JPH07176717A - 基板の表面に溝を形成する方法とこの方法により形成された変調器 - Google Patents
基板の表面に溝を形成する方法とこの方法により形成された変調器Info
- Publication number
- JPH07176717A JPH07176717A JP6288700A JP28870094A JPH07176717A JP H07176717 A JPH07176717 A JP H07176717A JP 6288700 A JP6288700 A JP 6288700A JP 28870094 A JP28870094 A JP 28870094A JP H07176717 A JPH07176717 A JP H07176717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- corrosive material
- layer
- material layer
- active semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所望の角度で傾斜付き反射表面（ミラー）を
容易に簡単に形成する方法を提供することである。 【構成】 本発明の第１の実施例によれば、腐食性材料
のフィルム（フォトレジスト、あるいは、光学規定ポリ
イミド）を基板の表面に塗布する。その後、このテーパ
付きの表面を形成すべき場所を腐食性材料の表面にエネ
ルギーの変動する放射に露光する。その結果、この傾斜
付き表面を形成すべき場所にテーパが形成できる。腐食
性材料のプロファイルがエッチング剤を用いて、その下
の基板に転写される。かくして、傾斜した反射性表面が
得られる。
容易に簡単に形成する方法を提供することである。 【構成】 本発明の第１の実施例によれば、腐食性材料
のフィルム（フォトレジスト、あるいは、光学規定ポリ
イミド）を基板の表面に塗布する。その後、このテーパ
付きの表面を形成すべき場所を腐食性材料の表面にエネ
ルギーの変動する放射に露光する。その結果、この傾斜
付き表面を形成すべき場所にテーパが形成できる。腐食
性材料のプロファイルがエッチング剤を用いて、その下
の基板に転写される。かくして、傾斜した反射性表面が
得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハイブリッド電子／光学
システムに関し、特に、光学信号のパス（通路）を変更
する基板の傾斜の付いた表面を形成する方法に関する。
システムに関し、特に、光学信号のパス（通路）を変更
する基板の傾斜の付いた表面を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】傾斜の付いたミラー表面は光学システム
に広く用いられている。例えば、４５°に傾斜したマイ
クロミラーを組み込んだ面発光レーザ（surface emitti
ng lasers：ＳＥＬ）を用いて、ニューラルネットワー
ク、光学相互接続等の光電子集積回路を含む様々な応用
分野が形成できる。この４５°傾斜のミラーを用いて、
レーザキャビティの面内のパスからの光をこの面に直交
する光学パスに向けて、他の素子と光学結合をしてい
る。
に広く用いられている。例えば、４５°に傾斜したマイ
クロミラーを組み込んだ面発光レーザ（surface emitti
ng lasers：ＳＥＬ）を用いて、ニューラルネットワー
ク、光学相互接続等の光電子集積回路を含む様々な応用
分野が形成できる。この４５°傾斜のミラーを用いて、
レーザキャビティの面内のパスからの光をこの面に直交
する光学パスに向けて、他の素子と光学結合をしてい
る。
【０００３】従来のこの４５°傾斜のミラーは、通常イ
オンミリング法により形成されている。この方法によれ
ば、フォトレジストを基板に塗布して、ミラー用の場所
を露光している。このフォトレジストを塗布することに
より基板上に存在する他の特徴物が後続の処理ステップ
により影響されないようにしている。その後、このフォ
トレジストを現像して、ミラー用の場所に開口を形成す
る。その後、この基板を傾斜したテーブルの上に固定し
て、この表面に角度を持って保持することによりミラー
を形成している。上記の場合、この角度は４５°であ
る。このフォトレジスト材料を溶解するのに、十分なエ
ネルギーのイオンビームをその表面に集光し、その結
果、深い溝がこの基板に形成される。前の処理ステップ
で固化しているこのフォトレジストを取り除いて、この
基板の表面をクリーンにしなければならない。イオンビ
ームに露光することにより形成された傾斜の付いた表面
を露出するために、材料の一部をこの基板から取り除か
なければならない。これを行うために、第２の溝が基板
に形成され、この第２の溝は第１の溝と交差する。しか
し、この基板の表面上に第２の開口を形成するために
は、イオンビームにより形成され、露光され、現像され
た溝を保護するために、再度フォトレジストを塗布しな
ければならない。そして、この基板を光ビームに直角に
配置し、第２の溝を形成する。上述したように、この２
本の溝は交差して、材料の端部が基板から削り取られ、
その結果、基板の表面に傾斜の付いた表面が形成され
る。以上述べたように、このイオンミリング法は複雑で
あり、イオンビームにそれぞれを露光するために、個別
の光リソグラフステップを必要とする。
オンミリング法により形成されている。この方法によれ
ば、フォトレジストを基板に塗布して、ミラー用の場所
を露光している。このフォトレジストを塗布することに
より基板上に存在する他の特徴物が後続の処理ステップ
により影響されないようにしている。その後、このフォ
トレジストを現像して、ミラー用の場所に開口を形成す
る。その後、この基板を傾斜したテーブルの上に固定し
て、この表面に角度を持って保持することによりミラー
を形成している。上記の場合、この角度は４５°であ
る。このフォトレジスト材料を溶解するのに、十分なエ
ネルギーのイオンビームをその表面に集光し、その結
果、深い溝がこの基板に形成される。前の処理ステップ
で固化しているこのフォトレジストを取り除いて、この
基板の表面をクリーンにしなければならない。イオンビ
ームに露光することにより形成された傾斜の付いた表面
を露出するために、材料の一部をこの基板から取り除か
なければならない。これを行うために、第２の溝が基板
に形成され、この第２の溝は第１の溝と交差する。しか
し、この基板の表面上に第２の開口を形成するために
は、イオンビームにより形成され、露光され、現像され
た溝を保護するために、再度フォトレジストを塗布しな
ければならない。そして、この基板を光ビームに直角に
配置し、第２の溝を形成する。上述したように、この２
本の溝は交差して、材料の端部が基板から削り取られ、
その結果、基板の表面に傾斜の付いた表面が形成され
る。以上述べたように、このイオンミリング法は複雑で
あり、イオンビームにそれぞれを露光するために、個別
の光リソグラフステップを必要とする。
【０００４】様々な応用に対し、傾斜付きの表面を形成
する第２の技術は、結晶構造依存のエッチングとして公
知である。この方法においては、シリコンの＜１００＞
と＜１１１＞の結晶面のエッチング速度の差を用いて、
角度のある表面を形成している。この方法においては、
＜１００＞のシリコン基板を窒化シリコン（ＳｉＮ）、
あるいは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のフィルムでも
って被覆し、その後、光リソグラフ方法でもってパター
ン化して、エッチングして、バルクシリコン用のエッチ
マスクを形成している。この窒化シリコン製のマスクに
おける特徴物のエッジはシリコンの表面と交差する＜１
１１＞面と整合している。その後、この露出したシリコ
ン＜１００＞表面をウェット化学エッチングで処理し
て、＜１１１＞方位のシリコンよりも早い速度で、＜１
００＞方位のシリコンを腐食（溶解）する。このエッチ
ングはシリコンのバルク材料内に進むが、このマスクの
エッジと交差する＜１１１＞シリコン面はあまり腐食し
ない。この＜１００＞面と＜１１１＞面とは、互いに５
４．７４°で交差しているので、その結果、シリコンの
表面に対し、５４．７４°で傾斜した面が得られる。こ
の方法を用いる欠点は２つの面の間の角度は正確に５
４．７４°で固定されてしまうことである。さらに、窒
化シリコンあるいは二酸化シリコンのフィルムを形成す
ることは全体のプロセスを複雑にしてしまう。さらに、
フォトレジストマスクと＜１１１＞面との角度の不整合
は、傾斜表面の位置の変換の不整合を引き起こす。
する第２の技術は、結晶構造依存のエッチングとして公
知である。この方法においては、シリコンの＜１００＞
と＜１１１＞の結晶面のエッチング速度の差を用いて、
角度のある表面を形成している。この方法においては、
