JPH0716784A

JPH0716784A - Ｉｃチップの基板電極接続用導電性粉末及びペースト

Info

Publication number: JPH0716784A
Application number: JP5167007A
Authority: JP
Inventors: Akinori Yokoyama; 明典横山
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1993-07-06
Filing date: 1993-07-06
Publication date: 1995-01-20

Abstract

(57)【要約】【構成】一般式Ａｇ_XＣｕ_1ーX（ただし、０．０１≦
ｘ≦０．４、原子比）で表され、かつ粒子表面の銀濃度
が平均の銀濃度の２．３倍以上であり、平均粒子径２〜
２０μｍ、平均粒子径±２μｍの粉末の存在率が６０％
以上、含有酸素濃度２０００ｐｐｍ以下、チタンまたは
シリコンより選ばれた１種以上を０．２〜５００ｐｐｍ
含有する導電粉末及び該組成の導電粉末を用いたペース
トをＩＣチップ電極の基板電極への接続に用いる。【効果】ＩＣチップを基板上に実装するときに、導電
性、耐湿度、耐酸化性及び、変形しやすく接点が取れ易
く、耐マイグレーション性、分散性に優れた導電粉末及
び導電粉末を用いたペーストを提供することが可能にす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明の導電性粉末及び該導電性
粉末を用いたペーストは、ＩＣチップを直接基板電極へ
接続するために用いられ、プリント回路基板上回路、ハ
イブリッドＩＣ基板上回路、液晶パネル（ＣＯＧ：チッ
プオンガラス）、ＩＣカード、太陽電池への電気的接続
用として利用される。

【０００２】

【従来の技術】最近、プリント配線板、液晶デスプレ
イ、ハイブリッドＩＣなどの高密度化、微細配線化が必
要になってきた。そのため、従来のＩＣパッケージを基
板に実装するのではなく、ＩＣチップを直接実装するこ
とが行われてきている。ＩＣチップを基板表面に実装す
る場合、公知方法としては、ＩＣチップ電極と基板電極
間にインジウム成分からなるはんだつけにより接続する
方法や、金バンプが形成されたＩＣチップ電極部を銀あ
るいは銀−パラジウム導電性粉末を含む導電性ペースト
で基板電極に加熱硬化あるいはＵＶ硬化する接続法、金
バンプが形成されたＩＣチップ電極部をＵＶ硬化性樹脂
で基板電極に機械的に接続する方法などがある。

【０００３】また、導電性粉末、例えば、数μｍから２
０μｍ程度の金メッキ樹脂粒子、金メッキニッケル粒子
をＩＣチップ電極と基板電極間に介在させ、電極間方向
にだけ電気的接合を確保する方法である。この場合、Ｉ
Ｃチップの電極上に光熱硬化性樹脂をコーテイングして
おき、電極部以外を光硬化したのち粘着性を利用して電
極部だけに導電粉末を付着させ、ＩＣチップの接合面を
下に向けて基板電極上に接合する。この時、事前に電極
以外の基板上に接着剤を塗布して起き、ＩＣチップと基
板との接着を保護し、さらに、加熱硬化してＩＣチップ
電極と基板電極間に存在する導電粉末を固定するもので
ある。この時、必要に応じて、数十ニュートン／電極の
圧力で電極間の導電性粉末を多少変形させて導電性を安
定にする方法である。ＩＣチップ電極部に金またははん
だバンプを用いる場合もある。

【０００４】また、別に導電粉末を電極間に介在させる
方法としては、金メッキ樹脂粒子、金メッキニッケル粒
子、銀粒子などの導電性粉末を紫外線硬化性樹脂、熱硬
化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂有機バインダーに分散さ
せ、基板電極上あるいはＩＣチップ上にコーテイングし
て、電極位置合わせして張り合わせた後、加熱あるいは
光硬化し、同時に加圧して電極間に存在する導電粉末の
両接点を確保する方法である。この場合には、有機バイ
ンダー中に分散されている粒子同士には導電性を示さ
ず、電極間方向にしか導電性を有さない特徴を持つ。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記記載の公知な実装
方法には以下の欠点が存在する。はんだ付けによるＩＣ
チップ実装では、ヒートサイクルにより基板との間にク
ラックが入りやすく好ましくない。金バンプが形成され
ているＩＣチップを直接基板上に光硬化性樹脂を用いて
接合する場合には、樹脂の硬化収縮性だけにより接合す
るため十分な安定導電性を有し得ない。導電性ペースト
をＩＣチップ電極部だけに塗布して、基板電極に接合し
て導電性を確保する場合には、ペーストのダレ等で隣の
電極間でのショートが起こり易い。

【０００６】また、ＩＣチップ接続に前記の公知導電性
粉末を電極間に介在するには、ＩＣチップ電極と基板電
極との間に導電性粉末を存在させ加圧、加熱して電気的
接合をとるが、金メッキ樹脂粒子を用いた場合には、樹
脂への金メッキのコストがかかるばかりか、接合時メッ
キ金が樹脂から剥がれ易く接触不良を引き起こし易い。
ニッケルボール上に金メッキした導電性粉末を用いた場
合でも充分な導電性を確保するために厚くメッキしなけ
ればならず、その上、ニッケルを介しているために高
温、高湿度中でニッケル−メッキ金界面でニッケルが酸
化するなどの問題がある。銀粒子の場合には、基板電極
間での銀のマイグレーションによるリークの問題があ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は以下のとおりで
ある。１．一般式Ａｇ_xＣｕ_1-x（ただし、０．０１≦ｘ≦
０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平
均の銀濃度の２．３倍より高く、表面近傍で粒子表面に
向かって銀濃度が増加する領域を有し、且つ下記
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の条件を有することを特徴と
するＩＣチップ電極と基板電極の接続用導電性粉末。（Ａ）平均粒子径２〜２０μｍで平均粒子径±２μｍの
存在割合が６０体積％以上である。（Ｂ）含有酸素量３０００ｐｐｍ以下である。（Ｃ）Ｓｉ、Ｔｉから選ばれた１種以上の成分を０．４
〜２０００ｐｐｍ含有する。２．基板電極が銅、スズめっき銅、アルミニウム、銀、
パラジウム、金、白金、ニッケル、フッ素ドープ酸化ス
ズ、はんだ、はんだめっき銅、ＩＴＯガラス、ＩＯガラ
スから選ばれた一種以上であることを特徴とする上記１
記載のＩＣチップ電極と基板電極の接続用導電性粉末。３．上記１または２記載の導電性粉末１重量部に対し
て、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂から選
ばれた１種以上を含む有機バインダーを０．１〜５０重
量部含有してなるペースト。４．導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極間に存在
し、且つこの両電極と接点を持つことを特徴とする上記
１若しくは２記載の導電性粉末又は上記３記載のペース
トを用いてなる液晶デスプレイ。５．導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極間に存在
し、且つこの両電極と接点を持つことを特徴とする上記
１若しくは２記載の導電性粉末又は上記３記載のペース
トを用いてなるハイブリッドＩＣ基板。６．導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極間に存在
し、且つこの電極と接点を持つことを特徴とする上記１
若しくは２記載の導電性粉末又は上記３記載のペースト
を用いてなるプリント回路基板。

