JPH07165865A - アミド基含有ジイソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法 - Google Patents
アミド基含有ジイソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法Info
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- JPH07165865A JPH07165865A JP5311662A JP31166293A JPH07165865A JP H07165865 A JPH07165865 A JP H07165865A JP 5311662 A JP5311662 A JP 5311662A JP 31166293 A JP31166293 A JP 31166293A JP H07165865 A JPH07165865 A JP H07165865A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 アミド基含有ジイソシアナート化合物、その
製造法、従来のエポキシ樹脂に比べて高い接着性を示す
均一な硬化物が得られるアミド基含有エポキシ樹脂及び
その製造法を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して二価の有
機基を示し、複数のＲ1は互いに異なっていてもよく、
Ｒ2及びＲ3が複数個存在するときは複数のＲ2及びＲ3は
互いに異なっていてもよく、ｎは繰返し単位の個数を示
す０又は正の整数である）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキ
シ樹脂及びその製造法。
製造法、従来のエポキシ樹脂に比べて高い接着性を示す
均一な硬化物が得られるアミド基含有エポキシ樹脂及び
その製造法を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して二価の有
機基を示し、複数のＲ1は互いに異なっていてもよく、
Ｒ2及びＲ3が複数個存在するときは複数のＲ2及びＲ3は
互いに異なっていてもよく、ｎは繰返し単位の個数を示
す０又は正の整数である）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキ
シ樹脂及びその製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アミド基含有ジイソシ
アナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹
脂及びその製造法に関するものである。
アナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹
脂及びその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】分子内にアミド基を有するポリアミド樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂などは、そのア
ミド基の高い極性と強い水素結合に由来する大きな凝集
エネルギーを持っているが、中でも特に、ポリアミド樹
脂は、その大きな凝集エネルギーによって、エポキシ樹
脂硬化物に、更に高い接着性を与えることが可能である
ことから、エポキシ樹脂用硬化剤又は添加剤として従来
から広く用いられている。しかしながら、一般にエポキ
シ樹脂とポリアミド樹脂とは相溶性が悪く、これら両者
を配合した系においては均一な硬化物が得られないこと
があり、接着信頼性などの品質に関して必ずしも満足の
いくものであるとは言えなかった。
脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂などは、そのア
ミド基の高い極性と強い水素結合に由来する大きな凝集
エネルギーを持っているが、中でも特に、ポリアミド樹
脂は、その大きな凝集エネルギーによって、エポキシ樹
脂硬化物に、更に高い接着性を与えることが可能である
ことから、エポキシ樹脂用硬化剤又は添加剤として従来
から広く用いられている。しかしながら、一般にエポキ
シ樹脂とポリアミド樹脂とは相溶性が悪く、これら両者
を配合した系においては均一な硬化物が得られないこと
があり、接着信頼性などの品質に関して必ずしも満足の
いくものであるとは言えなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アミド基含
有ジイソシアナート化合物、その製造法、従来のエポキ
シ樹脂に比べて高い接着性を示す均一な硬化物が得られ
るアミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法を提供する
ものである。
有ジイソシアナート化合物、その製造法、従来のエポキ
シ樹脂に比べて高い接着性を示す均一な硬化物が得られ
るアミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法を提供する
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、エポキシ
樹脂分子内にアミド基を導入した特定の化学構造を有す
るアミド基含有エポキシ樹脂が、従来、問題となってい
た課題を解決できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
樹脂分子内にアミド基を導入した特定の化学構造を有す
るアミド基含有エポキシ樹脂が、従来、問題となってい
た課題を解決できることを見い出し、本発明を完成する
に至った。
【０００５】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）
【化８】 （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して二価の有
機基を示し、複数のＲ1は互いに異なっていてもよく、
Ｒ2及びＲ3が複数個存在するときは複数のＲ2及びＲ3は
互いに異なっていてもよく、ｎは繰返し単位の個数を示
す０又は正の整数である）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物に関する。
機基を示し、複数のＲ1は互いに異なっていてもよく、
Ｒ2及びＲ3が複数個存在するときは複数のＲ2及びＲ3は
互いに異なっていてもよく、ｎは繰返し単位の個数を示
す０又は正の整数である）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物に関する。
【０００６】また、本発明は一般式（IV）
【化９】 （式中、Ｒ10は一般式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2と同意
義である）で表されるジイソシアナートと一般式（Ｖ）
義である）で表されるジイソシアナートと一般式（Ｖ）
【化１０】 （式中、Ｒ3は一般式（Ｉ）におけるＲ3と同意義であ
る）で表されるジカルボン酸とを（ジイソシアナート）
／（ジカルボン酸）（モル比）が１を超える範囲となる
ようにして反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で
表されるアミド基含有ジイソシアナート化合物の製造法
に関する。
る）で表されるジカルボン酸とを（ジイソシアナート）
／（ジカルボン酸）（モル比）が１を超える範囲となる
ようにして反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で
表されるアミド基含有ジイソシアナート化合物の製造法
に関する。
【０００７】また、本発明は、一般式（VI）
【化１１】 （式中、Ｒ11は二価の有機基を示し、複数のＲ11は互い
に異なっていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎはそれぞ
れ上記一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎと同
意義であり、ｋ及びｌはそれぞれ独立して繰返し単位の
個数を示す０又は正の整数であり、ｍは繰返し単位の個
数を示す正の整数である）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂に関する。
に異なっていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎはそれぞ
れ上記一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎと同
意義であり、ｋ及びｌはそれぞれ独立して繰返し単位の
個数を示す０又は正の整数であり、ｍは繰返し単位の個
数を示す正の整数である）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂に関する。
【０００８】また、本発明は、一般式（Ｉ）で表される
アミド基含有ジイソシアナート化合物と一般式（VII）
アミド基含有ジイソシアナート化合物と一般式（VII）
【化１２】 （式中、Ｒ11は一般式（VI）におけるＲ11と同意義であ
り、ｊは一般式（VI）におけるｋ及びｌと同意義であ
る）で表されるエポキシ樹脂とを（エポキシ樹脂）／
（アミド基含有ジイソシアナート化合物）（モル比）が
１を超える範囲となるように反応させることを特徴とす
る一般式（VI）で表されるアミド基含有エポキシ樹脂の
製造法に関する。
り、ｊは一般式（VI）におけるｋ及びｌと同意義であ
る）で表されるエポキシ樹脂とを（エポキシ樹脂）／
（アミド基含有ジイソシアナート化合物）（モル比）が
１を超える範囲となるように反応させることを特徴とす
る一般式（VI）で表されるアミド基含有エポキシ樹脂の
製造法に関する。
【０００９】以下、本発明を詳述する。一般式（IV）で
表されるジイソシアナートとしては、特に制限はない
が、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアナ
ート、１，５−ナフタレンジイソシアナート、ｐ−フェ
ニレンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシ
アナート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイ
ソシアナート、イソホロンジイソシアナート、４，４′
−ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、トランス
シクロヘキサン−１，４−ジイソシアナート、リジンジ
イソシアナート、ｍ−キシレンジイソシアナート、水添
ｍ−キシレンジイソシアナート、一般式（VIII）
表されるジイソシアナートとしては、特に制限はない
が、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアナ
ート、１，５−ナフタレンジイソシアナート、ｐ−フェ
ニレンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシ
アナート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイ
ソシアナート、イソホロンジイソシアナート、４，４′
−ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、トランス
シクロヘキサン−１，４−ジイソシアナート、リジンジ
イソシアナート、ｍ−キシレンジイソシアナート、水添
ｍ−キシレンジイソシアナート、一般式（VIII）
【化１３】 （式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ上記一般式（II）
におけるＲ4、Ｒ5及びＲ6と同意義である）で表される
１，４−ビス（１−イソシアナート−１−メチルエチ
ル）ベンゼン、１，３−ビス（１−イソシアナート−１
−メチルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（１−イソシ
アナートエチル）ベンゼン、１，３−ビス（１−イソシ
アナートエチル）ベンゼン、１−（１−イソシアナート
−１−メチルエチル）−４−（１−イソシアナートエチ
ル）ベンゼン、１−（１−イソシアナート−１−メチル
エチル）−３−（１−イソシアナートエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（１−イソシアナート−１−メチルプ
ロピル）ベンゼン、１，４−ビス（１−イソシアナート
−３−クロロプロピル）ベンゼン、２，５−ビス−（１
−イソシアナート−１−メチルエチル）ナフタレン、
２，５−ビス（１−イソシアナートエチル）ナフタレン
等、一般式（IX）
におけるＲ4、Ｒ5及びＲ6と同意義である）で表される
１，４−ビス（１−イソシアナート−１−メチルエチ
ル）ベンゼン、１，３−ビス（１−イソシアナート−１
−メチルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（１−イソシ
アナートエチル）ベンゼン、１，３−ビス（１−イソシ
アナートエチル）ベンゼン、１−（１−イソシアナート
−１−メチルエチル）−４−（１−イソシアナートエチ
ル）ベンゼン、１−（１−イソシアナート−１−メチル
エチル）−３−（１−イソシアナートエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（１−イソシアナート−１−メチルプ
ロピル）ベンゼン、１，４−ビス（１−イソシアナート
−３−クロロプロピル）ベンゼン、２，５−ビス−（１
−イソシアナート−１−メチルエチル）ナフタレン、
２，５−ビス（１−イソシアナートエチル）ナフタレン
等、一般式（IX）
【化１４】 （式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ上記一般式（III）
におけるＲ7、Ｒ8及びＲ9と同意義である）で表される
２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレン
ジイソシアナート、３，３′−ジメチルジフェニルメタ
ン−４，４′−ジイソシアナート、３，３′−ジクロロ
ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアナート、３，
３′−ビトリレン−４，４′−ジイソシアナート、３，
３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソシアナー
ト、３，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイ
ソシアナート、２，５，２′，５′−テトラメチルジフ
ェニルメタン−４，４′−ジイソシアナート、３，３′
−ジメトキシジフェニルメタン−４，４′−ジイソシア
ナート、４，４′−ジメトキシジフェニルメタン−３，
３′−ジイソシアナート、４，４′−ジエトキシジフェ
ニルメタン−３，３′−ジイソシアナート、２，２′−
ジメチル−５，５′−ジメトキシジフェニルメタン−
４，４′−ジイソシアナート、３，３′−ジクロロジフ
ェニルジメチルメタン−４，４′−ジイソシアナートな
どが挙げられ、これらは単独で又は複数種を組合せて使
用することができる。
におけるＲ7、Ｒ8及びＲ9と同意義である）で表される
２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレン
ジイソシアナート、３，３′−ジメチルジフェニルメタ
ン−４，４′−ジイソシアナート、３，３′−ジクロロ
ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアナート、３，
３′−ビトリレン−４，４′−ジイソシアナート、３，
３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジイソシアナー
ト、３，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイ
ソシアナート、２，５，２′，５′−テトラメチルジフ
ェニルメタン−４，４′−ジイソシアナート、３，３′
−ジメトキシジフェニルメタン−４，４′−ジイソシア
ナート、４，４′−ジメトキシジフェニルメタン−３，
３′−ジイソシアナート、４，４′−ジエトキシジフェ
ニルメタン−３，３′−ジイソシアナート、２，２′−
ジメチル−５，５′−ジメトキシジフェニルメタン−
４，４′−ジイソシアナート、３，３′−ジクロロジフ
ェニルジメチルメタン−４，４′−ジイソシアナートな
どが挙げられ、これらは単独で又は複数種を組合せて使
用することができる。
【００１０】これらのうちでは、イソシアナート基同士
の可逆的な分子間２量化反応（ウレトジオン生成反応）
や不可逆的な分子間３量化反応（イソシアヌレート生成
反応）といった副反応が起こりにくい点から、２個のイ
ソシアナート基のうち少なくとも一方のイソシアナート
基の近傍に、その反応性を低減させる立体障害効果を有
する基をもつ一般式（VIII）又は一般式（IX）で表され
るジイソシアナートが好ましく、中でも、一般式（VII
I）において、Ｒ4及びＲ5がメチル基（立体障害基）で
あり、Ｒ6がフェニレン基である１，４−ビス（１−イ
ソシアナート−１−メチルエチル）ベンゼン又は１，３
−ビス（１−イソシアナート−１−メチルエチル）ベン
ゼンが特に好ましい。このような立体障害効果を有する
基をもつジイソシアナートを用いることで、一般式
（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合物
製造中及び製造後のイソシアナート基の高い安定性が確
保できる。
の可逆的な分子間２量化反応（ウレトジオン生成反応）
や不可逆的な分子間３量化反応（イソシアヌレート生成
反応）といった副反応が起こりにくい点から、２個のイ
ソシアナート基のうち少なくとも一方のイソシアナート
基の近傍に、その反応性を低減させる立体障害効果を有
する基をもつ一般式（VIII）又は一般式（IX）で表され
るジイソシアナートが好ましく、中でも、一般式（VII
I）において、Ｒ4及びＲ5がメチル基（立体障害基）で
あり、Ｒ6がフェニレン基である１，４−ビス（１−イ
ソシアナート−１−メチルエチル）ベンゼン又は１，３
−ビス（１−イソシアナート−１−メチルエチル）ベン
ゼンが特に好ましい。このような立体障害効果を有する
基をもつジイソシアナートを用いることで、一般式
（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合物
製造中及び製造後のイソシアナート基の高い安定性が確
保できる。
【００１１】一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸とし
ては、特に制限はないが、例えば、イソフタル酸、テレ
フタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香
族ジカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、
アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸等の脂肪族ジ
カルボン酸、１，４−ジカルボキシシクロヘキサン、ダ
イマー酸等の脂環式ジカルボン酸、コハク酸無水物等の
環状ジカルボン酸無水物２モルをエチレングリコール、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，６−
ヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−
プロパンジオール、１，８−オクタンジオール、ネオペ
ンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジオール等
のジオール１モルでハーフエステル化された一般式
（Ｘ）
ては、特に制限はないが、例えば、イソフタル酸、テレ
フタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香
族ジカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、
アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸等の脂肪族ジ
カルボン酸、１，４−ジカルボキシシクロヘキサン、ダ
イマー酸等の脂環式ジカルボン酸、コハク酸無水物等の
環状ジカルボン酸無水物２モルをエチレングリコール、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，６−
ヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−
