合度の調整が容易
で低損失など、優れた性能を有する高周波半導体装置を
構成するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における高周波半導体装
置の一部切り欠き斜視、及び同側断面図

【図２】本発明の第２の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図３】本発明の第３の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図４】本発明の第４の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図５】本発明の第５の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図６】本発明の第６の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図７】本発明の第７の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図８】本発明の第８の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図９】本発明の第９の実施例における高周波半導体装
置の側断面図

【図１０】従来の伝送線路の側断面図

【図１１】従来の伝送線路の側断面図

【図１２】従来の伝送線路の側断面図

【符号の説明】

１第１の接地導体２第１の誘電体３第１の中心導体４第２の中心導体５第２の接地導体６第１の誘電体膜７バンプ８第２の誘電体９第３の中心導体１０第４の中心導体１１第１のオーバーレイ導体１２第３の誘電体１３第２のオーバーレイ導体１４第３のオーバーレイ導体１５第５の中心導体１６第６の中心導体１７第２の誘電体膜１８第３の接地導体１９第４の接地導体２０第７の中心導体２１第３の誘電体膜２２第５の接地導体２３第８の中心導体２４第６の接地導体２５第４の誘電体１０１接地導体１０２誘電体基板１０３平行結合線路１０４平行結合線路１０５接地導体１０６オーバーレイ誘電体１０７導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の誘電体の下面に設けられた第１の
接地導体と、前記第１の誘電体上に設けられた第１の中
心導体と、前記第１の中心導体より一定距離上方にフリ
ップチップ方式の実装によって設けられた導体と、前記
導体を第２の接地導体として、前記第１の誘電体に面し
た側に積層した第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜
上の前記第１の中心導体の上方に設けられた第２の中心
導体とを具備した高周波半導体装置。
【請求項２】第１の誘電体の下面に設けられた第１の
接地導体と、前記第１の誘電体上に設けられた第１の中
心導体と、前記第１の中心導体より一定距離上方にフリ
ップチップ方式の実装によって設けられた誘電体と、前
記誘電体を第２の誘電体として、前記第１の誘電体に面
した側の前記第１の中心導体の上方に設けられた第２の
中心導体とを具備する高周波半導体装置。
【請求項３】第１の中心導体と第２の中心導体の線路
幅を変えることを特徴とした請求項１、若しくは請求項
２いずれか記載の高周波半導体装置。
【請求項４】第１の中心導体の斜め上方に第２の中心
導体を設けることを特徴とした請求項１、若しくは請求
項２いずれか記載の高周波半導体装置。
【請求項５】第１の誘電体の下面に設けられた第１の
接地導体と、前記第１の誘電体上に一定の間隔に平行に
設けた第３及び第４の中心導体と、前記第３及び第４の
中心導体より一定距離上方にフリップチップ方式の実装
によって設け、第１のオーバーレイ導体とする導体とを
具備した高周波半導体装置。
【請求項６】第１の誘電体の下面に設けられた第１の
接地導体と、前記第１の誘電体上に一定の間隔に平行に
設けられた第３及び第４の中心導体と、前記第３及び第
４の中心導体より一定距離上方にフリップチップ方式の
実装によって設けられた誘電体と、前記誘電体を第３の
誘電体として、前記第３の誘電体上の前記第３及び第４
の中心導体の上方に面する側に設けられ、第２のオーバ
ーレイ導体とする導体とを具備する高周波半導体装置。
【請求項７】第１の誘電体上に設けられた導体と、前
記導体を第３のオーバーレイ導体とし、前記第３のオー
バーレイ導体より一定距離上方にフリップチップ方式の
実装によって設けられた導体と、前記導体を第３の接地
導体として、前記第３の接地導体の前記第１の誘電体に
面する側に積層した第２の誘電体膜と、前記第２の誘電
体膜上の前記第３のオーバーレイ導体上方に、一定の間
隔をあけて並行に設けられた第５及び第６の中心導体と
を具備する高周波半導体装置。
【請求項８】第１の誘電体上に一定の間隔に設けられ
た導体と、前記導体を第４の接地導体としたスロットラ
イン構造とし、前記第４の接地導体より一定距離上方に
フリップチップ方式の実装によって設けられた導体と、
前記導体を第５の接地導体として、前記第４の接地導体
に面した側に積層した第３の誘電体膜と、前記第３の誘
電体膜上の前記第４の接地導体に面した側に設けられた
第７の中心導体とを具備する高周波半導体装置。
【請求項９】第１の誘電体の下面に設けられた第１の
接地導体と、前記第１の誘電体上に設けられた第８の中
心導体と、前記第８の中心導体より一定距離上方にフリ
ップチップ方式の実装によって設けられた誘電体と、前
記誘電体を第４の誘電体として、前記第８の中心導体に
面した側に一定の間隔に設けられた第６の接地導体とを
具備する高周波半導体装置。
【請求項１０】第１の誘電体とフリップチップ方式で
実装される導体または誘電体とで囲まれる空間に誘電体
材料を満たしたことを特徴とした請求項１、２、３、
４、５、６、７、８、若しくは請求項９いずれか記載の
高周波半導体装置。
【請求項１１】第１の接地導体として、不純物注入量
の高いシリコン基板を用いることを特徴とした請求項
１、２、３、４、５、６、若しくは請求項９いずれか記
載の高周波半導体装置。
【請求項１２】誘電体膜として、シリコン窒化膜また
はシリコン酸化膜を用いることを特徴とした請求項１、
３、４、７、若しくは請求項８いずれか記載の高周波半
導体装置。
【請求項１３】誘電体として、ガリウム砒素を用いる
ことを特徴とした請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、若しくは請求項９いずれか記載の高周波半導体装
置。