＜１００＞のシリコン基板を窒化シリコン（ＳｉＮ）、
あるいは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のフィルムでも
って被覆し、その後、光リソグラフ方法でもってパター
ン化して、エッチングして、バルクシリコン用のエッチ
マスクを形成している。この窒化シリコン製のマスクに
おける特徴物のエッジはシリコンの表面と交差する＜１
１１＞面と整合している。その後、この露出したシリコ
ン＜１００＞表面をウェット化学エッチングで処理し
て、＜１１１＞方位のシリコンよりも早い速度で、＜１
００＞方位のシリコンを腐食（溶解）する。このエッチ
ングはシリコンのバルク材料内に進むが、このマスクの
エッジと交差する＜１１１＞シリコン面はあまり腐食し
ない。この＜１００＞面と＜１１１＞面とは、互いに５
４．７４°で交差しているので、その結果、シリコンの
表面に対し、５４．７４°で傾斜した面が得られる。こ
の方法を用いる欠点は２つの面の間の角度は正確に５
４．７４°で固定されてしまうことである。さらに、窒
化シリコンあるいは二酸化シリコンのフィルムを形成す
ることは全体のプロセスを複雑にしてしまう。さらに、
フォトレジストマスクと＜１１１＞面との角度の不整合
は、傾斜表面の位置の変換の不整合を引き起こす。
【０００５】上述したように、ミラー、あるいは、反射
表面をイオンミリング法、あるいは、結晶構造依存性エ
ッチングにより形成することは複雑であり、特に、後者
の方法はその角度が１つに限られてしまう。
表面をイオンミリング法、あるいは、結晶構造依存性エ
ッチングにより形成することは複雑であり、特に、後者
の方法はその角度が１つに限られてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、所望の角度で傾斜付き反射表面（ミラー）を容易に
形成する方法を提供することである。
は、所望の角度で傾斜付き反射表面（ミラー）を容易に
形成する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施例に
よれば、腐食性材料のフィルム（フォトレジスト、ある
いは、ポリイミド）を基板の表面に塗布する。その後、
このテーパ付きの表面を形成すべき場所を腐食性材料の
表面にエネルギーの変動する放射に露光する。その結
果、この傾斜付き表面を形成すべき場所にテーパが形成
できる。腐食性材料のプロファイルがエッチング剤を用
いて、その下の基板に転写される。かくして、傾斜した
反射性表面が得られる。
よれば、腐食性材料のフィルム（フォトレジスト、ある
いは、ポリイミド）を基板の表面に塗布する。その後、
このテーパ付きの表面を形成すべき場所を腐食性材料の
表面にエネルギーの変動する放射に露光する。その結
果、この傾斜付き表面を形成すべき場所にテーパが形成
できる。腐食性材料のプロファイルがエッチング剤を用
いて、その下の基板に転写される。かくして、傾斜した
反射性表面が得られる。
【０００８】次に、第２の実施例によれば、４５°以下
の角度のテーパを有する２つの反射性表面が基板に形成
される。その２つの表面の内の１つは、入力する光信号
と光学的に係合し、それを変調器／スイッチに向ける。
この変調器の状態に依存して、光信号は２つの表面の第
２の方向に反射するか、あるいは、光信号の伝播が終了
するかの何れかである。
の角度のテーパを有する２つの反射性表面が基板に形成
される。その２つの表面の内の１つは、入力する光信号
と光学的に係合し、それを変調器／スイッチに向ける。
この変調器の状態に依存して、光信号は２つの表面の第
２の方向に反射するか、あるいは、光信号の伝播が終了
するかの何れかである。
【０００９】第３の実施例においては、２個の反射表面
が基板に形成され、その部分は活性半導体素子でもって
被覆されている。この活性半導体素子の状態に依存し
て、第１の反射表面に係合する光信号は第２の表面に反
射され、その後、検波器のような他の光学素子に向けら
れるか、あるいは、信号の伝播を中止する。このように
して、変調器を構成することにより、この活性半導体領
域を介して、光学信号の４個のパスが形成され、これに
より、信号の全体の変調を改良される。
が基板に形成され、その部分は活性半導体素子でもって
被覆されている。この活性半導体素子の状態に依存し
て、第１の反射表面に係合する光信号は第２の表面に反
射され、その後、検波器のような他の光学素子に向けら
れるか、あるいは、信号の伝播を中止する。このように
して、変調器を構成することにより、この活性半導体領
域を介して、光学信号の４個のパスが形成され、これに
より、信号の全体の変調を改良される。
【００１０】
【実施例】任意の角度の傾斜の付いた反射性表面の形成
方法は、本出願人の関連特許出願（整理番号９４０２３
５）に詳細に記載されている。
方法は、本出願人の関連特許出願（整理番号９４０２３
５）に詳細に記載されている。
【００１１】図１は、シリコン基板１の標準的な＜１０
０＞の位置を表す。腐食性材料層２が、シリコン基板１
の上に塗布される。このような腐食性材料層２の材料の
適当なものとしては、フォトレジスト、および、光照射
領域を規定するポリイミドである。この腐食性材料層２
の材料は、適当な放射（紫外線、Ｘ線、電子ビーム）に
露光することにより、その溶解度が変化することを特徴
としている。このような露光は、融解材料の性質に依存
して、溶融性を増加したり、減少したりするものであ
る。
０＞の位置を表す。腐食性材料層２が、シリコン基板１
の上に塗布される。このような腐食性材料層２の材料の
適当なものとしては、フォトレジスト、および、光照射
領域を規定するポリイミドである。この腐食性材料層２
の材料は、適当な放射（紫外線、Ｘ線、電子ビーム）に
露光することにより、その溶解度が変化することを特徴
としている。このような露光は、融解材料の性質に依存
して、溶融性を増加したり、減少したりするものであ
る。
【００１２】基板上に誘電体フィルムが存在する場合、
則ち、シリコン性電子部品が存在する場合には、この誘
電体フィルムをまずエチングで除去しなければならな
い。このフィルムを除去する手段は、イオンエッチン
グ、プラズマエッチング、イオンミリングなどである。
則ち、シリコン性電子部品が存在する場合には、この誘
電体フィルムをまずエチングで除去しなければならな
い。このフィルムを除去する手段は、イオンエッチン
グ、プラズマエッチング、イオンミリングなどである。
【００１３】化合物半導体を成長させるべき対象傾斜領
域４をカバーしている腐食性材料層２を、その後、放射
に露光する。この対象傾斜領域４の腐食性材料層の一部
の表面上で、エネルギーが位置的に変化する放射を行
う。この露光後、この腐食性材料層２は、より高い溶解
性能を有する溶剤でもって処理をする。この処理工程
は、通常、現像と称する。この現像後、テーパ領域６が
形成される（図３）。
域４をカバーしている腐食性材料層２を、その後、放射
に露光する。この対象傾斜領域４の腐食性材料層の一部
の表面上で、エネルギーが位置的に変化する放射を行
う。この露光後、この腐食性材料層２は、より高い溶解
性能を有する溶剤でもって処理をする。この処理工程
は、通常、現像と称する。この現像後、テーパ領域６が
形成される（図３）。
【００１４】上記の放射のエネルギー変動を引き起こす
ためには、ハーフトーン、脱集光技術を用いるが、これ
に関しては、“EOS Top. Mtg. Dig. S.”vol.2（１９９
３年）の“Fabrication of Complex Micro-Optic Compo
nents Using Halftone Transmission Masks to Photosc
ulpt Positive Resisit”D. R. Purdy著、および、“Pr
oc. IEEE Micro. Electro. Mech. Sys.”（１９９３
年）の３０〜３５ページの“Fabrication of 3-Dimensi
onally Shaped Si Diaphragm Dynamic FocusingMirro
r”Hisanaga他著、に開示されている。これらの技術
は、フォトマスクをグレースケールレベルの所定の変動
でもって現像する技術が含まれる。フォトレジストが、
このようなマスクを介して露光されると、エネルギーの
伝送の変動は、レジストが露出される深さの相補的な変
動を引き起こす。焦点を調整して、にじみを導入する
と、その結果、フォトマスクのデジタル的な性質が再現
されずに、フォトレジストにおいて、スムーズな表面が
得られる。
ためには、ハーフトーン、脱集光技術を用いるが、これ
に関しては、“EOS Top. Mtg. Dig. S.”vol.2（１９９
３年）の“Fabrication of Complex Micro-Optic Compo
nents Using Halftone Transmission Masks to Photosc