プロパンジオール、１，８−オクタンジオール、ネオペ
ンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジオール等
のジオール１モルでハーフエステル化された一般式
（Ｘ）
【化１５】 （式中、Ｒ12は環状ジカルボン酸無水物残基を示し、２
個のＲ12は互いに異なっていてもよく、Ｒ13はジオール
残基を示す）で表される２個のエステル結合を有するジ
カルボン酸、一般式（XI）
個のＲ12は互いに異なっていてもよく、Ｒ13はジオール
残基を示す）で表される２個のエステル結合を有するジ
カルボン酸、一般式（XI）
【化１６】 （式中、ｉは繰返し単位の個数を示す正の整数である）
で表されるジカルボン酸、一般式（XII）
で表されるジカルボン酸、一般式（XII）
【化１７】 （式中、Ｒ14は二価の有機基を示し、ｈは繰返し単位の
個数を示す正の整数である）で表されるジカルボン酸な
どが挙げられ、これらは単独で又は複数種を組合せて使
用することができる。
個数を示す正の整数である）で表されるジカルボン酸な
どが挙げられ、これらは単独で又は複数種を組合せて使
用することができる。
【００１２】一般式（IV）で表されるジイソシアナート
（Ａ）と一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸（Ｂ）と
は（Ａ）／（Ｂ）（モル比）が最終的に１を超える範囲
となるようにして反応させなければならないが、（Ａ）
と（Ｂ）とは、最初から（Ａ）／（Ｂ）（モル比）が１
を超える範囲となるように反応させる必要はなく、あら
かじめ、（Ａ）／（Ｂ）（モル比）を１以下で反応させ
て所定のアミド基含有ジカルボン酸中間体を得た後、こ
れと（Ａ）の不足分とを反応させる方法をとっても何ら
差し支えない。（Ａ）／（Ｂ）（モル比）を最終的に１
以下にすると、得られる化合物の片末端基又は両末端基
がカルボキシル基となってしまう。（Ａ）／（Ｂ）（モ
ル比）は最終的に２以下であることが好ましい。２を超
えると（Ａ）が未反応物として残存し易い。
（Ａ）と一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸（Ｂ）と
は（Ａ）／（Ｂ）（モル比）が最終的に１を超える範囲
となるようにして反応させなければならないが、（Ａ）
と（Ｂ）とは、最初から（Ａ）／（Ｂ）（モル比）が１
を超える範囲となるように反応させる必要はなく、あら
かじめ、（Ａ）／（Ｂ）（モル比）を１以下で反応させ
て所定のアミド基含有ジカルボン酸中間体を得た後、こ
れと（Ａ）の不足分とを反応させる方法をとっても何ら
差し支えない。（Ａ）／（Ｂ）（モル比）を最終的に１
以下にすると、得られる化合物の片末端基又は両末端基
がカルボキシル基となってしまう。（Ａ）／（Ｂ）（モ
ル比）は最終的に２以下であることが好ましい。２を超
えると（Ａ）が未反応物として残存し易い。
【００１３】なお、一般式（Ｉ）で表されるアミド基含
有ジイソシアナート化合物は、一般式（Ｖ）で表される
ジカルボン酸の代わりに、先に述べた一般式（Ｘ）で表
されるジカルボン酸合成用ジオール等の公知のジオール
や公知のジアミンなどを一般式（IV）で表されるジイソ
シアナートと反応させて製造することもできる。この場
合は、アミド基含有ジイソシアナート化合物のアミド基
は、前者がウレタン結合、後者がウレア結合の形で導入
されることになる。
有ジイソシアナート化合物は、一般式（Ｖ）で表される
ジカルボン酸の代わりに、先に述べた一般式（Ｘ）で表
されるジカルボン酸合成用ジオール等の公知のジオール
や公知のジアミンなどを一般式（IV）で表されるジイソ
シアナートと反応させて製造することもできる。この場
合は、アミド基含有ジイソシアナート化合物のアミド基
は、前者がウレタン結合、後者がウレア結合の形で導入
されることになる。
【００１４】一般式（IV）で表されるジイソシアナート
と一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸とから上記一般
式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合
物を生成させる炭酸ガス脱離重合反応は、５０〜２５０
℃、好ましくは１００〜２００℃の温度範囲内で行う
（実質的に無水の状態であることが好ましい）。この
時、必要に応じて触媒を用いることもできる。触媒とし
ては、特に制限はないが、得られるアミド基含有ジイソ
シアナート化合物と一般式（VII）で表されるエポキシ
樹脂とから、一般式（VI）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂を製造するための反応触媒としても作用するも
のが便利である。
と一般式（Ｖ）で表されるジカルボン酸とから上記一般
式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合
物を生成させる炭酸ガス脱離重合反応は、５０〜２５０
℃、好ましくは１００〜２００℃の温度範囲内で行う
（実質的に無水の状態であることが好ましい）。この
時、必要に応じて触媒を用いることもできる。触媒とし
ては、特に制限はないが、得られるアミド基含有ジイソ
シアナート化合物と一般式（VII）で表されるエポキシ
樹脂とから、一般式（VI）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂を製造するための反応触媒としても作用するも
のが便利である。
【００１５】該当する具体的な触媒としては、例えばジ
ブチル錫ジラウレート、１，３−ジアセトキシテトラブ
チルスタノキサン、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリ
ウム等の有機酸金属塩、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化リチウ
ム、臭化リチウム等の無機塩、オクタカルボニルニコバ
ルト（コバルトカルボニル）等の金属カルボニル、３−
メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド
等のリン化合物、トリエチルアミン、トリエチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチル
モルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ルピペラジン、ピリジン、ピコリン、１，８−ジアザ−
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の三級アミ
ン、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラブチル
アンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、
塩化トリオクチルメチルアンモニウム、臭化セチルトリ
メチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウ
ム、ヨウ化ドデシルトリメチルアンモニウム、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の四級
アンモニウム塩、塩化テトラフェニルホスホニウム、塩
化トリフェニルメチルホスホニウム、臭化テトラメチル
ホスホニウム等の四級ホスホニウム塩、２−メチルイミ
ダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダ
ゾール、１−アジン−２−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール化合物などが挙げられ、これらは複数種併用す
ることもできる。
ブチル錫ジラウレート、１，３−ジアセトキシテトラブ
チルスタノキサン、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリ
ウム等の有機酸金属塩、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化リチウ
ム、臭化リチウム等の無機塩、オクタカルボニルニコバ
ルト（コバルトカルボニル）等の金属カルボニル、３−
メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド
等のリン化合物、トリエチルアミン、トリエチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチル
モルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
ルピペラジン、ピリジン、ピコリン、１，８−ジアザ−
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等の三級アミ
ン、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラブチル
アンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、
塩化トリオクチルメチルアンモニウム、臭化セチルトリ
メチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウ
ム、ヨウ化ドデシルトリメチルアンモニウム、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の四級
アンモニウム塩、塩化テトラフェニルホスホニウム、塩
化トリフェニルメチルホスホニウム、臭化テトラメチル
ホスホニウム等の四級ホスホニウム塩、２−メチルイミ
ダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダ
ゾール、１−アジン−２−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール化合物などが挙げられ、これらは複数種併用す
ることもできる。
【００１６】また、この時、必要に応じ溶媒を用いるこ
ともできる。溶媒としては、特に制限はないが、例え
ば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′
−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレ
ンウレア、テトラメチル尿素、γ−ブチロラクトン、ス
ルホラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢
酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン等が挙げられ、これらは複数種併用
することもできる。
ともできる。溶媒としては、特に制限はないが、例え
ば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′
−ジメチルエチレンウレア、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレ
ンウレア、テトラメチル尿素、γ−ブチロラクトン、ス
ルホラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢
酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン等が挙げられ、これらは複数種併用
することもできる。
【００１７】一般式（VII）で表されるエポキシ樹脂と
しては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するもので
あれば、特に制限はない。飽和又は不飽和の脂肪族、脂
環式、芳香族及び複素環式のいずれであってもよいし、
エポキシ基、水酸基、ハロゲン原子等の置換基を持つも
のであっても差し支えない。
しては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するもので
あれば、特に制限はない。飽和又は不飽和の脂肪族、脂
環式、芳香族及び複素環式のいずれであってもよいし、
エポキシ基、水酸基、ハロゲン原子等の置換基を持つも
のであっても差し支えない。
【００１８】このようなエポキシ樹脂としては、例え
ば、４，４′−イソプロピリデンビスフェノールジグリ
シジルエーテル等のビスフェノールＡ型、４，４′−メ
チレンビスフェノールジグリシジルエーテル等のビスフ
ェノールＦ型、２，６，２′，６′−テトラブロモ−
４，４′−イソプロピリデンビスフェノールジグリシジ
ルエーテル等の臭素化ビスフェノールＡ型、フェノール
ノボラック型ポリグリシジルエーテル、オルソクレゾー
ルノボラック型ポリグリシジルエーテル等の芳香族グリ
シジルエーテル化合物、エチレングリコールジグリシジ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエー
テル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポ
リプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペ
ンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキ
サンジオールジグリシジルエーテル、グリセロールジグ
リシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテ
ル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ト
リメチロールプロパントリグリシジルエーテル、水添ビ
スフェノールＡ型のジグリシジルエーテル、ソルビトー
ルポリグリシジルエーテル、２，２′−ジブロモ−ネオ
ペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族グ
リシジルエーテル化合物、フタル酸ジグリシジルエステ
ル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキ
サヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジル
エステル化合物、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラグリシジル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシ
ジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリ
グリシジル−ｐ−アミノフェノール等のグリシジルアミ
ン化合物、アリサイクリックジエポキシアセタール、ア
リサイクリックジエポキシアジペート、アリサイクリッ
クジエポキシカルボキシレート、ビニルシクロヘキセン
ジオキシド等の脂環式エポキシ化合物、ジグリシジルヒ
ダントイン、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素
環式エポキシ化合物などが挙げられる。
ば、４，４′−イソプロピリデンビスフェノールジグリ
シジルエーテル等のビスフェノールＡ型、４，４′−メ
チレンビスフェノールジグリシジルエーテル等のビスフ
ェノールＦ型、２，６，２′，６′−テトラブロモ−
４，４′−イソプロピリデンビスフェノールジグリシジ
ルエーテル等の臭素化ビスフェノールＡ型、フェノール
ノボラック型ポリグリシジルエーテル、オルソクレゾー
ルノボラック型ポリグリシジルエーテル等の芳香族グリ
シジルエーテル化合物、エチレングリコールジグリシジ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエー
テル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポ
リプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペ
ンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキ
サンジオールジグリシジルエーテル、グリセロールジグ
リシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテ
ル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ト
リメチロールプロパントリグリシジルエーテル、水添ビ
スフェノールＡ型のジグリシジルエーテル、ソルビトー
ルポリグリシジルエーテル、２，２′−ジブロモ−ネオ
ペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族グ
リシジルエーテル化合物、フタル酸ジグリシジルエステ
ル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキ
サヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジル
エステル化合物、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラグリシジル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシ
ジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリ
グリシジル−ｐ−アミノフェノール等のグリシジルアミ
ン化合物、アリサイクリックジエポキシアセタール、ア
リサイクリックジエポキシアジペート、アリサイクリッ
クジエポキシカルボキシレート、ビニルシクロヘキセン
ジオキシド等の脂環式エポキシ化合物、ジグリシジルヒ
ダントイン、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素
環式エポキシ化合物などが挙げられる。
【００１９】これらのうちでは、ビスフェノールＡ型が
好ましく、難燃性付与等の点からは、臭素化ビスフェノ
ールＡ型が特に好ましい。これらは単独で又は複数種を
組合せて使用することができる。一般式（VII）で表さ
れるエポキシ樹脂（Ｃ）と一般式（Ｉ）で表されるアミ
ド基含有ジイソシアナート化合物（Ｄ）とから一般式
（VI）で表されるアミド基含有エポキシ樹脂を製造する
ためには、（Ｃ）／（Ｄ）（モル比）が１を超える範囲
となるようにして反応させる。（Ｃ）／（Ｄ）（モル
比）が２を超える分のエポキシ樹脂は、未反応物として
残存することになるが、大過剰のエポキシ樹脂を用いて
所定のアミド基含有エポキシ樹脂を製造した後、これを
精製してもよい。
好ましく、難燃性付与等の点からは、臭素化ビスフェノ
ールＡ型が特に好ましい。これらは単独で又は複数種を
組合せて使用することができる。一般式（VII）で表さ
れるエポキシ樹脂（Ｃ）と一般式（Ｉ）で表されるアミ
ド基含有ジイソシアナート化合物（Ｄ）とから一般式
（VI）で表されるアミド基含有エポキシ樹脂を製造する
ためには、（Ｃ）／（Ｄ）（モル比）が１を超える範囲
となるようにして反応させる。（Ｃ）／（Ｄ）（モル
比）が２を超える分のエポキシ樹脂は、未反応物として
残存することになるが、大過剰のエポキシ樹脂を用いて
所定のアミド基含有エポキシ樹脂を製造した後、これを
精製してもよい。
【００２０】精製方法としては、特に制限はないが、例
えば、未反応のエポキシ樹脂のみを溶解する適当な溶剤
を用いて反応生成物を洗浄し、未反応のエポキシ樹脂を
除去する方法などが挙げられる。
えば、未反応のエポキシ樹脂のみを溶解する適当な溶剤
を用いて反応生成物を洗浄し、未反応のエポキシ樹脂を
除去する方法などが挙げられる。
【００２１】一般式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物と一般式（VII）で表されるエポキ
シ樹脂との反応は、８０℃以上、好ましくは１２０〜１
８０℃、特に好ましくは１４０〜１６０℃の範囲内で行
う（実質的に無水の状態であることが好ましい）。反応
温度が８０℃より低いとアミド基含有ジイソシアナート
化合物のイソシアナート基と一般式（VII）で表される
エポキシ樹脂の二級水酸基との付加反応によって形成さ
れるウレタン結合を有する副生物が生成してしまう。一
方、反応温度が１８０℃を超えるとイソシアナート基、
エポキシ基、アミド基、二級水酸基等の官能基が相互に
複雑に関与する副反応が起こり易くなり、反応途中で系
がゲル化する場合がある。
ソシアナート化合物と一般式（VII）で表されるエポキ
シ樹脂との反応は、８０℃以上、好ましくは１２０〜１
８０℃、特に好ましくは１４０〜１６０℃の範囲内で行
う（実質的に無水の状態であることが好ましい）。反応
温度が８０℃より低いとアミド基含有ジイソシアナート
化合物のイソシアナート基と一般式（VII）で表される
エポキシ樹脂の二級水酸基との付加反応によって形成さ
