JPH07165772A - 立体障害性ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法 - Google Patents
立体障害性ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
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- C07F9/4056—Esters of arylalkanephosphonic acids
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Abstract
(57)【要約】
【目的】収量のよい変色のないヒドロキシベンジルホス
ホネートの製造法を提供する。 【構成】次式： 【化１】 で表されるマンニッヒ塩基をカルボン酸無水物の存在下
で次式： 【化２】 で表されるトリアルキルホスフィットと反応させること
により次式： 【化３】 （式中、例えばR1,R2 は独立してC1−C6のアルキル基を表
し、R3,R4 は独立してC1−C6のアルキル基を表すか、一緒に
なってピペリジニルまたはモルホリニル基を形成し、お
よびR5,R6,R7は独立してC1−C4アルキル基を表す。）で表さ
れるヒドロキシベンジルホスホネートを製造する方法。
ホネートの製造法を提供する。 【構成】次式： 【化１】 で表されるマンニッヒ塩基をカルボン酸無水物の存在下
で次式： 【化２】 で表されるトリアルキルホスフィットと反応させること
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し、R3,R4 は独立してC1−C6のアルキル基を表すか、一緒に
なってピペリジニルまたはモルホリニル基を形成し、お
よびR5,R6,R7は独立してC1−C4アルキル基を表す。）で表さ
れるヒドロキシベンジルホスホネートを製造する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は３，５−ジ（シクロ）ア
ルキル−４−ヒドロキシベンジルアミンとトリアルキル
ホスフィットおよびカルボン酸無水物との反応による立
体障害性ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法に
関する。
ルキル−４−ヒドロキシベンジルアミンとトリアルキル
ホスフィットおよびカルボン酸無水物との反応による立
体障害性ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】立体障害性ヒドロキシベンジルホスホネ
ートは、特に、プラスチック用工程安定剤として使用さ
れている。これらの製造のために多くの方法が文献から
公知であり、その関連において以下に示す公表物で言及
されている：米国特許ＵＳ−Ａ３７９０６４８号、米国
特許ＵＳ−Ａ３００６９４５号、ソ連国特許ＳＵ−Ａ６
１９４８６号、独国特許ＤＥ−Ａ２２２２７０８号、仏
国特許ＦＲ−Ａ１３８２８９１号。
ートは、特に、プラスチック用工程安定剤として使用さ
れている。これらの製造のために多くの方法が文献から
公知であり、その関連において以下に示す公表物で言及
されている：米国特許ＵＳ−Ａ３７９０６４８号、米国
特許ＵＳ−Ａ３００６９４５号、ソ連国特許ＳＵ−Ａ６
１９４８６号、独国特許ＤＥ−Ａ２２２２７０８号、仏
国特許ＦＲ−Ａ１３８２８９１号。
【０００３】これらの反応の群は容易に得られる次式：
【化４】 （式中、置換基Ｒ1 ないしＲ4 は後述で与えられる意味
を持っていてよい。）で表されるマンニッヒ塩基との反
応を利用している。
を持っていてよい。）で表されるマンニッヒ塩基との反
応を利用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなマンニッヒ
塩基のヨウ化メチルによる四級化およびアンモニウム塩
とトリアルキルホスフィットの反応は米国特許ＵＳ−Ａ
３１５５７０４号および独国特許ＤＥ−Ａ２３１２９１
０号に開示されている。ヨウ化メチルは、しかし、かな
り高価だけでなく危険な発癌物質でありおよびそれゆえ
厳重な安全条件においてでのみ取り扱われなければなら
ない。さらに第四級アンモニウム塩は通常廉価な非極性
非プロトン性溶媒ほどんど溶解せずそして皮膜のできる
結果となり得る。
塩基のヨウ化メチルによる四級化およびアンモニウム塩
とトリアルキルホスフィットの反応は米国特許ＵＳ−Ａ
３１５５７０４号および独国特許ＤＥ−Ａ２３１２９１
０号に開示されている。ヨウ化メチルは、しかし、かな
り高価だけでなく危険な発癌物質でありおよびそれゆえ
厳重な安全条件においてでのみ取り扱われなければなら
ない。さらに第四級アンモニウム塩は通常廉価な非極性
非プロトン性溶媒ほどんど溶解せずそして皮膜のできる
結果となり得る。
【０００５】米国特許ＵＳ−Ａ３７９０６４８号に示さ
れている方法では、マンニッヒ塩基はアルカリ金属また
は水素化物またはそれらのアミドの存在下でジアルキル
ホスフィットと反応させている。この方法は強塩基固体
