JPH07174666A - パルス幅とゲインを自動設定するｏｔｄｒ - Google Patents
パルス幅とゲインを自動設定するｏｔｄｒInfo
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- JPH07174666A JPH07174666A JP34418593A JP34418593A JPH07174666A JP H07174666 A JPH07174666 A JP H07174666A JP 34418593 A JP34418593 A JP 34418593A JP 34418593 A JP34418593 A JP 34418593A JP H07174666 A JPH07174666 A JP H07174666A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバ３の測定波形が一定以上のＳ／Ｎ
比で得られ、光出力のパルス幅およびゲインを自動的に
選択するＯＴＤＲを提供する。 【構成】 ＬＤ１は光パルスのパルス幅を最小に、波高
値を最大にして光パルスを光ファイバ３に出射する。レ
ベル判定回路８は測定波形のレベルを判定し、ＣＰＵ１
１は測定値が飽和しなくなるまで段階的に波高値を下げ
るよう波高値可変回路１Ｂに指令する。Ｓ／Ｎ比演算回
路９Ｂは測定波形の信号レベルと雑音レベルからＳ／Ｎ
比を計算し、Ｓ／Ｎ比出力が規定値以上のときは、測定
波形を表示器に表示する。Ｓ／Ｎ比出力が規定値未満の
ときは、光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において
段階的にパルス幅を広げるようパルス幅可変ジェネレー
タ１Ａに指令する。
比で得られ、光出力のパルス幅およびゲインを自動的に
選択するＯＴＤＲを提供する。 【構成】 ＬＤ１は光パルスのパルス幅を最小に、波高
値を最大にして光パルスを光ファイバ３に出射する。レ
ベル判定回路８は測定波形のレベルを判定し、ＣＰＵ１
１は測定値が飽和しなくなるまで段階的に波高値を下げ
るよう波高値可変回路１Ｂに指令する。Ｓ／Ｎ比演算回
路９Ｂは測定波形の信号レベルと雑音レベルからＳ／Ｎ
比を計算し、Ｓ／Ｎ比出力が規定値以上のときは、測定
波形を表示器に表示する。Ｓ／Ｎ比出力が規定値未満の
ときは、光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において
段階的にパルス幅を広げるようパルス幅可変ジェネレー
タ１Ａに指令する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバの測定波
形が一定以上のＳ／Ｎ比で得られ、光出力のパルス幅お
よびゲインを自動的に選択する光パルス試験器（以下、
ＯＴＤＲという。）についてのものである。
形が一定以上のＳ／Ｎ比で得られ、光出力のパルス幅お
よびゲインを自動的に選択する光パルス試験器（以下、
ＯＴＤＲという。）についてのものである。
【０００２】
【従来の技術】ＯＴＤＲは、光方向性結合器を通して光
パルスを光ファイバに入射し、戻り光を検出することに
より光ファイバの長さ・損失・破断点を測定する。
パルスを光ファイバに入射し、戻り光を検出することに
より光ファイバの長さ・損失・破断点を測定する。
【０００３】次に、従来技術のＯＴＤＲの構成を図４に
より説明する。図４の１は半導体レーザダイオード（以
下、ＬＤという。）、２は光方向性結合器、３は測定さ
れる光ファイバ、４Ａは受光素子、４Ｂは増幅回路、５
はＡ／Ｄ変換器、６はメモリ、７は表示器、１０はタイ
ミング発生器である。
より説明する。図４の１は半導体レーザダイオード（以
下、ＬＤという。）、２は光方向性結合器、３は測定さ
れる光ファイバ、４Ａは受光素子、４Ｂは増幅回路、５
はＡ／Ｄ変換器、６はメモリ、７は表示器、１０はタイ
ミング発生器である。
【０００４】図４では、タイミング発生器１０からのパ
ルス電流により、ＬＤ１を発光させる。ＬＤ１から出射
した光パルスは光方向性結合器２を通過し、光ファイバ
３に入射する。光ファイバ３からの後方散乱光や反射光
などの戻り光は光方向性結合器２から受光素子４Ａに送
られる。受光素子４Ａでは戻り光の出力を光電変換し、
受光素子４Ａの電気出力は増幅回路４Ｂで増幅され、Ａ
／Ｄ変換器５に入る。
ルス電流により、ＬＤ１を発光させる。ＬＤ１から出射
した光パルスは光方向性結合器２を通過し、光ファイバ
３に入射する。光ファイバ３からの後方散乱光や反射光