れるウレタン結合を有する副生物が生成してしまう。一
方、反応温度が１８０℃を超えるとイソシアナート基、
エポキシ基、アミド基、二級水酸基等の官能基が相互に
複雑に関与する副反応が起こり易くなり、反応途中で系
がゲル化する場合がある。
【００２２】一般式（VI）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂を製造するための素反応であるイソシアナート
基とエポキシ基との付加反応は、アミド基が触媒作用を
示すため、無触媒下でもゆるやかに進行する。この時、
反応性を高めて反応速度を大きくしたい場合など必要に
応じて触媒を用いることもできる。触媒としては、特に
制限はない。該当する具体的な触媒としては、例えば、
先に述べた一般式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソ
シアナート化合物製造における炭酸ガス脱離重合反応触
媒をそのまま挙げることができ、これらは複数種併用す
ることもできる。また、この時、必要に応じて溶媒を用
いることもできる。溶媒としては、特に制限はないが、
例えば、先に述べた炭酸ガス脱離重合反応溶媒をそのま
ま挙げることができ、これらは複数種併用することもで
きる。
キシ樹脂を製造するための素反応であるイソシアナート
基とエポキシ基との付加反応は、アミド基が触媒作用を
示すため、無触媒下でもゆるやかに進行する。この時、
反応性を高めて反応速度を大きくしたい場合など必要に
応じて触媒を用いることもできる。触媒としては、特に
制限はない。該当する具体的な触媒としては、例えば、
先に述べた一般式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソ
シアナート化合物製造における炭酸ガス脱離重合反応触
媒をそのまま挙げることができ、これらは複数種併用す
ることもできる。また、この時、必要に応じて溶媒を用
いることもできる。溶媒としては、特に制限はないが、
例えば、先に述べた炭酸ガス脱離重合反応溶媒をそのま
ま挙げることができ、これらは複数種併用することもで
きる。
【００２３】本発明の一般式（VI）で表されるアミド基
含有エポキシ樹脂は、これに必要に応じて公知のエポキ
シ樹脂用硬化剤、エポキシ樹脂用硬化促進剤（硬化触
媒）、一般式（VII）で表されるエポキシ樹脂、モノエ
ポキシ化合物、各種添加剤などを適宜配合したり、更に
は、分子内にアミノ基、イミノ基、カルボキシル基等を
有する各種反応性化合物で変性することもでき、その使
用方法については特に制約はない。また、本発明の一般
式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合
物についても、本発明の一般式（VI）で表されるアミド
基含有エポキシ樹脂の合成原料として用いる以外に、例
えば、他の樹脂の合成原料や、アルコール等のイソシア
ナート基ブロック剤を付加させた誘導体の形にすること
により、ブロックイソシアナートとして、各種熱硬化性
樹脂の硬化剤などに利用することもでき、その使用方法
については特に制約はない。
含有エポキシ樹脂は、これに必要に応じて公知のエポキ
シ樹脂用硬化剤、エポキシ樹脂用硬化促進剤（硬化触
媒）、一般式（VII）で表されるエポキシ樹脂、モノエ
ポキシ化合物、各種添加剤などを適宜配合したり、更に
は、分子内にアミノ基、イミノ基、カルボキシル基等を
有する各種反応性化合物で変性することもでき、その使
用方法については特に制約はない。また、本発明の一般
式（Ｉ）で表されるアミド基含有ジイソシアナート化合
物についても、本発明の一般式（VI）で表されるアミド
基含有エポキシ樹脂の合成原料として用いる以外に、例
えば、他の樹脂の合成原料や、アルコール等のイソシア
ナート基ブロック剤を付加させた誘導体の形にすること
により、ブロックイソシアナートとして、各種熱硬化性
樹脂の硬化剤などに利用することもでき、その使用方法
については特に制約はない。
【００２４】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれによって制限されるものではない。
るが、本発明はこれによって制限されるものではない。
【００２５】比較例１ 撹拌機、温度計、冷却コンデンサーを装備した１００ml
のセパラブルフラスコ内に、１，３−ビス（１−イソシ
アナート−１−メチルエチル）ベンゼン２１．８ｇ
（０．０８９モル）、セバシン酸９．０３ｇ（０．０４
５モル）を仕込んで１３０℃に昇温した。昇温過程で反
応系が溶融した均一な状態になり、炭酸ガスの発生が認
められた。昇温後、同温度で２時間、次いで１６０℃で
３時間反応を進めてアミド基含有ジイソシアナート化合
物を得た。
のセパラブルフラスコ内に、１，３−ビス（１−イソシ
アナート−１−メチルエチル）ベンゼン２１．８ｇ
（０．０８９モル）、セバシン酸９．０３ｇ（０．０４
５モル）を仕込んで１３０℃に昇温した。昇温過程で反
応系が溶融した均一な状態になり、炭酸ガスの発生が認
められた。昇温後、同温度で２時間、次いで１６０℃で
３時間反応を進めてアミド基含有ジイソシアナート化合
物を得た。
【００２６】続いて、このアミド基含有ジイソシアナー
ト化合物を１６０℃に保温した状態とし、これにエポキ
シ樹脂（ビスフェノールＡ型、ダウケミカル社製商品
名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１Ｊ，エポキシ当量：１８７）６
６．８１ｇ（０．１７９モル）をメチルイソブチルケト
ン４０ｇに溶解した溶液を全添加した。添加後、反応系
の温度は一時的に約６０℃まで低下し、その３０分後に
１５０℃まで回復した。次いで、１５０℃で３時間反応
を進めて本発明に対する比較用樹脂溶液を得た。
ト化合物を１６０℃に保温した状態とし、これにエポキ
シ樹脂（ビスフェノールＡ型、ダウケミカル社製商品
名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１Ｊ，エポキシ当量：１８７）６
６．８１ｇ（０．１７９モル）をメチルイソブチルケト
ン４０ｇに溶解した溶液を全添加した。添加後、反応系
の温度は一時的に約６０℃まで低下し、その３０分後に
１５０℃まで回復した。次いで、１５０℃で３時間反応
を進めて本発明に対する比較用樹脂溶液を得た。
【００２７】反応終了直後の比較用樹脂溶液の赤外線吸
収スペクトルには２２６０cm-1にアミド基含有ジイソシ
アナート化合物のイソシアナート基に基づく吸収が認め
られたが、これを室温で３日間放置したところ、イソシ
アナート基に基づく吸収は消失した。
収スペクトルには２２６０cm-1にアミド基含有ジイソシ
アナート化合物のイソシアナート基に基づく吸収が認め
られたが、これを室温で３日間放置したところ、イソシ
アナート基に基づく吸収は消失した。
【００２８】次いで、このものを１３５℃で２時間乾燥
したところ、イソシアナート基に基づく吸収が再生し、
さらに、これを室温で３日間放置したところ、イソシア
ナート基に基づく吸収は再び消失した。このような高温
（１３５℃）でのイソシアナート基の再生及び低温（室
温）でのイソシアナート基の消失は、比較用樹脂中に熱
解離性のウレタン結合が存在していることを示差してお
り、比較用樹脂がアミド基含有ジイソシアナート化合物
のイソシアナート基とエポキシ樹脂の二級水酸基との付
加反応によって形成されるウレタン結合を有する副生物
を含んでいることが示された。
したところ、イソシアナート基に基づく吸収が再生し、
さらに、これを室温で３日間放置したところ、イソシア
ナート基に基づく吸収は再び消失した。このような高温
（１３５℃）でのイソシアナート基の再生及び低温（室
温）でのイソシアナート基の消失は、比較用樹脂中に熱
解離性のウレタン結合が存在していることを示差してお
り、比較用樹脂がアミド基含有ジイソシアナート化合物
のイソシアナート基とエポキシ樹脂の二級水酸基との付
加反応によって形成されるウレタン結合を有する副生物
を含んでいることが示された。
【００２９】比較例２ 比較例１と同様な合成操作によってアミド基含有ジイソ
シアナートを追試合成した。このアミド基含有ジイソシ
アナート化合物を１６０℃に保温した状態とし、これに
フタル酸無水物１３．２ｇ（０．０８９モル）を全添加
し、同温度で３時間反応させてアミド基含有ジイソシア
ナート化合物のイソシアナート基を封鎖した。得られた
化合物９．７５ｇ（０．０１０８モル）、比較例１で用
いたエポキシ樹脂と同じエポキシ樹脂８．１１ｇ（０．
０２１７モル）、エポキシ樹脂用硬化剤として４，４′
−ジアミノジフェニルメタン２．１５ｇ（０．０１０９
モル）を配合し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
８．５７ｇを加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製
した。
シアナートを追試合成した。このアミド基含有ジイソシ
アナート化合物を１６０℃に保温した状態とし、これに
フタル酸無水物１３．２ｇ（０．０８９モル）を全添加
し、同温度で３時間反応させてアミド基含有ジイソシア
ナート化合物のイソシアナート基を封鎖した。得られた
化合物９．７５ｇ（０．０１０８モル）、比較例１で用
いたエポキシ樹脂と同じエポキシ樹脂８．１１ｇ（０．
０２１７モル）、エポキシ樹脂用硬化剤として４，４′
−ジアミノジフェニルメタン２．１５ｇ（０．０１０９
モル）を配合し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
８．５７ｇを加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製
した。
【００３０】この溶液を、所定の基材上にバーコーター
で膜厚約２４μｍとなるように塗布し、８０℃で１０分
間乾燥した。次いで、これをもう一方の基材と重ね合せ
て、１８０℃で３時間熱硬化して、接着性試験片を得
た。この試験片のアルミ箔を基材とし、ＡＳＴＭ Ｄ １
８７６−６１Ｔに準拠した９０度はく離接着力は２３℃
で２．５〜６．８Ｎ／２５mmの間で激しくばらつく値を
示し、未処理鋼板を基材とし、ＡＳＴＭ Ｄ １００２−
６４に準拠した引張りせん断接着力は２３℃で９．５×
１０6Ｎ／ｍ2であった。接着力測定後の９０度はく離接
着面の硬化物表面を肉眼で観察したところ、硬化物は激
しく相分離を起こしていた。
で膜厚約２４μｍとなるように塗布し、８０℃で１０分
間乾燥した。次いで、これをもう一方の基材と重ね合せ