【０００８】本発明の導電粉末の作製は、公知の方法で
よいが、既に、本出願人により出願されている特開平２
−２８２４０１号公報に開示の方法が好ましい。開示内
容によれば、銀、銅の融液を高圧の不活性ガスによりア
トマイズして得られるものであるが、特に、窒素ガス、
ヘリウムガス、アルゴンガスを用いるのが良い。不活性
ガス純度は高い方が好ましいく、純度は９９．９％以上
が好ましい、さらに好ましくは９９．９９％以上であ
る。

【０００９】本発明の導電性粉末は、一般式Ａｇ_xＣｕ
_1-x（ただし、０．０１≦ｘ≦０．４、原子比）で表さ
れるが、ｘが０．０１未満では充分な耐酸化性が得られ
ない。ｘが０．４を超える場合には、基板電極間での銀
のマイグレーションが問題になる。好ましくは０．０２
≦ｘ≦０．３である。本発明の導電性粒子は表面の銀濃
度が平均の銀濃度の２．３倍より高いが、２．３倍未満
では電極粒子接点での充分な耐酸化性が得られない。好
ましくは３倍以上である。また、粒子形状は球状が好ま
しいが、球状よりはるかにはずれたものであると基板電
極とＩＣチップ電極間に存在する粒子の中、この両電極
と接点を有するものとそうでないものとが存在し、導通
を有することのない組み合わせが生じてしまいやすい。

【００１０】本発明で用いる表面銀濃度、平均銀濃度は
以下の方法で測定した値を用いた。表面銀濃度測定はＸ
ＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置：ＫＲＡＴＯＳ社製、Ｘ
ＳＡＭ８００）を用い、以下の条件で行った。測定、エ
ッチングを５回繰り返し行い、最初の２回の測定の平均
値を表面の銀濃度、すなわち、表面銀濃度Ａｇ／（Ａｇ
＋Ｃｕ）（原子比）とした。エッチング条件：１０^-7torr アルゴン加速電圧２ｋ
ｅＶ５分間測定条件：＜１０^-8torr アルゴンマグネシウムＫα
線電圧１２ＫｅＶ電流１０ｍＡ平均銀濃度は、導電粉末を濃硝酸溶液に溶解後、ＩＣＰ
（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー電子
工業（株）製、ＪＹ３８Ｐ２）で行った。

【００１１】また、本発明の導電性粉末は、平均粒子径
が２〜２０μｍで、かつ平均粒子径±２μｍの存在割合
が６０体積％以上であることを特徴とするが、通常、Ｉ
Ｃチップ電極間ピッチが２０〜１５０μｍ程度と狭く、
平均粒子径が２０μｍを超える場合には、存在粒子が大
きすぎてつぶれた場合に隣の電極と接点を有し、リーク
電流を発生させてしまい好ましくない。平均粒子径２μ
ｍ未満の場合には、電極間での粒子が電極の厚さより小
さくなって接点が不十分になる。好ましくは３〜１２μ
ｍで、さらに３〜１０μｍが好ましい。

【００１２】また、平均粒子径±２μｍの粉末が６０％
以上であるが、６０％未満の場合には、粒度分布が広す
ぎて電極間に粒子が存在しない組み合わせが生じてしま
う。好ましくは７５％以上である。本発明の導電性粉末
の平均粒子径および粒子径分布については、レーザー回
折型粒径分布測定装置（ＳＡＬＤ１１００：（株）島津
製作所製）を用いて、導電性粉末をエチレングリコール
液中に０．０１〜１ｇ／ｃｃの濃度で超音波発信機を用
いて分散させて測定した。測定値は体積基準の粒径分布
を用いた。平均粒子径は体積積算基準で５０％の値を用
いた。

【００１３】導電性粉末の含有酸素量は、接点での耐酸
化性および導電性のために少ないのが好ましく、３００
０ｐｐｍ以下が良い。さらに好ましくは１０００ｐｐｍ
以下である。含有酸素量とは、粉末の表面、内部すべて
のトータルの含有量を言う。含有酸素量を酸素／窒素分
析計（ＥＭＧＡ６５０：堀場製作所製）で２０００℃ま
で昇温して行った。

【００１４】また、本発明の導電性粉末はＳｉ、Ｔｉか
ら選ばれた１種以上の成分を０．４〜２０００ｐｐｍ含
有しているが、Ｓｉ、Ｔｉ成分を粒子表面に含有するの
が好ましい。Ｓｉ、Ｔｉ成分を含有することで高温、高
湿度雰囲気中での個々の粉末の酸化が抑制される。ま
た、粉末同士の凝集を抑えることができ、電極間に存在
する粉末密度を均一にできることである。つまり、電極
間に設置された粉末を有機バインダーと共に加熱硬化等
で硬化する場合、粉末表面に存在するＳｉ、Ｔｉ成分が
酸素と結合して粉末表面の銅成分の酸化を防止する役目
を果たす。表面Ｓｉ、Ｔｉ成分が有機化合物として存在
すれば、さらに、この有機化合物が酸素と化合して分
解、結合するためより銅粉末の酸化防止に役立つためで
ある。この場合、０．４ｐｐｍ未満では十分な粉末の酸
化防止、分散ができず、２０００ｐｐｍを超える場合に
は、粉末表面のＳｉ、Ｔｉ量がかえって多すぎて電極と
粉末との接点での導電性を損ねる。好ましくは０．５〜
１０００ｐｐｍである。さらに好ましくは１〜２００ｐ
ｐｍである。

