JPH07183096A - 高周波誘導熱プラズマ装置 - Google Patents
高周波誘導熱プラズマ装置Info
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- JPH07183096A JPH07183096A JP5227518A JP22751893A JPH07183096A JP H07183096 A JPH07183096 A JP H07183096A JP 5227518 A JP5227518 A JP 5227518A JP 22751893 A JP22751893 A JP 22751893A JP H07183096 A JPH07183096 A JP H07183096A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食性ガスによるガスリング先端部の腐食を
防止することができる高周波誘導熱プラズマ装置を実現
する。 【構成】 ３０はガスリング３の先端部に設けられたキ
ャップであり、キャップ３０は耐腐食性で熱良伝導体材
料、例えば金，ジルコニウムなどで形成されている。ま
たキャップ３０は薄肉構造となっており、その内側の一
部Ｓにはネジが切られており、ガスリングのベース部材
３１に対してネジ止めされている。キャップ３０とベー
ス部材３１との間は冷却媒体の通路３２となる。キャッ
プ部分は高温のプラズマに晒され、また、管２内に発生
した腐食性ガスにも晒されることになる。しかしなが
ら、キャップ３０は冷却媒体によって冷却され、さら
に、腐食性ガスによって腐食される溶接部分もないた
め、長期間使用しても溶融されたり腐食により穴が開い
たりすることはない。
防止することができる高周波誘導熱プラズマ装置を実現
する。 【構成】 ３０はガスリング３の先端部に設けられたキ
ャップであり、キャップ３０は耐腐食性で熱良伝導体材
料、例えば金，ジルコニウムなどで形成されている。ま
たキャップ３０は薄肉構造となっており、その内側の一
部Ｓにはネジが切られており、ガスリングのベース部材
３１に対してネジ止めされている。キャップ３０とベー
ス部材３１との間は冷却媒体の通路３２となる。キャッ
プ部分は高温のプラズマに晒され、また、管２内に発生
した腐食性ガスにも晒されることになる。しかしなが
ら、キャップ３０は冷却媒体によって冷却され、さら
に、腐食性ガスによって腐食される溶接部分もないた
め、長期間使用しても溶融されたり腐食により穴が開い
たりすることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、管内に適宜な圧力のガ
スを供給し、管の外側に配置した誘導コイルに高周波を
供給することにより管内にプラズマを発生させるように
した高周波誘導熱プラズマ装置に関する。
スを供給し、管の外側に配置した誘導コイルに高周波を
供給することにより管内にプラズマを発生させるように
した高周波誘導熱プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、例えば特開平３−９０１７２号
に開示されている高周波誘導プラズマ装置を用いたフロ
ンなどの有機ハロゲン化合物の分解処理装置を示してお
り、誘導プラズマトーチ１は、石英等の絶縁性物質で形
成された円筒状の管２、ガスリング３および管２の周囲
に巻回された誘導コイル４等によって構成されている。
ガスリング３には、リング状の溝５が穿たれており、そ
の溝５の外側にはリング状のプレート６が溶接される。
リング状のプレート６には、多数の微小孔７が穿たれて
おり、又、溝５は、ガスリング３内部に穿たれた孔８の
一端が接続されている。孔８の他端は、ガスリング３の
上部において、管９に接続されている。
に開示されている高周波誘導プラズマ装置を用いたフロ
ンなどの有機ハロゲン化合物の分解処理装置を示してお
り、誘導プラズマトーチ１は、石英等の絶縁性物質で形
成された円筒状の管２、ガスリング３および管２の周囲
に巻回された誘導コイル４等によって構成されている。
ガスリング３には、リング状の溝５が穿たれており、そ
の溝５の外側にはリング状のプレート６が溶接される。
リング状のプレート６には、多数の微小孔７が穿たれて
おり、又、溝５は、ガスリング３内部に穿たれた孔８の
一端が接続されている。孔８の他端は、ガスリング３の
上部において、管９に接続されている。
【０００３】管９は、途中で分岐しており、一方は第１
の容器１１０内部に、他方は、第２の容器１１１内部に
導入されている。第１の容器１１０内には、分解される
べきフロン１１３の如き液状の有機ハロゲン化合物１１
２が入れられている。第１の容器１１０内の有機ハロゲ
ン化合物の中には、キャリアガス供給管１１３の一端が
挿入されている。キャリアガス供給管１１３の他端は、
フローコントローラ１１４を介して、アルゴンガス源１
１５に接続されている。第２の容器１１１内には、水１
１６が入れられており、この水１１６の中には、キャリ
アガス供給管１１７の一端が挿入されている。キャリア
ガス供給管１１７の他端は、フローコントローラ１１８
