JPH07183170A - チップ状固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ状固体電解コンデンサInfo
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- JPH07183170A JPH07183170A JP32829993A JP32829993A JPH07183170A JP H07183170 A JPH07183170 A JP H07183170A JP 32829993 A JP32829993 A JP 32829993A JP 32829993 A JP32829993 A JP 32829993A JP H07183170 A JPH07183170 A JP H07183170A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿性能が良好なチップ状固体電解コンデン
サを提供する。 【構成】 平板状の陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜、
半導体層及び導電体層が形成されたコンデンサ素子の陽
極部が、リードフレームの凸部の先端部に設けられた切
り欠き部の残部に接続されている。
サを提供する。 【構成】 平板状の陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜、
半導体層及び導電体層が形成されたコンデンサ素子の陽
極部が、リードフレームの凸部の先端部に設けられた切
り欠き部の残部に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ状固体電解コンデ
ンサに関する。
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ状固体電解コンデンサは、
図４及び図５に示すように表面に誘電体酸化皮膜層２を
有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属
からなる平板状の陽極基体１の表面に陽極部となる一部
を除いて半導体層３及び導電体層４を順次積層した固体
電解コンデンサ素子５（以下コンデンサ素子と称する）
を形成し、次いでこのコンデンサ素子５をリードフレー
ム６に接続するが、リードフレーム６の２ヶ所の凸部６
ａ、６ｂを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部６
ａ、６ｂに前記コンデンサ素子５の陽極部７と導電体層
形成部８を載置している。
図４及び図５に示すように表面に誘電体酸化皮膜層２を
有するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属
からなる平板状の陽極基体１の表面に陽極部となる一部
を除いて半導体層３及び導電体層４を順次積層した固体
電解コンデンサ素子５（以下コンデンサ素子と称する）
を形成し、次いでこのコンデンサ素子５をリードフレー
ム６に接続するが、リードフレーム６の２ヶ所の凸部６
ａ、６ｂを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部６
ａ、６ｂに前記コンデンサ素子５の陽極部７と導電体層
形成部８を載置している。
【０００３】そして前者は熔接９などで、後者は銀ペー
スト等の導電材１０でリードフレーム６の凸部６ａ、６
ｂに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂で封止
して、チップ状固体電解コンデンサが構成されている。
そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容量等の電
気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テスト、耐
湿テスト等の抜き取り検査が合格したものを製品として
いる。
スト等の導電材１０でリードフレーム６の凸部６ａ、６
ｂに電気的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂で封止
して、チップ状固体電解コンデンサが構成されている。
そしてこの封口した固体電解コンデンサは、容量等の電
気性能を満たすことが要求され、さらに負荷テスト、耐
湿テスト等の抜き取り検査が合格したものを製品として
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したコンデンサ素
子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入
し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近
し、作製したコンデンサの容量並びにｔａｎδ値を上昇
させるという欠点があった。このような欠点を防ぐため
に、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えら
れているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があっ