の使用を必要とし、廉価なジメチルアミンがマンニッヒ
塩基の調整に使用されるならば、前者は、反応中に発生
することに従って、複雑な装置を使用して、室温でガス
状の生成物の形態に於いて回収しなければならない。特
に強アルカリの存在における出発物質および生成物の感
受性は変色生成物の形成を引き起こす。この欠点は米国
特許ＵＳ−Ａ４２６３２３２号に示された方法により回
避することができるが、収量は不十分である。さらに生
成物の望ましくない鹸化の危険性がある。
れている方法では、マンニッヒ塩基はアルカリ金属また
は水素化物またはそれらのアミドの存在下でジアルキル
ホスフィットと反応させている。この方法は強塩基固体
の使用を必要とし、廉価なジメチルアミンがマンニッヒ
塩基の調整に使用されるならば、前者は、反応中に発生
することに従って、複雑な装置を使用して、室温でガス
状の生成物の形態に於いて回収しなければならない。特
に強アルカリの存在における出発物質および生成物の感
受性は変色生成物の形成を引き起こす。この欠点は米国
特許ＵＳ−Ａ４２６３２３２号に示された方法により回
避することができるが、収量は不十分である。さらに生
成物の望ましくない鹸化の危険性がある。
【０００６】マンニッヒ塩基のトリアルキルまたはジア
ルキルホスフィットとの直接反応は独国特許ＤＥ−Ａ２
４５６５３２号およびＺｈ．Ｏｂｓｈｃｈ．Ｋｈｉｍ．
５１，９９９（１９８１）におけるＶ．Ｖ．オブチニコ
ウ他（V.V. Ovchinnikow etal) によって示されてい
る。この方法の欠点は長い反応時間および副産物として
遊離アミンが形成される事実である。
ルキルホスフィットとの直接反応は独国特許ＤＥ−Ａ２
４５６５３２号およびＺｈ．Ｏｂｓｈｃｈ．Ｋｈｉｍ．
５１，９９９（１９８１）におけるＶ．Ｖ．オブチニコ
ウ他（V.V. Ovchinnikow etal) によって示されてい
る。この方法の欠点は長い反応時間および副産物として
遊離アミンが形成される事実である。
【０００７】他方、ブロミドまたはアセテートがアミノ
基に置換されているマンニッヒ塩基もまた独国特許ＤＥ
−Ａ２３１２９１０号に開示されている。この化合物は
ホスフィットとの反応の前に単離され、および総収量
は、相当するマンニッヒ塩基を使用した場合よりも低
い。
基に置換されているマンニッヒ塩基もまた独国特許ＤＥ
−Ａ２３１２９１０号に開示されている。この化合物は
ホスフィットとの反応の前に単離され、および総収量
は、相当するマンニッヒ塩基を使用した場合よりも低
い。
【０００８】これゆえ、これらの問題の１またはそれ以
上を解決する新規の方法の提供がまだ必要である。
上を解決する新規の方法の提供がまだ必要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】驚くべきことには、廉価
で毒物学的より容認できる試薬を使用して、次式：
で毒物学的より容認できる試薬を使用して、次式：
【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は後述の意味を表
す。）で表されるマンニッヒ塩基を次式：
す。）で表されるマンニッヒ塩基を次式：
【化６】 （式中、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 は後述の意味を表す。）
で表されるトリアルキルホスフィットと反応させること
からなり、該反応はカルボン酸無水物（ＩＶ）の存在下
で行われることを特徴とする、次式：
で表されるトリアルキルホスフィットと反応させること
からなり、該反応はカルボン酸無水物（ＩＶ）の存在下
で行われることを特徴とする、次式：
【化７】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 はおのおの互いに独立して炭素
原子数１ないし１２のアルキル基または炭素原子数５な
いし７シクロアルキル基を表し、Ｒ3 およびＲ4はおの
おの互いに独立して炭素原子数１ないし１２のアルキル
基を表し、または一緒になってピペリジニルまたはモル
ホリニル基を形成し、ならびにＲ5 、Ｒ6およびＲ7 は
おのおの互いに独立して炭素原子数１ないし４のアルキ
ル基を表す。）で表されるヒドロキシベンジルホスホネ
ートが良い収量でおよび実質的に色を回避して製造され
得ることが今や見出された。
原子数１ないし１２のアルキル基または炭素原子数５な
いし７シクロアルキル基を表し、Ｒ3 およびＲ4はおの
おの互いに独立して炭素原子数１ないし１２のアルキル
基を表し、または一緒になってピペリジニルまたはモル
ホリニル基を形成し、ならびにＲ5 、Ｒ6およびＲ7 は
おのおの互いに独立して炭素原子数１ないし４のアルキ
ル基を表す。）で表されるヒドロキシベンジルホスホネ
ートが良い収量でおよび実質的に色を回避して製造され
得ることが今や見出された。
【００１０】炭素原子数１ないし１２のアルキル基とし
て上記式で定義されるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は枝
分かれしたまたは枝分かれしていない基である。このよ
