JPH0717469B2 - 窒化アルミニウム基板 - Google Patents
窒化アルミニウム基板Info
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- JPH0717469B2 JPH0717469B2 JP6933188A JP6933188A JPH0717469B2 JP H0717469 B2 JPH0717469 B2 JP H0717469B2 JP 6933188 A JP6933188 A JP 6933188A JP 6933188 A JP6933188 A JP 6933188A JP H0717469 B2 JPH0717469 B2 JP H0717469B2
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- aluminum nitride
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5144—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the metals of the iron group
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は窒化アルミニウム（AlN）基板に関し、さらに
詳しくは高い接合強度を有する導電性メタライズ層（以
下、「メタライズ層」と略す）が形成された窒化アルミ
ニウム基板に関する。
詳しくは高い接合強度を有する導電性メタライズ層（以
下、「メタライズ層」と略す）が形成された窒化アルミ
ニウム基板に関する。
［従来の技術］ 近年、特に電子装置および機器は小型化、高密度化が強
く要求されており、これらの要求はICにLSIを実装する
基板に対しても生じている。一方、LSIの高速作動、高
集積化に伴ってチップから発生する熱は多量になってく
る傾向にあり、前述の基板の小型化と相乗して基板単位
面積当りの発熱量は大幅に増大している。
く要求されており、これらの要求はICにLSIを実装する
基板に対しても生じている。一方、LSIの高速作動、高
集積化に伴ってチップから発生する熱は多量になってく
る傾向にあり、前述の基板の小型化と相乗して基板単位
面積当りの発熱量は大幅に増大している。
従来、この種の実装基板としては、一般にアルミナ（Al
2O3）基板が用いられている。
2O3）基板が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述したAl2O3基板では熱の放散性が十
分でないという問題があり、Al2O3基板よりも熱伝導率
が大きく、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要になって
いる。これらの条件を満たすものとして、最近AlN焼結
体で形成された基板が注目されている。このAlN焼結体
は熱伝導率がAl2O3基板の約８〜10倍と高く、また電気
絶縁性にも優れ、しかも熱膨張率がシリコンに近いとい
う特性を有しているため、高集積化されたLSI等の実装
基板として適したものである。
分でないという問題があり、Al2O3基板よりも熱伝導率
が大きく、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要になって
いる。これらの条件を満たすものとして、最近AlN焼結
体で形成された基板が注目されている。このAlN焼結体
は熱伝導率がAl2O3基板の約８〜10倍と高く、また電気
絶縁性にも優れ、しかも熱膨張率がシリコンに近いとい
う特性を有しているため、高集積化されたLSI等の実装
基板として適したものである。
このようなAlN焼結体を実装基板として使用するために
は、表面に配線等を行うためのメタライズ層を形成する
必要があるが、このメタライズ層を形成する方法として
は従来より金、銀−パラジウムを用いた厚膜法が知られ
ている。しかしながらこれらの厚膜法では、約600〜100
0℃程度の温度でメタライズ層を形成するため高温下に
おいてAlNとメタライズ層の接合強度が低下するという
欠点がある。
は、表面に配線等を行うためのメタライズ層を形成する
必要があるが、このメタライズ層を形成する方法として
は従来より金、銀−パラジウムを用いた厚膜法が知られ
ている。しかしながらこれらの厚膜法では、約600〜100
0℃程度の温度でメタライズ層を形成するため高温下に
おいてAlNとメタライズ層の接合強度が低下するという
欠点がある。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、AlNとメタライズ層の接合強度が大
きく、高集積・高電力電子回路用基板として最適のAlN
基板を提供することを目的とする。
になされたもので、AlNとメタライズ層の接合強度が大
きく、高集積・高電力電子回路用基板として最適のAlN
基板を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、窒化アルミニウム焼結体上にニッケルおよび
炭化チタンを含有する導電性メタライズ層が形成されて
なることを特徴とする窒化アルミニウム基板である。
炭化チタンを含有する導電性メタライズ層が形成されて
なることを特徴とする窒化アルミニウム基板である。
本発明において、メタライズ層を形成するニッケルと炭
化チタンの使用割合は炭化チタン含有量が１〜10重量％
であることが好ましい。
化チタンの使用割合は炭化チタン含有量が１〜10重量％
であることが好ましい。
［実施例］ 次に本発明の実施例について詳細に説明する。
ニッケルの粉末95重量部と炭化チタンの粉末５重量部と
を混合し、得られた混合物80重量部を４重量部のエチル
セルロースと16重量部のα−テルピネオールに分散せし
め、ペースト化した。次にこのペーストを厚膜印刷法に
よりAlN焼結体上に10〜20μｍの膜厚になるように塗布
した。乾燥後、第１表に示す条件で加熱し、メタライズ
層を形成した。
を混合し、得られた混合物80重量部を４重量部のエチル
セルロースと16重量部のα−テルピネオールに分散せし
め、ペースト化した。次にこのペーストを厚膜印刷法に
よりAlN焼結体上に10〜20μｍの膜厚になるように塗布
した。乾燥後、第１表に示す条件で加熱し、メタライズ
層を形成した。
このようにして得られたAlN基板のAlN焼結体とメタライ
ズ層の接合強度を測定した。測定方法はメタライズ面に
銅製ピンをハンダ付けし、万能引張試験機を用いて行っ
た。その結果を第１表に併せて示す。同表の測定結果か
らいずれの場合も高い接合強度が得られ、特に1300℃、
0.5hのメタルライズ条件が最適条件であることがわか
る。なお、このメタライズ条件での強度測定の際、焼結
体の一部がえぐり取られるモードが測定数の約半数あ
り、実際の接合強度はさらに大きいと推察される。
ズ層の接合強度を測定した。測定方法はメタライズ面に
銅製ピンをハンダ付けし、万能引張試験機を用いて行っ
た。その結果を第１表に併せて示す。同表の測定結果か
らいずれの場合も高い接合強度が得られ、特に1300℃、
0.5hのメタルライズ条件が最適条件であることがわか
る。なお、このメタライズ条件での強度測定の際、焼結
体の一部がえぐり取られるモードが測定数の約半数あ
り、実際の接合強度はさらに大きいと推察される。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、本発明の窒化アルミニウム基板
は、基板を構成するAlN焼結体とメタライズ層が高い接
合強度を示している。したがってAlN焼結体が本来有し
ている高熱伝導性と併せ、信頼性の高い高集積・高電力
電子回路用基板として用いることができる。
は、基板を構成するAlN焼結体とメタライズ層が高い接
合強度を示している。したがってAlN焼結体が本来有し
ている高熱伝導性と併せ、信頼性の高い高集積・高電力
電子回路用基板として用いることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】窒化アルミニウム焼結体上にニッケルおよ
び炭化チタンを含有する導電性メタライズ層が形成され
てなることを特徴とする窒化アルミニウム基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6933188A JPH0717469B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 窒化アルミニウム基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6933188A JPH0717469B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 窒化アルミニウム基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242479A JPH01242479A (ja) | 1989-09-27 |
| JPH0717469B2 true JPH0717469B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=13399459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6933188A Expired - Lifetime JPH0717469B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 窒化アルミニウム基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717469B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP1650752S (ja) | 2019-04-05 | 2020-01-20 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6933188A patent/JPH0717469B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01242479A (ja) | 1989-09-27 |
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