などの戻り光は光方向性結合器２から受光素子４Ａに送
られる。受光素子４Ａでは戻り光の出力を光電変換し、
受光素子４Ａの電気出力は増幅回路４Ｂで増幅され、Ａ
／Ｄ変換器５に入る。
【０００５】Ａ／Ｄ変換器５に入力されたアナログ信号
はディジタル信号に変換され、メモリ６に書き込まれ
る。メモリ６に書き込まれた測定データは図示されない
ＣＰＵの指令で表示器７に表示される。。
はディジタル信号に変換され、メモリ６に書き込まれ
る。メモリ６に書き込まれた測定データは図示されない
ＣＰＵの指令で表示器７に表示される。。
【０００６】後方散乱光の減衰特性で光ファイバ３の損
失がわかり、タイミング発生器１０からのパルス信号と
受光素子４Ａからの検出信号による時間差を計測するこ
とにより、光ファイバ３の後方散乱光が発生した位置を
検出することができる。
失がわかり、タイミング発生器１０からのパルス信号と
受光素子４Ａからの検出信号による時間差を計測するこ
とにより、光ファイバ３の後方散乱光が発生した位置を
検出することができる。
【０００７】光方向性結合器２には方解石のような偏波
分離型のものや、Ａ／Ｏ（アコースティックオプティカ
ル）スイッチのような高速光スイッチなどを用いる。受
光素子４ＡにはＡＰＤ（アバランシェフォトダイオー
ド）を用いる。
分離型のものや、Ａ／Ｏ（アコースティックオプティカ
ル）スイッチのような高速光スイッチなどを用いる。受
光素子４ＡにはＡＰＤ（アバランシェフォトダイオー
ド）を用いる。
【０００８】次に、図４で得られる光ファイバ３の測定
波形を図５により説明する。図５アは光ファイバ３の状
態図であり、図５アの左端が入射端、右端が開放端（ま
たは、破断端）であり、中間に接続点が２つある。
波形を図５により説明する。図５アは光ファイバ３の状
態図であり、図５アの左端が入射端、右端が開放端（ま
たは、破断端）であり、中間に接続点が２つある。
【０００９】図５イは光ファイバ３に入射する光パルス
による測定波形である。図５イの縦軸は光ファイバ３の
受光レベルであり、デシベル表示される。図５イの横軸
は光ファイバ３に光パルスが伝搬する時間を距離に換算
して表示する。図５イの入射端ではフレネル反射による
パルス状の波形が観測される。後方散乱光が検出され、
後方散乱光は入射端から開放端に向かって減衰する。接
続点前後では波形に段差が生じ、接続損に対応する。開
放端では反射によるパルス状の波形が観測される。
による測定波形である。図５イの縦軸は光ファイバ３の
受光レベルであり、デシベル表示される。図５イの横軸
は光ファイバ３に光パルスが伝搬する時間を距離に換算
して表示する。図５イの入射端ではフレネル反射による
パルス状の波形が観測される。後方散乱光が検出され、
後方散乱光は入射端から開放端に向かって減衰する。接
続点前後では波形に段差が生じ、接続損に対応する。開
放端では反射によるパルス状の波形が観測される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４に示されるＯＴＤ
Ｒは、図５イに表示される測定波形を見て、ＬＤ１のパ
ルス幅、ゲインを決定する。すなわち、画面を見なが
ら、測定される光ファイバの測定条件を手動で設定しな
ければならない。したがって、図５イに示される光パル
スのパルス幅と波高値を決定するのは時間がかかり、作
業者によるばらつきも生じる。
Ｒは、図５イに表示される測定波形を見て、ＬＤ１のパ
ルス幅、ゲインを決定する。すなわち、画面を見なが
ら、測定される光ファイバの測定条件を手動で設定しな
ければならない。したがって、図５イに示される光パル
スのパルス幅と波高値を決定するのは時間がかかり、作
業者によるばらつきも生じる。
【００１１】この発明は、ＬＤの出射光を変えるパルス
幅可変ジェネレータと波高値可変回路を予め備えてい
る。また、測定波形のレベルを判定する回路と、測定波
形のＳ／Ｎ比を判定する回路を備えている。この発明
は、ＣＰＵが測定波形を演算し、ＬＤの出射光を制御す
ることにより、光パルスのパルス幅とゲインを自動設定
するＯＴＤＲを提供することを目的とする。
幅可変ジェネレータと波高値可変回路を予め備えてい
る。また、測定波形のレベルを判定する回路と、測定波
形のＳ／Ｎ比を判定する回路を備えている。この発明
は、ＣＰＵが測定波形を演算し、ＬＤの出射光を制御す
ることにより、光パルスのパルス幅とゲインを自動設定
