JPH07176398A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07176398A JPH07176398A JP6257978A JP25797894A JPH07176398A JP H07176398 A JPH07176398 A JP H07176398A JP 6257978 A JP6257978 A JP 6257978A JP 25797894 A JP25797894 A JP 25797894A JP H07176398 A JPH07176398 A JP H07176398A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ密度を高くして効率的な処理を行な
うことができ、また、空間的なプラズマ密度の分布を制
御することができ、空間的に均一なプラズマにより均一
な処理を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供す
る。 【構成】 プラズマ生起用電極１２は、実質的に３つの
プラズマ生起用電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃからなり、
プラズマ生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ
生起用電極１２ｂは電源装置１４ｂに、プラズマ生起用
電極１２ｃは電源装置１４ｃに接続されている。そし
て、電源装置１４ｂと電源装置１４ｃは、それぞれ位相
がずれた高周波を印加する。
うことができ、また、空間的なプラズマ密度の分布を制
御することができ、空間的に均一なプラズマにより均一
な処理を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供す
る。 【構成】 プラズマ生起用電極１２は、実質的に３つの
プラズマ生起用電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃからなり、
プラズマ生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ
生起用電極１２ｂは電源装置１４ｂに、プラズマ生起用
電極１２ｃは電源装置１４ｃに接続されている。そし
て、電源装置１４ｂと電源装置１４ｃは、それぞれ位相
がずれた高周波を印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理基板上にＣＶＤ、エッチング、その他の表面処理を行
なうプラズマ処理装置に関する。
理基板上にＣＶＤ、エッチング、その他の表面処理を行
なうプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にプラズマ処理装置は、半導体装置
の製造等に用いられ、半導体ウエハ等の被処理基板の表
面処理を行なう。
の製造等に用いられ、半導体ウエハ等の被処理基板の表
面処理を行なう。
【０００３】図５は、このようなプラズマ処理装置の例
として反応性イオンエッチングを行なうプラズマ処理装
置を示すもので、処理容器１内に配置された細孔２ａを
設けられたアノ―ド電極２と、被処理基板３および絶縁
膜４を配置されたカソ―ド電極５とから構成されるプラ
ズマ生起用電極の間には、整合回路を備えた電源装置６
から高周波電圧が印加される。
として反応性イオンエッチングを行なうプラズマ処理装
置を示すもので、処理容器１内に配置された細孔２ａを
設けられたアノ―ド電極２と、被処理基板３および絶縁
膜４を配置されたカソ―ド電極５とから構成されるプラ
ズマ生起用電極の間には、整合回路を備えた電源装置６
から高周波電圧が印加される。
【０００４】そして、導入口７から導入され、排出口８
から排出されるＳＦ6 、ＣＣｌ4 、ＮＦ3 、Ｈｅ等の反
応ガスは、図示矢印のように流れ、アノ―ド電極２と、
カソ―ド電極５との間でプラズマ９とされる。
から排出されるＳＦ6 、ＣＣｌ4 、ＮＦ3 、Ｈｅ等の反
応ガスは、図示矢印のように流れ、アノ―ド電極２と、
カソ―ド電極５との間でプラズマ９とされる。
【０００５】また、プラズマと被処理基板３との間に
は、高電界部１０（プラズマシ―ス）が形成され、電気
的に中性でないイオンは、このプラズマシ―スによって
加速され、被処理基板３上に方向性をもって衝突し、エ
ッチングが行なわれる。
は、高電界部１０（プラズマシ―ス）が形成され、電気
的に中性でないイオンは、このプラズマシ―スによって
加速され、被処理基板３上に方向性をもって衝突し、エ
ッチングが行なわれる。
【０００６】また、特公昭６１−６５３６号等に示され
たプラズマ処理装置のように、アノ―ド電極とカソ―ド
電が極被処理基板の上方に対向して配置されたプラズマ
生起用電極を備えたプラズマ処理装置もある。
たプラズマ処理装置のように、アノ―ド電極とカソ―ド
電が極被処理基板の上方に対向して配置されたプラズマ
生起用電極を備えたプラズマ処理装置もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のプラズマ処理装置では、印加電圧の増大およびプ
ラズマ生起用電極間距離の短縮などによりプラズマ密度
を高くすると、イオンの被処理基板上への衝突のエネル
ギ―も高くなり、被処理基板に損傷を与えるため、プラ
ズマ密度を高くすることができないという問題がある。
また、電界や反応ガスの流れ等により、空間的なプラズ
マ密度の分布に不均一が生じ、エッチングレ―トが不均
一となるが、このようなプラズマ密度の空間的な分布の
制御を行なうことができないという問題がある。
従来のプラズマ処理装置では、印加電圧の増大およびプ
ラズマ生起用電極間距離の短縮などによりプラズマ密度
を高くすると、イオンの被処理基板上への衝突のエネル
ギ―も高くなり、被処理基板に損傷を与えるため、プラ
ズマ密度を高くすることができないという問題がある。
また、電界や反応ガスの流れ等により、空間的なプラズ
マ密度の分布に不均一が生じ、エッチングレ―トが不均
一となるが、このようなプラズマ密度の空間的な分布の
制御を行なうことができないという問題がある。
【０００８】本発明はかかる従来の問題に対処してなさ
れたもので、プラズマ密度を高くして効率的な処理を行