た。
子は、耐湿テスト時、湿気がリードフレームから進入
し、コンデンサ素子の誘電体酸化皮膜層近くまで接近
し、作製したコンデンサの容量並びにｔａｎδ値を上昇
させるという欠点があった。このような欠点を防ぐため
に、コンデンサ素子を耐水性の樹脂で覆うことが考えら
れているが、作業性が悪く、またコスト上の問題があっ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
陽極部と導電体層形成部を有する固体電解コンデンサ素
子の前記陽極部と導電体層形成部の一方の面とが一対の
対向して配置された凸部を有するリードフレームの前記
凸部にそれぞれ載置して接合されているチップ状固体電
解コンデンサにおいて、前記リードフレームの陽極部が
載置される側の凸部の先端部に切り欠き部が設けられて
おり、残部に前記コンデンサ素子の陽極部が載置接合さ
れているチップ状固体電解コンデンサにある。
点を解決するためになされたものであって、その要旨は
陽極部と導電体層形成部を有する固体電解コンデンサ素
子の前記陽極部と導電体層形成部の一方の面とが一対の
対向して配置された凸部を有するリードフレームの前記
凸部にそれぞれ載置して接合されているチップ状固体電
解コンデンサにおいて、前記リードフレームの陽極部が
載置される側の凸部の先端部に切り欠き部が設けられて
おり、残部に前記コンデンサ素子の陽極部が載置接合さ
れているチップ状固体電解コンデンサにある。
【０００６】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明において固体電解コンデンサの陽極として用いられ
る弁作用を有する陽極基体としては、例えばアルミニウ
ム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できる。そして陽極基体の
形状としては、平板状のアルミニウムの箔や板があげら
れる。陽極基体の表面に設ける誘電体酸化皮膜層は、弁
作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸化
物層であってもよく、或は、弁作用金属箔の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。
発明において固体電解コンデンサの陽極として用いられ
る弁作用を有する陽極基体としては、例えばアルミニウ
ム、タンタル、及びこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できる。そして陽極基体の
形状としては、平板状のアルミニウムの箔や板があげら
れる。陽極基体の表面に設ける誘電体酸化皮膜層は、弁
作用金属の表面部分に設けられた弁作用金属自体の酸化
物層であってもよく、或は、弁作用金属箔の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物の層であってもよいが、特に
弁作用金属自体の酸化物からなる層であることが望まし
い。
【０００７】本発明では、表面に誘電体酸化皮膜層が形
成された平板状の陽極基体の端部の一区画に陽極部が設
けられており、陽極部とした以外の残りの誘電体酸化皮
膜層上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類
には特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用でき
る。この中でとりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛
と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２−２５６４２３
号公報、特開昭６３−５１６２１号公報）が、作製した
固体電解コンデンサの高周波性能が良好なために好まし
い。また、テトラチオテトラセンとクロラニルの錯体を
半導体層として形成させる方法（特開昭６２−２９１２
３号公報）、複素５員環高分子化合物にドーパントをド
ープした電導性高分子化合物からなる半導体層（特開昭
６０−３７１１４号公報）もその一例である。そしてこ
のような半導体層上には、例えばカーボンペースト及び
／又は銀ペースト等の従来公知の導電ペーストを積層し
て導電体層を形成して導電体層形成部を構成している。
成された平板状の陽極基体の端部の一区画に陽極部が設
けられており、陽極部とした以外の残りの誘電体酸化皮
膜層上に半導体層を形成させているが、半導体層の種類
には特に制限はなく、従来公知の半導体層が使用でき
る。この中でとりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛
と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２−２５６４２３
号公報、特開昭６３−５１６２１号公報）が、作製した
固体電解コンデンサの高周波性能が良好なために好まし
い。また、テトラチオテトラセンとクロラニルの錯体を
半導体層として形成させる方法（特開昭６２−２９１２
３号公報）、複素５員環高分子化合物にドーパントをド
ープした電導性高分子化合物からなる半導体層（特開昭