うな基は代表的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、第
三ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、３−ヘプチル基、オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル
基、１，３−ジメチルブチル基、１，１，３，３−テト
ラメチルブチル基、１−メチルヘキシル基、イソヘプチ
ル基、１−メチルヘプチル基、１，１，３−トリメチル
ヘキシル基または１−メチルウンデシル基である。炭素
原子数１ないし４のアルキル基としてのＲ5 、Ｒ6 およ
びＲ7 は適当なものはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基およ
び第三ブチル基である。
て上記式で定義されるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は枝
分かれしたまたは枝分かれしていない基である。このよ
うな基は代表的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、第
三ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、３−ヘプチル基、オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル
基、１，３−ジメチルブチル基、１，１，３，３−テト
ラメチルブチル基、１−メチルヘキシル基、イソヘプチ
ル基、１−メチルヘプチル基、１，１，３−トリメチル
ヘキシル基または１−メチルウンデシル基である。炭素
原子数１ないし４のアルキル基としてのＲ5 、Ｒ6 およ
びＲ7 は適当なものはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基およ
び第三ブチル基である。
【００１１】炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
としてのＲ1 およびＲ2 はシクロペンチル基、シクロヘ
キシル基またはシクロヘプチル基であってよい。
としてのＲ1 およびＲ2 はシクロペンチル基、シクロヘ
キシル基またはシクロヘプチル基であってよい。
【００１２】有益な本発明の具体化はホスフィットの量
が反応の間に酸無水物の量以下に下がらないような反応
を行うことを包含する。
が反応の間に酸無水物の量以下に下がらないような反応
を行うことを包含する。
【００１３】カルボン酸無水物（ＩＶ）はどんなカルボ
ン酸から誘導されたものでもよい。このような酸無水物
の典型例は無水酢酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無
水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタ
ル酸（主に異性体の混合物として）ならびに無水ヘキサ
ヒドロフタル酸である。無水酢酸、無水フタル酸または
無水ヘキサヒドロフタル酸を使用するのが好ましく、特
に無水酢酸を使用するのが好ましい。
ン酸から誘導されたものでもよい。このような酸無水物
の典型例は無水酢酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無
水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタ
ル酸（主に異性体の混合物として）ならびに無水ヘキサ
ヒドロフタル酸である。無水酢酸、無水フタル酸または
無水ヘキサヒドロフタル酸を使用するのが好ましく、特
に無水酢酸を使用するのが好ましい。
【００１４】反応温度は室温ないし２００℃、好ましく
は５０℃ないし１４０℃および、もっとも好ましいのは
６０℃ないし１２０℃の範囲が都合がよい。
は５０℃ないし１４０℃および、もっとも好ましいのは
６０℃ないし１２０℃の範囲が都合がよい。
【００１５】反応は大気（通常）圧下で行われるのが好
都合である。
都合である。
【００１６】反応は溶媒なしで行うことができる；しか
し有機、特に非プロトン性の溶媒の存在は有効である。
この溶媒は非極性または極性であってよい。極性非プロ
トン性溶媒の代表例はジメチルホルムアミド、ジエチル
アセトアミドおよびＮ−メチルピロリドンである。好ま
しい溶媒は非プロトン性および非極性のものであり、代
表的にはヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、デカリ
ンのような脂肪族炭化水素、石油エーテル、リグロニ
ン、ケロセンのような鉱油蒸留物、ベンゼン、トルエン
またはキシレンのような芳香族炭化水素、あるいは該溶
媒の混合物である。
し有機、特に非プロトン性の溶媒の存在は有効である。
この溶媒は非極性または極性であってよい。極性非プロ
トン性溶媒の代表例はジメチルホルムアミド、ジエチル
アセトアミドおよびＮ−メチルピロリドンである。好ま