なうことができ、また、空間的なプラズマ密度の分布を
制御することができ、空間的に均一なプラズマにより均
一な処理を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供
しようとするものである。
れたもので、プラズマ密度を高くして効率的な処理を行
なうことができ、また、空間的なプラズマ密度の分布を
制御することができ、空間的に均一なプラズマにより均
一な処理を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供
しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明のプラズ
マ処理装置は、被処理基板を収容する処理容器と、この
処理容器内に配置された前記被処理基板を載置する載置
台と、前記処理容器内の空間に設けられた少なくとも３
つのプラズマ生起用電極と、これら少なくとも３つのプ
ラズマ生起用電極に位相の異なった電圧を印加してプラ
ズマを生起させる電源装置とを備え、前記少なくとも３
つのプラズマ生起用電極によって生起されたプラズマに
より被処理基板の処理を行なうことを特徴とする。
マ処理装置は、被処理基板を収容する処理容器と、この
処理容器内に配置された前記被処理基板を載置する載置
台と、前記処理容器内の空間に設けられた少なくとも３
つのプラズマ生起用電極と、これら少なくとも３つのプ
ラズマ生起用電極に位相の異なった電圧を印加してプラ
ズマを生起させる電源装置とを備え、前記少なくとも３
つのプラズマ生起用電極によって生起されたプラズマに
より被処理基板の処理を行なうことを特徴とする。
【００１０】また、本発明のプラズマ処理装置は、被処
理基板を収容する処理容器と、この処理容器内に配置さ
れた前記被処理基板を載置する載置台と、この載置台に
高周波の電圧を印加する電源装置と、前記処理容器内の
空間に設けられた少なくとも３つのプラズマ生起用電極
と、これら少なくとも３つのプラズマ生起用電極に位相
の異なった電圧を印加してプラズマを生起させる電源装
置とを備え、前記少なくとも３つのプラズマ生起用電極
によって生起されたプラズマにより被処理基板の処理を
行なうことを特徴とする。
理基板を収容する処理容器と、この処理容器内に配置さ
れた前記被処理基板を載置する載置台と、この載置台に
高周波の電圧を印加する電源装置と、前記処理容器内の
空間に設けられた少なくとも３つのプラズマ生起用電極
と、これら少なくとも３つのプラズマ生起用電極に位相
の異なった電圧を印加してプラズマを生起させる電源装
置とを備え、前記少なくとも３つのプラズマ生起用電極
によって生起されたプラズマにより被処理基板の処理を
行なうことを特徴とする。
【００１１】
【作 用】本発明のプラズマ処理装置では、３つのプラ
ズマ生起用電極間に、例えばπ／２位相のずれた電圧な
ど位相の異なった電圧が印加されるので、これらの電極
間で位相のずれた電界が生じ、ちょうど３つのプラズマ
生起用電極間に所定の電位が一定方向に回転する構成と
なり、この回転する電位がプラズマに作用して、プラズ
マが回転しこの回転により、プラズマが均一化される。
また、印加される電圧等を変えることにより、プラズマ
密度およびプラズマ密度の空間的分布も制御することが
できる。
ズマ生起用電極間に、例えばπ／２位相のずれた電圧な
ど位相の異なった電圧が印加されるので、これらの電極
間で位相のずれた電界が生じ、ちょうど３つのプラズマ
生起用電極間に所定の電位が一定方向に回転する構成と
なり、この回転する電位がプラズマに作用して、プラズ
マが回転しこの回転により、プラズマが均一化される。
また、印加される電圧等を変えることにより、プラズマ
密度およびプラズマ密度の空間的分布も制御することが
できる。
【００１２】また、請求項３，４記載のプラズマ処理装
置では、上記構成に加えてさらに被処理基板が載置され
る載置台に高周波の電圧を印加する電源装置を備えてい
る。したがって、被処理基板の被処理面の電位を変動さ
せて、プラズマ中からイオンと電子を方向性を持って交
互に被処理基板に入射させ、被処理基板に電荷が蓄積さ
れることを防止することができ、被処理面の電位を、イ
オンが方向性を持って十分大きな運動エネルギーで入射
できるレベルに維持して、エッチングをより高速に行う
ことができる。また、プラズマを発生させる電源装置と
は独立に、電源装置の電圧を設定して衝突するイオンの
運動エネルギーを制御できるので、目的とするプラズマ
処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エネルギ
ーを選ぶことができる。
置では、上記構成に加えてさらに被処理基板が載置され
る載置台に高周波の電圧を印加する電源装置を備えてい
る。したがって、被処理基板の被処理面の電位を変動さ
せて、プラズマ中からイオンと電子を方向性を持って交
互に被処理基板に入射させ、被処理基板に電荷が蓄積さ
れることを防止することができ、被処理面の電位を、イ
オンが方向性を持って十分大きな運動エネルギーで入射
できるレベルに維持して、エッチングをより高速に行う
ことができる。また、プラズマを発生させる電源装置と
は独立に、電源装置の電圧を設定して衝突するイオンの
運動エネルギーを制御できるので、目的とするプラズマ
処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エネルギ
ーを選ぶことができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明装置の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１４】図１はプラズマ処理装置として半導体ウエ
ハ等の被処理基板上に反応性イオンエッチングを行なう
プラズマ処理装置を示すもので、この実施例のプラズマ
処理装置では、アルミ等からなり内部をアルマイトで処
理された処理容器１１内の上部には、ケイ素化炭素等か
らなる多数の棒状のプラズマ生起用電極１２が絶縁性の
多孔質体１３に保持され吊設されており、これらのプラ
ズマ生起用電極１２は、接地されているものと、電源装
置１４に接続されているものがある。
ハ等の被処理基板上に反応性イオンエッチングを行なう
プラズマ処理装置を示すもので、この実施例のプラズマ