ulpt Positive Resisit”D. R. Purdy著、および、“Pr
oc. IEEE Micro. Electro. Mech. Sys.”（１９９３
年）の３０〜３５ページの“Fabrication of 3-Dimensi
onally Shaped Si Diaphragm Dynamic FocusingMirro
r”Hisanaga他著、に開示されている。これらの技術
は、フォトマスクをグレースケールレベルの所定の変動
でもって現像する技術が含まれる。フォトレジストが、
このようなマスクを介して露光されると、エネルギーの
伝送の変動は、レジストが露出される深さの相補的な変
動を引き起こす。焦点を調整して、にじみを導入する
と、その結果、フォトマスクのデジタル的な性質が再現
されずに、フォトレジストにおいて、スムーズな表面が
得られる。
【００１５】他のアプローチとしては、線形傾斜領域を
有するフォトマスクを用いることである。このフォトマ
スクは、オフアクシスの成長領域を形成するのに必要な
線形に変化した減衰を提供でき、このようなフォトマス
クを用いて、どのような方向においても、オフアクシス
の成長領域を、いかなる個数も形成できる。このような
線形に傾斜した領域は、粒子密度が適切に増加、あるい
は、減少するようなクロム、あるいは、酸化鉄の薄いフ
ィルムによって形成される。この好ましい実施例におい
ては、インコネルの薄いフィルムを用いて、Oxford Com
puter社（米国コネチカット州オクスフォード）により
開発されたプロセスによって、フォトマスクを形成す
る。このフィルムの厚さは、変化して、腐食性材料層の
上に入射するエネルギーに線形の変動を与えるように
し、その結果、図２に示すようなテーパ領域６が形成さ
れる。
有するフォトマスクを用いることである。このフォトマ
スクは、オフアクシスの成長領域を形成するのに必要な
線形に変化した減衰を提供でき、このようなフォトマス
クを用いて、どのような方向においても、オフアクシス
の成長領域を、いかなる個数も形成できる。このような
線形に傾斜した領域は、粒子密度が適切に増加、あるい
は、減少するようなクロム、あるいは、酸化鉄の薄いフ
ィルムによって形成される。この好ましい実施例におい
ては、インコネルの薄いフィルムを用いて、Oxford Com
puter社（米国コネチカット州オクスフォード）により
開発されたプロセスによって、フォトマスクを形成す
る。このフィルムの厚さは、変化して、腐食性材料層の
上に入射するエネルギーに線形の変動を与えるように
し、その結果、図２に示すようなテーパ領域６が形成さ
れる。
【００１６】このテーパ状プロファイルを得るための第
３の方法は、スキャンドスリットメソッド（scanned sl
it method）と称されるものである。狭い幅のスリット
を有するフォトマスクを、腐食性材料層を塗布した基板
の上に配置する。このマスク、あるいは、基板を、モー
タ駆動の微細配置装置によって保持する。放射が、この
腐食性材料層に入射されると、このスリットをウェハに
沿って露出領域を形成するために必要な距離だけ走査、
あるいは、その逆を行う。入射エネルギー量を変化させ
るために、必要な露出領域の選択に依存して、走査を行
う速度を変化させる。露出処理、および、後続の現像処
理の後、残留する腐食性材料層の量は、露出されるべき
エネルギーに直接依存する。所望の露出領域に沿って、
エネルギー量が線形に変化すると、腐食性材料層のテー
パ領域６は、図２に示すような結果となる。
３の方法は、スキャンドスリットメソッド（scanned sl
it method）と称されるものである。狭い幅のスリット
を有するフォトマスクを、腐食性材料層を塗布した基板
の上に配置する。このマスク、あるいは、基板を、モー
タ駆動の微細配置装置によって保持する。放射が、この
腐食性材料層に入射されると、このスリットをウェハに
沿って露出領域を形成するために必要な距離だけ走査、
あるいは、その逆を行う。入射エネルギー量を変化させ
るために、必要な露出領域の選択に依存して、走査を行
う速度を変化させる。露出処理、および、後続の現像処
理の後、残留する腐食性材料層の量は、露出されるべき
エネルギーに直接依存する。所望の露出領域に沿って、
エネルギー量が線形に変化すると、腐食性材料層のテー
パ領域６は、図２に示すような結果となる。
【００１７】腐食性材料層に対し、テーパ状のプロファ
イルを得る第４の方法は、電子ビームリソグラフィであ
る。この方法は、電子ビームを走査する方法を含む。こ
の方法においては、適切にプログラムされた電子ビーム
書き込み装置を意図した成長領域の幅に沿って走査す
る。複数回の走査プロセスが、この露出領域の幅にわた
って行われ、各走査プロセスの後、電子ビームは、成長
領域の長さに沿って変えられる。かくして、各走査は、
前の走査とは若干長さのずれた場所で行われる。このよ
うにして、意図した成長領域の全領域にわたって、連続
的に露光が行われる。この電子ビームが、成長領域の長
さ方向にわたって変化しているので、この電子ビームの
エネルギーは、所望のテーパを形成するために、露出深
さを変化させるのに必要な程度変化する。
イルを得る第４の方法は、電子ビームリソグラフィであ
る。この方法は、電子ビームを走査する方法を含む。こ
の方法においては、適切にプログラムされた電子ビーム
書き込み装置を意図した成長領域の幅に沿って走査す
る。複数回の走査プロセスが、この露出領域の幅にわた
って行われ、各走査プロセスの後、電子ビームは、成長
領域の長さに沿って変えられる。かくして、各走査は、
前の走査とは若干長さのずれた場所で行われる。このよ
うにして、意図した成長領域の全領域にわたって、連続
的に露光が行われる。この電子ビームが、成長領域の長
さ方向にわたって変化しているので、この電子ビームの
エネルギーは、所望のテーパを形成するために、露出深
さを変化させるのに必要な程度変化する。
【００１８】この腐食性材料層のテーパの形成は、前記
のリソグラフ方法を用いて行われるが、このようなテー
パを形成する他の適当な手段、あるいは、方法を用いて
もかまわない。
のリソグラフ方法を用いて行われるが、このようなテー
パを形成する他の適当な手段、あるいは、方法を用いて
もかまわない。
【００１９】図２に示すように、腐食性材料層２にテー
パ領域６が形成されると、このウェハは、腐食性材料層
と基板の両方をエッチングするような条件のもとでエッ
チングされる。一般的な光リソグラフの応用例において
は、現像後残留した腐食性材料層は、その下の層をエッ
チング剤から保護する。すなわち、この腐食性材料層
は、エッチングされない。しかし、本発明においては、
この腐食性材料層は、基板と共にエッチングされる。か
くして、このエッチングにより、基板１の上に傾斜した
テーパ領域６が形成される（図３）。この腐食性材料層
は、予防マスクとして機能し、これにより、その下の基
板１に所望の形状、すなわち、角度を転写するために、
そのテーパに応じた可変の減衰を与えるものである。反
応性イオンエッチング、プラズマイオンエッチング、イ
オンミリング、ウェット化学エッチング等の方法、ある
いは、手段が、この両方の層（腐食性材料層と基板）を
エッチングするのに用いることができる。
パ領域６が形成されると、このウェハは、腐食性材料層
と基板の両方をエッチングするような条件のもとでエッ
チングされる。一般的な光リソグラフの応用例において
は、現像後残留した腐食性材料層は、その下の層をエッ
チング剤から保護する。すなわち、この腐食性材料層
は、エッチングされない。しかし、本発明においては、
この腐食性材料層は、基板と共にエッチングされる。か
くして、このエッチングにより、基板１の上に傾斜した
テーパ領域６が形成される（図３）。この腐食性材料層
は、予防マスクとして機能し、これにより、その下の基
板１に所望の形状、すなわち、角度を転写するために、
そのテーパに応じた可変の減衰を与えるものである。反
応性イオンエッチング、プラズマイオンエッチング、イ
オンミリング、ウェット化学エッチング等の方法、ある
いは、手段が、この両方の層（腐食性材料層と基板）を
エッチングするのに用いることができる。
【００２０】腐食性材料で達成できる最大角は反射表面
に必要とされる角度よりもはるかに小さい。当業者には
明きらかであるが、腐食性材料とバルク基板に対する相
対的エッチング速度は異なる。例えば、反応性イオンエ
ッチングを用いた場合には、この相対エッチング速度は
エッチングガスの酸素含有量を変化させることによって
も変化させることができる。特に、酸素含有量を増加さ
せると、基板のエッチング速度は腐食性材料のエッチン
グ速度よりも増加する。かくして、その結果、基板の角
度は腐食性材料層の角度よりも大きいものとなる。
に必要とされる角度よりもはるかに小さい。当業者には