６０−３７１１４号公報）もその一例である。そしてこ
のような半導体層上には、例えばカーボンペースト及び
／又は銀ペースト等の従来公知の導電ペーストを積層し
て導電体層を形成して導電体層形成部を構成している。
【０００８】また本発明においては、前述した陽極部と
導電体層形成部との界面に絶縁性樹脂によってはち巻き
状に樹脂層部をあらかじめ形成しておくと半導体層を形
成するときに半導体層の形成面積が一定しバラツキの少
ない容量のものが得られる。次に、このように導電体層
まで形成されたコンデンサ素子を一対の対向して配置さ
れたリードフレームに接続する方法を説明する。図１
は、固体電解コンデンサ素子５をリードフレーム６に接
続した状態を示す平面図である。図１において、陽極基
体１の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されており、そ
の上に半導体層３、さらにその上に導電体層４が形成さ
れた固体電解コンデンサ素子５の陽極部７と導電体層形
成部８とがリードフレーム６の各凸部６ａ、６ｂに各々
載置接合されているが、陽極部７はリードフレームの凸
部６ａの先端部に切り欠き部１１を設け、残部１２に載
置接合されている。図２は、図１の断面図である。
導電体層形成部との界面に絶縁性樹脂によってはち巻き
状に樹脂層部をあらかじめ形成しておくと半導体層を形
成するときに半導体層の形成面積が一定しバラツキの少
ない容量のものが得られる。次に、このように導電体層
まで形成されたコンデンサ素子を一対の対向して配置さ
れたリードフレームに接続する方法を説明する。図１
は、固体電解コンデンサ素子５をリードフレーム６に接
続した状態を示す平面図である。図１において、陽極基
体１の表面に誘電体酸化皮膜層２が形成されており、そ
の上に半導体層３、さらにその上に導電体層４が形成さ
れた固体電解コンデンサ素子５の陽極部７と導電体層形
成部８とがリードフレーム６の各凸部６ａ、６ｂに各々
載置接合されているが、陽極部７はリードフレームの凸
部６ａの先端部に切り欠き部１１を設け、残部１２に載
置接合されている。図２は、図１の断面図である。
【０００９】本願発明において、リードフレームの陽極
部が載置される側の凸部の先端部に切り欠き部を設けた
のは、陽極部側からの湿気の進入が、導電体層形成部側
からよりも多く切り欠き部を設ける効果が大きいからで
ある。従って、必要に応じて導電体層形成部が載置され
る側のリードフレーム凸部の先端部にも切り欠き部を設
けてもよいことはいうまでもない。
部が載置される側の凸部の先端部に切り欠き部を設けた
のは、陽極部側からの湿気の進入が、導電体層形成部側
からよりも多く切り欠き部を設ける効果が大きいからで
ある。従って、必要に応じて導電体層形成部が載置され
る側のリードフレーム凸部の先端部にも切り欠き部を設
けてもよいことはいうまでもない。
【００１０】リードフレームの凸部６ａの先端部に設け
られる切り欠き部１１の形状及び寸法は固体電解コンデ
ンサ素子５の寸法、陽極部７の寸法、リードフレームの
凸部の寸法等によって変化するので一概に決定できない
が、後述する封止後に、外部からの湿気の進入を緩和さ
せるために、切り欠き部１１を設けた後の残部１２の形
状、寸法を可能なかぎり小さくすることと、残部１２を
小さくすることによる陽極部接続の不良発生という背反
することとの両者を充分に吟味して設計することが肝要
である。図３にリードフレームの凸部６ａの先端部に設
けた切り欠き部１１の形状の４例を示したが、本願発明
はこれらに限定されるものではない。図３において、コ
ンデンサ素子５の陽極部７は、切り欠き部を設けた後の
残部１２に載置される。リードフレーム凸部６ａに設け
る切り欠き部の個数は複数個であってもよい。
られる切り欠き部１１の形状及び寸法は固体電解コンデ
ンサ素子５の寸法、陽極部７の寸法、リードフレームの
凸部の寸法等によって変化するので一概に決定できない
が、後述する封止後に、外部からの湿気の進入を緩和さ
せるために、切り欠き部１１を設けた後の残部１２の形
状、寸法を可能なかぎり小さくすることと、残部１２を
小さくすることによる陽極部接続の不良発生という背反
することとの両者を充分に吟味して設計することが肝要
である。図３にリードフレームの凸部６ａの先端部に設
けた切り欠き部１１の形状の４例を示したが、本願発明
はこれらに限定されるものではない。図３において、コ
ンデンサ素子５の陽極部７は、切り欠き部を設けた後の
残部１２に載置される。リードフレーム凸部６ａに設け
る切り欠き部の個数は複数個であってもよい。
【００１１】このようにしてリードフレームに載置され
たコンデンサ素子は、陽極部は熔接、導電ペースト、半
田等で接続し、一方導電体層形成部は導電ペースト、半
田等で接続した後、リードフレームの一部を残して、エ
ポキシ樹脂等の外装樹脂１３により、トランスファー成
形機などで封止成形を行った後、リードフレームの凸部
をコンデンサ素子の近辺で切断してチップ状の固体電解
コンデンサとしている。
たコンデンサ素子は、陽極部は熔接、導電ペースト、半
田等で接続し、一方導電体層形成部は導電ペースト、半
田等で接続した後、リードフレームの一部を残して、エ