処理装置では、アルミ等からなり内部をアルマイトで処
理された処理容器１１内の上部には、ケイ素化炭素等か
らなる多数の棒状のプラズマ生起用電極１２が絶縁性の
多孔質体１３に保持され吊設されており、これらのプラ
ズマ生起用電極１２は、接地されているものと、電源装
置１４に接続されているものがある。
【００１５】なおこの実施例では、これらのプラズマ生
起用電極１２は、実質的に３つのプラズマ生起用電極１
２ａ、１２ｂ、１２ｃからなり、図２に示すように、プ
ラズマ生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ生
起用電極１２ｂは電源装置１４ｂに、プラズマ生起用電
極１２ｃは電源装置１４ｃに接続されている。そして、
電源装置１４ｂと電源装置１４ｃは、それぞれ位相がπ
／２ずれた周波数13.56MHzの高周波を印加する。
起用電極１２は、実質的に３つのプラズマ生起用電極１
２ａ、１２ｂ、１２ｃからなり、図２に示すように、プ
ラズマ生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ生
起用電極１２ｂは電源装置１４ｂに、プラズマ生起用電
極１２ｃは電源装置１４ｃに接続されている。そして、
電源装置１４ｂと電源装置１４ｃは、それぞれ位相がπ
／２ずれた周波数13.56MHzの高周波を印加する。
【００１６】また、これらのプラズマ生起用電極１２の
下方には、たとえば周波数400KHz程度の周波数の電圧を
印加する電源装置１５に接続され、被処理基板１６が載
置されるサセプタ１７が配置されている。
下方には、たとえば周波数400KHz程度の周波数の電圧を
印加する電源装置１５に接続され、被処理基板１６が載
置されるサセプタ１７が配置されている。
【００１７】ここで、サセプタ１７に電源装置１５から
高周波電圧が印加されることにより、電源装置１５を使
用しない場合に較べて、次のような効果を得ることがで
きる。 すなわち、電源装置１５からの高周波電圧によ
り、サセプタ１７上に載置された被処理基板１６の被処
理面の電位が上下動するので、これによって、プラズマ
化された反応性ガス中から、イオンと電子が方向性を持
って交互に被処理基板１６に入射する。したがって、被
処理基板１６に電荷が蓄積されることがなく、被処理面
の電位を、イオンが方向性を持って十分大きな運動エネ
ルギーで入射できるレベルに維持することができ、エッ
チングをより高速に行うことができる。
高周波電圧が印加されることにより、電源装置１５を使
用しない場合に較べて、次のような効果を得ることがで
きる。 すなわち、電源装置１５からの高周波電圧によ
り、サセプタ１７上に載置された被処理基板１６の被処
理面の電位が上下動するので、これによって、プラズマ
化された反応性ガス中から、イオンと電子が方向性を持
って交互に被処理基板１６に入射する。したがって、被
処理基板１６に電荷が蓄積されることがなく、被処理面
の電位を、イオンが方向性を持って十分大きな運動エネ
ルギーで入射できるレベルに維持することができ、エッ
チングをより高速に行うことができる。
【００１８】また、プラズマを発生させる電源装置１４
とは独立に、電源装置１５の電圧を設定して衝突するイ
オンの運動エネルギーを制御できるので、目的とするプ
ラズマ処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エ
ネルギーを電源装置１５によって選ぶことができる。
とは独立に、電源装置１５の電圧を設定して衝突するイ
オンの運動エネルギーを制御できるので、目的とするプ
ラズマ処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エ
ネルギーを電源装置１５によって選ぶことができる。
【００１９】そして、導入口１８から導入され排出口１
９から排出されるＳＦ6 、ＮＦ3 、Ｆ3 、ＣＣｌ4 、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 等の反応ガスは、プラズマ生起用電極１２間
でプラズマとされ、電圧を印加されたサセプタ１７上の
被処理基板１６へ方向性をもって衝突し、エッチングが
行なわれる。
９から排出されるＳＦ6 、ＮＦ3 、Ｆ3 、ＣＣｌ4 、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 等の反応ガスは、プラズマ生起用電極１２間
でプラズマとされ、電圧を印加されたサセプタ１７上の
被処理基板１６へ方向性をもって衝突し、エッチングが
行なわれる。
【００２０】このとき、位相がπ／２異なる高周波電圧
を印加された電極対内の空間では、位相がπ／２異なる
電界が生じるので、電子はこの空間内から逃げることな
く、この空間内で回転し、反応ガスと衝突することによ
り、高いイオン化率が得られる。また、電子の回転運動
により、ブラズマも回転し、均一化される。
を印加された電極対内の空間では、位相がπ／２異なる
電界が生じるので、電子はこの空間内から逃げることな
く、この空間内で回転し、反応ガスと衝突することによ
り、高いイオン化率が得られる。また、電子の回転運動
により、ブラズマも回転し、均一化される。
【００２１】図３は、プラズマ生起用電極１２によって
印加する電圧を変化させ、プラズマ密度の空間的な分布
の制御を行なう例を示すもので、実質的に３つのプラズ
マ生起用電極１２ａ、１２ｄ、１２ｅのうち、プラズマ
生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ生起用電
極１２ｄ、１２ｅは、それぞれ位相がπ／２ずれた周波
数13.56MHzの高周波を印加する電源装置１４ｄ、１４ｅ
にそれぞれ可変抵抗２０を介して接続されており、可変
抵抗２０を調節し、たとえばプラスマ密度が低くなる領
域に配置されたプラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅに印
加する電圧を高くし、プラスマ密度が高くなる領域に配
置されたプラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅに印加する
電圧を低くする等、プラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅ
毎に印加する電圧を変化させ、プラズマ密度の空間的な
分布を制御する。
印加する電圧を変化させ、プラズマ密度の空間的な分布
の制御を行なう例を示すもので、実質的に３つのプラズ
マ生起用電極１２ａ、１２ｄ、１２ｅのうち、プラズマ
生起用電極１２ａは接地されており、プラズマ生起用電
極１２ｄ、１２ｅは、それぞれ位相がπ／２ずれた周波
数13.56MHzの高周波を印加する電源装置１４ｄ、１４ｅ
にそれぞれ可変抵抗２０を介して接続されており、可変
抵抗２０を調節し、たとえばプラスマ密度が低くなる領
域に配置されたプラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅに印
加する電圧を高くし、プラスマ密度が高くなる領域に配
置されたプラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅに印加する
電圧を低くする等、プラズマ生起用電極１２ｄ、１２ｅ
毎に印加する電圧を変化させ、プラズマ密度の空間的な
分布を制御する。
【００２２】図４は、コンデンサを用いてプラズマ生起
用電極１２によって印加する電圧の位相を変化させた例
を示すもので、実質的に３つのプラズマ生起用電極１２
ａ、１２ｆ、１２ｇのうち、プラズマ生起用電極１２ａ
は接地されており、周波数13.56MHzの高周波を印加する
電源装置１４ｆに接続されたプラズマ生起用電極１２ｆ
と、この電源装置１４ｆにコンデンサ２１を介して接続
されたプラズマ生起用電極１２ｇとの間には、印加され
る電圧に位相の差が生じる。
用電極１２によって印加する電圧の位相を変化させた例
を示すもので、実質的に３つのプラズマ生起用電極１２
ａ、１２ｆ、１２ｇのうち、プラズマ生起用電極１２ａ
は接地されており、周波数13.56MHzの高周波を印加する
電源装置１４ｆに接続されたプラズマ生起用電極１２ｆ
と、この電源装置１４ｆにコンデンサ２１を介して接続
されたプラズマ生起用電極１２ｇとの間には、印加され
る電圧に位相の差が生じる。
【００２３】すなわち、この実施例のプラズマ処理装置
では、３つのプラズマ生起用電極１２を備え、これらの
プラズマ生起用電極１２によって生起されたプラズマに
よって被処理基板１６上に処理を施すので、イオンの衝
突エネルギ―を変化させることなくプラズマ密度を任意
に高くして効率的な処理を行なうことができる。
では、３つのプラズマ生起用電極１２を備え、これらの
プラズマ生起用電極１２によって生起されたプラズマに
よって被処理基板１６上に処理を施すので、イオンの衝
突エネルギ―を変化させることなくプラズマ密度を任意
に高くして効率的な処理を行なうことができる。
【００２４】またプラズマ生起用電極１２によって印加
電圧、周波数、位相等を任意に変更し、プラズマ密度の
空間的な分布を制御することができ、均一なプラズマに
よって均一な処理を行なうことができる。
電圧、周波数、位相等を任意に変更し、プラズマ密度の
空間的な分布を制御することができ、均一なプラズマに
よって均一な処理を行なうことができる。
【００２５】なお、この実施例では被処理基板１６上に
反応性イオンエッチングを行なうプラズマ処理装置につ
いて説明したが、本発明のプラズマ処理装置はかかる実
施例に限定されるものではなく、たとえばプラズマＣＶ
Ｄその他の表面処理を行なうプラズマ処理装置に適用す
ることができることは勿論である。
反応性イオンエッチングを行なうプラズマ処理装置につ
いて説明したが、本発明のプラズマ処理装置はかかる実
施例に限定されるものではなく、たとえばプラズマＣＶ
Ｄその他の表面処理を行なうプラズマ処理装置に適用す
ることができることは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】上述のように本発明のプラズマ処理装置
では、プラズマ密度を高くして効率的な処理を行なうこ
とができる。また、空間的なプラズマ密度の分布を制御
することができ、空間的に均一なプラズマにより均一な
処理を行なうことができる。
では、プラズマ密度を高くして効率的な処理を行なうこ
とができる。また、空間的なプラズマ密度の分布を制御
することができ、空間的に均一なプラズマにより均一な
処理を行なうことができる。
【００２７】また、第２の発明のプラズマ処理装置で
は、上記効果に加えて、さらに、被処理基板に電荷が蓄
積されることを防止することができ、エッチングをより
高速に行うことができるとともに、目的とするプラズマ
処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エネルギ
ーを選ぶことができる。
は、上記効果に加えて、さらに、被処理基板に電荷が蓄
積されることを防止することができ、エッチングをより
高速に行うことができるとともに、目的とするプラズマ
処理例えばエッチング処理に最適なイオン加速エネルギ
ーを選ぶことができる。
【図１】本発明の一実施例のプラズマ処理装置を示す縦
断面図
断面図
【図２】第１図の配線図
【図３】第１図の他の配線例を示す配線図
【図４】第１図の他の配線例を示す配線図
【図５】従来のプラズマ処理装置を示す縦断面図
１１ 処理容器 １２ プラズマ生起用電極 １４ 電源装置 １６ 被処理基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/31
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理基板を収容する処理容器と、 この処理容器内に配置された前記被処理基板を載置する
載置台と、 前記処理容器内の空間に設けられた少なくとも３つのプ
ラズマ生起用電極と、 これら少なくとも３つのプラズマ生起用電極に位相の異
なった電圧を印加してプラズマを生起させる電源装置と
を備え、 前記少なくとも３つのプラズマ生起用電極によって生起
されたプラズマにより被処理基板の処理を行なうことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記電源装置は、前記少なくとも３つの
プラズマ生起用電極に位相の異なった電圧を印加してプ