を介してアルゴンガス源１１５に接続されている。
の容器１１０内部に、他方は、第２の容器１１１内部に
導入されている。第１の容器１１０内には、分解される
べきフロン１１３の如き液状の有機ハロゲン化合物１１
２が入れられている。第１の容器１１０内の有機ハロゲ
ン化合物の中には、キャリアガス供給管１１３の一端が
挿入されている。キャリアガス供給管１１３の他端は、
フローコントローラ１１４を介して、アルゴンガス源１
１５に接続されている。第２の容器１１１内には、水１
１６が入れられており、この水１１６の中には、キャリ
アガス供給管１１７の一端が挿入されている。キャリア
ガス供給管１１７の他端は、フローコントローラ１１８
を介してアルゴンガス源１１５に接続されている。
【０００４】管９の途中には、切換バブル１１９が設け
られている。切換バルブ１１９は、第１の容器１１０と
第２の容器１１１からのガスと、アルゴンガス源１４か
らのガスとを切換えてガスリング３に穿たれた孔８に導
くようにしている。アルゴンガス源１４からのガス流量
は、フローコントローラ１２１によって制御される。
られている。切換バルブ１１９は、第１の容器１１０と
第２の容器１１１からのガスと、アルゴンガス源１４か
らのガスとを切換えてガスリング３に穿たれた孔８に導
くようにしている。アルゴンガス源１４からのガス流量
は、フローコントローラ１２１によって制御される。
【０００５】プラズマトーチ１を構成する円筒状の管２
の下部には開口１２２が設けられており、この開口１２
２には排気管１２３が接続されている。排気管１２３
は、排気されるガスの中に含まれている粉末物質をトラ
ップするサイクロン１２４に接続されている。サイクロ
ン１２４を通過した排気ガスは、管１２５に導かれる
が、管１２５は、内部にアルカリ性水溶液、例えば、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）１６が入れられた容器１７内に
導入されている。容器１７の上部には、内部気体の排出
管１２８が設けられており、この排出管１２８は、内部
にアルカリ性固体、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）
１２９が入れられた容器１３０の下部につながれてい
る。容器１３０の上部には、内部の酸化カルシウム１２
９の間を通過した気体の排出管１３１が設けられてい
る。
の下部には開口１２２が設けられており、この開口１２
２には排気管１２３が接続されている。排気管１２３
は、排気されるガスの中に含まれている粉末物質をトラ
ップするサイクロン１２４に接続されている。サイクロ
ン１２４を通過した排気ガスは、管１２５に導かれる
が、管１２５は、内部にアルカリ性水溶液、例えば、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）１６が入れられた容器１７内に
導入されている。容器１７の上部には、内部気体の排出
管１２８が設けられており、この排出管１２８は、内部
にアルカリ性固体、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）
１２９が入れられた容器１３０の下部につながれてい
る。容器１３０の上部には、内部の酸化カルシウム１２
９の間を通過した気体の排出管１３１が設けられてい
る。
【０００６】このように構成された装置の動作を説明す
れば以下の通りである。装置の初期状態においては、管
９の途中に設けられた切換バルブ１１９を操作し、アル
ゴンガス源１４からのアルゴンガスがガスリング３の孔
８を介して溝５内に供給されるようにする。溝５へのア
ルゴンガスの供給により、アルゴンガスは、プレート６
に設けられた多数の微小孔７から円筒状の管２内部に噴
出される。この状態で、誘導コイル４に高周波を供給し
図示外の点火機構により、プラズマＰを着火する。
れば以下の通りである。装置の初期状態においては、管
９の途中に設けられた切換バルブ１１９を操作し、アル
ゴンガス源１４からのアルゴンガスがガスリング３の孔
８を介して溝５内に供給されるようにする。溝５へのア
ルゴンガスの供給により、アルゴンガスは、プレート６
に設けられた多数の微小孔７から円筒状の管２内部に噴
出される。この状態で、誘導コイル４に高周波を供給し
図示外の点火機構により、プラズマＰを着火する。
【０００７】その後、切換バルブ１１９を切換え、アル
ゴンガス源１４からのアルゴンガスに代え、第１の容器
１１０と第２の容器１１１からのガスがガスリング３の
孔８を介して溝５内に供給されるようにする。第１の容
器１１０においては、内部の有機ハロゲン化合物溶液１
１２中に、アルゴンガス源１１５に接続されているキャ
リアガス供給管１１３が挿入されており、有機ハロゲン
化合物１１２内に開放された管１１３の端部から、フロ
ーコントローラ１１４によって適宜な流量にされたアル
ゴンガスが噴出される。この結果、有機ハロゲン化合物
は、アルゴンガスのバブリングにより、蒸気となってガ
スの中に含まされ、第１の容器１１０内から管９の中に
排出される。また、第２の容器１１１においては、内部