【００１５】表面のＳｉまたはＴｉの存在形態は特に指
定はないが、有機チタン化合物、有機シリコン化合物の
状態のものを含むものが好ましい。有機チタン、有機シ
リコン化合物としては、チタンカップリング剤、シラン
カップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤
としては、分子中に２個以上の異なった反応基を持つ有
機ケイ素単量体であり、２個の反応基の中一つは、ガラ
ス、金属、ケイ素などの無機質と化学結合する反応基、
例えばメトキシ基、エトキシ基、シラノール基であり、
もう一つの反応基は、種種の合成樹脂を構成する有機質
材料と化学結合する反応基、例えばビニール基、エポキ
シ基、メタアクリル基、アミノ基、メルカプト基からな
る。例えば、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシランなどがある。

【００１６】チタンカップリング剤としては、Ｒ₁−Ｔ
ｉ−（Ｒ₂）₃（式中Ｒ₁は炭素数１〜４、好ましくは
炭素数１〜３のアルコキシ基、Ｒ₂は炭素数２〜２０、
好ましくは炭素数２〜１８のカルボン酸エステルが挙げ
られる。例えば、イソプロピルトリイソステアリルチタ
ネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルトリス（ジオクチルパイロフォスフェート）
チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチルーア
ミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリ
デシルホスフェート）チタネート、テトラ（２、２−ジ
アリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシ
ル）ホスフェートチタネート、ビス（ジオクチルパイロ
フォスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス
（ジオクチルパイロフォスフェート）エチレンチタネー
ト、イソプロピルジメタアクリルイソステアロイルチタ
ネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタ
ネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネー
ト、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフェー
ト）チタネートなどである。

【００１７】粉末表面のＳｉ、Ｔｉ成分の測定は、かか
る組成の導電性粉末を濃硝酸などの溶剤で完全に溶解
し、ＩＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発光分析計、セ
イコー電子工業（株）製、ＪＹ３８Ｐ２）で測定した値
を用いた。導電性粉末がペースト状態など有機バインダ
ーと共存する場合には、有機バインダーを分離し、乾燥
したあと導電性粉末をＩＣＰで測定した。この場合、多
少有機バインダーが残っていてもＩＣＰ測定上の問題に
ならない程度であれば構わない。測定結果は（銅＋銀）
成分に対するＳｉ、Ｔｉ成分量で表した。

【００１８】本発明の導電性粉末をＩＣチップ電極と基
板電極との接合に使う場合、公知の方法で構わない。例
えば、基板上の電極部上に光硬化性の樹脂を塗布し、接
続電極部以外をマスクを用いて硬化した後に、光硬化性
樹脂の粘着性を用いて導電粉末を電極部にくっつけ、さ
らに接着剤を電極部以外に塗布した後（図１）、加圧、
加熱あるいは光硬化して用いる（図２）。また、公知方
法である導電性粉末に適当な有機バインダーを用いて導
電性粉末を分散させたものをＩＣチップ電極あるいは基
板電極上に塗布して、加熱あるいは光硬化、必要に応じ
て加圧してＩＣチップ電極と基板電極との接合を行うこ
とができる。この場合のＩＣチップ電極の大きさとして
は、３０μｍから１５０μｍ程度の通常のＩＣチップ電
極を有するものが使用できる。また、ＩＣチップ電極に
金バンプまたははんだバンプを形成したものでも使用で
きる。

【００１９】本発明のペーストは、導電粉末１重量部に
対して有機バインダー０．１〜５０重量部含有してなる
が、熱硬化型樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化型樹脂を用い
ることができる。熱可塑性樹脂としては、熱可塑性アク
リル樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、ウレタン
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチ
レン系樹脂などがあげられる。有機バインダーが０．１
未満の場合には、ペースト化しにくいのと前記導電性粉
末の使用方法のように、基盤とＩＣチップ接合用の接着
剤が必要になる。５０重量部を越える場合には、電極間
に存在する導電性粉末の確率が低くなり好ましくない。
好ましくは０．３〜３０重量部、さらに好ましくは０．
３〜１０重量部である。

【００２０】熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂、レ
ゾール型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、
アミノ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬
化性アクリル樹脂から選ばれた１種類以上があげられ
る。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型、ビス
フェノールＦ型、ブロム化ビスフェノールＡ型、脂環式
エポキシ、鎖状式エポキシ、エポキシアクリレート、脂
肪酸変性エポキシ、ポリアルキレンエーテル型、ジグリ
シジルエステル型などがあげられる。液状エポキシ樹
脂、必要に応じて公知の反応性希釈剤を用いることもで
きる。例えば、ジグリシジルエーテル、エチレングリコ
ールジグリシジルエーテル、１，３−ブタンジオールジ
グリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジ
ルエーテルなどがあげられる。

【００２１】レゾール型フェノール樹脂としては、フェ
ノール・ホルムアルデヒド型レゾール型樹脂、アルキル
フェノールレゾール型樹脂、キシレン樹脂変性レゾール
型樹脂、ロジン変性フェノール樹脂などがあげられる。
ポリイミド樹脂としては、縮合型ポリイミドやビスマレ
イド系樹脂、付加型ポリイミド樹脂があげられる。