するＯＴＤＲを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、レーザダイオード１から出射する光パ
ルスを光方向性結合器２に入射し、前記光パルスを光フ
ァイバ３に入射し、光ファイバ３からの戻り光を光方向
性結合器２で分離し、受光素子４Ａで光電変換し、受光
素子４Ａの出力を増幅回路４Ｂで増幅し、増幅回路４Ｂ
のアナログ出力をＡ／Ｄ変換器５でディジタル出力に変
換し、前記ディジタル出力をメモリ６に書き込み、メモ
リ６を読み込み光ファイバ３の状態を表示器７に表示す
るＯＴＤＲにおいて、前記光パルスのパルス幅を変える
パルス信号を出力するパルス幅可変ジェネレータ１Ａ
と、前記パルス信号によるパルス出力をレーザダイオー
ド１に出力し、前記パルス信号の電流値を変えることに
より前記光パルスの波高値を変える波高値可変回路１Ｂ
と、Ａ／Ｄ変換器５のディジタル出力が入力され、前記
ディジタル出力が飽和しているかを判定するレベル判定
回路８と、Ａ／Ｄ変換器５のディジタル出力が入力さ
れ、光ファイバ３の測定波形を微分し、前記測定波形の
雑音成分を抽出する微分回路９Ａと、微分回路９Ａの雑
音レベルとメモリ６から読み込まれた信号レベルからＳ
／Ｎ比を計算するＳ／Ｎ比演算回路９Ｂとを備え、ＣＰ
Ｕ１１は前記光パルスのパルス幅を最小となるように、
前記光パルスの波高値が最大となるようそれぞれパルス
幅可変ジェネレータ１Ａと波高値可変回路１Ｂに指令
し、前記設定で光パルスを出射してレベル判定回路８の
判定出力からＣＰＵ１１は光ファイバ３の測定波形が飽
和しなくなるまで段階的に波高値を下げるよう波高値可
変回路１Ｂに指令し、Ｓ／Ｎ比演算回路９ＢのＳ／Ｎ比
出力が規定値以上のときは、ＣＰＵ１１は光ファイバ３
の状態を表示器７に表示指令し、Ｓ／Ｎ比演算回路９Ｂ
のＳ／Ｎ比出力が規定値未満のときは、ＣＰＵ１１は前
記光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において段階的
にパルス幅を拡げるようパルス幅可変ジェネレータ１Ａ
に指令し、最適条件で光ファイバ３の状態を表示器７に
表示指令する。
め、この発明は、レーザダイオード１から出射する光パ
ルスを光方向性結合器２に入射し、前記光パルスを光フ
ァイバ３に入射し、光ファイバ３からの戻り光を光方向
性結合器２で分離し、受光素子４Ａで光電変換し、受光
素子４Ａの出力を増幅回路４Ｂで増幅し、増幅回路４Ｂ
のアナログ出力をＡ／Ｄ変換器５でディジタル出力に変
換し、前記ディジタル出力をメモリ６に書き込み、メモ
リ６を読み込み光ファイバ３の状態を表示器７に表示す
るＯＴＤＲにおいて、前記光パルスのパルス幅を変える
パルス信号を出力するパルス幅可変ジェネレータ１Ａ
と、前記パルス信号によるパルス出力をレーザダイオー
ド１に出力し、前記パルス信号の電流値を変えることに
より前記光パルスの波高値を変える波高値可変回路１Ｂ
と、Ａ／Ｄ変換器５のディジタル出力が入力され、前記
ディジタル出力が飽和しているかを判定するレベル判定
回路８と、Ａ／Ｄ変換器５のディジタル出力が入力さ
れ、光ファイバ３の測定波形を微分し、前記測定波形の
雑音成分を抽出する微分回路９Ａと、微分回路９Ａの雑
音レベルとメモリ６から読み込まれた信号レベルからＳ
／Ｎ比を計算するＳ／Ｎ比演算回路９Ｂとを備え、ＣＰ
Ｕ１１は前記光パルスのパルス幅を最小となるように、
前記光パルスの波高値が最大となるようそれぞれパルス
幅可変ジェネレータ１Ａと波高値可変回路１Ｂに指令
し、前記設定で光パルスを出射してレベル判定回路８の
判定出力からＣＰＵ１１は光ファイバ３の測定波形が飽
和しなくなるまで段階的に波高値を下げるよう波高値可
変回路１Ｂに指令し、Ｓ／Ｎ比演算回路９ＢのＳ／Ｎ比
出力が規定値以上のときは、ＣＰＵ１１は光ファイバ３
の状態を表示器７に表示指令し、Ｓ／Ｎ比演算回路９Ｂ
のＳ／Ｎ比出力が規定値未満のときは、ＣＰＵ１１は前
記光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において段階的
にパルス幅を拡げるようパルス幅可変ジェネレータ１Ａ
に指令し、最適条件で光ファイバ３の状態を表示器７に
表示指令する。
【００１３】
【作用】前記構成によれば、ＬＤは光パルスのパルス幅
を最小に、波高値を最大にして光パルスを光ファイバに
出射する。レベル判定回路は測定波形のレベルを判定
し、測定値が飽和しなくなるまで段階的に波高値を下げ
るよう波高値可変回路に指令する。Ｓ／Ｎ比演算回路は
測定波形の信号レベルと雑音レベルからＳ／Ｎ比を計算