の水１１６の中にアルゴンガス源１１５に接続されてい
るキャリアガス供給管１１７が挿入されており、水１１
６の中に開放された管１１７の端部から、フローコント
ローラ１１８によって適宜な流量にされたアルゴンガス
が噴出される。この結果、水は、アルゴンガスのバブリ
ングにより、蒸気となってガスの中に含まされ、第１の
容器１１１内から管９の中に排出される。
ゴンガス源１４からのアルゴンガスに代え、第１の容器
１１０と第２の容器１１１からのガスがガスリング３の
孔８を介して溝５内に供給されるようにする。第１の容
器１１０においては、内部の有機ハロゲン化合物溶液１
１２中に、アルゴンガス源１１５に接続されているキャ
リアガス供給管１１３が挿入されており、有機ハロゲン
化合物１１２内に開放された管１１３の端部から、フロ
ーコントローラ１１４によって適宜な流量にされたアル
ゴンガスが噴出される。この結果、有機ハロゲン化合物
は、アルゴンガスのバブリングにより、蒸気となってガ
スの中に含まされ、第１の容器１１０内から管９の中に
排出される。また、第２の容器１１１においては、内部
の水１１６の中にアルゴンガス源１１５に接続されてい
るキャリアガス供給管１１７が挿入されており、水１１
６の中に開放された管１１７の端部から、フローコント
ローラ１１８によって適宜な流量にされたアルゴンガス
が噴出される。この結果、水は、アルゴンガスのバブリ
ングにより、蒸気となってガスの中に含まされ、第１の
容器１１１内から管９の中に排出される。
【０００８】管９の途中の分岐部Ｊで有機ハロゲン化合
物の蒸気を含んだアルゴンガスと、水蒸気を含んだアル
ゴンガスは混合され、混合ガスは、ガスリング３の孔８
を介して溝５中に導入される。混合ガスは、溝５から、
プレート６に設けられた多数の微小孔７を通って管２内
に噴き出され、プラズマフレームＰ中に導入される。こ
のとき、プラズマの温度は１万度〜１万５千度になって
おり、プラズマフレームＰ中に導入された有機ハロゲン
化合物及び水は、高温により高い効率で分解して下記に
示す化学反応をする。
物の蒸気を含んだアルゴンガスと、水蒸気を含んだアル
ゴンガスは混合され、混合ガスは、ガスリング３の孔８
を介して溝５中に導入される。混合ガスは、溝５から、
プレート６に設けられた多数の微小孔７を通って管２内
に噴き出され、プラズマフレームＰ中に導入される。こ
のとき、プラズマの温度は１万度〜１万５千度になって
おり、プラズマフレームＰ中に導入された有機ハロゲン
化合物及び水は、高温により高い効率で分解して下記に
示す化学反応をする。
【０００９】有機ハロゲン化合物としてトリクロロフル
オロメタン（フロン−１１…ＣＣｌ 3 Ｆ）をプラズマ中
で分解させた場合、水との間で、次の反応が生じる。 ＣＣｌ3 Ｆ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ＋ＨＦ 分解された分子を含む排出ガスは、管２の底部の開口１
２２から排出管１２３を通って、サイクロン１２４内に
導かれる。このとき、フロン−１１に比べて水が少ない
と過剰の炭素を生じるが、このサイクロン１２４内で、
排出ガス中に含まれている炭素等の微粉末はトラップさ
れる。サイクロン１２４を通ったガスは、管１２５から
容器１７の内部の水酸化カリウム水溶液１６中に導入さ
れる。この溶液１６中に排出ガスを通すことによって、
ＨＣｌ，ＨＦ等の酸を含む排出ガスは中和される。中和
されたガスは、容器１２６の底部から排出管１２８を通
って、容器１３０内部に導入され、容器１３０内部の酸
化カルシウム１２９によって脱水される。脱水されたガ
スは、安定な、環境に影響をほとんど与えない化合物で
あり、適宜大気中に放出される。
オロメタン（フロン−１１…ＣＣｌ 3 Ｆ）をプラズマ中
で分解させた場合、水との間で、次の反応が生じる。 ＣＣｌ3 Ｆ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ＋ＨＦ 分解された分子を含む排出ガスは、管２の底部の開口１
２２から排出管１２３を通って、サイクロン１２４内に
導かれる。このとき、フロン−１１に比べて水が少ない
と過剰の炭素を生じるが、このサイクロン１２４内で、
排出ガス中に含まれている炭素等の微粉末はトラップさ
れる。サイクロン１２４を通ったガスは、管１２５から
容器１７の内部の水酸化カリウム水溶液１６中に導入さ
れる。この溶液１６中に排出ガスを通すことによって、
ＨＣｌ，ＨＦ等の酸を含む排出ガスは中和される。中和
されたガスは、容器１２６の底部から排出管１２８を通
って、容器１３０内部に導入され、容器１３０内部の酸
化カルシウム１２９によって脱水される。脱水されたガ
スは、安定な、環境に影響をほとんど与えない化合物で
あり、適宜大気中に放出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この様な高周波誘導熱
プラズマ装置では、ガスリング３の先端が高温のプラズ
マに接していることから、先端部が溶融しないにように
冷却するため、ガスリング内部に冷却媒体の循環路を設
けることが特開平３−８９４９９号に提案されている。