しい溶媒は非プロトン性および非極性のものであり、代
表的にはヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、デカリ
ンのような脂肪族炭化水素、石油エーテル、リグロニ
ン、ケロセンのような鉱油蒸留物、ベンゼン、トルエン
またはキシレンのような芳香族炭化水素、あるいは該溶
媒の混合物である。
【００１７】特に好ましい溶媒は石油エーテル留分、ベ
ンゼン、トルエンおよびキシレン異性体であり、さらに
好ましいのは石油エーテル留分１００／１４０（ガソリ
ン）、ベンゼンおよびトルエンである。
ンゼン、トルエンおよびキシレン異性体であり、さらに
好ましいのは石油エーテル留分１００／１４０（ガソリ
ン）、ベンゼンおよびトルエンである。
【００１８】この方法はＲ1 およびＲ2 がおのおの互い
に独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基またはシ
クロアルキル基を表し、Ｒ3 およびＲ4 がおのおの互い
に独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基または、
一緒になってピペリジニル基またはモルホリニル基を形
成する式Ｉの化合物を製造するのに特に適当である。
に独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基またはシ
クロアルキル基を表し、Ｒ3 およびＲ4 がおのおの互い
に独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基または、
一緒になってピペリジニル基またはモルホリニル基を形
成する式Ｉの化合物を製造するのに特に適当である。
【００１９】この方法は特にＲ1 およびＲ2 が第三ブチ
ル基である式Ｉの化合物を製造するのにとりわけ適当で
ある。この場合収量はとりわけ高い。
ル基である式Ｉの化合物を製造するのにとりわけ適当で
ある。この場合収量はとりわけ高い。
【００２０】出発材料であるII、III および IV はおお
よそ等量( しかし、反応成分の１つまたはそれ以上、例
えばホスフィットのおよび／または酸無水物の２０％ま
で、好ましくは１０％までの過剰量は有益である。）で
都合よく使用され、好ましくはIIおよびIII は反応器に
装填され、IVは、バッチの大きさによるが数時間まで可
能である期間をかけて添加される。この手順によりホス
フィットの量は反応の間に酸無水物の量よりも低くなる
ことはない。
よそ等量( しかし、反応成分の１つまたはそれ以上、例
えばホスフィットのおよび／または酸無水物の２０％ま
で、好ましくは１０％までの過剰量は有益である。）で
都合よく使用され、好ましくはIIおよびIII は反応器に
装填され、IVは、バッチの大きさによるが数時間まで可
能である期間をかけて添加される。この手順によりホス
フィットの量は反応の間に酸無水物の量よりも低くなる
ことはない。
【００２１】式Ｉの生成物の仕上げは慣用の方法、典型
的には水溶性副産物の洗浄し除去、再結晶等によって行
われる。通常水は水溶性反応生成物の除去のため反応混
合物に添加される。所望の生成物は水の添加によりまた
は反応混合物から水を除去後沈澱される。沈澱物をその
後吸引ろ過し、そして使用された溶媒で洗浄できる。カ
ルボン酸無水物の反応生成物は、例えばＲ−ＣＯ−Ｏ−
Ｒ5,6,7 またはＲ−ＣＯ−ＮＲ3 Ｒ4 （Ｒ−ＣＯは酸無
水物の酸基を表す。）のタイプの化合物は通常溶液中に
残るかまたは、洗浄時に、水相中に入る。
的には水溶性副産物の洗浄し除去、再結晶等によって行
われる。通常水は水溶性反応生成物の除去のため反応混
合物に添加される。所望の生成物は水の添加によりまた
は反応混合物から水を除去後沈澱される。沈澱物をその
後吸引ろ過し、そして使用された溶媒で洗浄できる。カ
ルボン酸無水物の反応生成物は、例えばＲ−ＣＯ−Ｏ−
Ｒ5,6,7 またはＲ−ＣＯ−ＮＲ3 Ｒ4 （Ｒ−ＣＯは酸無
水物の酸基を表す。）のタイプの化合物は通常溶液中に
残るかまたは、洗浄時に、水相中に入る。
【００２２】出発の式IIのマンニッヒ塩基は、特に独国
特許ＤＥ−Ａ２３１２９１０号に示されているように、
次式：
特許ＤＥ−Ａ２３１２９１０号に示されているように、
次式：
【化８】 で表されるジアルキルフェノール、ホルムアルデヒドお
よび次式：
よび次式：
【化９】 で表される第二アミンから殆ど定量的に得ることができ
る。
る。
【００２３】新規の方法から製造された化合物は、特に
米国特許ＵＳ−Ａ３２８００７０号、米国特許ＵＳ−Ａ
３２８１５０５号および米国特許ＵＳ−Ａ３３６７８７
０号に開示されているように、多くの有機モノマーおよ
びポリマーを、熱、酸化および／または光酸化により引
き起こされる崩壊に対する保護するための安定剤として
使用するのに適当である。
米国特許ＵＳ−Ａ３２８００７０号、米国特許ＵＳ−Ａ
３２８１５０５号および米国特許ＵＳ−Ａ３３６７８７
０号に開示されているように、多くの有機モノマーおよ
びポリマーを、熱、酸化および／または光酸化により引