し、Ｓ／Ｎ比出力が規定値以上のときは、光ファイバの
状態を表示器に表示する。Ｓ／Ｎ比出力が規定値未満の
ときは、光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において
段階的にパルス幅を拡げるようパルス幅可変ジェネレー
タに指令する。このように、最適条件で光ファイバの状
態を表示器に表示することができる。
を最小に、波高値を最大にして光パルスを光ファイバに
出射する。レベル判定回路は測定波形のレベルを判定
し、測定値が飽和しなくなるまで段階的に波高値を下げ
るよう波高値可変回路に指令する。Ｓ／Ｎ比演算回路は
測定波形の信号レベルと雑音レベルからＳ／Ｎ比を計算
し、Ｓ／Ｎ比出力が規定値以上のときは、光ファイバの
状態を表示器に表示する。Ｓ／Ｎ比出力が規定値未満の
ときは、光パルスのパルス幅が最大値の範囲内において
段階的にパルス幅を拡げるようパルス幅可変ジェネレー
タに指令する。このように、最適条件で光ファイバの状
態を表示器に表示することができる。
【００１４】
【実施例】次に、この発明によるＯＴＤＲの実施例によ
る構成を図１により説明する。図１の１Ａはパルス幅可
変ジェネレータ、１Ｂは波高値可変回路、８はレベル判
定回路、９Ａは微分回路、９ＢはＳ／Ｎ比演算回路、１
１はＣＰＵであり、その他は図４と同じものである。
る構成を図１により説明する。図１の１Ａはパルス幅可
変ジェネレータ、１Ｂは波高値可変回路、８はレベル判
定回路、９Ａは微分回路、９ＢはＳ／Ｎ比演算回路、１
１はＣＰＵであり、その他は図４と同じものである。
【００１５】図１では、パルス幅可変ジェネレータ１Ａ
は波高値可変回路１Ｂを介してＬＤ１に接続され、ＬＤ
１が出射する光パルスのパルス幅を変えるパルス信号を
出力する。波高値可変回路１Ｂはパルス幅可変ジェネレ
ータ１Ａに接続し、前記パルス信号によるパルス出力を
ＬＤ１に出力し、前記パルス信号の電流値を変えること
により前記光パルスの波高値を変える。
は波高値可変回路１Ｂを介してＬＤ１に接続され、ＬＤ
１が出射する光パルスのパルス幅を変えるパルス信号を
出力する。波高値可変回路１Ｂはパルス幅可変ジェネレ
ータ１Ａに接続し、前記パルス信号によるパルス出力を
ＬＤ１に出力し、前記パルス信号の電流値を変えること
により前記光パルスの波高値を変える。
【００１６】レベル判定回路８はＡ／Ｄ変換器５のディ
ジタル出力が入力され、前記ディジタル出力が飽和して
いるかを判定する。微分回路９ＡはＡ／Ｄ変換器５のデ
ィジタル出力が入力され、光ファイバ３の測定波形を微
分し、前記測定波形の雑音成分を抽出する。
ジタル出力が入力され、前記ディジタル出力が飽和して
いるかを判定する。微分回路９ＡはＡ／Ｄ変換器５のデ
ィジタル出力が入力され、光ファイバ３の測定波形を微
分し、前記測定波形の雑音成分を抽出する。
【００１７】Ｓ／Ｎ比演算回路９Ｂは、微分回路９Ａの
雑音レベルとメモリ６から読み込まれた信号レベルから
Ｓ／Ｎ比を計算する。ＣＰＵ１１はレベル判定回路８の
出力が入力され、Ｓ／Ｎ比演算回路９Ｂの出力が入力さ
れる。また、ＣＰＵ１１はパルス幅可変ジェネレータ１
Ａと波高値可変回路１Ｂを指令により制御する。
雑音レベルとメモリ６から読み込まれた信号レベルから
Ｓ／Ｎ比を計算する。ＣＰＵ１１はレベル判定回路８の
出力が入力され、Ｓ／Ｎ比演算回路９Ｂの出力が入力さ
れる。また、ＣＰＵ１１はパルス幅可変ジェネレータ１
Ａと波高値可変回路１Ｂを指令により制御する。
【００１８】次に、図１の動作を図２のフローチャート
により説明する。ＯＴＤＲのＳ／Ｎ比は送出光パルスの
エネルギ（パルス幅×波高値）に比例する。また、光パ
ルスのエネルギが同じであれば、パルス幅の狭い程分解
能がよい。したがって、図２のステップ１０１では、初
期値としてＣＰＵ１１は光パルスのパルス幅を最小とな
るように、光パルスの波高値が最大となるようそれぞれ
パルス幅可変ジェネレータ１Ａと波高値可変回路１Ｂに
指令する。
により説明する。ＯＴＤＲのＳ／Ｎ比は送出光パルスの
エネルギ（パルス幅×波高値）に比例する。また、光パ
ルスのエネルギが同じであれば、パルス幅の狭い程分解
能がよい。したがって、図２のステップ１０１では、初
期値としてＣＰＵ１１は光パルスのパルス幅を最小とな
るように、光パルスの波高値が最大となるようそれぞれ
パルス幅可変ジェネレータ１Ａと波高値可変回路１Ｂに
指令する。
【００１９】ステップ１０２では、光ファイバ３の戻り
光を測定する。ステップ１０３では、レベル判定回路８