て、１８０℃で３時間熱硬化して、接着性試験片を得
た。この試験片のアルミ箔を基材とし、ＡＳＴＭ Ｄ １
８７６−６１Ｔに準拠した９０度はく離接着力は２３℃
で２．５〜６．８Ｎ／２５mmの間で激しくばらつく値を
示し、未処理鋼板を基材とし、ＡＳＴＭ Ｄ １００２−
６４に準拠した引張りせん断接着力は２３℃で９．５×
１０6Ｎ／ｍ2であった。接着力測定後の９０度はく離接
着面の硬化物表面を肉眼で観察したところ、硬化物は激
しく相分離を起こしていた。
【００３１】比較例３ エポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型、三井石油化学工業
社製商品名：エポミックＲ３０１、エポキシ当量４７
５）１８．１１ｇ（０．０１９１モル）、４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン１．８９ｇ（０．００９５モ
ル）を配合し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
８．５７ｇを加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製
した。この溶液から、比較例２と同様な方法によって接
着性試験片を得た。この試験片の接着力を比較例２と同
様な方法によって測定したところ、９０度はく離接着力
は２３℃で、１．１Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は
２３℃で１１．０×１０6Ｎ／ｍ2であった。
社製商品名：エポミックＲ３０１、エポキシ当量４７
５）１８．１１ｇ（０．０１９１モル）、４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン１．８９ｇ（０．００９５モ
ル）を配合し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
８．５７ｇを加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製
した。この溶液から、比較例２と同様な方法によって接
着性試験片を得た。この試験片の接着力を比較例２と同
様な方法によって測定したところ、９０度はく離接着力
は２３℃で、１．１Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は
２３℃で１１．０×１０6Ｎ／ｍ2であった。
【００３２】実施例１ 撹拌機、温度計、冷却コンデンサーを装備した１リットルの
セパラブルフラスコ内に、１，３−ビス（１−イソシア
ナート−１−メチルエチル）ベンゼン１７１．１ｇ
（０．７００モル）、セバシン酸７０．９ｇ（０．３５
０モル）を仕込んで１３０℃に昇温した。昇温過程で反
応系が溶融した均一な状態になり、炭酸ガスの発生が認
められた。昇温後、同温度で２時間、次いで１６０℃で
３時間反応を進めてアミド基含有ジイソシアナート化合
物を得た。
セパラブルフラスコ内に、１，３−ビス（１−イソシア
ナート−１−メチルエチル）ベンゼン１７１．１ｇ
（０．７００モル）、セバシン酸７０．９ｇ（０．３５
０モル）を仕込んで１３０℃に昇温した。昇温過程で反
応系が溶融した均一な状態になり、炭酸ガスの発生が認
められた。昇温後、同温度で２時間、次いで１６０℃で
３時間反応を進めてアミド基含有ジイソシアナート化合
物を得た。
【００３３】このアミド基含有ジイソシアナート化合物
の赤外線吸収スペクトルを測定し、図１として示した。
図１には、１６５８cm-1にアミド基に基づくカルボニル
基の吸収、３３２０cm-1と１５４８cm-1にアミド基に基
づくイミノ基の吸収の出現が認められ、２２６０cm-1に
イソシアナート基に基づく吸収が認められた。また、こ
のものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、図２として
示した。図２には、７．０〜７．６ppmに芳香環のプロ
トンに基づくピークが認められ、７．８〜８．０ppmに
アミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークの出現が
認められた。そして、これらのピークの積分強度比の理
論値と実測値は、ほぼ一致していることが確認された。
続いて、このアミド基含有ジイソシアナートを１６０℃
に保温した状態とし、これにエポキシ樹脂としてエチレ
ングリコールジグリジシルエーテル（ナガセ化成工業社
製商品名：デナコールＥＸ−８１０）１５７．０ｇ
（０．７０１モル）を約３０分間かけて滴下した後、触
媒として安息香酸ナトリウム１．０１ｇ（０．００７モ
ル）を添加し、イソシアナート基が消失するまで同温度
で８時間反応を進めて、アミド基含有エポキシ樹脂溶液
を得た。次いで、これをイオン交換水で良く洗浄し、触
媒を溶解、除去した後、１３５℃で２時間乾燥して精製
した。
の赤外線吸収スペクトルを測定し、図１として示した。
図１には、１６５８cm-1にアミド基に基づくカルボニル
基の吸収、３３２０cm-1と１５４８cm-1にアミド基に基
づくイミノ基の吸収の出現が認められ、２２６０cm-1に
イソシアナート基に基づく吸収が認められた。また、こ
のものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、図２として
示した。図２には、７．０〜７．６ppmに芳香環のプロ
トンに基づくピークが認められ、７．８〜８．０ppmに
アミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークの出現が
認められた。そして、これらのピークの積分強度比の理
論値と実測値は、ほぼ一致していることが確認された。
続いて、このアミド基含有ジイソシアナートを１６０℃
に保温した状態とし、これにエポキシ樹脂としてエチレ
ングリコールジグリジシルエーテル（ナガセ化成工業社
製商品名：デナコールＥＸ−８１０）１５７．０ｇ
（０．７０１モル）を約３０分間かけて滴下した後、触
媒として安息香酸ナトリウム１．０１ｇ（０．００７モ
ル）を添加し、イソシアナート基が消失するまで同温度
で８時間反応を進めて、アミド基含有エポキシ樹脂溶液
を得た。次いで、これをイオン交換水で良く洗浄し、触
媒を溶解、除去した後、１３５℃で２時間乾燥して精製
した。
【００３４】このアミド基含有エポキシ樹脂の赤外線吸
収スペクトルを測定し図３として示した。図３には１６
５８cm-1にアミド基に基づくカルボニル基の吸収、３３
２０cm-1と１５４０cm-1にアミド基に基づくイミノ基の
吸収、９１５cm-1にエポキシ基のオキシラン環の吸収が
認められ、１７４０cm-1に２−オキサゾリドン環のエス
テル結合に基づくカルボニル基の吸収の出現及び２２６
０cm-1のイソシアナート基に基づく吸収の消失が認めら
れた。また、このものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定
し図４として示した。図４には、７．０〜７．６ppmに
芳香環のプロトンに基づくピーク、７．８〜８．０ppm
にアミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークが認め
られ、２．７ppmにエポキシ基のオキシラン環のメチレ
ン基に基づくピークが認められた。そして、これらのピ
ークの積分強度比の理論値と実測値はほぼ一致している
ことが確認された。
収スペクトルを測定し図３として示した。図３には１６
５８cm-1にアミド基に基づくカルボニル基の吸収、３３
２０cm-1と１５４０cm-1にアミド基に基づくイミノ基の
吸収、９１５cm-1にエポキシ基のオキシラン環の吸収が
認められ、１７４０cm-1に２−オキサゾリドン環のエス
テル結合に基づくカルボニル基の吸収の出現及び２２６
０cm-1のイソシアナート基に基づく吸収の消失が認めら
れた。また、このものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定
し図４として示した。図４には、７．０〜７．６ppmに
芳香環のプロトンに基づくピーク、７．８〜８．０ppm
にアミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークが認め
られ、２．７ppmにエポキシ基のオキシラン環のメチレ
ン基に基づくピークが認められた。そして、これらのピ
ークの積分強度比の理論値と実測値はほぼ一致している
ことが確認された。
【００３５】実施例２ エポキシ樹脂として、エチレングリコールジグリシジル
エーテルの代わりに比較例１で用いたエポキシ樹脂と同
じエポキシ樹脂２６１．８ｇ（０．７００モル）を用い
て、これをメチルイソブチルケトン１９０ｇに溶解した
溶液を、反応系の温度が１３０℃以下に低下しないよう
に約４５ｇずつ１０回に分けて分割添加する以外は、実
施例１と同様な合成操作によって一般式（XIII）で表さ
れるアミド基含有エポキシ樹脂の精製物を得た。
エーテルの代わりに比較例１で用いたエポキシ樹脂と同
じエポキシ樹脂２６１．８ｇ（０．７００モル）を用い
て、これをメチルイソブチルケトン１９０ｇに溶解した
溶液を、反応系の温度が１３０℃以下に低下しないよう
に約４５ｇずつ１０回に分けて分割添加する以外は、実
施例１と同様な合成操作によって一般式（XIII）で表さ
れるアミド基含有エポキシ樹脂の精製物を得た。
【化１８】 （式中、ｎは０、１又は２であり、複数のｎは異なって
いてもよく、ｎの平均値は約０．１４である）
いてもよく、ｎの平均値は約０．１４である）
【００３６】このアミド基含有エポキシ樹脂の赤外線吸
収スペクトルを測定し図５として示した。図５には、１
６６０cm-1にアミド基に基づくカルボニル基の吸収、３
３４０cm-1と１５４０cm-1にアミド基に基づくイミノ基
の吸収、９１０cm-1にエポキシ基のオキシラン環の吸収
が認められ１７５０cm-1に２−オキサゾリドン環のエス
テル結合に基づくカルボニル基の吸収の出現及び２２６
０cm-1のイソシアナート基に基づく吸収の消失が認めら
れ、更に、８１７cm-1のエポキシ樹脂に基づく芳香環の
吸収強度を基準にして、９１０cm-1のエポキシ基の吸収
強度が反応前後で約半分に減少したことが確認された。
また、このものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、図
６として示した。図６には、６．４〜７．６ppmに芳香