冷却媒体の循環路は、通常、ガスリング先端部において
構成要素を溶接して形成される。しかしながら、この構
造でプラズマを発生させ、フロンを供給して分解させる
と、高温の腐食性ガスが発生し、この腐食性ガスにより
溶接部分が腐食し、この部分に穴が開いて冷却媒体がプ
ラズマ中に流れ込みプラズマを消してしまう問題を発生
させる。
プラズマ装置では、ガスリング３の先端が高温のプラズ
マに接していることから、先端部が溶融しないにように
冷却するため、ガスリング内部に冷却媒体の循環路を設
けることが特開平３−８９４９９号に提案されている。
冷却媒体の循環路は、通常、ガスリング先端部において
構成要素を溶接して形成される。しかしながら、この構
造でプラズマを発生させ、フロンを供給して分解させる
と、高温の腐食性ガスが発生し、この腐食性ガスにより
溶接部分が腐食し、この部分に穴が開いて冷却媒体がプ
ラズマ中に流れ込みプラズマを消してしまう問題を発生
させる。
【００１１】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、腐食性ガスによるガスリング先端
部の腐食を防止することができる高周波誘導熱プラズマ
装置を実現するにある。
もので、その目的は、腐食性ガスによるガスリング先端
部の腐食を防止することができる高周波誘導熱プラズマ
装置を実現するにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく高周波誘
導熱プラズマ装置は、絶縁性物質で形成された管と、管
の一端に設けられプラズマガスを管内に供給するための
ガスリングと、管の外側に配置された高周波誘導コイル
とを備え、管内でプラズマを発生させるようにした高周
波誘導熱プラズマ装置において、ガスリングの先端部分
に耐腐食性で熱良導体の物質で形成されたキャップを捩
子止めし、該キャップ内に冷却媒体を供給するように構
成したことを特徴としている。
導熱プラズマ装置は、絶縁性物質で形成された管と、管
の一端に設けられプラズマガスを管内に供給するための
ガスリングと、管の外側に配置された高周波誘導コイル
とを備え、管内でプラズマを発生させるようにした高周
波誘導熱プラズマ装置において、ガスリングの先端部分
に耐腐食性で熱良導体の物質で形成されたキャップを捩
子止めし、該キャップ内に冷却媒体を供給するように構
成したことを特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ装置は、
ガスリングの先端部分に耐腐食性で熱良導体の物質で形
成されたキャップを捩子止めし、該キャップ内に冷却媒
体を供給する。
ガスリングの先端部分に耐腐食性で熱良導体の物質で形
成されたキャップを捩子止めし、該キャップ内に冷却媒
体を供給する。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は、本発明に基づく高周波誘導熱プラ
ズマ装置を示しており、図１に示した従来の装置と同一
ないしは類似要素には同一番号が付されている。この図
２において、３０はガスリング３の先端部に設けられた
キャップであり、キャップ３０は耐腐食性で誘電率が低
い熱良導体材料、例えば金（Ａｕ）やジルコニウム（Ｚ
ｒ）や窒化珪素などで形成されている。またキャップ３
０は薄肉構造となっており、その内側の一部Ｓにはネジ
が切られており、ガスリングのベース部材３１に対して
ネジ止めされている。キャップ３０とベース部材３１と
の間は冷却媒体の通路３２となり、通路３２には入口通
路３３から冷却媒体が供給され、出口通路３４から媒体
が排出される構造となっている。なお、Ｏはオーリング
シールである。このような構成の動作を次に説明する。
に説明する。図２は、本発明に基づく高周波誘導熱プラ
ズマ装置を示しており、図１に示した従来の装置と同一
ないしは類似要素には同一番号が付されている。この図
２において、３０はガスリング３の先端部に設けられた
キャップであり、キャップ３０は耐腐食性で誘電率が低
い熱良導体材料、例えば金（Ａｕ）やジルコニウム（Ｚ
ｒ）や窒化珪素などで形成されている。またキャップ３
０は薄肉構造となっており、その内側の一部Ｓにはネジ
が切られており、ガスリングのベース部材３１に対して
ネジ止めされている。キャップ３０とベース部材３１と
の間は冷却媒体の通路３２となり、通路３２には入口通
路３３から冷却媒体が供給され、出口通路３４から媒体
が排出される構造となっている。なお、Ｏはオーリング
シールである。このような構成の動作を次に説明する。
【００１５】ガスリング３部分の組み立ては、ベース部
材３１に対してキャップ３０を捩じ込むことによって行
われる。その後、入口通路３３，通路３２，出口通路３
４に冷却媒体を流すと共に、図２では図示していない
が、ベース部材３１に設けられた孔を介してリング状の
通路Ｂにプラズマガスを流し、誘導コイル４に高周波電
力を供給すれば、管２内に高周波誘導プラズマを形成す
ることができる。
材３１に対してキャップ３０を捩じ込むことによって行
われる。その後、入口通路３３，通路３２，出口通路３
４に冷却媒体を流すと共に、図２では図示していない