により、測定波形が飽和しているかを判定する。ステッ
プ１０３で測定波形が飽和しているときはステップ１０
４に進む。ステップ１０４では光パルスのレベルを下げ
るため、ＣＰＵ１１は波高値を下げるよう波高値可変回
路１Ｂに指令しステップ１０２の前段に戻る。
光を測定する。ステップ１０３では、レベル判定回路８
により、測定波形が飽和しているかを判定する。ステッ
プ１０３で測定波形が飽和しているときはステップ１０
４に進む。ステップ１０４では光パルスのレベルを下げ
るため、ＣＰＵ１１は波高値を下げるよう波高値可変回
路１Ｂに指令しステップ１０２の前段に戻る。
【００２０】ステップ１０３で測定波形が飽和していな
いときは、ステップ１０５に進む。ステップ１０５で
は、Ｓ／Ｎ比演算回路９ＢのＳ／Ｎ比出力と規定値とを
比較する。ステップ１０５で測定波形のＳ／Ｎ出力が規
定値以上であれば、ステップ１０６で測定波形を表示器
７に表示して一連の動作を終了する。
いときは、ステップ１０５に進む。ステップ１０５で
は、Ｓ／Ｎ比演算回路９ＢのＳ／Ｎ比出力と規定値とを
比較する。ステップ１０５で測定波形のＳ／Ｎ出力が規
定値以上であれば、ステップ１０６で測定波形を表示器
７に表示して一連の動作を終了する。
【００２１】ステップ１０５で測定波形のＳ／Ｎ比出力
が規定値未満のときは、ステップ１０７に進む。ステッ
プ１０７では、パルス幅が最大かを判定する。ステップ
１０７でパルス幅が最大であれば、ＯＴＤＲの最高性能
であるためＳ／Ｎ比が規定値以下であっても、ステップ
１０６の前段に進み、測定波形を表示器７に表示して動
作を終了する。
が規定値未満のときは、ステップ１０７に進む。ステッ
プ１０７では、パルス幅が最大かを判定する。ステップ
１０７でパルス幅が最大であれば、ＯＴＤＲの最高性能
であるためＳ／Ｎ比が規定値以下であっても、ステップ
１０６の前段に進み、測定波形を表示器７に表示して動
作を終了する。
【００２２】ステップ１０７でパルス幅が最大でなけれ
ば、ステップ１０８では、ＣＰＵ１１はパルス幅可変ジ
ェネレータ１Ａにパルス幅を拡げるよう指令し、ステッ
プ１０２の前段に戻る。前述の手順により、最適条件で
光ファイバ３の状態を表示器７に表示できる。
ば、ステップ１０８では、ＣＰＵ１１はパルス幅可変ジ
ェネレータ１Ａにパルス幅を拡げるよう指令し、ステッ
プ１０２の前段に戻る。前述の手順により、最適条件で
光ファイバ３の状態を表示器７に表示できる。
【００２３】図１では、パルス幅可変ジェネレータ１Ａ
は光パルスのパルス幅を例えば、10nsから10μｓまでロ
グスケールで段階的に10ステップで変えることができ
る。また、波高値可変回路１Ｂは、光パルスの波高値を
例えば、１ｍＷから100 ｍＷまで10ステップに可変す
る。このようにパルス幅と波高値を組み合わせれば100
通りの中から最適値を選択できる。また、光パルスの波
高値を可変する代わりに受光器の利得あるいは増幅器の
利得を可変してもこの発明と同様に結果が得られる。な
お、図３は波高値可変回路１Ｂの実施回路である。
は光パルスのパルス幅を例えば、10nsから10μｓまでロ
グスケールで段階的に10ステップで変えることができ
る。また、波高値可変回路１Ｂは、光パルスの波高値を
例えば、１ｍＷから100 ｍＷまで10ステップに可変す
る。このようにパルス幅と波高値を組み合わせれば100
通りの中から最適値を選択できる。また、光パルスの波
高値を可変する代わりに受光器の利得あるいは増幅器の
利得を可変してもこの発明と同様に結果が得られる。な
お、図３は波高値可変回路１Ｂの実施回路である。
【００２４】
【発明の効果】この発明は、ＬＤの出射光を変えるパル
ス幅可変ジェネレータと波高値可変回路を予め備えてい
る。また、測定波形のレベルを判定する回路と、測定波
形のＳ／Ｎ比を判定する回路を備えている。ＣＰＵが測
定波形を演算し、ＬＤの出射光を制御することにより、
光パルスのパルス幅とゲインを自動設定するＯＴＤＲを
提供できる。
ス幅可変ジェネレータと波高値可変回路を予め備えてい
る。また、測定波形のレベルを判定する回路と、測定波
形のＳ／Ｎ比を判定する回路を備えている。ＣＰＵが測
定波形を演算し、ＬＤの出射光を制御することにより、
光パルスのパルス幅とゲインを自動設定するＯＴＤＲを
提供できる。
【図１】この発明によるＯＴＤＲの実施例による構成図
である。
である。
【図２】図１の動作を示すフローチャートである。
【図３】波高値可変回路１Ｂの実施回路である。