明きらかであるが、腐食性材料とバルク基板に対する相
対的エッチング速度は異なる。例えば、反応性イオンエ
ッチングを用いた場合には、この相対エッチング速度は
エッチングガスの酸素含有量を変化させることによって
も変化させることができる。特に、酸素含有量を増加さ
せると、基板のエッチング速度は腐食性材料のエッチン
グ速度よりも増加する。かくして、その結果、基板の角
度は腐食性材料層の角度よりも大きいものとなる。
【００２１】エッチングされるにつれて、このテーパ状
表面は適当に反射性となる。しかし、反射性材料をこの
テーパ状の表面にコーティングしてもよい。この適当な
反射性材料は金属性コーティング、あるいは、誘電体性
ミラーである。
表面は適当に反射性となる。しかし、反射性材料をこの
テーパ状の表面にコーティングしてもよい。この適当な
反射性材料は金属性コーティング、あるいは、誘電体性
ミラーである。
【００２２】本発明の第１の実施例を図４に表す。同図
において、傾斜反射表面２２は、基板１２内の溝１４に
形成される導波路１６に沿って伝播する入力光信号１８
と光学的に係合する。この傾斜反射表面２２は、基板１
２に形成され、その結果、入力光信号１８は、導波路１
６に沿った第１の光学パスから傾斜反射表面２２の表面
と光学的に係合することにより、第２光学パス２０の方
向に向けられる。この第２光学パス２０は、傾斜反射表
面２２の角度の関数であるが、その後、光学素子、ある
いは、第２の反射表面と光学的に係合する。このように
して、光学信号は異なる導波路、あるいは、様々な光学
素子に向けられる。この実施例においては、傾斜反射表
面２２の角度は４５°である。しかし、如何なる角度の
反射表面も必要により形成できる。この傾斜反射表面２
２は、前述したように形成してもよい。
において、傾斜反射表面２２は、基板１２内の溝１４に
形成される導波路１６に沿って伝播する入力光信号１８
と光学的に係合する。この傾斜反射表面２２は、基板１
２に形成され、その結果、入力光信号１８は、導波路１
６に沿った第１の光学パスから傾斜反射表面２２の表面
と光学的に係合することにより、第２光学パス２０の方
向に向けられる。この第２光学パス２０は、傾斜反射表
面２２の角度の関数であるが、その後、光学素子、ある
いは、第２の反射表面と光学的に係合する。このように
して、光学信号は異なる導波路、あるいは、様々な光学
素子に向けられる。この実施例においては、傾斜反射表
面２２の角度は４５°である。しかし、如何なる角度の
反射表面も必要により形成できる。この傾斜反射表面２
２は、前述したように形成してもよい。
【００２３】第２の実施例を図５に表すが、第１傾斜反
射表面４０と第２傾斜反射表面４２が基板３０に形成さ
れる。光学信号３６は変更溝３２内に配置された導波路
３４に沿って伝播し、第１傾斜反射表面４０と光学的に
係合する。第１傾斜反射表面４０に接触すると、この光
学信号３６は活性半導体素子４８を有する変調器４６の
方向に向けられる。このような素子は Boyd et al., の
論文「Multiple Quantum Well Reflection Modulato
r,」APPL.PHYS.LEET.50（17 at 1119-21）（1987）に開
示されている。
射表面４０と第２傾斜反射表面４２が基板３０に形成さ
れる。光学信号３６は変更溝３２内に配置された導波路
３４に沿って伝播し、第１傾斜反射表面４０と光学的に
係合する。第１傾斜反射表面４０に接触すると、この光
学信号３６は活性半導体素子４８を有する変調器４６の
方向に向けられる。このような素子は Boyd et al., の
論文「Multiple Quantum Well Reflection Modulato
r,」APPL.PHYS.LEET.50（17 at 1119-21）（1987）に開
示されている。
【００２４】活性半導体素子４８の適当な例は図６に示
されている。この活性半導体素子４８は周期層ミラー５
０と電子吸収性半導体６０と透明な半導体接点層６２と
反射防止コート層６４とからなる多層構造体である。
されている。この活性半導体素子４８は周期層ミラー５
０と電子吸収性半導体６０と透明な半導体接点層６２と
反射防止コート層６４とからなる多層構造体である。
【００２５】この周期５３は、複数の周期５３、５９か
らなり、それらは異なる屈折率を有する２つの透明半導
体材料層５１、５２あるいは透明半導体材料層５７、５
８から構成される。各層の厚さは層内を通過する光の波
長の四分の一の厚さで、その周期の数は光学干渉効果に
より所定の動作波長で、高度の反射性を提供できるよう
選択される。２つの周期（四層）が図６に示されている
が、より多くの数の周期、例えば、１２周期も通常用い
られる。
らなり、それらは異なる屈折率を有する２つの透明半導
体材料層５１、５２あるいは透明半導体材料層５７、５
８から構成される。各層の厚さは層内を通過する光の波
長の四分の一の厚さで、その周期の数は光学干渉効果に
より所定の動作波長で、高度の反射性を提供できるよう
選択される。２つの周期（四層）が図６に示されている
が、より多くの数の周期、例えば、１２周期も通常用い
られる。
【００２６】周期層ミラー５０は電子吸収性半導体６０
によって覆われている。すなわち、動作波長で光の吸収
が起こる半導体は電界により影響される。透明な半導体
接点層６２が電子吸収性半導体６０の上に形成されてい
る。
によって覆われている。すなわち、動作波長で光の吸収
が起こる半導体は電界により影響される。透明な半導体
接点層６２が電子吸収性半導体６０の上に形成されてい
る。
【００２７】このミラーと接点層とは導電性で、その結
果、電子吸収性半導体６０に電気的バイアスがかけられ
る。このバイアスは電極６６、６８を介して、これらの
層にかけられる。この電子吸収性半導体６０は絶縁性
で、その結果、大きな電界がバイアスにかけた時にそこ
に形成される。この電子吸収性半導体６０の吸収能力は
かけられたバイアス電流または電圧の関数である。すな
わち、バイアスがかけられると、素子の設計によっては
光が吸収されるか、あるいは、反射される。かくして、
活性半導体素子の反射性は印加バイアスの関数となる。
果、電子吸収性半導体６０に電気的バイアスがかけられ
る。このバイアスは電極６６、６８を介して、これらの
層にかけられる。この電子吸収性半導体６０は絶縁性
で、その結果、大きな電界がバイアスにかけた時にそこ
に形成される。この電子吸収性半導体６０の吸収能力は
かけられたバイアス電流または電圧の関数である。すな
わち、バイアスがかけられると、素子の設計によっては
光が吸収されるか、あるいは、反射される。かくして、
活性半導体素子の反射性は印加バイアスの関数となる。
【００２８】このミラーと接点層は通常異なる導電型で
ある。すなわち、一方がｐ型であると、他方がｎ型で、
その結果、ダイオードが形成される。かくして、逆バイ
アスが加えられると、このダイオードは電流の流れがな
くても電界を生成する。かくして、バイアスの供給によ
りの素子の負荷を減少させることができる。前述したよ
うに、この素子は透明な電子吸収性半導体６０の上に形
成された反射防止コート層６４を有してもよい。
ある。すなわち、一方がｐ型であると、他方がｎ型で、
その結果、ダイオードが形成される。かくして、逆バイ
アスが加えられると、このダイオードは電流の流れがな
くても電界を生成する。かくして、バイアスの供給によ
りの素子の負荷を減少させることができる。前述したよ
うに、この素子は透明な電子吸収性半導体６０の上に形
成された反射防止コート層６４を有してもよい。
【００２９】光学信号３８の第２傾斜反射表面４２の伝
播は、かくして、変調器４６の状態に依存する。第１の
非吸収状態においては、第１傾斜反射表面４０から第２
傾斜反射表面４２への光学パスが可能で、これにより信
号が伝播できる。第２の吸収状態においては、光学信号
３６は変調器４６を越えては伝播しない。それは光学信
号３６は活性半導体素子４８により吸収されるからであ
る。かくして、この装置はスイッチとしても機能する。
播は、かくして、変調器４６の状態に依存する。第１の
非吸収状態においては、第１傾斜反射表面４０から第２
傾斜反射表面４２への光学パスが可能で、これにより信
号が伝播できる。第２の吸収状態においては、光学信号
３６は変調器４６を越えては伝播しない。それは光学信
号３６は活性半導体素子４８により吸収されるからであ
る。かくして、この装置はスイッチとしても機能する。
【００３０】このような反射状態においては、すべての
光が反射されるのではない。すなわち、ある種の信号損
失が存在する。同様に、吸収状態においても、すべての
光が吸収されるわけではない。このコントラスト比、す
なわち、状態１において反射される光と状態２において
反射される光との比は重要な性能パラメータで、以下に
本発明の第３の実施例において説明する。