【００２２】ポリウレタン樹脂としては、ウレタンを形
成するウレタンプレポリマーが使用できるが、好ましく
は末端活性イソシアネート基を活性水素化合物でブロッ
クしたブロックイソシアヌレートプレポリマーを主体に
するものが好ましい。これらの熱硬化型樹脂の中では、
エポキシ樹脂を用いるものが好ましい。中でもビスフェ
ノールＡ型、Ｆ型のエポキシ樹脂が好ましい。中でも無
溶剤型のエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。必要に応
じて硬化剤を用いることができ、イミダゾール系硬化
剤、有機ポリアミン、酸無水物、ジシアンジアミド、ベ
ンゾグアナミンなどの公知のものを使用するのが好まし
い。

【００２３】光硬化性樹脂を用いる場合には、光重合性
オリゴマー、光重合性モノマーを光開始剤、光開始助剤
とともに用いられる。光重合性オリゴマーとしては、低
分子量反応性分子（数百から数千）で、ポリエステル、
エポキシ、ウレタンなどの骨格に官能基としてアクリル
基、メタアクリル基が２つ以上付加したものであり、例
えばエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポ
リエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレートが
挙げられる。

【００２４】光重合性モノマーとしては、アクリロイル
基（ＣＨ₂＝ＣＨＣＯ−）または、メタクリロイル基
（ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯ−）を１分子当たり１個また
は２個以上持つものであり、１個持つ単官能（メタ）ア
クリレート、２個以上持つ多官能アクリレート、その
他、ビニル基（ＣＨ₂＝ＣＨ−）を持つものが好まし
い。例えば、アリルアクリレート、アリルメタアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタアクリレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、グリ
シジルメタアクリレート、ラウリルアクリレート、ポリ
エチレンアクリレート９０メタアクリレート、トリフロ
ロアクリレートなどが挙げられる。多官能アクリレート
としては、例えば、１，４−ブタンジオールジアクリレ
ート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペン
チルグリコールアクリレート、ポリエチレングリコール
４００ジアクリレート、トリプロピレングリコールジア
クリレート、ビスフェノールＡジエトキシジアクリレー
ト、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリメ
チロールプロパンアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート等が挙げられる。ビニル基を有する反
応性モノマーとしては、例えば、スチレン、ビニルトル
エン、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン等の単官能モ
ノマーが使用できる。

【００２５】前記光重合性オリゴマー、モノマーととも
に用いられる光開始剤は、紫外線を吸収してラジカルを
発生しやすい物質が好ましく、アセトフェノン系、チオ
キサントン系、ベンゾイン系、パーオキサイド系の公知
の物質を用いることができる。光開始助剤としては、そ
れ自身は紫外線照射により活性化はしないが、光開始剤
とともに用いると光開始剤単独よりも開始反応が促進さ
れ、硬化反応を効率的にするものであり、脂肪族、芳香
族のアミンなどの公知の光開始助剤を使用できる。例え
ば、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールア
ミン、ミヒラーケトン、４，４−ジエチルアミノフェノ
ンなどが挙げられる。光硬化性樹脂を用いる場合には、
加熱硬化型樹脂と同様にして溶剤のガス発生防止の点か
ら無溶剤が好ましい。

【００２６】光硬化性樹脂を用いる場合には、加熱硬化
型樹脂と同様に溶剤の揮発によるガス発生を防止するた
め無溶剤でもちいるのが好ましい。ただし、特性を損な
わない程度であれば多少の公知の溶剤を用いることもで
きる。溶剤を用いる場合には、メチルカルビトール、エ
チルカルビトール、ブチルカルビトール及びそれらのア
セテート、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ及びそれらのアセテート、２，２，４−ト
リメチル−１，３ペンタンジオールモノイソブチレー
ト、テルペノール、キシレン、酢酸ブチル、トルエン、
酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、ベンジルアルコールなどが挙げられるがこれらに
限ったものではない。

【００２７】ペーストとして用いる場合には、公知のカ
ップリング剤、沈降防止剤、酸化防止剤などを用いるこ
とができる。例えば、シランカップリング剤、チタンカ
ップリング剤、アルミカップリング剤等、コロイダルシ
リカ、酸化ポリエチレン等、高級脂肪酸、ハイドロキノ
ン系化合物、フェノール系化合物、アルカノールアミン
等が挙げられるがこれらに限るものではない。これら添
加剤量としては導電性粉末１重量部に対して０．１重量
部以下が好ましい。

【００２８】また、本発明の導電性粉末は粉末表面にＳ
ｉ、Ｔｉ成分を含有するが、ペーストとして前記有機バ
インダーと共に用いる場合には、Ｔｉ、Ｓｉ成分を含有
する化合物をペースト中に含んでいても構わない。この
場合、有機シリコン化合物、有機チタン化合物、チタン
金属、シリコン、チタン酸化物、シリコン酸化物等公知
の化合物を含有することができる。この場合には、導電
性粉末１重量部に対してＳｉ、Ｔｉ成分が１重量部以下
まで可能であり、１重量部を超える場合には、電極、電
極間に存在して導電性粉末による導電接点不良を引き起
こす。好ましくは０．１重量部以下である。

【００２９】ペーストとして用いる場合の基板電極も、
導電粉末として使用する場合と同様なものを使用するこ
とができる。基板電極としては、銅、スズめっき銅、は
んだめっき銅、金、アルミニウム、ニッケル、銀、パラ
ジウム、はんだ、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、
ＩＯ（インジウム酸化物）、フッ素ドープ酸化スズ、白
金等が挙げられる。基板材料としては、例えばポリイミ
ド、ガラスエポキシ、紙フェノール、アルミナ、チッ化
アルミニウム、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイ
ド、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリエー
テルケトン、アルミナ、シリコンｐ，ｎ型半導体などの
リジッドなものやフレキシブルな基板、低温焼成セラミ
ックス基板などが挙げられるが特に指定されるものでは
ない。これらの基板上に形成された導体回路、電極、液
晶パネル上のＩＴＯ電極等が挙げられる。