ポキシ樹脂等の外装樹脂１３により、トランスファー成
形機などで封止成形を行った後、リードフレームの凸部
をコンデンサ素子の近辺で切断してチップ状の固体電解
コンデンサとしている。
【００１２】
【作用】コンデンサ素子の陽極部と、リードフレームと
の接続をリードフレームの凸部の先端部に設けた切り欠
き部の残部で行っているので、リードフレームを介し
て、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和され
る。
の接続をリードフレームの凸部の先端部に設けた切り欠
き部の残部で行っているので、リードフレームを介し
て、湿気が誘電体酸化皮膜層に進入することが緩和され
る。
【００１３】
【実施例】以下、実施例および比較例を示して本発明を
さらに詳しく説明する。 実施例１〜４ りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した４５μＦ／ｃｍ2 のア
ルミニウムエッチング箔（以下、化成箔と称する。）の
小片４ｍｍ×３ｍｍを用意した。この化成箔の端から１
ｍｍ×３ｍｍの部分を陽極部とし、残りの３ｍｍ×３ｍ
ｍの部分を酢酸鉛三水和物２．４モル／ｌ水溶液と過硫
酸アンモニウム４．０モル／ｌ水溶液の混合液に浸漬
し、６０℃で２０分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる
半導体層を形成した。このような操作を３回行った後、
半導体層上にカーボンペーストおよび銀ペーストを順に
積層して導電体層を形成し、コンデンサ素子を作製し
た。一方別に用意したリードフレーム（材質４２アロ
イ、半田メッキ、厚み０．１ｍｍ、凸部の寸法：幅３．
０ｍｍ、凸部の先端間隔０．５ｍｍ）の一方の凸部先端
に表１に示した寸法の切り欠き部を設け、残部にコンデ
ンサ素子の陽極部を載置し、他方の凸部にコンデンサ素
子の導電体層形成部の一方の面を載置し、前者は熔接
で、後者は銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹
脂を用いてトランスファー成形して外形寸法７ｍｍ×４
ｍｍ×３ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製し
た。
さらに詳しく説明する。 実施例１〜４ りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した４５μＦ／ｃｍ2 のア
ルミニウムエッチング箔（以下、化成箔と称する。）の
小片４ｍｍ×３ｍｍを用意した。この化成箔の端から１
ｍｍ×３ｍｍの部分を陽極部とし、残りの３ｍｍ×３ｍ
ｍの部分を酢酸鉛三水和物２．４モル／ｌ水溶液と過硫
酸アンモニウム４．０モル／ｌ水溶液の混合液に浸漬
し、６０℃で２０分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる
半導体層を形成した。このような操作を３回行った後、
半導体層上にカーボンペーストおよび銀ペーストを順に
積層して導電体層を形成し、コンデンサ素子を作製し
た。一方別に用意したリードフレーム（材質４２アロ
イ、半田メッキ、厚み０．１ｍｍ、凸部の寸法：幅３．
０ｍｍ、凸部の先端間隔０．５ｍｍ）の一方の凸部先端
に表１に示した寸法の切り欠き部を設け、残部にコンデ
ンサ素子の陽極部を載置し、他方の凸部にコンデンサ素
子の導電体層形成部の一方の面を載置し、前者は熔接
で、後者は銀ペーストで接続した。その後、エポキシ樹
脂を用いてトランスファー成形して外形寸法７ｍｍ×４
ｍｍ×３ｍｍのチップ状固体電解コンデンサを作製し
た。
【００１４】実施例５〜８ 実施例１〜４で、半導体層を酢酸鉛三水和物２．０モル
／ｌ水溶液に化成箔を浸漬して、別に用意した白金陰極
との間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は、
実施例１〜４と同様にしてチップ状固体電解コンデンサ
をそれぞれ作製した。
／ｌ水溶液に化成箔を浸漬して、別に用意した白金陰極
との間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は、
実施例１〜４と同様にしてチップ状固体電解コンデンサ
をそれぞれ作製した。
【００１５】比較例１ 実施例１で、リードフレームに切り欠き部を設けずにコ
ンデンサ素子の陽極部をリードフレームの凸部に載置接
続した以外は実施例１と同様にしてチップ状固体電解コ
ンデンサを作製した。以上のように作製した直後の固体
電解コンデンサの性能及び８５℃、８５％ＲＨの耐湿テ
ストを２００時間行った後のコンデンサの性能を表２に
示した。なお、各実施例又は比較例は全数値ｎ＝５０点
の平均値である。
ンデンサ素子の陽極部をリードフレームの凸部に載置接
続した以外は実施例１と同様にしてチップ状固体電解コ
ンデンサを作製した。以上のように作製した直後の固体
電解コンデンサの性能及び８５℃、８５％ＲＨの耐湿テ
ストを２００時間行った後のコンデンサの性能を表２に
示した。なお、各実施例又は比較例は全数値ｎ＝５０点
の平均値である。
【００１６】なお、これまで単層の固体電解コンデンサ
を例にとって本発明の内容を具体的に説明してきたが、