光が反射されるのではない。すなわち、ある種の信号損
失が存在する。同様に、吸収状態においても、すべての
光が吸収されるわけではない。このコントラスト比、す
なわち、状態１において反射される光と状態２において
反射される光との比は重要な性能パラメータで、以下に
本発明の第３の実施例において説明する。
【００３１】本発明の第３の実施例が図７に示されてお
り、光変調器は活性半導体素子９０が形成された２個の
傾斜反射表面７２と７４を用いて構成される。この傾斜
反射表面７２と７４は基板７０の上に形成され、この反
射表面は互いに向き合って溝を形成する。これらの表面
は本発明の方法により形成されたものである。活性半導
体素子９０が傾斜反射表面７２、７４の上に形成されて
いる。活性半導体素子９０の構成は図６の活性半導体素
子４８の構成と類似で、周期層ミラー８０と電子吸収性
半導体材料層８２と透明な半導体接点層８４と電極８６
と電極８８と反射防止コート層８９とから構成される。
この周期層ミラー８０は透明半導体材料層７５、７６、
７８、７９の複数の層から構成されている。４個の層が
図面から示されているが、それ以上の層も通常用いられ
ている。
り、光変調器は活性半導体素子９０が形成された２個の
傾斜反射表面７２と７４を用いて構成される。この傾斜
反射表面７２と７４は基板７０の上に形成され、この反
射表面は互いに向き合って溝を形成する。これらの表面
は本発明の方法により形成されたものである。活性半導
体素子９０が傾斜反射表面７２、７４の上に形成されて
いる。活性半導体素子９０の構成は図６の活性半導体素
子４８の構成と類似で、周期層ミラー８０と電子吸収性
半導体材料層８２と透明な半導体接点層８４と電極８６
と電極８８と反射防止コート層８９とから構成される。
この周期層ミラー８０は透明半導体材料層７５、７６、
７８、７９の複数の層から構成されている。４個の層が
図面から示されているが、それ以上の層も通常用いられ
ている。
【００３２】光学信号８７が活性半導体素子９０と係合
する。この素子が傾斜反射表面７２、７４の上に形成さ
れていると、光学信号８７は従来技術、あるいは、第２
の実施例に示されたような２個の光学通路ではなく、電
子吸収性半導体材料層８２を介して、４個の光学通路が
形成される。このように光学通路が増加することは本発
明の大きな特徴である。さらに、傾斜表面は入力ビーム
に対し、反射ビームが変異することになる。かくして、
同様な結果が得るために、従来の技術では通常用いられ
ていたビームスプリッタの必要がなくなる。かくして、
前掲の Boyd の論文に比較して、本発明の構造は極めて
簡単となる。
する。この素子が傾斜反射表面７２、７４の上に形成さ
れていると、光学信号８７は従来技術、あるいは、第２
の実施例に示されたような２個の光学通路ではなく、電
子吸収性半導体材料層８２を介して、４個の光学通路が
形成される。このように光学通路が増加することは本発
明の大きな特徴である。さらに、傾斜表面は入力ビーム
に対し、反射ビームが変異することになる。かくして、
同様な結果が得るために、従来の技術では通常用いられ
ていたビームスプリッタの必要がなくなる。かくして、
前掲の Boyd の論文に比較して、本発明の構造は極めて
簡単となる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により形成さ
れたテーパ領域により様々な機能を有する光学素子が実
現出来る。
れたテーパ領域により様々な機能を有する光学素子が実
現出来る。
【図１】腐食性材料層によりコーティングされた基板を
表す断面図。
表す断面図。
【図２】腐食性材料層の表面にエネルギーが位置変化す
るような放射を露光し、その後、現像した後の図１の腐
食性材料層に形成されたテーパを表す図。
るような放射を露光し、その後、現像した後の図１の腐
食性材料層に形成されたテーパを表す図。
【図３】腐食性材料層とその下の基板をエッチングする
ことにより、図１の基板に形成された傾斜反射表面を表
す図。
ことにより、図１の基板に形成された傾斜反射表面を表
す図。
【図４】基板の上に配置された導波路の信号伝播の光学
パスを変更するために基板に形成された傾斜反射表面を
表す第１の実施例を示す図。
パスを変更するために基板に形成された傾斜反射表面を
表す第１の実施例を示す図。
【図５】導波路に沿って光学信号の伝送を制御する変調
手段に光学的に係合する基板に形成された２個の傾斜付
き反射表面を有する第２の実施例を表す図。
手段に光学的に係合する基板に形成された２個の傾斜付
き反射表面を有する第２の実施例を表す図。
【図６】光の変調用の活性半導体素子を表す図。
【図７】活性半導体素子を有する２個の傾斜付き反射表
面をコーティングすることにより、光変調器が形成され
た第３の実施例を表す図。
面をコーティングすることにより、光変調器が形成され
た第３の実施例を表す図。
１ 基板 ２ 腐食性材料層 ４ 対称傾斜領域 ６ テーパ領域 １２ 基板 １４ 溝 １６ 導波路 １８ 入力光信号 ２０ 第２光学パス ２２ 傾斜反射表面 ３０ 基板 ３２ 変更溝 ３４ 導波路 ３６、３８ 光学信号 ４０ 第１傾斜反射表面 ４２ 第２傾斜反射表面 ４６ 変調器 ４８ 活性半導体素子 ５０ 周期層ミラー ５１、５２、５７、５８ 透明半導体材料層 ５３、５９ 周期 ６０ 電子吸収性半導体 ６２ 半導体接点層 ６４ 反射防止コート層 ６６、６８ 電極 ７０ 基板 ７２、７４ 傾斜反射表面 ７５、７６、７８、７９ 透明半導体材料層 ８０ 周期層ミラー ８２ 電子吸収性半導体材料層 ８４ 半導体接点層 ８６、８８ 電極 ８７ 光学信号 ８９ 反射防止コート層 ９０ 活性半導体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス アルバート ウォーカー アメリカ合衆国、07731 ニュー ジャー ジー、ハウウェル、バール、 ドライブ 18
Claims (12)
- 【請求項１】 第１面内の第１光学パス（１６）に沿っ
て伝搬する光信号を第２面内の第２光学パス（２０）に
沿って伝搬させるよう、光信号を反射させる溝（２２）
を基板（１２）形成する方法において、 （ａ）前記基板（１）上に塗布された腐食性材料層
（２）にテーパ領域（６）を形成するステップ（図２）
と、 （ｂ）前記腐食性材料層（２）と基板（１）の両方を腐
食させる条件で、腐食性材料層（１）をエッチングする
ことにより、前記基板（１）にテーパ領域（６）を形成
するステップ（図３）とからなることを特徴とする基板
の表面に溝を形成する方法。 - 【請求項２】 前記腐食性材料は、フォトレジスト、お
よび、光領域を規定するポリイミドからなるグループか
ら選択された材料であることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項３】 前記（ａ）のステップで形成されるテー
パ領域（６）は、腐食性材料層（２）の表面に入射され
るエネルギーが場所的に変化するような光に、腐食性材
料層（２）を露光することにより提供されることを特徴
とする請求項１の方法。 - 【請求項４】 前記エネルギーの場所的変化は、ハーフ
トーンフォトマスクあるいは線形に傾斜した領域を有す
るフォトマスクを用いて得られることを特徴とする請求
項３の方法。 - 【請求項５】 前記エネルギーの場所的変化は、走査ス
リットメソッド（scanned slit method）あるいは電子
ビームリソグラフィを用いて得られることを特徴とする
請求項３の方法。 - 【請求項６】 前記ステップ（ｂ）のエッチングは、反
応性イオンエッチング、プラズマイオンエッチング、ウ
エット化学エッチングのいずれかであることを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項７】 基板（１）対するテーパ領域（６）の角
度は、約４５゜傾斜していることを特徴とする請求項１
の方法。 - 【請求項８】 前記基板（１）は、複数のテーパ領域
（６）を有し、これらの傾斜角は等しいことを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項９】 前記テーパ領域（６）には反射性材料
（８９）が塗布されていることを特徴とする請求項１の
方法。 - 【請求項１０】 基板（３０）に形成された第１と第２
の傾斜反射表面（４０，４２）と、 前記第１傾斜反射表面（４０）からの光線を第２傾斜反
射表面（４２）に向ける前記活性半導体素子（４８）
と、 前記第１傾斜反射表面（４０）に光線を入射する導波路
（３４）と、 前記第２傾斜反射表面（４０）に反射された前記活性半
導体素子（４８）からの光線を受光する導波路と、から
なる変調器（４６）において（図５）、 前記活性半導体素子（４８）は、その第１状態では、第
１傾斜反射表面（４０）からの入射光を前記第２傾斜反
射表面（４２）に反射し、 前記活性半導体素子（４８）は、その第２状態では、第