が、ベース部材３１に設けられた孔を介してリング状の
通路Ｂにプラズマガスを流し、誘導コイル４に高周波電
力を供給すれば、管２内に高周波誘導プラズマを形成す
ることができる。
【００１６】さらに、通路Ｂを介して管２内に水蒸気と
分解すべきフロンを供給すれば、フロンを分解すること
ができる。この結果、キャップ３０部分は高温のプラズ
マに晒され、また、管２内に発生した腐食性ガスにも晒
されることになる。しかしながら、キャップ３０は冷却
媒体によって冷却され、さらに、腐食性ガスによって腐
食される溶接部分もないため、長期間使用しても溶融さ
れたり腐食により穴が開いたりすることはない。なお、
入口通路３３から通路３２に供給される冷却媒体とし
て、水蒸気やフロンが凝縮しない温度の熱媒体油が使用
される。この熱媒体油はプラズマに対してはキャップ３
０を冷却する効果があり、ベース部材３１中の孔を介し
て通路Ｂから管２内に供給される水蒸気に対しては凝縮
を防ぐための加熱の役割を有している。
分解すべきフロンを供給すれば、フロンを分解すること
ができる。この結果、キャップ３０部分は高温のプラズ
マに晒され、また、管２内に発生した腐食性ガスにも晒
されることになる。しかしながら、キャップ３０は冷却
媒体によって冷却され、さらに、腐食性ガスによって腐
食される溶接部分もないため、長期間使用しても溶融さ
れたり腐食により穴が開いたりすることはない。なお、
入口通路３３から通路３２に供給される冷却媒体とし
て、水蒸気やフロンが凝縮しない温度の熱媒体油が使用
される。この熱媒体油はプラズマに対してはキャップ３
０を冷却する効果があり、ベース部材３１中の孔を介し
て通路Ｂから管２内に供給される水蒸気に対しては凝縮
を防ぐための加熱の役割を有している。
【００１７】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、キャップの材料
として金やジルコニウムを用いたが、銅などの熱良導体
の表面にジルコニア，白金，金，窒化珪素，ハステロイ
などの膜を蒸着した材料あるいは給水率が零の溶射した
材料（セラミックスなど）を用いても良い。また、有機
ハロゲン化合物の分解用のプラズマ装置について説明し
たが、他の用途のためのプラズマ装置にも本発明を適用
することができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、キャップの材料
として金やジルコニウムを用いたが、銅などの熱良導体
の表面にジルコニア，白金，金，窒化珪素，ハステロイ
などの膜を蒸着した材料あるいは給水率が零の溶射した
材料（セラミックスなど）を用いても良い。また、有機
ハロゲン化合物の分解用のプラズマ装置について説明し
たが、他の用途のためのプラズマ装置にも本発明を適用
することができる。
【００１８】又、冷却媒体としては、熱媒体油に限ら
ず、例えば、加熱した水なども使用できる。
ず、例えば、加熱した水なども使用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく高
周波誘導熱プラズマ装置は、ガスリングの先端部分に耐
腐食性で熱良導体の物質で形成されたキャップを捩子止
めし、該キャップ内に冷却媒体を供給するように構成し
たので、ガスリング先端部を高温のプラズマから守るこ
とができると共に、プラズマにより腐食性ガスが発生し
たとしても、溶接部分がないために腐食される部分がな
くなり、長寿命の装置を提供することができる。さら
に、先端部が仮に腐蝕された場合でも、容易に先端部の
みを交換することができる。
周波誘導熱プラズマ装置は、ガスリングの先端部分に耐
腐食性で熱良導体の物質で形成されたキャップを捩子止
めし、該キャップ内に冷却媒体を供給するように構成し
たので、ガスリング先端部を高温のプラズマから守るこ
とができると共に、プラズマにより腐食性ガスが発生し
たとしても、溶接部分がないために腐食される部分がな
くなり、長寿命の装置を提供することができる。さら
に、先端部が仮に腐蝕された場合でも、容易に先端部の
みを交換することができる。
【図１】従来の高周波誘導熱プラズマ装置を用いた有機
ハロゲン化合物の分解システムを示す図である。
ハロゲン化合物の分解システムを示す図である。
【図２】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ装置の一
実施例におけるガスリング部分の一部詳細を示す図であ
る。
実施例におけるガスリング部分の一部詳細を示す図であ
る。