本発明は積層の固体電解コンデンサにも適用できること
はいうまでもない。
を例にとって本発明の内容を具体的に説明してきたが、
本発明は積層の固体電解コンデンサにも適用できること
はいうまでもない。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明のチップ状固体電解コンデンサ
は、コンデンサ素子の陽極部をリードフレームの凸部の
先端部に切り欠き部を設け残部に接続させているため、
耐湿テスト後の容量とｔａｎδ値の上昇がおさえられ
る。
は、コンデンサ素子の陽極部をリードフレームの凸部の
先端部に切り欠き部を設け残部に接続させているため、
耐湿テスト後の容量とｔａｎδ値の上昇がおさえられ
る。
【図１】固体電解コンデンサ素子をリードフレームに接
続した状態を示す平面図である。
続した状態を示す平面図である。
【図２】固体電解コンデンサ素子をリードフレームに接
続した状態を示す断面図である。
続した状態を示す断面図である。
【図３】固体電解コンデンサ素子をリードフレームに接
続した状態を示す他例の断面図である。
続した状態を示す他例の断面図である。
【図４】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す平面図である。
レームに載置した状態を示す平面図である。
【図５】従来のチップ状固体電解コンデンサをリードフ
レームに載置した状態を示す断面図である。
レームに載置した状態を示す断面図である。
１ 陽極基体 ２ 誘電体酸化皮膜層 ３ 半導体層 ４ 導電体層 ５ 固体電解コンデンサ素子 ６ａ リードフレームの陽極部が載置される側の凸部 ６ｂ リードフレームの導電体層形成部が載置される側
の凸部 ７ 陽極部 ８ 導電体層形成部 ９ 熔接 １０ 導電材 １１ 切り欠き部 １２ 残部 １３ 外装樹脂
の凸部 ７ 陽極部 ８ 導電体層形成部 ９ 熔接 １０ 導電材 １１ 切り欠き部 １２ 残部 １３ 外装樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極部と導電体層形成部を有する固体電
解コンデンサ素子の前記陽極部と導電体層形成部の一方
の面とが一対の対向して配置された凸部を有するリード
フレームの前記凸部にそれぞれ載置して接合されている
チップ状固体電解コンデンサにおいて、前記リードフレ
ームの陽極部が載置される側の凸部の先端部に切り欠き
部が設けられており、残部に前記コンデンサ素子の陽極
部が載置接合されていることを特徴とするチップ状固体
電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32829993A JP3433490B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | チップ状固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32829993A JP3433490B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | チップ状固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183170A true JPH07183170A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3433490B2 JP3433490B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=18208681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32829993A Expired - Lifetime JP3433490B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | チップ状固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433490B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287723A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Nec Tokin Corp | 積層型コンデンサ |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32829993A patent/JP3433490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287723A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Nec Tokin Corp | 積層型コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3433490B2 (ja) | 2003-08-04 |
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