１傾斜反射表面（４０）からの入射光を吸収することを
特徴とする変調器。 - 【請求項１１】 前記前記活性半導体素子（４８）は、
周期層ミラー（５０）と、前記周期層ミラー（５０）の
上に形成された電子吸収性半導体（６０）と、前記電子
吸収性半導体（６０）の上に形成された透明な半導体接
点層（６２）と前記半導体接点層（６２）と前記周期層
ミラー（５０）間にバイアスをかける電極（６６，６
８）とを有することを特徴とする請求項１０の変調器。 - 【請求項１２】 基板に形成された第１と第２の傾斜反
射表面と、活性半導体素子（４８）とからなる変調器に
おいて（図７）、 前記第１と第２の傾斜反射表面とは、互いに対向して溝
を形成し、 前記活性半導体素子（４８）は、前記第１と第２の傾斜
反射表面に形成されることを特徴とする変調器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14656793A | 1993-11-01 | 1993-11-01 | |
| US146567 | 1993-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176717A true JPH07176717A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=22517986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6288700A Pending JPH07176717A (ja) | 1993-11-01 | 1994-10-31 | 基板の表面に溝を形成する方法とこの方法により形成された変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5786925A (ja) |
| EP (1) | EP0651266A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07176717A (ja) |
| CA (1) | CA2130738A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913705B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-07-05 | Fujitsu Limited | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure |
| JP2008299098A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nec Corp | 光モジュール |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0804323B1 (de) * | 1995-01-18 | 1998-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung zur umsetzung von optischen in elektrische signale und verfahren zur herstellung |
| TW365057B (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for micro-mirror on the silicon substrate |
| US6498870B1 (en) | 1998-04-20 | 2002-12-24 | Omm, Inc. | Micromachined optomechanical switches |
| DE19838519A1 (de) * | 1998-08-25 | 2000-03-02 | Bosch Gmbh Robert | Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung |
| IT1308402B1 (it) * | 1999-03-03 | 2001-12-17 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento e dispositivo per accoppiare fibre ottiche e componentioptoelettronici. |
| TW460717B (en) * | 1999-03-30 | 2001-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | Optical wiring layer, optoelectric wiring substrate mounted substrate, and methods for manufacturing the same |
| US6453083B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-17 | Anis Husain | Micromachined optomechanical switching cell with parallel plate actuator and on-chip power monitoring |
| US6445840B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-03 | Omm, Inc. | Micromachined optical switching devices |
| US6445841B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-03 | Omm, Inc. | Optomechanical matrix switches including collimator arrays |
| US6449406B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-10 | Omm, Inc. | Micromachined optomechanical switching devices |
| US6328484B1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-12-11 | Agilent Technologies, Inc. | Fiber optic lens system for coupling fibers to surface mounted devices |
| US6434291B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-08-13 | Confluent Photonics Corporations | MEMS-based optical bench |
| US6496616B2 (en) | 2000-04-28 | 2002-12-17 | Confluent Photonics, Inc. | Miniature monolithic optical demultiplexer |
| US6453087B2 (en) | 2000-04-28 | 2002-09-17 | Confluent Photonics Co. | Miniature monolithic optical add-drop multiplexer |
| US7003187B2 (en) | 2000-08-07 | 2006-02-21 | Rosemount Inc. | Optical switch with moveable holographic optical element |
| US6810176B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-10-26 | Rosemount Inc. | Integrated transparent substrate and diffractive optical element |
| US6567574B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-05-20 | Omm, Inc. | Modular three-dimensional optical switch |
| US6563997B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-05-13 | Lighteross, Inc. | Formation of a surface on an optical component |