【００３０】かかる組成のペーストを基板電極上にコー
テイングする場合、公知のコーテイグ方法で構わなく、
例えば、スピンコーテイング、スクリーン印刷、マイク
ロデスペンサー法などが挙げられるがとくに指定される
ものではない。コーテイグ厚さは、導電性粉末の粒子
径、電極の厚さにもよるが、５〜１０００μｍ程度の厚
さでコートされるのが良い。さらに１０〜２００μｍが
好ましく、１０〜５０μｍが最も好ましい。コーテイン
グされた後、必要に応じて１００℃以下で乾燥する。さ
らにＩＣチップの電極（場合によっては金バンプ、はん
だバンプが形成された電極）を基板電極接合位置にセッ
トする（図３）。次に、接合して加熱乾燥、加熱硬化あ
るいは光硬化を加圧してして行う（図４）。この時、加
熱硬化するときは前記の有機バインダーの硬化条件に合
わせて行うのが好ましい。ただし、基板が液晶パネルの
ように高い硬化温度が使用できない場合には、低温度で
硬化するのが好ましい。液晶パネル基板の場合には、２
００℃以下が好ましく、さらに１３０℃以下が好まし
く、１００℃以下が最も好ましい。硬化時間もＩＣチッ
プの安定性、基板の安定性から短時間で行うのが好まし
く、例えば液晶パネルにＩＣチップ実装する場合では、
数秒から数分程度で行うのがよい。加熱方法は特に指定
は無く、例えば、遠赤外線炉、熱風乾燥器、近赤外線
炉、ＶＰＳ炉等が挙げられる。加圧する場合には、０．
２〜１００ニュートン／電極の程度の加圧が必要であ
る。

【００３１】有機バインダーが光硬化性樹脂例えば紫外
線硬化性樹脂を用いる場合、基板によって照射方法が異
なり、液晶パネル基板ではパネルの反対側から照射する
のが好ましい。基板に透光性が十分ない場合には、横か
ら照射するのが良い。この場合にも同時に加圧して接合
を安定にするのが好ましい。前記に示されるように、Ｉ
Ｃチップを導電性粉末を用いて直接接合する場合あるい
は導電粉末を有機バインダーに必要量分散させ、加熱硬
化あるいは光硬化して接合する場合について示したが、
接合された状態においては、ＩＣチップ電極（金バンプ
あるいははんだバンプが形成された場合も含む）と基板
電極間に導電粉末が両方に接点を有して存在しているこ
とになるが、存在状態は、導電性粉末が多少つぶれた状
態すなわち粒子が面で両電極に接触していることにな
る。ＩＣチップ電極は種類にもよるが、電極の一片の大
きさが３０μｍから１２０μｍ程度と小さく、電極間
（電極ピッチ）も３０μｍから２００μｍと狭いことか
ら、面で接触状態のほうが、単に粒子が点接触している
場合よりも十分な導通が得られることになる。

【００３２】ＩＣチップ電極と基板電極間の導電性は、
電極の大きさにもよるが、０．１ｍΩ〜４ｍΩ／ｃｍ²
程度の抵抗値が電極間で得られるのが良い。電極間の抵
抗値あるいは導電性の耐環境性試験は、６０℃ ９０％
湿度中１０００時間、−５５℃ ３０分１２５℃
３０分１０００サイクルでの両電極間での抵抗値変化
を測定した。変化率が初期抵抗値の２倍未満を場合を良
好であるとした。マイグレーション試験は基板上の隣合
う電極間に１０Ｖ印可したまま、６０℃ ９０％湿度中
に１０００時間放置後の絶縁性を測定し、１０⁸オーム
以上である場合を正常値とした。また、１０⁷オーム以
下をマイグレーション（絶縁破壊）が生じたとした。電
極間の導電粉末の形状、状態の観察は、断面をダイヤモ
ンドカッターで切断した後、研磨し、電子顕微鏡で観察
した。

【００３３】以下に本発明を実施例をもって説明する。

【００３４】

【実施例】

＜粉末作製例１＞銅粒子（純度９９．９％以上）５７
１．５ｇ、銀粒子（純度９９．９％以上）１０８ｇを混
合して黒鉛るつぼ中で１７２０℃まで高周波誘導加熱を
用いて融解した。融液をるつぼ先端より噴出し、噴出と
同時に３０ｋｇ／ｃｍ²の窒素ガスを融液に対して噴出
しアトマイズした。得られた粉末は、球状で平均粒子径
１０μｍであった。このうち、７〜１０μｍの粒子を気
流分級機で分級した。得られた分級粉は平均粒子径８．
５μｍであった。８．５±２μｍに含まれる分級粉の存
在割合は９９．９％以上であった。粒子表面の銀濃度は
表面より０．８、０．７８、０．７４、０．７０、０．
６５であり、表面の銀濃度は０．７９であった。平均の
銀濃度は０．１であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の
７．９倍であった。また、酸素含有量は２００ｐｐｍで
あった。

【００３５】＜粉末作製例２＞銅粒子４１２．５ｇ、銀
粒子３７８ｇを混合して黒鉛るつぼ中で１７１０℃まで
加熱溶解した。融液をるつぼ先端より噴出し、噴出と同
時に４０ｋｇ／ｃｍ²のヘリウムガスを噴出し、融液を
アトマイズした。得られた粉末は球状であり、平均粒子
径５μｍであった。気流分級機を用いて３〜６μｍで分
級した。平均粒子径５μｍであり、５±２μｍの粒子の
存在割合が９０％以上であった。粒子表面の銀濃度は表
面より０．９２、０．８２、０．７８、０．７６、０．
７であり、表面の銀濃度は０．８７であった。また、平
均の銀濃度は０．３５であり、表面の銀濃度は平均の銀
濃度の倍であった。また、酸素含有量は３００ｐｐｍで
あった。

【００３６】＜粉末作製例３＞銅粒子６０３ｇ、銀粒子
５４ｇを混合して黒鉛るつぼ中で１７５０℃まで加熱溶
解した。融液をるつぼ先端より噴出し、噴出と同時に７
０ｋｇ／ｃｍ²のアルゴンガスを噴出して融液をアトマ
イズした。得られた粉末は球状で平均粒子径８μｍであ
った。得られた粉末を気流分級機を用いて１０〜１４μ
ｍで分級した。平均粒子径１２μｍで１２±２μｍの粒
子の存在割合が９０％以上である粉末が得られた。粉末
の表面の銀濃度は表面より、０．３、０．２６、０．２
４、０．２、０．１８であり、表面の銀濃度は０．２８
であった。また、平均の銀濃度は０．０５であり、表面
の銀濃度は平均の銀濃度の５．６倍であった。また、粉
末の酸素含有量は２００ｐｐｍであった。