ラズマを生起させプラズマ中の電子を回転運動させるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板を収容する処理容器と、 この処理容器内に配置された前記被処理基板を載置する
載置台と、 この載置台に高周波の電圧を印加する電源装置と、 前記処理容器内の空間に設けられた少なくとも３つのプ
ラズマ生起用電極と、 これら少なくとも３つのプラズマ生起用電極に位相の異
なった電圧を印加してプラズマを生起させる電源装置と
を備え、 前記少なくとも３つのプラズマ生起用電極によって生起
されたプラズマにより被処理基板の処理を行なうことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記プラズマを生起させる電源装置は、
前記少なくとも３つのプラズマ生起用電極に位相の異な
った電圧を印加してプラズマを生起させプラズマ中の電
子を回転運動させることを特徴とする請求項３記載のプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257978A JP2657170B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257978A JP2657170B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11699786A Division JPS62273731A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
| US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
| US6132566A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
| US6146508A (en) * | 1998-04-22 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil |
| US6190513B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition |
| US6210539B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate |
| US6217718B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma |
| US6228229B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6231725B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma |
| US6235169B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modulated power for ionized metal plasma deposition |
| US6238528B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
| US6254738B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution |
| US6254746B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
| US6254737B1 (en) | 1996-10-08 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
| US6280579B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Target misalignment detector |
| US6359250B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-03-19 | Applied Komatsu Technology, Inc. | RF matching network with distributed outputs |
| US6361661B2 (en) | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
| US6368469B1 (en) | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
| US6375810B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma vapor deposition with coil sputtering |
| US6514390B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method to eliminate coil sputtering in an ICP source |
| US6565717B1 (en) | 1997-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma |
| US6579426B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
| US6599399B2 (en) | 1997-03-07 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field |
| US6652717B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