環のプロトンに基づくピーク、７．６〜８．１ppmにア
ミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークが認めら
れ、２．６〜３．０ppmにエポキシ基のオキシラン環の
メチレン基に基づくピークが認められた。そして、これ
らのピークの積分強度比の理論値と実測値はほぼ一致し
ていることが確認された。
収スペクトルを測定し図５として示した。図５には、１
６６０cm-1にアミド基に基づくカルボニル基の吸収、３
３４０cm-1と１５４０cm-1にアミド基に基づくイミノ基
の吸収、９１０cm-1にエポキシ基のオキシラン環の吸収
が認められ１７５０cm-1に２−オキサゾリドン環のエス
テル結合に基づくカルボニル基の吸収の出現及び２２６
０cm-1のイソシアナート基に基づく吸収の消失が認めら
れ、更に、８１７cm-1のエポキシ樹脂に基づく芳香環の
吸収強度を基準にして、９１０cm-1のエポキシ基の吸収
強度が反応前後で約半分に減少したことが確認された。
また、このものの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、図
６として示した。図６には、６．４〜７．６ppmに芳香
環のプロトンに基づくピーク、７．６〜８．１ppmにア
ミド基のイミノ基のプロトンに基づくピークが認めら
れ、２．６〜３．０ppmにエポキシ基のオキシラン環の
メチレン基に基づくピークが認められた。そして、これ
らのピークの積分強度比の理論値と実測値はほぼ一致し
ていることが確認された。
【００３７】実施例３ 撹拌機、温度計、冷却コンデンサーを装備した３リットルの
セパラブルフラスコに、１，３−ビス（１−イソシアナ
ート−１−メチルエチル）ベンゼン５１３．０ｇ（２．
１００モル）、セバシン酸２１２．３６ｇ（１．０５モ
ル）を仕込んで、実施例１と同様な合成操作によってア
ミド基含有ジイソシアナート化合物を得た。続いて、こ
のアミド基含有ジイソシアナート化合物を１６０℃に保
温した状態とし、これにエポキシ樹脂（ビスフェノール
Ａ型、ダウケミカル社製商品名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１
Ｊ、エポキシ当量：１８７）１５７０．８ｇ（４．２０
０モル）をメチルイソブチルケトン４００ｇに溶解した
溶液を反応系の温度が１３０℃以下に低下しないように
約２００ｇずつ１０回に分けて分割添加した後、イソシ
アナート基が消失するまで同温度で２２時間反応を進め
て、未反応のエポキシ樹脂を約３６重量％含むアミド基
含有エポキシ樹脂の溶液を得た。次いで、これをキシレ
ンで良く洗浄し、未反応のエポキシ樹脂を溶解、除去し
た後、１５０℃で２時間乾燥して精製した。
セパラブルフラスコに、１，３−ビス（１−イソシアナ
ート−１−メチルエチル）ベンゼン５１３．０ｇ（２．
１００モル）、セバシン酸２１２．３６ｇ（１．０５モ
ル）を仕込んで、実施例１と同様な合成操作によってア
ミド基含有ジイソシアナート化合物を得た。続いて、こ
のアミド基含有ジイソシアナート化合物を１６０℃に保
温した状態とし、これにエポキシ樹脂（ビスフェノール
Ａ型、ダウケミカル社製商品名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１
Ｊ、エポキシ当量：１８７）１５７０．８ｇ（４．２０
０モル）をメチルイソブチルケトン４００ｇに溶解した
溶液を反応系の温度が１３０℃以下に低下しないように
約２００ｇずつ１０回に分けて分割添加した後、イソシ
アナート基が消失するまで同温度で２２時間反応を進め
て、未反応のエポキシ樹脂を約３６重量％含むアミド基
含有エポキシ樹脂の溶液を得た。次いで、これをキシレ
ンで良く洗浄し、未反応のエポキシ樹脂を溶解、除去し
た後、１５０℃で２時間乾燥して精製した。
【００３８】得られたアミド基含有エポキシ樹脂１８．
６３ｇ（０．０１３８モル）、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン１．３７ｇ（０．００６９モル）を配合
し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８．５７ｇを
加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製した。この溶
液から、比較例２と同様な方法によって接着性試験片を
得た。この試験片の接着力を比較例２と同様な方法によ
って測定したところ、９０度はく離接着力は２３℃で２
１．８Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は２３℃で１
２．８×１０6Ｎ／ｍ2であった。
６３ｇ（０．０１３８モル）、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン１．３７ｇ（０．００６９モル）を配合
し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８．５７ｇを
加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製した。この溶
液から、比較例２と同様な方法によって接着性試験片を
得た。この試験片の接着力を比較例２と同様な方法によ
って測定したところ、９０度はく離接着力は２３℃で２
１．８Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は２３℃で１
２．８×１０6Ｎ／ｍ2であった。
【００３９】実施例４ 実施例３と同様な合成装置にトリエチレングリコール１
５０．１７ｇ（１．０００モル）、コハク酸無水物２０
０．１４ｇ（２．０００モル）、メチルイソブチルケト
ン１５０ｇを仕込んで、１３０℃に昇温した。昇温過程
で反応系が均一な液状となった。昇温後、同温度で３時
間ハーフエステル化反応を進めて、２個のエステル結合
を有するジカルボン酸溶液を得た。
５０．１７ｇ（１．０００モル）、コハク酸無水物２０
０．１４ｇ（２．０００モル）、メチルイソブチルケト
ン１５０ｇを仕込んで、１３０℃に昇温した。昇温過程
で反応系が均一な液状となった。昇温後、同温度で３時
間ハーフエステル化反応を進めて、２個のエステル結合
を有するジカルボン酸溶液を得た。
【００４０】次に、このジカルボン酸溶液を室温まで冷
却した後、これに１，３−ビス（１−イソシアナート−
１−メチルエチル）ベンゼン４８８．６ｇ（２．０００
モル）を添加し、実施例１と同様な合成操作によってア
ミド基含有ジイソシアナート化合物溶液を得た。
却した後、これに１，３−ビス（１−イソシアナート−
１−メチルエチル）ベンゼン４８８．６ｇ（２．０００
モル）を添加し、実施例１と同様な合成操作によってア
ミド基含有ジイソシアナート化合物溶液を得た。
【００４１】続いて、このアミド基含有ジイソシアナー
ト化合物溶液を１６０℃に保温した状態とし、これにエ
ポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型、ダウケミカル社製商
品名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１Ｊ、エポキシ当量１８７）１
４９６ｇ（４．０００モル）をメチルイソブチルケトン
５００ｇに溶解した溶液を反応系の温度が１３０℃以下
に低下しないように約２００ｇずつ１０回に分けて分割
添加した後、イソシアナート基が消失するまで同温度で
１８時間反応を進めて、未反応のエポキシ樹脂を約３３
重量％含むアミド基含有エポキシ樹脂の溶液を得た。次
いで、これをキシレンで良く洗浄し、未反応のエポキシ
樹脂を溶解、除去した後、１５０℃で２時間乾燥して精
製した。
ト化合物溶液を１６０℃に保温した状態とし、これにエ
ポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型、ダウケミカル社製商
品名：Ｄ．Ｅ．Ｒ．３３１Ｊ、エポキシ当量１８７）１
４９６ｇ（４．０００モル）をメチルイソブチルケトン
５００ｇに溶解した溶液を反応系の温度が１３０℃以下
に低下しないように約２００ｇずつ１０回に分けて分割
添加した後、イソシアナート基が消失するまで同温度で
１８時間反応を進めて、未反応のエポキシ樹脂を約３３
重量％含むアミド基含有エポキシ樹脂の溶液を得た。次
いで、これをキシレンで良く洗浄し、未反応のエポキシ
樹脂を溶解、除去した後、１５０℃で２時間乾燥して精
製した。
【００４２】得られたアミド基含有エポキシ樹脂１８．
７６ｇ（０．０１２５モル）、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン１．２４ｇ（０．００６３モル）を配合
し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８．５７ｇを
加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製した。この溶
液から、比較例２と同様な方法によって接着性試験片を
得た。この試験片の接着力を比較例２と同様な方法によ
って測定したところ、９０度はく離接着力は２３℃で２
４．９Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は２３℃で１
２．７×１０6Ｎ／ｍ2であった。比較例２、３及び実施
例３、４において得られた硬化物の接着性評価結果を表
１にまとめた。
７６ｇ（０．０１２５モル）、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン１．２４ｇ（０．００６３モル）を配合
し、これにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８．５７ｇを
加えて固形分７０重量％の均一溶液を調製した。この溶
液から、比較例２と同様な方法によって接着性試験片を
得た。この試験片の接着力を比較例２と同様な方法によ
って測定したところ、９０度はく離接着力は２３℃で２
４．９Ｎ／２５mm、引張りせん断接着力は２３℃で１
２．７×１０6Ｎ／ｍ2であった。比較例２、３及び実施
例３、４において得られた硬化物の接着性評価結果を表
１にまとめた。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１から、本発明のアミド基含有エポキシ
樹脂は、比較例では達成できない硬化物の高い接着性と
良好な均一性とを併せ持っていることが分かる。