| US20020158047A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Yiqiong Wang | Formation of an optical component having smooth sidewalls |
| US20020158046A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Chi Wu | Formation of an optical component |
| KR20030010035A (ko) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 삼성전기주식회사 | 가변 광학 감쇠기 |
| US6775436B1 (en) | 2002-02-26 | 2004-08-10 | General Dynamics Advanced Technology Systems, Inc. | Optical fiber U-turn apparatus and method |
| DE10392348T5 (de) * | 2002-03-01 | 2005-03-03 | Rosemount Inc., Eden Prairie | Optischer Schalter mit 3D-Wellenleitern |
| US6885795B1 (en) | 2002-05-31 | 2005-04-26 | Kotusa, Inc. | Waveguide tap monitor |
| CN1467517A (zh) * | 2002-06-07 | 2004-01-14 | ��ʿ��Ƭ��ʽ���� | 光布线电路制造方法及具有该光布线电路的光布线基板 |
| US6947622B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-09-20 | Kotura, Inc. | Wafer level testing of optical components |
| US7149376B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-12-12 | Ibiden Co., Ltd. | Embedded optical coupling in circuit boards |
| US6921490B1 (en) | 2002-09-06 | 2005-07-26 | Kotura, Inc. | Optical component having waveguides extending from a common region |
| US7308166B1 (en) | 2002-10-08 | 2007-12-11 | Kotura, Inc. | Coupling a light sensor array with an optical component |
| US7343058B2 (en) * | 2003-04-22 | 2008-03-11 | Intel Corporation | Efficient light coupler from off-chip to on-chip waveguides |
| JP2005062557A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-03-10 | Canon Inc | 光素子装置、それを用いた二次元光導波路素子及び光電融合配線基板 |
| WO2006102917A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Pirelli & C. S.P.A. | Method to fabricate a redirecting mirror in optical waveguide devices |
| EP1877863A2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-01-16 | The President and Fellows of Harvard College | Adjustable solubility in sacrificial layers for microfabrication |
| US7639912B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-12-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus and method for subterranean distribution of optical signals |
| US7668420B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-02-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical waveguide ring resonator with an intracavity active element |
| WO2010080159A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and methods for routing optical signals |
| US9164231B2 (en) * | 2011-08-08 | 2015-10-20 | Oracle International Corporation | Ultra-compact photodetector on an optical waveguide |
| CA2843191C (en) * | 2011-08-15 | 2017-12-19 | Globaltech Corporation Pty Ltd | Optical device for use with downhole equipment |
| DK2798389T3 (en) | 2011-12-27 | 2017-09-11 | Neophotonics Corp | CLUTCH SYSTEM FOR INTEGRATED CIRCUIT WITH WAVE CONTROLLER AND METHOD OF PRODUCING THEREOF |
| US10641975B2 (en) * | 2015-09-03 | 2020-05-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | System, method, and apparatus for optical broadcast transmission in a circuit board |
| US10234644B1 (en) * | 2017-10-20 | 2019-03-19 | Corning Optical Communications LLC | Optical-electrical printed circuit boards with integrated optical waveguide arrays and photonic assemblies using same |
| US20230025444A1 (en) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Systems and methods for silicon microstructures fabricated via greyscale drie with soi release |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL94817C (ja) * | 1954-03-26 | |||
| US4136928A (en) * | 1977-05-06 | 1979-01-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror |
| US4376160A (en) * | 1980-04-07 | 1983-03-08 | California Institute Of Technology | Method of making and structure for monolithic optical circuits |
| US4461535A (en) * | 1981-10-21 | 1984-07-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Wavelength filters |
| JPS5925282A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Fujitsu Ltd | 光伝送路付光半導体パツケ−ジ |