| US6660134B1 (en) | 1998-07-10 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Feedthrough overlap coil |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284571A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | 放電電極 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP6257978A patent/JP2657170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284571A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | 放電電極 |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228229B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6297595B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6368469B1 (en) | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
| US6783639B2 (en) | 1996-05-09 | 2004-08-31 | Applied Materials | Coils for generating a plasma and for sputtering |
| US6254746B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
| US6254737B1 (en) | 1996-10-08 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
| US6514390B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method to eliminate coil sputtering in an ICP source |
| US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
| US6599399B2 (en) | 1997-03-07 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field |
| US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
| US6210539B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate |
| US6190513B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition |
| US6361661B2 (en) | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
| US6579426B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
| US6652717B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
| US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
| US6375810B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma vapor deposition with coil sputtering |
| US6235169B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modulated power for ionized metal plasma deposition |
| US6565717B1 (en) | 1997-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| US6280579B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Target misalignment detector |
| US6254738B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution |
| US6146508A (en) * | 1998-04-22 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil |
| US6660134B1 (en) | 1998-07-10 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Feedthrough overlap coil |
| US6552297B2 (en) | 1998-07-13 | 2003-04-22 | Applied Komatsu Technology, Inc. | RF matching network with distributed outputs |
| US6359250B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-03-19 | Applied Komatsu Technology, Inc. | RF matching network with distributed outputs |
| US6132566A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
| US6231725B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma |
| US6238528B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
| US6217718B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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