き起こされる崩壊に対する保護するための安定剤として
使用するのに適当である。
【００２４】
【実施例】本発明を以下に続くその中で限定するもので
はない実施例によってより詳細に説明する。以降の記述
を通して、部およびパーセントは他に示さないかぎり重
量によるものである。
はない実施例によってより詳細に説明する。以降の記述
を通して、部およびパーセントは他に示さないかぎり重
量によるものである。
【００２５】実施例１：サーモスタット制御可能の反応
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベンジ
ル）ジメチルアミン５５３．８ｇ（２．１モル）と石油
エーテル１００／１４０ ４５０ｇを装填する。攪拌し
ながら不活性ガスでガスシールし、反応混合物を６０℃
に加熱し、トリエチルホスフィット３６６．４ｇ（２．
２モル）を透明な溶液中に流し入れる。冷却しながら無
水酢酸２２５．１ｇ（２．２モル）を次に６０℃で２時
間かけて滴下し、および攪拌を１時間６０℃で続ける。
溶媒を温度が１１５℃になるまで蒸留により除去する。
残留反応溶液を７５℃で水４×２５０ｍｌで洗浄し、そ
して共沸蒸留で乾燥する。室温まで冷却して、生成物を
結晶化させそして吸引ろ過し、石油エーテル１００／１
４０で洗浄し、乾燥する。融点１１９−１２１℃の無色
のジエチル４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベ
ンジルホスホネート６９３．２ｇ（理論値の９２．６
％）が得られる。
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベンジ
ル）ジメチルアミン５５３．８ｇ（２．１モル）と石油
エーテル１００／１４０ ４５０ｇを装填する。攪拌し
ながら不活性ガスでガスシールし、反応混合物を６０℃
に加熱し、トリエチルホスフィット３６６．４ｇ（２．
２モル）を透明な溶液中に流し入れる。冷却しながら無
水酢酸２２５．１ｇ（２．２モル）を次に６０℃で２時
間かけて滴下し、および攪拌を１時間６０℃で続ける。
溶媒を温度が１１５℃になるまで蒸留により除去する。
残留反応溶液を７５℃で水４×２５０ｍｌで洗浄し、そ
して共沸蒸留で乾燥する。室温まで冷却して、生成物を
結晶化させそして吸引ろ過し、石油エーテル１００／１
４０で洗浄し、乾燥する。融点１１９−１２１℃の無色
のジエチル４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベ
ンジルホスホネート６９３．２ｇ（理論値の９２．６
％）が得られる。
【００２６】実施例２：サーモスタット制御可能の反応
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベンジ
ル）ジメチルアミン２６３ｇ（１モル）と石油エーテル
１００／１４０ ５００ｇを装填する。攪拌しながら不
活性ガスでガスシールし、反応混合物を８０℃に加熱
し、トリメチルホスフィット１３０ｇ（１．０５モル）
を透明な溶液中に流し入れる。冷却しながら無水酢酸１
０７ｇ（１．０５モル）を次に８０℃で２時間かけて滴
下し、および攪拌を１時間８０℃で続ける。溶媒を温度
が１１５℃になるまで蒸留により除去する。残留反応溶
液を室温まで冷却しそして水１リットルとともに攪拌す
る。結晶化した生成物を吸引ろ過し、石油エーテル１０
０／１４０で洗浄し、乾燥する。融点１５６−１６０℃
の無色のジメチル４−ヒドロキシ−３，５−ジ第三ブチ
ルベンジルホスホネート３０７ｇ（理論値の９３％）が
得られる。
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−第三ブチルベンジ
ル）ジメチルアミン２６３ｇ（１モル）と石油エーテル
１００／１４０ ５００ｇを装填する。攪拌しながら不
活性ガスでガスシールし、反応混合物を８０℃に加熱
し、トリメチルホスフィット１３０ｇ（１．０５モル）
を透明な溶液中に流し入れる。冷却しながら無水酢酸１
０７ｇ（１．０５モル）を次に８０℃で２時間かけて滴
下し、および攪拌を１時間８０℃で続ける。溶媒を温度
が１１５℃になるまで蒸留により除去する。残留反応溶
液を室温まで冷却しそして水１リットルとともに攪拌す
る。結晶化した生成物を吸引ろ過し、石油エーテル１０
０／１４０で洗浄し、乾燥する。融点１５６−１６０℃
の無色のジメチル４−ヒドロキシ−３，５−ジ第三ブチ
ルベンジルホスホネート３０７ｇ（理論値の９３％）が
得られる。
【００２７】実施例３：サーモスタット制御可能の反応
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルベンジル）ジ
メチルアミン１３．１ｇ（０．０７３モル）と石油エー
テル１００／１４０ ２０ｇを装填する。攪拌しながら
不活性ガスでガスシールし、反応混合物を８０℃に加熱
し、そしてトリエチルホスフィット１２．２ｇ（０．０
７３モル）を透明な溶液中に流し入れる。無水酢酸７．
５ｇ（０．０７３モル）を次に８０℃で１時間かけて冷
却しながら滴下し、および攪拌を１時間８０℃で続け