| US4564584A (en) * | 1983-12-30 | 1986-01-14 | Ibm Corporation | Photoresist lift-off process for fabricating semiconductor devices |
| US4751171A (en) * | 1984-07-03 | 1988-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming method |
| JPH0648546B2 (ja) * | 1984-07-14 | 1994-06-22 | 日本ビクター株式会社 | 情報記録担体の製造法 |
| US4732446A (en) * | 1985-10-02 | 1988-03-22 | Lamar Gipson | Electrical circuit and optical data buss |
| US4869780A (en) * | 1987-04-10 | 1989-09-26 | Trw Inc. | Ion milling method |
| JPS6450588A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu | Manufacture of optical path rise type semiconductor light-emitting element |
| JPH01282517A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光変調器 |
| US5279924A (en) * | 1989-04-04 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves |
| US5170448A (en) * | 1992-01-06 | 1992-12-08 | Motorola, Inc. | Optical waveguide apparatus and method for partially collecting light |
| JPH05206025A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Rohm Co Ltd | 微細加工方法 |
| US5310623A (en) * | 1992-11-27 | 1994-05-10 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Method for fabricating microlenses |
| EP0614101A3 (en) * | 1993-02-03 | 1994-10-19 | Canon Kk | Optical deflector and process for its manufacture. |
-
1994
- 1994-08-23 CA CA002130738A patent/CA2130738A1/en not_active Abandoned
- 1994-10-19 EP EP94307652A patent/EP0651266A3/en not_active Withdrawn
- 1994-10-31 JP JP6288700A patent/JPH07176717A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-20 US US08/650,582 patent/US5786925A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913705B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-07-05 | Fujitsu Limited | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure |
| JP2008299098A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nec Corp | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0651266A2 (en) | 1995-05-03 |
| US5786925A (en) | 1998-07-28 |
| CA2130738A1 (en) | 1995-05-02 |
| EP0651266A3 (en) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07176717A (ja) | 基板の表面に溝を形成する方法とこの方法により形成された変調器 | |
| US5116461A (en) | Method for fabricating an angled diffraction grating | |
| US7871760B2 (en) | Method to fabricate a redirecting mirror in optical waveguide devices | |
| US6913871B2 (en) | Fabricating sub-resolution structures in planar lightwave devices | |
| US4049944A (en) | Process for fabricating small geometry semiconductive devices including integrated components | |
| EP0732783A1 (en) | Semiconductor laser and a method of producing the same | |
| US5225039A (en) | Method for producing a diffraction grating | |
| EP0110184B1 (en) | Process for fabricating integrated optics | |
| CN110068942A (zh) | 用于低能量数据调制的装置和方法 | |
| JPS60502021A (ja) | イントラウエ−ブガイド用光フアイバ・ビ−ムスプリツタ／カプラ− | |
| US5101454A (en) | Light emitting diode with multifaceted reflector to increase coupling efficiency and alignment tolerance | |
| EP0379358B1 (en) | A method for producing a diffraction grating in optical elements | |
| US6174644B1 (en) | Anti-reflective silicon nitride film using in-situ deposition | |
| JPS62296102A (ja) | 導波路グレ−テイング結合器 | |
| JPH0618737A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| US5543252A (en) | Method for manufacturing exposure mask and the exposure mask | |
| JP2809809B2 (ja) | 位相シフト型回折格子の製造方法 | |
| JP3857707B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| EP0490320B1 (en) | A method for producing a diffraction grating | |
| KR100283370B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
| US6599766B1 (en) | Method for determining an anti reflective coating thickness for patterning a thin film semiconductor layer | |
| JP3422054B2 (ja) | 光学マスクおよびその製造方法 | |
| JP2000180645A (ja) | 光導波路素子の光接続端面の形成方法 | |
| KR100338932B1 (ko) | 웨이퍼 노광 장치 | |
| JPH07159971A (ja) | 光学マスクブランクと光学マスクおよびそれらの製造方法 |