樹脂は、比較例では達成できない硬化物の高い接着性と
良好な均一性とを併せ持っていることが分かる。
【００４５】
【発明の効果】本発明のアミド基含有エポキシ樹脂は、
従来のエポキシ樹脂に比べて高い接着性を示す均一な硬
化物が得られることから、接着剤、塗料など幅広い用途
に適用可能であり、極めて有用である。
従来のエポキシ樹脂に比べて高い接着性を示す均一な硬
化物が得られることから、接着剤、塗料など幅広い用途
に適用可能であり、極めて有用である。
【図１】実施例１のアミド基含有ジイソシアナート化合
物の赤外線吸収スペクトル。
物の赤外線吸収スペクトル。
【図２】実施例１のアミド基含有ジイソシアナート化合
物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル。
物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル。
【図３】実施例１のアミド基含有エポキシ樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
吸収スペクトル。
【図４】実施例１のアミド基含有エポキシ樹脂の1Ｈ−
ＮＭＲスペクトル。
ＮＭＲスペクトル。
【図５】実施例３のアミド基含有エポキシ樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
吸収スペクトル。
【図６】実施例３のアミド基含有エポキシ樹脂の1Ｈ−
ＮＭＲスペクトル。
ＮＭＲスペクトル。
Claims (19)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して二価の有
機基を示し、複数のＲ1は互いに異なっていてもよく、
Ｒ2及びＲ3が複数個存在するときは複数のＲ2及びＲ3は
互いに異なっていてもよく、ｎは繰返し単位の個数を示
す０又は正の整数である）で表されるアミド基含有ジイ
ソシアナート化合物。 - 【請求項２】 Ｒ1が一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ4は水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ5は
一価の有機基を示し、Ｒ6は二価の有機基を示し、２個
のＲ4及びＲ5はそれぞれ互いに異なっていてもよい）及
び／又は一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ7は水素原子又はハロゲン原子又は一価の有
機基を示し、Ｒ8はハロゲン原子又は一価の有機基を示
し、Ｒ9は単結合又は二価の有機基を示す）で表される
基である請求項１記載のアミド基含有ジイソシアナート
化合物。 - 【請求項３】 Ｒ2が一般式（II）及び／又は一般式（I
II）で表される基である請求項２記載のアミド基含有ジ
イソシアナート化合物。 - 【請求項４】 Ｒ1が一般式（II）で表される基である
請求項１記載のアミド基含有ジイソシアナート化合物。 - 【請求項５】 Ｒ2が一般式（II）で表される基である
請求項４記載のアミド基含有ジイソシアナート化合物。 - 【請求項６】 一般式（II）において、Ｒ4及びＲ5がメ
チル基、Ｒ6がフェニレン基である請求項４又は５記載
のアミド基含有ジイソシアナート化合物。 - 【請求項７】 ｎが０である請求項６記載のアミド基含
有ジイソシアナート化合物。 - 【請求項８】 一般式（IV） 【化４】 （式中、Ｒ10は一般式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2と同意
義である）で表されるジイソシアナートと一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒ3は一般式（Ｉ）におけるＲ3と同意義であ
る）で表されるジカルボン酸とを（ジイソシアナート）
／（ジカルボン酸）（モル比）が１を超える範囲となる
ようにして反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で
表されるアミド基含有ジイソシアナート化合物の製造
法。 - 【請求項９】 一般式（VI） 【化６】 （式中、Ｒ11は二価の有機基を示し、複数のＲ11は互い
に異なっていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎはそれぞ
れ上記一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎと同
意義であり、ｋ及びｌはそれぞれ独立して繰返し単位の
個数を示す０又は正の整数であり、ｍは繰返し単位の個
数を示す正の整数である）で表されるアミド基含有エポ
キシ樹脂。 - 【請求項１０】 一般式（Ｉ）で表されるアミド基含有
ジイソシアナート化合物と一般式（VII） 【化７】 （式中、Ｒ11は一般式（VI）におけるＲ11と同意義であ
り、ｊは一般式（VI）におけるｋ及びｌと同意義であ
る）で表されるエポキシ樹脂とを反応させて得られる請
求項９記載のアミド基含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１１】 上記一般式（Ｉ）で表されるアミド基
含有ジイソシアナート化合物のイソシアナート基と一般
式（VII）で表されるエポキシ樹脂の二級水酸基との付
加反応によって形成されるウレタン結合を有する副生物
を含まない請求項１０記載のアミド基含有エポキシ樹
脂。 - 【請求項１２】 Ｒ1が一般式（II）及び／又は一般式
（III）で表される基である請求項９又は１０又は１１
記載のアミド基含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１３】 Ｒ2が一般式（II）及び／又は一般式
（III）で表される基である請求項１２記載のアミド基
含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１４】 Ｒ1が一般式（II）で表される基であ
る請求項９又は１０又は１１記載のアミド基含有エポキ
シ樹脂。 - 【請求項１５】 Ｒ2が一般式（II）で表される基であ
る請求項１４記載のアミド基含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１６】 一般式（II）においてＲ4及びＲ5がメ
チル基、Ｒ6がフェニレン基である請求項１４又は１５
記載のアミド基含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１７】 ｎが０、ｍが１である請求項１６記載
のアミド基含有エポキシ樹脂。 - 【請求項１８】 一般式（Ｉ）で表されるアミド基含有
ジイソシアナート化合物と一般式（VII）で表されるエ
ポキシ樹脂とを（エポキシ樹脂）／（アミド基含有ジイ
ソシアナート化合物）（モル比）が１を超える範囲とな
るように反応させることを特徴とする一般式（VI）で表
されるアミド基含有エポキシ樹脂の製造法。 - 【請求項１９】 反応を８０℃以上で行う請求項１８記
載のアミド基含有エポキシ樹脂の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311662A JPH07165865A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | アミド基含有ジイソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法 |
| US08/245,671 US5625026A (en) | 1993-05-21 | 1994-05-18 | Amid group-containing diisocyanates and amide group-containing epoxy resins |
| EP9494303569A EP0625506A3 (en) | 1993-05-21 | 1994-05-19 | Amide group-containing diisocyanates and amide group-containing epoxy resins |
| US08/470,630 US5591813A (en) | 1993-05-21 | 1995-06-06 | Amide group-containing diisocyanates and amide group-containing epoxy resins |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311662A JPH07165865A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | アミド基含有ジイソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07165865A true JPH07165865A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18019980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311662A Pending JPH07165865A (ja) | 1993-05-21 | 1993-12-13 | アミド基含有ジイソシアナート化合物、その製造法、アミド基含有エポキシ樹脂及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07165865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021580A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Namics Corp | Ｌｅｄ用導電性ダイボンディング剤 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311662A patent/JPH07165865A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021580A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Namics Corp | Ｌｅｄ用導電性ダイボンディング剤 |
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