【００３７】

【実施例１】ＩＣチップ上の電極（５０×５０μｍ）上
に、紫外線硬化型樹脂を１μｍ厚みで塗布した。さら
に、マスクを用いて電極部以外を光硬化した。粉末作製
例１で得られた導電性粉末１００ｇを有機チタン化合物
（イソプロピルトリイソステアリルチタネート）２×１
０^-3ｇ／ｃｍ³のトルエン溶液中に入れ２時間撹伴しな
がら室温で処理した。その後ろ過により固液分離した。
得られた導電粉末をＩＣＰで測定したところ、Ｔｉ成分
が１０ｐｐｍであった。得られた表面処理導電粉末をチ
ップの電極部上に重ならないように分散付着させた。Ｉ
Ｃチップを真空吸着して、すでにＩＴＯ電極（８０〜１
００μｍ）が形成されている液晶パネル上に電極部が対
向するようにセットした。この時、ＩＴＯ電極上にＩＣ
チップ接続用の光熱硬化併用型接着剤を塗布しておき、
ＩＣチップを接合した後ＵＶ照射硬化した。さらに、２
ニュートン／電極の加圧して、１５０℃、２０秒間で硬
化した。

【００３８】硬化後の接合状態は、ＩＣチップ電極とＩ
ＴＯ電極間に導電性粒子が存在しており、抵抗率は０．
１ｍΩ／ｃｍ²で良好であった。さらに、環境試験後で
は、変化率１０％以内で良好であった。

【００３９】

【実施例２】粉末作製例２で得られた導電粉末１００ｇ
を有機チタン化合物（イソプロピルトリオクタノイルチ
タネート）の４×１０^-4ｇ／ｃｍ³のトルエン溶液中で
２時間撹伴しながら室温で処理した。さらに、ろ過して
ＩＣＰで測定したところ、導電性粉末のチタン成分量は
１５ｐｐｍであった。

【００４０】実施例１のＩＣチップを用いて、得られた
処理粉末導電性粉末を用いる以外はすべて同じ条件で接
合した。硬化後の接合状態は、ＩＣチップ電極とＩＴＯ
電極間に粒子が存在しており、電極間の抵抗率は０．５
ｍΩ／ｃｍ２と良好であった。環境試験後では、変化率
が１２％以内で良好であった。

【００４１】

【実施例３】粉末作製例３で得られた導電性粉末１００
ｇを有機シリコン化合物（γーグリシドキシプロピルト
リメトキシシラン）の１０^-4ｇ／ｃｍ³のトルエン溶液
中に１０時間浸漬して室温で撹伴しながら放置した。そ
の後、ろ過して固液分離下後ＩＣＰで測定したところ、
シリコン量が２ｐｐｍであった。処理した導電性粉末１
重量部に対して、エポキシアクリレート５重量部、アリ
ルメタアクリレート２重量部、チオキサントン系開始剤
０．２重量部及び少量の溶剤を混合してペーストとし
た。作製したペーストをＩＴＯ電極（厚さ１０００Å、
幅５０μｍ×８０μｍ）がすでに形成されている液晶パ
ネル上に均一に２０μｍ厚みでコーテイングした。電極
パッド（アルミニウム５０×８０μｍ）を２２７パッド
有するＩＣチップ（６×１３ｍｍ）を接続電極どうしが
対向するように接合して、液晶パネル側からＵＶ照射し
て硬化した。さらに、１５０℃、１０秒間加熱しなが
ら、各電極パッド当たり０．７ニュートンの圧力で加圧
して電極間の接合をはかった。この時、各電極間では導
電粉末が存在しており、硬化、加圧により各電極間の導
電粒子は変形しており、粒子は面で電極に接触してい
た。抵抗率は０．２ｍΩ／ｃｍ²と良好であった。電極
間以外のところでは、粒子は相互に接触しておらず絶縁
であった。

【００４２】

【実施例４】粉末作製例３で得られた導電粉末１００ｇ
を有機チタン化合物（イソプロピルイソステアロイルジ
アクリルチタネート）の１０^-2ｇ／ｃｍ³溶液中に浸漬
し、１日室温で撹伴しながら放置した。その後、ろ過し
て固液分離した。ＩＣＰで測定したところチタン成分は
３０ｐｐｍであった。

【００４３】処理した導電性粉末１重量部に対して、ポ
リエステルアクリレート６重量部、酢酸ビニル１重量
部、アセトフェノン系開始剤０．０２重量部、及び少量
の溶剤で作製したペーストを、銅箔をすでにエッチング
処理して回路が形成されている厚さ７０μｍポリイミド
のフレキシブルプリント基板上に均一に２０μｍコーテ
イングした。さらに、電極パッド（金メッキ５０×８
０μｍ）を２２６０電極有するＩＣチップ（６×６ｍ
ｍ）を５０×８０μｍ銅パッド上に接続電極どうしが対
向するようにセットし、接続の横方向からＵＶ照射し
た。さらに、１００℃、２０秒加熱硬化した。この時、
同時に１ニュートン／電極の圧力で硬化させた。各電極
間に導電粉末が存在していることが確認できた。また、
電極間導電性は０．２オームで良好であった。電極間の
導電粉末は、変形していることが確認され両電極接点で
は面で接触していた。耐環境試験後の結果、変化率は４
０％と低かった。電極間以外の箇所では絶縁であった。

【００４４】

【実施例５】実施例１で処理した導電粉末１重量部に対
して、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂５重量部、
イミダゾール系硬化剤０．１重量部、トリエタノールア
ミン０．１重量部を混合してペーストとした。作製した
ペーストを低温焼成セラミックス基板にすでに銅厚膜導
体が作製されている回路上にコーテイングした。さら
に、ＩＣチップ（６×６ｍｍ）（電極パッド金バンプ
７５μｍ径）を銅厚膜電極上に位置合わせして接合し
た。さらに、１５０℃ ３０秒で加熱硬化した。この
時、同時に５０ニュートン／電極の圧力をかけて接合し
た。電極間の抵抗率は０．２ｍΩ／ｃｍ²と良好であっ
た。また、環境試験後でも抵抗値の変化率は１０％と良
好であった。