【図４】従来技術のＯＴＤＲの構成図である。
【図５】図４で得られる光ファイバ３の測定波形図であ
る。
る。
１ レーザダイオード（ＬＤ） １Ａ パルス幅可変ジェネレータ １Ｂ 波高値可変回路 ２ 光方向性結合器 ３ 光ファイバ ４Ａ 受光素子 ４Ｂ 増幅回路 ５ Ａ／Ｄ変換器 ６ メモリ ７ 表示器 ８ レベル判定回路 ９Ａ 微分回路 ９Ｂ Ｓ／Ｎ比演算回路 １１ ＣＰＵ
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザダイオード(1) から出射する光パ
ルスを光方向性結合器(2) に入射し、前記光パルスを光
ファイバ(3) に入射し、光ファイバ(3) からの戻り光を
光方向性結合器(2) で分離し、受光素子(4A)で光電変換
し、受光素子(4A)の出力を増幅回路(4B)で増幅し、増幅
回路(4B)のアナログ出力をＡ／Ｄ変換器(5) でディジタ
ル出力に変換し、前記ディジタル出力をメモリ(6) に書
き込み、メモリ(6) を読み込み光ファイバ(3) の状態を
表示器(7) に表示するＯＴＤＲにおいて、 前記光パルスのパルス幅を変えるパルス信号を出力する
パルス幅可変ジェネレータ(1A)と、 前記パルス信号によるパルス出力をレーザダイオード
(1) に出力し、前記パルス信号の電流値を変えることに
より前記光パルスの波高値を変える波高値可変回路(1B)
と、 Ａ／Ｄ変換器(5) のディジタル出力が入力され、前記デ
ィジタル出力が飽和しているかを判定するレベル判定回
路(8) と、 Ａ／Ｄ変換器(5) のディジタル出力が入力され、光ファ
イバ(3) の測定波形を微分し、前記測定波形の雑音成分
を抽出する微分回路(9A)と、 微分回路(9A)の雑音レベルとメモリ(6) から読み込まれ
た信号レベルからＳ／Ｎ比を計算するＳ／Ｎ比演算回路
(9B)とを備え、 ＣＰＵ(11)は前記光パルスのパルス幅を最小となるよう
に、前記光パルスの波高値が最大となるようそれぞれパ
ルス幅可変ジェネレータ(1A)と波高値可変回路(1B)に指
令し、 前記設定で光パルスを出射してレベル判定回路(8) の判
定出力からＣＰＵ(11)は光ファイバ(3) の測定波形が飽
和しなくなるまで段階的に波高値を下げるよう波高値可
変回路(1B)に指令し、 Ｓ／Ｎ比演算回路(9B)のＳ／Ｎ比出力が規定値以上のと
きは、ＣＰＵ(11)は光ファイバ(3) の状態を表示器(7)
に表示指令し、 Ｓ／Ｎ比演算回路(9B)のＳ／Ｎ比出力が規定値未満のと
きは、ＣＰＵ(11)は前記光パルスのパルス幅が最大値の
範囲内において段階的にパルス幅を拡げるようパルス幅
可変ジェネレータ(1A)に指令し、最適条件で光ファイバ
(3) の状態を表示器(7) に表示指令することを特徴とす
るパルス幅とゲインを自動設定するＯＴＤＲ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34418593A JP3161198B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | パルス幅とゲインを自動設定するｏｔｄｒ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34418593A JP3161198B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | パルス幅とゲインを自動設定するｏｔｄｒ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07174666A true JPH07174666A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3161198B2 JP3161198B2 (ja) | 2001-04-25 |
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ID=18367290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34418593A Expired - Fee Related JP3161198B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | パルス幅とゲインを自動設定するｏｔｄｒ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3161198B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748302A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-05 | Ando Electric Co., Ltd. | Optical power meter |
| JP2006303923A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 回路装置およびこれを備えた電子機器 |
| JP2007205967A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Fujikura Ltd | 光線路監視装置及び方法 |
| JP2008122108A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Anritsu Corp | 光パルス試験装置 |
| JP2010133867A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Anritsu Corp | 光パルス試験器 |
| US8270828B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-09-18 | Fujikura Ltd. | Optical line monitoring apparatus and optical line monitoring method |
| JP2019023580A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 株式会社フジクラ | 光線路監視システム及び光線路の監視方法 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP34418593A patent/JP3161198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5748302A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-05 | Ando Electric Co., Ltd. | Optical power meter |
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| US8270828B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-09-18 | Fujikura Ltd. | Optical line monitoring apparatus and optical line monitoring method |
| US8290363B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-10-16 | Fujikura Ltd. | Optical line monitoring apparatus and optical line monitoring method |
| US8315517B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-11-20 | Fujikura, Ltd | Optical line monitoring apparatus and optical line monitoring method |
| JP2008122108A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Anritsu Corp | 光パルス試験装置 |
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| JP2019023580A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 株式会社フジクラ | 光線路監視システム及び光線路の監視方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3161198B2 (ja) | 2001-04-25 |
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