る。精製を実施例２の総手順に従って行い、融点７０−
７１℃のジメチル４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルベ
ンジルホスホネート１６．９ｇ（理論値の８５％）が得
られる。
器に（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルベンジル）ジ
メチルアミン１３．１ｇ（０．０７３モル）と石油エー
テル１００／１４０ ２０ｇを装填する。攪拌しながら
不活性ガスでガスシールし、反応混合物を８０℃に加熱
し、そしてトリエチルホスフィット１２．２ｇ（０．０
７３モル）を透明な溶液中に流し入れる。無水酢酸７．
５ｇ（０．０７３モル）を次に８０℃で１時間かけて冷
却しながら滴下し、および攪拌を１時間８０℃で続け
る。精製を実施例２の総手順に従って行い、融点７０−
７１℃のジメチル４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルベ
ンジルホスホネート１６．９ｇ（理論値の８５％）が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルドルフ マオル ドイツ連邦共和国，6143 ロルシュ／ヘッ セン，クロー デガングシュトラーセ ６ アー
Claims (10)
- 【請求項１】 次式： 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は後述の意味を表
す。）で表されるマンニッヒ塩基を次式： 【化２】 （式中、Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 は後述の意味を表す。）
で表されるトリアルキルホスフィットと反応させること
からなり、該反応はカルボン酸無水物（ＩＶ）の存在下
で行われることを特徴とする、次式： 【化３】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 はおのおの互いに独立して炭素
原子数１ないし１２のアルキル基または炭素原子数５な
いし７シクロアルキル基を表し、Ｒ3 およびＲ4はおの
おの互いに独立して炭素原子数１ないし１２のアルキル
基を表し、または一緒になってピペリジニルまたはモル
ホリニル基を形成し、ならびにＲ5 、Ｒ6およびＲ7 は
おのおの互いに独立して炭素原子数１ないし４のアルキ
ル基を表す。）で表されるヒドロキシベンジルホスホネ
ートを製造する方法。 - 【請求項２】 ホスフィットの量が反応の間に酸無水物
の量以下に下がらない請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 式II中、Ｒ1 およびＲ2 がおのおの互い
に独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基またはシ
クロヘキシル基を表し、ならびにＲ3 およびＲ4 はおの
おの互いに独立して炭素原子数１ないし６のアルキル基
を表し、あるいは一緒になってピペリジニルまたはモル
ホリニル基を形成する請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 式ＩおよびII中、Ｒ1 およびＲ2 は第三
ブチル基を表す請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 カルボン酸無水物が無水酢酸、無水フタ
ル酸または無水ヘキサヒドロフタル酸からなる請求項１
に記載の方法。 - 【請求項６】 反応温度が室温から２００℃までの範囲
である請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 反応温度が５０℃から１４０℃までの範
囲である請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 反応温度が６０℃から１２０℃までの範
囲である請求項６に記載の方法。 - 【請求項９】 非プロトン性および非極性溶媒中で行わ
れる請求項１に記載の方法。 - 【請求項１０】 石油エーテル１００／１４０（ガソリ
ン）、ベンゼンまたはトルエンからなる群より選択され
た溶媒中で行われる請求項９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH101691 | 1991-04-05 | ||
| CH1016/91-1 | 1991-04-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07165772A true JPH07165772A (ja) | 1995-06-27 |
| JP3106219B2 JP3106219B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=4200489
Family Applications (1)
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