【００４５】

【実施例６】実施例５のＩＣチップの金バンプがはんだ
バンプである以外は、実施例５と同じ方法でＩＣチップ
実装した。電極間の抵抗値は０．４ｍΩ／ｃｍ²と良好
であった。また、環境試験後の抵抗値変化率は２０％と
良好であった。

【００４６】

【実施例７】実施例４のフレキシブル基板上の銅導体上
にすずメッキして用いる以外はすべて実施例４と同じ条
件でＩＣチップ実装した。電極間の抵抗値は、０．３ｍ
Ω／ｃｍ²と良好であった。環境試験後の抵抗値変化は
１５％と良好であった。

【００４７】

【実施例８】実施例１で処理して得られた導電性粉末１
重量部に対して、ポリエステル樹脂１重量部、ブチルカ
ルビトール１重量部、トルエン０．５重量にチタンカッ
プリング剤０．００２重量部添加してペーストとした。
銅箔をエッチングして既に作製された回路を有するフレ
キシブルポリイミド基板上に上記コーテイグした。ＩＣ
チップ（同実施例１）を接合して５０℃で乾燥した、こ
の時、同時に０．１ニュートン／電極の圧力で加圧して
接合した。抵抗値は０．１５ｍΩ／ｃｍ²と良好であっ
た。また、耐環境試験後の抵抗変化率は１５％と良好で
あった。電極間に導電粉末が存在しているのが確認さ
れ、多少粉末が変形して電極と面接触していた。

【００４８】＜粉末作製例４＞銅粒子３１７ｇ、銀粒子
５４０ｇを混合して、１７００℃まで黒鉛るつぼ中窒素
雰囲気下で加熱融解して、融液を窒素ガス（５０ｋｇ／
ｃｍ²）でアトマイズした。得られた粉末は球状で平均
粒子径１１μｍであった。気流分級機で１０〜１３μｍ
粉末を分級した。得られた分級粉は平均粒子径１１μｍ
であり、１１±２μｍの存在割合は９９％であった。
分級粉の平均銀濃度０．５、平均銅濃度０．５であり、
表面から銀濃度は０．９、０．８、０．７、０．６、
０．５５であり、表面銀濃度０．８５であった。表面の
銀濃度は平均の銀濃度の１．６倍であった。含有酸素濃
度は３００ｐｐｍであった。

【００４９】＜粉末作製例５＞銅粒子１０００ｇを１７
１０℃まで黒鉛るつぼ中で窒素雰囲気下で加熱融解し
た。融液を窒素ガス（４０ｋｇ／ｃｍ²）でアトマイズ
した。得られた粉末は球状で平均粒子径１２μｍであっ
た。気流分級機で１１〜１３μｍで分級した。得られた
分級粉は１２μｍで１２±２μｍの粉末の存在比は９９
％であった。含有酸素濃度は１０００ｐｐｍであった。

【００５０】＜粉末作製例６＞銅粒子５７１．５ｇ、銀
粒子ｇ１０８を混合して、１６９０℃まで黒鉛るつぼ中
で窒素雰囲気下で加熱溶解した。融液を窒素ガス（５０
ｋｇ／ｃｍ²）でアトマイズした。得られた粉末は球状
で平均１０μｍであり、気流分級機を用いて２〜１２μ
ｍで分級した。平均粒子径６μｍで６±２μｍの粉末存
在比が５０％であった。平均銀濃度は０．１、表面の銀
濃度は０．７で表面の銀濃度は平均の７倍であった。含
有酸素濃度は１００ｐｐｍであった。

【００５１】＜粉末作製例７＞粉末作製例１で得られた
導電性粉末を１００℃、１０００時間放置したところ、
酸素含有率が５０００ｐｐｍの導電性粉末が得られた。
平均粒子径は変わらなかったが、表面の銀濃度は低下
し、表面の銀濃度は平均の銀濃度の０．１倍と低くなっ
た。

【００５２】

【比較例１】粉末作製例４の粉末を未処理のまま実施例
１で用いた導電粉末に置き換える以外は実施例１と同じ
方法でＩＣチップ実装した。電極間の抵抗値は、０．２
ｍΩ／ｃｍ²と良好であったが、マイグレーション試験
の結果、ＩＣチップの電極間でのマイグレーションが観
測されて不良品が発生した。

【００５３】

【比較例２】粉末作製例１の粉末を未処理のまま（Ｔｉ
成分量０．１ｐｐｍ以下、Ｓｉ成分量０．１ｐｐｍ以
下）用いる以外は実施例１と同じ方法で、ＩＣチップ実
装した。電極間の抵抗率は０．３ｍΩ／ｃｍ²と良好で
あったが、環境試験後の結果２８０％と上昇した。

【００５４】

【比較例３】粉末作製例１の導電粉末１００ｇを３ｇ／
ｃｍ³の有機チタン化合物（イソプロピルトリイソステ
アイリルチタネート）に２時間撹伴しながら室温で放置
して処理し、その後、ろ過した。粉末のＩＣＰ測定の結
果、２４００ｐｐｍチタン成分を含有していた。得られ
た処理粉末を実施例１と同様にしてＩＣチップ実装し
た。抵抗率は５０ｍΩ／ｃｍ²と高かった。

【００５５】

【比較例４】粉末作製例５の導電粉末１００ｇを有機チ
タン化合物（イソプロピルトリイソステアリルチタネー
ト）１０^-3ｇ／ｃｍ³に２時間室温度で放置した。その
後、ろ過した。処理粉末のＩＣＰ測定の結果、チタン成
分１１ｐｐｍであった。導電粉末を置き換える以外は実
施例１と同じ方法でＩＣチップ実装した。電極間の抵抗
値は１００ｍΩ／ｃｍ²と高く、かつ環境試験後の電極
間の抵抗変化率は５００％と大きかった。