２ セラミック管 ３ ガスリング ４ 誘導コイル ５ チャンバー １１ 水蒸気ボイラー １３ フロン容器 １５ ガスボンベ ３０ キャップ ３１ ベース部材 ３２ 冷却媒体通路 ３３ 入口通路 ３４ 出口通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000006655 新日本製鐵株式会社 東京都千代田区大手町２丁目６番３号 (71)出願人 591009071 株式会社日鉄技術情報センター 東京都千代田区麹町１丁目６番地 (71)出願人 000004271 日本電子株式会社 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 (74)上記５名の代理人 弁理士 井島 藤治 （外１名 ） (72)発明者 水野 光一 茨城県つくば市小野川16番３ 工業技術院 資源環境技術総合研究所内 (72)発明者 大内 日出夫 茨城県つくば市小野川16番３ 工業技術院 資源環境技術総合研究所内 (72)発明者 吉田 豊信 東京都文京区本郷７丁目３番１号 東京大 学工学部金属工学科内 (72)発明者 朝倉 友美 東京都千代田区内幸町１丁目１番３号 東 京電力株式会社内 (72)発明者 植松 信行 東京都千代田区大手町２丁目６番３号 新 日本製鐵株式会社内 (72)発明者 中村 正和 東京都千代田区麹町１丁目６番地 株式会 社日鉄技術情報センター内 (72)発明者 天野 高伸 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内 (72)発明者 小牧 久 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内 (72)発明者 平川 祥治 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性物質で形成された管と、管の一端
に設けられプラズマガスを管内に供給するためのガスリ
ングと、管の外側に配置された高周波誘導コイルとを備
え、管内でプラズマを発生させるようにした高周波誘導
熱プラズマ装置において、ガスリングの先端部分に耐腐
食性で熱良導体の物質で形成されたキャップを捩子止め
し、該キャップ内に冷却媒体を供給するように構成した
ことを特徴とする高周波誘導熱プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22751893A JP3626961B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 高周波誘導熱プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22751893A JP3626961B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 高周波誘導熱プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183096A true JPH07183096A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3626961B2 JP3626961B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=16862163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22751893A Expired - Fee Related JP3626961B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 高周波誘導熱プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3626961B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481398B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2005-04-07 | (주)케이.씨.텍 | 과불화 탄화물 가스의 처리 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP4895612B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2012-03-14 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP22751893A patent/JP3626961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481398B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2005-04-07 | (주)케이.씨.텍 | 과불화 탄화물 가스의 처리 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP4895612B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2012-03-14 | 大陽日酸株式会社 | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3626961B2 (ja) | 2005-03-09 |
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