【００５６】

【比較例５】粉末作製例６の導電粉末１００ｇを有機シ
リコン化合物（γーグリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン）１０^-2ｇ／ｃｍ³に２時間撹伴しながら放置し
た。さらに、ろ過した。ＩＣＰで測定したところ、Ｓｉ
成分量は３ｐｐｍであった。導電粉末を得られた処理粉
末に置き換える以外はすべて実施例５と同じ条件でＩＣ
チップ実装した。電極間の抵抗値は、５０ｍΩ／ｃｍ²
とやや高かったが、環境試験後の電極間の抵抗変化率は
２３０％と大きかった。

【００５７】

【比較例６】実施例１で処理の導電粉末１重量部に対し
て、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂２００重量
部、イミダゾール系硬化促進剤１重量部、シランカップ
リング剤０．００１重量部添加してペーストとした。フ
レキシブルアルミナ基板上に形成されている銅導体電極
にペーストをコーテイングした後、金バンプ（７５μｍ
径、電極数２２００）が形成されているＩＣチップを対
向するように接続した。１５０℃ ２０秒間加熱硬化し
た。この時、同時に、０．３ニュートン／電極の圧力を
かけて硬化した。導電粉末濃度が薄いためか、電極間に
存在する導電粉末が存在している電極と存在していない
電極とがあり、導電性も２０ｍΩ／ｃｍ²と高かった。

【００５８】

【比較例７】比較例４で用いた導電粉末１重量部に対し
て、液状エポキシ樹脂０．０１重量部用いる以外はすべ
て比較例４と同じ方法で作製した。導電粉末濃度が高す
ぎるためか、電極間はもちろん、隣の電極間にも導電粉
末が存在して隣の電極間どうしがショートしてしまっ
た。

【００５９】

【比較例８】比較例１で導電粉末として金メッキポリス
チレン粒子（平均粒子径５μｍ）を用いる以外は、同じ
条件でＩＣチップ実装した。抵抗値は０．３ｍΩ／ｃｍ
²と低抵抗であったが、電極間で一部金メッキがはがれ
ている粒子があった。また、環境試験後の抵抗変化率は
２５０％と大きかった。

【００６０】

【比較例９】比較例１で導電粉末として金メッキニッケ
ル粒子（平均粒子径１０μｍ）を用いる以外は、同じ条
件でＩＣチップ実装した。

【００６１】

【比較例１０】粉末作製例７の導電粉末１００ｇを有機
チタン化合物（イソプロピルトリイソステアリルチタネ
ート）１０^-2ｇ／ｃｍ³に浸漬して撹伴しながら処理し
た。その後、ろ過した。ＩＣＰ測定の結果、導電粉末の
含有チタン成分量は１０ｐｐｍであった。導電性粉末を
処理粉末を用いる以外は実施例１と同じ条件でＩＣチッ
プを実装した。電極間の抵抗値は、３０００ｍΩ／ｃｍ
²と非常に高かった。

【００６２】

【発明の効果】本発明は、ＩＣチップ実装する時の導電
接点として用いる導電粉末に関するが、従来の高価な金
メッキ粉末を使わない、適度の柔軟性を持ち、安定した
低抵抗接合、優れた耐酸化性、耐マイグレーション性及
びミクロな分散性を有する導電粉末及びこの導電粉末を
用いたペーストを提供することを可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】導電性粉末をＩＣチップ上に配置した後接着剤
を電極部以外に塗布した状態を示す説明図。

【図２】ＩＣチップ電極上に配置された導電性粉末を基
板電極上に接合した状態を示す説明図。

【図３】ペーストを基板電極上にコーティングした後Ｉ
Ｃチップの電極を基板電極接合位置にセットした状態を
示す説明図。

【図４】ペーストコーテイングされた基板上にＩＣチッ
プを実装し硬化させた状態を示す説明図。

【符号の説明】

１基板電極２ＩＣチップ３チップ電極４導電粉末５有機バインダー６接着剤７光硬化性樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｂ 1/00 Ａ 7244−5Ｇ // Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ 7128−4Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式Ａｇ_xＣｕ_1-x（ただし、０．０
１≦ｘ≦０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀
濃度が平均の銀濃度の２．３倍より高く、表面近傍で粒
子表面に向かって銀濃度が増加する領域を有し、且つ下
記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の条件を有することを特徴
とするＩＣチップ電極と基板電極の接続用導電性粉末。（Ａ）平均粒子径２〜２０μｍで平均粒子径±２μｍの
存在割合が６０体積％以上である。（Ｂ）含有酸素量３０００ｐｐｍ以下である。（Ｃ）Ｓｉ、Ｔｉから選ばれた１種以上の成分を０．４
〜２０００ｐｐｍ含有する。
【請求項２】基板電極が銅、スズめっき銅、アルミニ
ウム、銀、パラジウム、金、白金、ニッケル、フッ素ド
ープ酸化スズ、はんだ、はんだめっき銅、ＩＴＯガラ
ス、ＩＯガラスから選ばれた一種以上であることを特徴
とする請求項１記載のＩＣチップ電極と基板電極の接続
用導電性粉末。
【請求項３】請求項１または２記載の導電性粉末１重
量部に対して、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂から選ばれた１種以上を含む有機バインダーを０．
１〜５０重量部含有してなるペースト。
【請求項４】導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極
間に存在し、且つこの両電極と接点を持つことを特徴と
する請求項１若しくは２記載の導電性粉末又は請求項３
記載のペーストを用いてなる液晶デスプレイ。
【請求項５】導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極
間に存在し、且つこの両電極と接点を持つことを特徴と
する請求項１若しくは２記載の導電性粉末又は請求項３
記載のペーストを用いてなるハイブリッドＩＣ基板。
【請求項６】導電性粉末がＩＣチップ電極と基板電極
間に存在し、且つこの電極と接点を持つことを特徴とす
る請求項１若しくは２記載の導電性粉末又は請求項３記
載のペーストを用いてなるプリント回路基板。